TWI401730B - 曝光方法、曝光設備及製造裝置之方法 - Google Patents

Description

曝光方法、曝光設備及製造裝置之方法

本發明係關於曝光方法、曝光設備及製造裝置之方法

晶圓製程原則上包含像是：用於校準晶圓之預校準與全校準的校準製程、與曝光製程。為了改善晶圓生產力，亦即，產量，己進行各式各樣努力以縮短每個製程所需之時間。

在校準製程中，可從形成在晶圓上之校準標記選擇複數個標記作為樣品拍射，並且量測這些標記的位置。所使用的樣品拍射為如顯示於圖4般。低-倍率校準標記WML與高-倍率校準標記WMH形成在每個拍射中。在預校準中，可使用低-倍率第一觀測器量測在第一樣品拍射SL1中之低-倍率校準標記的位置，而接著量測在樣品拍射SL2中之低-倍率校準標記的位置。可根據二個低-倍率校準標記SL1與SL2之量測位置，實施晶圓預校準。

在實施晶圓預校準後，可實施全校準，亦即，晶圓之主校準。在全校準中，可藉由考量在IC或LSI的生產力與校準準確度間之權衡而量測在晶圓上之數個拍射。例如：為了達成最適合全校準之樣品拍射配置，除了晶圓周圍之外，樣品拍射可配置成盡可能地外側，使得可密切地繞著晶圓中央對稱並且密切均勻地分佈在周邊上。在全校準中，可使用高-倍率觀測器而依樣品拍射SH3，SH4，SH5，與SH6的順序而量測高-倍率校準標記的位置，藉以實施晶圓之主校準。

在實施主校準後，可驅動晶圓載台至第一曝光拍射E1，並且曝光晶圓。隨後，可曝光每個拍射，同時驅動晶圓載台。

日本專利公開號：2005-217333與2001-267229揭示此傳統方法之細節。

上述-提及傳統方法對於藉由快速地、準確地校準晶圓而曝光晶圓的半導體曝光設備是有效的。然而，因為對於預校準而言，該傳統方法量測在每個要被曝光之晶圓上之二個低-倍率校準標記的位置，故傳統方法需要長校準時間。

本發明目的為設置一種藉由縮短校準時間而提升產量的曝光方法與曝光設備。

根據本發明之第一態樣，係設置藉由使用形成在基板上之標記校準該基板而曝光該基板之曝光方法，該方法包含有：藉由第一觀測器偵測第一標記位置的第一偵測步驟、藉由具有高於第一觀測器倍率之倍率的第二觀測器偵測不同於第一標記之第二標記位置的第二偵測步驟、根據於第一偵測步驟與第二偵測步驟中獲得的偵測結果，計算第一校正值的第一計算步驟、於根據於第一計算步驟中所計算之第一校正值校準該基板後，藉由第二觀測器偵測不同於第一標記與第二標記之第三標記位置的第三偵測步驟、根據於第二偵測步驟與第三偵測步驟中獲得之偵測結果，計算第二校正值的第二計算步驟、與在根據於第二計算步驟中所計算之第二校正值校準該基板後，曝光該基板之曝光步驟。

根據本發明之第二態樣，係設置一種藉由使用形成在複數個基板上之標記連續地校準該基板而曝光該基板的曝光方法，該方法包含有：根據藉由第一觀測器偵測在第一基板上之第一標記位置的結果與藉由具有高於第一觀測器倍率之倍率的第二觀測器，偵測不同於在第一基板上之第一標記之第二標記位置的結果而計算第一校正值的第一計算步驟、根據於第一基板上之第二標記位置與藉由第二觀測器偵測不同於在第一基板上之第一標記與第二標記之第三標記位置的結果，計算第二校正值的第二計算步驟、測定在第一校正值與第二校正值間之偏移的測定步驟、在曝光第一基板後，藉由第一觀測器偵測在要被曝光之第二基板上之第一標記位置的第一偵測步驟、藉由第二觀測器偵測不同於在第二基板上之第一標記的第二標記位置之第二偵測步驟、根據於第一偵測步驟與第二偵測步驟中獲得之偵測結果與在測定步驟中測定之偏移，計算第三校正值之第三計算步驟、於根據於第三計算步驟中所計算之第三校正值校準第二基板後，藉由第二觀測器偵測不同於在第二基板上之第一標記與第二標記的第三標記位置的第三偵測步驟、根據於第二偵測步驟與第三偵測步驟中獲得之偵測結果，計算第四校正值之第四計算步驟、以及在根據於第四計算步驟中所計算之第四校正值校準第二基板後，曝光第二基板之曝光步驟。

