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TWI400560B - 形成模板的方法，圖案化基材的方法及用於該等方法之模板及圖案化系統 - Google Patents

形成模板的方法，圖案化基材的方法及用於該等方法之模板及圖案化系統 Download PDF

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TWI400560B
TWI400560B TW097114372A TW97114372A TWI400560B TW I400560 B TWI400560 B TW I400560B TW 097114372 A TW097114372 A TW 097114372A TW 97114372 A TW97114372 A TW 97114372A TW I400560 B TWI400560 B TW I400560B
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Dan B Millward
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Micron Technology Inc
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Description

形成模板的方法，圖案化基材的方法及用於該等方法之模板及圖案化系統
本發明之實施例係關於半導體製造，且更特定言之係關於圖案化基材之方法、一種圖案化基材之模板及一種圖案化基材之系統。
本申請案主張申請日2007年4月18日申請之美國專利申請案第11/787,928號，"METHODS OF FORMING A STAMP,METHODS OF PATTERNING A SUBSTRATE,AND A STAMP AND A PATTERNING SYSTEM FOR SAME"的權利。
隨著奈米級半導體裝置及系統之發展增加，需要用以製造該等半導體裝置及組件之新穎方法及材料。雖然半導體裝置之形體尺寸日益減小，但微影工具之成本卻呈指數增加。進一步減小形體尺寸通常受使用微影方法可達成之尺寸下限限制。使用習知微影難以製造具有約60奈米(nm)或60奈米以下之特徵的半導體裝置，本文中將該等特徵稱作"次微影"特徵。
微接觸印刷係一種用於在半導體裝置上形成次微影特徵之方法。該技術在半導體裝置之基材表面上的特定位點上形成自組裝單層(SAM)。在習知製程中，藉由光微影或電子(電子束)微影來製備具有地形特徵之主模。參看圖1A，上面具有抗蝕層12之模板基材10在模板基材10之表面上形成圖案。將習知由聚二甲基矽氧烷製成之彈性體套管14沈 積在模板基材10及抗蝕層12上，且固化。使模板基材10及抗蝕層12與固化之彈性體套管14分離以形成具有地形特徵之軟性模板14'(圖1B及圖1C)。軟性模板14'包括一對應於抗蝕層12中之圖案的圖案，該圖案將形成在半導體裝置上。接著將軟性模板14'用墨水16濕潤且使其與受體基材18接觸(圖1D)。墨水物理吸附在軟性模板14'上且轉移至受體基材18以形成SAM 20(圖1F)。理論上，僅在墨水16與受體基材18相接觸之區域中形成SAM 20。然而，墨水16之物理吸附性質導致模製在受體基材18上之特徵的解析度不良，因為未與受體基材18接觸之墨水16由於毛細作用而滲入軟性模板14'中。另一缺點在於，模製之特徵不小於軟性模板14'之微影界定之特徵。
已試圖藉由此項技術中已知之其他方法來在半導體裝置上製備次微影特徵。舉例而言，已使用電子束微影及遠紫外(EUV)微影以試圖製備該等次微影特徵。然而，廣泛使用該等方法已受包括(例如)成本高及/或與高生產量製造方法不相容之困難阻礙。因此，需要用於在半導體裝置上製備次微影特徵的改良方法及系統，以及用於達成其之模板。
以下參看圖式之描述描述根據本發明之裝置及方法的實施例。該描述僅出於說明性目的且並非出於限制其之目的。藉此預期並包含本發明之其他實施例。
揭示用於圖案化基材之本發明之方法的實施例，以及本 發明之模板及圖案化系統的實施例。根據一實施例，如圖2中之1000所指示，模板可經製備或選擇以使得模板之模製表面的至少一區域對墨水材料具有化學親和力。如本文所使用，術語"化學親和力"意謂且包括一分子基於分子之間的化學力而與另一分子相締合的趨勢。模製表面上之化學親和力區域形成一反映待形成在受體基材上之所要圖案的圖案。如本文所用，術語"受體基材"意謂且包括半導體基材、矽晶圓、絕緣體上矽("SOI")基材、藍寶石上矽("SOS")基材、在基底半導體基礎上之矽及諸如矽鍺、鍺、砷化鎵及磷化銦之其他半導體材料的磊晶層。在一實施例中，受體基材包括二氧化矽。然而，可使用各種材料作為受體基材，諸如在室溫下形成固相之任何導電、不導電或半導電材料，只要受體基材與墨水材料能夠化學鍵結即可。
模製表面包括對墨水材料具有化學親和力的至少一第一區域。模製表面之其他區域可能對墨水材料缺少化學親和力或可能對墨水材料具有不同之化學親和力，諸如顯著較小之化學親和力。化學親和力之區域為模製表面提供至少一化學區別區域，其具有與模製表面之其他區域不同的化學特性。化學區別區域使模製表面能夠與墨水材料之至少一部分發生化學反應。可藉由在模板上沈積對墨水材料具有化學親和力的材料或藉由改質所沈積之材料或模製表面以包括對墨水材料具有化學親和力的部分或官能基來形成化學區別區域。模製表面上之化學區別區域可包括(例如) 金、硫醇官能基或胺官能基。
如圖3所說明，模板300之一實施例可包括化學區別區域52及模板基材50。模板300之模製表面可大體平坦，其上具有至少一化學區別區域52，其中模製表面之剩餘部分對墨水材料缺少化學親和力。或者，模製表面可包括地形特徵，其中該等地形特徵之最高尖端對墨水材料具有化學親和力。因此，最高尖端對應於化學區別區域52。最高尖端可由與模板300之其他部分不同的材料製成。不管模製表面是否大體平坦或包括地形特徵，在一實施例中，化學區別區域52包括金區域。在另一實施例中，化學區別區域52包括由經硫醇或胺官能基改質之另一無機材料(諸如二氧化矽)製成的區域。在另一實施例中，化學區別區域52包括自組裝嵌段共聚物之域。嵌段共聚物表面可經改質以包括(例如)金、硫醇或胺官能基。圖3中亦展示墨水材料(I－X－Y)，其經由化學區別區域52附接至模板300。本文中描述墨水材料及製造模板300之其他細節。
如圖2之1020所指示，墨水材料經選擇以使得模製表面與墨水材料之間的化學親和力小於墨水材料與受體基材之間的化學親和力。墨水材料可為待沈積於受體基材上且能夠在受體基材上形成諸如SAM之圖案的任何材料。以非限制性實例之方式，墨水材料可為具有充當SAM之能力的小分子。墨水材料可包括至少一個與模製表面上之化學區別區域52發生化學反應的官能基。墨水材料亦可包括至少一個與受體基材發生化學反應之官能基。墨水材料可為單官 能、雙官能或更多官能的材料。在一實施例中，墨水材料具有位於墨水材料之對置端上的兩個或兩個以上官能基以提供正交反應性。如本文所用，術語"正交反應性"意謂且包括墨水材料上以第一方式發生反應之至少一個官能基及墨水材料上為惰性或在相同條件下以不同之第二方式發生反應的至少一個官能基。
墨水材料可具有組成I－X－Y，其中"I"包括能夠鍵結至化學區別區域52之第一官能基，"X"為間隔基或鍵聯分子且"Y"包括能夠鍵結至受體基材之第二官能基。I及Y之任何部分均可包括能夠鍵結至模製表面或受體基材之官能基。舉例而言，I之末端部分或Y之末端部分可包括所要官能基，或I之內部部分或Y之內部部分可包括所要官能基。可使用除本文中所描述之墨水材料以外的其他墨水材料，只要部分"I"與"Y"以其不會妨礙彼此之個別鍵結或妨礙受體基材上之圖案形成的方式存在即可。
墨水材料之間隔基(X)可經選擇以在受體基材上提供特定厚度的所得圖案。不破壞墨水材料與化學區別區域52及受體基材之鍵結的任何間隔基均為合適的。間隔基可為極性、非極性、帶正電荷、帶負電荷或不帶電荷之分子。以非限制性實例之方式，可使用飽和或不飽和、直鏈或支鏈烷基、芳基或其他烴間隔基，以及相應之鹵化烴，尤其氟化烴。以非限制性實例之方式，墨水材料可為2－胺基乙硫醇、胺基苯硫酚、半胱胺酸、高半胱胺酸、白胺酸硫醇、2－丁基胺基乙硫醇、2－環己基胺基乙硫醇、巰基醇(例如， 2－巰基乙醇(HS－CH2 CH2 OH)或4－巰基－1－丁醇)、炔硫醇、脂族或芳族硫醇、乳酸、羥基丁酸、羥基異己酸、羥基異酞酸、8－羥基－7－碘－5－喹啉磺酸、羥基扁桃酸、羥基甲烷亞磺酸、羥基苯甲酸、羥基萘磺酸、羥基十五烷酸、羥基十一烷酸、炔羧酸鹽或磺酸鹽(例如，丙炔酸、4－丁炔酸或5－戊炔酸)或其組合。
如圖2之1030及1040所示，用墨水材料濕潤模製表面。自模製表面上移除物理吸附之墨水材料，而化學吸附之墨水材料仍留在化學區別區域52上。如本文所用，術語"物理吸附"及其文法均等物意謂且包括諸如墨水材料之分子物理吸附至諸如模製表面之表面上。物理吸附之墨水材料可藉由諸如凡得瓦爾(Van der Waals)力之弱分子間交互作用而黏著至模製表面。如本文所用，術語"化學吸附"及其文法均等物意謂且包括諸如墨水材料之分子化學吸附至諸如模製表面之表面上。化學吸附之墨水材料可(諸如)藉由氫鍵、離子鍵、二硫醇鍵、靜電鍵或任何其他所謂之"弱"化學鍵而化學鍵結至模製表面上。舉例而言，可在移除物理吸附之墨水材料但由於化學區別區域52對墨水材料之化學親和力而不移除化學吸附之墨水材料的條件下洗滌模板。
對於氫鍵、靜電或酸/鹼交互作用，洗滌液較佳為具有至少一些使墨水材料成溶劑合物之能力的非極性有機溶劑。極性溶劑易於破壞化學吸附之墨水。可在高達溶劑或墨水材料之沸點的溫度下執行洗滌大約0.1至1分鐘。在一 些實施例中，可藉由加熱墨水材料－模板複合體以蒸發物理吸附之墨水來移除墨水材料。或者，可將墨水材料－模板複合體暴露於高真空以脫去物理吸附之墨水而不移除化學吸附之墨水材料。圖3描繪在化學區別區域52上具有化學吸附之墨水材料(I－X－Y)之模板300的實施例。因此，墨水材料僅與化學區別區域52相接觸。
在可使墨水材料能夠與化學區別區域52發生化學反應的條件下用墨水材料濕潤模製表面。可藉由任何方便之方法將墨水材料塗佈至模製表面上。以非限制性實例之方式，可使墨水材料與模製表面直接接觸或可將墨水材料吸附至一片紙上且可將模製表面壓在該張紙上。或者，可使用拭棉或類似物將墨水材料轉移至模製表面上。可將墨水材料迅速轉移至模製表面上。舉例而言，使模製表面與墨水材料接觸大約6秒至600秒之時間段足以使墨水材料能夠化學吸附至化學區別區域52上。然而，可保持接觸歷時顯著較長之時間段以確保墨水材料與化學區別區域52發生反應。墨水材料之"I"部分可與模製表面反應，形成氫鍵、離子鍵、二硫醇鍵、靜電鍵或任何其他所謂的"弱"化學鍵。在一實施例中，模板上包括金化學區別區域52且與具有諸如硫醇官能基之至少一個含硫官能基的墨水材料發生反應。
視在模製表面與墨水材料之間形成之鍵之性質而定，可使用非水性介質將墨水材料塗覆至模製表面上。舉例而言，若墨水材料與模製表面經由酸/鹼交互作用而交互作用，則暴露於極性溶劑可妨礙墨水材料鍵結至模製表面 上。在其他實施例中，可將墨水材料溶解於溶劑中以轉移至模製表面。墨水材料可在溶劑中以小於0.001 mM，較佳約1至約10k mM之濃度轉移至模製表面。可使用大體可溶解墨水材料且允許墨水材料化學鍵結至模製表面的任何溶劑。
模製表面可視情況暴露於一種以上墨水材料，其中第二墨水材料可在化學上與第一墨水材料相異。可大體在引入第一墨水材料的同時暴露於第二墨水材料或可分開進行。如本文中更詳細描述，第二墨水材料可與第二化學區別區域發生化學反應，該等第二化學區別區域相異於鍵結至第一墨水材料之化學區別區域52。
如圖2之1050所指示及圖4中所說明，使具有化學吸附至化學區別區域52上之墨水材料的模板300與受體基材200接觸以形成模製表面－墨水材料－受體基材複合體400。如下文中詳細描述，受體基材200可視情況包括位於其上之其他材料層以改進受體基材之可濕性。藉由接觸，墨水材料之Y部分可與受體基材200形成化學鍵。墨水材料與受體基材200之間的鍵可為共價鍵、離子鍵或極性鍵。模製表面與墨水材料之間的化學鍵可具有比墨水材料與受體基材200之間的鍵弱之鍵強度。可使模板300在適當條件下與受體基材200接觸以將墨水材料自模製表面轉移至受體基材200上之所要區域上。將墨水材料轉移至受體基材期間的溫度可經選擇以使鍵結速率最大化而不會使墨水材料－受體基材或墨水材料－模製表面之鍵斷裂。因此，可在使墨水材 料－模製表面鍵斷裂之前形成墨水材料－受體基材鍵。適當溫度範圍之選擇在熟習此項技術者之技能內且視特定墨水材料及受體基材而定。大體而言，合適之溫度將在室溫至接近墨水材料之沸點的範圍內。可使模製表面與受體表面200在使得能夠在受體基材200與墨水材料之間形成化學鍵的條件下相接觸。在一實施例中，模製表面－墨水材料－受體基材複合體保持不動歷時大約1分鐘至240分鐘。舉例而言，對於使用Huisgens－1,3－雙極性環加成反應之微接觸印刷而言，15分鐘可足夠。
