TWI409481B - Probe device and test device - Google Patents

Description

探針裝置及試驗裝置

本發明係關於一種探針裝置及試驗裝置。另外，本案係關於日本國等的委託研究的成果的專利申請(平成19年度獨立行政法人新能源‧產業技術綜合開發機構「次世代三次元積層技術的前導研究」委託研究，適用日本國產業技術力強化法第19條的專利申請)。

先前，已知有一種裝置，作為用於半導體晶圓的檢查的探針卡，藉由磁場耦合或電場耦合的非接觸耦合，而與半導體晶圓傳遞信號(例如，參照專利文獻1)。又，已知有一種探針卡，為了檢查半導體晶圓(混合存在有接觸和非接觸的端子)，而混合非接觸耦合與接觸耦合(例如，參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2009-85720號

專利文獻2：日本特表2007-520722號

非接觸耦合的耦合強度，係依存於半導體晶圓側的端子與探針卡側的端子之間的距離。因此，非接觸耦合中的半導體晶圓側的端子及探針卡側的端子，較佳是被配置於盡量靠近的位置。

但是，使非接觸耦合用的端子與接觸耦合用的端子混合存在於探針卡的基板上的情況，將線圈等的非接觸耦合用的端子、與凸塊或探針銷等的接觸耦合用的端子，形成同等高度是困難的。一般而言，接觸耦合用的端子，較非接觸耦合用的端子長。

連接狀態下的探針卡和半導體晶圓的距離，係取決於接觸耦合用的端子的長度。如上所述，接觸耦合用的端子，較非接觸耦合用的端子長，所以，非接觸耦合用的端子及半導體晶圓之間，會空出對應接觸耦合用的端子長度之間隙。

又，非接觸耦合用的端子，被固定於探針卡的基板上。因此，無法調整非接觸耦合中的半導體晶圓側的端子及探針卡側的端子之間的距離。

對此，於本發明的一態樣中，以提供一種可解決上述課題的探針裝置及試驗裝置為目的。此目的係藉由記載於申請專利範圍中的獨立項的特徵組合來達成。又，附屬項係界定本發明的更有利的具體例。

為了解決上述問題，本發明的第一形態中，提供一種探針裝置、以及具備該探針裝置和判定部之試驗裝置，該探針裝置，是在與對象元件之間傳送信號之探針裝置，其具備：接觸部，其利用與對象元件(device)的端子接觸，而被電性連接於對象元件；非接觸部，其在未與對象元件的端子接觸的狀態下，與對象元件傳送信號；以及保持部，其用以保持接觸部和非接觸部，可在連結非接觸部和對象元件的對應區域的連接方向，改變接觸部和非接觸部的相對位置。

另外，上述的發明的概要並非列舉本發明的必要的特徵的全部。又，這些特徵群的副組合亦另可成為發明。

以下，透過發明的實施形態來說明本發明，但以下的實施形態並非用以限定申請專利範圍之發明。又，實施形態之中所說明的特徵的組合的全部，並不一定是發明的解決手段所必須。

第1圖係表示一實施形態的試驗裝置100的構成例的圖。本例的試驗裝置100，係用以試驗半導體晶片等的對象元件200(DUT)。對象元件200，具有接觸和非接觸的端子。試驗裝置100，亦能以形成有複數個對象元件200之晶圓單位，來試驗對象元件200。

本例的試驗裝置100，係具備電腦主機(main frame)10、測試頭20、探針裝置30、以及晶圓托盤12。晶圓托盤12係用以載置形成有複數個(多數個)對象元件200之晶圓。試驗一對象元件200的情況時，試驗裝置100，亦可具備用以載置對象元件200之元件載置部，來替代晶圓托盤12。

探針裝置30，係於對象元件200之間傳送信號。又，探針裝置30，係可對被形成於晶圓上的複數個對象元件200，並行地傳送信號。探針裝置30，係利用磁場耦合或電場耦合等的非接觸方式及BGA等的接觸方式雙方，向對象元件200傳送信號和電力。又，探針裝置30，可具有要與測試頭20電性連接的接頭(connector)32。

