TWI408766B - Vacuum processing device - Google Patents

Description

真空處理裝置

本發明，係有關於在半導體處理裝置之真空處理室與真空搬送室之間而具備有半導體被處理基板(以下，包含半導體晶圓以及基板狀之試料等而均單純稱為「晶圓」)之搬送機構的真空處理系統之構成。特別是，係有關於將複數之真空處理室透過複數之真空搬送室內的搬送機構來串聯性地作了配置的真空處理系統之構成。

在上述一般之裝置、特別是在被作了減壓之裝置內而對於處理對象作處理之裝置中，隨著處理之細微化、高精確度化，係開始對於身為處理對象之被處理基板的處理效率之提升有所要求。因此，近年來，係開發有在一個的裝置中而具備有複數之真空處理室的多腔裝置，並對於使清淨室之每設置面積單位的生產性之效率提升一事有所進行。

在如此這般之具備有複數之真空處理室或者是腔並進行處理之裝置中，各個的真空處理室或者是腔，係被與將內部之氣體或者是其之壓力調節為可進行減壓並且具備有用以搬送被處理基板之機械臂等的真空搬送室(搬送腔)相連接。

於此種構成中，真空處理裝置全體之大小，係經由真空搬送室以及真空處理室之大小、數量以及配置而被決 定。真空搬送室之構成，則係經由相連接之真空搬送室或者是真空處理室之連接數、內部之搬送機器人的旋轉半徑、晶圓尺寸等而被決定。又，真空處理室，係經由晶圓尺寸、排氣效率、在晶圓處理中所需要之機器類的配置而被決定。進而，真空搬送室及真空處理室之配置，亦會經由在生產中所需要之處理室的數量以及維修性而被決定。

依據上述知識，在專利文獻1中，係記載有一種方法以及系統，其係有關於在真空下之半導體處理系統中而對於加工中之製品進行處理之方法以及系統，並為為了橫跨線性處理系統而機械臂至機械臂地來對於材料作處理之方法以及系統。在此專利文獻1中，係對於有需要存在一種能夠在避免線性工具之問題的同時亦能夠克服叢集工具中之固有的限制之半導體製造裝置一事作為課題，而提供一種在小設置面積中來使晶圓移動之真空處理系統。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特表2007-511104號公報

然而，在上述一般之先前技術中，係將重點置於搬送晶圓時之方法以及系統構成，對於下述一般之課題的考慮則並不充分。

亦即是，在構成真空處理系統之各單元的數量與配置 中，作為主要單元之對於處理對象之晶圓進行處理的處理室、以及用以進行真空搬送之真空搬送室與真空處理室，關於其兩者間之配置關係，係並未對於能夠使生產性之效率成為最佳化的配置關係作考慮，其結果，在每設置面積單位之生產性係並未被最佳化。