根據本發明之第三態樣，係設置一種曝光設備，其藉由使用形成在基板上之標記校準該基板而曝光該基板，該設備包含有：基板載台，其支承基板、第一觀測器，其觀測標記、具有倍率高於第一觀測器倍率的第二觀測器、以及控制器，其控制第一觀測器、第二觀測器、與基板載台；其中，該控制器控制第一觀測器、第二觀測器、與基板載台，使得第一觀測器偵測第一標記位置，第二觀測器偵測不同於第一標記之第二標記位置；該控制器根據第一標記與第二標記位置之偵測結果，計算第一校正值；第二觀測器在根據所計算之第一校正值而使用基板載台校準該基板後，偵測不同於第一標記與第二標記之第三標記位置；該控制器根據第二標記與第三標記之偵測結果，計算第二校正值、以及該設備在根據所計算之第二校正值使用基板載台校準該基板後，曝光該基板。

根據本發明之第四態樣，係設置一種曝光設備，其藉由使用形成在複數個基板上之標記連續地校準該基板而曝光該基板，該設備包含有：基板載台，其支承基板、第一觀測器，其觀測標記、具有高於第一觀測器倍率的倍率之第二觀測器、與控制器，其控制第一觀測器、第二觀測器、與基板載台；其中，該控制器控制第一觀測器、第二觀測器、與基板載台，使得該控制器根據藉由第一觀測器偵測在第一基板上之第一標記位置的結果與藉由第二觀測器偵測不同於在第一基板上之第一標記之第二標記位置的結果，計算第一校正值；該控制器根據於第一基板上之第二標記位置與藉由第二觀測器偵測不同於在第一基板上之第一標記與第二標記之第三標記位置的結果，計算第二校正值；該控制器測定在第一校正值與第二校正值間之偏移；第一觀測器在曝光第一基板後，偵測在要被曝光之第二基板上的第一標記位置；第二觀測器偵測不同於在第二基板上之第一標記的第二標記位置；該控制器根據第一標記與第二標記位置之偵測結果與偏移，計算第三校正值；第二觀測器在根據所計算之第三校正值使用基板載台校準第二基板後，偵測不同於在第二基板上之第一標記與第二標記的第三標記位置；該控制器根據第二標記與第三標記位置之偵測結果，計算第四校正值；而該設備在根據所計算之第四校正值使用基板載台校準第二基板後，曝光第二基板。

根據本發明，則可能設置一種藉由縮短校準時間而提升產量的曝光方法與曝光設備。

本發明之其他特徵將從下文參考附接圖示的示例具體實施例之描述中變得明顯。

圖5顯示本發明所使用之用於製造半導體的曝光設備示例。參考圖5，參考符號R表示光罩；與W：基板(晶圓)，在該基板(晶圓)上，樣品拍射配置在網格圖案中；在該樣品拍射中形成有低-倍率校準標記WML與高-倍率校準標記WMH(如顯示於圖2般)之其中之一與類似物品。參考符號UL表示投射光學系統，其光軸為Z-軸。參考符號OAS為離軸影像感應單元，其可觀測複數個倍率之校準標記。參考符號IL表示標記照明單元；M1與M2：分光器；L1至L3：成像光學系統；以及STG：用於支承基板W之基板載台，其可進行三維方向之移動。參考符號S1表示用於低-倍率觀察之第一觀測器；而S2：用於高-倍率觀察之第二觀測器，其具有高於第一觀測器S1倍率之倍率。第一與第二觀測器S1與S2係連接至影像處理單元(未顯示)並且可從感應標記影像處量測校準標記位置。

曝光設備包含機械式預校準單元(未顯示)。控制器C控制機械式預校準單元、離軸影像感應單元OAS、與基板載台STG。

[第一具體實施例]

根據本發明之校準製程示例將參考圖1進行說明。在步驟S101中，控制器C控制機械式預校準單元(未顯示)以施行基板W之機械式預校準。在此步驟中，可參考像是：定向平面與凹口之晶圓刻痕部位與周圍而實施晶圓之機械式預校準。在步驟S102中，控制器C參考機械式預校準結果而驅動基板載台，使得在第一樣品拍射SL1中作用為第一標記的低-倍率校準標記WML落入作為第一觀測器之低-倍率觀測器S1的觀察範圍中。在步驟S103中，控制器C控制低-倍率觀測器S1以量測在第一樣品拍射SL1中之低-倍率校準標記WML位置。步驟S103為藉由第一觀測器而偵測第一標記位置的第一偵測步驟。

在步驟S104中，控制器C藉由參考在第一樣品拍射SL1中之低-倍率校準標記WML位置而變換在X與Y方向中之晶圓而實施校正(偏移校正)。在步驟S105中，控制器C驅動基板載台，使得在顯示於圖2之第二樣品拍射SH2中作用為第二標記的高-倍率校準標記WMH落入作為第二觀測器之高-倍率觀測器S2之觀察範圍中。可選擇落入由樣品拍射與第一樣品拍射SL1間之距離所界定之範圍(遮蔽區域)中的樣品拍射為第二樣品拍射SH2；在第一樣品拍射SL1處，甚至當晶圓具有旋轉誤差或倍率誤差時，在樣品拍射中之標記僅允許藉由偏移校正而從第一樣品拍射SL1進入高-倍率觀測器S2之觀察範圍。亦即，可從配置在僅允許根據於第一偵測步驟中獲得之偵測結果而藉由偏移校正進入第二觀測器領域位置處的標記中選擇第二標記。可根據機械式預校準準確度與在底部層中形成圖案之準確度測定遮蔽區域。