如圖2之1060所指示，可將模製表面－墨水材料－受體基材複合體400暴露於環境，該等環境消除或破壞模製表面上之化學區別區域52與墨水材料之間的化學親和力，而墨水材料與受體基材200之間的化學親和力可大體上不受該等環境影響。模板300與墨水材料之間的鍵可熱斷裂、氧化斷裂、電化學斷裂或藉由暴露於極性質子溶劑而斷裂。以非限制性實例之方式，若化學區別區域52包括金或硫醇基，則模板300與墨水材料之間的鍵可熱斷裂、氧化斷裂或電化學斷裂。然而，若化學區別區域52包括酸/鹼基，則模板300與墨水材料之間的鍵可藉由暴露於極性質子溶劑而斷裂。
在一實施例中，若模製表面包括對應於化學區別區域52之地形特徵，則將水性溶液引入地形特徵之間的通道中以使模板300與墨水材料之間的鍵斷裂。參看圖4，以非限制性實例之方式，可將水性溶液引入空隙130'中以破壞墨水 材料與模板300之間的鍵。在另一實施例中，藉由向模製表面－墨水材料－受體基材複合體400施加熱來使墨水材料與化學區別區域52之間的鍵斷裂。在一實施例中，藉由使模製表面－墨水材料－受體基材複合體400與具有高離子強度之溶液接觸來使墨水材料與化學區別區域52之間的鍵斷裂。在另一實施例中，藉由使模製表面－墨水材料－受體基材複合體400與具有高離子強度之溶液接觸且施加熱來使墨水材料與化學區別區域52之間的鍵斷裂。可在不使墨水材料與受體基材200之間的鍵中之大多數斷裂的前提下，使墨水材料與化學區別區域52之間的鍵斷裂。可自受體基材200移除模板300，使墨水材料(其可形成(例如)SAM)留在受體基材200之與模製表面之化學區別區域52接觸的部分上。可接著製備模板300且重新上墨以用於進一步之受體基材模製。
以非限制性實例之方式，若模板300具有金化學區別區域52且墨水材料包括硫醇官能基，則模板300可暴露於過氧化氫或經漂白以將硫醇官能基氧化為磺酸，使墨水材料自金化學區別區域52上斷裂。由於金－硫醇鍵同墨水材料與受體基材200之間的潛在C－N、C－O、Si－O或Si－N鍵相比相對較弱(20 Kcal/mol至35 Kcal/mol)，故可在不破壞墨水材料/受體基材鍵之前提下使金－硫醇鍵斷裂。使金－硫醇鍵斷裂之其他方法包括熱斷裂及電化學斷裂。
以非限制性實例之方式，若模板300具有包括硫醇官能基(例如，巰丙基(三烷氧基)矽烷)之化學區別區域52，則 可藉由還原條件來使模板300與墨水材料之間的雙硫鍵斷裂，該等還原條件包括(1)暴露於金屬鋅；(2)電化學還原；或(3)暴露於其他硫醇(例如，本文中論述之硫醇－二硫化物重排)。二硫蘇糖醇係用於將二硫化物以此方式還原為硫醇的尤為有用之試劑。
以非限制性實例之方式，若模板300包括胺化學區別區域52(例如，胺基烷基(三烷氧基)矽烷)且墨水含有羧基或其他酸基，則可藉由暴露於極性質子溶劑(例如，水、甲醇、乙醇、甲酸、氟化氫、氨或其組合)來破壞酸鹼交互作用。在此情形中，將墨水材料塗覆至模板300且使模板300與受體基材200接觸可在無極性質子溶劑之情況下發生。若極性非質子溶劑(例如，二甲亞碸、二甲基甲醯胺或六甲基磷酸三胺)可與破壞模板－墨水材料鍵之極性質子溶劑混溶，則在模製期間可存在該極性非質子溶劑，在模製之後將其乾燥。
表1為可結合起來用作化學區別區域52、受體基材200及墨水材料之材料的非限制性例示性清單。墨水材料可與化學區別區域52及受體基材200發生反應以形成模製表面－墨水材料－受體基材複合體400。
雖然表1識別具有正交反應性之特定墨水材料，但墨水材料中之許多官能基適合結合未據其分類於表1中之材料使用。任何及所有該等組合均在本發明之範疇內。可基於對化學交互作用及鍵強度之習知理解來選擇墨水材料/模製表面及墨水材料/受體基材組合。可藉由在模製表面上產生所要圖案之任何習知方法來形成模板300，該圖案反映待形成於受體基材200上之圖案。由對墨水材料具有化學親和力的化學區別區域52來界定模製表面上之圖案。以非限制性實例之方式，模板300上之圖案可藉由習知技術，諸如藉由使用模具或藉由光微影或電子束微影形成。 亦可使用嵌段共聚物來形成模板300上之圖案。在一實施例中，諸如藉由使用(例如)光阻材料或電子束抗蝕材料而微影式形成模板300。參看圖5，可將膜70沈積在模板基材50上。藉由針對膜70使用對墨水材料具有化學親和力之材料，膜70可提供化學區別區域52。或者，用以形成膜70之材料可經化學改質以包括對墨水材料具有化學親和力之官能基。以非限制性實例之方式，膜70可由金、諸如二氧化矽之無機材料或嵌段共聚物製成。
可將抗蝕層180沈積在膜70上且藉由習知光微影或電子束微影技術進行圖案化，形成開口72。光阻材料、電子束抗蝕材料及微影技術為此項技術中所熟知且因此本文中不詳細論述在抗蝕層180形成圖案。抗蝕材料可為正或負抗蝕劑且可為有機或無機材料，包括(但不限於)以聚苯乙烯為主之抗蝕劑、以聚(甲基)丙烯酸酯為主之抗蝕劑、倍半氧矽烷材料("SSQ")及其組合。可藉由習知塗佈技術在膜70上形成抗蝕層180，該等技術包括(但不限於)浸塗、棒塗、旋塗、滾塗、噴塗及流塗，其視在抗蝕層180中使用之材料而定。如此項技術中所知，可使用抗蝕層180作為遮罩而將抗蝕層180中之圖案轉移至膜70上。如圖6所示，膜70可經蝕刻以在模板基材50上產生模製表面70'。雖然圖6中將模板300說明為包括地形特徵，但模板300可大體平坦。若用作膜70之材料對諸如金之墨水材料具有親和力，則模製表面70'可對應於化學區別區域52。然而，若用作膜70之材料對墨水材料不具有親和力，則模製表面70'可經改 質以包括金層或包括諸如硫醇或胺基之對墨水材料具有親和力的官能基。經改質之模製表面70’可對應於化學區別區域52。以非限制性實例之方式，若使用二氧化矽或嵌段共聚物作為膜70之材料，則可用金層或用硫醇或胺基對膜70進行改質以提供化學區別區域52。
在一實施例中，化學區別區域52由金製成。換言之，可使用金作為膜70之材料或使用金來塗佈用作膜70之另一材料。在一實施例中，可使用電子束微影以藉由在模板基材50上沈積抗蝕層180來形成模板300。如此項技術中所知，可將形成於抗蝕層180中之圖案轉移至模板基材50上。將包括鉻層(75 nm)隨後為金層(5 nm)之膜70'"沈積在抗蝕層180上。沈積在金層下方之任何金屬(諸如鉻層)可能對硫醇基具有少許親和力或不具有親和力。可使用鉻層作為金之黏著層。參看圖7及圖8，接著(諸如)可藉由在甲苯中超音波處理20分鐘來移除抗蝕層180及下伏金屬(膜70''')。(例如)可在氮流中乾燥其上具有金化學區別區域52(對應於模製表面70')之所得模板300'''''''。由於金對硫醇基具有親和力，故可使用具有硫醇官能基之墨水材料及模板300以圖案化受體基材200。形成墨水材料之SAM或金化學區別區域52可使得能夠在受體基材200上形成完整或大體完整之墨水材料圖案，以使得相對於不形成完整SAM之模板可發生墨水材料向受體基材200之較佳轉移。
在另一實施例中，膜70由其上包括(或經改質而包括)暴露之硫醇或胺官能基的無機材料製成。以非限制性實例之 方式，膜70可由二氧化矽製成且塗佈有巰丙基(三烷氧基)矽烷化合物(例如，CAS第14814－09－6號、第4420－74－0號，可自Gelest Inc.,Morrisville,PA購得)。巰丙基(三烷氧基)矽烷化合物之塗層可在模板300上提供暴露之硫醇基，其對應於化學區別區域52。為形成該模製表面，可將二氧化矽膜沈積在模板基材50上且藉由習知技術來圖案化以形成地形特徵。換言之，二氧化矽可為用於膜70之材料。以非限制性實例之方式，可藉由以下方法來圖案化氧化矽膜：(1)光阻之習知光微影(亦即，降低至60 nm)，隨後進行乾式蝕刻；(2)電子束抗蝕劑之電子束微影(降低至~30 nm)，隨後進行乾式蝕刻；(3)如本文中進一步描述之嵌段共聚物之圖解磊晶(graphoepitaxial)自組裝且移除一個域以形成蝕刻遮罩，隨後進行乾式蝕刻；或(4)間距倍增。氧化矽膜可為模板基材50上之薄塗層。舉例而言，氧化矽膜之厚度可在約1 nm與10 nm之間。在一實施例中，蝕刻中之大多數在諸如矽之不與巰丙基(三烷氧基)矽烷發生反應的單獨材料中發生。此材料在化學區別區域52周圍形成非反應性區域。可接著使經圖案化之氧化矽膜暴露於巰丙基(三烷氧基)矽烷化合物以在二氧化矽表面上形成含硫醇之層。在一實施例中，可在圖案化之前將硫醇矽烷單層沈積在氧化矽膜上以使得硫醇矽烷單層免受蝕刻處理(例如，在圖案化期間硫矽烷單層藉由抗蝕劑覆蓋)且使得硫醇基僅位於模板尖端上且不位於地形特徵之側面上。舉例而言，若將硫矽烷單層沈積在經圖案化之基材上，則硫矽烷單層將有 可能沈積在模板之任何地形特徵的側壁上且墨水材料可沈積在地形特徵之側壁上。然而，若在圖案化之前沈積硫矽烷單層，則硫矽烷單層及(因此)硫醇基將僅位於模板尖端上。
以非限制性實例之方式，膜70可由氧化矽製成且塗佈有胺基烷基(三烷氧基)矽烷化合物(可自Gelest Inc.,Morrisville,PA購得)。胺基烷基(三烷氧基)矽烷化合物之塗層可在模板300上提供暴露之胺基，其對應於化學區別區域52。形成塗佈有胺基烷基(三烷氧基)矽烷化合物之模板300的方法可遵循上文中相對於塗佈有巰丙基(三烷氧基)矽烷化合物之模板300描述的一般方法。可使經圖案化之氧化矽膜暴露於胺基烷基(三烷氧基)矽烷化合物以形成氧化矽膜表面之胺層。在一實施例中，在圖案化之前於氧化矽膜上形成胺基矽烷單層以使得胺基矽烷單層免受蝕刻處理以形成包括僅位於模板尖端且不位於地形特徵之側面上之胺基的化學親和力區域。
在另一實施例中，膜70由嵌段共聚物製成。由嵌段共聚物製成之膜70可經金或硫醇及胺官能基中之至少一者改質以提供對應於化學區別區域52之模製表面70'。在一實施例中，嵌段中之一者固有地含有硫醇或胺官能基，例如聚乙烯吡啶。當模板300上之膜70由嵌段共聚物製成時，嵌段共聚物之第一嵌段可經選擇或改質以包括至少一個與第一墨水材料發生反應之官能基，而第二嵌段可為惰性的或可視情況包括至少一個與第二墨水材料之第二官能基發生反 應的官能基。或者或此外，可在使模製表面與墨水材料接觸之前移除第二嵌段。當將嵌段共聚物用於膜70時，可如本文中所論述選擇性移除嵌段域中之一個域以形成開口72。或者，可形成平坦裝置，其中一個域缺少對墨水材料之親和力。由嵌段共聚物製成之膜70可藉由在退火之後微相分離組成嵌段而自組裝成週期性結構。在自組裝之後，可選擇性移除嵌段共聚物之一嵌段，產生由剩餘嵌段形成之經圖案化之膜。可使用經圖案化之膜作為蝕刻遮罩以用於將特徵圖案化至下伏基材上。或者，嵌段共聚物之一嵌段可對第一墨水材料具有化學親和力，而另一(其他)嵌段可對第二墨水材料具有化學親和力。在一實施例中，模板由PS－PMMA嵌段共聚物製成，墨水材料為炔硫醇－金奈米粒子且受體基材為SiO2 上之11－疊氮十一基(三烷氧基矽烷)。藉由以奈米粒子上之炔尾來選擇性濕潤PMMA上之PS，炔硫醇金奈米粒子將選擇性吸附至PS－PMMA嵌段共聚物膜之PS域上。
嵌段共聚物為聚合物，其包括共價鍵結至不同類型(例如，包括不同之單體單元)之至少一長序列(亦即，"嵌段")上的相同單體單元之至少一長序列(亦即，"嵌段")。慣例上使用詞"－嵌段－"或"－b－"隔開每一單體單元來命名嵌段共聚物，而慣例上使用術語"－無規－"或"－r－"隔開每一單體單元來命名無規共聚物。本文中預期各種嵌段共聚物，包括雙嵌段共聚物(具有兩個嵌段之共聚物)、三嵌段共聚物(具有三個嵌段之共聚物)、多嵌段共聚物(具有三個以上嵌段 之共聚物)及其組合。
若使用雙嵌段共聚物作為膜70之材料，則嵌段共聚物之每一嵌段可不僅在形成彼嵌段之單體單元的結構方面且亦在其他特性方面與其他嵌段不同，該等其他特性包括(例如)物理特性(例如，機械強度、表面張力、可濕性及/或溶解性)及化學特性(例如，溶解性、化學反應性、對移除技術之易感性及/或對交聯反應之易感性)。可藉由雙嵌段共聚物中之嵌段的分子量及體積分率來控制包括微相分離之域之大小及形狀的膜形態。以非限制性實例之方式，雙嵌段共聚物之每一嵌段的比率為約40：60與約60：40之間以形成嵌段之層狀域或交替條帶。嵌段之域大小可在約5 nm與約50 nm之間。可基於形成模板300'時所使用之嵌段共聚物對墨水材料的化學親和力來選擇該嵌段共聚物。