在此種並未對於每設置面積單位之生產性作充分考慮的先前技術中，構成真空處理系統之裝置的每設置面積單位之晶圓的處理能力，係有所虧損。

因此，本發明之目的，係在於提供一種每設置面積單位之生產性為高的半導體被處理基板之真空處理系統、以及半導體被處理基板之真空處理方法。

為了解決上述課題，本發明之真空處理裝置，具備有：大氣搬送室，其係在前面側處被配置有複數之卡匣台，並使被收容在被設置於前述複數之卡匣台內之一個的卡匣內的晶圓被搬送；和鎖定室，其係被配置在該大氣搬送室之後方而在內部收納從從該大氣搬送室被搬送而來之前述晶圓；和第1真空搬送室，其係被連結於該鎖定室之後方，在被構成可減壓之內部搬送來自前述鎖定室之前述晶圓；和搬送中間室，其係被連結於前述第1真空搬送室之後方；和第2真空搬送室，係被連結於該搬送中間室之後方，在被構成可減壓之內部搬送來自前述搬送中間室之前述晶圓；和被連結於前述第1真空搬送室之側面的至少 1個的真空處理室，其係使用被供給至該室內之氣體而對從前述第1真空搬送室被搬送至室內之前述晶圓進行處理的真空處理室；和被連結於前述第2真空搬送室之側面的2個以上的真空處理室，其係使用被供給至該室內之氣體而對從前述第2真空搬送室被搬送至室內之前述晶圓進行處理的真空處理室；和複數之第1搬送室用之閘閥，其係被配置在前述第1真空搬送室和前述鎖定室、搬送中間室及被連結於該第1真空搬送室之前述真空處理室之間，分別開關該些之間的連通；和複數之第2搬送室用之閘閥，其係被配置在前述第2真空搬送室和前述搬送中間室及被連結於該第2真空搬送室之前述真空處理室之間，分別開關該些之間的連通；和第1及第2搬送機器人，其係被配置在前述第1及第2真空搬送室之各個的內部，具備複數之機械臂而搬送前述晶圓，從前述大氣搬送室被搬送至前述鎖定室之前述晶圓，在前述真空處理室中之任一者中，以通過前述第1真空搬送室或前述第1真空搬送室、前搬送中間室及前述第2真空搬送室的路徑被搬送且被處理之後，經原來的路徑返回至前述鎖定室，該真空處理裝置之特徵為：具備有控制器，該控制器係在前述第1真空搬送室和前述第2真空搬送室之間的連通被關閉之狀態下，以包含被配置在前述搬送中間室之前述第1真空搬送室側之閘閥的前述複數之第1搬送室用之閘閥中之僅一個，在其他的第1搬送室用之閘閥關閉之狀態下被開啟，且藉由前述第 1搬送機器人搬送前述晶圓之後被關閉之方式，以及以包含被配置在前述搬送中間室之前述第2真空搬送室側之閘閥的前述複數之第2搬送室用之閘閥中之僅一個，在其他的第2搬送室用之閘閥關閉之狀態下被開啟，且藉由前述第2搬送機器人搬送前述晶圓之後被關閉之方式，來進行調節，即是以並行進行在前述第1及第2真空搬送室的前述晶圓之搬送之方式，來進行調節。

並且，本發明之真空處理裝置中，前述控制部係以在關閉被配置在前述搬送中間室之前述第1真空搬送室側之前述第1搬送室用之閘閥及被配置在該搬送中間室之前述第2真空搬送室側之前述第2搬送室用之閘閥中之一方的狀態下，開啟另一方，且在前述搬送中間室與藉由前述另一方之開啟而連通的前述第1真空搬送室或第2真空搬送室中之任一者之間，搬送前述晶圓之方式，來進行調節。

再者，本發明之真空處理裝置中，前述控制部係以在與前述第2真空搬送室連結的前述真空處理室被處理之每單位時間的晶圓片數，大於與前述第1真空搬送室連結的前述真空處理室被處理之每單位時間的晶圓片數之方式，調節前述晶圓之搬送。

若依據本發明，則係能夠提供一種每設置面積單位之生產性為高的半導體被處理基板之真空處理系統。

又，係能夠提供一種低異物並且能夠對於交叉污染作 抑制之半導體被處理基板之真空處理系統。

以下，根據圖面，對於由本發明所致之半導體被處理基板之真空處理系統以及真空處理方法之實施形態作詳細說明。

圖1，係對於本發明之第1實施形態所致的包含有複數的真空處理室之真空處理系統的全體之構成的概略作說明。

圖1中所示之本發明之第1實施形態所致的包含有複數的真空處理室103、103、103之真空處理系統100，若是大致作區分，則係由大氣側區塊101與真空側區塊102所構成。大氣側區塊101，係為在大氣壓下而將身為被處理物之半導體晶圓等作搬送、收容位置定位等的部分，真空側區塊102，係為在從大氣壓而作了減壓的壓力下來搬送晶圓並在預先所訂定之真空處理室103內進行處理之區塊。而，在進行搬送或處理之真空側區塊102與大氣側區塊101之間，係具備有鎖定室105，該鎖定室105，係作為在於內部具備有晶圓的狀態下而於大氣壓與真空壓之間作壓力之提高降低的部分。

