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TWI490365B - A cover member, a processing gas diffusion supplying means, and a substrate processing means - Google Patents

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TWI490365B
TWI490365B TW098107140A TW98107140A TWI490365B TW I490365 B TWI490365 B TW I490365B TW 098107140 A TW098107140 A TW 098107140A TW 98107140 A TW98107140 A TW 98107140A TW I490365 B TWI490365 B TW I490365B
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gas
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processing gas
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Application number
TW098107140A
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Inventor
石田壽文
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
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    • H10P72/0421—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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Description

蓋零件、處理氣體擴散供給裝置及基板處理裝置
本發明係關於蓋零件、處理氣體擴散供給裝置以及基板處理裝置，尤其關於對基板施予電漿處理之基板處理裝置用之蓋零件。
通常基板處理裝置具備有收容作為基板之半導體裝置用之晶圓(以下，單稱為「晶圓」)之處理室，和被配置在該處理室之上部之噴淋頭。在如此之基板處理裝置中，處理氣體經噴淋頭之複數之氣體孔被供給至處理室內之處理空間，藉由在該處理空間中自處理氣體所產生之電漿，對晶圓施予電漿處理。
第7圖為概略表示以往之基板處理裝置所具備之噴淋頭之構造的剖面圖。
噴淋頭70具有由導電材所構成之頂部電極板71、垂釣支撐該頂部電極板71之電極板支撐體72，和被設置在該電極板支撐體72內之內部空間73。在內部空間73連接有將處理氣體導入至該內部空間73內之氣體導入管74之一端。再者，在頂部電極板71貫通該頂部電極板71而形成使內部空間73及處理室內(無圖式)連通之複數之氣體供給孔75、76。噴淋頭70係將從處理氣體導入管74被導入至內部空間73之處理氣體經氣體孔75、76而被供給至處理空間。
但是，噴淋頭70因在內部空間73處理氣體從氣體導入管74朝向圖中下方噴出，故通過位於氣體導入管74正下方之氣體穴75之處理氣體之量相對性變多，通過氣體穴76之處理氣體之量相對性少。此時，因處理氣體從各氣體孔75、76均勻被供給至處理空間，故自處理氣體產生之電漿不均勻分布於晶圓上。因此，無法對晶圓表面均勻施予電漿處理，其結果，難以確保電漿處理之面內均勻性。
