TWI406621B - 線路板及其製作方法 - Google Patents

Description

線路板及其製作方法 CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

本發明是有關於一種線路板(circuit board)及其製程，且特別是有關於一種具有較佳可靠度的線路板及其製程。

目前在半導體製程中，晶片封裝載板是經常使用的封裝元件之一。晶片封裝載板例如為一多層線路板，其主要是由多層線路層以及多層介電層交替疊合所構成，其中介電層配置於任兩相鄰之線路層之間，而線路層可藉由貫穿介電層之導通孔(Plating Through Hole,PTH)或導電孔(via)而彼此電性連接。由於晶片封裝載板具有佈線細密、組裝緊湊以及性能良好等優點，已成為晶片封裝結構(chip package structure)之主流。

一般而言，多層線路板的線路結構大多採用積層(build up)方式或是壓合(laminated)方式來製作，因此具有高線路密度與縮小線路間距的特性。超薄的基板由於剛性不足，因此必須先提供一個載板來作為一支撐載體。接著，依序形成離形層與形成多層線路層以及與線路層交替排列的多層介電層於載板的相對兩側表面上。最後，在離形層與其上之線路層間的介面，將線路板和載板分離，而形成相互分離的二個多層線路板。此外，若欲形成導通孔或導電孔，則可於形成一層介電層後，經由例如是雷射鑽孔法來形成盲孔，以暴露出此介電層下方之線路層。之後，再藉由電鍍的方式電鍍銅層於盲孔內與此介電層上，而形成另一線路層與導通孔。

然而，進行電鍍製程時，由於雷射鑽孔法所形成的盲孔內無介電層，需要以電鍍方式填入銅材來塞孔。為了避免盲孔上方之銅面形成凹陷之品質問題，現有的製程步驟需要先進行增加鍍銅厚度的步驟之後，再加上減銅厚的步驟而達到平整度規格，或者用特殊鍍銅藥水來減緩鍍銅速率，以增加鍍銅時間，進而避免上述之凹陷的情況產生。但，此種方式所需的成本較高且製程步驟也較多。此外，由雷射鑽孔所形成之盲孔經由電鍍填孔的方式形成導通孔的製程和結構受限於其盲孔的密度不易提高，且盲孔的形狀不利於作成線狀或塊狀之凸塊，因此上述之製程不易達成高頻線路所需之訊號干擾隔離以及高功率晶片所需之散熱功能。

本發明提供一種線路板及其製作方法，其可提高製程良率與減少製作成本，進而增加產品的可靠度。

本發明提供一種線路板的製作方法，其中製作方法包括下述步驟。提供一承載板。承載板包括一第一離形層、一第二離形層以及一配置於第一離形層與第二離形層之間的核心層。分別形成一第一導電層以及一第二導電層於承載板的第一離形層與第二離形層上。分別形成至少一第一導電柱以及至少一第二導電柱於第一導電層上與第二導電層上。第一導電柱與第一導電層之間具有一第一介面，而第二導電柱與第二導電層之間具有一第二介面。分別壓合一第一疊層結構以及一第二疊層結構於第一導電層上與第二導電層上。第一疊層結構覆蓋第一導電柱與部分第一導電層，而第二疊層結構覆蓋第二導電柱與部分第二導電層。分別移除部分第一疊層結構以及部分第二疊層結構，至暴露出第一導電柱與第二導電柱。分別形成一第三導電層以及一第四導電層於剩餘的第一疊層結構與第一導電柱上以及於剩餘的第二疊層結構與第二導電柱上。第三導電層與第一導電柱之間具有一第三介面，而第四導電層與第二導電柱之間具有一第四介面。藉由一剝離力道以分離第一導電層與第一離形層之間的介面以及第二導電層與第二離形層之間的介面，而移除承載板。

在本發明之一實施例中，上述之第一疊層結構包括一第一絕緣層、一第一薄金屬層以及一第一厚金屬層。第一薄金屬層位於第一絕緣層與第一厚金屬之間，且第一絕緣層覆蓋第一導電柱與部分第一導電層。第二疊層結構包括一第二絕緣層、一第二薄金屬層以及一第二厚金屬層。第二薄金屬層位於第二絕緣層與第二厚金屬之間，且第二絕緣層覆蓋第二導電柱與部分第二導電層。