在本發明之真空處理系統100之第1實施例中，係對於具備有3個的真空處理室103，且相較於大氣側區塊101之搬送時間而真空側區塊102處之搬送時間為更長之狀態的情況時，每設置面積單位之生產性為高的系統構成 之實施例作展示。又，本實施例，係為相較於在晶圓之搬送中所需要之時間，而在真空處理室103處對於晶圓作處理之時間或者是晶圓滯留於真空處理室103內之時間為較短的情況之例。依據此，全體之處理時間係成為被搬送所限制，故將此狀態稱為搬送律速。

大氣側區塊101，係具備有筐體106，該筐體106，係為於內部具備有大氣搬送機器人109之略直方體形狀的筐體，於此筐體106之前面側，係具備有複數之卡匣台107、107、107。將處理用之晶圓或者是作為真空處理室103之清淨用的被處理物之晶圓作收容的卡匣，係作為複數之卡匣台107、107、107而被作載置。

在真空側區塊102處，係與大氣側區塊101相接的而被設置有1個的鎖定室105。此鎖定室105，係被配置在真空側區塊102之第1真空搬送室104與大氣側區塊101之間，並在於內部而具備有在大氣側與真空側之間作授受之晶圓的狀態下而使內部之壓力在大氣壓與真空壓之間作改變，而搬送晶圓。又，在鎖定室105中，係具備有能夠將晶圓在上下方向而重疊2枚以上地作載置之平台。第1真空搬送室104，其平面形狀係為略矩形形狀，其內部係被作減壓，並於內部而進行晶圓之搬送。

在此第1真空搬送室104中，係能夠於其之兩面處而與對於晶圓作處理之真空處理室103作連接。在本發明之第1實施例中，係僅對於第1真空搬送室104之2面中的其中1面來連接真空處理室103。又，在本實施例中，第 1真空搬送室104，其平面形狀雖係被設為略矩形形狀，但是，亦可設為三角形以上之多角形狀，且亦可呈球面狀。又，在第1真空搬送室104之另外一邊處，係具備有在其與第2真空搬送室110之間而進行晶圓之授受的真空搬送中間室111。真空搬送中間室111，亦係與鎖定室105相同的，係具備有能夠將晶圓在上下方向而重疊2枚以上地作載置之平台。藉由此，係能夠將在全體的處理時間中而耗費時間之搬送時間縮短。

進而，在真空搬送中間室111之其中一方處，係被連接有第1真空搬送室104，在另外一方處，係被連接有第2真空搬送室110。第2真空搬送室110，其平面形狀亦係為略矩形形狀，在能夠連接3個真空處理室103之本實施例中，係被連接有2個的真空處理室103、103。又，在本實施例中，第2真空搬送室110，其平面形狀雖係被設為略矩形形狀，但是，亦可設為其他之多角形狀。

於此，與被配置在前方之第1真空搬送室104作連接的真空處理室103之數量，係較與被配置在深處側之第2真空搬送室110作連接的真空處理室103之數量更少一事，係為重要。在本實施例中，與被配置在前方之第1真空搬送室104作連接的真空處理室103之數量，係為1個，與被配置在深處側之第2真空搬送室110作連接的真空處理室103之數量，係為2個。在本發明中，係將與被配置在前方之第1真空搬送室104作連接的真空處理室103，稱為「前方之真空處理室」，並將與被配置在深處 側之第2真空搬送室110作連接的真空處理室103、103，稱為「深處之真空處理室」。

