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TWI408195B - 拋光組合物及使用經胺基矽烷處理之研磨顆粒的方法 - Google Patents

拋光組合物及使用經胺基矽烷處理之研磨顆粒的方法 Download PDF

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TWI408195B
TWI408195B TW097136355A TW97136355A TWI408195B TW I408195 B TWI408195 B TW I408195B TW 097136355 A TW097136355 A TW 097136355A TW 97136355 A TW97136355 A TW 97136355A TW I408195 B TWI408195 B TW I408195B
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polishing
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沃德 威廉
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卡博特微電子公司
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Description

拋光組合物及使用經胺基矽烷處理之研磨顆粒的方法
用來拋光(例如平面化)基板表面之組合物及方法在業內已熟知。拋光組合物(亦稱為拋光漿液、CMP漿液及CMP組合物)通常含有存於水溶液中之研磨材料並藉由使表面與充滿拋光組合物之拋光墊接觸而將其施用至表面。典型研磨材料包含金屬氧化物顆粒，例如二氧化矽、氧化鈰、氧化鋁、氧化鋯及氧化錫。舉例而言，美國專利第5,527,423號闡述藉由使表面與包括存於水性介質中之高純度金屬氧化物細顆粒之拋光組合物接觸而化學-機械拋光(CMP)金屬層之方法。該拋光組合物通常與拋光墊(例如拋光布或圓盤)結合使用。適宜拋光墊闡述於美國專利第6,062,968號、第6,117,000號及第6,126,532號(該等案件揭示具有開孔型多孔網狀結構之燒結聚胺基甲酸酯拋光墊之使用)及美國專利第5,489,233號(其揭示具有表面紋理或圖案之固體拋光墊之使用)中。
半導體晶圓通常包含諸如矽或砷化鎵等基板，於其上形成有複數個電晶體。電晶體係藉由圖案化基板中之區域及基板上之層以化學及物理方式連接至該基板。電晶體與層由主要包括某一形式氧化矽(SiO2 )之層間電介質(ILD)隔開。電晶體係借助於熟知之多級互聯線而互相連接。典型多級互聯線包括由一或多種以下材料組成之疊置薄膜：鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、鋁-銅(Al-Cu)、鋁-矽(Al-Si)、銅(Cu)、鎢(W)、經摻雜之多晶矽(多-Si)及其各種組合。此外，電晶體或電晶體之群通常藉助使用填充有絕緣材料(例如二氧化矽、氮化矽、及/或多晶矽)之溝槽而彼此隔離。
在裝置製作各個階段期間化學-機械拋光係用來使金屬層或薄膜之表面平面化。多種習知CMP組合物僅適於有限目的。然而，相對於晶圓製造中所使用之絕緣材料，習用CMP組合物往往呈現令人不可接受之拋光速率及選擇度。此外，多數CMP組合物往往對下伏膜呈現較差的膜移除特性或產生有害的膜腐蝕，此導致較差的製造良率。
隨著積體電路裝置技術的發展，人們正以新穎及不同方式使用傳統材料來達成先進積體電路所需之性能位準。具體而言，以各種組合使用氮化矽及氧化矽來達成新穎及甚至更複雜的裝置組態。一般而言，結構複雜性及性能特徵可隨不同用途而變化。業內正需求在CMP期間容許各層(例如氮化矽、氧化矽)之移除速率調節或調整以滿足特定裝置之拋光需求的方法及組合物。本發明提供此經改良拋光方法及組合物。閱讀本文所提供之本發明說明書可明瞭本發明之該等及其他優點以及另外本發明特徵。
本發明提供化學-機械拋光基板之方法，該方法包括(i)使基板與包括下列之化學-機械拋光組合物接觸：(a)液體載劑(b)懸浮於液體載劑中之磨料，其中該磨料包括金屬氧化物顆粒，其表面經選自由胺基矽烷化合物、鏻矽烷化合物及銃矽烷化合物組成之群之化合物處理，及(c)選自由膦酸及含硼酸組成之群之酸，(ii)相對於基板移動拋光組合物，及(iii)磨蝕基板之至少一部分以拋光該基板。
本發明亦提供化學-機械拋光基板之方法，該方法包括(i)使基板與包括下列之化學-機械拋光組合物接觸：(a)液體載劑及(b)懸浮於液體載劑中之磨料，其中該磨料包括金屬氧化物顆粒，其表面經選自由四級胺基矽烷化合物、二足(dipodal)胺基矽烷化合物及其組合組成之群之化合物處理，(ii)相對於基板移動拋光組合物，及(iii)磨蝕基板之至少一部分以拋光該基板。
本發明進一步提供用來拋光基板之化學-機械拋光組合物，其包括(a)液體載劑，(b)懸浮於液體載劑中之磨料，其中該磨料包括金屬氧化物顆粒，其表面經選自由胺基矽烷化合物、鏻矽烷化合物及銃矽烷化合物組成之群之化合物處理，及(c)選自由膦酸及含硼酸組成之群之酸。
本發明另外提供用來拋光基板之化學-機械拋光組合物，其包括(a)液體載劑及(b)懸浮於液體載劑中之磨料，其中該磨料包括金屬氧化物顆粒，其表面經選自由四級胺基矽烷化合物、二足胺基矽烷化合物及其組合組成之群之胺基矽烷化合物處理。
本發明亦包括用來拋光基板之化學-機械拋光組合物，其包括液體載劑及懸浮於液體載劑中之磨料，其中該磨料包括金屬氧化物顆粒，其表面經選自由胺基矽烷化合物、鏻矽烷化合物及銃矽烷化合物組成之群之化合物處理，其中該等經處理研磨顆粒具有可用矽烷醇為2%至50%之表面覆蓋率。
本發明提供化學-機械拋光組合物以及化學-機械拋光基板之方法。該拋光組合物包括(a)液體載劑及(b)懸浮於液體載劑中之磨料，其中該磨料包括金屬氧化物顆粒，其表面經選自由諸如下列胺基矽烷化合物組成之群之化合物處理：胺基矽烷化合物、二足胺基矽烷化合物、鏻矽烷化合物、銃矽烷化合物及其組合。該組合物亦可包括選自由膦酸及含硼酸組成之群之酸。另外，該組合物可包括經處理研磨顆粒，其中該等顆粒具有可用矽烷醇為2%至50%之表面覆蓋率。該方法包括使基板與化學-機械拋光組合物接觸、相對於基板移動拋光組合物並磨蝕基板之至少一部分以拋光該基板。
拋光方法可進一步包括使基板與拋光墊(例如，拋光表面)接觸，該拋光墊相對於基板與其間之拋光組合物而移動。該拋光墊可係任何適宜的拋光墊，其多數在業內已習知。適宜拋光墊包含(例如)織布或不織布拋光墊。此外，適宜拋光墊可包括具有各種密度、硬度、厚度、可壓縮性、壓縮後回彈之能力及壓縮模量之任何適宜聚合物或聚合物之組合。適宜聚合物包含(例如)聚氯乙烯、聚氟乙烯、耐綸、氟代烴、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚醯胺、聚胺基甲酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯，其共同生成之產品及其混合物。
在拋光墊之拋光表面上或其內部該拋光墊可包括固定研磨顆粒，或該拋光墊可不含或實質上不含固定研磨顆粒。固定磨料拋光墊包含含有下列之墊：藉助於黏合劑、黏結劑、陶瓷體、樹脂或諸如此類固定至拋光墊之拋光表面之研磨顆粒，或已浸透於拋光墊內以形成該拋光墊之不可分割部分之磨料，例如(舉例而言)浸透含有磨料之聚胺基甲酸酯分散液之纖維絮。
拋光墊可具有任何適宜組態。舉例而言，拋光墊可係圓形，且當使用時通常將具有繞垂直於由墊表面所界定之平面之軸之旋轉運動。拋光墊可係圓柱形，其表面用作拋光表面，且當使用時通常將具有繞該圓柱之中心軸之旋轉運動。拋光墊可採用環形帶之形式，其在使用時通常將具有相對於正拋光之切割邊緣之線性運動。拋光墊可具有任何適宜形狀，且當使用時，具有沿平面或半圓之往復或軌跡運動。熟習此項技術人員將更容易明瞭許多其他變化。
拋光組合物包括磨料，其合意地懸浮於液體載劑(例如，水)中。該磨料通常呈顆粒狀。較佳地，磨料包括二氧化矽顆粒尤其膠態二氧化矽顆粒、基本上由其組成或完全由其組成。膠態二氧化矽顆粒係經由濕法製程而製備且通常係未聚結之單獨離散顆粒，其形狀通常為球形或接近球形，但可具有其他形狀(例如，具有通常橢圓、正方形或矩形橫截面之形狀)。此等顆粒在結構上通常不同於煙霧狀顆粒，該等煙霧狀顆粒係經由熱解法或火焰水解製程而製備且具有聚結初始顆粒之鏈狀結構。
較佳地，膠態二氧化矽係沉澱或縮聚二氧化矽，其可使用彼等普通熟習此項技術者所習知之任何方法(例如)藉由溶膠凝膠方法或藉由矽酸鹽離子交換來製備。縮聚二氧化矽顆粒通常藉由縮合Si(OH)4 以形成實質上球形顆粒來製備。舉例而言，前體Si(OH)4 可藉由水解高純度烷氧基矽烷或藉由酸化矽酸鹽水溶液來獲得。此等研磨顆粒可根據美國專利第5,230,833號來製備或者可以各種可購得產品之任一種而獲得，例如得自EKA Chemicals之BINDZIL 50/80、30/310及40/130產品，Fuso PL-1、PL-2、PL-3及PL-3H產品，及Nalco 1034A、1050、2327及2329產品，以及可自DuPont,Bayer,Applied Research,Nissan Chemical(SNOWTEX產品)及Clariant購得之其他類似產品。
顆粒之粒徑係涵蓋該顆粒之最小球體之直徑。研磨顆粒可具有任何適宜粒徑。研磨顆粒之平均粒徑為5奈米或更大(例如，10奈米或更大、15奈米或更大、20奈米或更大、或者30奈米或更大)。研磨顆粒之平均粒徑可為150奈米或更小(例如，130奈米或更小、80奈米或更小、50奈米或更小、或者30奈米或更小)。因此，研磨顆粒之平均粒徑可為10奈米至150奈米(例如，20奈米至130奈米、15奈米至100奈米、20奈米至80奈米、或者20奈米至60奈米)。
拋光組合物中可存在任何適宜量的磨料。通常，拋光組合物中可存在0.01重量%或更高(例如，0.05重量%或更高)之磨料。更通常而言，拋光組合物中可存在0.1重量%或更高(例如，0.2重量%或更高、0.3重量%或更高、0.6重量%或更高、1重量%或更高、或者2重量%或更高)之磨料。拋光組合物中磨料之量通常為30重量%或更低、更通常為20重量%或更低(例如，15重量%或更低、10重量%或更低、5重量%或更低、3重量%或更低、或者2重量%或更低)。較佳地，拋光組合物中磨料之量為0.01重量%至20重量%，且更佳地0.05重量%至15重量%(例如，0.1重量%至10重量%、0.1重量%至5重量%、0.1重量%至3重量%、0.1重量%至2重量%、或0.2重量%至2重量%)。
