TWI495091B

TWI495091B - 陣列基板及多晶矽層的製作方法

Info

Publication number: TWI495091B
Application number: TW101105073A
Authority: TW
Inventors: Chan Jui Liu; Hung Wei Li; Chung Chia Chen; Chun Hsiang Fang
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2012-02-16
Filing date: 2012-02-16
Publication date: 2015-08-01
Also published as: CN102664196B; TW201336057A; CN102664196A

Description

陣列基板及多晶矽層的製作方法

本發明是有關於一種基板及膜層的製作方法，且特別是有關於一種陣列基板及多晶矽層的製作方法。

近年來，隨著光電技術與半導體製造技術的日益成熟，平面顯示器便蓬勃發展起來，其中液晶顯示器基於其低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等優點，更逐漸取代傳統的陰極射線管顯示器而成為近年來顯示器產品之主流。一般而言，液晶顯示器可分為非晶矽薄膜電晶體(amorphous silicon thin film transistor)液晶顯示器及低溫多晶矽薄膜電晶體(low temperature poly-silicon thin film transistor)液晶顯示器等兩種。

由於低溫多晶矽薄膜電晶體具有高載子移動率與高輸出電流等較佳的元件特性，因此其在產品設計上的應用較廣，且常用於高解析度的顯示器中。低溫多晶矽層的形成通常是藉由化學氣相沈積於軟性基板上形成非晶矽層，再以準分子雷射照射非晶矽層，使非晶矽層經由熔融、成核、晶粒成長等步驟而轉變成多晶矽層。然而，由於非晶矽層對於準分子雷射的波長通常具有穿透性，因此準分子雷射照射時所產生的光與熱能有可能傳遞到軟性基板而傷害軟性基板。再者，雖然以玻璃薄片或金屬薄片作為軟性基板可以承受較高的溫度，但由於該些薄片必須藉由黏著層黏貼於載具上，因此光與熱能亦可能破壞黏著層。換言之，目前的低溫多晶矽製程可能會破壞軟性基板、黏著層等構件的特性，而導致該些構件劣化，進而影響顯示器的元件特性。

本發明提供一種陣列基板，其中包括多晶矽層的薄膜電晶體具有良好的元件特性。

本發明另提供一種多晶矽層的製作方法，能避免可撓基板吸收雷射光。

本發明提出一種陣列基板，其包括可撓基板、第一緩衝層、第一阻擋層、第二緩衝層、第二阻擋層以及薄膜電晶體。第一緩衝層配置於可撓基板上。第一阻擋層配置於第一緩衝層上。第二緩衝層配置於第一阻擋層上。第二阻擋層配置於第二緩衝層上。薄膜電晶體配置於第二阻擋層上，其中薄膜電晶體包括多晶矽層。

本發明另提供一種多晶矽層的製作方法。於可撓基板上形成第一緩衝層。於第一緩衝層上形成第一阻擋層。於第一阻擋層上形成第二緩衝層。於第二緩衝層上形成第二阻擋層。於第二阻擋層上形成非晶矽層。以雷射光將非晶矽層轉變成多晶矽層。

基於上述，在本發明之多晶矽層的製作方法中，可撓基板與多晶矽層之間具有多個緩衝層與阻障層，緩衝層與阻障層可以吸收穿透多晶矽層的雷射能量，以最小化傳遞至可撓基板的雷射能量。如此一來，能避免可撓基板劣化。因此，當薄膜電晶體具有以上述方式配置的多晶矽層時，包含此薄膜電晶體的陣列基板具有良好的元件特性。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1E是根據本發明一實施例之多晶矽層的製作方法的流程剖面示意圖。請參照圖1A，首先，於可撓基板110上形成第一緩衝層120。在本實施例中，可撓基板110例如是聚醯亞胺基板、玻璃基板、金屬基板或其他基板。可撓基板110的厚度例如是大於0.01mm。在一實施例中，可撓基板110的玻璃轉換溫度例如是小於400℃。第一緩衝層120的材料例如是包括氮化矽、氧化矽或是氮氧化矽等介電材料，其厚度例如是50nm。第一緩衝層120的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