此真空側區塊102，係為全體被作減壓並能夠維持高真空度之壓力的容器。

第1真空搬送室104，係將其之內部作為對晶圓進行搬送之搬送室。在第1真空搬送室104內，係於其之中央處配置有真空搬送機器人108(圖2)，該真空搬送機器人108，係在真空下，將晶圓在鎖定室105與真空處理室103之間、或者是在鎖定室105與真空搬送中間室111之間作搬送。同樣的，在第2真空搬送室110內，係於其之中央處配置有真空搬送機器人108(圖2)，該真空搬送機器人108，係在真空下，將晶圓在真空搬送中間室111與2個的真空處理室103、103中的任一者之真空處理室103之間作搬送。被設置在此第1真空搬送室104以及第2真空搬送室110內之真空搬送機器人108，係將晶圓載置於其之機械臂上，並進行對於被配置在真空處理室103處之晶圓台上、鎖定室105、或者是真空搬送中間室111之其中一者的晶圓之搬入搬出。在此些之真空處理室103、鎖定室105以及真空搬送中間室111和第1真空搬送室104之間，係分別被設置有藉由可氣密地作閉塞、開放的閥120而作了通連之通路。同樣的，在真空處理室103以及真空搬送中間室111和第2真空搬送室110之間，係分別被設置有藉由可氣密地作閉塞、開放的閥120而作了通連之通路。此些之通路，係藉由閥120而被作開 閉。

接著，對於藉由如同前述一般所構成之真空處理系統100來進行對於晶圓之處理時的晶圓之真空處理方法中的晶圓搬送過程之概要作說明。

收容在被載置於複數之卡匣台107、107、107的任一者上之卡匣內的複數之半導體晶圓等，係在對於真空處理系統100之動作作調節的控制裝置(未圖示)之判斷下，或者是接收從真空處理系統100所被設置之製造線的控制裝置等(未圖示)而來之指令，而開始其處理。首先，受到了從控制裝置而來之指令的大氣搬送機器人109，係將卡匣內之特定的晶圓從卡匣而取出，並將取出了的晶圓搬送至鎖定室105處。

被搬送來晶圓並作了儲存的鎖定室105，係在將被搬送而來之晶圓作了收容的狀態下而被閥120所閉塞並被作密封，且被減壓至特定之壓力。在鎖定室105內，係能夠收容2枚以上之複數枚的晶圓。之後，面向於第1真空搬送室104之側的閥120係被開放，鎖定室105與第1真空搬送室104之搬送室係相通連，真空搬送機器人108，係將其之機械臂在鎖定室105內作伸張，並將鎖定室105內之晶圓搬送至第1真空搬送室104側。在第1真空搬送室104內，係能夠收容2枚以上之複數枚的晶圓。真空搬送機器人108，係將被載置於其之機械臂上的晶圓，搬入至在從卡匣取出時所預先訂定了的真空處理室103或者是真空搬送中間室111之其中一者處。

在本實施例中，各閥120，係有1個被作選擇性地開閉。亦即是，當將晶圓從第1真空搬送室104而搬送至前方之真空處理室103的情況時，對於真空搬送中間室111與第1真空搬送室104之間作開閉的閥120和對於鎖定室105與第1真空搬送室104之間作開閉之閥120，係被關閉，而對於前方之真空處理室103與第1真空搬送室104之間作開閉之閥120，則係被開啟，晶圓係被搬送至真空處理室103內。又，當將被搬送至真空搬送中間室111處之晶圓朝向深處之真空處理室103來作搬送的情況時，對於真空搬送中間室111與第1真空搬送室104之間作開閉的閥120，係被作關閉，而真空搬送中間室111係被密封。之後，將對於真空搬送中間室111與第2真空搬送室110之間作開閉的閥120開啟，並使第2真空搬送室110所具備之真空搬送機器人108伸張，而將晶圓搬送至第2真空搬送室110內。接著，真空搬送機器人108，係將被載置於其之機械臂上的晶圓，搬入至被配置在深處之2個的真空處理室103、103中之預先所訂定了的其中1個之真空處理室103處。