磨料經至少一種矽烷化合物、胺基矽烷化合物、鏻矽烷化合物或銃矽烷化合物處理。適宜矽烷化合物包含一級胺基矽烷、二級胺基矽烷、三級胺基矽烷、四級胺基矽烷及二足胺基矽烷。該胺基矽烷化合物可係任何適宜胺基矽烷，例如胺基丙基三烷氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、二乙基胺基甲基三烷氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三烷氧基矽烷)、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基丙基三烷氧基矽烷、(2-N-苄基胺基乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷)、三烷氧基甲矽烷基丙基-N,N,N-三甲基氯化銨、N-(三烷氧基甲矽烷基乙基)苄基-N,N,N-三甲基氯化銨、(雙(甲基二烷氧基甲矽烷基丙基)-N-甲基胺、雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)脲、雙(3-(三烷氧基甲矽烷基)丙基)-乙二胺及雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)胺。上文胺基矽烷化合物中烷氧基可經其他可水解基團(例如，鹵化物、胺及羧酸根)取代。較佳地，該矽烷具有二足或三足(tripodal)。矽烷化合物之選擇部分地取決於正拋光之基板類型。
較佳地，經處理研磨顆粒具有與未經處理研磨顆粒相同或稍大之粒徑。經處理研磨顆粒之粒徑的任意增加較佳係未經處理顆粒之粒徑的2倍或更低(例如，未經處理顆粒之粒徑的1.7倍或更低、未經處理顆粒之粒徑的1.4倍或更低、或未經處理顆粒之粒徑的1.2倍或更低)。舉例而言，經處理研磨顆粒之平均粒徑為5奈米或更大(例如，10奈米或更大、15奈米或更大、20奈米或更大、或者30奈米或更大)。經處理研磨顆粒之平均粒徑可為150奈米或更小(例如，130奈米或更小、80奈米或更小、50奈米或更小、或者30奈米或更小)。因此，經處理研磨顆粒之平均粒徑可為10奈米至150奈米(例如，20奈米至130奈米、15奈米至100奈米、20奈米至80奈米、或者20奈米至60奈米)。
可使用任何適宜的處理磨料之方法，其多數已為彼等普通熟習此項技術者所習知。舉例而言，磨料可經胺基矽烷化合物處理然後與拋光組合物之其他組份混合，或者胺基矽烷與磨料可同時添加至拋光組合物之某些或全部其他組份中。
較佳低，顆粒經其處理之矽烷不覆蓋該顆粒上可用矽烷醇的所有位點。通常，經處理研磨顆粒具有可用矽烷醇為2%或更高(例如，4%或更高、8%或更高)之表面覆蓋率。經處理研磨顆粒較佳具有可用矽烷醇為50%或更低(例如，30%或更低、20%或更低、或者10%或更低)之表面覆蓋率。較佳地，經處理研磨顆粒具有可用矽烷醇為2%至50%(例如，2%至30%、2%至20%、或4%至15%)之表面覆蓋率。表面矽烷醇濃度可使用針對二氧化矽之典型值5個SiOH/奈米2 及二氧化矽之BET表面積來估算。
胺基矽烷化合物可以任何適宜量存在於拋光組合物中。通常，拋光組合物包括30ppm或更高(例如，50ppm或更高、100ppm或更高、200ppm或更高、300ppm或更高、400ppm或更高、或500ppm或更高)之胺基矽烷化合物。拋光組合物較佳包括2000ppm或更低(例如，1000ppm或更低、800ppm或更低、或600ppm或更低)之胺基矽烷化合物。較佳地，拋光組合物包括50ppm至2000ppm(例如，100ppm至1000ppm、200ppm至800ppm、250ppm至700ppm、或者275ppm至600ppm)之胺基矽烷化合物。
顆粒之ζ電位係指圍繞該顆粒之離子的電荷與主體溶液(例如，液體載劑及任何其他溶於其中之成份)之電荷間的差異。若磨料係二氧化矽，則在磨料經胺基矽烷化合物處理之前，在2至3之pH下其ζ電位為零。經胺基矽烷化合物處理後，經處理研磨顆粒具有正電荷，且從而具有正ζ電位。通常，經處理研磨顆粒之ζ電位為5毫伏或更高(例如，10毫伏或更高、15毫伏或更高、20毫伏或更高、25毫伏或更高、或者30毫伏或更高)。經處理研磨顆粒之ζ電位較佳為50毫伏或更低(例如，45毫伏或更低、40毫伏或更低、或者35毫伏或更低)。較佳地，經處理研磨顆粒之ζ電位為5毫伏至50毫伏(例如，10毫伏至45毫伏、15毫伏至40毫伏、或者20毫伏至40毫伏)。
液體載劑係用來使磨料及任何可選添加劑易於施用至欲拋光(例如，平面化)之適宜基板的表面上。該液體載劑可係任何適宜載劑(例如，溶劑)，其包含低碳醇(例如，甲醇、乙醇等)、醚(例如，二噁烷、四氫呋喃等)、水及其混合物。較佳地，該液體載劑包括水、更佳去離子水、基本上由其組成或完全由其組成。
拋光組合物亦可含有酸，該酸可係任何適宜酸。所使用酸部分地取決於正拋光基板之類型。舉例而言，該酸可係苯二甲酸、硝酸、含硼酸(例如，硼酸)、或含磷酸(例如，1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(例如，DEQUEST 2010)、胺基三(亞甲基膦酸)(例如，DEQUEST 2000)、磷酸)或其組合。該酸可以任何適宜量存在於拋光組合物中。通常，拋光組合物包括10ppm或更高(例如，20ppm或更高、30ppm或更高、50ppm或更高、100ppm或更高、150ppm或更高、300ppm或更高、或者500ppm或更高)之酸。拋光組合物較佳包括3000ppm或更低(例如，2000ppm或更低、1500ppm或更低、或者1000ppm或更低)之酸。較佳地，拋光組合物包括10ppm至3000ppm(例如，20ppm至2000ppm、30ppm至1500ppm、50ppm至1000ppm、或者100ppm至1000ppm)之酸。較佳之酸部分地取決於拋光組合物之pH。
拋光組合物亦可包括氧化劑，該氧化劑可係任何適用於欲經該拋光組合物拋光之基板之一種或多種材料之氧化劑。較佳地，該氧化劑係選自由下列組成之群：溴酸鹽、亞溴酸鹽、氯酸鹽、亞氯酸鹽、過氧化氫、次氯酸鹽、碘酸鹽、羥基胺鹽、單過氧硫酸鹽、單過氧亞硫酸鹽、單過氧磷酸鹽、單過氧連二磷酸鹽、單過氧焦磷酸鹽、有機鹵素氧化物化合物、高碘酸鹽、高錳酸鹽、過乙酸、及其混合物。該氧化劑可以任何適宜量存在於拋光組合物中。通常，拋光組合物包括0.01重量%或更高(例如，0.02重量%或更高、0.1重量%或更高、0.5重量%或更高、或者1重量%或更高)之氧化劑。較佳地，拋光組合物包括20重量%或更低(例如，15重量%或更低、10重量%或更低、或者5重量%或更低)之氧化劑。較佳地，拋光組合物包括0.01重量%至20重量%(例如，0.05重量%至15重量%、0.1重量%至10重量%、0.3重量%至6重量%、或者0.5重量%至4重量%)之氧化劑。
拋光組合物(具體而言，含有任何溶解或懸浮於其中之組份之液體載劑)可具有任何適宜pH值。拋光組合物之pH值可小於9(例如，8或更低、7或更低、6或更低、5或更低、4.5或更低、或者4或更低)。拋光組合物之pH值可為1或更高(例如，1.5或更高、3或更高、4或更高、5或更高、7或更高、或者8或更高)。舉例而言，該pH可為1至7(例如，1.5至6、1.5至5、或者2至4)。舉例而言，該pH可為3至8(例如，3.5至6、或者4.5至6.5)。舉例而言，該pH可為7至9(例如，7.5至8.5)。
拋光組合物之pH值可藉由任何適宜方法達成及/或維持。更具體而言，拋光組合物可進一步包括pH調節劑、pH緩衝劑或其組合。該pH調節劑可包括任何適宜pH-調節化合物、基本上由其組成或完全由其組成。舉例而言，pH調節劑可係拋光組合物之酸。該pH緩衝劑可係任何適宜緩衝劑，例如，磷酸鹽、乙酸鹽、硼酸鹽、磺酸鹽、羧酸鹽、銨鹽、胺基酸及諸如此類。緩衝劑之能力視諸如其pKa(酸離解常數之負對數)及濃度等因素而定。對於較佳緩衝而言，該緩衝劑較佳具有拋光組合物之1個單位pH內之pKa。拋光組合物可包括任何適宜量的pH調節劑及/或pH緩衝劑，前提條件係此量足以達成及/或維持(例如)本文所闡述範圍內之拋光組合物之期望pH值。
較佳地，拋光組合物具有低電導率。電導率係描述其轉移電能之能力的物質特性。在電解溶液中，由溶液(例如酸、鹼及鹽)中之離子攜帶電流。拋光組合物之電導率較佳為1500微西門子/公分或更低(例如，900微西門子/公分或更低、600微西門子/公分或更低、或者300微西門子/公分或更低)。拋光組合物之電導率較佳為30微西門子/公分或更高(例如，60微西門子/公分或更高、100微西門子/公分或更高)。較佳地，拋光組合物之電導率較佳為30微西門子/公分至1500微西門子/公分(例如，30微西門子/公分至900微西門子/公分、60微西門子/公分至600微西門子/公分)。
拋光組合物視情況可包括腐蝕抑制劑(即，成膜劑)。該腐蝕抑制劑可包括任何適宜腐蝕抑制劑、基本上由其組成或完全由其組成。較佳地，該腐蝕抑制劑係唑系化合物。拋光組合物中所用腐蝕抑制劑之量以該拋光組合物之總重計通常為0.0001重量%至3重量%(較佳0.001重量%至2重量%)。
拋光組合物視情況可包括螯合劑或錯合劑。該錯合劑係任何適宜化學添加劑，該添加劑增強正被移除之基板層之移除速率，或在矽拋光中移除痕量金屬污染物。適宜螯合劑或錯合劑可包含(例如)：羰基化合物(例如，乙醯丙酮化物及諸如此類)、簡單的羧酸鹽(例如乙酸鹽、羧酸芳酯及諸如此類)、包含一或多個羥基之羧酸鹽(例如羥乙酸鹽、乳酸鹽、葡萄糖酸鹽、沒食子酸及其鹽，及諸如此類)、二-、三-及多羧酸鹽(例如，草酸鹽、草酸、鄰苯二甲酸鹽、檸檬酸鹽、琥珀酸鹽、酒石酸鹽、蘋果酸鹽、乙二胺四乙酸鹽(例如，乙二胺四乙酸(EDTA)二鉀)、其混合物及諸如此類)、含有一或多個磺酸基及/或膦酸基之羧酸鹽、及諸如此類。適宜螯合劑或錯合劑亦可包含(例如)二-、三-或多元醇(例如，乙二醇、鄰苯二酚、連苯三酚、丹寧酸及諸如此類)及含胺化合物(例如，氨、胺基酸、胺基醇、二-、三-及多胺及諸如此類)。螯合劑或錯合劑之選擇視正移除基本層之類型而定。
應瞭解，許多上述化合物可以鹽(例如，金屬鹽、銨鹽或諸如此類)、酸或亞鹽之形式而存在。舉例而言，檸檬酸鹽包含檸檬酸及其單-、二-及三-鹽；鄰苯二甲酸鹽包含鄰苯二甲酸及其單鹽(例如，鄰苯二甲酸氫鉀)及二-鹽；高氯酸鹽包含相應酸(即，高氯酸)及其鹽。此外，某些化合物或試劑可具有一種以上的功能。例如，某些化合物可兼作螯合劑與氧化劑二者(例如，某些硝酸鐵及諸如此類)。
拋光組合物視情況可進一步包括一或多種其他添加劑。此等添加劑包含包括一個或多個丙烯酸亞單元之丙烯酸酯(例如，乙烯基丙烯酸酯及苯乙烯丙烯酸酯)及其聚合物、共聚物及寡聚物，及其鹽。
拋光組合物可包括表面活性劑及/或流變控制劑，包含黏度增強劑及凝結劑(例如，聚合流變控制劑，例如(舉例而言)聚胺基甲酸酯聚合物)。適宜表面活性劑可包含(例如)陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑、兩性表面活性劑、其混合物及諸如此類。較佳地，拋光組合物包括非離子表面活性劑。較佳之非離子表面活性劑含有聚醚部分。一個適宜非離子表面活性劑之實例係乙二胺聚氧化乙烯表面活性劑。拋光組合物中表面活性劑之量通常係0.0001重量%至1重量%(較佳0.001重量%至0.1重量%、且更佳0.005重量%至0.05重量%)。