以非限制性實例之方式，嵌段共聚物之嵌段可為聚丁二烯－聚甲基丙烯酸丁酯、聚丁二烯－聚二甲基矽氧烷、聚(苯乙烯－嵌段－甲基丙烯酸甲酯)(PS－b－PMMA)、聚丁二烯－聚甲基丙烯酸甲酯、聚丁二烯－聚乙烯吡啶、聚甲基丙烯酸丁酯－聚丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸丁酯－聚乙烯吡啶、聚丁二烯聚乙烯吡啶、聚氧化乙烯－聚異戊二烯、聚氧化乙烯－聚丁二烯、聚氧化乙烯－聚苯乙烯、聚乙烯－聚乙烯吡啶、聚異戊二烯－聚甲基丙烯酸甲酯、聚異戊二烯－聚乙烯吡啶、聚丙烯酸丁酯－聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸丁酯－聚乙烯吡啶、聚丙烯酸己酯－聚乙烯吡啶、聚異丁烯－聚甲基丙烯酸丁酯、聚異丁烯－聚二甲氧基矽氧烷、聚異丁烯－ 聚甲基丙烯酸甲酯、聚異丁烯－聚乙烯吡啶、聚乙烯－聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯－聚丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯－聚甲基丙烯酸丁酯、聚苯乙烯－聚丁二烯、聚苯乙烯－聚丙烯酸丁酯、聚苯乙烯－聚甲基丙烯酸丁酯、聚苯乙烯－聚丁基苯乙烯、聚苯乙烯－聚二甲氧基矽氧烷、聚苯乙烯－聚乙烯吡啶、聚乙烯吡啶－聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯－聚異戊二烯(PS－b－PI)、聚苯乙烯－嵌段－乳酸或聚氧化乙烯－聚甲基丙烯酸甲酯。如下文中詳細描述，嵌段共聚物可為雙嵌段共聚物。然而，亦可使用具有三個嵌段之嵌段共聚物(三嵌段共聚物)或三個以上嵌段之嵌段共聚物(多嵌段共聚物)。三嵌段共聚物之實例包括(但不限於)聚(苯乙烯－嵌段－甲基丙烯酸甲酯－嵌段－氧化伸乙基)且具有三個或三個以上選自以下各物之嵌段之嵌段共聚物：聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氧化乙烯、聚異戊二烯、聚丁二烯、聚乳酸、聚乙烯吡啶及其組合。
在一實施例中，嵌段共聚物為雙嵌段共聚物。雙嵌段共聚物可對稱(亦即，第一嵌段之體積分率與第二嵌段之體積分率大體相同)或不對稱(亦即，第一嵌段之體積分率與第二嵌段之體積分率大體不同)。如本文所用，對稱雙嵌段共聚物之每一嵌段具有約0.4至約0.6之體積分率。如本文所用，不對稱雙嵌段共聚物之每一嵌段具有小於約0.4或大於約0.6之體積分率。在一實施例中，雙嵌段共聚物為對稱雙嵌段共聚物且用於雙嵌段共聚物自組裝以形成片層(亦即，插入另一材料之材料薄片)的實施例。不對稱雙 嵌段共聚物可用於雙嵌段共聚物自組裝以形成其他形態之實施例，該等形態包括(例如)球體、圓柱體、五角二十四面體或其組合。對於包括第一嵌段共聚物及第二嵌段共聚物之方法而言，第一嵌段共聚物及第二嵌段共聚物均可為對稱嵌段共聚物。
在一實施例中，可使用雙嵌段共聚物來形成模板300，該等雙嵌段共聚物藉由任何合適方式塗覆至模板基材50之表面上。對於模板基材50可使用可允許雙嵌段共聚物以大體垂直之方式定向之任何材料。如本文所用，"大體垂直之"片層係指平均垂直於表面之片層集合。然而，若以可允許雙嵌段共聚物大體垂直於其定向之材料來處理模板基材50之表面，則對於模板基材50可使用其他材料。因此，模板基材50不限於任何特定材料。
可藉由習知技術將雙嵌段共聚物塗覆至模板基材50上，該等技術包括(例如)沈積方法、塗佈方法、轉移方法及/或其他可用之塗覆方法。可藉由旋塗、浸塗、噴塗及其組合來塗覆雙嵌段共聚物。在該等方法中，雙嵌段共聚物可溶解、分散或懸浮在介質(例如，溶劑)中。可將溶液、分散液或懸浮液沈積在模板基材50上，且可在沈積期間或沈積之後視情況移除介質(例如，藉由在周圍溫度或高溫下且在周圍壓力或低壓下進行蒸發)。
視嵌段之特性(例如，分子量、嵌段重量比、膜厚度)及處理條件(例如，退火條件、表面處理及其類似條件)而定，雙嵌段共聚物之嵌段可以奈米級長度等級進行微相分 隔以在薄聚合物膜中形成六方小孔陣列。雙嵌段共聚物之其他相形態包括(但不限於)球狀相、層狀相等。
因此，在一實施例中，在模板基材上形成至少一化學區別區域，該至少一化學區別區域對至少一種墨水材料表現出化學親和力。該至少一化學區別區域可包括金、含有至少一個硫醇官能基之化合物或含有至少一個胺官能基之化合物。可藉由在模板基材上沈積嵌段共聚物且將嵌段共聚物自組裝成具有與模板基材垂直之定向的至少兩個域來形成模板基材上之該至少一化學區別區域。可視情況移除自組裝嵌段共聚物之域中的至少一者。可以金、含有硫醇官能基之化合物、含有胺官能基之化合物或其組合來塗佈該等域中之至少一者。至少一化學區別區域可包括地形特徵。
參看圖9，模板基材50經提供以相對於雙嵌段共聚物之每一嵌段具有中性濕潤表面。因此，嵌段共聚物之嵌段不會優先濕潤模板基材50之表面。可由先前描述材料中的一者來形成模板基材50。雖然將模板基材50描繪為大體平坦，但可在沈積雙嵌段共聚物之前將模板基材50圖案化。舉例而言，模板基材50可包括溝槽，其充當在其中形成自組裝嵌段共聚物之導引。如本文中詳細描述，可使用習知微影技術或使用嵌段共聚物來形成溝槽。在一實施例中，模板基材50經化學圖案化以包括具有與嵌段共聚物中之每一嵌段幾乎相同之大小的一系列化學區域，其充當在其中形成自組裝嵌段共聚物之導引。可將對稱雙嵌段共聚物沈 積在模板基材50上以形成膜70"。若模板基材50不具有中性濕潤表面，則可在模板基材50與膜70"之間形成材料層60，提供中性濕潤表面。雖然圖9中展示材料層60，但此層係任選的。
在一實施例中，材料層60為含末端氫之矽，其為雙嵌段共聚物聚苯乙烯－嵌段－聚甲基丙烯酸甲酯提供中性濕潤表面。在另一實施例中，材料層60包括無規共聚物且可使用與用以交聯嵌段共聚物之至少一個嵌段相同或不同的方法來進行交聯。可使用交聯之材料層60以(例如)相對於嵌段共聚物之每一嵌段使模板基材50中性濕潤，從而使嵌段共聚物能夠在模板基材50上自組裝。舉例而言，若雙嵌段共聚物為聚苯乙烯－嵌段－聚甲基丙烯酸甲酯雙嵌段共聚物，則可使用可交聯之聚苯乙烯－無規－聚甲基丙烯酸甲酯無規共聚物作為材料層60。交聯之材料層60較佳對在嵌段共聚物自組裝過程期間遇到的進一步處理具有抵抗力。
一旦將雙嵌段共聚物沈積在模板基材50(或材料層60)上，則雙嵌段共聚物可經退火以打破現有域且允許雙嵌段共聚物自組裝。雙嵌段聚合物可藉由熱退火、溶劑退火或其組合來退火。在退火期間，雙嵌段聚合物可形成具有奈米級尺寸之有序域。熱退火可包括使雙嵌段共聚物暴露於高溫(例如，處於或高於雙嵌段共聚物之玻璃轉移溫度)且降低溫度以允許自組裝嵌段共聚物硬化。以非限制性實例之方式，可藉由將雙嵌段共聚物加熱至約0℃至約250℃之溫度歷時高達約24小時或更長(較佳在真空或惰性氣氛下) 來使雙嵌段聚合物熱退火。溶劑退火可包括使雙嵌段共聚物暴露於溶劑直至雙嵌段共聚物膨脹為止。可接著(諸如)藉由蒸發而移除溶劑中之至少一部分。
如圖10所示，膜70"中之雙嵌段共聚物的每一嵌段可在退火期間自組裝成一域。對稱雙嵌段共聚物自組裝成層狀結構，其中交替之片層各代表一包括雙嵌段共聚物之一個嵌段的域。第一片層之中心與相同類型之下一片層之中心之間的距離為雙嵌段共聚物之固有週期數(L0 )，其視每一嵌段之聚合物鏈的長度及/或分子量而定。因此，可藉由增加雙嵌段共聚物之一個或兩個雙嵌段之聚合物鏈的長度及/或分子量來增加雙嵌段共聚物之固有週期數。相反，可藉由減小雙嵌段共聚物之一個或兩個嵌段之聚合物鏈的長度及/或分子量來減小L0 。本文中預期之雙嵌段共聚物可具有約10 nm至約100 nm之L0 。對於使用第一及第二嵌段共聚物之方法，第一嵌段共聚物之L0 可與第二嵌段共聚物之L0 相同或不同。
膜70"中之雙嵌段共聚物在退火期間自組裝以形成大體垂直於模板基材50之交替片層110及120的集合。片層110、120可具有區別之化學親和力，因為片層110可對第一墨水材料具有親和力，而片層120可大體為惰性或可對第二墨水材料具有親和力。雙嵌段共聚物之每一嵌段可經選擇以提供對墨水材料之所要化學親和力，或可用官能基來改質嵌段中之一或多者以提供所要之化學親和力。如圖10之模板300'中所示，片層110、120之上表面可對應於化 學區別區域52。或者，若片層110、120對墨水材料不具有化學親和力，則片層110或120中之一者的上表面可經改質以包括金、硫醇基或胺基從而提供化學區別區域52。
或者，如圖11所示，可移除片層120以在模板300"上形成圖案。為移除片層120，可(例如)藉由暴露於輻射(例如，紫外線(UV)輻射)使片層110交聯。交聯之片層可具有(例如)改良之機械特性及降低之對進一步處理期間之移除的易感性。在一些實施例中，形成片層110之嵌段共聚物的嵌段可能易於在不添加交聯劑之情況下交聯。舉例而言，若嵌段共聚物為聚苯乙烯－嵌段－聚甲基丙烯酸甲酯雙嵌段共聚物，則聚苯乙烯嵌段可藉由暴露於UV輻射而交聯。或者，可藉由包括少量(例如，1莫耳%至5莫耳%)之可熱交聯之單體(例如，含有苯并環丁烷之單體)或可光化學交聯之單體(例如，二乙烯基苯或疊氮－甲基苯乙烯)而使形成片層110之嵌段共聚物的嵌段可交聯。或者或此外，在一些實施例中，可將交聯劑添加至形成片層110之嵌段共聚物的嵌段中。此項技術中已知各種交聯劑且其包括(例如)交聯劑(例如，1,3,5－三甲基－2,4,6－(三乙醯氧基甲基)苯)與熱酸產生劑(例如，三氟甲磺酸環己基甲基(2－氧代環已基)鋶)之組合。
參看圖11，可選擇性移除未經交聯之片層120以在模板300"之表面上留下交聯之片層110及空隙130。空隙130係由交聯之片層110的側壁150來界定。此項技術中已知各種用於移除未交聯之片層的方法，包括(例如)輻射(例如， UV或電子束)、臭氧處理、濕式化學處理方法(諸如浸沒在溶劑中)及/或蝕刻方法(諸如反應性離子蝕刻及離子束蝕刻)。舉例而言，當雙嵌段共聚物為聚苯乙烯－嵌段－聚甲基丙烯酸甲酯雙嵌段共聚物且包括聚苯乙烯嵌段之片層經交聯時，可(例如)在毯覆式暴露於紫外線(UV)輻射之後藉由乙酸顯影來選擇性移除包括未交聯之聚甲基丙烯酸甲酯嵌段的片層。所得模板300"可用於印刷或可經受進一步處理，舉例而言，其中模板300"充當遮罩。
在一實施例中，如圖12所描繪，可選擇性地將材料170沈積在交聯之片層110上。材料170可具有不同於片層110之蝕刻選擇性。以非限制性實例之方式，材料170可為使用掠射角沈積來沈積之金。可以與模製基材50平行向上數度之角度將金濺鍍在表面上。金將沈積在片層100之上且以較小程度在側壁頂部沈積於空隙130內。然而，相鄰片層110將在很大程度上保護空隙130之底部表面135不受金沈積影響且可形成在交聯之片層110上包括金化學區別區域52的模板300'''(圖13)。
亦可使用模板300"之交聯之片層110作為用於進一步處理之遮罩。舉例而言，可在模製受體基材200之前以材料填充空隙130。參看圖12，可將材料170沈積在空隙130內及交聯之片層110上。材料170可具有不同於片層110之蝕刻選擇性。舉例而言，材料170可為諸如二氧化矽或金之無機材料。材料170可經平坦化以暴露片層110之頂部表面。可選擇性移除片層110，如圖14所示在模板基材50及 空隙135上留下材料170之圖案。若材料170未在模製基材50上形成化學區別區域，則可將諸如金之無機材料沈積在材料170之頂部表面上或可在選擇性蝕刻片層110之前對材料170之頂部表面進行改質以包括硫醇或胺官能基，從而在材料170上形成化學區別區域52。
在另一實施例中，圖11之空隙130可形成充當嵌段共聚物自組裝之導引的溝槽。然而，在替代性實施例中，可藉由習知微影來形成溝槽且將其用作嵌段共聚物自組裝之導引。參看圖15，可將可與膜70"中使用之嵌段共聚物相同或不同的第二嵌段共聚物170'沈積在空隙130中。在一實施例中，空隙130具有相對於第二嵌段共聚物140之每一嵌段為中性濕潤的底部表面(模板基材50之暴露之表面)。然而，若空隙130不包括中性濕潤表面，則如先前所描述，材料層60可視情況沈積於其中以使模板基材50表面中性濕潤。可藉由第二嵌段共聚物170'之至少一個嵌段(例如，第二嵌段共聚物170'之一嵌段與片層110之交聯之嵌段相似或相同)來濕潤側壁150。第二嵌段共聚物170'可藉由諸如先前描述之方法的方法來退火，以允許在每一空隙130內進行自組裝從而如圖16所示形成交替之片層142及144的第二集合。片層142、144可大體垂直於模板基材50定向且大體與每一側壁150重合以形成模板300''''。
視情況，片層142可藉由諸如先前描述之方法的方法而交聯。參看圖16及圖17，可藉由諸如先前描述之方法的方法來移除未交聯之片層144，以形成片層142之圖案。所得 圖案可用作(例如)蝕刻遮罩以在模板基材50中形成次微影開口。如本文所用，"次微影"意謂且包括具有小於使用習知微影可獲得之最小大小或尺寸的一或多個大小或尺寸。或者，圖案可形成模板300'''''。可使用圖16及圖17所示之模板300''''、300'''''以用於圖案化受體基材200，其限制條件為圖16所示之片層110、142及144中的兩者對所要墨水材料具有化學親和力。舉例而言，參看圖16，若片層110、142及144中之每一者均對墨水材料具有化學親和力，則墨水材料可鍵結至所有三個區域上且將不會將圖案轉移至受體基材200上。然而，若片層110、142及144中之兩者對墨水材料具有化學親和力，則墨水材料可鍵結至此等兩個區域上以形成可轉移至受體基材200上的圖案。圖17所示之片層110、142可對相同之墨水材料具有化學親和力，或片層110、142可對不同墨水材料具有化學親和力。