請參照圖1B，接著，於第一緩衝層120上形成第一阻擋層130。在本實施例中，第一阻擋層130的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是150nm。第一阻擋層130的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

於第一阻擋層130上形成第二緩衝層140。在本實施例中，第二緩衝層140的材料例如是包括非晶矽，其厚度例如是50nm。第二緩衝層140的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

請參照圖1C，然後，於第二緩衝層140上形成第二阻擋層150。在本實施例中，第二阻擋層150的材料的導熱係數例如是小於10 W/mk。第二阻擋層150的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是1000埃至4000埃。第二阻擋層150的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

請參照圖1D，接著，於第二阻擋層150上形成非晶矽層160。在本實施例中，非晶矽層160的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

請同時參照圖1D與圖1E，而後，以雷射光LB將非晶矽層160轉變成多晶矽層170。在本實施例中，雷射光LB的波長例如是300 nm至310 nm，且例如是308 nm。可撓基板110的材料例如是對具有上述波長之雷射光LB具有強吸收能力。多晶矽層170例如是低溫多晶矽。在本實例中，有一部分的雷射光LB例如是會穿透多晶矽層170而進入第二阻擋層150中。然而，由於本實施例是根據雷射光LB的波長，適當地選擇第一與第二阻擋層130、150與第一與第二緩衝層120、140的材料與厚度，尤其是第二阻擋層150與第二緩衝層140的材料與厚度，因此第一與第二阻擋層130、150與第一與第二緩衝層120、140能吸收穿透多晶矽層170的雷射光LB。

舉例來說，在一實施例中，雷射光LB的波長例如是308 nm，第二阻擋層150的材料例如是具有低導熱係數的氧化矽且其厚度例如是1000埃至4000埃，如此一來，第二阻擋層150能大幅吸收雷射光LB所產生的熱量以及降低雷射光LB繼續傳遞至第二阻擋層150下方膜層(諸如可撓基板110)的機率。再者，將第二阻擋層150設計成具有適當厚度，可藉由光學干涉原理使得雷射光LB在經過多晶矽層170與第二阻擋層150的介面或第二阻擋層150與第二緩衝層140的介面時被反射，以降低雷射光LB穿透第二阻擋層150而到達可撓基板110的可能性。此外，由於第二阻擋層150下方更配置有第二緩衝層140，因此第二緩衝層140可以進一步吸收穿透多晶矽層170與第二阻擋層150的剩餘雷射光LB，以進一步防止雷射光LB到達可撓基板110。特別是，在一實施例中，是以非晶矽作為第二緩衝層140的材料，換言之，第二緩衝層140與非晶矽層160對於具有特定波長的雷射光LB具有相似或相同的特性，因此剩餘的雷射光LB幾乎會被第二緩衝層140完全吸收。

一般來說，可撓基板110的玻璃轉換溫度遠小於非晶矽層160的熔融溫度，舉例來說，聚醯亞胺的可撓基板110的玻璃轉換溫度約為410℃，而非晶矽層160的熔融溫度通常大於1410℃。因此，用以將非晶矽層160轉變成多晶矽層170的雷射光LB會產生大量的熱能，而這些熱能可能會傳遞到可撓基板110而導致其軟化、變形或分解。在本實施例中，於可撓基板110與多晶矽層170之間配置具有適當材料與厚度的第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二阻擋層150以及第二緩衝層140，以吸收穿透多晶矽層170的雷射光LB及其所產生的能量，或者使雷射光LB在該些膜層之間的介面被反射，以大幅降低雷射光LB與其所產生的能量穿透及傳遞至可撓基板110的可能性。如此一來，能避免可撓基板110發生劣化或變形，使得可撓基板110能保有其良好特性。