拋光組合物可包括消泡劑。該消泡劑可包括任何適宜消泡劑、基本上由其組成或完全由其組成。適宜消泡劑包含(但不限於)基於矽及基於炔系二醇之消泡劑。拋光組合物中消泡劑之量通常係10ppm至140ppm。
拋光組合物可包括殺生物劑。該殺生物劑可包括任何適宜殺生物劑、基本上由其組成或完全由其組成，例如異噻唑啉酮殺生物劑。該拋光組合物中殺生物劑之量通常為1ppm至50ppm、較佳10ppm至20ppm。
拋光組合物較佳具有膠態穩定性。術語膠體係指顆粒於液體載劑中之懸浮液。膠態穩定性係指經過一段時間仍能維持此懸浮液形式。當將拋光組合物置於100毫升量筒內並使其無攪動靜置2小時時，若量筒底部50毫升內的顆粒濃度([B]，以克/毫升表示)與量筒頂部50毫升內的顆粒濃度([T]，以克/毫升表示)之間的差除以拋光組合物中的初始顆粒濃度([C]，以克/毫升表示)小於或等於0.5(即，{[B]-[T]}/)，則認為該拋光組合物具有膠態穩定性。較佳地，[B]-[T]/[C]之值小於或等於0.3，更佳地小於或等於0.1，甚至更佳地小於或等於0.05，且最佳地小於或等於0.01。
拋光組合物可以任何適宜技術來製備，其中多數技術已為彼等熟習此項技術者所習知。該拋光組合物可以成批或連續製程來製備。一般而言，該拋光組合物可藉由以任何順序組合其組份來製備。本文所用術語"組份"包含單獨成份(例如，液體載劑、磨料、酸等)以及成份(例如，水、經處理磨料、表面活性劑等)之任意組合。
拋光組合物可作為單包裝系統提供，其包括液體載劑，及視情況磨料及/或其他添加劑。或者，某些組份(例如氧化劑)可以乾燥形式或者作為液體載劑中之溶液或分散液提供於第一容器中，且剩餘組份(例如，磨料及其他添加劑)可提供於第二容器或多個其他容器中。拋光組合物之該等組份之其他兩個容器或三個或多個容器組合之方案亦在普通熟習此項技術者之知識範圍內。
固體組份(例如，磨料)可以乾燥形式或作為該液體載劑中之溶液放置於一個或多個容器中。另外，適宜之情形係該等第一、第二或其他容器中之組份具有不同的pH值，或另一情形係具有實質上相似或甚至相等的pH值。拋光組合物之組份可部分或全部彼此獨立地提供且可(例如)由最終用戶於使用前不久(例如，使用前1周或更短、使用前1天或更短、使用前1小時或更短、使用前10分鐘或更短、使用前1分鐘或更短)組合。
拋光組合物亦可作為濃縮物提供，該濃縮物意欲在使用之前由適宜量的液體載劑來稀釋。在此實施例中，該拋光組合物濃縮物可包括液體載劑，及視情況一定量的其他組份，以便在用適宜量液體載劑稀釋該濃縮物後，每種組份將以上文針對每種組份所述之適宜範圍內之量存在於拋光組合物中。舉例而言，每種組份可以大於上文針對該拋光組合物中每種組份所述之濃度2倍(例如，3倍、4倍或5倍)的量存在於濃縮物中，以便當用適當體積的液體載劑(例如，分別以1倍體積之液體載劑、2倍體積之液體載劑、3倍體積之液體載劑或4倍體積之液體載劑)稀釋該濃縮物時，每種組份將以上文針對每種組份所闡述範圍內之量存在於拋光組合物中。另外，彼等普通熟習此項技術者應瞭解，該濃縮物可含有適當份數之存在於最終拋光組合物中之液體載劑，以確保聚醚胺及其他適宜添加劑(例如，磨料)至少部分地或全部地溶解或懸浮於該濃縮物中。
具體而言，拋光基板之本發明方法適於與化學-機械拋光(CMP)裝置組合使用。通常，該裝置包括：壓板，當使用時該壓板會運動且具有由軌道、線性或圓周運動所產生之速度；拋光墊，其與壓板接觸且隨該壓板運動而移動：及支座，其握持欲藉由接觸並相對於拋光墊表面而移動來拋光之基板。藉由將基板與拋光墊及本發明拋光組合物(其通常置於基板與拋光墊之間)接觸放置來發生基板之拋光，其中該拋光墊相對於基板而運動以磨蝕該基板之至少一部分來拋光該基板。
較為合意地，該CMP裝置進一步包括原位拋光端點偵測系統，其多數在業內已習知。藉由分析自工件表面反射的光或其他輻射來檢查並監視拋光製程之技術在業內已習知。較為合意地，檢查或監視關於正拋光基板之拋光製程的進展可確定拋光終點，即，可確定何時終止特定基板之拋光製程。此等方法闡述於(例如)美國專利第5,196,353號、美國專利第5,433,651號、第美國專利5,609,511號、美國專利第5,643,046號、美國專利第5,658,183號、美國專利第5,730,642號、美國專利第5,838,447號、美國專利第5,872,633號、美國專利第5,893,796號、美國專利第5,949,927號及美國專利第5,964,643號中。
拋光係指移除表面之至少一部分以拋光該表面。可實施拋光以藉由移除擦痕、凹坑、凹陷及諸如此類來提供具有降低的表面粗糙度之表面,但亦可實施拋光以引入或恢復以平面部分交叉為特徵之表面幾何圖形。
使用本發明方法欲拋光之基板可係任何適宜基板。適宜基板包含(但不限於)平板顯示器、積體電路、記憶體或硬磁盤、金屬、層間電介質(ILD)器件、半導體、微電子-機械系統、鐵電體及磁頭。該基板可包括多個層，例如絕緣層、導電層。該絕緣層可係金屬氧化物、多孔金屬氧化物、玻璃、有機聚合物、氟化有機聚合物或任何其他適宜高或低-絕緣層。該絕緣層可包括氧化矽、氮化矽或其組合、由其組成、或實質上由其組成。該氧化矽可係任何適宜氧化矽，其多數在業內已習知。適宜類型的氧化矽包含(但不限於)硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)、經電漿增強之原矽酸四乙酯(PETEOS)、熱氧化物、未經摻雜之矽酸鹽玻璃、碳摻雜氧化矽(CDO)、氟摻雜氧化矽(FSG)及高密度電漿(HDP)氧化物。基板可進一步包括至少一另外絕緣層。該至少一另外絕緣層可包括氧化矽、氮化矽或其組合、由其組成或實質上由其組成。該基板可進一步包括金屬層。該金屬層可包括任何適宜金屬、基本上由其組成或完全由其組成，其多數在業內已習知，例如，鎢、鉭、鈦、釕、銅、鋁。
本發明方法尤其用於拋光包括至少一層氧化矽之基板。該氧化矽層可以100/分鐘或更高(例如，300/分鐘或更高、400/分鐘或更高、500/分鐘或更高、600/分鐘或更高、或者800/分鐘或更高)之速率來移除。該氧化矽層可以5000/分鐘或更低(例如，3000/分鐘或更低、2000/分鐘或更低、1000/分鐘或更低、800/分鐘或更低、或者500/分鐘或更低)之速率來移除。因此，該氧化矽層可以200/分鐘至5000/分鐘(例如，300/分鐘至2000/分鐘、600/分鐘至5000/分鐘、400/分鐘至1500/分鐘、500/分鐘至1000/分鐘、或者500/分鐘至800/分鐘)之速率自基板來移除。
本發明方法亦尤其用於拋光包括至少一層氮化矽之基板。該氮化矽層可以100/分鐘或更高(例如，300/分鐘或更高、400/分鐘或更高、500/分鐘或更高、600/分鐘或更高、或者800/分鐘或更高)之速率來移除。該氮化矽層可以3000/分鐘或更低(例如，2000/分鐘或更低、1500/分鐘或更低、1000/分鐘或更低、800/分鐘或更低、或者500/分鐘或更低)之速率來移除。因此，該氮化矽層可以100/分鐘至3000/分鐘(例如，100/分鐘至2000/分鐘、100/分鐘至1500/分鐘、200/分鐘至1500/分鐘、300/分鐘至1000/分鐘、或者500/分鐘至800/分鐘)之速率自基板來移除。
基板可包括至少一層氮化矽及至少一層氧化矽，其中相對於氮化矽層選擇性移除氧化矽層，其中相對於氧化矽層選擇性移除氮化矽層，或者其中相對於氧化矽層以類似速率移除氮化矽層。
以下實例進一步闡釋本發明，但毫無疑問不應視為以任何方式限制其範圍。以下實例中所有數據皆使用IC 1000墊及1.6英吋晶圓以28kPa(4psi)之拋光下壓力在Logitech拋光器上產生。
實例1
該實例表明拋光組合物之pH對氧化矽及氮化矽之移除速率的影響，該拋光組合物含有經胺基矽烷化合物處理之膠態二氧化矽顆粒。
用10不同拋光組合物拋光TEOS晶圓、BPSG晶圓及氮化矽晶圓。各種拋光組合物皆含有1重量%的經300ppm胺基丙基三乙氧基矽烷處理之膠態二氧化矽。對於拋光組合物1A-1J而言，使胺基丙基三乙氧基矽烷與水混合30分鐘，隨後添加二氧化矽，並使所產生分散液攪拌2小時。對於拋光組合物1G-1J而言，用硝酸將pH調節至4然後添加矽烷。隨後用硝酸將每種拋光組合物之pH調節至目標pH，只是不包含任何另外硝酸之拋光組合物1A及1G除外。每種拋光組合物之pH示於表1中。
針對每種拋光組合物來測定TEOS及BPSG晶圓二者之氧化矽移除速率(/分鐘)及氮化矽移除速率(/分鐘)，且結果示於表1中。
由表1中所示之數據明顯可以看出，可調節拋光組合物之pH以改變氧化矽與氮化矽之拋光速率。
實例2
該實例表明拋光組合物之pH對氧化矽及氮化矽之移除速率的影響，該拋光組合物含有酸及經胺基矽烷化合物處理之膠態二氧化矽顆粒。
用22種不同拋光組合物拋光TEOS晶圓及氮化矽晶圓。拋光組合物2A-2M含有1重量%的經300ppm胺基丙基三乙氧基矽烷處理之膠態二氧化矽(50奈米)。拋光組合物2N-2Q含有1重量%的未經處理之膠態二氧化矽。拋光組合物2R-2V含有1重量%的經250ppm雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)胺、1%過氧化氫及硝酸處理之膠態二氧化矽(35奈米)，該硝酸係用來將pH調節至下文表2中所示之pH。每種拋光組合物之pH及添加至每種組合物中之酸的類型及量示於表2中。
針對每種拋光組合物來測定氧化矽移除速率(/分鐘)及氮化矽移除速率(/分鐘)，且結果示於表2中。
由表2中所示數據明顯可以看出，可使用若干種不同酸來調節拋光組合物之pH以選擇性移除氧化矽或氮化矽。
實例3
該實例表明拋光組合物之pH及酸濃度對氧化矽及氮化矽之移除速率的影響，該拋光組合物含有經胺基矽烷化合物處理之膠態二氧化矽顆粒。
用15種不同拋光組合物拋光TEOS晶圓及氮化矽晶圓。該等拋光組合物之每一種皆含有1重量%的經300ppm胺基丙基三乙氧基矽烷處理之膠態二氧化矽。將拋光組合物3A-3D之pH調節至9然後添加矽烷，且拋光組合物3E-3O之pH為7.5然後添加矽烷。每種拋光組合物之最終pH及添加至每種組合物中之1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(DEQUEST 2010)的量示於表3中。
針對每種拋光組合物來測定氧化矽移除速率(/分鐘)及氮化矽移除速率(/分鐘)，且結果示於表3中。
由表3中所示數據明顯可以看出，本發明拋光組合物之pH可使用不同濃度的酸進行調節以選擇性移除氧化矽或氮化矽。
實例4
該實例表明拋光組合物對氧化矽及氮化矽之移除速率的影響，該拋光組合物含有經胺基矽烷化合物及含磷酸處理之膠態二氧化矽顆粒。