在本發明之一實施例中，上述之移除部分第一疊層結構以及部分第二疊層結構的步驟，包括下述步驟。移除第一厚金屬層以及第二厚金屬層，以暴露出第一薄金屬層以及第二薄金屬層。移除部分第一薄金屬層與部分第二薄金屬層至暴露出第一導電柱與第二導電柱，以分別形成環繞第一導電柱與第二導電柱的一第一環狀導電層以及一第二環狀導電層。

在本發明之一實施例中，上述之移除第一厚金屬層以及第二厚金屬層的方法包括剝離法。

在本發明之一實施例中，上述之部分第一薄金屬層與部分第二薄金屬層的方法包括研磨法。

在本發明之一實施例中，上述之形成第一導電柱與第二導電柱的方法包括電鍍法。

在本發明之一實施例中，上述之第一疊層結構包括一第一絕緣層以及一第一薄金屬層。第一薄金屬層位於第一絕緣層上，且第一絕緣層覆蓋第一導電柱與部分第一導電層。第二疊層結構包括一第二絕緣層以及一第二薄金屬層。第二薄金屬層位於第二絕緣層上，且第二絕緣層覆蓋第二導電柱與部分第二導電層。

在本發明之一實施例中，上述之移除部分第一疊層結構以及部分第二疊層結構的步驟，包括：移除部分第一薄金屬層與部分第二薄金屬層至暴露出第一導電柱與第二導電柱，以分別形成環繞第一導電柱與第二導電柱的一第一環狀導電層以及一第二環狀導電層。

在本發明之一實施例中，上述之部分第一薄金屬層與部分第二薄金屬層的方法包括研磨法。

在本發明之一實施例中，上述之第一離形層與第二離形層的材質為含矽的導電膠或含矽的非導電膠。

在本發明之一實施例中，上述之第一離形層與第二離形層的材質為鎳，而核心層的材質為銅或不銹鋼。

在本發明之一實施例中，上述之線路板的製作方法，更包括於移除承載板之前，分別形成一增層線路層於第一疊層結構上以及第二疊層結構上。

在本發明之一實施例中，上述之線路板的製作方法，上述之形成於承載板之第一離形層與第二離形層上的第一導電層與第二導電層分別為一圖案化導電層，且於藉由剝離力道以分離第一導電層與第一離形層之間的介面以及第二導電層與第二離形層之間的介面，而移除承載板之前，圖案化第三導電層以及第四導電層，以形成一第三圖案化導電層及一第四圖案化導電層。

在本發明之一實施例中，上述之線路板的製作方法，更包括藉由剝離力道以分離第一導電層與第一離形層之間的介面以及第二導電層與第二離形層之間的介面，而移除承載板之後，圖案化第一導電層、第二導電層、第三導電層及第四導電層，以形成一第一圖案化導電層、一第二圖案化導電層、一第三圖案化導電層及一第四圖案化導電層。

本發明提出一種線路板，其包括一第一圖案化導電層、一導電柱、一絕緣層以及一第二圖案化導電層。導電柱配置於第一圖案化導電層上，其中導電柱與第一圖案化導電層之間具有一第一介面。絕緣層配置於第一圖案化導電層上，且包圍導電柱的側面。第二圖案化導電層配置於導電柱與絕緣層上，其中第二圖案化導電層與導電柱之間具有一第二介面，且第二圖案化導電層透過導電柱與第一圖案化導電層電性連接。

在本發明之一實施例中，上述之線路板更包括一環狀導電層，環繞導電柱設置且位於絕緣層與第一圖案化導電層之間。

基於上述，本發明之線路板是直接於導電層上電鍍形成導電柱，接著再壓合疊層結構且移除部份疊層結構至暴露出導電柱，之後再透過電鍍的方式來形成另一導電層。相較於習知先於介電層中形成盲孔，而後再透過電鍍的方式於盲孔中形成導通孔以及於介電層上形成線路層而言，本發明之線路板的製作方法可提高導電層與導電柱的製程良率並減少製作成本，進而增加產品的可靠度。再者，本發明能將導電柱作成線狀或塊狀凸塊，以利於高頻率及高功率之晶片所需的訊號隔離及散熱功能。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明之一實施例之一種線路板的剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，線路板100包括一第一圖案化導電層110、一導電柱120、一絕緣層130以及一第二圖案化導電層140。詳細來說，導電柱120配置於第一圖案化導電層110上，其中導電柱120與第一圖案化導電層110之間具有一第一介面S1。絕緣層130配置於第一圖案化導電層110上，且包圍導電柱120的側面。第二圖案化導電層140配置於導電柱120與絕緣層130上，其中第二圖案化導電層140與導電柱120之間具有一第二介面S2，且第二圖案化導電層140透過導電柱120與第一圖案化導電層110電性連接。此外，本實施例之線路板100更包括一環狀導電層150，其中環狀導電層150環繞導電柱120設置，且位於絕緣層130與第一圖案化導電層110之間。