本例的測試頭20，係具有複數個測試模組26和接頭24。接頭24，係被電性連接於探針裝置20的接頭32。又，複數個測試模組26，也可包含：用以產生應供給至對象元件200的信號或電力等之模組；用以測定探針裝置30從對象元件200收到的響應信號的模組等。測試模組26，被收納於測試頭20的框體內，並被電性連接於接頭24。

電腦主機10，係控制測試頭20的複數個測試模組26。例如，電腦主機10，係將應產生的信號的圖型(pattern)、邊緣時序資訊等，供給至各個測試模組26。又，電腦主機10或測試模組26，亦可基於測試模組26已測定的對象元件200的響應信號，來發揮作為用以判定對象元件200的好壞的判定部的機能。

該判定部，可基於對象元件200的響應信號的預定特性，來判定對象元件200的好壞。例如，該判定部，藉由比較響應信號的邏輯圖型與預定的期待值圖型，來判定對象元件200的好壞。又，該判定部，亦可基於對象元件200的消費電流，來判定對象元件200的好壞。

又，在其他實施形態中，探針裝置30，亦可具有電腦主機10和測試頭20的至少一部分的機能。例如，在探針裝置30中，形成有測試晶片，其執行測試模組26的至少一部分的機能。在探針裝置30中形成有測試晶片的情況時，試驗裝置100亦可不具備電腦主機10和測試頭20。此時，試驗裝置100，可於探針裝置30具備電源部，用以供給探針裝置30和對象元件200的電源電力。

第2圖係將探針裝置30的構成與對象元件200和晶圓托盤12配合表示的剖面圖。探針裝置30，係具備接頭32、旁路電容器34、測試晶片36、試驗基板38、第一導電性橡膠40、插入基板44、第二導電性橡膠46、接觸部用電極48、連接部49、非接觸部用電極50、應力施加部51、分隔壁52、保持部61、接觸端子62、以及非接觸部64。

接觸端子62，係利用與對象元件200的端子接觸而與對象元件200電性連接。接觸端子62係接觸部的一例。接觸端子62例如是導電性的凸塊等。非接觸部64，係在不與對象元件200的端子接觸的狀態下，與對象元件200傳送信號。非接觸部64，可藉由磁場耦合或電場耦合，與對象元件200傳送信號。

例如，磁場耦合的情況時，非接觸部64，具有一線圈，其位於已被設在對象元件200中的線圈的對向位置。又，電場耦合的情況時，非接觸部64，具有一平面電極，其為於已被設在對象元件200的平面電極的對向位置。亦即，非接觸部64的平面電極與對象元件200的平面電極，可形成電容。

例如，接觸端子62，係在與對象元件200之間，傳送較低頻率或直流的信號、或是電源電力。又，接觸端子62亦可被賦予預定的接地電位。非接觸部64，係在與對象元件200之間，傳送較接觸端子62更高頻率的信號。接觸端子62和非接觸部64，可對應對象元件200的個數和各對象元件200的插銷數，分別被設置複數個。

保持部61，係在與對象元件200對向的位置，保持非接觸部64和接觸端子62。另外，保持部61，係用以保持接觸端子62和非接觸部64，可在連結非接觸部64和對象元件200的對應領域的連接方向，改變接觸端子62和非接觸部64的相對位置(使兩者作相對位移)。此處，對象元件200的對應領域，係指形成有上述平面電極或線圈的領域。

保持部61，可使非接觸部64改變位置以靠近對象元件200的該當領域，亦可使接觸端子62改變位置以遠離對象元件200。又，保持部61，亦可使非接觸部64和接觸端子62雙方改變位置(使兩者位移)。藉由如此的構成，可調整非接觸部64與對象元件200之間的距離。

本例的保持部61，具有薄膜部60和固定部54。薄膜部60，可為在未被施加應力的狀態下成為平面形狀之具有彈性的膜。薄膜部60可由聚醯亞胺等作為材料而被形成。又，薄膜部60，可具有與對象元件200的對向面大約相同的形狀。對象元件200，被形成於晶圓的情況時，薄膜部60，可具有與形成有對象元件200之晶圓面(或於該面中，形成有對象元件200之領域)大約相同的形狀。例如，薄膜部60，其表面和背面為圓形。