在步驟S106中，控制器C控制高-倍率觀測器S2以量測在第二樣品拍射SH2中之高-倍率校準標記WMH。步驟S106為藉由第二觀測器偵測不同於第一標記之第二標記的第二偵測步驟。

在步驟S107中，控制器C根據於步驟S103與S106中獲得之量測數值，實施預校準(偏移校正、旋轉校正、與倍率校正)。應注意的是：旋轉校正代表藉由旋轉晶圓之校正，而倍率校正代表藉由改變晶圓倍率之校正。步驟S107為根據於第一與第二偵測步驟中獲得之偵測結果，計算第一校正值的第一計算步驟。

在步驟S108中，控制器C根據於步驟S107中獲得之第一校正值，驅動基板載台至下一個樣品拍射。在步驟S109中，控制器C控制高-倍率觀測器S2以施行下一個樣品拍射之高-倍率量測。步驟S108與S109為在根據第一校正值校準該基板後，藉由第二觀測器偵測第三標記位置的第三偵測步驟。

如果決定在步驟S110中量測所有樣品拍射的話，則控制器C可根據於步驟S111中第二樣品拍射SH2至SHN之量測數值，實施全校準。在步驟S112中，控制器C曝光一曝光拍射E1。最後一個經歷高-倍率量測之樣品拍射SRN為在圖2中之SH5。步驟S111為根據於第二與第三偵測步驟中獲得之偵測結果，計算第二校正值的第二計算步驟。步驟S112為於在根據第二計算步驟中所計算之第二校正值校準該基板後，曝光該基板之曝光步驟。應注意的是：在此具體實施例中，可在第三偵測步驟中參考第三標記而偵測樣品拍射SH3至SH5位置。

在此具體實施例中，可從顯示於圖2之遮蔽區域中選擇第二樣品拍射SH2。然而，當選擇落入遮蔽區域中與位在第一樣品拍射SL1最遠處之樣品拍射為第二樣品拍射SH2時，可以高準確度實施預校準。亦即，第二標記較佳的是為僅允許根據於第一偵測步驟中獲得之偵測結果而藉由偏移校正進入第二觀測器之領域並且位在第一標記最遠處之標記。

在此具體實施例中，可在步驟S107之預校準期間，實施偏移校正、旋轉校正、與倍率校正。然而，如果可確保良好機械式預校準準確度與在底部層中形成圖案的良好準確度的話，則不須一直實施所有這些種類校正。在此情況下的話，而可僅實施偏移校正、旋轉校正、與倍率校正之預校準之至少其中一。

雖然在此具體實施例中，低-倍率校準標記WML與高-倍率校準標記WMH具有不同形狀，但可使用相同標記。

如描述於日本專利公開號：2004-158741中般，可使用低-倍率觀測器S1與高-倍率觀測器S2量測在第二樣品拍射SH2後之樣品拍射中的校準標記位置。如果校準標記落在高-倍率觀測器S2之觀察範圍外側的話，則可實施回復操作，該回復操作像是：再度根據由低-倍率觀測器S1所獲得之量測數值而使校準標記進入高-倍率觀察範圍與量測該校準標記之操作。

在此具體實施例中，可藉由低-倍率觀測器量測在第一樣品拍射中之標記位置，可根據所獲得之量測數值，實施偏移校正，並且可藉由高-倍率觀測器量測在第二樣品拍射中之標記位置。根據於第一與第二樣品拍射中之量測數值，可實施預校準校正。因此，與先前技術不同的是僅需在二個樣品拍射區域中之一個樣品拍射中實施低-倍率量測。而此可縮短預校準製程時間，因此，提升產量。

[第二具體實施例]

第二具體實施例關於藉由使用形成在複數個基板上之標記連續地校準該基板而曝光該基板之曝光方法。

在第一具體實施例中，可使用在不同樣品拍射中之校準標記的量測數值而實施預校準；可藉由具有不同倍率的二個觀測器獲得該等量測數值。由於這個理由，所以如果在低-倍率觀測器S1與高-倍率觀測器S2之觀察中心間存在有偏移或在標記間存在有繪圖偏移或類似情況的話，則經常無法在步驟S107中準確地計算預校準校正值。而此使得不可能在步驟S108之後施行高-倍率量測。為了避免此情形，將參考圖3A與3B說明第二具體實施例，其中，甚至在觀測器或標記間存在有偏移時，仍可準確地實施預校準。

