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TWI410287B - 液處理裝置及處理液供給方法 - Google Patents

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TWI410287B
TWI410287B TW97135006A TW97135006A TWI410287B TW I410287 B TWI410287 B TW I410287B TW 97135006 A TW97135006 A TW 97135006A TW 97135006 A TW97135006 A TW 97135006A TW I410287 B TWI410287 B TW I410287B
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TW
Taiwan
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chemical solution
solvent
supply
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additional chemical
Prior art date
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TW97135006A
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English (en)
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TW200930469A (en
Inventor
Yuji Kamikawa
Shigenori Kitahara
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200930469A publication Critical patent/TW200930469A/zh
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Description

液處理裝置及處理液供給方法
本發明係關於測定處理液中所含化學藥品溶液之濃度,同時以該處理液處理被處理體之液處理裝置,及將處理液對於被處理體供給之處理液供給方法。
自以往,清洗為被處理體之半導體晶圓(以下亦稱晶圓)時,係使用於為溶劑之純水添加有NH4 OH(氫氧化銨)與過氧化氫水之氨過氧化氫水(SC1),或於為溶劑之純水添加有鹽酸與過氧化氫水之鹽酸過氧化氫水(SC2),或將氫氟酸以純水稀釋過之稀氫氟酸等。
在此,氨過氧化氫水(SC1)主要用在將附著於晶圓之微粒除去,鹽酸過氧化氫水主要用在除去晶圓之金屬污染,稀氫氟酸主要用在除去晶圓之污染。
為了測定如此種氨過氧化氫水(SC1)或鹽酸過氧化氫水(SC2)或稀氫氟酸之處理液中所含化學藥品溶液之濃度,已知有測定處理液之導電率之方法,或測定通過處理液之光之穿透率(處理液之吸光度)之方法(參照專利文獻1、專利文獻2及專利文獻3)。
【專利文獻1】日本特開昭62-8040號公報
【專利文獻2】日本特開平10-154683號公報
【專利文獻3】日本特開2005-189207號公報
然而,如上所述,於氨過氧化氫水(SC1)含有NH4 OH與過氧化氫水2種化學藥品溶液,又,同樣地,於鹽酸過氧化氫水(SC2)含有鹽酸與過氧化氫水2種化學藥品溶液。
因此,測定該等處理液之導電率而測定化學藥品溶液之濃度之情形,由於其中之一之化學藥品溶液導致之導電效果會與另一化學藥品溶液導致之導電效果混雜在一起,因此,難以測定各化學藥品溶液之準確濃度。此外,測定該等處理液之光之穿透率(處理液之吸光度)而測定化學藥品溶液濃度之情形,雖能準確測定各化學藥品溶液之濃度,但是測定時間耗時。