圖2A至圖2D是根據本發明一實施例之多晶矽層的製作方法的流程剖面示意圖。本實施例之多晶矽層的製作方法與前一實施例中所述的多晶矽層的製作方法大致相同，以下針對不同處進行說明，其餘部分可參照前一實施例中所述。請參照圖2A，首先，於載具102上形成黏著層104。在本實施例中，載具102例如是玻璃載具。黏著層104的材料例如是雙面膠帶、單面膠帶或黏著膠體，其形成方法例如是貼附、塗佈或其他方式。黏著層104的耐熱溫度例如是低於350℃。

接著，於黏著層104上形成可撓基板110。在本實施例中，可撓基板110的厚度例如是小於0.1mm。舉例來說，在一實施例中，可撓基板110的材料例如是聚醯亞胺，其厚度例如是小於0.025mm。在一實施例中，可撓基板110的材料例如是玻璃，其厚度例如是小於0.1mm。在一實施例中，可撓基板110的材料例如是金屬，其厚度例如是小於0.08mm。

請參照圖2B，然後，於可撓基板110上形成第一緩衝層120。在本實施例中，第一緩衝層120的材料例如是包括氮化矽、氧化矽或是氮氧化矽等介電材料，其厚度例如是50nm。第一緩衝層120的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

接著，於第一緩衝層120上形成第一阻擋層130。在本實施例中，第一阻擋層130的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是150nm。第一阻擋層130的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

然後，於第一阻擋層130上形成第二緩衝層140。在本實施例中，第二緩衝層140的材料例如是包括非晶矽，其厚度例如是50nm。第二緩衝層140的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

請參照圖2C，接著，於第二緩衝層140上形成第二阻擋層150。在本實施例中，第二阻擋層150的材料的導熱係數例如是小於10 W/mk。第二阻擋層150的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是1000埃至4000埃。第二阻擋層150的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

然後，於第二阻擋層150上形成非晶矽層160。在本實施例中，非晶矽層160的形成方法例如是電漿輔助化學氣相沈積法。

請同時參照圖2C與圖2D，而後，以雷射光LB將非晶矽層160轉變成多晶矽層170。在本實施例中，雷射光LB的波長例如是300 nm至310 nm，且例如是308 nm。可撓基板110的材料與黏著層104的材料例如是對具有上述波長之雷射光LB具有強吸收能力，且可撓基板110的材料與黏著層104的材料的耐熱溫度例如是低於350℃。多晶矽層170例如是低溫多晶矽。

在本實例中，有一部分的雷射光LB例如是會穿透多晶矽層170而進入第二阻擋層150中。然而，由於本實施例是根據雷射光LB的波長，適當地選擇第一與第二阻擋層130、150與第一與第二緩衝層120、140的材料與厚度，尤其是第二阻擋層150與第二緩衝層140的材料與厚度，因此第一與第二阻擋層130、150與第一與第二緩衝層120、140能大幅吸收與阻擋雷射光LB，以避免雷射光LB及其所產生的熱能穿透或傳遞至可撓基板110與黏著層104。其中，第一與第二阻擋層130、150及第一與第二緩衝層120、140吸收與阻擋雷射光LB及其所產生熱能的機制可以參照前一實施例中所述，於此不贅述。

特別一提的是，在本實施例之多晶矽層的製作方法中，是藉由黏著層104將可撓基板110附著至載具102上為例，但在另一實施例中，如圖3所示，可撓基板110也可以直接附著至載具102上並與其接觸，其中可撓基板110可以是塑膠基板。由於其餘膜層的製作皆與前述實施例相同，因此於此不贅述。

在本實施例中，於可撓基板110與多晶矽層170之間配置具有適當材料與厚度的第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二阻擋層150以及第二緩衝層140，以吸收穿透多晶矽層170的雷射光LB及其所產生的能量，或者使雷射光LB在該些膜層之間的介面被反射。如此一來，可以大幅降低雷射光LB與其所產生的能量穿透及傳遞至可撓基板110與黏著層104的可能性。因此，能避免可撓基板110與黏著層104發生劣化、變形或變質，使得可撓基板110與黏著層104能保有其良好特性。