用4種不同拋光組合物拋光TEOS晶圓及氮化矽晶圓。該等拋光組合物中的每一種皆含有3重量%的經800ppm胺基烷基矽氧烷處理之膠態二氧化矽。將硝酸添加至拋光組合物4A及4C以調節pH至2.2。每種拋光組合物之pH及添加至每種組合物中之酸的類型及量示於表4中。
針對每種拋光組合物來測定氧化矽移除速率(/分鐘)及氮化矽移除速率(/分鐘)，且結果示於表4中。
由表4中所示數據明顯可以看出，可調節pH及拋光組合物中所使用之酸的類型以選擇性移除氧化矽或氮化矽。
實例5
該實例表明拋光組合物對氧化矽及氮化矽之移除速率的影響，該拋光組合物含有經胺基矽烷化合物處理之膠態二氧化矽顆粒。
用12種不同拋光組合物拋光TEOS晶圓及氮化矽晶圓。該等拋光組合物中的每一種皆含有經胺基丙基三乙氧基矽烷及1000ppm 1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(DEQUEST 2010)處理之膠態二氧化矽。添加至每種組合物中之胺基丙基三乙氧基矽烷及膠態二氧化矽的量及每種組合物之pH示於表5中。
針對每種拋光組合物來測定氧化矽移除速率(/分鐘)及氮化矽移除速率(/分鐘)，且結果示於表5中。
由表5中所示數據明顯可以看出，氧化矽移除速率隨胺基丙基三乙氧基矽烷之量增加而增大，直至至少濃度為500ppm。胺基丙基三乙氧基矽烷之濃度對氮化矽移除速率之影響相對較小。氧化矽移除速率及氮化矽移除速率二者皆隨拋光組合物中膠態二氧化矽之濃度增加而增大。
實例6
該實例表明拋光組合物對氧化矽及氮化矽之移除速率的影響，該拋光組合物含有經胺基矽烷化合物處理之二氧化矽顆粒。
用18種不同拋光組合物拋光TEOS晶圓及氮化矽晶圓。該等拋光組合物中之每一種皆含有3重量%的經胺基丙基三乙氧基矽烷及1500ppm 1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(DEQUEST 2010)處理之二氧化矽。二氧化矽顆粒之類型及添加至每種組合物中之胺基丙基三乙氧基矽烷的量以及該等顆粒之ζ電位示於表6中。
針對每種拋光組合物來測定氧化矽移除速率(/分鐘)及氮化矽移除速率(/分鐘)，且結果示於表6中。
由表6中所示數據明顯可以看出，處理使用溶膠凝膠方法所合成之膠態二氧化矽顆粒及使用矽酸鹽離子交換所合成之46奈米、50奈米及80奈米膠態二氧化矽顆粒可有效拋光氧化矽基板，而煙霧狀二氧化矽顆粒在拋光氧化矽基板中並不如此有效。當使用足夠濃度的胺基矽烷來處理32奈米膠態二氧化矽顆粒時，該等顆粒可有效拋光氧化矽基板。
實例7
該實例表明拋光組合物對氧化矽之移除速率的影響，該拋光組合物含有經胺基矽烷化合物處理之二氧化矽顆粒。
用7種不同拋光組合物拋光TEOS晶圓。該等拋光組合物中之每一種皆用硝酸調節至pH為5.1且含有經胺基丙基三乙氧基矽烷處理之膠態二氧化矽。添加至每種組合物中膠態二氧化矽的量示於表7中。
針對每種拋光組合物來測定氧化矽移除速率(/分鐘)，且結果示於表7中。
由表7中所示數據明顯可以看出，氧化矽移除速率隨膠態二氧化矽之量增加而增大，直至2重量%膠態二氧化矽。
實例8
該實例表明含有經不同量胺基矽烷化合物處理之膠態二氧化矽顆粒之拋光組合物中經處理顆粒之平均粒徑及其上可用矽烷醇之表面覆蓋率。
該等拋光組合物中之每一種皆如實例5中所述來製備。添加至每種組合物中之胺基丙基三乙氧基矽烷及膠態二氧化矽的量及每種組合物之pH示於表8中。經處理顆粒之尺寸係使用Malvern HS 3000於5天後量測。留在溶液中之矽烷係在5天後藉由下列來量測：離心漿液並藉由用胺基甲酸6-胺基喹啉基-N-羥基琥珀醯亞胺基酯(由Waters所製備之AccQ Tag)衍生胺基矽烷上之一級胺來分析濃縮物並使用反相HPLC定量。該等經處理顆粒上矽烷之量計算為添加至拋光組合物中之矽烷的量減去處理後剩餘在溶液中之矽烷的量之間的差值。表面覆蓋率係經處理顆粒之表面上矽烷的量除以顆粒表面上矽烷醇的量且以百分數形式表示。顆粒表面上矽烷醇之數量係藉由量測二氧化矽之BET表面積(117米2 /克)並使用針對膠態二氧化矽5個矽烷醇/奈米2 之典型矽烷醇密度來量測。
針對每種拋光組合物來測定顆粒之平均粒徑、顆粒上矽烷的量及顆粒之表面覆蓋率，且結果示於表8中。
由表8中所示數據明顯可以看出，相對於二氧化矽之量顆粒上表面覆蓋百分比隨胺基丙基三乙氧基矽烷之量增加而增大。粒徑在較低矽烷濃度時保持相對穩定，但相對於二氧化矽之量隨矽烷含量升高而增大。
實例9
該實例表明經處理粒徑及拋光組合物中所添加矽烷除以顆粒表面上矽烷醇之數量之值對氧化矽移除速率的影響，該拋光組合物含有經不同量胺基矽烷化合物處理之膠態二氧化矽顆粒。
該等拋光組合物中之每一種皆含有0.3%的經雙(三甲氧基甲矽烷基丙基)胺、100ppm硼酸處理之膠態二氧化矽(45奈米)並用硝酸调节至pH為3.5。添加至每種組合物中之雙(三甲氧基甲矽烷基丙基)胺之量示於表9中。經處理顆粒之ζ電位及尺寸係使用Malvern HS 3000來量測。2個月後藉由離心組合物並使用LC-質譜以陽離子模式分析濃縮物來量測留在溶液中之矽烷的量。經處理顆粒上矽烷的量計算為添加至拋光組合物中之矽烷的量減去處理後剩餘在溶液中之矽烷的量之間之差值。表面覆蓋率係經處理顆粒表面上矽烷的量除以顆粒表面上矽烷醇的量且以百分數形式表示。顆粒表面上矽烷醇之數量係藉由量測二氧化矽之BET表面積(87米2 /克)並使用針對膠態二氧化矽為5個矽烷醇/奈米2 之典型矽烷醇密度來測定。
針對每種拋光組合物來測定ζ電位、平均粒徑、表面覆蓋率及氧化矽移除速率，且結果示於表9中。
由表9中所示數據明顯可以看出，當顆粒之表面覆蓋百分比增加至5%時氧化矽移除速率快速增加，且隨後當表面覆蓋百分比由5%增加至32%時氧化矽移除速率在相對較高值下基本保持不變，隨後當顆粒之表面覆蓋百分比繼續增大時，氧化矽移除速率開始下降。平均粒徑在矽烷濃度200ppm或更低(例如，表面覆蓋百分比為45%)下保持相對穩定，但在較高矽烷濃度下開始增大。

Claims (17)

  1. 一種化學-機械拋光基板之方法，該方法包括：(i)使基板與化學-機械拋光組合物接觸，該拋光組合物包括：(a)液體載劑，(b)懸浮於該液體載劑中之磨料，其中該磨料包括濕法製程的二氧化矽顆粒，其表面經選自由胺基丙基三烷氧基矽烷、二乙基胺基甲基三烷氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三烷氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基丙基)三烷氧基矽烷、(2-N-苄基胺基乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、鏻矽烷化合物及鋶矽烷化合物組成之群之化合物處理，及(c)選自由膦酸及含硼酸組成之群之酸，(ii)相對於該基板移動該拋光組合物，及(iii)磨蝕該基板之至少一部分以拋光該基板，其中該基板包括至少一層之氧化矽及/或至少一層之氮化矽，且其中該氧化矽或氮化矽之至少一部分係自該基板移除，以拋光該基板。
  2. 如請求項1之方法，其中該基板包括至少一層氮化矽，且其中該氮化矽之至少一部分係自該基板移除，以拋光該基板。
  3. 如請求項2之方法，其中該拋光組合物之pH為1.5至5。
  4. 如請求項2之方法，其中該酸係選自由胺基三(亞甲基膦 酸)及1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸組成之群。
  5. 如請求項1之方法，其中該基板包括氧化矽及氮化矽，且相對於該氮化矽自該基板選擇性移除該氧化矽。
  6. 如請求項1之方法，其中該拋光組合物之pH為3.5至6。
  7. 一種化學-機械拋光基板之方法，該方法包括：(i)使基板與化學-機械拋光組合物接觸，該拋光組合物包括：(a)液體載劑，及(b)懸浮於該液體載劑中之磨料，其中該磨料包括濕法製程的二氧化矽顆粒，其表面經選自由四級胺基矽烷化合物、二足胺基矽烷化合物及其組合組成之群之化合物處理，(ii)相對於該基板移動該拋光組合物，及(iii)磨蝕該基板之至少一部分以拋光該基板，其中該基板包括至少一層之氧化矽及/或至少一層之氮化矽，且其中該氧化矽或氮化矽之至少一部分係自該基板移除，以拋光該基板。
  8. 如請求項7之方法，其中該拋光組合物之pH為7至9。
  9. 一種用來拋光基板之化學-機械拋光組合物，其包括：(i)液體載劑，(ii)懸浮於該液體載劑中之磨料，其中該磨料包括濕法製程的二氧化矽顆粒，其表面經選自由胺基丙基三烷氧基矽烷、二乙基胺基甲基三烷氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三烷氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基 乙基胺基丙基)三烷氧基矽烷、(2-N-苄基胺基乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、鏻矽烷化合物及鋶矽烷化合物組成之群之化合物處理，及(iii)選自由膦酸及含硼酸組成之群之酸。
  10. 如請求項9之拋光組合物，其中該拋光組合物之PH為4至7。
  11. 如請求項10之拋光組合物，其中該膦酸係選自由胺基三(亞甲基膦酸)及1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸組成之群。
  12. 如請求項9之拋光組合物，其中該拋光組合物之PH為1.5至5。
  13. 一種用來拋光基板之化學-機械拋光組合物，其包括：(i)液體載劑，及(ii)懸浮於該液體載劑中之磨料，其中該磨料包括濕法製程的二氧化矽顆粒，其表面經選自由四級胺基矽烷化合物、二足胺基矽烷化合物及其組合組成之群之化合物處理。
  14. 如請求項13之拋光組合物，其中該拋光組合物具有1500微西門子/公分或更低之電導率。
  15. 一種用來拋光基板之化學-機械拋光組合物，其包括：(i)液體載劑，及(ii)懸浮於該液體載劑中之磨料，其中該磨料包括濕法製程的二氧化矽顆粒，其表面經選自由胺基丙基三烷氧基矽烷、二乙基胺基甲基三烷氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三烷氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基 乙基胺基丙基)三烷氧基矽烷、(2-N-苄基胺基乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、鏻矽烷化合物及鋶矽烷化合物組成之群之化合物處理，其中該等經處理研磨顆粒具有可用矽烷醇為2%至50%之表面覆蓋率。
  16. 如請求項15之拋光組合物，其中該拋光組合物之pH為4至7。
  17. 如請求項15之拋光組合物，其進一步包括能緩衝該拋光組合物之pH之化合物。
TW097136355A 2007-09-21 2008-09-22 拋光組合物及使用經胺基矽烷處理之研磨顆粒的方法 TWI408195B (zh)