在晶圓被搬送至配置於深處之真空處理室103、103中的其中一者處之後，對於該真空處理室103與第2真空搬送室110之間作開閉的閥120，係被作關閉，而該真空處理室103係被密封。之後，將處理用之氣體導入至該真空處理室103內，在該真空處理室103內到達了特定之壓力時，晶圓係被作處理。此真空處理室103內之晶圓的處 理，係與被配置在前方之真空處理室103內的處理相同。

不論在何者之真空處理室103中，若是檢測出了晶圓之處理係結束，則對於被與該真空處理室103作了連接的第1真空搬送室104或者是第2真空搬送室110的各搬送室之間作開閉之閥120，係被作開放，該搬送室內之真空搬送機器人108，係將完成處理之晶圓，與該晶圓被搬入至該真空處理室103內的情況時相反地而朝向鎖定室105或者是真空搬送中間室111來搬出。若是從深處之真空處理室103來經由真空搬送中間室111來將晶圓一直搬送至鎖定室105處，或者是從前方之真空處理室103來一直搬送至鎖定室105處，則對於將此鎖定室105與第1真空搬送室104相通連之通路作開閉的閥120，係被作關閉，第1真空搬送室104之搬送室係被密封，鎖定室105內之壓力係上升至大氣壓。

之後，筐體106之內側的閥120係被開放，鎖定室105之內部與筐體106之內部係相通連，並成為大氣壓之狀態，大氣搬送機器人109，係將晶圓從鎖定室105而搬送至原本的卡匣中，並送回到卡匣內之原本的位置處。

本發明，當相較於在晶圓之搬送中所需要之時間，而在真空處理室103處對於晶圓作處理之時間或者是晶圓滯留於真空處理室103內之時間為較短的搬送律速之情況時，係特別能夠發揮效果。本發明之第1實施例的真空處理系統，係具備有被配置在前方之第1真空搬送室104以及被配置在深處之第2真空搬送室110，在被配置於前方 之第1真空搬送室104處，係具備有1個的真空處理室103，在被配置於深處之第2真空搬送室110處，係具備有2個的真空處理室103、103。於此情況，在第1真空搬送室104與第2真空搬送室110處，係被配置有具備2個機械臂之真空搬送機器人。如此這般，藉由設為在前方處具備有1個的真空處理室103，並在深處具備有2個的真空處理室103、103之構成，在配置於前方處之真空處理室103內的完成處理晶圓之搬送等待時間係變短，而能夠構成生產性為高之真空處理系統。

圖2A、2B，係為在圖1中所展示並說明了的第1真空搬送室104之擴大圖。真空搬送機器人108，係具備有用以搬送晶圓之第1機械臂201以及第2機械臂202。在本實施例中，雖然機械臂係為2個，但是，係亦可為3個或者是4個一般之複數個。

各個機械臂201、202，係具備有經由關節而將複數之樑構件的兩端作連結之構造。各機械臂201、202，係藉由在複數之樑構件的兩端處而可旋轉地作軸支撐，而具備有能夠使各機械臂201、202在各別之根部側端部的軸周圍來獨立地進行旋轉運動、上下方向以及水平方向之伸縮運動的構成。藉由此構成，係成為能夠對於複數之晶圓的搬入、搬出獨立地作控制，並能夠藉由對於複數之搬送目標來平行地作存取、或是將2枚晶圓同時地作搬入、搬出，來提高搬送處理能力。

圖2A，係對於在第1真空搬送室104中而使各機械 臂201、202從不同之場所來將晶圓搬送來的狀態作展示。於圖2B中，對於以第1機械臂201來將晶圓搬送至真空處理室103處，且並行動作地以第2機械臂202來搬送至鎖定室105中的狀態作展示。此情況，係與將晶圓一次一枚地作搬送的情況相異，閥120係並非為選擇性地僅將1個作開閉，而成為需要進行在存取時所必要之2個的閥120、120之開閉控制。