圖4是根據本發明一實施例之陣列基板的剖面示意圖。請參照圖4，陣列基板100包括可撓基板110、第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二緩衝層140、第二阻擋層150以及薄膜電晶體200。在本實施例中，可撓基板110例如是聚醯亞胺基板、玻璃基板或金屬基板。第一緩衝層120配置於可撓基板110上。第一緩衝層120的材料例如是包括氮化矽。第一阻擋層130配置於第一緩衝層120上。第一阻擋層130的材料例如是包括氧化矽。第二緩衝層140配置於第一阻擋層130上。第二緩衝層140的材料例如是包括非晶矽，其厚度例如是介於400至1000埃。第二阻擋層150配置於第二緩衝層140上。第二阻擋層150的導熱係數例如是小於10 W/mk。第二阻擋層150的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是介於1000埃至4000埃。其中，可撓基板110、第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二緩衝層140以及第二阻擋層150的材料、厚度以及製作方法可以參照前文實施例中所述者。

薄膜電晶體200配置於第二阻擋層150上，其中薄膜電晶體200包括多晶矽層170。在本實施例中，多晶矽層170例如是藉由前文實施例中所述的方式製作，而後經由圖案化與摻雜製程以作為薄膜電晶體中的通道層。舉例來說，在本實施例中，多晶矽層170例如是包括通道區、重摻雜區、輕摻雜區、源極區與汲極區。多晶矽層170的材料例如是包括低溫多晶矽。薄膜電晶體200例如是低溫多晶矽薄膜電晶體。

在本實施例中，薄膜電晶體200更包括閘極180、源極182a與汲極182b、畫素電極186、閘極介電層188、層間介電層190以及保護層192、194。其中，閘極介電層188例如是覆蓋多晶矽層170。閘極180例如是配置於閘極介電層188上。層間介電層190例如是覆蓋閘極180與閘極介電層188。源極182a與汲極182b例如是配置於層間介電層190上，且例如是經由閘極介電層188與層間介電層190中的接觸孔188a、190a與多晶矽層170電性連接。保護層192例如是覆蓋層間介電層190以及源極182a與汲極182b。畫素電極186例如是配置於保護層192上，且例如是經由保護層192中的接觸孔192a與汲極182b電性連接。保護層194例如是覆蓋畫素電極186以及保護層192。在本實施例中，薄膜電晶體200例如是更包括銲墊184，其經由配置於層間介電層190與保護層192的接觸孔190a、192a中的接觸插塞196、198與外界電路連接。特別一提的是，雖然在本實施例中是以陣列基板100具有圖4所示之薄膜電晶體200結構為例，但本發明不限於此，換言之，薄膜電晶體200可以具有其他構型。

再者，在一實施例中(未繪示)，陣列基板100例如是更包括載具102，其中可撓基板110配置於載具102與第一緩衝層120之間。在一實施例中(未繪示)，陣列基板100例如是更包括載具102與黏著層104，其中黏著層104配置於載具102與可撓基板110之間。載具102、黏著層104以及可撓基板110的材料與厚度可以參照圖2D與圖3所示的實施例中所述，於此不贅述。

在本實施例中，於可撓基板110與多晶矽層170之間配置具有適當材料與厚度的緩衝層120、140與阻擋層130、150，因此在以諸如雷射光LB等能量光束將非晶矽層轉換成作為通道層的多晶矽層170時，緩衝層120、140與阻擋層130、150可以吸收穿透多晶矽層170的雷射光LB及其所產生的能量，或者使雷射光LB在該些膜層之間的介面被反射。如此一來，可以大幅降低雷射光LB與其所產生的能量穿透及傳遞至可撓基板110與黏著層104的可能性。因此，能避免可撓基板110與黏著層104發生劣化、變形或變質，使得可撓基板110與黏著層104能保有其良好特性。此外，緩衝層120、140與阻擋層130、150亦在製作薄膜電晶體的其他元件時提供緩衝與阻擋的功能，以進一步防止可撓基板110與黏著層104受到破壞。因此，本實施例之陣列基板具有良好的元件特性。此外，本實施例之陣列基板的製作方法可輕易的與現有的陣列基板的製程結合，因此不會造成製作成本的大幅增加，但可大幅提升陣列基板的良率。