又,於使用含較濃濃度之化學藥品溶液之處理液之情形,即供給之化學藥品溶液量多之情形,藉直接測定所供給之化學藥品溶液之流量,能測定該化學藥品溶液之濃度。然而,使用含較低濃度之化學藥品溶液之處理液之情形,由於供給之化學藥品溶液量少,因此非常難以準確測定供給之化學藥品溶液之流量。
本發明係考量如此點而生,目的在於提供一種液處理裝置,能於含2種以上化學藥品溶液之處理液之濃度測定時,迅速且準確地測定化學藥品溶液之濃度,且於測定含較低濃度之化學藥品溶液之處理液之濃度時,能準確地測定化學藥品溶液之濃度,並提供一種將處理液對於被處理體供給之處理液供給方法。
依照本發明之液處理裝置,係使用藉由將溶劑與化學藥品溶液混合而產生之處理液來處理被處理體;特徵在於包含:
處理部,藉由處理液處理被處理體;
供給通道,與處理部連結,將處理液引導到該處理部;
溶劑供給部,將溶液供給到供給通道;
化學藥品溶液供給部,經由化學藥品溶液供給通道將化學藥品溶液供給到供給通道,並產生經溶劑稀釋之化學藥品溶液;
測定部,設於在供給通道之中化學藥品溶液供給通道所連結之連結部位之下游側,測定經溶劑稀釋之化學藥品溶液之導電率;
追加化學藥品溶液供給部,連結於在供給通道之中測定部所設置之測定部位之下游側,經由追加化學藥品溶液供給通道而供給與該化學藥品溶液相異之追加化學藥品溶液。
依此方式,在供給通道之中於化學藥品溶液供給通道所連結之連結部位之下游側,設置有測定導電率之測定部,並於供給通道之中,測定部所設置之測定部位之下游側,連結有經由追加化學藥品溶液供給通道供給與前述化學藥品溶液相異之追加化學藥品溶液之追加化學藥品溶液供給部,因此,當測定含2種以上化學藥品溶液之處理液之濃度時,能迅速且準確地測定化學藥品溶液之濃度。又,於清洗液含較低濃度之化學藥品溶液時,即供給之化學藥品溶液量少時,亦能將從測定導電率之測定部所供給之化學藥品溶液之量準確地測定。
依照本發明之液處理裝置,追加化學藥品溶液供給部,較佳為供給過氧化氫作為追加化學藥品溶液。
依照本發明之液處理裝置,較佳為更包含:計算部,依據由測定部測定之導電率,計算從化學藥品溶液供給部所供給之化學藥品溶液之濃度;
調整部,依據由計算部所計算之化學藥品溶液之濃度,調整從化學藥品溶液供給部所供給之化學藥品溶液之量。
藉由如此的構成,能夠隨時調整從化學藥品溶液供給部供給之化學藥品溶液之濃度,能使該化學藥品溶液之濃度迅速成為適當濃度。
依照本發明之液處理裝置,較佳為更包含:濃度均勻化部,設置在供給通道之中化學藥品溶液供給通道所連結之連結部位與測定部所設置之測定部位之間,使溶劑與化學藥品溶液混合並使均勻化。
藉由如此的構成、測定部,能以良好精度測定經溶劑稀釋之化學藥品溶液之導電率,同時能迅速地提供測定結果。
於上述液處理裝置中,較佳為,測定部於經溶劑稀釋之化學藥品溶液通過該測定部後0.5秒以內,提供導電率之測定結果。
依照本發明之處理液供給方法,係將使溶劑與化學藥品溶液混合而產生之處理液對於被處理體供給;特徵在於包含以下步驟:
溶劑供給步驟,對於供給通道供給溶劑;
化學藥品溶液供給步驟,對供給通道供給化學藥品溶液,並產生經溶劑稀釋之化學藥品溶液;
測定步驟,藉測定經溶劑稀釋之化學藥品溶液之導電率,而測定於該化學藥品溶液供給步驟所供給之化學藥品溶液之濃度;
追加化學藥品溶液供給步驟,對於經溶劑稀釋之化學藥品溶液,供給與該化學藥品溶液相異之追加化學藥品溶液而產生處理液;
基板處理步驟,將該處理液對被處理體供給。
依照如此的方法,由於藉由測定經溶劑稀釋之化學藥品溶液之導電率,而測定於化學藥品溶液供給步驟所供給之化學藥品溶液之濃度後,對於經溶劑稀釋之化學藥品溶液供給追加化學藥品溶液而產生處理液,故測定含2種以上化學藥品溶液之處理液之濃度時,能迅速且準確地測定化學藥品溶液之濃度。又,清洗液含較低濃度之化學藥品溶液時,即供給之化學藥品溶液量少時,仍能將從測定導電率之測定部供給之化學藥品溶液量準確地測定。