在一實施例中，藉由將雙嵌段共聚物沈積在由膜70形成之開口72內而結合圖6之模板使用該雙嵌段共聚物。將雙嵌段共聚物退火以形成大體垂直於模板基材50之交替片層210、220(圖18)。除了由膜70'提供之化學區別區域以外，片層210、220可提供化學區別區域。或，若開口72中之片層不包括對墨水材料之化學親和力，則其上表面可經改質以包括金、硫醇基或胺基以提供額外之化學區別區域。或者，可藉由諸如先前描述之方法的方法來交聯並移除開口72中之片層集合中的一者以在開口72中形成所要圖案。在此實施例中，膜70為含矽層以使得膜70具有含矽側壁 150。膜70可由氧化矽(SiO2 )、氮化矽(Si3 N4 )、SSQ、Si、SiOC、SiON或其組合製成。視情況，可將雙嵌段共聚物之一嵌段的均聚物接枝至含矽側壁150上以使得開口72可優先由雙嵌段共聚物之相同嵌段所濕潤。舉例而言，若待在開口72中自組裝之雙嵌段共聚物為聚苯乙烯－嵌段－聚甲基丙烯酸甲酯雙嵌段共聚物，則可將聚苯乙烯均聚物接枝至含矽側壁150上以使得開口72可由雙嵌段共聚物之聚苯乙烯嵌段所濕潤。或者，可將聚甲基丙烯酸甲酯均聚物接枝至含矽側壁150上以使得開口72優先由雙嵌段共聚物之聚甲基丙烯酸甲酯嵌段所濕潤。可藉由此項技術中已知之多種方法來接枝均聚物，包括(例如)製備具有可與含矽側壁交互作用(例如，藉由形成氫鍵及/或共價鍵)之端基(例如，羥基)的均聚物。
若模板(諸如模板300'、300''''、300'''''、300'''''')對一種以上之墨水材料具有化學親和力，則此等模板中之雙嵌段共聚物的第一嵌段及第二嵌段分別提供與第一墨水材料及第二墨水材料反應之化學區別區域。此等模板中之雙嵌段共聚物的第一嵌段及第二嵌段形成具有對應於模板圖案之大小及形態的單獨域。雙嵌段共聚物之第一嵌段經選擇或改質以包括與第一墨水材料發生反應之官能基，且第二嵌段經選擇或改質以包括與第二墨水材料發生反應之官能基。可接著藉由諸如先前描述之方法的方法將雙嵌段共聚物退火以產生兩個域。參看圖19，模板基材50上包括對"I"(第一墨水材料)具有選擇性之第一域110'及對"I＊ "(第二 墨水材料)具有選擇性之第二域120'。可使用模板300'、300''''、300'''''、300''''''以用第一墨水材料及第二墨水材料來圖案化受體基材200。雖然相對於模板300'、300''''、300'''''、300''''''展示使用兩種墨水材料，但若模板包括兩個以上相異之化學區別區域，則可預期使用兩種以上之墨水材料。可在同一印刷處理期間或在單獨印刷處理期間將第一墨水材料及第二墨水材料塗覆至模板上。
以非限制性實例之方式，本文中描述用作模板之化學區別區域、墨水材料及受體基材之材料的組合。然而，如先前所述，模板、墨水材料或受體基材可由其他材料製成且可包括材料之其他組合。舉例而言，模板可包括金化學區別區域且經由金－硫醇鍵而與墨水材料交互作用。在模板包括塗佈有巰丙基(三烷氧基)矽烷化合物之SiO2 地形特徵的實施例中，墨水材料可經由二硫鍵與模製表面交互作用。二硫鍵相對較弱(在約50 Kcal/mol與約60 Kcal/mol之間)。墨水材料可包括自由硫醇(R－SH)官能基，在此情形中，可使用諸如溴之氧化劑以與模板上之化學區別區域形成二硫鍵。或者，墨水材料可以氧化二硫醇形式R－S－S－R過量存在，且可根據以下反應，使用硫醇－二硫化物重排反應將墨水材料轉移至模板：模板－SiO2 －丙基－SH＋R－S－S－R→模板－SiO2 －丙基－S－S－R＋HS－R
當模板包括金化學區別區域或塗佈有巰丙基(三烷氧基)矽烷之化學區別區域時，墨水材料中可存在胺且可使用該 等胺來鍵結受體基材與墨水材料。受體基材可為以縮水甘油氧基丙基(三烷氧基)矽烷化合物(例如，CAS第2602－34－8號及第2530－83－8號，可自Gelest,Inc.,Morrisville,PA購得)接枝的SiO2 受體基材，且墨水材料可包括2－胺基乙硫醇、胺基苯硫酚、半胱胺酸、高半胱胺酸、白胺酸硫醇、2－丁基胺基乙硫醇或2－環己基胺基乙硫醇(全部可自Sigma－Aldrich,Inc.,St.Louis,MO購得)。在一實施例中，使用胺基甲酸酯/脲化學品，受體基材可為以異氰酸酯基丙基(三烷氧基)矽烷化合物(可自Gelest,Inc.,Morrisville,PA購得)接枝之SiO2 ，且墨水材料可為2－胺基乙硫醇、胺基苯硫酚、半胱胺酸、高半胱胺酸、白胺酸硫醇、2－丁基胺基乙硫醇或2－環己基胺基乙硫醇(全部可自Sigma－Aldrich,Inc.,St.Louis,MO購得)。受體基材可與墨水材料發生反應以形成脲鍵聯劑。或者，可使用任何巰基醇(例如，2－巰基乙醇(HS－CH2 CH2 OH)或4－巰基－1－丁醇)來形成胺基甲酸酯鍵聯劑。
在一實施例中，可使用以6－疊氮磺醯基己基(三乙氧基)矽烷或11－疊氮十一基單層(其係藉由將11－溴十一基(三乙氧基)矽烷(可自Gelest購得)接枝至SiO2 ，接著以疊氮化鈉(可自Gelest,Inc.,Morrisville,PA購得)進行衍生而形成)接枝之SiO2 受體基材來使用Huisgens－1,3－雙極性環加成。墨水材料可為炔硫醇且可藉由(例如)使1,4－丁二硫醇或1,2－乙硫醇與0.5當量之溴丙炔反應以產生炔硫醇(單硫醇單元)或使胺基乙硫醇與丙酸酐反應以產生N－(2－巰基乙基)丙醇醯 胺來製備。
Si－Cl表面上之親核攻擊係可用以鍵結受體基材與墨水材料的另一化學。受體基材可為Si－Cl，其係經由在80℃下暴露於Cl2 氣或在鎢燈照明下暴露於Cl2 氣而由H終止之矽製成。墨水材料可包括2－胺基乙硫醇、胺基苯硫酚、半胱胺酸、高半胱胺酸、白胺酸硫醇、2－丁基胺基乙硫醇或2－環己基胺基乙硫醇(全部可自Sigma－Aldrich,Inc.,St.Louis,MO購得)或任何巰基醇(例如，2－巰基乙醇(HS－CH2 CH2 OH)或4－巰基－1－丁醇)。
可結合具有金區域或塗佈有巰丙基(三烷氧基)矽烷之化學區別區域的模板來使用之墨水材料/受體基材的另一實施例使用亞氨體插入。受體基材可為以6－疊氮磺醯基己基(三乙氧基)矽烷(可自Gelest,Inc.,Morrisville,PA購得)接枝之SiO2 或以本文所描述之疊氮烷接枝的SiO2 。墨水材料可為脂族或芳族硫醇。受體基材之表面上的疊氮基可在高於110℃時分解為亞氨體且亞氨體可與墨水材料之鄰近官能基發生反應。
在一實施例中，模板可使用與墨水材料之酸鹼交互作用且模板可由塗佈有材料之SiO2 地形特徵製成以產生諸如胺基烷基(三烷氧基)矽烷化合物之暴露之胺基。當使用胺基甲酸酯鍵結時，受體基材可為以異氰酸酯基丙基(三烷氧基)矽烷(可自Gelest,Inc.,Morrisville,PA購得)接枝之SiO2 。墨水材料可為(例如)乳酸、羥基丁酸、羥基異己酸、羥基間苯二甲酸、8－羥基－7－碘－5－喹啉磺酸、羥基扁 桃酸、羥基甲烷亞磺酸、羥基苯甲酸、羥基萘磺酸、羥基十五烷酸或羥基十一烷酸。
亦可結合上面具有胺基烷基(三烷氧基)矽烷化學區別區域之模板來使用Huisgens－1,3－雙極性環加成。受體基材可為以6－疊氮磺醯基己基(三乙氧基)矽烷(可自Gelest,Inc.購得)接枝或以此項技術中已知之疊氮烷衍生之SiO2 。
使用Si－Cl表面上之親核攻擊，受體基材可為如上文所述形成之Si－Cl。以非限制性實例之方式，墨水材料可為乳酸、羥基丁酸、羥基異己酸、羥基異酞酸、8－羥基－7－碘－5－喹啉磺酸、羥基扁桃酸、羥基甲烷亞磺酸、羥基苯甲酸、羥基萘磺酸、羥基十五烷酸或羥基十一烷酸。
亦可結合上面具有胺基烷基(三烷氧基)矽烷化學區別區域之模板來使用亞氨體插入。受體基材可為以6－疊氮磺醯基己基(三乙氧基)矽烷(可自Gelest,Inc.,Morrisville,PA購得)或疊氮烷接枝之SiO2 ，且墨水材料可為任何脂族或芳族硫醇部分。
可使用藉由上文所提及之實施例中之任何者來製造的模板(300至300'''''')來圖案化受體基材200，諸如藉由奈米接觸化學印刷。以非限制性實例之方式，可使用模板在受體基材200之表面上印刷SAM。受體基材200上之圖案可具有與模板上之圖案相同或大體相同的解析度。在一些實施例中，可使用模板上之圖案以在受體基材200上產生次微影特徵。以非限制性實例之方式，模板上之圖案可具有約10 nm與約100 nm之間的間距以在受體基材200上產生約5 nm 與約50 nm之間的特徵。在另一實施例中，模板上之圖案為約14 nm或14 nm以下，以在受體基材200上產生具有約14 nm或14 nm以下之大小的特徵。
如圖20A所說明，在受體基材200上形成之圖案可為第一SAM 210。由模板沈積在受體基材200上之墨水材料可形成對應於模製表面上之圖案的第一SAM 210，由此在受體基材200上提供區別之圖案。第一SAM 210可具有小於約20(2 nm)之厚度，其受對墨水材料及尤其其間隔基之選擇影響。以非限制性實例之方式，第一SAM 210具有小於約60 nm之側向寬度。在一實施例中，第一SAM 210具有約14 nm之側向寬度。應理解，SAM之側向寬度對應於模製表面之形體尺寸。在對受體基材200進行圖案化之後，可根據需要進行進一步處理。可使用未在本文中詳細描述之習知技術來製造包括受體基材200及第一SAM 210之半導體結構。以非限制性實例之方式，受體基材200之鄰近第一SAM 210的部分可保持不含產生第一SAM 210之墨水材料。受體基材200之此等暴露之部分可經受進一步蝕刻或電鍍。舉例而言，第一SAM 210可用作受體基材200上之蝕刻遮罩，或可用以引導受體基材200上之選擇性沈積。若需要，則亦可使用第一SAM 210來指導氣相沈積。因此，可將(例如)氧化物選擇性沈積在受體基材200上之缺少第一SAM 210的部分上。或者或此外，可將材料全部沈積在第一SAM 210上或全部沈積在受體基材200之缺少第一SAM 210的部分上。
亦可藉由用與用以形成第一SAM 210之第一墨水材料化學相異的第二墨水材料來處理受體基材200，以如圖20B所示在上面形成第二SAM 220。第二墨水材料可為本文中描述之墨水材料中的一者。可將具有分別對第一SAM 210及第二SAM 220選擇之域且具有與模板圖案相匹配之域大小及形態的嵌段共聚物沈積在第一SAM 210及第二SAM 220上。可如先前論述進行此雙嵌段共聚物之沈積及自組裝以如圖20C所示形成大體垂直於受體基材之表面的交替片層310與320之第二集合。可如本文中所描述進行進一步處理。舉例而言，可移除片層310、320中之一者且將其用作蝕刻遮罩或引導其他材料沈積的遮罩。
因此，可使用圖案化於受體基材200上的SAM 210、220以引導材料選擇性沈積且對澆鑄於其上之嵌段共聚物進行化學圖案化，其又可充當蝕刻遮罩。雖然在可能已使用嵌段共聚物製備模板的情況下後一應用可能看似多餘，但優點在於，特徵之微影清晰度為模板所需，反之可使用單個模板來製備多個經圖案化之受體基材而不進行進一步微影。舉例而言，使用習知微影及/或次微影技術來圖案化基材已受包括(例如)成本高及/或與高產量製造方法不相容之困難阻礙。此外，相對於"自頂而下"(亦即，圖解磊晶)排序及定位之其他方法而言，將嵌段共聚物自組裝至下伏化學圖案係迅速的。因此，雖然在一些實施例中可使用習知微影來製備模板，但因為可使用模板來圖案化多個基材，每一基材之製造成本得以降低且在受體基材上形成嵌 段共聚物之速率顯著減小。
雖然本發明可容許各種修改以及額外形式及實施，但特定實施例已以實例方式展示於圖式中且已在本文中進行詳細描述。然而，應理解，本發明不限於所揭示之特定實施例。實情為，本發明包含在以下隨附申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇內的所有修改、均等物及替代形式。
10‧‧‧模板基材
12‧‧‧抗蝕層
14‧‧‧彈性體套管
14'‧‧‧軟性模板
16‧‧‧墨水
18‧‧‧受體基材
20‧‧‧SAM
50‧‧‧模板基材
52‧‧‧化學區別區域
60‧‧‧材料層
70‧‧‧膜
70'‧‧‧模製表面
70"‧‧‧膜
70'''‧‧‧膜
72‧‧‧開口
110‧‧‧片層
110'‧‧‧第一域
120‧‧‧片層
120'‧‧‧第二域
130‧‧‧空隙
130'‧‧‧空隙
135‧‧‧底部表面
142‧‧‧片層
144‧‧‧片層
150‧‧‧側壁
170‧‧‧材料
170'‧‧‧嵌段共聚物
180‧‧‧抗蝕層
200‧‧‧受體基材
210‧‧‧片層
220‧‧‧片層
300‧‧‧模板
300'‧‧‧模板
300"模板
300'''‧‧‧模板
300''''‧‧‧模板
300'''''‧‧‧模板
300''''''‧‧‧模板
300'''''''‧‧‧模板
310‧‧‧片層
320‧‧‧片層
400‧‧‧模製表面－墨水材料－受體基材複合體
I‧‧‧第一官能基
I‧‧‧第一墨水材料
I＊ ‧‧‧第二墨水材料
I－X－Y‧‧‧墨水材料
L0 ‧‧‧週期數
X‧‧‧間隔基/鍵聯分子
Y‧‧‧第二官能基
圖1A至圖1C為根據習知製程技術在製造之各個階段期間軟性模板的橫截面圖；圖1D至圖1F為根據習知製程技術在微接觸印刷期間軟性模板的橫截面圖；圖2為製造及使用本發明之模板之實施例的流程圖；圖3為本發明之模板之實施例的橫截面圖，其中墨水材料化學吸附至該模板上；圖4為根據本發明之一實施例之模板－墨水材料－受體基材複合體的橫截面圖；圖5至圖18為製造之各個階段期間本發明之模板結構或中間模板結構之實施例的橫截面圖；圖19為本發明之模板之實施例的橫截面圖，其包括自組裝嵌段共聚物域；且圖20A、圖20B及圖20C為上面包括自組裝單層之受體基材之實施例的橫截面圖。
(無元件符號說明)