對此，例如提案有具備在內部空間配置有緩衝板之噴淋頭的基板處理裝置(例如，參照專利文獻1)。如此之噴淋頭係在內部空間73以與氣體導入管74之開口部對向之方式配置緩衝板77(參照第8圖)，該緩衝板77係防止自氣體導入管74噴出之處理氣體直接流入氣體孔75，並且使該處理氣體在內部空間73朝圖中橫方向擴散。依此，防止通過氣體孔75之處理氣體之量極端變多，使處理氣體從各氣體孔75、76均勻供給至處理空間。
[專利文獻1]日本特開平11-054440號公報
但是，有限制噴淋頭70之厚度(圖中上下方向)，無法充分確保內部空間73之高度之情形。此時，當在內部空間73配置上述緩衝板77時，該內部空間73雖然分成上部空間和下部空間，但是任一者之空間因高度極端變 低，故難以增大有關處理氣體朝橫方向之流動(擴散)之傳導率。其結果，因在內部空間73無法使處理氣體充分擴散至橫方向，故無法將處理氣體均勻供給至處理空間，依然難以確保晶圓中之電漿處理之面內均勻性。
本發明之目的係提供可以確保基板中之電漿處理等之面內均勻性之蓋零件、處理氣體擴散供給裝置以及基板處理裝置。
為了達成上述目的，本發明之蓋零件，係用以在基板處理裝置覆蓋開口部的基板處理裝置用的蓋零件，該基板處理裝置具備：收容基板之處理室，和將處理氣體擴散至該處理室內而予以供給之處理氣體擴散供給裝置，和用以將上述處理氣體導入至上述處理氣體擴散供給裝置之至少一個處理氣體導入管，上述處理氣體擴散供給裝置具有被形成在內部且與被收容在上述處理室內之基板表面平行擴展之內部空間，和使該內部空間及上述處理室內連通之複數之氣體孔，上述處理氣體導入管經開口部與上述內部空間連接，上述開口部與上述複數之氣體孔之一部分對向，該蓋零件之特徵為具備：被配置在上述內部空間具有與上述開口部對向之面的遮蔽部；和將上述遮蔽部支撐於特定位置之支撐部。
本發明之蓋零件中，上述遮蔽部之面與被收容在處理室內之基板之表面平行。
本發明之蓋零件中，關於上述內部空間之上述處理氣體之擴散方向的高度為8mm以上。
本發明之蓋零件中，由將上述遮蔽部設為底部並且將上述支撐部設為側壁之圓筒形狀構件所構成，上述側壁具有至少一個以上之貫通孔。
為了達成上述目的，本發明之處理氣體擴散供給裝置係具備收容基板之處理室，和至少一個處理氣體導入管之基板處理裝置所具有之處理體擴散供給裝置，具有被形成在內部且與被收容在上述處理室內之基板表面平行擴展之內部空間，和使該內部空間及上述處理室內連通之複數之氣體孔，和與該複數之氣體孔之一部分對向，並介於上述處理氣體導入管及上述內部空間之間而使上述處理氣體導入管及上述內部空間連通之開口部，將處理氣體擴散至上述處理室內而予以供給之處理氣體擴散供給裝置，其特徵為：具備覆蓋上述開口部之蓋零件，上述蓋零件具備被配置在上述內部空間具有與上述開口部對向之面的遮蔽部；和將上述遮蔽部支撐於特定位置之支撐部。
本發明之處理氣體供給裝置係在申請專利範圍第5項所記載之處理氣體擴散供給裝置中，區劃上述內部空間之壁部、上述遮蔽部以及上述支撐部被一體性形成。
為了達成上述目的，本發明之基板處理裝置具備：收容基板之處理室，和將處理氣體擴散至該處理室內而予以供給之處理氣體擴散供給裝置，和用以將上述處理氣體導入至上述處理氣體擴散供給裝置之至少一個處理氣體導入 管，上述處理氣體擴散供給裝置具有被形成在內部且與被收容在上述處理室內之基板表面平行擴展之內部空間，和使該內部空間及上述處理室內連通之複數之氣體孔，上述處理氣體導入管經開口部與上述內部空間連接，上述開口部與上述複數之氣體孔之一部分對向，其特徵為：上述處理氣體擴散供給裝置具備覆蓋上述開口部之蓋零件，上述蓋零件具備被配置在上述內部空間具有與上述開口部對向之面的遮蔽部；和將上述遮蔽部支撐於特定位置之支撐部。
若藉由本發明之蓋零件、處理氣體擴散供給裝置以及基板處理裝置時，因在與基板表面形成平行擴展之內部空間遮蔽部與處理氣體導入管之開口部對向，故從處理氣體導入管之開口部被導入之處理氣體與遮蔽部衝突而在內部空間與基板表面略平行擴散。即是，為了使處理氣體與基板表面略平行擴散，不需要將內部空間分為上部空間和下部空間。其結果，可以確保有關處理氣體之擴散方向之高度，而增大傳導率，可以將處理氣體均勻供給至處理室內，進而可以確保基板之電漿處理等之面內均勻性。