依照本發明,由於測定經溶劑稀釋之化學藥品溶液之導電率後,供給與該化學藥品溶液相異之追加化學藥品溶液,因此測定含2種以上化學藥品溶液之處理液之濃度時,能迅速且準確地測定化學藥品溶液之濃度,且測定含較低濃度之化學藥品溶液之處理液之濃度時,能準確地測定化學藥品溶液之濃度。
(實施發明之最佳形態) 實施形態
以下,對於本發明之液處理裝置及處理液供給方法之實施形態,參照圖式說明。在此,圖1顯示本發明實施形態之液處理裝置概略構成圖。
依照本實施形態之液處理裝置,係用於處理作為被處理體之半導體晶圓(以下亦稱晶圓W),係使用藉由將溶劑與化學藥品溶液混合而產生之處理液進行處理。
圖1所示液處理裝置,包含:處理部80,利用處理液處理晶圓W;供給通道1,與處理部80連結,將處理液引導到該處理部80;溶劑供給部7,對於供給通道1供給溶劑;化學藥品溶液供給部5,經由化學藥品溶液供給通道6將化學藥品溶液對於供給通道1供給。
其中,處理部80,包含:殼體81;固持部82,設置於殼體81內,固持晶圓W;處理液供給部83,對於以固持部82固持之晶圓W之表面(頂面),供給處理液;背面處理液供給部84,對於該晶圓W之背面(底面)供給處理液。
又,如圖1所示,化學藥品溶液供給部5,具:氫氟酸供給部21,供給氫氟酸;鹽酸供給部31,供給鹽酸;NH4 OH供給部41,供給NH4 OH(氫氧化銨)。
又,如圖1所示,化學藥品溶液供給通道6,具:氫氟酸供給通道25,將從氫氟酸供給部21供給之氫氟酸導入供給通道1;鹽酸供給通道35,將從鹽酸供給部31供給之鹽酸導入供給通道1;NH4 OH供給通道45,將從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH導入供給通道1。
又,如圖1所示,於連結於氫氟酸供給部21之氫氟酸供給通道25,設置有調整流動於該氫氟酸供給通道25之氫氟酸流量之氫氟酸調節器22。同樣地,與鹽酸供給部31連結之鹽酸供給通道35,設置有調整流動於該鹽酸供給通道35之鹽酸流量之鹽酸調節器32,與NH4 OH供給部41連結之NH4 OH供給通道45,設置有調整流動於該NH4 OH供給通道45之NH4 OH流量的NH4 OH調節器42。
又,如圖1所示,氫氟酸供給通道25,於氫氟酸調節器22之下游側經由開閉自如之氫氟酸供給閥24而於連結部位25a連結到供給通道1。同樣地,鹽酸供給通道35,於鹽酸調節器32之下游側經由開閉自如之鹽酸供給閥34而於連結部位35a連結到供給通道1,NH4 OH供給通道45,於NH4 OH調節器42之下游側經由開閉自如之NH4 OH供給閥44而於連結部位45a連結到供給通道1。
又,如圖1所示,溶劑供給部7具:DIW供給部61,對於供給通道1供給純水(DIW);加熱DIW供給部66,對於供給通道1供給經加熱部66a加熱之純水(DIW)。
又,如圖1所示,於供給通道1之DIW供給部61之下游側,設置有調整流動於供給通道1內之純水流量之純水調節器62。又,於該純水調節器62之下游側,設置有測定流動於供給通道1內之純水流量之純水流量計63。又,同樣地,於供給通道1之加熱DIW供給部66之下游側,設置有調整游動於供給通道1內之經加熱純水流量之加熱純水調節器67,於該加熱純水調節器67之下游側,設置有測定流動於供給通道1內之經加熱純水流量之加熱純水流量計68。又,於純水流量計63與加熱純水流量計68之下游側,設置有開閉自如之純水供給閥64。
又,如圖1所示,純水流量計63連接於後述控制部50之調整部52,該調整部52連接於純水調節器62。又,同樣地,加熱純水流量計68連接於控制部50之調整部52,該調整部52連接於加熱純水調節器67。
又,供給通道1之中,化學藥品溶液供給通道6(氫氟酸供給通道25、鹽酸供給通道35及NH4 OH供給通道45)所連結之連結部位25a、35a、45a之下游側,設置有測定經為溶劑之純水稀釋之化學藥品溶液之導電率的測定部10。