以下將配合圖2A至圖2I來詳細說明線路板100的製作方法。在此必須說明的是，本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件。

圖2A至圖2I以剖面繪示本發明之一實施例之一種線路板的製作方法。請參考圖2A，首先，提供一承載板10，其中承載板10包括一第一離形層12、一第二離形層14以及一配置於第一離形層12與第二離形層14之間的核心層16。在本實施例中，第一離形層12與第二離形層14的材質例如是為含矽的導電膠或含矽的非導電膠；或者是，第一離形層12與第二離形層14的材質例如是鎳，而核心層16的材質例如是採用銅或不銹鋼，在此並不加以限制。

接著，請參考圖2B，分別形成一第一導電層110a以及一第二導電層110b於承載板10的相對兩表面上，其中第一導電層110a覆蓋第一離形層12，而第二導電層110b覆蓋第二離形層14。在本實施例中，形成第一導電層110a與第二導電層110b的方法例如是電鍍法。

在此必須說明的是，本發明並不限定第一導電層110a與第二導電層110b的結構形態，雖然此處所提及的第一導電層110a與第二導電層110b具體化為完全覆蓋第一離形層12與第案離形層14。但於其他未繪示的實施例中，第一導電層110a與第二導電層110b亦可僅局部覆蓋第一離形層12與第案離形層14。也就是說，第一導電層110a與第二導電層110b分別為一圖案化導電層。因此，圖2B所繪示之第一導電層110a與第二導電層110b的結構型態僅為舉例說明，並不以此為限。

接著，請參考圖2C，分別形成至少一第一導電柱120a(圖2C中僅示意地會是一個)以及至少一第二導電柱120b(圖2C中僅示意地會是一個)於第一導電層110a上與第二導電層110b上。特別是，在本實施例中，第一導電柱120a與第一導電層110a之間具有一第一介面S1’，而第二導電柱120b與第二導電層110b之間具有一第二介面S2’。此外，在本實施例中，形成第一導電柱120a與第二導電柱120b的步驟包括先透過曝光顯影的方式形成圖案化光阻層(未繪示)，而後在透過電鍍法來電鍍一導電層(未繪示)於第一導電層110a與第二導電層110b上，之後，再移除圖案化光阻層，而完成第一導電柱120a與第二導電柱120b的製作。特別是，本實施例並不限定第一導電柱120a與第二導電柱120b的形狀，可例如是線狀或塊狀凸塊，有利於高頻率及高功率之晶片所需的訊號隔離及散熱功能。

接著，請參考圖2D，提供一第一疊層結構130a以及一第二疊層結構130b於第一導電層110a上與第二導電層110b上。詳細來說，第一疊層結構130a包括一第一絕緣層132a、一第一薄金屬層134a以及一第一厚金屬層136a，其中第一薄金屬層134a位於第一絕緣層132a與第一厚金屬136a之間。第二疊層結構130b包括一第二絕緣層132b、一第二薄金屬層134b以及一第二厚金屬層136b，其中第二薄金屬層134b位於第二絕緣層132b與第二厚金屬136b之間。在本實施例中，由於第一疊層結構130a以及第二疊層結構130b分別具有第一厚金屬層136a以及第二厚金屬層136b，因此可提供第一絕緣層132a、第二絕緣層132b、第一薄金屬層134a以及第二薄金屬層134b足夠的支撐力。