若藉由本發明之蓋零件，遮蔽部之面因與被收容在處理室內之基板表面平行，故該遮蔽部可以使從處理氣體導入管之開口部所導入之處理氣體在內部空間確實與基板表面平行擴散，進而可以將處理氣體確實均勻供給至處理室 內。
若藉由本發明之蓋零件，因與處理氣體之擴散方法有關之高度為8mm以上，故可以確實增大處理氣體之傳導率。
若藉由本發明之蓋零件，因在覆蓋開口部之圓筒形狀構件之側壁具有至少一個以上之貫通孔，故可以使處理氣體自處理氣體導入管內朝向內部空間與圓筒形狀構件之側面大略垂直噴出。其結果，可以使處理氣體在內部空間更確實與基板表面平行擴散。
若藉由本發明之處理氣體擴散供給裝置時，因區劃內部空間之壁部、遮蔽部以及支撐部被一體性形成，故不用增加處理氣體擴散供給裝置之構成零件之數量，可以確保基板中之電漿處理之面內均勻性。
以下，針對本發明之實施型態，一面參照圖面一面予以說明。
第1圖為概略性表示具備有本實施型態所涉及之蓋零件之電漿處理裝置之構成的剖面圖。該電漿處理裝置係被構成對直徑為例如300mm之半導體晶圓(基板)施予電漿蝕刻，例如RIE(Reactive Ion Etching)或灰化。
在第1圖中，電漿處理裝置10(基板處理裝置)具備例如由真空腔室所構成之處理室11，和被配設在該處理室11內之底面中央部份之載置台12，和在該載置台12 之上方被設置成與載置台12對向之噴淋頭13(處理氣體擴散供給裝置)。
處理室11具有小直徑之圓筒狀之上部室11a，和大直徑之圓筒狀之下部室11b。上部室11a和下部室11b互相連通，處理室11全體被構成氣密。在上部室11a內儲存載置台12或噴淋頭13，在下部室11b內支撐載置台12並且儲存收放冷媒或背側氣體用之配管的支撐箱14。
在下部室11b之底面設置排氣口15，在該排氣口15經排氣管16連接排氣裝置17。該排氣裝置17具有APC(Adaptive Pressure Control)閥、DP(Dry Pump)或TMP(Turbo Molecular Pump)(任一者皆無圖示)，APC閥等係藉由控制部(無圖示)之訊號被控制，將處理室11內全體予以真空排氣，維持在所欲之真空度。另外，在上部室11a之側面設置有晶圓W之搬出搬入口18，該搬出搬入口18藉由閘閥19可開關。再者，上部室11a和下部室11b係由鋁等之導電性之構件所構成，並且接地。
載置台12具有例如屬於導電體之由鋁所構成之梯狀構件的電漿生成用之下部電極20，和為了在後述處理空間內使電場強度均勻，被埋設在下部電極20之上面中央部份，例如屬於介電體之由陶瓷所構成之介電體層21，和用以在載置面靜電吸附晶圓W且固定之靜電夾具22。在載置台12依照下部電極20、介電體層21及靜電夾具22之順序予以疊層。再者，下部電極20經絕緣構件24 被固定在配置在支撐箱14上之支撐台23，成為對處理室11充分電性浮起之狀態。
在下部電極20內形成用以使冷煤流通之冷媒流路25，藉由冷媒流通冷媒流路25，冷卻下部電極20，將載置在靜電夾具22上面之載置面之晶圓W冷卻至所欲之溫度。
靜電夾具22係由介電體所構成，內包有導電性之電極膜26。該電極膜26係由使例如氧化鋁(Al2 O3 )含有碳化鉬(MoC)之電極材料所構成。該電極膜26連接高壓直流電源27，被供給至電極膜26之高壓直流電力使靜電夾具22之載置面及晶圓W之間產生庫倫力而靜電吸附晶圓W並加以固定。
再者，在靜電夾具22開口有釋放用以提高載置面和晶圓W背面之間之熱傳達性之背側氣體之貫通孔28。該貫通孔28係與形成在下部電極20內等之氣體流路29相通，經該氣體流路29釋放出從氣體供給部(無圖示)所供給之氦(He)等之背側氣體。