又,如圖1所示,於測定部10,連接著計算部51,該計算部51依據測定部10測定之導電率,計算從化學藥品溶液供給部5所供給之化學藥品溶液之濃度。又,於該計算部51連接著調整部52,該調整部52依據計算部51所計算之化學藥品溶液之濃度,將從化學藥品溶液供給部5(氫氟酸供給部21、鹽酸供給部31及NH4 OH供給部41)供給之化學藥品溶液量使用調節器(氫氟酸調節器22、鹽酸調節器32及NH4 OH調節器42)調整。又,該等計算部51及調整部52,構成控制部50。
又,如圖1所示,供給通道1之中,測定部10所設置之測定部位10a之下游側之連結部位3a,連結著過氧化氫水供給部(追加化學藥品溶液供給部)11,該過氧化氫水供給部(追加化學藥品溶液供給部)11經由追加化學藥品溶液供給通道3而供給:與從化學藥品溶液供給部5供給之化學藥品溶液均相異之過氧化氫(追加化學藥品溶液)。
又,如圖1所示,於追加化學藥品溶液供給通道3,設置有過氧化氫水調節器12,該過氧化氫水調節器12調整流動於追加化學藥品溶液供給通道3內之過氧化氫之流量。又,該過氧化氫水調節器12之下游側,設置有過氧化氫水流量計13,其測定流動於追加化學藥品溶液供給通道3內之過氧化氫之流量。又,過氧化氫水流量計13連接於控制部50之調整部52,於該調整部52,連接著過氧化氫水調節器12。
又,如圖1所示,過氧化氫水供給部11與過氧化氫水調節器12之間,連結著過氧化氫水儲藏槽17。並且,藉由打開第一過氧化氫水供給閥15、關閉第二過氧化氫水供給閥16,能從過氧化氫水供給部11對於過氧化氫水儲藏槽17供給過氧化氫,另外,藉打開第二過氧化氫水供給閥16、關閉第一過氧化氫水供給閥15,能將貯留在過氧化氫水儲藏槽17之過氧化氫水朝向基板處理裝置供給。
又,於過氧化氫水儲藏槽17,連接著氮氣供給部71,其經由氮氣供給通道79,對於儲藏在該過氧化氫水儲藏槽17內之過氧化氫施加既定壓力。又,於氮氣供給部71與過氧化氫水儲藏槽17之間之氮氣供給通道79,設置有調整從氮氣供給部71供給之氮氣量之氮氣調節器72。
又,如圖1所示,於氮氣調節器72之下游側,設置有:氮氣供給閥75,用於將氮氣對於過氧化氫水儲藏槽17供給;及氮氣排出閥76,用於將氮氣排出到外部。又,氮氣排出閥76,連通於將氮氣往外部排出之排出口(未圖示)。
並且,對於過氧化氫水儲藏槽17供給氮氣而將過氧化氫水儲藏槽17內之過氧化氫對於供給通道1供給之情形,打開氮氣供給閥75、關閉氮氣排出閥76。又,此時,第一過氧化氫水供給閥15關閉、第二過氧化氫水供給閥16與過氧化氫水供給閥14打開。
另一方面,從過氧化氫水儲藏槽17將氮氣排出而對於過氧化氫水儲藏槽17內供給來自追加化學藥品溶液供給部11之過氧化氫之情形,氮氣供給閥75關閉、氮氣排出閥76打開。又,此時,第一過氧化氫水供給閥15打開、第二過氧化氫水供給閥16關閉。
又,供給通道1之中,化學藥品溶液供給通道6所連結之連結部位25a、35a、45a與測定部10所設置之測定部位10a之間,設置有將溶劑與化學藥品溶液混合均勻之如靜態混合器之濃度均勻管(濃度均勻化部)90。
其次,敘述由此種構成而得之本實施形態之作用。
首先,清洗液有時使用以純水稀釋成較低濃度之NH4 OH時(例如、NH4 OH:純水=1:100),對此加以說明。
首先,打開純水供給閥64,對於供給通道1供給為溶劑之純水(溶劑供給步驟)。此時,利用純水流量計63測定流動於供給通道1內之純水之流量,同時,依據所測定之純水流量,依照來自於調整部52之指示,以純水調節器62調整流動於供給通道1內之純水流量。又,同樣地,以加熱純水流量計68,測定流動於供給通道1內之經加熱純水之流量,同時,依據所測定之經加熱純水之流量,依照來自於調整部52之指示,以加熱純水調節器67調整流動於供給通道1內之經加熱純水之流量,同時,調整流動於供給通道1內之純水(從DIW供給部61供給之純水與從加熱DIW供給部供給之經加熱之純水的混合液)之溫度。
其次,打開NH4 OH供給閥44,經由NH4 OH供給通道45將化學藥品溶液NH4 OH供給到供給通道1(化學藥品溶液供給步驟)。
其次,NH4 OH與純水同時到達如靜態混合器之濃度均勻管90,藉該濃度均勻管90,與純水混合而成均勻(均勻化步驟)。