固定部54，係固定薄膜部60的周邊部，配置於與對象元件200(或晶圓)對向的位置。例如，固定部54具有圓筒形狀，將薄膜部60的全周的周邊部固定，該圓筒形狀具有對應薄膜部60的直徑之內徑。此時，固定部54，較佳是在向薄膜部60的面方向賦予張力的狀態下，固定薄膜部60。亦即，固定部54，係以維持未被施加應力的狀態下的薄膜部60呈平面狀態之方式，來固定薄膜部60的周邊部。另外，固定部54，其未固定有薄膜部60之端部，被固定於晶圓托盤12，藉此，將薄膜部60配置於與對象元件200對向的位置。

接觸端子62，係被設在薄膜部60中的對象元件200側的面。又，非接觸部64，係被設在薄膜部60中的任一面。本例的非接觸部64，係被設在薄膜部60中的對象元件200側的面。薄膜部60具有彈性，因此，其一部分的領域係對應被施加的應力而在連接方向改變位置(位移)。

例如，如第2圖所示，在已設置有非接觸部64之薄膜部60的領域，利用向對象元件200的方向施加應力，能縮小非接觸部64和對象元件200的距離。藉由如此的構成，能對應施加的應力，調整接觸端子62和非接觸端子64的相對位置，縮小非接觸部64和對象元件200的距離。

又，在薄膜部60中的位於對象元件200的相反側的面，設置有接觸部用電極48和非接觸部用電極50。在薄膜部60，也可具有：電性連接接觸部用電極48和接觸端子62之貫通配線、以及電性連接非接觸部用電極50和非接觸部64之貫通配線。

又，接觸部用電極48和非接觸部用電極50，係被電性連接於試驗基板38。又，接觸部用電極48和非接觸部用電極50，可經由試驗基板38的接頭38，被電性連接於測試模組26。

接頭32，係被電性連接於測試頭20的接頭24。試驗基板38，經由接頭32，被電性連接於測試模組26。試驗基板38，可在與測試模組26之間，傳送信號和電力。試驗基板38例如為印刷電路基板。

旁路電容器34和測試晶片36，被設置於試驗基板38。旁路電容器34和測試晶片36，可於試驗基板38中，被設於與接頭32相同的面上。又，以晶圓單位來進行試驗的情況時，旁路電容器34和測試晶片36，可對應各對象元件200而被設置。

旁路電容器34，可設於電源配線與接地電位之間，該電源配線是用以傳送從測試模組26收到的電源電力。旁路電容器34，係追隨對象元件200(被賦予該電源電力)的消費電力的變動而被充放電。藉此，即使測試模組26無法高速地追隨對象元件200的消費電力的變動的情況，亦可藉由被設於對象元件200附近的旁路電容器34，高速地追隨對象元件200的消費電力的變動來供給電力。

測試晶片36，可產生要供給至對象元件200的試驗信號，又，亦可測定對象元件200的響應信號。測試晶片36，可對應測試模組26所產生的信號而動作，又，測試模組26亦可獨立動作。測試晶片36，能獨立於測試模組26而試驗對象元件200的情況時，如上所述，試驗裝置100亦可不具備電腦主機10和測試頭20。

試驗基板38，可具有貫通配線，其從設置有旁路電容器34和測試晶片36的面，貫通至其背面。該貫通配線，係電性連接旁路電容器34和測試晶片36與第一導電性橡膠40。

第一導電性橡膠40，係被設於試驗基板38和插入基板44之間，電性連接試驗基板38和插入基板44的各電極。應力被施加在預定方向的情況時，第一導電性橡膠40，可為使被施加該應力的領域向該方向導通之異方性導電橡膠。應力，可藉由對應於試驗基板38和插入基板44的各電極而被設置的導電性的凸塊42，被施加於第一導電性橡膠40上。凸塊42，可被設於試驗基板38和插入基板44，亦可被設於第一導電性橡膠40。

插入基板44，係被設於第一導電性橡膠40和第二導電性橡膠46之間。插入基板44，在對向於試驗基板38側的面(面對試驗基板的面)，可具有被設在對應於試驗基板38的各電極的位置之電極。又，插入基板44，在對向於薄膜部60側的面，可具有被設在對應於薄膜部60的各電極的位置之電極。