至於第一晶圓，可藉由類似先前技術般之低-倍率觀測器S1量測二個樣品拍射，而能夠甚至在觀測器或標記間存在有偏移時，準確地施行預校準。

圖3A為說明用於在批量中第一個要被曝光之晶圓之校準製程的流程圖；該晶圓作用為第一基板。在步驟S201中，控制器C控制機械式預校準單元(未顯示)以施行機械式預校準。在步驟S202至S206中，控制器C控制低-倍率觀測器S1以量測在顯示於圖4中之樣品拍射SL1與SL2中的低-倍率校準標記WML，並且根據所獲得之量測數值實施預校準。在步驟S207至S210中，控制器C控制高-倍率觀測器S2以量測樣品拍射SH3至SHN，並且根據所獲得之量測數值，實施全校準。控制器C測定在例如：曝光期間，作為在預校準校正值與全校準校正值間之差異的偏移，並且控制儲存單元以儲存所測定之偏移(S212)。步驟S212為測定用於第一基板之於第一校正值與第二校正值間之偏移的測定步驟。

至於第二個與下一個要被曝光之晶圓，可以如第一具體實施例之相同方式從低-倍率校準標記與高-倍率校準標記之量測數值中計算預校準校正值。為了獲得用於第一晶圓之偏移，可根據被使用於第二晶圓預校準之低-倍率量測樣品拍射SL2與高-倍率量測樣品拍射SH3，計算包含X校正值PREx，Y校正值PREy，旋轉校正值PREθ，與倍率校正值PREmag之預校準校正值(第一校正值)。使用於曝光之在已計算之預校準校正值與全校準校正值(第二校正值)間之差異可藉由下列算式進行計算；該差異包含：X校正值AGAx，Y校正值AGAy，X旋轉校正值AGAθx，Y旋轉校正值AGAθy，X倍率校正值AGAmagx，與Y倍率校正值AGAmagy：

OFFSETx=AGAx-PREx

OFFSETy=AGAy-PREy

OFFSETθx=AGAθx-PREθ

OFESETθy=AGAθy-PREθ

OFFSETmagx=AGAmagx-PREmag

OFFSETmagy=AGAmagy-PREmag

而該計算差異可儲存成偏移(S212)。

預校準使用從二個樣品拍射中之量測數值而計算之校正值，所以用於旋轉校正與倍率校正之X-與Y-軸元件彼此相同。相反地，全校準使用從大量(在此具體實施例中，四個)樣品拍射中計算之校正值，所以則個別獲得用於這些種類校正之X-與Y-軸元件。因此，可個別控制在該偏移中之旋轉校正值與倍率校正值的X-與Y-軸元件。

圖3B為說明在曝光第一基板後，用於作為要被曝光之第二基板的第二個與下一個晶圓的校準製程序列流程圖。在步驟S301中，控制器C控制機械式預校準單元以參考晶圓周圍而施行機械式預校準。在步驟S302中，控制器C參考機械式預校準結果而驅動基板載台，使得在第一樣品拍射SL2中之低-倍率校準標記WML落入低-倍率觀測器S1之觀察範圍中。

在步驟S303中，控制器C控制低-倍率觀測器S1以量測低一倍率校準標記WML位置。步驟S303為藉由第一觀測器偵測在第二基板上之第一標記位置的第一偵測步驟。在步驟S304中，控制器C參考低-倍率校準標記WML位置而實施晶圓之偏移校正(X-Y校正)。

在步驟S305中，控制器C驅動基板載台，使得在第二樣品拍射SH3中之高-倍率校準標記WMH落入高-倍率觀測器S2之觀察範圍。可選擇落入由在樣品拍射與第一樣品拍射SL2間之距離界定之範圍(遮蔽區域)中的樣品拍射作為第二樣品拍射SH3；第一樣品拍射SL2處，甚至當晶圓具有旋轉誤差或倍率誤差時，在樣品拍射中之標記僅允許藉由偏移校正而從第一樣品拍射SL2進入高-倍率觀測器S2之觀察範圍。可根據機械預校準準確度與在底部層中形成圖案之準確度，測定遮蔽區域。

在步驟S306中，控制器C控制高-倍率觀測器S2以量測在第二樣品拍射SH3中之高-倍率校準標記WMH。步驟S306為藉由第二觀測器而偵測在第二基板上之第二標記位置的第二偵測步驟。

在步驟S307中，控制器C根據於步驟S303與S306中獲得之量測數值，計算預校準校正值；預校準校正值包含：X校正值PREx，Y校正值PREy，旋轉校正值PREθ，與倍率校正值PREmag。此時，控制器C根據校正值實施預校準，該校正值包含：X校正值PREx'，Y校正值PREy'，X旋轉校正值PREθx'，Y旋轉校正值PREθy'，X倍率校正值PREmagx'，與Y倍率校正值PREmagy'，並且如下列算式般，該校正值考量在第一晶圓製程期間於步驟S212中所計算之偏移：