在下部電極20各經整合器32、33連接供給頻率例如100MHz之高頻電力之第1高頻電源30，和頻率低於第1高頻電源30之例如3.2MHz之高頻電力的第2頻率電源31。藉由第1高頻電源30被供給之高頻電力，係自處理氣體產生電漿，藉由第2高頻電源31所供給之高頻電力形成朝向晶圓W之偏壓電壓，而將電漿中之離子引入至晶圓W之表面。
再者，在下部電極20之上面外緣部，以包圍靜電夾具22之方式，配置有聚焦環34。聚焦環34係在後述之處理空間內，使電漿比晶圓W對向之空間更寬廣，提高在晶圓W之面內的蝕刻速度之均勻性。
在支撐台23之下部外側以包圍該支撐台23之方式設置有隔板35。隔板35係使上部室11a內之處理氣體經被形成在隔板35和上部室11a壁部之間之間隙流通至下部室11b，發揮整理處理氣體之流動的整流板之效用，並且防止後述處理空間內之電漿洩漏至下部室11b。
再者，屬於上部電極之噴淋頭13具有面對於上部室11a內之由導電材所構成之頂部電極板36，和垂吊該頂部電極板之電極板支撐體37(壁部)，和被設置在該電極板支撐體37內之內部空間38，和後述蓋零件50。內部空間38係被收容在處理室11內與被載置在載置台12之晶圓W之表面平行擴展。在內部空間38經開口部39連接處理氣體導入管40之一端，該處理氣體導入管40之另一端連接於處理氣體供給源41。處理氣體供給源41具有處理氣體供給量之控制機構(無圖示)，執行處理氣體之供給量之控制。再者，在頂部電極板36貫通該頂部電極板36而形成使內部空間38及上部室11a內連通之複數之氣體供給孔42(氣體孔)。噴淋頭13係將從處理氣體導入管40被導入至電極板支撐體37內之內部空間38之處理氣體經複數之氣體供給孔42分散供給至上部室11a內。
在電漿處理裝置10中，於上部室11a之周圍，在閘 閥19之上下配置有兩個多重極環形磁鐵43a、43b。在多重極環形磁鐵43a、43b中，複數之各向異性節段柱狀磁鐵(無圖示)被收容在環狀之磁性體之殼體(無圖示)，在該殼體內配置成鄰接之複數之節段柱狀磁鐵之磁極方向互相相反。依此，磁束被形成鄰接之節段柱狀磁鐵間，在位於上部電極之噴淋頭13和下部電極20之間的處理空間之周邊形成磁場，藉由該磁場封閉電漿朝處理空間。並且，即使將電漿處理裝置10之裝置構成設為無具備多重極環形磁鐵43a、43b之裝置構成亦可。
在電漿處理裝置10中，於對晶圓W施予RIE或灰化之時，藉由將處理室11內之壓力調整至所欲之真空度之後，將處理氣體導入至上部室11a內而自第1高頻電源30及第2高頻電源31供給高頻電力，自處理氣體產生電漿，並且將該電漿中之離子引入至晶圓W。
第2圖為概略表示第1圖中之處理氣體擴散供給裝置之構成的剖面圖。
在第2圖中，蓋零件50具備被配置在內部空間38與開口部39對向而覆蓋該開口部39之底部51(遮蔽部)，和在內部空間38將該底部51支撐在與例如內部空間38之圖中上下方向有關之正中央之側壁52(支撐部)，全體呈現一端備開口之中空的圓筒形狀(參照第3圖)。在此，底部51呈現圓板狀，側壁52構成與該底部51垂直。再者，側壁52係以底部51之面被收容在處理室11內而與被載置在載置台12之晶圓W之表面平行之方式， 支撐該底部51。在蓋零件50之開口的一端及電極板支撐體37之間配置有O型環54，藉由該O型環54密閉蓋零件50和電極板支撐體37之間。再者，在側壁52形成有貫通孔53a、53b，自開口部39導入至蓋零件50內之處理氣體，經該貫通孔53a、53b而被導入至內部空間38。
在電漿處理裝置10中，被導入至蓋零件50內之處理氣體衝突至該蓋零件50之底部51。因該底部51與開口部39對向，被導入之處理氣體之流動由於衝突而大彎曲，故被導入的處理氣體不會朝向開口部39之正下方之氣體供給孔42而直接被噴出。並且，衝突至底部51之處理氣體沿著底部51之面而流動，經貫通孔53a、53b，而擴散至內部空間38。在此，如上述般，底部51之面因與被載置於載置台12之晶圓W表面平行，故自貫通孔53a、53b而擴散之處理氣體與側壁52大略垂直噴出，在內部空間38中與晶圓W表面大略平行而被擴散。