又，插入基板44，係具有貫通配線，其從對向於試驗基板38側的面，貫通至對向於薄膜部60側的面。該貫通配線係電性連接被設於兩面的電極。藉此，即使試驗基板38中的電極的配置與薄膜部60中的電極的配置相異的情況，亦可藉由插入基板44來電性連接這些電極。

又，插入基板44，較佳是具有試驗基板38和薄膜部60之間的熱膨脹率。例如，插入基板44，具有小於試驗基板38而大於薄膜部60的熱膨脹率。插入基板44可為陶瓷基板。

第二導電性橡膠46，被設於插入基板44和薄膜部60之間。第二導電性橡膠46，係與第一導電性橡膠40相同地，可為異方性導電橡膠。又，應力，可藉由對應於試驗基板38和插入基板44的各電極而被設置的導電性凸塊，被施加於第二導電性橡膠46上。

連接部49，係電性連接接觸部用電極48和第二導電性橡膠46。連接部49，可為被設於第二導電性橡膠46上的導電性凸塊。藉此，連接部49係電性連接接觸端子62和試驗基板38。

應力施加部51，係於設置有非接觸部64之薄膜部60的領域，向對象元件200的方向施加應力。應力施加部51，亦可從試驗基板38側來按壓已設置有非接觸部64之薄膜部60的領域。本例的應力施加部51，係向對象元件200的方向按壓非接觸部用電極50。應力施加部51，是被設於第二導電性橡膠46上的導電性的凸塊，只要電性連接非接觸部用電極50和第二導電性橡膠46便可以。

本例的應力施加部51，相較於連接部49，延伸至更靠近對象元件200的位置而被形成。應力施加部51的連接方向的長度，可長於連接部49。應力施加部51的一端係連接於第二導電性橡膠46，另一端係接觸已設置有非接觸部64之薄膜部60的領域。

分隔壁52，可為被連接於試驗基板38的背面處之圓筒狀的分隔壁。分隔壁52，於圓筒的內部，收納第一導電性橡膠40、插入基板44、以及第二導電性橡膠46。應力施加部51的對象元件200側的下端，相較於分隔壁52的對象元件200側的下端，較佳是延伸至更靠近對象元件200的位置而被形成。

又，連接方向中的連接部49的對象元件200側的下端位置，可與分隔壁52的對象元件200側的下端的位置大約相同。而且，因於分隔壁52的下端壓接薄膜部60，連接部49和接觸部用電極48被電性連接，且應力係藉由應力施加部51而被施加在薄膜部60上，而改變非接觸部64和接觸端子62的相對位置。

若依據本例，可對應應力施加部51的下端較分隔壁52的下端突出的長度，使非接觸部64靠近對象元件200。探針裝置30，可更具備調整部，該調整部是用以調整應力施加部51的下端較分隔壁52的下端突出的長度。該調整部可從試驗基板38側來按壓應力施加部51。又，應力施加部51的長度也可以是可變者。應力施加部51，可具有棒狀的突出部、以及收納該突出部之圓筒部，並可調整突出部從圓筒部突出的長度。突出部和圓筒部可具有互相嚙合的螺紋機構。

另外，用以施加應力於薄膜部60上的構造，不被限定於上述構造，例如，亦可從對象元件200側來按壓接觸端子62的領域。又，亦可從試驗基板38側來拉引接觸端子62的領域、或是可從對象元件200側來拉引非接觸部64的領域。又，亦可利用與第2圖所示的構造相異之其他的構造，從試驗基板38側來按壓非接觸部64的領域。

又，向薄膜部60施加應力的方法，不被限定於使構件接觸於薄膜部60。例如，亦可藉由磁力來對薄膜部60施加應力。另外，將薄膜部60壓接於分隔壁52的下端，藉此，第一導電性橡膠40、插入基板44、以及第二導電性橡膠46，藉由試驗基板38、分隔壁52、以及薄膜部60而被密閉。