其次,以測定部10,測定經純水稀釋之NH4 OH之導電率(測定步驟)。在此,如上所述,以濃度均勻管90,混合NH4 OH與純水使成均勻,因此,測定部10,能以良好精度測定經純水稀釋之NH4 OH之導電率。又,依此方式,由於NH4OH與純水混合均勻,因此,測定部10,能將測定結果對後述計算部51迅速提供,較佳為,設置測定部10,該測定部10能在經純水稀釋之NH4 OH通過後0.5秒以內,將導電率之測定結果對於計算部51提供。
其次,利用控制部50之計算部51,依據測定部10所測定之導電率,計算經稀釋之NH4 OH之濃度。之後,藉由該計算部51,利用經計算之稀釋後之NH4 OH之濃度,與從純水流量計63與加熱純水流量計68導出之純水之流量,計算從NH4OH供給部41供給之NH4 OH之濃度(計算步驟)。
依此方式,清洗液使用以純水稀釋成較低濃度之NH4 OH之情形,從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH量非常少。因此,例如即使在供給通道45上配置流量計,亦無法準確地測定其流量。因此,無法知道經純水稀釋後之NH4 OH之準確濃度。相對於此,依照本實施形態,係將NH4 OH以純水稀釋,而將容量增大之化學藥品溶液(稀釋後之NH4 OH)之濃度使用測定導電率之測定部10來測定。因此,依此方式,即使從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH量非常少,亦能準確測定從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH之量。
又,測定部10,並非測定稀釋後之NH4 OH之光穿透率(NH4 OH之吸光度),而測定其導電率。因此,相較於測定光之穿透率之情形,能迅速地檢知NH4 OH之濃度。
如上所述,若利用計算部51計算從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH之濃度,則藉由控制部50之調整部52,依據所計算之NH4 OH之濃度,調整NH4 OH調節器42。因此,可以隨時調整從NH4 OH供給部41對於供給通道1供給之NH4 OH濃度,能使該NH4 OH之濃度迅速成為適當濃度。
其次,將經純水稀釋之NH4 OH,供給到處理部80之處理液供給部83與背面處理液供給部84(基板處理步驟)。在此,將依據如上所述準確計算之NH4 OH濃度,調整為適當濃度之NH4 OH,對於晶圓W供給,因此,能以良好精度處理晶圓W。
(利用氨過氧化氫水(SC1)之處理)其次,說明清洗液使用含較濃濃度之NH4 OH(例如,氨水:過氧化氫水:水=1:1:5(容量比)而產生)的氨過氧化氫水(SC1),清洗進行晶圓W之情形。
首先,打開純水供給閥64,對於供給通道1供給為溶劑之純水(溶劑供給步驟)。此時,利用純水流量計63測定流動於供給通道1內之純水之流量,同時,依據測定之純水流量,依照來自於調整部52之指示,利用純水調節器62調整在供給通道1內流動之純水之流量。又,同樣地,利用加熱純水流量計68測定在供給通道1內流動之經加熱純水之流量,同時,依據所測定之經加熱純水之流量,依照來自於調整部52之指示,利用加熱純水調節器67調整在供給通道1內流動之經加熱純水之流量,同時,調整在供給通道1內流動之純水(從DIW供給部61供給之純水與從加熱DIW供給部供給之經加熱純水之混合液)之溫度。
其次,打開NH4 OH供給閥44,經由NH4 OH供給通道45對於供給通道1供給化學藥品溶液NH4 OH(化學藥品溶液供給步驟)。
此時,打開第二過氧化氫水供給閥16與過氧化氫水供給閥14,將儲留在過氧化氫水儲藏槽17之過氧化氫水,供給到供給通道1(追加化學藥品溶液供給步驟)。
又,此時,氮氣供給閥75雖打開,但氮氣排出閥76關閉,利用從氮氣供給部71供給之氮氣之壓力,對於儲留在過氧化氫水儲藏槽17內之過氧化氫,施加既定壓力。依此方式,在容量較小之過氧化氫水儲藏槽17內儲藏過氧化氫水,並對於該過氧化氫水施加氮氣所致壓力而供給過氧化氫水,因此能輕易調整供給之過氧化氫水量。