若藉由本實施型態所涉及之電漿處理裝置10，則不需要將內部空間38分為上部空間和下部空間(參照第8圖)。其結果，可以在內部空間38確保與處理氣體之擴散方向有關之充分高度，可以增大與處理氣體之擴散方向有關之傳導率。針對內部空間38之高度越大傳導率越大，以下使用第4圖予以說明。
第4圖為用以說明與氣體流動方向有關之傳導率之圖式。
在第4圖中，長方體表示氣體流動之空間，圖中空白 箭號表示氣體之流動方向。再者，將上述空間之高度設為ε，寬度設為ω，將以面(i)及面(i-1)所區劃之空間之長度設為L。將面(i)及面(i-1)中之壓力各以Psi及Ps(i-1)表示，氣體之黏性係數以μ表示，與以面(i)及面(i-1)所區劃之空間之氣體之流動方向有關之傳導率Csi係以下述式(1)表示。
Csi=ε3 ω/12μL．(Psi+Ps(i-1))/2…(1)
若藉由式(1)，傳導率Csi因與空間之高度的立方成比例，故可知空間之高度越大，與流動方向有關之傳導率越大。
再者，在以面(i)及面(i-1)所區劃之空間流動之氣體流量Qsi係以下述式(2)表示。
Csi=Csi(Psi-Ps(i-1))…(2)
若藉由式(1)及(2)時，在特定空間流動之氣體之流量與傳導率成比例，該傳導率因與空間之高度的立方成比例，故氣體流量相當依存於空間之高度，可知高度越大氣體流量越大。
在此，假設將以長方體所表示之空間置換成電漿處理裝置10之內部空間38，複數之氣體供給孔42位於長方體之底面(參照第4圖)，屬於該氣體供給孔49中之一 部分的氣體供給孔42a位於開口部39及蓋零件50之正下方，氣體供給孔42c位於內部空間38之外緣。如上述般，因若充分確保空間之高度，與氣體之擴散方向有關之流量則變大，故藉由不將內部空間38分為上部空間和下部空間，處理氣體從開口部39之正下方的內部空間38(氣體供給孔42a之正上方之空間)充分擴散至離第4圖中右方向之內部空間38(氣體供給孔42c之正上方之空間)。依此，可以從各氣體供給孔42a、42c均勻將處理氣體供給至處理室11內，進而可以確保晶圓W中之電漿處理之面內均勻性。並且，本發明者確認出當內部空間38之高度為8mm以上時，處理氣體更有效果被擴散。
在上述本實施型態中，蓋零件50雖然呈現圓筒形狀，但是蓋零件50之形狀並不限定於此，側壁52即使如第5圖所示般為板狀亦可，即使如第6圖所示般為棒狀亦可。再者，底部51若為覆蓋開口部39之面即可，並不限定於圓板狀。
再者，即使一體性形成該蓋零件和噴淋頭13亦可，依此無需增加構成噴淋頭之零件數，進而不會使噴淋頭13及電漿處理裝置10之製造工程複雜。
[實施例]
接著，針對本發明之實施例予以說明。
實施例1、2
首先，本發明者準備在表面全體形成氧化膜之晶圓Wox，在具備有第2圖所示之蓋零件50之電漿處理裝置10之處理室11內收容晶圓Wox，對該晶圓Wox施予RIE。於結束RIE之後，測量晶圓Wox之表面全體之氧化膜厚，算出蝕刻率及蝕刻率之不均勻度(實施例1)。再者，準備在表面全體形成光阻膜之晶圓Wpr，與實施例1相同施予處理，算出蝕刻率及蝕刻率之不均勻度(實施例2)。
比較例1、2
接著，本發明者在具有緩衝板77(參照第8圖)之噴淋頭70以取代噴淋頭12的電漿處理裝置10之處理室11內，收容在表面全體形成有氧化膜之晶圓Wox，對該晶圓Wox與實施例1相同施予RIE。於結束RIE之後，測量晶圓Wox之表面全體之氧化膜厚，算出蝕刻率及蝕刻率之不均勻度(比較例1)。再者，準備在表面全體形成光阻膜之晶圓Wpr，與比較例1相同施予處理，算出蝕刻率及蝕刻率之不均勻度(比較例2)。
於表1表示上述實施例1、2及比較例1、2之結果。