Claims (30)

  1. 一種模板，其包含：一模板基材；於該模板基材上界定一圖案之至少一化學區別區域；及至少一種墨水材料於該至少一化學區別區域上，該墨水材料包含第一官能基，其係經配置以鍵結至該至少一化學區別區域；第二官能基，其係經配置以鍵結至一受體基材；以及一個間隔基分子，其係連接該第一官能基及該第二官能基。
  2. 如請求項1之模板，其中該至少一化學區別區域包含金、含有至少一硫醇官能基之化合物、含有至少一胺官能基之化合物或其組合。
  3. 如請求項2之模板，其中該至少一化學區別區域包含接枝至該模板基材上之巰丙基矽烷化合物或胺基烷基矽烷化合物。
  4. 如請求項1之模板，其中該至少一化學區別區域包含嵌段共聚物及金、嵌段共聚物及含有至少一硫醇官能基之化合物、嵌段共聚物及含有至少一胺官能基之化合物或其組合。
  5. 如請求項1之模板，其中該至少一化學區別區域包括一第一化學區別區域及一第二化學區別區域，該第一化學區別區域及該第二化學區別區域對不同墨水材料具有親和力。
  6. 如請求項1之模板，其中該至少一種墨水材料係經化學 吸附至該至少一化學區別區域上。
  7. 一種圖案化系統，其包含一包含一化學鍵結至墨水材料上之模板及一化學鍵結至該墨水材料上之受體基材的複合體，其中該模板與該墨水材料之間的化學鍵之鍵強度比該墨水材料與該受體基材之間的化學鍵之鍵強度弱，且其中該墨水材料包含第一官能基，其係經配置以鍵結至該至少一化學區別區域於該模板之一表面上；第二官能基，其係經配置以鍵結至一受體基材；以及一個間隔基分子，其係連接該第一官能基及該第二官能基。
  8. 如請求項7之圖案化系統，其中該墨水材料包含對該模板上之該至少一化學區別區域具有化學親和力的一第一部分及對該受體基材具有化學親和力的一第二部分。
  9. 如請求項8之圖案化系統，其中該至少一化學區別區域包含金、含有至少一硫醇官能基之化合物、含有至少一胺官能基之化合物或其組合。
  10. 如請求項8之圖案化系統，其中該至少一化學區別區域包含接枝至該模板上的巰丙基矽烷化合物或胺基烷基矽烷化合物。
  11. 如請求項7之圖案化系統，其中該墨水材料係選自由下列各物組成之群：胺基硫醇、巰基醇、炔硫醇、脂族硫醇、芳族硫醇、乳酸、羥基丁酸、羥基異己酸、羥基異酞酸、8-羥基-7-碘-5-喹啉磺酸、羥基扁桃酸、羥基甲烷亞磺酸、羥基苯甲酸、羥基萘磺酸、羥基十五烷酸、羥基十一烷酸、炔羧酸鹽、炔磺酸鹽、4-丁炔酸5-戊炔酸 及其組合。
  12. 如請求項7之圖案化系統，其中該受體基材包含以縮水甘油氧基丙基(三烷氧基)矽烷接枝之二氧化矽、以異氰酸酯基丙基(三烷氧基)矽烷接枝之二氧化矽、以6-疊氮磺醯基己基(三乙氧基)-矽烷、11-疊氮十一烷基(三乙氧基)矽烷接枝之二氧化矽或來自含末端氫之矽的Si-Cl。
  13. 一種圖案化基材之方法，其包含：將墨水材料化學吸附至一模板之至少一區域上，該墨水材料包含炔羧酸鹽、炔磺酸鹽及炔硫醇官能基中之至少一者；及將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材上。
  14. 如請求項13之方法，其中將包含炔硫醇之墨水材料化學吸附至一模板之至少一區域係包含藉由二硫醇鍵或金-硫醇鍵將該墨水材料化學吸附至該模板表面上。
  15. 如請求項13之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材係包含使該模板與該墨水材料之間的鍵斷裂。
  16. 如請求項13之方法，其中將墨水材料化學吸附至一模板之至少一區域係包含將該墨水材料化學吸附至金、含有至少一硫醇官能基之化合物、含有至少一胺官能基之化合物或其組合上。
  17. 如請求項13之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材係包含在該受體基材上形成一自組裝單層。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包含將氧化物沈積在該受體基材的一部分上，該受體基材之該部分不含該自組裝單層，接著將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材上。
  19. 如請求項13之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材係包含將該化學吸附之墨水材料轉移至一包含二氧化矽及選自由接枝之縮水甘油氧基丙基(三烷氧基)矽烷、接枝之疊氮烷基(三烷氧基)矽烷及異氰酸酯基丙基(三烷氧基)矽烷組成之群之化合物的受體基材上。
  20. 如請求項13之方法，其中將墨水材料化學吸附至一模板之至少一區域係包含將該包含一炔硫醇官能基之墨水材料化學吸附至一包含金或含有至少一硫醇官能基之化合物的模板上。
  21. 如請求項20之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材係包含將該化學吸附之墨水材料轉移至一包含二氧化矽及接枝之6-疊氮磺醯基己基(三乙氧基)矽烷或11-疊氮十一烷基(三乙氧基)矽烷的受體基材上。
  22. 如請求項13之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材係包含將該化學吸附之墨水材料轉移至一包含來自含末端氫之矽之Si-Cl的受體基材。
  23. 如請求項13之方法，其中將墨水材料化學吸附至一模板之至少一區域係包含將該墨水材料化學吸附至該模板上之至少一區域，該模板包含二氧化矽及胺基烷基(三烷氧基)矽烷化合物。
  24. 如請求項23之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材係包含將該化學吸附之墨水材料轉移至一包含二氧化矽及接枝之異氰酸酯基丙基(三烷氧基)矽烷的受體基材上。
  25. 如請求項13之方法，其中將墨水材料化學吸附至一模板之至少一區域係包含將該選自由炔羧酸鹽及炔磺酸鹽組成之群之墨水材料化學吸附至一包含二氧化矽及接枝之胺基烷基矽烷化合物的模板上。
  26. 如請求項25之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材係包含將該化學吸附之墨水材料轉移至一包含二氧化矽及6-疊氮磺醯基己基(三乙氧基)矽烷或接枝之疊氮烷基矽烷的受體基材上。
  27. 如請求項13之方法，其中將墨水材料化學吸附至一模板之至少一區域係包含將墨水材料化學吸附至一包含二氧化矽及接枝之巰基烷基矽烷化合物的受體基材上。
  28. 如請求項27之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移至一受體基材係包含將該化學吸附之墨水材料轉移至一包含二氧化矽及6-疊氮磺醯基己基(三乙氧基)矽烷或接枝之疊氮烷基矽烷的受體基材上。
  29. 如請求項13之方法，其進一步包含將該墨水材料化學吸附至該模板之該至少一區域，同時將另一墨水材料化學吸附至該模板上之一另一化學區別區域，其中該另一區域係經化學區別於該至少一區域。
  30. 如請求項13之方法，其中將該化學吸附之墨水材料轉移 至一受體基材係包含在該受體基材上形成一經圖案化之自組裝單層且進一步包含將嵌段共聚物沈積在該經圖案化之自組裝單層上且將該嵌段共聚物退火以使該嵌段共聚物自組裝。
TW097114372A 2007-04-18 2008-04-18 形成模板的方法，圖案化基材的方法及用於該等方法之模板及圖案化系統 TWI400560B (zh)