就算在此種情況下，亦同樣的，藉由具備有如同前述一般地在前方處具備1個的真空處理室103，並在深處具備有2個的真空處理室103、103之真空處理系統100，每設置面積單位之晶圓的處理效率係變高。

此係由於下述之理由所導致者。在前述之搬送律速的情況時，若是對於在真空處理室103處而對晶圓作搬送之時間(從真空搬送機器人108在將晶圓作了保持的狀態下而待機於真空處理室103前方的狀態起，直到結束對於真空處理室103內之晶圓的搬送並將閥120關閉為止的時間)，和在真空搬送中間室111處而對晶圓作搬送之時間(從真空搬送機器人108在將晶圓作了保持的狀態下而待機於真空搬送中間室111前方的狀態起，直到結束對於搬送中間室111之晶圓的搬送並將閥120關閉為止的時間)作比較，則對於真空搬送中間室111之搬送時間係為較短。因此，假設若是在被配置於前方之第1真空搬送室104處而連接2個的真空處理室103，並在被配置於深處側之第2真空搬送室110處而僅連接1個的真空處理室 103，則在被配置於前方之第1真空搬送室104處的晶圓搬送時間，係會成為真空處理系統100全體之搬送時間的瓶頸。另一方面，在本發明之第1實施例中，經由使被配置在深處之第2真空搬送室110成為瓶頸，由於係能夠對於被配置在前方之第1真空搬送室104成為瓶頸一事作抑制，並防止使作為真空處理系統100全體之處理效率有所虧損，因此，藉由如同本實施例一般之真空處理室的配置構成，係能夠將每設置面積單位之晶圓的處理效率提高。

又，在此第1實施例中，由於係成為將第1真空搬送室104與前方之真空處理室103或者是鎖定室105(或者是第2真空搬送室110與深處之真空處理室103或者是真空搬送中間室111)之間經由排他性地作開閉之閥120來作通連的構造，因此，對於異物或者是交叉污染的抑制，係為有效。

在圖1之系統構成的情況時，能夠將真空處理室103作連接之物理性的最大數量，係為5個。然而，在本發明中，與被配置在前方之第1真空搬送室104作連接的真空處理室103之數量，係較與被配置在深處側之第2真空搬送室110作連接的真空處理室103之數量更少一事，係為重要。因此，下一個實施例，係為在連接了4個的真空處理室之情況下而能夠得到與圖1中所示之第1實施例同等之晶圓處理效率的運用例。

圖3，係為相對於圖1中所示之第1實施例，而在被配置於前方之第1真空搬送室104處再加上1個的真空處 理室103並成為具備有2個的真空處理室103、103者。在此種第2實施例之形態中，在對於晶圓進行處理的情況時，係因應於處理時間來僅對於第1真空處理室104所具備之2個的真空處理室103、103中之其中一者的單側之真空處理室103作選擇性的使用。而後，藉由使用被連接於遠離大氣搬送側之深處的第2真空搬送室110處之複數的真空處理室103、103，係與圖1中所示之第1實施例相同的而能夠得到使生產效率提升的效果。

但是，在並非為本發明之作為對象的「在被配置於前方之第1真空搬送室104處的晶圓搬送時間會成為真空處理系統100全體之搬送時間的瓶頸一般之情況」的情況時，若是在被配置於前方之第1真空搬送室104處亦連接複數之真空處理室103、103，則由於依存於真空處理室103之晶圓的處理時間或者是在真空處理室103內之滯留時間，在前方處亦會有以使用全部的真空處理室103、103為更能夠將生產效率提升的情況，因此，在真空處理裝置處所具備之控制裝置(未圖示)係並非為對於進行與處理時間相對應地來使真空處理室103之生產效率成為最佳化的運用一事有所排斥者。