藉由實施例1、2及比較例1、2，確認即使為晶圓Wox及晶圓Wpr中之任一者，使用具備有蓋零件50取代緩衝板之電漿處理裝置10而施予電漿處理之時，蝕刻率之不均勻度皆為低(均勻性高)之情形。從該結果，可知在具備有蓋零件50之電漿處理裝置10中，晶圓W表面之蝕刻率之不均勻度變低，確保晶圓W之面內均勻性。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧處理室
12‧‧‧載置台
13‧‧‧噴淋頭
38‧‧‧內部空間
39‧‧‧開口部
40‧‧‧處理氣體導入管
42‧‧‧氣體供給孔
50‧‧‧蓋零件
51‧‧‧底部
52‧‧‧側壁
53‧‧‧貫通孔
第1圖為概略性表示具備有本實施型態所涉及之蓋零件之電漿處理裝置之構成的剖面圖。
第2圖為概略表示第1圖中之處理氣體擴散供給裝置之構成的的剖面圖。
第3圖為概略表示第1圖中之蓋零件之構成的斜視圖。
第4圖為用以說明與氣體流動有關之傳導率之圖式。
第5圖為概略表示蓋零件之第1變形例的斜視圖。
第6圖為概略表示蓋零件之第2變形例的斜視圖。
第7圖為概略表示以往之噴淋頭之構成的剖面圖。
第8圖為概略性表示具備緩衝板之以往噴淋頭之構成的剖面圖。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧處理室
11a‧‧‧上部室
11b‧‧‧下部室
12‧‧‧載置台
13‧‧‧噴淋頭
14‧‧‧支撐箱
15‧‧‧排氣口
16‧‧‧排氣管
17‧‧‧排氣裝置
18‧‧‧搬出搬入口
19‧‧‧閘閥
20‧‧‧下部電極
21‧‧‧介電體層
22‧‧‧靜電夾具
23‧‧‧支撐台
24‧‧‧絕緣構件
25‧‧‧冷媒流路
26‧‧‧電極膜
27‧‧‧高壓直流電源
28‧‧‧貫通孔
29‧‧‧氣體流路
30‧‧‧第1高頻電源
31‧‧‧第2高頻電源
32‧‧‧整合器
33‧‧‧整合器
34‧‧‧聚焦環
35‧‧‧隔板
36‧‧‧頂部電極板
37‧‧‧電極板支撐體
38‧‧‧內部空間
39‧‧‧開口部
40‧‧‧處理氣體導入管
41‧‧‧處理氣體導入管
42‧‧‧氣體供給孔
43a‧‧‧多重極環形磁鐵
43b‧‧‧多重極環形磁鐵
50‧‧‧蓋零件

Claims (13)

  1. 一種蓋零件，用以在基板處理裝置覆蓋開口部，該基板處理裝置具備：收容基板之處理室；將處理氣體擴散至該處理室內而予以供給之處理氣體擴散供給裝置；及用以將上述處理氣體導入至上述處理氣體擴散供給裝置之至少一個處理氣體導入管；上述處理氣體擴散供給裝置具有與被收容在上述處理室內之基板表面平行擴展之內部空間，和使該內部空間和上述處理室內連通之複數之氣體孔，上述處理氣體導入管經開口部與上述內部空間連通，且被連接於上述處理氣體擴散供給裝置，上述開口部被配置成與上述複數之氣體孔之一部分對向，該蓋零件之特徵為具有：與上述開口部對向，且覆蓋該開口部的遮蔽部；和在上述內部空間支撐上述遮蔽部的側壁，上述側壁係以與上述遮蔽部構成垂直，且與被處理體之表面成為平行之方式，支撐上述遮蔽部，具有使上述開口部和上述內部空間連通的至少一個連通部，上述內部空間之上述處理氣體之擴散方向的高度為8mm以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之蓋零件，其中， 上述遮蔽部之面與被收容在處理室內之基板之表面平行。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之蓋零件，其中係將上述遮蔽部設為底部並且將上述支撐部設為側壁之圓筒形狀構件。
  4. 一種處理氣體擴散供給裝置，為具備收容基板之處理室，和至少一個處理氣體導入管之基板處理裝置所具有的處理氣體擴散供給裝置，其特徵為具備：被形成在內部且與被收容在上述處理室內之基板表面平行擴展之內部空間；使該內部空間及上述處理室內連通之複數之氣體孔；與該複數之氣體孔之一部分對向，介於上述處理氣體導入管及上述內部空間之間而使上述處理氣體導入管內及上述內部空間連通之開口部；及覆蓋上述開口部之蓋零件，上述蓋零件具有：與上述開口部對向，且覆蓋該開口部的遮蔽部；和在上述內部空間支撐上述遮蔽部的側壁，上述側壁係以與上述遮蔽部構成垂直，且與被處理體之表面成為平行之方式，支撐上述遮蔽部，具有使上述開口部和上述內部空間連通的至少一個連通部。