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US11/787,928 US7959975B2 (en) 2007-04-18 2007-04-18 Methods of patterning a substrate

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Publication Number Publication Date
TW200900853A TW200900853A (en) 2009-01-01
TWI400560B true TWI400560B (zh) 2013-07-01

Family

ID=39673184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097114372A TWI400560B (zh) 2007-04-18 2008-04-18 形成模板的方法，圖案化基材的方法及用於該等方法之模板及圖案化系統

Country Status (6)

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US (2) US7959975B2 (zh)
JP (1) JP5333868B2 (zh)
KR (1) KR101148507B1 (zh)
CN (1) CN101657757B (zh)
TW (1) TWI400560B (zh)
WO (1) WO2008131032A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI885979B (zh) * 2018-11-05 2025-06-01 美商蘭姆研究公司 蝕刻腔室中的方向性沉積

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8133534B2 (en) 2004-11-22 2012-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Methods and compositions for forming patterns with isolated or discrete features using block copolymer materials
WO2006112887A2 (en) * 2004-11-22 2006-10-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Methods and compositions for forming aperiodic patterned copolymer films
US8168284B2 (en) 2005-10-06 2012-05-01 Wisconsin Alumni Research Foundation Fabrication of complex three-dimensional structures based on directed assembly of self-assembling materials on activated two-dimensional templates
US8618221B2 (en) * 2005-10-14 2013-12-31 Wisconsin Alumni Research Foundation Directed assembly of triblock copolymers
US8394483B2 (en) 2007-01-24 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly
US7964107B2 (en) 2007-02-08 2011-06-21 Micron Technology, Inc. Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning
US8083953B2 (en) 2007-03-06 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8557128B2 (en) 2007-03-22 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US7959975B2 (en) 2007-04-18 2011-06-14 Micron Technology, Inc. Methods of patterning a substrate
US8294139B2 (en) 2007-06-21 2012-10-23 Micron Technology, Inc. Multilayer antireflection coatings, structures and devices including the same and methods of making the same
US8097175B2 (en) * 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US8372295B2 (en) 2007-04-20 2013-02-12 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
US8404124B2 (en) 2007-06-12 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces
US8080615B2 (en) 2007-06-19 2011-12-20 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
US9183870B2 (en) * 2007-12-07 2015-11-10 Wisconsin Alumni Research Foundation Density multiplication and improved lithography by directed block copolymer assembly
KR101355167B1 (ko) * 2007-12-14 2014-01-28 삼성전자주식회사 적어도 세 개의 고분자 블록을 구비하는 블록 공중합체를이용한 미세 패턴 형성 방법
KR20090083091A (ko) * 2008-01-29 2009-08-03 삼성전자주식회사 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법
US8999492B2 (en) * 2008-02-05 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers
US8101261B2 (en) * 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
US7696085B2 (en) * 2008-02-20 2010-04-13 International Business Machines Corporation Dual damascene metal interconnect structure having a self-aligned via
US8425982B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids
US8426313B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference
US8133341B2 (en) 2008-04-01 2012-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Molecular transfer printing using block copolymers
US8114300B2 (en) 2008-04-21 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Multi-layer method for formation of registered arrays of cylindrical pores in polymer films
US8114301B2 (en) 2008-05-02 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders
US8202436B2 (en) * 2009-12-18 2012-06-19 Korea University Research And Business Foundation Use of block copolymers for preparing conductive nanostructures
EP2608251A4 (en) * 2010-08-18 2014-01-15 Nat Inst Of Advanced Ind Scien METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN LAYER AND A MONOCRYSTALLINE ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN LAYER
US8304493B2 (en) 2010-08-20 2012-11-06 Micron Technology, Inc. Methods of forming block copolymers
US9299381B2 (en) 2011-02-07 2016-03-29 Wisconsin Alumni Research Foundation Solvent annealing block copolymers on patterned substrates
JP5611884B2 (ja) * 2011-04-14 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
CN102983065B (zh) * 2011-09-06 2015-12-16 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 图案、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法
KR101999870B1 (ko) 2011-09-15 2019-10-02 위스콘신 얼럼나이 리서어치 화운데이션 화학적으로 패턴화된 표면과 제2 표면 사이의 블록 공중합체 막의 유도 조립
US8900963B2 (en) 2011-11-02 2014-12-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related structures
JP5854795B2 (ja) * 2011-11-28 2016-02-09 キヤノン株式会社 パターン形成方法
WO2013104499A1 (en) * 2012-01-13 2013-07-18 Asml Netherlands B.V. Self-assemblable polymer and methods for use in lithography
US9372398B2 (en) 2012-03-02 2016-06-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Patterning in the directed assembly of block copolymers using triblock or multiblock copolymers
DK2823344T3 (da) * 2012-03-05 2019-05-20 Nanoprecision Products Inc Koblingsenhed, der har en struktureret reflektiv overflade til at koble indgang/udgang af en optisk fiber
CN103633029B (zh) * 2012-08-28 2016-11-23 中国科学院微电子研究所 半导体结构及其制造方法
JP5758363B2 (ja) * 2012-09-07 2015-08-05 株式会社東芝 パターン形成方法
US9087699B2 (en) 2012-10-05 2015-07-21 Micron Technology, Inc. Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure
WO2014057846A1 (ja) * 2012-10-11 2014-04-17 株式会社ダイセル 電気デバイス製造用溶剤組成物
DE102012112030A1 (de) 2012-12-10 2014-06-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Mikrokontaktprägen
US9050621B2 (en) * 2013-01-24 2015-06-09 Corning Incorporated Surface nanofabrication methods using self-assembled polymer nanomasks
JP2014170802A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Toshiba Corp パターン形成方法
US8999623B2 (en) 2013-03-14 2015-04-07 Wiscousin Alumni Research Foundation Degradable neutral layers for block copolymer lithography applications
US9229328B2 (en) 2013-05-02 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures
US9177795B2 (en) 2013-09-27 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming nanostructures including metal oxides
US20150160072A1 (en) * 2013-12-06 2015-06-11 Rensselaer Polytechnic Institute Oriented backscattering wide dynamic-range optical radiation sensor
US9275676B2 (en) 2014-02-28 2016-03-01 Seagate Technology Llc Skew compensation in a patterned medium
US9575226B2 (en) * 2014-09-22 2017-02-21 The Chinese University Of Hong Kong Positive microcontact printing
US10294359B2 (en) 2014-12-30 2019-05-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
US10011713B2 (en) 2014-12-30 2018-07-03 Dow Global Technologies Llc Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
US11021630B2 (en) 2014-12-30 2021-06-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
JP6632340B2 (ja) * 2015-01-30 2020-01-22 キヤノン株式会社 密着層形成組成物、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、インプリント用モールドの製造方法、およびデバイス部品
WO2016120944A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer-forming composition, method of manufacturing cured product pattern, method of manufacturing optical component, method of manufacturing circuit board, method of manufacturing imprinting mold, and device component
TWI612379B (zh) 2015-02-26 2018-01-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件
US9269384B1 (en) 2015-05-29 2016-02-23 Seagate Technology Llc Template misalignment and eccentricity error compensation for a patterned medium
US9864145B2 (en) * 2015-08-12 2018-01-09 Nanoprecision Products, Inc. Multiplexer/demultiplexer using stamped optical bench with micro mirrors
US9880366B2 (en) 2015-10-23 2018-01-30 Nanoprecision Products, Inc. Hermetic optical subassembly
US10322436B2 (en) * 2016-10-06 2019-06-18 Nano And Advanced Materials Institute Limited Method of coating interior surfaces with riblets
KR101989600B1 (ko) * 2017-12-20 2019-09-30 한국세라믹기술원 다층구조의 기능성 패턴 형성 방법.
CN111186209B (zh) * 2018-11-15 2022-03-29 广东聚华印刷显示技术有限公司 转印模具、图案化膜层的制备方法及其应用
US11718023B2 (en) 2020-05-18 2023-08-08 Qatar Foundation For Education, Science And Community Development 3D printing based on self-assembled molecular building blocks for materials design and bio-applications
WO2023036720A1 (en) * 2021-09-07 2023-03-16 Merck Patent Gmbh Selective self-assembled monolayers via spin-coating method for use in dsa
CN115373217B (zh) * 2022-04-07 2025-05-09 南京大学 一种基于力化学反应的分子图案化表面的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006003592A2 (en) * 2004-06-30 2006-01-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Soft lithographic stamp with a chemically patterned surface