藉由如此的構成，可調整非接觸部64與對象元件200之間的距離。又，因採用有彈性的薄膜部60和導電性橡膠，即使是形成有對象元件200之晶圓的表面非均勻平面的情況時，亦可提高接觸端子62和對象元件200的連接的可靠性。

第3A圖係表示未被施加應力的狀態下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的一例的圖。如上所述，未被施加應力的情況時，薄膜部60係維持平面形狀。

第3B圖係表示被施加應力的狀態下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的一例的圖。在本例中，表示對於設置有非接觸部64之領域，向對象元件200側施加應力的情況。

此情況，薄膜部60的設置有非接觸部64的領域，向對象元件200側伸張。在本例中，薄膜部60的該領域，較被固定於固定部54的領域，更向對象元件側伸張。又，若該應力的施加消失，則薄膜部60恢復成第3A圖所示的平面形狀。

第4圖係表示薄膜部60的一例的立體圖。本例的探針裝置30，被連接於已形成有複數個對象元件200之晶圓。薄膜部60，可具有與形成有對象元件200之晶圓的面大約相同的圓形。

第5圖係表示被施加應力的狀態下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的其他例的圖。在本例中，表示對設置有接觸端子62之領域，向試驗基板38側施加應力的情況。

此情況，薄膜部60的設置有接觸端子62的領域，向試驗基板38側伸張。在本例中，薄膜部60的該領域，較被固定於固定部54的領域，更向試驗基板38側伸張。

例如，接觸端子60，藉由對象元件200等而被按壓，藉此，向薄膜部60的該領域施加應力。又，若該當應力的施加消失，則薄膜部60恢復成第3A圖所示的平面形狀。依據如此的構成，亦可調整非接觸部64和對象元件200之間的距離。又，接觸端子62的長度，可以調整。

第6圖係表示保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的其他例的圖。本例的薄膜部60可不具彈性。薄膜部60可為印刷電路基板或矽基板。

在本例中，作為接觸端子62，使用彈性銷這類的可對應應力而改變長度的端子。依據如此的構成，亦可改變連接方向中的接觸端子62和非接觸部64的下端之間的相對位置，可調整非接觸部64和對象元件200的距離。

第7A圖係表示非接觸部64的一例的圖。本例的非接觸部64，係發揮作為與對象元件200電場耦合之電場耦合部C(64)的機能。電場耦合部C(64)，係被設在薄膜部60中的對象元件200側的面，且位於與對象元件200的電場耦合部對向的位置。電場耦合部C(64)可具有平面電極。電場耦合部C(64)，相較於線圈等，能容易形成，因此，能容易製造探針裝置30。

第7B圖係表示非接觸部64的其他例的圖。本例的探針裝置30，係具備電場耦合部C(64-1)和磁場耦合部L(64-2)，來作為非接觸部64。磁場耦合部L(64-2)，係與對象元件200的磁場耦合部磁場耦合。磁場耦合部L(64-2)可具有線圈。

探針裝置30，可於薄膜部60的相異面，具備電場耦合部C(64-1)和磁場耦合部L(64-2)。又，探針裝置30，亦可於薄膜部60的相異面，具備電場耦合部C(64-1)和磁場耦合部L(64-2)的任一種。藉由如此的構成，可於薄膜部60上形成更多的非接觸部64。特別是由於電場耦合部C(64-1)的面積較大，利用將非接觸部64設置在薄膜部60的雙面，能設置更多的非接觸部64。

又，探針裝置30，可在薄膜部60中的對象元件200側的面，具有電場耦合部C(64-1)，而在薄膜部60中的對象元件200的相反側的面，具有磁場耦合部L(64-2)。一般而言，磁場耦合，相較於電場耦合，可遠距離地傳送信號，因此，藉由如此的構成，可維持通信的可靠性，且能設置更多的非接觸部64。

又，在其他的構成中，探針裝置30，可在薄膜部60中的對象元件200側的面，具有磁場耦合部L(64-2)，而在薄膜部60中的對象元件200的相反側的面，具有電場耦合部C(64-1)。一般而言，磁場耦合，相較於電場耦合，在水平方向中的串音(cross talk)大。因此，藉由該構成，可降低磁場耦合部L(64-2)的串音，且能設置更多的非接觸部64。在薄膜部60的哪一個面配置哪一種耦合部，係取決於耦合部間的間隙、薄膜部60的厚度等。