其次,利用測定部10,測定經純水稀釋之NH4 OH之導電率(測定步驟)。其次,利用控制部50之計算部51,依據測定部10所測定之導電率,計算經稀釋之NH4 OH之濃度。之後,藉由此計算部51,利用經計算之稀釋後之NH4 OH濃度,及從純水流量計63及加熱純水流量計68導出之純水流量,計算從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH濃度(計算步驟)。
依此方式,依照本實施形態,能藉由測定部10,於不添加過氧化氫之狀態,檢測從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH之導電率。因此,能測定非加入過氧化氫所致導電效果,而測定僅來自於因NH4 OH所致導電效果之導電率,能準確計算NH4 OH之濃度。
又,如以往,於混合NH4 OH及過氧化氫之狀態測定導電率之情形,從NH4 OH供給部供給之NH4 OH量若為少量,則愈少時,來自於過氧化氫之導電效果貢獻愈大。因此,如本實施形態所示,能夠僅測定來自於NH4 OH所致導電效果之導電率,係指從NH4 OH供給部供給之NH4 OH之供給量如為少量則愈少,相較於習知方法,愈為有益者。
又,測定部10,並不測定稀釋後之NH4 OH之光穿透率(NH4 OH之吸光度),而測定其導電率。因此,相較於測定光穿透率之情形,能迅速檢知NH4 OH之濃度。
如上所述,若利用計算部51計算從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH濃度,則利用控制部50之調整部52,依據計算之NH4 OH濃度,調整NH4 OH調節器42。因此,可以隨時調整從NH4 OH供給部41對供給通道1供給之NH4 OH濃度,能使該NH4 OH之濃度迅速成為適當濃度。
另一方面,從過氧化氫水儲藏槽17放出之過氧化氫水,如上所述於測定部10測定稀釋後之NH4 OH之濃度,於計算部51計算從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH濃度,並於調整部52調整NH4 OH之供給量之期間,利用過氧化氫水流量計13測定在過氧化氫水供給通道3內流動之流量,同時依據經測定之過氧化氫水之流量,依照來自於調整部52之指示,將該流量以過氧化氫水調節器12進行調整。
其次,在如上所述稀釋成適當濃度之NH4 OH,混合如上所述經流量調整之過氧化氫水,於供給通道1內,產生為處理液之氨過氧化氫水(SC1)。
並且,將此氨過氧化氫水(SC1)供給到處理部80之處理液供給部83及背面處理液供給部84(基板處理步驟)。在此,由於依據如上所述經準確計算之NH4 OH濃度,將調整成適當濃度之氨過氧化氫水(SC1),對於晶圓W供給,因此能以良好精度處理晶圓W。
亦即,於先前所說明之從NH4 OH供給部41供給之NH4 OH量非常少之處理時,將NH4 OH與過氧化氫與純水混合之化學藥品溶液量較多之處理時,都能準確地測定處理液濃度。
(利用鹽酸過氧化氫水(SC2)之處理)使用鹽酸過氧化氫水(SC2)作為處理液清洗晶圓W時,與利用上述氨過氧化氫水(SC1)之處理大致相同。亦即,將開閉NH4 OH供給閥44改為開閉鹽酸供給閥34即可,其他之點,與利用氨過氧化氫水(SC1)之處理大致相同。因此,詳細說明省略。
依照本實施形態,係使用稀釋成較低濃度之鹽酸作為清洗液,即使從鹽酸供給部31供給之鹽酸量非常少,亦能將以純水稀釋鹽酸而容量增大之化學藥品溶液(稀釋後之鹽酸)之濃度,使用測定導電率之測定部10進行測定。因此,能準確地測定從鹽酸供給部31供給之鹽酸之量。
又,即使使用鹽酸過氧化氫水(SC2)清洗晶圓W之情形,可在不加入過氧化氫之狀態,檢測出從鹽酸供給部31供給之鹽酸之導電率。因此,能不加入過氧化氫所致導電效果,而檢測出僅由鹽酸所致導電效果由來之導電率,能準確地計算鹽酸之濃度。其結果,能對於處理部80供給準確量之鹽酸,將晶圓W以由準確鹽酸濃度所構成之鹽酸過氧化氫水(SC2)進行處理。