PREx'=OFFSETx+PREx

PREy'=OFFSETy+PREy

PREθx'=OFFSETθx+PREθ

PREθy'=OFFsETθy+PREθ

PREmagx'=OFFSETmagx+PREmag

PREmagy'=OFFSETmagy+PREmag

步驟S307為根據於第一與第二偵測步驟中獲得之偵測結果與在第一校正值與第二校正值間之偏移，計算第三校正值之第三計算步驟。

在步驟S308中，控制器C根據於步驟S307中獲得之校正值，驅動基板載台。在步驟S309中，控制器C控制高-倍率觀測器S2以施行樣品拍射SH4至SHN之高-倍率量測。步驟S308與S309為在根據第三校正值校準第二基板後，偵測不同於在第二基板上之第一與第二標記之第三標記位置的第三偵測步驟。

如果決定在步驟S310中量測所有樣品拍射的話，則控制器C在步驟S311中實施全校準。在步驟S312中，控制器C實施曝光製程。步驟S311為根據於第二與第三偵測步驟中獲得之偵測結果，計算第四校正值之第四計算步驟。步驟S312為在根據第四校正值校準第二基板後，曝光第二基板之曝光步驟。

在第二具體實施例中，在用於第一晶圓之預校準校正值與全校準校正值間之差異可儲存成在第一校正值與第二校正值間之偏移。甚至當在觀測器或標記間存在有偏移時，使用用於第二個與下一個晶圓預校準之此種偏移可允許準確預校準。

在此具體實施例中，可個別控制用於旋轉校正與倍率校正之偏移X-與Y-軸元件。然而，如果可忽略在X-與Y-軸元件間之差異的話，則這些種類校正之平均值可使用為共同偏移。

此外在此具體實施例中，可使用所獲得之用於第一晶圓之偏移以預校準第二個與下一個晶圓。亦即，第一基板為在批量中第一個要被曝光之基板，而第二基板為在該批量中第二個與下一個要被曝光的每一個基板。

然而，測定偏移之晶圓不須特別限制成第一晶圓。例如：為了預校準第M個晶圓，可藉由統計方式處理在第一校正值與第二校正值間之差異而計算偏移；對於在第M個晶圓前曝光之至少一些複數個晶圓的每一個晶圓，則可計算出該偏移。

可選擇的是，可計算為了在第M個晶圓前曝光之所有(M-1)個晶圓而計算之在第一校正值與第二校正值間之差異的平均值、眾數值、或中位數，藉以使用該計算數值以預校準第M個晶圓。在此情況下，可消除任何不正常數值。

[製造裝置之方法]

接下來將說明使用上述曝光設備製造裝置之方法的具體實施例。

可藉由使用根據上述具體實施例之曝光設備而曝光該基板於輻射能量的曝光步驟、使在曝光步驟中曝光之基板顯影之顯影步驟、與其他已知步驟(例如：蝕刻，阻體移除，切割，接合，與封裝步驟)製造裝置(例如：積體電路裝置與液晶顯示裝置)。

雖然已參考示例具體實施例描述本發明，但可了解的是：本發明不限於所揭示之示例具體實施例。可賦予下列申請專利範圍之範疇最廣寬解釋，使得可包圍所有修正與相等結構及功能。

WMH．．．低-倍率校準標記

WML．．．高-倍率校準標記

SH2．．．第二樣品拍射

SH3．．．樣品拍射

SH4．．．樣品拍射

SH5．．．樣品拍射

SH6．．．樣品拍射

SL1．．．第一樣品拍射

SL2．．．樣品拍射

R．．．參考符號

UL．．．參考符號

R．．．光罩

UL．．．投射光學系統

C．．．控制器

W．．．基板

OAS．．．離軸影像感應單元

IL．．．標記照明單元

M1．．．分光器

M2．．．分光器

S1．．．第一觀測器

S2．．．第二觀測器

L1．．．成像光學系統

L2．．．成像光學系統

L3．．．成像光學系統

STG．．．標記照明單元

圖1為說明根據第一具體實施例之曝光方法的流程圖；

圖2為說明根據第一具體實施例之樣本拍射與校準標記的視圖；

圖3A為說明根據第二具體實施例之用於第一基板之曝光方法的流程圖；

圖3B為說明根據第二具體實施例之用於第二基板之曝光方法的流程圖；

圖4為用於說明根據第二具體實施例之樣品拍射與校準標記的視圖；以及

圖5為用於說明曝光設備配置之視圖。

Claims (17)