第8圖係表示在薄膜部60中的非接觸部64和非接觸部用電極50的連接例的圖。本例的非接觸部64，係被設在薄膜部60中的對象元件200側的面。

薄膜部60，除了非接觸部用電極50之外，更具有配線66、中繼電極68、以及貫通配線70。配線66，被設於薄膜部60中的對象元件200側的面，電性連接非接觸部64和中繼電極68。

中繼電極68，被設在薄膜部60中的對象元件200側的面。又，非接觸部用電極50，係被設在薄膜部60中的試驗基板38側的面，且位於與中繼電極68對向的位置。

貫通配線70，係在薄膜部60中，被設置成：從對象元件200側的面，貫通至試驗基板38側的面，而電性連接中繼電極68和非接觸部用電極50。藉由如此的構成，非接觸部用電極50和非接觸部64被電性連接。

本例的構成的情況，探針裝置30的應力施加部51，係向未設置有非接觸部用電極50的領域，施加應力。因此，應力施加部51，不是導電性構件也可以。另外，非接觸部用電極50，係經由第二導電性橡膠46等，被電性連接於試驗基板38。

藉由如此的構成，可個別地設置與非接觸部用電極50電性連接的構件、以及應力施加部51，因此，能容易地設計應力施加部51。又，因為不對非接觸部用電極50施加應力，因此，能保護非接觸部用電極50。

應力施加部51，可為從試驗基板38或插入基板44延伸的棒狀非導電性構件。此情況，應力施加部51可貫通導電性橡膠而被形成。又，應力施加部51，亦可為被形成於第二導電性橡膠46上的非導電性的凸塊。

以上，利用實施形態說明了本發明，但本發明的技術範圍並不限定於上述實施形態所記載之範圍內。熟悉本技術者將明白，可對上述實施形態施加各種變更或改良。由申請專利範圍之記載可知，該施加有各種變更或改良之形態亦可包含於本發明的技術範圍內。

應留意的是，對於申請專利範圍、說明書以及圖式中所示之裝置、系統、程式以及方法中之動作、流程、步驟以及階段等各處理之執行順序，只要未特別明示為「在前」、「先行」等，且只要未將前處理之輸出用於後處理中，則可按任意順序實現。關於申請專利範圍、說明書以及圖示中之動作流程，即使為方便起見而使用「首先」、「接著」等進行說明，但並非意味著必須按該順序實施。

10．．．電腦主機

12．．．晶圓托盤

20．．．測試頭

24、32．．．接頭

26．．．測試模組

30．．．探針裝置

34．．．旁路電容器

36．．．測試晶片

38．．．試驗基板

40．．．第一導電性橡膠

42．．．凸塊

44．．．插入基板

46．．．第二導電性橡膠

48．．．接觸部用電極

49．．．連接部

50．．．非接觸部用電極

51．．．應力施加部

52．．．分隔壁

54．．．固定部

60．．．薄膜部

61．．．保持部

62．．．接觸端子

64．．．非接觸部

66．．．配線

68．．．中繼電極

70．．．貫通配線

100．．．試驗裝置

200．．．對象元件

第1圖係表示一實施形態的試驗裝置100的構成例的圖。

第2圖係將探針裝置30的構成與對象元件200和晶圓托盤12配合表示的圖。

第3A圖係表示未被施加應力的狀態下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的一例的圖。

第3B圖係表示被施加應力的狀態下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的一例的圖。

第4圖係表示薄膜部60的一例的圖。

第5圖係表示被施加應力的狀態下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的其他例的圖。

第6圖係表示保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的其他例的圖。

第7A圖係表示非接觸部64的一例的圖。

第7B圖係表示非接觸部64的其他例的圖。

第8圖係表示在薄膜部60中的非接觸部64及非接觸部用電極50的連接例的圖。

12．．．晶圓托盤

30．．．探針裝置

32．．．接頭

34．．．旁路電容器

36．．．測試晶片

38．．．試驗基板

40．．．第一導電性橡膠

42．．．凸塊

44．．．插入基板

46．．．第二導電性橡膠

48．．．接觸部用電極

49．．．連接部

50．．．非接觸部用電極

51．．．應力施加部

52．．．分隔壁

54．．．固定部

60．．．薄膜部

61．．．保持部

62．．．接觸端子

64．．．非接觸部

200．．．對象元件

Claims (13)