又,測定部10並不測定稀釋後之鹽酸之光穿透率(鹽酸之吸光度),而測定其導電率。因此,相較於測定光穿透率之情形,能迅速地檢知鹽酸之濃度。
(利用稀氫氟酸之處理)
使用稀氫氟酸作為處理液清洗晶圓W之情形,除了不使用過氧化氫水以外,與上述利用氨過氧化氫水(SC1)之處理大致相同。亦即,將開閉NH4 OH供給閥44與過氧化氫水供給閥14,改為開閉氫氟酸供給閥24即可,其他之點,與利用氨過氧化氫水(SC1)之處理大致相同,因此詳細說明省略。
又,使用稀氫氟酸清洗晶圓W之情形,由於不使用追加化學藥品溶液過氧化氫水,因此經純水稀釋之稀氫氟酸成為處理液。
1...供給通道
3...過氧化氫水供給通道
3a...連結部位
5...化學藥品溶液供給部
6...化學藥品溶液供給通道
7...溶劑供給部
10...測定部
10a...測定部位
11...追加化學藥品溶液供給部
12...過氧化氫水調節器
13...過氧化氫水流量計
14...過氧化氫水供給閥
15...第一過氧化氫水供給閥
16...第二過氧化氫水供給閥
17...過氧化氫水儲藏槽
21...氫氟酸供給部
22...氫氟酸調節器
24...氫氟酸供給閥
25...氫氟酸供給通道
25a...連結部位
31...鹽酸供給部
32...鹽酸調節器
34...鹽酸供給閥
35...鹽酸供給通道
35a...連結部位
41...NH4 OH供給部
42...NH4 OH調節器
44...NH4 OH供給閥
45...NH4 OH供給通道
45a...連結部位
50...控制部
51...計算部
52...調整部
61...DIW供給部
62...純水調節器
63...純水流量計
64...純水供給閥
66...加熱DIW供給部
66a...加熱部
67...加熱純水調節器
68...加熱純水流量計
71...氮氣供給部
72...氮氣調節器
75...氮氣供給閥
76...氮氣排出閥
79...氮氣供給通道
80...處理部
81...殼體
82...固持部
83...處理液供給部
84...背面處理液供給部
90...濃度均勻管(濃度均勻化部)
W...晶圓(被處理體)
圖1顯示本發明實施形態之液處理裝置之概略構成圖。
1...供給通道
3...過氧化氫水供給通道
3a...連結部位
5...化學藥品溶液供給部
6...化學藥品溶液供給通道
7...溶劑供給部
10...測定部
10a...測定部位
11...追加化學藥品溶液供給部
12...過氧化氫水調節器
13...過氧化氫水流量計
14...過氧化氫水供給閥
15...第一過氧化氫水供給閥
16...第二過氧化氫水供給閥
17...過氧化氫水儲藏槽
21...氫氟酸供給部
22...氫氟酸調節器
24...氫氟酸供給閥
25...氫氟酸供給通道
25a...連結部位
31...鹽酸供給部
32...鹽酸調節器
34...鹽酸供給閥
35...鹽酸供給通道
35a...連結部位
41...NH4 OH供給部
42...NH4 OH調節器
44...NH4 OH供給閥
45...NH4 OH供給通道
45a...連結部位
50...控制部
51...計算部
52...調整部
61...DIW供給部
62...純水調節器
63...純水流量計
64...純水供給閥
66...加熱DIW供給部
66a...加熱部
67...加熱純水調節器
68...加熱純水流量計
71...氮氣供給部
72...氮氣調節器
75...氮氣供給閥
76...氮氣排出閥
79...氮氣供給通道
80...處理部
81...殼體
82...固持部
83...處理液供給部
84...背面處理液供給部
90...濃度均勻管(濃度均勻化部)
W...晶圓(被處理體)

Claims (8)