1. 一種曝光方法，藉由使用形成在基板上之標記校準該基板而曝光該基板，該方法包含有：藉由第一倍率的觀測器偵測第一標記位置的第一偵測步驟；偏移步驟，根據從該第一偵測步驟中的偵測結果所獲得的偏移校正值，從當藉由該第一倍率的觀測器偵測該第一標記時該基板的位置將該基板偏移至使不同於該第一標記的第二標記進入第二倍率的觀測器之領域的該基板的位置，該第二倍率係高於該第一倍率；藉由該第二倍率的觀測器偵測已經進入該第二倍率的觀測器之領域的該第二標記位置的第二偵測步驟；根據於該第一偵測步驟中獲得之該第一倍率的觀測器偵測該第一標記位置的結果與該第二偵測步驟中獲得之該第二倍率的觀測器偵測該第一標記位置的結果，計算第一校正值的第一計算步驟；在根據該第一校正值校準該基板後，藉由該第二倍率的觀測器偵測不同於該第一標記與該第二標記之第三標記位置的第三偵測步驟；根據於該第二偵測步驟中獲得之該第二倍率的觀測器偵測該第二標記位置的結果與該第三偵測步驟中獲得之該第二倍率的觀測器偵測該第三標記位置的結果，計算第二校正值的第二計算步驟；以及在根據該第二校正值校準該基板後，曝光該基板之曝 光步驟。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，從配置在該等標記被允許根據於該第一偵測步驟中獲得之偵測結果而藉由該偏移校正進入該第二倍率的觀測器之領域來校正該基板的位置之位置處的標記中選擇該第二標記。
3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該第二標記為配置在該等標記被允許根據於該第一偵測步驟中獲得之偵測結果而藉由偏移校正進入該第二倍率的觀測器之領域來校正該基板的位置之位置處的該等標記中位在離該第一標記最遠處的標記。
4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，在該第三偵測步驟中，偵測不同於該第一標記與該第二標記之複數個標記。
5. 一種曝光方法，藉由使用形成在複數個基板上之標記連續地校準該等基板而曝光該等基板，該方法包含有：根據藉由第一倍率的觀測器偵測在第一基板上之第一標記位置之結果與藉由該第一倍率的觀測器偵測不同於在該第一基板上之該第一標記之第二標記位置之結果，計算第一校正值的第一計算步驟；根據於該第一基板上之該第二標記位置與藉由具有高於該第一倍率之倍率的第二倍率的觀測器偵測不同於在該第一基板上之該第一標記與該第二標記之第三標記位置之結果，計算第二校正值的第二計算步驟；測定在該第一校正值與該第二校正值間之偏移的測定 步驟；在曝光該第一基板後，藉由該第一倍率的觀測器偵測在要被曝光之第二基板上之第一標記位置的第一偵測步驟；偏移步驟，根據從該第一偵測步驟中的偵測結果所獲得的偏移校正值，從當藉由該第一倍率的觀測器偵測該第二基板上的該第一標記時該第二基板的位置將該第二基板偏移至使不同於該第二基板上的該第一標記的該第二基板上的第二標記進入第二倍率的觀測器之領域的該第二基板的位置，該第二倍率係高於該第一倍率；藉由該第二倍率的觀測器偵測在該第二基板上之已經進入該第二倍率的觀測器之領域之第二標記位置的第二偵測步驟；根據於該第一偵測步驟中獲得之偵測結果與於該第二偵測步驟中獲得之偵測結果與在該測定步驟中測定之該偏移，計算第三校正值之第三計算步驟；在根據該第三校正值校準該第二基板後，藉由該第二倍率的觀測器偵測不同於在該第二基板上之該第一標記與該第二標記之在該第二基板上之第三標記位置的第三偵測步驟；根據於該第二偵測步驟中獲得之偵測結果與於該第三偵測步驟中獲得之偵測結果，計算第四校正值的第四計算步驟；以及在根據於該第四計算步驟中所計算之該第四校正值校準該第二基板後，曝光該第二基板之曝光步驟。
6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，該第一基板為在批量中第一曝光之基板，而該第二基板為在該批量中第二次與下一次曝光之每個基板。
7. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，在該測定步驟中，藉由以統計方式處理對於複數個第一基板之每一個所計算的該第一校正值與該第二校正值間之差異而計算該偏移。
8. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，在該第三偵測步驟中，偵測不同於該第一標記與該第二標記的複數個標記。