1. 一種探針裝置，是在與對象元件之間傳送信號之探針裝置，其具備：接觸部，其利用與前述對象元件的端子接觸，而被電性連接於前述對象元件；非接觸部，其在未與前述對象元件的端子接觸的狀態下，與前述對象元件傳送信號，並且該信號的傳送路徑不經過前述接觸部；以及保持部，其用以保持前述接觸部和前述非接觸部，可在連結前述非接觸部和前述對象元件的對應領域的連接方向，改變前述接觸部和前述非接觸部的相對位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之探針裝置，其中：前述保持部具有薄膜部，該薄膜部，其對應應力的施加，至少一部分的領域向前述連接方向伸張，且若前述應力的施加消失，則恢復成前述應力被施加前的形狀。
3. 如申請專利範圍第2項所述之探針裝置，其中：前述探針裝置，係對已被形成於晶圓上的複數個前述對象元件，並行地傳送信號，前述薄膜部，係具有與形成有前述對象元件之前述晶圓的面，大約相同的形狀。
4. 如申請專利範圍第3項所述之探針裝置，其中：前述保持部更具有固定部，該固定部，固定前述薄膜部的周邊部，配置於與前述晶圓對向位置。
5. 如申請專利範圍第4項所述之探針裝置，其中：前述固定部，係在向面方向賦予張力的狀態下，固定前述薄膜部。
6. 如申請專利範圍第5項所述之探針裝置，其中更具備：試驗基板，其產生要輸入至前述對象元件中的信號，並經由前述薄膜部，與前述對象元件傳送信號；以及導電性橡膠，其被設在前述薄膜部與前述試驗基板之間。
7. 如申請專利範圍第4項所述之探針裝置，其中：在設置有前述非接觸部之前述薄膜部的領域，更具備向前述連接方向施加應力的應力施加部。
8. 如申請專利範圍第7項所述之探針裝置，其中更具備：試驗基板，其產生要輸入至前述對象元件中的信號，並經由前述薄膜部，與前述對象元件傳送信號；以及連接部，其電性連接前述接觸部和前述試驗基板；並且，前述應力施加部，相較於前述連接部，延伸至更靠近前述對象元件的位置，而接觸已設置有前述非接觸 部之前述薄膜部的領域。
9. 如申請專利範圍第4項至第8項中任一項所述之探針裝置，其中：在前述薄膜部中的前述對象元件側的面，具備電場耦合部，其作為前述非接觸部，與前述對象元件電場耦合。
10. 如申請專利範圍第4項至第8項中任一項所述之探針裝置，其中，作為前述非接觸部，在前述薄膜部的相異面，具備：與前述對象元件電場耦合之電場耦合部；以及與前述對象元件磁場耦合之磁場耦合部。
11. 如申請專利範圍第10項所述之探針裝置，其中：前述非接觸部，係在前述薄膜部中的前述對象元件側的面，具有前述電場耦合部，而在前述薄膜部中的前述對象元件的相反側的面，具有前述磁場耦合部。
12. 如申請專利範圍第4項至第8項中任一項所述之探針裝置，其中：前述非接觸部，係被設在前述薄膜部中的前述對象元件側的面；前述薄膜部，係具有：配線，其被設在前述對象元件側的面，且被電性連接至前述非接觸部； 電極，其被設在與前述對象元件相反側的面；以及貫通配線，其被設置成從前述對象元件側的面，貫通至與前述對象元件相反側的面，而電性連接前述配線和前述電極。
13. 一種試驗裝置，是用以試驗對象元件之試驗裝置，其具備：申請專利範圍第1至8項中任一項所述之探針裝置，其與前述對象裝置傳送信號；以及判定部，其對應前述探針裝置從前述對象元件收到的響應信號，來判定前述對象元件的好壞。