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TWI497015B - 背光模組 - Google Patents

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TWI497015B
TWI497015B TW099116986A TW99116986A TWI497015B TW I497015 B TWI497015 B TW I497015B TW 099116986 A TW099116986 A TW 099116986A TW 99116986 A TW99116986 A TW 99116986A TW I497015 B TWI497015 B TW I497015B
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Description

背光模組
本發明涉及一種背光模組，特別涉及一種能夠均勻發光的背光模組。
先前的背光模組通常包括一導光板以及設置在導光板一側的光源。所述導光板包括一入光面、一與所述入光面相連的出光面以及與所述出光面相對設置的底面。所述底面上藉由設置的微型網點以將光線反射至出光面後由所述出光面導出。為了使得所述導光板能夠出光均勻，所述微型網點在靠近光源的一側會分佈得比較稀疏，而在遠離光源的一側會分佈得比較密集。惟，先前的背光模組越來越多地使用發光二極體作為光源，而所述出光面上對應發光二極體位置的出光亮度會明顯地亮於其他位置，從而在出光面靠近光源的一側形成複數明顯的“亮點”(hot spot)，而在出光面離光源最遠一側的亮度則會比整體亮度要暗，形成一條明顯的暗帶，造成導光板出光不均勻的問題。
鑒於此，有必要提供一種出光均勻的導光板。
一種背光模組，其包括複數發光二極體與導光板。該導光板包括入光面、出光面及底面。所述發光二極體間隔均勻地設置在入光面上。所述入光面與出光面垂直相連，所述底面與所述出光面相 對設置並與所述入光面相連接。所述發光二極體發射的光線由入光面進入導光板然後被底面反射至出光面。所述底面上開設有複數向導光板內部凹陷的微型網點結構。所述底面上沿鄰近入光面至遠離入光面的方向依次劃分有複數不連續的網點分佈區。在距離所述入光面最近的網點分佈區內，所述微型網點結構成排排列，每排所述微型網點結構的數量自所述發光二極體向遠離所述發光二極體的方向逐排遞增，且距離所述發光二極體較近的微型網點結構的深度較小且排列得較疏，距離發光二極體較遠的微型網點結構的深度較大且排列得較密。
相對於先前技術，本發明所提供的背光模組藉由採用微型網點結構的深度與其距離光源遠近成正比的設計，以降低所述出光面鄰近發光二極體位置處的亮度，同時提高所述出光面遠離所述發光二極體位置處的亮度。從而消除出光面靠近光源一側所形成的“亮點”及出光面遠離光源一側出現的暗帶，使得所述出光面所發出的光亮度更加均勻。
1‧‧‧背光模組
10‧‧‧導光板
11‧‧‧光源
120‧‧‧入光面
140‧‧‧出光面
160‧‧‧底面
160a‧‧‧微型網點結構
162、162A、162B、162C、162D‧‧‧網點分佈區
164‧‧‧混光區
L‧‧‧長度
W、W1、W2‧‧‧寬度
圖1為本發明實施方式所提供的背光模組的結構示意圖。
圖2為圖1中導光板的底面上微型網點結構的分佈示意圖。
如圖1和圖2所示，本發明實施方式所提供的背光模組1包括導光板10以及位於導光板10一側的光源11。該導光板10包括入光面120、出光面140及底面160。本實施方式中，所述入光面120與出光面140垂直相連，所述底面160與所述出光面140相對設置並與所述入光面120相連接。所述光源11設置在入光面120上，以使得 所述光源11發射的光線經由所述入光面120進入導光板10中，然後經所述底面160反射後由所述出光面140射出。
本實施方式中，所述導光板10還為矩形平板。所述導光板10的材料為透明材料，例如：聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚碳酸酯或聚乙烯樹脂等，並採用射出成型工藝製作。所述光源11為複數發光二極體所組成的發光二極體陣列，所述發光二極體間隔均勻地設置在所述入光面120上。
所述底面160上開設有複數微型網點結構160a。所述微型網點結構160a為向導光板10內部凹陷的圓形凹坑。所述圓形凹坑的最底端與所述底面160之間的垂直距離定義為所述微型網點結構160a的深度。本實施方式中，所述底面160上沿鄰近入光面120至遠離入光面120的方向依次劃分有四個不連續的網點分佈區162包括：162A、162B、162C、162D。除了距離所述入光面最近的網點分佈區162A以外，其他每個網點分佈區162B、162C、162D內的微型網點結構160a呈陣列式排布，相同網點分佈區162內的微型網點結構160a沿垂直於入光面120方向上的排列密度和深度相同。距離入光面120較遠的網點分佈區162內的微型網點結構160a沿垂直於入光面120方向上排列得較密，且深度亦較大。
每相鄰二網點分佈區162之間設置有混光區164，即網點分佈區162A、162B之間、網點分佈區162B、162C之間、網點分佈區162C、162D之間分別設置有混光區164。所述混光區164內的微型網點結構160a的深度由深度較小的網點分佈區162向鄰近的深度較大的網點分佈區162逐漸變大。
在距離所述入光面120最近的網點分佈區162A內，距離所述發光 二極體較近的微型網點結構160a的深度較小且排列得較疏，距離發光二極體較遠的微型網點結構160a的深度較大且排列得較密。
一實施方式中，所述底面160的長度L為220mm，寬度W為130mm。在所述底面160上從靠近入光面120的一側起沿遠離入光面120的方向依次劃分有4個長度均為130mm的矩形網點分佈區：162A、162B、162C、162D。所述網點分佈區162A的寬度W1為30mm，所述網點分佈區162B、162C、162D區的寬度W2均為45mm。所述網點分佈區162B內的微型網點結構160a的深度為2.5μm。所述網點分佈區162C內的微型網點結構160a的深度為3.3μm。所述網點分佈區162D內的微型網點結構160a的深度為3.5μm。所述網點分佈區162A距離入光面120最近，網點分佈區162A的微型網點結構160a的深度和密度按照其與發光二極體之間距離的遠近，於2μm~2.5μm之間的範圍內變化。
因為深度越大的微型網點結構160a所反射的光線越容易由所述出光面140射出，所以所述背光模組1採用微型網點結構160a的深度與其距離發光二極體遠近成正比的設計可以降低所述出光面140鄰近發光二極體位置處的亮度，同時提高所述出光面140遠離所述發光二極體位置處的亮度，以消除出光面140靠近光源一側所形成的“亮點”及出光面140遠離光源一側出現的暗帶，使得所述出光面140所發出的光亮度更加均勻。所述混光區164內的微型網點結構160a的深度採用由相鄰的較淺的網點分佈區162向較深的網點分佈區162逐漸變化的設計，使得不同深度的網點分佈區162所反射的光線能夠充分地混合，從而進一步提高整個導光板10的出光均勻度。
本技術領域的普通技術人員應當認識到，以上的實施方式僅係用來說明本發明，而並非用作為對本發明的限定，只要在本發明的實質精神範圍之內，對以上實施例所作的適當改變和變化均落在本發明要求保護的範圍之內。
120‧‧‧入光面
11‧‧‧光源
160a‧‧‧微型網點結構
162、162A、162B、162C、162D‧‧‧網點分佈區
164‧‧‧混光區