圖5是根據本發明一實施例之有機發光裝置的剖面示意圖。在本實施例中，有機發光裝置300包括陣列基板100、第一電極310、有機發光層340以及第二電極370。第一電極310、有機發光層340以及第二電極370配置於陣列基板100上，且有機發光層340位於第一電極310與第二電極370之間。在本實施例中，陣列基板100為圖4所示的陣列基板，其包括可撓基板110、第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二緩衝層140、第二阻擋層150以及薄膜電晶體200，詳細結構可參照圖4所示以及前一實施例中所述，於此省略繪示與描述。在本實施例中，第一電極310例如是陽極以及第二電極370例如是陰極。有機發光裝置300例如是更包括電洞注入層320、電洞傳輸層330、電子傳輸層350以及電子注入層360。電洞注入層320與電洞傳輸層330例如是配置於第一電極310與有機發光層340之間，且電洞注入層320例如是配置於第一電極310與電洞傳輸層330之間。電子注入層360與電子傳輸層350例如是配置於第二電極370與有機發光層340之間，且電子注入層360例如是配置於第二電極370與電子傳輸層350之間。當然，在其他實施例中，也可以省略電洞注入層320、電洞傳輸層330、電子傳輸層350以及電子注入層360的配置。

再者，在一實施例中(未繪示)，陣列基板100中的可撓基板110也可以直接配置於載具102上或經由黏著層104配置於載具102上。載具102、黏著層104以及可撓基板110的配置方式、材料以及厚度可以參照圖2D與圖3所示的實施例中所述，於此不贅述。

在本實施例中，有機發光裝置300具有陣列基板100，陣列基板100中的緩衝層120、140與阻擋層130、150能避免可撓基板110受到用以將非晶矽層轉換成多晶矽層170的雷射光LB的影響，使得可撓基板110保有其良好特性。如此一來，有機發光裝置300具有較佳的元件特性與良率。

特別一提的是，雖然在上述的實施例中是以將多晶矽的製作方法應用於可撓基板中的薄膜電晶體以及有機發光裝置中，但本發明不以此為限。也就是說，多晶矽的製作方法可以應用在各種需要藉由雷射光將非晶矽轉變成多晶矽的元件中，以避免元件中的可撓基板受到雷射光的破壞或影響。

綜上所述，在本發明之多晶矽層的製作方法中，可撓基板與多晶矽層之間具有多個緩衝層與阻擋層，緩衝層與阻擋層可以吸收穿透多晶矽層的雷射能量，以最小化傳遞至可撓基板的雷射能量。如此一來，能避免可撓基板與黏著層劣化，使得可撓基板與黏著層能保有其原本的良好特性。再者，當薄膜電晶體具有以上述方式配置的多晶矽層時，包含此薄膜電晶體的陣列基板或包含上述陣列基板的有機發光裝置或其他裝置亦具有較佳的元件特性。另一方面，由於本發明之多晶矽層的製作方法能輕易地與現有的薄膜電晶體、陣列基板或有機發光裝置等裝置的製程結合，而無需額外添購設備或大幅地改變製作流程，因此不會導致上述元件的製作成本大幅增加，且能使得上述元件具有較佳的良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．陣列基板