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TW200923038A TW200923038A (en) 2009-06-01
TWI408195B true TWI408195B (zh) 2013-09-11

Family

ID=40472161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097136355A TWI408195B (zh) 2007-09-21 2008-09-22 拋光組合物及使用經胺基矽烷處理之研磨顆粒的方法

Country Status (10)

Country Link
US (4) US9028572B2 (zh)
EP (1) EP2188344B1 (zh)
JP (4) JP5646996B2 (zh)
KR (1) KR101232442B1 (zh)
CN (1) CN101802116B (zh)
IL (1) IL203476A (zh)
MY (1) MY149975A (zh)
SG (1) SG184772A1 (zh)
TW (1) TWI408195B (zh)
WO (1) WO2009042073A2 (zh)

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2389417B1 (en) 2009-01-20 2017-03-15 Cabot Corporation Compositons comprising silane modified metal oxides
JP5695367B2 (ja) * 2010-08-23 2015-04-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
KR101243331B1 (ko) * 2010-12-17 2013-03-13 솔브레인 주식회사 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
SG192058A1 (en) * 2011-01-26 2013-08-30 Fujimi Inc Polishing composition, polishing method using same, and substrate production method
EP2678399B1 (de) * 2011-02-22 2016-07-13 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung wässriger kolloidaler silikasole hoher reinheit aus alkalimetallsilikatlösungen
SG11201403505UA (en) 2011-12-21 2014-07-30 Basf Se Method for manufacturing cmp composition and application thereof
KR101349758B1 (ko) * 2011-12-26 2014-01-10 솔브레인 주식회사 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
US8778212B2 (en) * 2012-05-22 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing zirconia particles and method of use
KR102136432B1 (ko) * 2012-06-11 2020-07-21 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 몰리브덴을 연마하기 위한 조성물 및 방법
US8778211B2 (en) * 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries
US8859428B2 (en) * 2012-10-19 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing (CMP) composition for shallow trench isolation (STI) applications and methods of making thereof
US9388328B2 (en) * 2013-08-23 2016-07-12 Diamond Innovations, Inc. Lapping slurry having a cationic surfactant
WO2015040979A1 (ja) * 2013-09-20 2015-03-26 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
MY176027A (en) * 2013-09-30 2020-07-22 Hoya Corp Silica abrasive particles, method for manufacturing silica abrasive particles, and method for manufacturing magnetic-disk glass substrate
JP6113619B2 (ja) * 2013-09-30 2017-04-12 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
CN104745083B (zh) * 2013-12-25 2018-09-14 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液以及抛光方法
CN104745145A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 安集微电子（上海）有限公司 一种二氧化硅颗粒改性的制备方法及应用
US9303189B2 (en) 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9238754B2 (en) * 2014-03-11 2016-01-19 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9303188B2 (en) 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9309442B2 (en) * 2014-03-21 2016-04-12 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten buffing
US9127187B1 (en) * 2014-03-24 2015-09-08 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
US9303190B2 (en) 2014-03-24 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
US9971073B2 (en) * 2014-04-14 2018-05-15 Corning Incorporated Enhanced performance metallic based optical mirror substrates
TWI564380B (zh) * 2014-06-25 2017-01-01 卡博特微電子公司 銅障壁層化學機械拋光組合物
US9803106B2 (en) 2014-06-25 2017-10-31 Cabot Microelectronics Corporation Methods for fabricating a chemical-mechanical polishing composition
KR102511928B1 (ko) * 2014-06-25 2023-03-20 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 텅스텐 화학적-기계적 연마 조성물
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
DE102014226909A1 (de) * 2014-12-23 2016-06-23 Henkel Ag & Co. Kgaa Polymere für Reiniger mit Oberflächen-modifizierender Wirkung
CN105802510A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
CN105802508B (zh) * 2014-12-29 2020-03-13 安集微电子（上海）有限公司 一种氮唑类化合物在提高化学机械抛光液稳定性中的应用
US9803109B2 (en) * 2015-02-03 2017-10-31 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition for silicon nitride removal
JP6423279B2 (ja) * 2015-02-10 2018-11-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US10160884B2 (en) 2015-03-23 2018-12-25 Versum Materials Us, Llc Metal compound chemically anchored colloidal particles and methods of production and use thereof
WO2017074773A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
CN106928859A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 安集微电子科技(上海)有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
TWI660017B (zh) * 2016-07-14 2019-05-21 Cabot Microelectronics Corporation 用於鈷化學機械拋光(cmp)之替代氧化劑