接著，請參考圖2E，透過熱壓合的方式，分別將第一疊層結構130a以及第二疊層結構130b壓合於第一導電層110a上與第二導電層110b上，其中第一疊層結構130a覆蓋第一導電柱120a與部分第一導電層110a，而第二疊層結構130b覆蓋第二導電柱120b與部分第二導電層110b。更具體來說，第一絕緣層132a覆蓋第一導電柱120a與部分第一導電層110a，而第二絕緣層132b覆蓋第二導電柱120b與部分第二導電層110b。第一薄金屬層134a與第一厚金屬層136a共形地配置於第一絕緣層132a上，而第二薄金屬層134b與第二厚金屬層136b共形地配置於第二絕緣層132b上。

在此必須說明的是，本發明並不限定第一疊層結構130a以及一第二疊層結構130b的結構形態，於其他未繪示的實施例中，第一疊層結構130a以及一第二疊層結構130b亦可皆不具有第一厚金屬層136a與第二厚金屬層136b。也就是說，第一疊層結構130a亦可僅包括第一絕緣層132a以及第一薄金屬層134a，其中第一薄金屬層134a位於第一絕緣層132a上，且第一絕緣層132a覆蓋第一導電柱120a與部分第一導電層110a。第二疊層結構130b亦可僅包括第二絕緣層132b以及第二薄金屬層134b，其中第二薄金屬層134b位於第二絕緣層132b上，且第二絕緣層132b覆蓋第二導電柱120b與部分第二導電層110b。簡言之，圖2D與圖2E所繪示之第一疊層結構130a以及一第二疊層結構130b的結構形態僅為舉例說明，並不以此為限。

接著，請同時參考圖2E與圖2F，分別移除部分第一疊層結構130a以及部分第二疊層結構130b，至暴露出第一導電柱120a與第二導電柱120b。詳細來說，在本實施例中，移除部分第一疊層結構130a以及部分第二疊層結構130b的步驟，首先，透過例如是剝離法(lift-off)來移除第一厚金屬層136a以及第二厚金屬層136b，以暴露出第一薄金屬層134a以及第二薄金屬層134b。接著，透過研磨法(例如是刷磨法)來移除部分第一薄金屬層134a與部分第二薄金屬層134b至暴露出第一導電柱120a與第二導電柱120b，以分別形成環繞第一導電柱120a與第二導電柱120b的一第一環狀導電層150a以及一第二環狀導電層150b。

接著，請參考圖2G，透過電鍍的方式，形成一第三導電層140a於剩餘的第一疊層結構130a(意即第一絕緣層132a以及第一環狀導電層150a)與第一導電柱120a上，以及形成一第四導電層140b於第二疊層結構130b(意即第二絕緣層132b以及第二環狀導電層150b)與第二導電柱120b上。特別是，在本實施例中，第三導電層140a與第一導電柱120a之間具有一第三介面S3，而第四導電層140b與第二導電柱120b之間具有一第四介面S4。

接著，請參考圖2H，藉由一剝離力道以分離第一導電層110a與第一離形層12之間的介面以及第二導電層110b與第二離形層14之間的介面，而移除承載板10，而形成相互分離的一第一線路板單元100a以及一第二線路板單元100b，其中移除承載板10後所形成之第一線路板單元100a與第二線路板單元100b為相對稱之結構。更具體來說，第一線路板單元100a依序包括第一導電層110a、第一導電柱120a、包圍第一導電柱120a側面的第一絕緣層132a、位於第一絕緣層132a上且環繞第一導電柱120a的第一環狀導電層150a以及位於第一環狀導電層150a上的第三導電層140a。第二線路板單元100b依序包括第二導電層110b、第二導電柱120b、包圍第二導電柱120b側面的第二絕緣層132b、位於第二絕緣層132b上且環繞第二導電柱120b的第二環狀導電層150b以及位於第二環狀導電層150b上的第四導電層140b。

接著，請參考圖2I，圖案化第一導電層110a、第二導電層110b、第三導電層140a、第四導電層140b、第一環狀導電層150a以及第二環狀導電層150b，以形成一第一圖案化導電層110a’、一第二圖案化導電層110b’、一第三圖案化導電層140a’、一第四圖案化導電層140b’、第一圖案化環狀導電層150a’以及第二圖案化環狀導電層150b’。至此，以完成二個線路板100a’、100b’的製作。