102．．．載具

104．．．黏著層

110．．．可撓基板

120、140．．．緩衝層

130、150．．．阻擋層

160．．．非晶矽層

170．．．多晶矽層

180．．．閘極

182a‧‧‧源極

182b‧‧‧汲極

184‧‧‧銲墊

186‧‧‧畫素電極

188‧‧‧閘介電層

188a、190a、192a‧‧‧接觸孔

190‧‧‧層間介電層

192、194‧‧‧保護層

196、198‧‧‧接觸插塞

200‧‧‧薄膜電晶體

300‧‧‧有機發光裝置

LB‧‧‧雷射光

圖1A至圖1E是根據本發明一實施例之多晶矽層的製作方法的流程剖面示意圖。

圖2A至圖2D是根據本發明一實施例之多晶矽層的製作方法的流程剖面示意圖。

圖3是根據本發明一實施例之多晶矽層的剖面示意圖。

圖4是根據本發明一實施例之陣列基板的剖面示意圖。

圖5是根據本發明一實施例之有機發光裝置的剖面示意圖。

110．．．可撓基板

120、140．．．緩衝層

130、150．．．阻擋層

160．．．非晶矽層

LB．．．雷射光

Claims

一種陣列基板，包括：一可撓基板；一第一緩衝層，配置於該可撓基板上；一第一阻擋層，配置於該第一緩衝層上；一第二緩衝層，配置於該第一阻擋層上，其中該第二緩衝層的材料包括非晶矽；一第二阻擋層，配置於該第二緩衝層上；以及一薄膜電晶體，配置於該第二阻擋層上，其中該薄膜電晶體包括一多晶矽層。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該可撓基板包括一聚醯亞胺基板、一玻璃基板或一金屬基板。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該多晶矽層的材料包括低溫多晶矽。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該第二阻擋層的材料的導熱係數小於10W/mk。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該第二阻擋層的厚度為1000埃至4000埃。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該第二阻擋層的材料包括氧化矽。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該第二緩衝層的厚度為400至1000埃。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該第一阻擋層的材料包括氧化矽。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該第一緩衝層的材料包括氮化矽。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，更包括一載具，其中該可撓基板配置於該載具與該第一緩衝層之間。
如申請專利範圍第10項所述之陣列基板，更包括一黏著層，配置於該載具與該可撓基板之間。
如申請專利範圍第11項所述之陣列基板，其中該可撓基板的材料為聚醯亞胺，其厚度小於0.025mm。
如申請專利範圍第11項所述之陣列基板，其中該可撓基板的材料為玻璃，其厚度小於0.1mm。
如申請專利範圍第11項所述之陣列基板，其中該可撓基板的材料為金屬，其厚度小於0.08mm。
如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，更包括：一畫素電極，配置於該薄膜電晶體上且與該薄膜電晶體電性連接；一有機發光層，配置於該畫素電極上；以及一電極層，配置於該有機發光層上，其中該有機發光層位於該畫素電極與該電極層之間。
一種多晶矽層的製作方法，包括：於一可撓基板上形成一第一緩衝層；於該第一緩衝層上形成一第一阻擋層；於該第一阻擋層上形成一第二緩衝層，其中該第二緩衝層的材料包括非晶矽；於該第二緩衝層上形成一第二阻擋層；於該第二阻擋層上形成一非晶矽層；以及以一雷射光將該非晶矽層轉變成一多晶矽層。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該雷射光的波長為300nm至310nm。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該第二阻擋層吸收穿透該多晶矽層的該雷射光。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該第二緩衝層吸收穿透該第二阻擋層的該雷射光。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該可撓基板包括一聚醯亞胺基板、一玻璃基板以及一金屬基板。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該多晶矽層的材料包括低溫多晶矽。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該第二阻擋層的材料的導熱係數小於10W/mk。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該第二阻擋層的厚度為1000埃至4000埃。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該第二阻擋層的材料包括氧化矽。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該第一阻擋層的材料包括氧化矽。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，其中該第一緩衝層的材料包括氮化矽。
如申請專利範圍第16項所述之多晶矽層的製作方法，更包括一載具，其中該可撓基板配置於該載具與該第一緩衝層之間。
如申請專利範圍第27項所述之多晶矽層的製作方法，更包括一黏著層，配置於該載具與該可撓基板之間。
如申請專利範圍第28項所述之多晶矽層的製作方法，其中該可撓基板的材料為聚醯亞胺，其厚度小於0.025mm。
如申請專利範圍第28項所述之多晶矽層的製作方法，其中該可撓基板的材料為玻璃，其厚度小於0.1mm。
如申請專利範圍第28項所述之多晶矽層的製作方法，其中該可撓基板的材料為金屬，其厚度小於0.08mm