  1. 一種液處理裝置,使用以溶劑與化學藥品溶液混合而產生之處理液來處理被處理體;其特徵為包含:處理部,藉由處理液處理被處理體;供給通道,與處理部連結,將處理液引導到該處理部;溶劑供給部,將溶劑供給到供給通道;化學藥品溶液供給部,經由化學藥品溶液供給通道將化學藥品溶液供給到供給通道,並產生經溶劑稀釋之化學藥品溶液;測定部,設於供給通道中的化學藥品溶液供給通道所連結之連結部位之下游側,用以測定經溶劑稀釋之化學藥品溶液之導電率;追加化學藥品溶液供給部,連結於供給通道中的測定部所設置之測定部位之下游側,經由追加化學藥品溶液供給通道而供給與該化學藥品溶液相異之追加化學藥品溶液至該經溶劑稀釋之化學藥品溶液;溶劑流量計,設於供給通道中,該溶劑流量計用以測量流經供給通道之溶劑的流量;追加化學藥品溶液流量計,設於追加化學藥品溶液供給通道中,該追加化學藥品溶液流量計用以僅測量流經追加化學藥品溶液供給通道之追加化學藥品溶液的流量;以及調整部,用以依據由測定部所測定之導電率而調整從化學藥品溶液供給部所供給之化學藥品溶液之量、依據由溶劑流量計所測得之溶劑的流量而調整自溶劑供給部供應至供給通道之溶劑之量、並依據由追加化學藥品溶液流量計所測得之追加化學藥品溶液的流量而調整自追加化學藥品溶液供給部供應至追加化學藥品溶液供給通道之追加化學藥品溶液之量;且將依該追加化學藥品溶液流量計所調整的追加化學藥品溶液供給到:依該測定部及該溶劑流量計所調整的該經溶劑稀釋之化學藥品溶液。
  2. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置,其中,追加化學藥品溶液供給部供給過氧化氫作為追加化學藥品溶液。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置,其中,更包含:濃度均勻化部,設置在供給通道中的化學藥品溶液供給通道所連結之連結部位與測定部所設置之測定部位之間,用以使溶劑與化學藥品溶液混合並使其均勻化。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置,其中,測定部於經溶劑稀釋之化學藥品溶液通過該測定部後0.5秒以內,提供導電率之測定結果。
  5. 一種處理液供給方法,係將由溶劑與化學藥品溶液混合而產生之處理液供給至被處理體;其特徵為包含以下步驟:溶劑供給步驟,對於供給通道供給溶劑;化學藥品溶液供給步驟,對供給通道供給化學藥品溶液,並產生經溶劑稀釋之化學藥品溶液;測定步驟,藉由以測定部來測定經溶劑稀釋之化學藥品溶液之導電率,而測定於該化學藥品溶液供給步驟所供給之化學藥品溶液之濃度;追加化學藥品溶液供給步驟,對於經溶劑稀釋之化學藥品溶液,供給與該化學藥品溶液相異之追加化學藥品溶液而產生處理液;調整步驟,依據於該測定步驟中所測得之導電率,調整於化學藥品溶液供給步驟中所供給之化學藥品溶液之量;溶劑流量測定步驟,以溶劑流量計來測量流經供給通道之溶劑的流量;溶劑流量調整步驟,依據於溶劑流量測定步驟中所測得之溶劑的流量,調整於溶劑供給步驟中所供應之溶劑之量;追加化學藥品溶液流量測定步驟,以追加化學藥品溶液流量計,僅測量於該追加化學藥品溶液供給步驟中所供應之追加化學藥品溶液的流量; 追加化學藥品溶液流量調整步驟,依據於追加化學藥品溶液流量測定步驟中所測得之追加化學藥品溶液的流量,調整於該追加化學藥品溶液供給步驟中所供應之追加化學藥品溶液之量;及基板處理步驟,將該處理液供給至被處理體;且將依該追加化學藥品溶液流量計所調整的追加化學藥品溶液供給到:依該測定部及該溶劑流量計所調整的該經溶劑稀釋之化學藥品溶液。
  6. 如申請專利範圍第5項之處理液供給方法,其中,於追加化學藥品溶液供給步驟中所供應之追加化學藥品溶液為過氧化氫。
  7. 如申請專利範圍第5項之處理液供給方法,更包含:均勻化步驟,在化學藥品溶液供給步驟與測定步驟之間,混和溶劑與化學藥品溶液並使其均勻化。
  8. 如申請專利範圍第5項之處理液供給方法,在測定步驟中,於經溶劑稀釋之化學藥品溶液通過一測定部後0.5秒以內,輸出經溶劑稀釋之化學藥品溶液之導電率之測定結果。
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