值得一提的是，本發明並不限定圖案化導電層的步驟必須於移除承載板10之後，於其他未繪示的實施例中，亦於移除承載板10之前，先對第三導電層140a以及第四導電層140b進行圖案化製程，來形成第三圖案化導電層140a’與第四圖案化導電層140b’。當然，亦可於移除承載板10之前，更於第三導電層140a與第四導電層140b上進行增層線路層的製作。也就是說，上述所述之實施例僅為舉例說明，並不以此為限。

當然，於其他未繪示的實施例中，使用者亦可自行選用於如上述實施例所提及之方式，來增加導電層與導電柱的數量，本領域的技術人員當可參照上述實施例的說明，依據實際需求，搭配選用前述所述之構件，以達到所需的技術效果。

綜上所述，本發明之線路板是直接於導電層上電鍍形成導電柱，接著再壓合疊層結構且移除部份疊層結構至暴露出導電柱，之後再透過電鍍的方式來形成另一導電層。相較於習知先於介電層中形成盲孔，而後再透過電鍍的方式於盲孔中形成導通孔以及於介電層上形成線路層而言，本發明之線路板的製作方法可減少及簡化導電層與導電柱的製程之步驟，進而降低產品的成本。此外，本發明利用一穩定的承載板可在單一製程中製作出兩個薄板的線路板，故可降低線路板在製作薄板時由於承載板不穩定而造成良率損失之製作成本。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10．．．承載板

12．．．第一離形層

14．．．第二離形層

16．．．核心層

100、100a’、100b’．．．線路板

100a．．．線路板單元

100b．．．線路板單元

110．．．第一圖案化導電層

110a．．．第一導電層

110a’．．．第一圖案化導電層

110b．．．第二導電層

110b’．．．第二圖案化導電層

120．．．導電柱

120a．．．第一導電柱

120b．．．第二導電柱

130．．．絕緣層

130a．．．第一疊層結構

130b．．．第二疊層結構

132a．．．第一絕緣層

132b．．．第二絕緣層

134a．．．第一薄金屬層

134b．．．第二薄金屬層

136a．．．第一厚金屬層

136b．．．第二厚金屬層

140．．．第二圖案化導電層

140a．．．第三導電層

140a’．．．第三圖案化導電層

140b．．．第四導電層

140b’．．．第四圖案化導電層

150．．．環狀導電層

150a．．．第一環狀導電層

150b．．．第二環狀導電層

150a’．．．第一圖案化環狀導電層

150b’．．．第二圖案化環狀導電層

S1、S1’．．．第一介面

S2、S2’．．．第二介面

S3．．．第三介面

S4．．．第四介面

圖1為本發明之一實施例之一種線路板的剖面示意圖。

圖2A至圖2I以剖面繪示本發明之一實施例之一種線路板的製作方法。

100．．．線路板

110．．．第一圖案化導電層

120．．．導電柱

130．．．絕緣層

140．．．第二圖案化導電層

150．．．環狀導電層

S1．．．第一介面

S2．．．第二介面

Claims (15)