Claims (6)

  1. 一種背光模組，其包括複數發光二極體與導光板，該導光板包括入光面、出光面及底面，所述發光二極體間隔均勻地設置在入光面上，所述入光面與出光面垂直相連，所述底面與所述出光面相對設置並與所述入光面相連接，所述發光二極體發射的光線由入光面進入導光板然後被底面反射至出光面，所述底面上開設有複數向導光板內部凹陷的微型網點結構，其改進在於：所述底面上沿鄰近入光面至遠離入光面的方向依次劃分有複數不連續的網點分佈區，在距離所述入光面最近的網點分佈區內，所述微型網點結構成排排列，每排所述微型網點結構的數量自所述發光二極體向遠離所述發光二極體的方向逐排遞增，且距離所述發光二極體較近的微型網點結構的深度較小且排列得較疏，距離發光二極體較遠的微型網點結構的深度較大且排列得較密。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之背光模組，其中，除了在距離所述入光面最近的網點分佈區以外，其他每個網點分佈區內的微型網點結構呈陣列式排布，相同網點分佈區內的微型網點結構沿垂直於入光面方向上的排列密度和深度相同，距離入光面較遠的網點分佈區內的微型網點結構沿垂直於入光面方向上排列得較密。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之背光模組，其中，除了在距離所述入光面最近的網點分佈區以外，距離入光面較遠的網點分佈區內的微型網點結構的深度較大。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之背光模組，其中，所述網點分佈區的個數為4，與入光面的距離排第二的網點分佈區至距離入光面最遠的網點分佈區內的微型網點結構的深度依次為：2.5μm、3.3μm、3.5μm。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之背光模組，其中，在距離所述入光面最近的網點分佈區內，所述微型網點結構的深度按照微型網點結構與發光二極體之間距離的成正比的關係於2μm~2.5μm之間的範圍內變化。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之背光模組，其中，每相鄰二網點分佈區之間設置有混光區，所述混光區內的微型網點結構的深度由深度較小的網點分佈區向相鄰的深度較大的網點分佈區逐漸變大。
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