Family Cites Families (291)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4623674A (en) * 1985-06-21 1986-11-18 Union Carbide Corporation Polymer/polyols of substituted styrenes and polyurethanes made therefrom
US4877647A (en) * 1986-04-17 1989-10-31 Kansas State University Research Foundation Method of coating substrates with solvated clusters of metal particles
US4797357A (en) * 1986-05-30 1989-01-10 Eastman Kodak Company Light-stable reducible compounds and analytical compositions, elements and methods utilizing same
AU4951690A (en) 1988-12-30 1990-08-01 David M. Anderson Stabilized microporous materials and hydrogel materials
US5328810A (en) * 1990-05-07 1994-07-12 Micron Technology, Inc. Method for reducing, by a factor or 2-N, the minimum masking pitch of a photolithographic process
US5354489A (en) * 1990-08-30 1994-10-11 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Method for changing the viscosity of a fluid comprising a liquid crystal compound
US5622668A (en) * 1992-02-07 1997-04-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for preparing oriented polymer structures and said structures
EP0588482B1 (en) * 1992-08-07 1997-11-05 Fujikura Kasei Co., Ltd. Electro-sensitive composition
US5382373A (en) * 1992-10-30 1995-01-17 Lord Corporation Magnetorheological materials based on alloy particles
SG49596A1 (en) * 1992-11-25 1998-06-15 Hoechst Celanese Corp Metal ion reduction in bottom anti-reflective coatings for photoresists
US5482656A (en) * 1993-03-04 1996-01-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-linear optical devices employing a polysilane composition and a polysilane composition therefor
TW272976B (zh) * 1993-08-06 1996-03-21 Ciba Geigy Ag
US6776094B1 (en) * 1993-10-04 2004-08-17 President & Fellows Of Harvard College Kit For Microcontact Printing
US5512131A (en) * 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
US5538655A (en) * 1994-06-29 1996-07-23 Arthur D. Little, Inc. Molecular complexes for use as electrolyte components
US5607824A (en) * 1994-07-27 1997-03-04 International Business Machines Corporation Antireflective coating for microlithography
JPH0867893A (ja) * 1994-08-19 1996-03-12 Lubrizol Corp:The 極性固体および有機半導体の電気流動性流体
US5620850A (en) * 1994-09-26 1997-04-15 President And Fellows Of Harvard College Molecular recognition at surfaces derivatized with self-assembled monolayers
US5700902A (en) * 1995-07-27 1997-12-23 Circe Biomedical, Inc. Block copolymers
DE69516528T2 (de) * 1995-08-04 2000-11-23 International Business Machines Corp., Armonk Lithografie oder dünnschicht modifizierung
US6309580B1 (en) * 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US20030080471A1 (en) * 2001-10-29 2003-05-01 Chou Stephen Y. Lithographic method for molding pattern with nanoscale features
US5879853A (en) * 1996-01-18 1999-03-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Top antireflective coating material and its process for DUV and VUV lithography systems
US6096636A (en) 1996-02-06 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Methods of forming conductive lines
DE69707325T2 (de) * 1996-02-26 2002-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bilderzeugungsmaterial und Verfahren
US6190949B1 (en) * 1996-05-22 2001-02-20 Sony Corporation Silicon thin film, group of silicon single crystal grains and formation process thereof, and semiconductor device, flash memory cell and fabrication process thereof
US6143647A (en) * 1997-07-24 2000-11-07 Intel Corporation Silicon-rich block copolymers to achieve unbalanced vias
JPH1081889A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Bridgestone Corp 電気粘性流体用粉体
US6048623A (en) * 1996-12-18 2000-04-11 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method of contact printing on gold coated films
US5904824A (en) 1997-03-07 1999-05-18 Beckman Instruments, Inc. Microfluidic electrophoresis device
US5958704A (en) * 1997-03-12 1999-09-28 Ddx, Inc. Sensing system for specific substance and molecule detection
US5948470A (en) * 1997-04-28 1999-09-07 Harrison; Christopher Method of nanoscale patterning and products made thereby
US6890624B1 (en) 2000-04-25 2005-05-10 Nanogram Corporation Self-assembled structures
US6368871B1 (en) 1997-08-13 2002-04-09 Cepheid Non-planar microstructures for manipulation of fluid samples
JP3321392B2 (ja) 1997-08-29 2002-09-03 科学技術振興事業団 二重構造連続多孔体とその製造方法
US6884842B2 (en) 1997-10-14 2005-04-26 Alnis Biosciences, Inc. Molecular compounds having complementary surfaces to targets
WO1999037705A1 (en) * 1997-12-09 1999-07-29 The Regents Of The University Of California Block polymer processing for mesostructured inorganic oxide materials
US6111323A (en) * 1997-12-30 2000-08-29 International Business Machines Corporation Reworkable thermoplastic encapsulant
CA2316834C (en) 1998-01-07 2006-01-03 Shearwater Polymers, Inc. Degradable heterobifunctional poly(ethylene glycol) acrylates and gels and conjugates derived therefrom
US6153495A (en) * 1998-03-09 2000-11-28 Intersil Corporation Advanced methods for making semiconductor devices by low temperature direct bonding
AU742976B2 (en) 1998-03-18 2002-01-17 University Of Rochester Macromolecular self-assembly of microstructures, nanostructures, objects and mesoporous solids
US7282240B1 (en) 1998-04-21 2007-10-16 President And Fellows Of Harvard College Elastomeric mask and use in fabrication of devices
US6310138B1 (en) * 1998-06-05 2001-10-30 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Hydrogenated block copolymer and polypropylene resin composition containing the same
US7074498B2 (en) 2002-03-22 2006-07-11 Borealis Technical Limited Influence of surface geometry on metal properties
US6897073B2 (en) * 1998-07-14 2005-05-24 Zyomyx, Inc. Non-specific binding resistant protein arrays and methods for making the same
US6423410B1 (en) * 1998-09-04 2002-07-23 Mds Proteomics, Inc. Ultrasonically generated paramagnetic polymer particles
US6713238B1 (en) * 1998-10-09 2004-03-30 Stephen Y. Chou Microscale patterning and articles formed thereby
WO2000031183A1 (en) 1998-11-24 2000-06-02 The Dow Chemical Company A composition containing a cross-linkable matrix precursor and a poragen, and a porous matrix prepared therefrom
AU778153B2 (en) * 1998-12-08 2004-11-18 Gene Logic, Inc. Process for attaching organic molecules to silicon
US6413587B1 (en) * 1999-03-02 2002-07-02 International Business Machines Corporation Method for forming polymer brush pattern on a substrate surface
US6270946B1 (en) * 1999-03-18 2001-08-07 Luna Innovations, Inc. Non-lithographic process for producing nanoscale features on a substrate
JP4012173B2 (ja) 1999-06-07 2007-11-21 株式会社東芝 多孔質構造体の製造方法、多孔質構造体形成材料、パターン形成方法、パターン形成材料、電気化学セル、および中空糸フィルター
JP3940546B2 (ja) * 1999-06-07 2007-07-04 株式会社東芝 パターン形成方法およびパターン形成材料
JP4127682B2 (ja) 1999-06-07 2008-07-30 株式会社東芝 パターン形成方法
WO2001003208A1 (en) 1999-07-02 2001-01-11 President And Fellows Of Harvard College Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture
US6312971B1 (en) * 1999-08-31 2001-11-06 E Ink Corporation Solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
JP2001110801A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Takeshi Yao パターン形成方法、並びに電子素子、光学素子及び回路基板
US6998152B2 (en) 1999-12-20 2006-02-14 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods utilizing ionic liquids
US6517933B1 (en) * 2000-01-18 2003-02-11 Nano-Tex, Llc Hybrid polymer materials
US6423465B1 (en) * 2000-01-28 2002-07-23 International Business Machines Corporation Process for preparing a patterned continuous polymeric brush on a substrate surface
US6573030B1 (en) * 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
US6284657B1 (en) * 2000-02-25 2001-09-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Non-metallic barrier formation for copper damascene type interconnects
US7163712B2 (en) 2000-03-03 2007-01-16 Duke University Microstamping activated polymer surfaces
US6423474B1 (en) * 2000-03-21 2002-07-23 Micron Technology, Inc. Use of DARC and BARC in flash memory processing
CA2404296A1 (en) * 2000-03-22 2001-09-27 University Of Massachusetts Nanocylinder arrays
US6887332B1 (en) * 2000-04-21 2005-05-03 International Business Machines Corporation Patterning solution deposited thin films with self-assembled monolayers
US7491286B2 (en) * 2000-04-21 2009-02-17 International Business Machines Corporation Patterning solution deposited thin films with self-assembled monolayers
US7291284B2 (en) 2000-05-26 2007-11-06 Northwestern University Fabrication of sub-50 nm solid-state nanostructures based on nanolithography
US6503841B1 (en) * 2000-07-07 2003-01-07 Agere Systems Inc. Oxide etch
US6414164B1 (en) * 2000-07-12 2002-07-02 International Business Machines Corporation Synthesis of soluble derivatives of sexithiophene and their use as the semiconducting channels in thin-film filed-effect transistors
WO2002018080A1 (en) 2000-08-03 2002-03-07 Upepo & Maji Inc. Metal colloidal solution composition and conductor or ink for forming semiconductor pattern comprising it and method for forming conductor or semiconductor pattern
JP3591827B2 (ja) * 2000-08-11 2004-11-24 株式会社東芝 微細構造を有する成形体の製造方法
JP2002083949A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Nec Corp Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
US20020084429A1 (en) * 2000-10-17 2002-07-04 Craighead Harold G. Electron-beam patterning of functionalized self-assembled monolayers
WO2002041043A2 (en) 2000-11-14 2002-05-23 The Regents Of The University Of California Inorganic/block copolymer-dye composites and dye doped mesoporous materials for optical and sensing applications
US6358813B1 (en) * 2000-11-15 2002-03-19 International Business Machines Corporation Method for increasing the capacitance of a semiconductor capacitors
NL1016779C2 (nl) * 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
US6432811B1 (en) 2000-12-20 2002-08-13 Intel Corporation Method of forming structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by Cu diffusion barrier structures
FR2818650B1 (fr) 2000-12-21 2003-02-07 Atofina Procede d'hydrogenation de copolymeres a blocs insatures et copolymeres a blocs hydrogenes
US6518194B2 (en) * 2000-12-28 2003-02-11 Thomas Andrew Winningham Intermediate transfer layers for nanoscale pattern transfer and nanostructure formation
WO2002056021A2 (en) * 2001-01-10 2002-07-18 Symyx Technologies Inc Polymer brushes for immobilizing molecules to a surface
US6566248B1 (en) * 2001-01-11 2003-05-20 Advanced Micro Devices, Inc. Graphoepitaxial conductor cores in integrated circuit interconnects
US6913697B2 (en) 2001-02-14 2005-07-05 Science & Technology Corporation @ Unm Nanostructured separation and analysis devices for biological membranes
CA2451882A1 (en) * 2001-03-14 2002-09-19 University Of Massachusetts Nanofabrication
US6537920B1 (en) * 2001-03-16 2003-03-25 Advanced Micro Devices, Inc. Formation of vertical transistors using block copolymer lithography
US6817293B2 (en) * 2001-03-28 2004-11-16 Dainippon Printing Co., Ltd. Patterning method with micro-contact printing and its printed product
US6924341B2 (en) 2001-03-30 2005-08-02 The Uab Research Foundation Polymer formation in room temperature ionic liquids
AU2002307151A1 (en) 2001-04-06 2002-10-21 Carnegie Mellon University A process for the preparation of nanostructured materials
WO2002085639A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Edge transfer lithography
US20020158432A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 Wain Amir Waheed Infocart
US6809210B2 (en) 2001-06-12 2004-10-26 Lucent Technologies Inc. Method of solvating a metal in an aromatic organic liquid
KR100448170B1 (ko) * 2001-06-23 2004-09-10 주식회사 태평양 폴리에틸렌이민을 친수성 블록으로 갖고 폴리에스테르계고분자를 소수성 블록으로 갖는 양친성 생분해성 블록공중합체 및 이를 이용한 수용액 상에서의 고분자자기조합 회합체
WO2003007396A2 (en) * 2001-07-09 2003-01-23 Plastic Logic Limited Lamellar polymer architecture
US6444318B1 (en) * 2001-07-17 2002-09-03 Surmodics, Inc. Self assembling monolayer compositions
DE10142691B4 (de) * 2001-08-31 2006-04-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Nachweis biochemischer Reaktionen sowie eine Vorrichtung hierfür
US6751491B2 (en) * 2001-09-01 2004-06-15 M Biotech Inc Analyte measuring biosensor chip using image scanning system
DE10145747A1 (de) 2001-09-17 2003-04-03 Solvent Innovation Gmbh Ionische Flüssigkeiten
US20030108664A1 (en) 2001-10-05 2003-06-12 Kodas Toivo T. Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate
US6746825B2 (en) * 2001-10-05 2004-06-08 Wisconsin Alumni Research Foundation Guided self-assembly of block copolymer films on interferometrically nanopatterned substrates
US20040058059A1 (en) * 2001-11-07 2004-03-25 Linford Mathew Richard Funtionalized patterned surfaces
EP1446356A4 (en) * 2001-11-21 2005-04-06 Univ Massachusetts MESOPOROUS MATERIALS AND METHOD
JP3967114B2 (ja) 2001-11-22 2007-08-29 株式会社東芝 加工方法
US7087267B2 (en) * 2001-11-29 2006-08-08 International Business Machines Corporation Materials and methods for immobilization of catalysts on surfaces and for selective electroless metallization
JP3782357B2 (ja) * 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
US7115305B2 (en) 2002-02-01 2006-10-03 California Institute Of Technology Method of producing regular arrays of nano-scale objects using nano-structured block-copolymeric materials
US6958572B2 (en) 2002-02-06 2005-10-25 Ut-Battelle Llc Controlled non-normal alignment of catalytically grown nanostructures in a large-scale synthesis process
WO2003069019A1 (en) 2002-02-11 2003-08-21 Rensselaer Polytechnic Institute Directed assembly of highly-organized carbon nanotube architectures
JP2004002702A (ja) * 2002-02-28 2004-01-08 Merck Patent Gmbh プレポリマー材料、ポリマー材料、インプリンティングプロセスおよびその使用
US6890703B2 (en) 2002-03-06 2005-05-10 International Business Machines Corporation Preparation of crosslinked particles from polymers having activatible crosslinking groups
US6946332B2 (en) 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US7807348B2 (en) * 2002-03-20 2010-10-05 Wisconsin Alumni Research Foundation Optical imaging of nanostructured substrates
US20030178707A1 (en) * 2002-03-21 2003-09-25 Abbott Donald C. Preplated stamped small outline no-lead leadframes having etched profiles
US6765030B2 (en) * 2002-03-22 2004-07-20 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods of forming polymeric structures using carbon dioxide and polymeric structures formed therapy
US20040142578A1 (en) * 2002-03-28 2004-07-22 Ulrich Wiesner Thin film nanostructures
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6656308B2 (en) * 2002-04-22 2003-12-02 International Business Machines Corporation Process of fabricating a precision microcontact printing stamp
US7135241B2 (en) * 2002-05-24 2006-11-14 Board Of Regents, The University Of Texas System Light-emitting block copolymers composition, process and use
US7307343B2 (en) 2002-05-30 2007-12-11 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric materials and methods for making same
US6753250B1 (en) * 2002-06-12 2004-06-22 Novellus Systems, Inc. Method of fabricating low dielectric constant dielectric films
US20030235930A1 (en) * 2002-06-25 2003-12-25 Lucent Technologies Inc. Multi-impression nanofeature production
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US6908861B2 (en) 2002-07-11 2005-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography using an electric field
US7311943B2 (en) * 2002-07-17 2007-12-25 Massachusetts Institute Of Technology Templated monolayer polymerization and replication
US20050008828A1 (en) 2002-07-25 2005-01-13 Trustees Of Stevens Institute Of Technology Patterned polymer microgel and method of forming same
AU2003245004A1 (en) * 2002-07-26 2004-02-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Micro-contact printing method
US6767693B1 (en) * 2002-07-30 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Materials and methods for sub-lithographic patterning of contact, via, and trench structures in integrated circuit devices
US6957608B1 (en) 2002-08-02 2005-10-25 Kovio, Inc. Contact print methods
DE60211685T2 (de) * 2002-08-02 2007-05-10 Sony Deutschland Gmbh Verfahren zur Bindung hydophiler Substanzen an hydrophile Makromoleküle und Immobilisierung derselben auf hydrophoben Oberflächen
EP2233564A3 (en) 2002-10-30 2012-11-21 Hitachi, Ltd. Cell culture sheet comprising a functional substrate with a group of columnar micro-pillars and its manufacturing method
US20040084298A1 (en) * 2002-10-31 2004-05-06 Y.D. Yao Fabrication of nanocomposite thin films for high density magnetic recording media
US6949456B2 (en) 2002-10-31 2005-09-27 Asm Japan K.K. Method for manufacturing semiconductor device having porous structure with air-gaps
TW584670B (en) 2002-10-31 2004-04-21 Academia Sinica Fabrication of nanocomposite thin films for high density magnetic recording media
US6911400B2 (en) * 2002-11-05 2005-06-28 International Business Machines Corporation Nonlithographic method to produce self-aligned mask, articles produced by same and compositions for same
JP2006505686A (ja) 2002-11-07 2006-02-16 ロディア・シミ 両性又は双極性イオン性部分を含む制御された構造のコポリマー
US6699797B1 (en) * 2002-12-17 2004-03-02 Intel Corporation Method of fabrication of low dielectric constant porous metal silicate films
US6930034B2 (en) * 2002-12-27 2005-08-16 International Business Machines Corporation Robust ultra-low k interconnect structures using bridge-then-metallization fabrication sequence
US20040124092A1 (en) 2002-12-30 2004-07-01 Black Charles T. Inorganic nanoporous membranes and methods to form same
US7078276B1 (en) 2003-01-08 2006-07-18 Kovio, Inc. Nanoparticles and method for making the same
US6940485B2 (en) * 2003-01-15 2005-09-06 Xerox Corporation Flexible micron-thin display device
TWI323479B (en) 2003-02-12 2010-04-11 Nantero Inc Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same
DE602004027887D1 (de) 2003-02-12 2010-08-12 Nantero Inc Einrichtungen mit vertikal angeordneten nanofabric
US7001795B2 (en) * 2003-02-27 2006-02-21 Micron Technology, Inc. Total internal reflection (TIR) CMOS imager
TW582059B (en) 2003-03-11 2004-04-01 Ind Tech Res Inst Organic component, method for forming organic semiconductor layer with aligned molecules, and method for forming organic component
US7326514B2 (en) 2003-03-12 2008-02-05 Cornell Research Foundation, Inc. Organoelement resists for EUV lithography and methods of making the same
US7135523B2 (en) 2003-03-14 2006-11-14 Industrial Technology Research Institute Nanoscale helical microstructures and channels from chiral poly(L-lactide) block containing block copolymers
US6812132B2 (en) * 2003-03-21 2004-11-02 Intel Corporation Filling small dimension vias using supercritical carbon dioxide