US9803108B1 (en) 2016-10-19 2017-10-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous compositions of stabilized aminosilane group containing silica particles
US10570315B2 (en) * 2016-11-08 2020-02-25 Fujimi Incorporated Buffered slurry formulation for cobalt CMP
CN108250975B (zh) * 2016-12-28 2026-01-27 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
CN108624234A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液
JP6841166B2 (ja) * 2017-06-09 2021-03-10 堺化学工業株式会社 フェニルアルコキシシラン処理シリカの製造方法
US10221336B2 (en) 2017-06-16 2019-03-05 rohm and Hass Electronic Materials CMP Holdings, Inc. Aqueous silica slurry compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
US10600655B2 (en) 2017-08-10 2020-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
US10316218B2 (en) 2017-08-30 2019-06-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous silica slurry compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them
US12473457B2 (en) 2017-09-15 2025-11-18 Cmc Materials Llc Composition for tungsten CMP
US20190085205A1 (en) * 2017-09-15 2019-03-21 Cabot Microelectronics Corporation NITRIDE INHIBITORS FOR HIGH SELECTIVITY OF TiN-SiN CMP APPLICATIONS
US11186748B2 (en) 2017-09-28 2021-11-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous anionic functional silica slurry and amine carboxylic acid compositions for selective nitride removal in polishing and methods of using them
US10584265B2 (en) 2017-09-28 2020-03-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions selective for nitride removal in polishing and methods of using them
US10711158B2 (en) 2017-09-28 2020-07-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them
US10508221B2 (en) 2017-09-28 2019-12-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous low abrasive silica slurry and amine carboxylic acid compositions for use in shallow trench isolation and methods of making and using them
US10428241B2 (en) 2017-10-05 2019-10-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions containing charged abrasive
US20190185713A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cmp slurry compositions containing silica with trimethylsulfoxonium cations
WO2019181399A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 富士フイルム株式会社 研磨液および化学的機械的研磨方法
KR102005963B1 (ko) 2018-05-26 2019-07-31 에스케이이노베이션 주식회사 식각액 조성물 및 실란화합물
KR102024758B1 (ko) 2018-05-26 2019-09-25 에스케이이노베이션 주식회사 식각액 조성물, 절연막의 식각방법, 반도체 소자의 제조방법 및 실란화합물
US11690520B2 (en) 2018-06-20 2023-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for measuring bio-information
US10995238B2 (en) * 2018-07-03 2021-05-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Neutral to alkaline chemical mechanical polishing compositions and methods for tungsten
US10947414B2 (en) * 2018-07-31 2021-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Compositions for use in chemical mechanical polishing
US20210171801A1 (en) * 2018-08-03 2021-06-10 Nitta Dupont Incorporated Polishing composition
JP7028120B2 (ja) * 2018-09-20 2022-03-02 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体及びその製造方法、並びに化学機械研磨方法
US20200172759A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-04 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for cobalt cmp
US10968366B2 (en) 2018-12-04 2021-04-06 Cmc Materials, Inc. Composition and method for metal CMP
US12227673B2 (en) * 2018-12-04 2025-02-18 Cmc Materials Llc Composition and method for silicon nitride CMP
US10676647B1 (en) 2018-12-31 2020-06-09 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
JP7285113B2 (ja) * 2019-03-29 2023-06-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR102525287B1 (ko) * 2019-10-18 2023-04-24 삼성에스디아이 주식회사 구리 막 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 구리 막 연마 방법
CN111087930A (zh) * 2019-12-23 2020-05-01 长江存储科技有限责任公司 一种化学机械抛光研磨剂的制备方法及化学机械抛光方法
TWI769619B (zh) 2020-01-07 2022-07-01 美商Ｃｍｃ材料股份有限公司 經衍生的聚胺基酸
JP7409899B2 (ja) * 2020-02-18 2024-01-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨方法、および半導体基板の製造方法
TWI865805B (zh) * 2020-07-28 2024-12-11 美商Ｃｍｃ材料有限責任公司 包含陰離子性及陽離子性抑制劑之cmp組合物
KR102413115B1 (ko) * 2020-08-24 2022-06-24 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
TWI824280B (zh) 2020-08-24 2023-12-01 南韓商Ｓｋ恩普士股份有限公司 研磨墊及使用該研磨墊之用於製備半導體裝置的方法
TWI877406B (zh) * 2020-09-25 2025-03-21 日商福吉米股份有限公司 化學機械研磨漿料、化學機械研磨組合物、用於研磨表面的方法、及緩衝金屬氧化物鹽的方法
KR102678848B1 (ko) * 2020-10-14 2024-06-26 삼성에스디아이 주식회사 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법
KR102577164B1 (ko) 2020-12-29 2023-09-08 에스케이엔펄스 주식회사 반도체 공정용 연마 조성물 및 연마 조성물을 적용한 기판의 연마방법
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
TWI823321B (zh) * 2021-04-02 2023-11-21 南韓商Ｓｋｃ索密思有限公司 半導體製程用拋光組合物以及使用拋光組合物的半導體裝置的製造方法
KR20220149148A (ko) * 2021-04-30 2022-11-08 에스케이씨솔믹스 주식회사 반도체 공정용 연마 조성물 및 연마 조성물을 적용한 반도체 소자의 제조 방법