在第2實施例中，亦同樣的，各閥120，係有一個被作選擇性地開閉。亦即是，對於真空搬送中間室111與第1真空搬送室104之間作開閉的閥120和對於鎖定室105與第1真空搬送室104之間作開閉之閥120，係被關閉，進而，對於前方右邊之真空處理室103與第1真空搬送室 104之間作開閉之閥120，亦係被關閉，而對於前方左邊之真空處理室103與第1真空搬送室104之間作開閉的閥120，則係被開啟，晶圓係被搬送至前方左邊之真空處理室103內。關於使用左右之何者的真空處理室103一事，係為任意。又，對於真空搬送中間室111與第1真空搬送室104之間作開閉的閥120，係被作關閉，而被搬送至真空搬送中間室111中之晶圓，係被密封在真空搬送中間室111中。之後，將對於真空搬送中間室111與第2真空搬送室110之間作開閉的閥120開啟，並使第2真空搬送室110所具備之真空搬送機器人108伸張，而將晶圓搬送至第2真空搬送室110內。真空搬送機器人108，係將被載置於其之機械臂上的晶圓，搬入至在從卡匣取出時所預先訂定了的深處之其中一者的真空處理室103處。

在晶圓被搬送至配置於深處之其中一者的真空處理室103處之後，對於此真空處理室103與第1真空搬送室104之間作開閉的閥120，係被作關閉，而真空處理室103係被密封。之後，將處理用之氣體導入至真空處理室103內，在真空處理室103內到達了特定之壓力時，晶圓係被作處理。

若是檢測出了晶圓之處理係結束，則對於被與前述之真空處理室103作了連接的第1真空搬送室104或者是第2真空搬送室110的各搬送室之間作開閉之閥120，係被作開放，真空搬送機器人108，係將完成處理之晶圓，與該晶圓被搬入至真空處理室103內的情況時相反地而朝向 鎖定室105來搬出。若是晶圓被搬送至鎖定室105處，則對於將此鎖定室105與第1真空搬送室104相通連之通路作開閉的閥120，係被作關閉，第1真空搬送室104之搬送室係被密封，鎖定室105內之壓力係上升至大氣壓。

之後，筐體106之內側的閥120係被開放，鎖定室105之內部與筐體106之內部係相通連，大氣搬送機器人109，係將晶圓從鎖定室105而搬送至原本的卡匣中，並送回到卡匣內之原本的位置處。

本發明，係提供一種真空處理方法，其係就算是如同第2實施例一般地在被配置於前方之第1真空搬送室104處而具備有2個的真空處理室103、103，藉由對於前方之真空處理室103、103的其中一者的真空處理室103任意作選擇並使用，亦能夠達成與第1實施例相同之效果。

100‧‧‧真空處理系統

101‧‧‧大氣側區塊

102‧‧‧真空側區塊

103‧‧‧真空處理室

104‧‧‧第1真空搬送室

105‧‧‧鎖定室

106‧‧‧筐體

107‧‧‧卡匣台

108‧‧‧真空搬送機器人

109‧‧‧大氣搬送機器人

110‧‧‧第2真空搬送室

111‧‧‧真空搬送中間室

120‧‧‧閥

201‧‧‧第1機械臂

202‧‧‧第2機械臂

[圖1]對於本發明之第1實施形態所致的包含有真空處理裝置之真空處理系統的全體之構成的概略作說明之圖。

[圖2A]係為圖1中所示並作了說明的由本發明之實施形態所致之真空搬送室的擴大圖，並為機器機械臂縮起的狀態。

[圖2B]係為圖1中所示並作了說明的由本發明之實施形態所致之真空搬送室的擴大圖，並為機器機械臂伸展的狀態。

[圖3]對於本發明之其他實施形態所致的包含有真空處理裝置之真空處理系統的全體之構成的概略作說明之圖。

101‧‧‧大氣側區塊

102‧‧‧真空側區塊

103‧‧‧真空處理室

104‧‧‧第1真空搬送室

105‧‧‧鎖定室

106‧‧‧筐體

107‧‧‧卡匣台

109‧‧‧大氣搬送機器人

110‧‧‧第2真空搬送室

111‧‧‧真空搬送中間室

120‧‧‧閥

Claims (3)