9. 一種曝光設備，其藉由使用形成在基板上之標記校準該基板而曝光該基板，該設備包含有：基板載台，其支承該基板；第一倍率的觀測器，其觀測形成在該基板上的該標記；高於該第一倍率之倍率的第二倍率的觀測器；以及控制器，其控制該第一倍率的觀測器、該第二倍率的觀測器、與該基板載台，其中，該控制器控制該第一倍率的觀測器、該第二倍率的觀測器、與該基板載台，使得該第一倍率的觀測器偵測第一標記位置，根據從偵測該第一標記位置的結果所獲得的偏移校正值，從當藉由該第一倍率的觀測器偵測該第一標記時該基板的位置將該基板偏移至使不同於該第一標記的第二標記進入該第二倍率的觀測器之領域的該基板的位置； 該第二倍率的觀測器偵測已經進入該第二倍率的觀測器之領域之該第二標記位置，該控制器根據該第一倍率的觀測器偵測該第一標記位置的結果與該第二倍率的觀測器偵測該第二標記位置的結果，計算第一校正值，該第二倍率的觀測器在根據所計算之該第一校正值校準該基板後，偵測不同於該第一標記與該第二標記之第三標記位置，該控制器根據該第二標記之偵測結果與該第三標記之偵測結果，計算第二校正值，以及該設備在根據該第二校正值而使用該基板載台校準該基板後，曝光該基板。
10. 一種曝光設備，其藉由使用形成在複數個基板上之標記連續地校準該等基板而曝光該等基板，該設備包含有：基板載台，其支承該基板；第一倍率的觀測器，其觀測形成在該基板上的該標記；高於該第一倍率的倍率之倍率的第二倍率的觀測器；以及控制器，其控制該第一倍率的觀測器、該第二倍率的觀測器、與該基板載台，其中，該控制器控制該第一倍率的觀測器、該第二倍率的觀測器、與該基板載台，使得該控制器根據藉由該第一倍率的觀測器偵測在第一基 板上之第一標記位置之結果與藉由該第一倍率的觀測器偵測不同於在該第一基板上之該第一標記之在該第一基板上之第二標記位置之結果，計算第一校正值，該控制器根據於該第一基板上之該第二標記位置，與藉由該第二倍率的觀測器偵測不同於在該第一基板上之該第一標記與在該第一基板上之該第二標記之在該第一基板上之第三標記位置之結果，計算第二校正值，該控制器測定在該第一校正值與該第二校正值間之偏移，該第一倍率的觀測器在曝光該第一基板後，偵測在要被曝光之第二基板上之第一標記位置，根據從偵測在該第二基板上之該第一標記位置的結果所獲得的偏移校正值，從當藉由該第一倍率的觀測器偵測在該第二基板上之該第一標記時該第二基板的位置將該第二基板偏移至使在該第二基板上的第二標記進入該第二倍率的觀測器之領域的該第二基板的位置；藉由該第二倍率的觀測器，該第二倍率的觀測器偵測已經進入該第二倍率的觀測器之領域之在該第二基板上之該第二標記位置，該控制器根據該第一標記位置之偵測結果與該第二標記位置之偵測結果以及該偏移，計算第三校正值，該第二倍率的觀測器在根據該第三校正值校準該第二基板後，偵測不同於在該第二基板上之該第一標記與在該第二基板上之該第二標記的第三標記位置， 該控制器根據在該第二基板上之該第二標記位置之偵測結果與在該第二基板上之該第三標記位置之偵測結果，計算第四校正值，以及該設備在根據該第四校正值校準該第二基板後，曝光該第二基板。
11. 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中，該第三標記包含不同於該第一標記與該第二標記之複數個標記。
12. 如申請專利範圍第10項所述之設備，其中，在該第二基板上之該第三標記包含不同於在該第二基板上之該第一標記與在該第二基板上之該第二標記之複數個標記。
13. 一種製造裝置的方法，該方法包含有：使用申請專利範圍第1項至第8項其中任一項中之曝光方法使基板曝光於輻射能量；使該已曝光基板顯影；以及處理該已顯影基板以製造該裝置。
14. 一種校準方法，藉由使用形成在基板上之標記校準該基板，該方法包含有：藉由第一倍率的觀測器偵測第一標記位置的第一偵測步驟；偏移步驟，根據從該第一偵測步驟中的偵測結果所獲得的偏移校正值，從當藉由該第一倍率的觀測器偵測該第一標記時該基板的位置將該基板偏移至使不同於該第一標記的第二標記進入第二倍率的觀測器之領域的該基板的位置，該第二倍率係高於該第一倍率； 藉由該第二倍率的觀測器偵測已經進入該第二倍率的觀測器之領域的該第二標記位置的第二偵測步驟；根據於該第一偵測步驟中獲得之該第一倍率的觀測器偵測該第一標記位置的結果與該第二偵測步驟中獲得之該第二倍率的觀測器偵測該第一標記位置的結果，計算第一校正值的第一計算步驟；在根據該第一校正值校準該基板後，藉由該第二倍率的觀測器偵測不同於該第一標記與該第二標記之第三標記位置的第三偵測步驟；以及根據於該第二偵測步驟中獲得之該第二倍率的觀測器偵測該第二標記位置的結果與該第三偵測步驟中獲得之該第二倍率的觀測器偵測該第三標記位置的結果，計算第二校正值的第二計算步驟。