CN115703931A (zh) * 2021-08-03 2023-02-17 浙江新创纳电子科技有限公司 一种改性胶体二氧化硅及其制备方法和用途
US12497540B2 (en) 2021-09-30 2025-12-16 Fujimi Incorporated Polishing composition and polishing method using the same
TW202334371A (zh) 2021-09-30 2023-09-01 日商福吉米股份有限公司 拋光組成物及使用彼之拋光方法
CN113881347B (zh) * 2021-10-15 2023-01-31 深圳市科玺化工有限公司 一种硅晶圆用化学机械精抛液
CN118339246A (zh) * 2021-12-02 2024-07-12 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于氧化硅和氮化硅的化学机械平面化抛光组合物
JP7787044B2 (ja) * 2022-03-08 2025-12-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨方法、および半導体基板の製造方法
JP7766536B2 (ja) * 2022-03-29 2025-11-10 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびこれを用いた研磨方法
KR102773634B1 (ko) * 2022-04-13 2025-02-25 에스케이엔펄스 주식회사 반도체 공정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 연마방법
KR102773670B1 (ko) * 2022-04-13 2025-02-25 에스케이엔펄스 주식회사 반도체 공정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
JP7201117B1 (ja) 2022-04-26 2023-01-10 信越半導体株式会社 研磨用組成物、シリコンウェーハの研磨方法、及び研磨装置
CN115093795B (zh) * 2022-07-04 2023-09-01 深圳市永霖科技有限公司 一种面向半导体晶圆超精密抛光的磁流变抛光液
TWI873902B (zh) * 2022-10-11 2025-02-21 美商Ｃｍｃ材料有限責任公司 用於高度摻雜硼之矽膜之化學機械拋光組合物
KR20240106184A (ko) * 2022-12-29 2024-07-08 주식회사 동진쎄미켐 연마입자 및 이를 이용한 연마 슬러리 조성물
TW202523821A (zh) 2023-11-20 2025-06-16 美商慧盛材料美國責任有限公司 用於研磨多晶矽膜的cmp配方及方法
WO2025231281A1 (en) 2024-05-03 2025-11-06 Versum Materials Us, Llc Cmp formulations and methods for polishing ruthenium films
US20250357131A1 (en) * 2024-05-14 2025-11-20 Wolfspeed, Inc. Ionic Slurry for Electrochemical Mechanical Polishing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6582623B1 (en) * 1999-07-07 2003-06-24 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing silane modified abrasive particles
US7044836B2 (en) * 2003-04-21 2006-05-16 Cabot Microelectronics Corporation Coated metal oxide particles for CMP
US7265055B2 (en) * 2005-10-26 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium substrates

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2813258C2 (de) * 1978-03-28 1985-04-25 Sia Schweizer Schmirgel- & Schleifindustrie Ag, Frauenfeld Schleifkörper
US4618689A (en) * 1985-07-18 1986-10-21 General Electric Company Novel aminofunctional silicone compositions
US5230833A (en) * 1989-06-09 1993-07-27 Nalco Chemical Company Low sodium, low metals silica polishing slurries
EP0449263B1 (en) * 1990-03-28 1996-06-12 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Polysiloxane-composite polymer particles
US5174813A (en) * 1991-11-07 1992-12-29 Dow Corning Corporation Polish containing derivatized amine functional organosilicon compounds
US5196353A (en) 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
JP3190742B2 (ja) 1992-10-12 2001-07-23 株式会社東芝 研磨方法
US6614529B1 (en) 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5658183A (en) * 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5428107A (en) * 1993-10-29 1995-06-27 Rohm And Haas Company Silane-modified floor finish vehicles
US5433651A (en) 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
JP3270282B2 (ja) * 1994-02-21 2002-04-02 株式会社東芝 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
JP3313505B2 (ja) * 1994-04-14 2002-08-12 株式会社日立製作所 研磨加工法
JP3303544B2 (ja) * 1994-07-27 2002-07-22 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法および配線層表面研磨用のスラリーおよび配線層表面研磨用のスラリーの製造方法
US5527423A (en) 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5964643A (en) 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
US5838447A (en) 1995-07-20 1998-11-17 Ebara Corporation Polishing apparatus including thickness or flatness detector
US5645736A (en) * 1995-12-29 1997-07-08 Symbios Logic Inc. Method for polishing a wafer
US5872633A (en) * 1996-07-26 1999-02-16 Speedfam Corporation Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization
US6602439B1 (en) * 1997-02-24 2003-08-05 Superior Micropowders, Llc Chemical-mechanical planarization slurries and powders and methods for using same
US6126532A (en) 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
JP2001522316A (ja) * 1997-04-18 2001-11-13 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 半導体基板用研磨パッド
US5770103A (en) * 1997-07-08 1998-06-23 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite comprising titanium
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
US6592776B1 (en) * 1997-07-28 2003-07-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for metal CMP
US6117000A (en) * 1998-07-10 2000-09-12 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
JP3560484B2 (ja) * 1998-08-05 2004-09-02 昭和電工株式会社 Ｌｓｉデバイス研磨用研磨材組成物及び研磨方法
US6372648B1 (en) * 1998-11-16 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit planarization method