1. 一種真空處理裝置，具備有：大氣搬送室，其係在前面側處被配置有複數之卡匣台，並使被收容在被設置於前述複數之卡匣台內之一個的卡匣內的晶圓被搬送；和鎖定室，其係被配置在該大氣搬送室之後方而在內部收納從從該大氣搬送室被搬送而來之前述晶圓；和第1真空搬送室，其係被連結於該鎖定室之後方，在被構成可減壓之內部搬送來自前述鎖定室之前述晶圓；和搬送中間室，其係被連結於前述第1真空搬送室之後方；和第2真空搬送室，係被連結於該搬送中間室之後方，在被構成可減壓之內部搬送來自前述搬送中間室之前述晶圓；和被連結於前述第1真空搬送室之側面的至少1個的真空處理室，其係使用被供給至該室內之氣體而對從前述第1真空搬送室被搬送至室內之前述晶圓進行處理的真空處理室；和被連結於前述第2真空搬送室之側面的2個以上的真空處理室，其係使用被供給至該室內之氣體而對從前述第2真空搬送室被搬送至室內之前述晶圓進行處理的真空處理室；和複數之第1搬送室用之閘閥，其係被配置在前述第1真空搬送室和前述鎖定室、搬送中間室及被連結於該第1真 空搬送室之前述真空處理室之間，分別開關該些之間的連通；和複數之第2搬送室用之閘閥，其係被配置在前述第2真空搬送室和前述搬送中間室及被連結於該第2真空搬送室之前述真空處理室之間，分別開關該些之間的連通；和第1及第2搬送機器人，其係被配置在前述第1及第2真空搬送室之各個的內部，具備複數之機械臂而搬送前述晶圓，從前述大氣搬送室被搬送至前述鎖定室之前述晶圓，在前述真空處理室中之任一者中，以通過前述第1真空搬送室或前述第1真空搬送室、前搬送中間室及前述第2真空搬送室的路徑被搬送且被處理之後，經原來的路徑返回至前述鎖定室，該真空處理裝置之特徵為：具備有控制器，該控制器係在前述第1真空搬送室和前述第2真空搬送室之間的連通被關閉之狀態下，以包含被配置在前述搬送中間室之前述第1真空搬送室側之閘閥的前述複數之第1搬送室用之閘閥中之僅一個，在其他的第1搬送室用之閘閥關閉之狀態下被開啟，且藉由前述第1搬送機器人搬送前述晶圓之後被關閉之方式，以及以包含被配置在前述搬送中間室之前述第2真空搬送室側之閘閥的前述複數之第2搬送室用之閘閥中之僅一個，在其他的第2搬送室用之閘閥關閉之狀態下被開啟，且藉由前述第2搬送機器人搬送前述晶圓之後被關閉之方式，來進行調節，即是以並行進行在前述第1及第2真空搬送室的前述晶圓 之搬送之方式，來進行調節。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置，其中前述控制部係以在關閉被配置在前述搬送中間室之前述第1真空搬送室側之前述第1搬送室用之閘閥及被配置在該搬送中間室之前述第2真空搬送室側之前述第2搬送室用之閘閥中之一方的狀態下，開啟另一方，且在前述搬送中間室與藉由前述另一方之開啟而連通的前述第1真空搬送室或第2真空搬送室中之任一者之間，搬送前述晶圓之方式，來進行調節。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之真空處理裝置，其中前述控制部係以在與前述第2真空搬送室連結的前述真空處理室被處理之每單位時間的晶圓片數，大於與前述第1真空搬送室連結的前述真空處理室被處理之每單位時間的晶圓片數之方式，調節前述晶圓之搬送。