KR100618184B1 (ko) 2003-03-31 2006-08-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 결정화 방법
US7112617B2 (en) * 2003-04-22 2006-09-26 International Business Machines Corporation Patterned substrate with hydrophilic/hydrophobic contrast, and method of use
JP2004335962A (ja) 2003-05-12 2004-11-25 Seiko Epson Corp 薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
US20060124467A1 (en) 2003-05-20 2006-06-15 Industrial Technology Research Institute Metal nanodot arrays and fabrication methods thereof
EP1479738A1 (en) 2003-05-20 2004-11-24 DSM IP Assets B.V. Hydrophobic coatings comprising reactive nano-particles
US7632544B2 (en) 2003-05-20 2009-12-15 Industrial Technology Research Institute Nanopatterned templates from oriented degradable diblock copolymer thin films
US6989426B2 (en) 2003-06-12 2006-01-24 The Hong Kong Polytechnic University Methods for producing di-block polymers
US7009227B2 (en) * 2003-06-16 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Photodiode structure and image pixel structure
US7045851B2 (en) 2003-06-20 2006-05-16 International Business Machines Corporation Nonvolatile memory device using semiconductor nanocrystals and method of forming same
GB2403847B (en) * 2003-07-01 2005-11-16 Micron Technology Inc Optical channels for multi-level metal optical imagers and method for manufacturing same
US20050238889A1 (en) 2003-07-10 2005-10-27 Nancy Iwamoto Layered components, materials, methods of production and uses thereof
EP1511074B1 (en) 2003-08-01 2015-01-28 Imec A method for selective removal of high-K material
GB0318817D0 (en) 2003-08-11 2003-09-10 Univ Cambridge Tech Method of making a polymer device
US7361991B2 (en) 2003-09-19 2008-04-22 International Business Machines Corporation Closed air gap interconnect structure
AU2004316165B2 (en) * 2003-09-23 2009-03-05 Wisconsin Alumni Research Foundation Using liquid crystals to detect affinity microcontact printed biomolecules
US7374867B2 (en) 2003-10-06 2008-05-20 Intel Corporation Enhancing photoresist performance using electric fields
US7407887B2 (en) 2003-10-16 2008-08-05 The Regents Of The University Of California Nanostructures, nanogrooves, and nanowires
US7862849B2 (en) * 2003-10-17 2011-01-04 Massachusetts Institute Of Technology Nanocontact printing
US7122482B2 (en) 2003-10-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography
GB0325748D0 (en) 2003-11-05 2003-12-10 Koninkl Philips Electronics Nv A method of forming a patterned layer on a substrate
US7056757B2 (en) 2003-11-25 2006-06-06 Georgia Tech Research Corporation Methods of forming oxide masks with submicron openings and microstructures formed thereby
US20050133697A1 (en) 2003-12-23 2005-06-23 Potyrailo Radislav A. Sensor devices containing co-polymer substrates for analysis of chemical and biological species in water and air
US7423164B2 (en) 2003-12-31 2008-09-09 Ut-Battelle, Llc Synthesis of ionic liquids
US6989324B2 (en) 2004-01-15 2006-01-24 The Regents Of The University Of California Fabrication method for arranging ultra-fine particles
US7056849B2 (en) 2004-01-16 2006-06-06 General Electric Company Nanoscale ordered composites of covalent ceramics for high-temperature structural applications via block-copolymer-assisted assembly and method of making
US7405147B2 (en) * 2004-01-30 2008-07-29 International Business Machines Corporation Device and methodology for reducing effective dielectric constant in semiconductor devices
DE102004006545B3 (de) 2004-02-10 2005-08-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufweiten eines Grabens in einer Halbleiterstruktur
US7030495B2 (en) 2004-03-19 2006-04-18 International Business Machines Corporation Method for fabricating a self-aligned nanocolumnar airbridge and structure produced thereby
CN100429142C (zh) 2004-03-24 2008-10-29 哈尔滨工业大学 面向纳米微加工嵌段共聚物模板自组装形态调控方法
US7015113B2 (en) 2004-04-01 2006-03-21 Micron Technology, Inc. Methods of forming trench isolation regions
US20060013956A1 (en) 2004-04-20 2006-01-19 Angelescu Dan E Method and apparatus for providing shear-induced alignment of nanostructure in thin films
EP1742893B1 (en) 2004-04-27 2012-10-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Composite patterning devices for soft lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7625694B2 (en) * 2004-05-06 2009-12-01 Micron Technology, Inc. Selective provision of a diblock copolymer material
WO2006076016A2 (en) 2004-05-21 2006-07-20 Krzysztof Matyjaszewski Conducting polymers
KR101307481B1 (ko) 2004-06-04 2013-09-26 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 인쇄가능한 반도체 소자들의 제조 및 조립 방법과 장치
CN101198902A (zh) 2004-06-30 2008-06-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有化学构图表面的软平版印刷印模
US7387939B2 (en) 2004-07-19 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor structures and capacitor devices
JP4389055B2 (ja) 2004-07-27 2009-12-24 独立行政法人産業技術総合研究所 ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法
US8088293B2 (en) 2004-07-29 2012-01-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming reticles configured for imprint lithography
US20060030495A1 (en) 2004-08-06 2006-02-09 Gregg George L Jr Bullet lubrication formula
JP2006055982A (ja) 2004-08-23 2006-03-02 Ind Technol Res Inst 組織化分解ジブロックコポリマー薄膜からのナノパターン化テンプレート
KR20060020830A (ko) 2004-09-01 2006-03-07 삼성코닝 주식회사 계면활성제를 템플릿으로 이용한 저유전성 메조포러스박막의 제조방법
US7115525B2 (en) 2004-09-02 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Method for integrated circuit fabrication using pitch multiplication
CN1301198C (zh) * 2004-09-08 2007-02-21 吉林大学 以胶体晶体为墨水进行微接触印刷的方法
US20060057051A1 (en) 2004-09-10 2006-03-16 Sheng Dai Highly ordered porous carbon materials having well defined nanostructures and method of synthesis
US20060060863A1 (en) 2004-09-22 2006-03-23 Jennifer Lu System and method for controlling nanostructure growth
JP3926360B2 (ja) 2004-10-13 2007-06-06 株式会社東芝 パターン形成方法およびそれを用いた構造体の加工方法
US7196314B2 (en) * 2004-11-09 2007-03-27 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor and pixel having an anti-reflective coating over the photodiode
DE602004013338T2 (de) * 2004-11-10 2009-06-10 Sony Deutschland Gmbh Stempel für die sanfte Lithographie, insbesondere für das Mikro-Kontaktdruckverfahren und Verfahren zu seiner Herstellung
US7323387B2 (en) 2004-11-12 2008-01-29 Seagate Technology Llc Method to make nano structure below 25 nanometer with high uniformity on large scale
WO2006112887A2 (en) 2004-11-22 2006-10-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Methods and compositions for forming aperiodic patterned copolymer films
US20080032238A1 (en) 2004-11-23 2008-02-07 Lu Jennifer Q System and method for controlling the size and/or distribution of catalyst nanoparticles for nanostructure growth
US20060128165A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-15 3M Innovative Properties Company Method for patterning surface modification
US7666465B2 (en) 2004-12-29 2010-02-23 Intel Corporation Introducing nanotubes in trenches and structures formed thereby
WO2006078952A1 (en) 2005-01-21 2006-07-27 University Of California Methods for fabricating a long-range ordered periodic array of nano-features, and articles comprising same
DE102005005325B4 (de) 2005-02-04 2011-12-15 Adesto Technology Corp., Inc. Verfahren zur Herstellung einer resistiv schaltenden nicht-flüchtigen Speicherzelle
US7341788B2 (en) 2005-03-11 2008-03-11 International Business Machines Corporation Materials having predefined morphologies and methods of formation thereof
US7514764B2 (en) 2005-03-23 2009-04-07 Wisconsin Alumni Research Foundation Materials and methods for creating imaging layers
US7855046B2 (en) 2005-04-07 2010-12-21 The University Of North Carolina At Charlotte Method and apparatus for fabricating shaped structures and shaped structures including one- , two- or three-dimensional patterns incorporated therein
KR100634327B1 (ko) 2005-04-13 2006-10-13 한국기계연구원 롤-투-롤 윤전인쇄방식을 이용한 전자소자의 제조방법 및그 제조장치
KR20060113463A (ko) 2005-04-27 2006-11-02 히다치 막셀 가부시키가이샤 폴리머 기재의 표면개질방법, 폴리머 기재에 도금막을형성하는 방법, 폴리머부재의 제조방법 및 코팅부재
US20060249784A1 (en) * 2005-05-06 2006-11-09 International Business Machines Corporation Field effect transistor device including an array of channel elements and methods for forming
US7767129B2 (en) 2005-05-11 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Imprint templates for imprint lithography, and methods of patterning a plurality of substrates
US7371684B2 (en) 2005-05-16 2008-05-13 International Business Machines Corporation Process for preparing electronics structures using a sacrificial multilayer hardmask scheme
US8399057B2 (en) 2005-06-08 2013-03-19 The Regents Of The University Of California Ordered vertically oriented porous inorganic films produced through solution processing
US7396781B2 (en) 2005-06-09 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting feature size and position
KR100668846B1 (ko) 2005-06-10 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 상변환 기억 소자의 제조방법
US7771917B2 (en) 2005-06-17 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Methods of making templates for use in imprint lithography
CN102016814B (zh) 2005-06-17 2013-10-23 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 纳米粒子制备方法、系统及材料
US7118784B1 (en) 2005-06-27 2006-10-10 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for controlling nucleation in self-assembled films
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
US7776715B2 (en) 2005-07-26 2010-08-17 Micron Technology, Inc. Reverse construction memory cell
US7306083B2 (en) 2005-07-27 2007-12-11 Gm Global Technology Operations, Inc. Magnetorheological fluid device
WO2007019439A2 (en) 2005-08-04 2007-02-15 Angiotech International Ag Block copolymer compositions and uses thereof
US20070045642A1 (en) * 2005-08-25 2007-03-01 Micron Technology, Inc. Solid-state imager and formation method using anti-reflective film for optical crosstalk reduction
US7456928B2 (en) 2005-08-29 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography
EP1760527B1 (en) 2005-09-05 2012-06-06 DWI an der RWTH Aachen e.V. Photochemical method for manufacturing nanometrically surface-decorated substrates
JP4598639B2 (ja) 2005-09-27 2010-12-15 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
US20070183025A1 (en) * 2005-10-31 2007-08-09 Koji Asakawa Short-wavelength polarizing elements and the manufacture and use thereof
WO2007055041A1 (ja) 2005-11-10 2007-05-18 National University Corporation Kyoto Institute Of Technology 配向したシリンダー構造を有するブロック共重合体膜およびその製造方法
US20070122749A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Fu Peng F Method of nanopatterning, a resist film for use therein, and an article including the resist film
DE602006000939T2 (de) * 2006-01-18 2009-07-09 Consiglio Nazionale Delle Ricerche Nanometervorrichtung zur Messung der Leitfähigkeit und Quanteneffekte einzelner Moleküle sowie Verfahren zur Herstellung und Verwendung
KR20080083674A (ko) 2006-01-20 2008-09-18 플렉스트로닉스, 인크 폴리티오펜을 포함하는 정전기 코팅 및 물품
JP2007194175A (ja) 2006-01-23 2007-08-02 Seiko Epson Corp 導体パターン用インク、導体パターン、配線基板及び電気光学装置並びに電子機器
US7347953B2 (en) 2006-02-02 2008-03-25 International Business Machines Corporation Methods for forming improved self-assembled patterns of block copolymers
US20080073743A1 (en) * 2006-02-17 2008-03-27 Lockheed Martin Corporation Templated growth of semiconductor nanostructures, related devices and methods
US20070194403A1 (en) 2006-02-23 2007-08-23 International Business Machines Corporation Methods for fabricating semiconductor device structures with reduced susceptibility to latch-up and semiconductor device structures formed by the methods
US20070208159A1 (en) 2006-03-02 2007-09-06 General Electric Company Poly(arylene ether) block copolymer compositions, methods, and articles
US7579278B2 (en) 2006-03-23 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Topography directed patterning
US20070222995A1 (en) 2006-03-27 2007-09-27 Jennifer Lu Artifact having a textured metal surface with nanometer-scale features and method for fabricating same
KR100753542B1 (ko) 2006-04-19 2007-08-30 삼성전자주식회사 수지 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 커패시터형성 방법
WO2007136351A1 (en) 2006-05-22 2007-11-29 Nanyang Technological University Solution-processed inorganic films for organic thin film transistors
US7723009B2 (en) * 2006-06-02 2010-05-25 Micron Technology, Inc. Topography based patterning
US20070289943A1 (en) 2006-06-14 2007-12-20 Jennifer Lu Block copolymer mask for defining nanometer-scale structures
US7605081B2 (en) 2006-06-19 2009-10-20 International Business Machines Corporation Sub-lithographic feature patterning using self-aligned self-assembly polymers
JP4673266B2 (ja) 2006-08-03 2011-04-20 日本電信電話株式会社 パターン形成方法及びモールド
US20080038467A1 (en) 2006-08-11 2008-02-14 Eastman Kodak Company Nanostructured pattern method of manufacture
JP4421582B2 (ja) * 2006-08-15 2010-02-24 株式会社東芝 パターン形成方法
US20080047930A1 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 Graciela Beatriz Blanchet Method to form a pattern of functional material on a substrate
KR100739000B1 (ko) * 2006-09-11 2007-07-12 삼성전자주식회사 상변화 기억 소자의 형성 방법
KR100771886B1 (ko) 2006-09-27 2007-11-01 삼성전자주식회사 블럭 공중합체를 사용한 미세 콘택홀 형성 방법 및 반도체소자 제조 방법
US7658773B2 (en) 2006-09-29 2010-02-09 Qimonda Ag Method for fabricating a solid electrolyte memory device and solid electrolyte memory device
TWI311337B (en) 2006-10-02 2009-06-21 Au Optronics Corporatio Multi-domain vertical alignment pixel structure and fabrication method thereof
US7592247B2 (en) * 2006-10-04 2009-09-22 International Business Machines Corporation Sub-lithographic local interconnects, and methods for forming same
US7553760B2 (en) * 2006-10-19 2009-06-30 International Business Machines Corporation Sub-lithographic nano interconnect structures, and method for forming same
US8343578B2 (en) * 2006-10-30 2013-01-01 International Business Machines Corporation Self-assembled lamellar microdomains and method of alignment
US7560222B2 (en) 2006-10-31 2009-07-14 International Business Machines Corporation Si-containing polymers for nano-pattern device fabrication
US7514339B2 (en) 2007-01-09 2009-04-07 International Business Machines Corporation Method for fabricating shallow trench isolation structures using diblock copolymer patterning
KR20080069000A (ko) 2007-01-22 2008-07-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US8394483B2 (en) 2007-01-24 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly
US7767099B2 (en) 2007-01-26 2010-08-03 International Business Machines Corporaiton Sub-lithographic interconnect patterning using self-assembling polymers
WO2008096335A2 (en) 2007-02-07 2008-08-14 Yeda Research And Development Co. Ltd. Producing an array of nanoscale structures on a substrate surface via a self-assembled template
US7964107B2 (en) 2007-02-08 2011-06-21 Micron Technology, Inc. Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning
US8083953B2 (en) 2007-03-06 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8557128B2 (en) 2007-03-22 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US20080233297A1 (en) 2007-03-23 2008-09-25 Xerox Corporation Methods of forming a photoreceptor device having a self-assembled patterned binder layer
US7999160B2 (en) 2007-03-23 2011-08-16 International Business Machines Corporation Orienting, positioning, and forming nanoscale structures
US7888228B2 (en) 2007-04-05 2011-02-15 Adesto Technology Corporation Method of manufacturing an integrated circuit, an integrated circuit, and a memory module
US8294139B2 (en) 2007-06-21 2012-10-23 Micron Technology, Inc. Multilayer antireflection coatings, structures and devices including the same and methods of making the same
US8097175B2 (en) 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US7959975B2 (en) 2007-04-18 2011-06-14 Micron Technology, Inc. Methods of patterning a substrate
US8372295B2 (en) 2007-04-20 2013-02-12 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
DE102007024653A1 (de) 2007-05-26 2008-12-04 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Stempel für das Mikrokontaktdrucken und Verfahren zu seiner Herstellung
US8404124B2 (en) 2007-06-12 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces
US8080615B2 (en) 2007-06-19 2011-12-20 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
KR101291223B1 (ko) 2007-08-09 2013-07-31 한국과학기술원 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법
US7732533B2 (en) 2007-08-31 2010-06-08 Micron Technology, Inc. Zwitterionic block copolymers and methods
US7989026B2 (en) 2008-01-12 2011-08-02 International Business Machines Corporation Method of use of epoxy-containing cycloaliphatic acrylic polymers as orientation control layers for block copolymer thin films
US8999492B2 (en) 2008-02-05 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers
US8101261B2 (en) 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
US7696085B2 (en) 2008-02-20 2010-04-13 International Business Machines Corporation Dual damascene metal interconnect structure having a self-aligned via
US7906031B2 (en) 2008-02-22 2011-03-15 International Business Machines Corporation Aligning polymer films
US8168468B2 (en) 2008-02-29 2012-05-01 Freescale Semiconductor, Inc. Method of making a semiconductor device including a bridgeable material
US8426313B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference
US8425982B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids
US8114300B2 (en) 2008-04-21 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Multi-layer method for formation of registered arrays of cylindrical pores in polymer films
US8114301B2 (en) 2008-05-02 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders
US8114468B2 (en) 2008-06-18 2012-02-14 Boise Technology, Inc. Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array
US8088551B2 (en) 2008-10-09 2012-01-03 Micron Technology, Inc. Methods of utilizing block copolymer to form patterns
US8173034B2 (en) 2008-11-17 2012-05-08 Micron Technology, Inc. Methods of utilizing block copolymer to form patterns
US8314206B2 (en) 2008-12-02 2012-11-20 Micron Technology, Inc. Block copolymer-comprising compositions and methods of purifying PS-b-PXVP
US8834956B2 (en) 2009-06-22 2014-09-16 Micron Technology, Inc. Methods of utilizing block copolymer to form patterns

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006003592A2 (en) * 2004-06-30 2006-01-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Soft lithographic stamp with a chemically patterned surface

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI885979B (zh) * 2018-11-05 2025-06-01 美商蘭姆研究公司 蝕刻腔室中的方向性沉積

Also Published As

Publication number Publication date
CN101657757B (zh) 2013-01-16
WO2008131032A1 (en) 2008-10-30
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