15. 一種校準方法，藉由使用形成在複數個基板上之標記連續地校準該等基板，該方法包含有：根據藉由第一倍率的觀測器偵測在第一基板上之第一標記位置之結果與藉由該第一倍率的觀測器偵測不同於在該第一基板上之該第一標記之第二標記位置之結果，計算第一校正值的第一計算步驟；根據於該第一基板上之該第二標記位置與藉由具有高於該第一倍率之倍率的第二倍率的觀測器偵測不同於在該第一基板上之該第一標記與該第二標記之第三標記位置之結果，計算第二校正值的第二計算步驟；測定在該第一校正值與該第二校正值間之偏移的測定 步驟；在曝光該第一基板後，藉由該第一倍率的觀測器偵測在要被曝光之第二基板上之第一標記位置的第一偵測步驟；偏移步驟，根據從該第一偵測步驟中的偵測結果所獲得的偏移校正值，從當藉由該第一倍率的觀測器偵測該第二基板上的該第一標記時該第二基板的位置將該第二基板偏移至使不同於該第二基板上的該第一標記的該第二基板上的第二標記進入第二倍率的觀測器之領域的該第二基板的位置，該第二倍率係高於該第一倍率；藉由該第二倍率的觀測器偵測在該第二基板上之已經進入該第二倍率的觀測器之領域之第二標記位置的第二偵測步驟；根據於該第一偵測步驟中獲得之偵測結果與於該第二偵測步驟中獲得之偵測結果與在該測定步驟中測定之該偏移，計算第三校正值之第三計算步驟；在根據該第三校正值校準該第二基板後，藉由該第二倍率的觀測器偵測不同於在該第二基板上之該第一標記與該第二標記之在該第二基板上之第三標記位置的第三偵測步驟；以及根據於該第二偵測步驟中獲得之偵測結果與於該第三偵測步驟中獲得之偵測結果，計算第四校正值的第四計算步驟。
16. 一種定位設備，其藉由使用形成在基板上之標記校準該基板，該設備包含有： 基板載台，其支承該基板；第一倍率的觀測器，其觀測形成在該基板上的該標記；高於該第一倍率之倍率的第二倍率的觀測器；以及控制器，其控制該第一倍率的觀測器、該第二倍率的觀測器、與該基板載台，其中，該控制器控制該第一倍率的觀測器、該第二倍率的觀測器、與該基板載台，使得該第一倍率的觀測器偵測第一標記位置，根據從偵測該第一標記位置的結果所獲得的偏移校正值，從當藉由該第一倍率的觀測器偵測該第一標記時該基板的位置將該基板偏移至使不同於該第一標記的第二標記進入該第二倍率的觀測器之領域的該基板的位置；該第二倍率的觀測器偵測已經進入該第二倍率的觀測器之領域之該第二標記位置，該控制器根據該第一倍率的觀測器偵測該第一標記位置的結果與該第二倍率的觀測器偵測該第二標記位置的結果，計算第一校正值，該第二倍率的觀測器在根據所計算之該第一校正值校準該基板後，偵測不同於該第一標記與該第二標記之第三標記位置，該控制器根據該第二標記之偵測結果與該第三標記之偵測結果，計算第二校正值，以及該設備根據該第二校正值校準該基板。
17. 一種校準設備，其藉由使用形成在複數個基板上 之標記連續地校準該等基板，該設備包含有：基板載台，其支承該基板；第一倍率的觀測器，其觀測形成在該基板上的該標記；高於該第一倍率的倍率之倍率的第二倍率的觀測器；以及控制器，其控制該第一倍率的觀測器、該第二倍率的觀測器、與該基板載台，其中，該控制器控制該第一倍率的觀測器、該第二倍率的觀測器、與該基板載台，使得該控制器根據藉由該第一倍率的觀測器偵測在第一基板上之第一標記位置之結果與藉由該第一倍率的觀測器偵測不同於在該第一基板上之該第一標記之在該第一基板上之第二標記位置之結果，計算第一校正值，該控制器根據於該第一基板上之該第二標記位置，與藉由該第二倍率的觀測器偵測不同於在該第一基板上之該第一標記與在該第一基板上之該第二標記之在該第一基板上之第三標記位置之結果，計算第二校正值，該控制器測定在該第一校正值與該第二校正值間之偏移，該第一倍率的觀測器在曝光該第一基板後，偵測在要被曝光之第二基板上之第一標記位置，根據從偵測在該第二基板上之該第一標記位置的結果所獲得的偏移校正值，從當藉由該第一倍率的觀測器偵測在該第二基板上之該第一標記時該第二基板的位置將該第 二基板偏移至使在該第二基板上的第二標記進入該第二倍率的觀測器之領域的該第二基板的位置；藉由該第二倍率的觀測器，該第二倍率的觀測器偵測已經進入該第二倍率的觀測器之領域之在該第二基板上之該第二標記位置，該控制器根據該第一標記位置之偵測結果與該第二標記位置之偵測結果以及該偏移，計算第三校正值，該第二倍率的觀測器在根據該第三校正值校準該第二基板後，偵測不同於在該第二基板上之該第一標記與在該第二基板上之該第二標記的第三標記位置，該控制器根據在該第二基板上之該第二標記位置之偵測結果與在該第二基板上之該第三標記位置之偵測結果，計算第四校正值，以及該設備根據該第四校正值校準該第二基板。