1. 一種線路板的製作方法，包括：提供一承載板，該承載板包括一第一離形層、一第二離形層以及一配置於該第一離形層與該第二離形層之間的核心層；分別形成一第一導電層以及一第二導電層於該承載板的該第一離形層與該第二離形層上；分別形成至少一第一導電柱以及至少一第二導電柱於該第一導電層上與該第二導電層上，其中該第一導電柱與該第一導電層之間具有一第一介面，而該第二導電柱與該第二導電層之間具有一第二介面；分別壓合一第一疊層結構以及一第二疊層結構於該第一導電層上與該第二導電層上，其中該第一疊層結構覆蓋該第一導電柱與部分該第一導電層，而該第二疊層結構覆蓋該第二導電柱與部分該第二導電層；分別移除部分該第一疊層結構以及部分該第二疊層結構，至暴露出該第一導電柱與該第二導電柱，以分別形成環繞該第一導電柱與該第二導電柱的一第一環狀導電層以及一第二環狀導電層；分別形成一第三導電層以及一第四導電層於剩餘的該第一疊層結構與該第一導電柱上以及於剩餘的該第二疊層結構與該第二導電柱上，其中該第三導電層與該第一導電柱之間具有一第三介面，而該第四導電層與該第二導電柱之間具有一第四介面；以及 藉由一剝離力道以分離該第一導電層與該第一離形層之間的介面以及該第二導電層與該第二離形層之間的介面，而移除該承載板。
2. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製作方法，其中該第一疊層結構包括一第一絕緣層、一第一薄金屬層以及一第一厚金屬層，該第一薄金屬層位於該第一絕緣層與該第一厚金屬之間，且該第一絕緣層覆蓋該第一導電柱與部分該第一導電層，該第二疊層結構包括一第二絕緣層、一第二薄金屬層以及一第二厚金屬層，該第二薄金屬層位於該第二絕緣層與該第二厚金屬之間，且該第二絕緣層覆蓋該第二導電柱與部分該第二導電層。
3. 如申請專利範圍第2項所述之線路板的製作方法，其中移除部分該第一疊層結構以及部分該第二疊層結構的步驟，包括：移除該第一厚金屬層以及該第二厚金屬層，以暴露出該第一薄金屬層以及該第二薄金屬層；以及移除部分該第一薄金屬層與部分該第二薄金屬層至暴露出該第一導電柱與該第二導電柱，以分別形成環繞該第一導電柱與該第二導電柱的該第一環狀導電層以及該第二環狀導電層。
4. 如申請專利範圍第3項所述之線路板的製作方法，其中移除該第一厚金屬層以及該第二厚金屬層的方法包括剝離法。
5. 如申請專利範圍第3項所述之線路板的製作方 法，其中部分該第一薄金屬層與部分該第二薄金屬層的方法包括研磨法。
6. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製作方法，其中形成該第一導電柱與該第二導電柱的方法包括電鍍法。
7. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製作方法，其中該第一疊層結構包括一第一絕緣層以及一第一薄金屬層，該第一薄金屬層位於該第一絕緣層上，且該第一絕緣層覆蓋該第一導電柱與部分該第一導電層，該第二疊層結構包括一第二絕緣層以及一第二薄金屬層，該第二薄金屬層位於該第二絕緣層上，且該第二絕緣層覆蓋該第二導電柱與部分該第二導電層。
8. 如申請專利範圍第7項所述之線路板的製作方法，其中移除部分該第一疊層結構以及部分該第二疊層結構的步驟，包括：移除部分該第一薄金屬層與部分該第二薄金屬層至暴露出該第一導電柱與該第二導電柱，以分別形成環繞該第一導電柱與該第二導電柱的該第一環狀導電層以及該第二環狀導電層。
9. 如申請專利範圍第8項所述之線路板的製作方法，其中部分該第一薄金屬層與部分該第二薄金屬層的方法包括研磨法。
10. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製作方法，其中該第一離形層與該第二離形層的材質為含矽的導 電膠或含矽的非導電膠。
11. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製作方法，其中該第一離形層與該第二離形層的材質為鎳，而該核心層的材質為銅或不銹鋼。
12. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製作方法，更包括：於移除該承載板之前，分別形成一增層線路層於該第一疊層結構上以及該第二疊層結構上。
13. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製作方法，其中形成於該承載板之該第一離形層與該第二離形層上的該第一導電層與該第二導電層分別為一圖案化導電層，且於藉由該剝離力道以分離該第一導電層與該第一離形層之間的介面以及該第二導電層與該第二離形層之間的介面，而移除該承載板之前，圖案化該第三導電層及該第四導電層，以形成一第三圖案化導電層及一第四圖案化導電層。
14. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製作方法，更包括：藉由該剝離力道以分離該第一導電層與該第一離形層之間的介面以及該第二導電層與該第二離形層之間的介面，而移除該承載板之後，圖案化該第一導電層、該第二導電層、該第三導電層及該第四導電層，以形成一第一圖案化導電層、一第二圖案化導電層、一第三圖案化導電層及一第四圖案化導電層。
15. 一種線路板，包括：一第一圖案化導電層；一導電柱，配置於該第一圖案化導電層上，其中該導電柱與該第一圖案化導電層之間具有一第一介面；一絕緣層，配置於該第一圖案化導電層上，且包圍該導電柱的側面；一第二圖案化導電層，配置於該導電柱與該絕緣層上，其中該第二圖案化導電層與該導電柱之間具有一第二介面，且該第二圖案化導電層透過該導電柱與該第一圖案化導電層電性連接；以及一環狀導電層，環繞該導電柱設置且位於該絕緣層與該第一圖案化導電層之間。