  5. 一種處理氣體擴散供給裝置，其特徵為具備：形成開口部之支撐部； 具有複數之氣體供給孔的平板；與上述開口部連通，包含上述支撐部和上述平板之構成的內部空間；及被設置在上述內部空間，與上述開口部連接之蓋零件；上述蓋零件具有：與上述開口部對向，且覆蓋該開口部的遮蔽部；和在內部空間支撐上述遮蔽部的側壁，上述側壁係以與上述遮蔽部構成垂直，且與被處理體之表面成為平行之方式，支撐上述遮蔽部，具有使上述開口部和上述內部空間連通的至少一個連通部，至少上述氣體供給孔之一部分位於上述蓋零件之正下方，藉由上述內部空間之高度被設定成8mm以上，上述處理氣體擴散至上述內部空間內，從上述氣體供給孔均勻地供給。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所記載之處理氣體擴散供給裝置，其中區劃上述內部空間之壁部、上述遮蔽部以及上述支撐部被一體性形成。
  7. 如申請專利範圍第4或5項所記載之處理氣體擴散供給裝置，其中上述遮蔽部係由圓筒形狀構件所構成。
  8. 如申請專利範圍第4或5項所記載之處理氣體擴散 供給裝置，其中上述蓋零件係透過O型環而被密封於上述支撐部。
  9. 一種基板處理裝置，具備：收容基板之處理室；將處理氣體擴散至該處理室內而予以供給之處理氣體擴散供給裝置；及用以將上述處理氣體導入至上述處理氣體擴散供給裝置之至少一個處理氣體導入管，上述處理氣體擴散供給裝置具有被形成在內部且與被收容在上述處理室內之基板表面平行擴展之內部空間，和使該內部空間及上述處理室內連通之複數之氣體孔，上述處理氣體導入管經開口部與上述內部空間連接，上述開口部係與上述複數之氣體孔之一部分對向，該基板處理裝置之特徵為：上述處理氣體擴散供給裝置具備覆蓋上述開口部之蓋零件，上述蓋零件具有與上述開口部對向，且覆蓋該開口部的遮蔽部；和在上述內部空間支撐上述遮蔽部的側壁，上述側壁係以與上述遮蔽部構成垂直，且與被處理體之表面成為平行之方式，支撐上述遮蔽部，具有使上述開口部和上述內部空間連通的至少一個連通部。
  10. 一種基板處理裝置，其特徵為具備： 收容基板之處理室；將處理氣體擴散至上述處理室內而予以供給之處理氣體擴散供給裝置；用以將上述處理氣體導入至上述處理氣體擴散供給裝置之至少一個處理氣體導入管；及連接用以將上述處理室內予以真空排氣之排氣裝置的排氣管，上述處理氣體擴散供給裝置具有：形成開口部之支撐部；具有複數之氣體供給孔的平板；與上述開口部連通，包含上述支撐部和上述平板之構成的內部空間；及被設置在上述內部空間，與上述開口部連接之蓋零件，上述蓋零件具有：與上述開口部對向，且覆蓋該開口部的遮蔽部；在上述內部空間支撐上述遮蔽部的側壁，上述側壁係以與上述遮蔽部構成垂直，且與被處理體之表面成為平行之方式，支撐上述遮蔽部，具有使上述開口部和上述內部空間連通的至少一個連通部，至少上述氣體供給孔之一部分位於上述蓋零件之正下方，藉由上述內部空間之高度被設定成8mm以上，上述處理氣體擴散至上述內部空間內，從上述氣體供給孔均勻 地供給。
  11. 如申請專利範圍第9或10項所記載之基板處理裝置，其中上述遮蔽部之面與被收容於處理室內之基板之表面平行。
  12. 如申請專利範圍第9或10項所記載之基板處理裝置，其中上述遮蔽部係由圓筒形狀構件所構成。
  13. 如申請專利範圍第9或10項所記載之基板處理裝置，其中上述蓋零件係透過O型環而被密封於上述支撐部。
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