KR100447551B1 (ko) * 1999-01-18 2004-09-08 가부시끼가이샤 도시바 복합 입자 및 그의 제조 방법, 수계 분산체, 화학 기계연마용 수계 분산체 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2001057919A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Hama Seisakusho:Kk 昇降椅子
WO2001057919A1 (en) 2000-02-04 2001-08-09 Showa Denko K. K. Polishing composite for use in lsi manufacture and method of manufacturing lsi
JP2001345295A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Nikko Materials Co Ltd 化学機械研磨用スラリー
US6646348B1 (en) * 2000-07-05 2003-11-11 Cabot Microelectronics Corporation Silane containing polishing composition for CMP
CN1255854C (zh) * 2001-01-16 2006-05-10 卡伯特微电子公司 含有草酸铵的抛光系统及方法
US6533651B2 (en) * 2001-03-27 2003-03-18 Gregor Jonsson, Inc. Adjustable timing mechanism for shrimp processing machine cutter assembly
JP4428495B2 (ja) 2001-03-29 2010-03-10 電気化学工業株式会社 研磨剤及び研磨剤スラリー
KR100464429B1 (ko) 2002-08-16 2005-01-03 삼성전자주식회사 화학 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학 기계적폴리싱 방법
US6656241B1 (en) * 2001-06-14 2003-12-02 Ppg Industries Ohio, Inc. Silica-based slurry
MY133305A (en) * 2001-08-21 2007-11-30 Kao Corp Polishing composition
SE0102930D0 (sv) * 2001-09-04 2001-09-04 Ericsson Telefon Ab L M Antenna system and net drift verification
KR100704690B1 (ko) * 2001-10-31 2007-04-10 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 연마액 및 연마방법
JP2003277731A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 研磨用粒子および研磨材
US6896942B2 (en) 2002-04-17 2005-05-24 W. R. Grace & Co. -Conn. Coating composition comprising colloidal silica and glossy ink jet recording sheets prepared therefrom
TW539741B (en) 2002-04-26 2003-07-01 Everlight Chem Ind Corp Method for manufacturing cerium dioxide powder
JP4187206B2 (ja) * 2002-10-04 2008-11-26 花王株式会社 研磨液組成物
US20040065021A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Yasuhiro Yoneda Polishing composition
US6727309B1 (en) * 2002-10-08 2004-04-27 3M Innovative Properties Company Floor finish composition
JP4039214B2 (ja) * 2002-11-05 2008-01-30 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド
US7071105B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
TWI254741B (en) * 2003-02-05 2006-05-11 Kao Corp Polishing composition
US20050056810A1 (en) * 2003-09-17 2005-03-17 Jinru Bian Polishing composition for semiconductor wafers
JP4577755B2 (ja) 2003-12-02 2010-11-10 扶桑化学工業株式会社 変性コロイダルシリカの製造方法
DE102004004147A1 (de) 2004-01-28 2005-08-18 Degussa Ag Oberflächenmodifizierte, mit Siliziumdioxid umhüllte Metalloid/Metalloxide
TWI364450B (en) 2004-08-09 2012-05-21 Kao Corp Polishing composition
JP2006136996A (ja) * 2004-10-12 2006-06-01 Kao Corp 研磨液組成物の製造方法
JP4954462B2 (ja) * 2004-10-19 2012-06-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 窒化シリコン膜選択的研磨用組成物およびそれを用いる研磨方法
JP2006147993A (ja) 2004-11-24 2006-06-08 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法
DE102004057997A1 (de) 2004-12-01 2006-06-08 Wacker Chemie Ag Metalloxide mit einer in einem weiten pH-Bereich permanenten positiven Oberflächenladung
JP4555990B2 (ja) * 2005-01-11 2010-10-06 日立化成工業株式会社 半導体金属膜用ｃｍｐ研磨液および基体の研磨方法
JP2006269910A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法
JP2006321978A (ja) * 2005-04-21 2006-11-30 Lion Corp カチオン性コロイダルシリカおよびその製造方法、並びに、当該カチオン性コロイダルシリカを用いたインクジェット記録媒体用表面塗工剤およびインクジェット用紙
US7704313B2 (en) * 2005-07-06 2010-04-27 Resource Development L.L.C. Surfactant-free cleansing and multifunctional liquid coating composition containing nonreactive abrasive solid particles and an organosilane quaternary compound and methods of using
WO2007029465A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Asahi Glass Company, Limited 研磨剤、被研磨面の研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法
US10087082B2 (en) * 2006-06-06 2018-10-02 Florida State University Research Foundation, Inc. Stabilized silica colloid
CA2684459C (en) * 2007-04-16 2016-10-04 Neuroarm Surgical Ltd. Methods, devices, and systems for non-mechanically restricting and/or programming movement of a tool of a manipulator along a single axis
WO2009042072A2 (en) * 2007-09-21 2009-04-02 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane
CN102159662B (zh) * 2008-09-19 2014-05-21 卡伯特微电子公司 用于低k电介质的阻挡物浆料
TWI564380B (zh) * 2014-06-25 2017-01-01 卡博特微電子公司 銅障壁層化學機械拋光組合物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6582623B1 (en) * 1999-07-07 2003-06-24 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing silane modified abrasive particles
US7044836B2 (en) * 2003-04-21 2006-05-16 Cabot Microelectronics Corporation Coated metal oxide particles for CMP
US7265055B2 (en) * 2005-10-26 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium substrates

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