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TWI488100B - 電容式觸控螢幕 - Google Patents

電容式觸控螢幕 Download PDF

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TWI488100B
TWI488100B TW102122004A TW102122004A TWI488100B TW I488100 B TWI488100 B TW I488100B TW 102122004 A TW102122004 A TW 102122004A TW 102122004 A TW102122004 A TW 102122004A TW I488100 B TWI488100 B TW I488100B
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TW
Taiwan
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sensing electrodes
substrate
touch
touch screen
touch control
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Application number
TW102122004A
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English (en)
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TW201501004A (zh
Inventor
liang-hua Mo
Chen Li
Original Assignee
Focaltech Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Description

電容式觸控螢幕
本發明是關於一種觸控式顯示裝置,特別是一種電容式觸控螢幕。
目前,電容式觸控螢幕廣泛應用於各種電子產品,已經逐漸滲透到人們工作和生活的各個領域。越來越多的電容式觸控螢幕開始支援無源筆和手的觸控操作,但是手和無源筆的觸控引起的互電容的改變量是不同的,手的觸控引起的互電容的改變量較大,一般手的觸控位置的檢測是通過互電容原理實現的;無源筆由於觸控接觸較面積較小,往往不足以引起足夠的互電容的改變量,因此,無源筆的觸控檢測一般是利用自電容原理實現的,但是當同時使用複數個無源筆進行觸控操作時,採用自電容原理檢測螢幕經常會出現鬼點(Ghost point)問題,因此,自容式觸控螢幕不能夠實現真正的多點觸控。
因此,如何準確地檢測手和無源筆的觸控位置,且能夠實現多點觸控係為本案之發明人以及從事此相關行業之技術領域者亟欲改善的課題。
有鑑於此,本發明實施例提供一種電容式觸控 螢幕,包括:襯底、複數個感應電極及觸控控制晶片。複數個感應電極設置於襯底上,此些感應電極排列成二維陣列。觸控控制晶片置於襯底上,觸控控制晶片與此些感應電極之中的每一感應電極分別通過導線相連接,觸控控制晶片配置為利用測試精度可調的檢測電路檢測每一感應電極的自電容變化量而確定觸控訊號。
本發明實施例公開的電容式觸控螢幕,通過將觸控控制晶片與每個感應電極分別通過導線相連接,並設置於襯底上,多個感應電極排列成二維陣列,且感應電極之間沒有物理連接,從而能夠實現真正的多點觸控,並且利用觸控控制晶片配置測試精度可調的檢測電路來檢測每一個感應電極的自電容變化量,可以使得電容式觸控螢幕可以根據觸控物件的不同設置不同的測試精度,從而實現觸控位置的準確檢測。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點,其內容足以使任何熟習相關技藝者瞭解本發明之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。
2a-2d‧‧‧感應電極
10‧‧‧觸控控制晶片
11‧‧‧電容式觸控螢幕
15‧‧‧光學膠
16‧‧‧襯底
17‧‧‧異性導電膜
18‧‧‧覆蓋層
19‧‧‧感應電極
21‧‧‧觸摸
22‧‧‧總線
23‧‧‧時脈控制電路
24‧‧‧驅動源
25‧‧‧檢測電路
41‧‧‧驅動源
42-43‧‧‧電容
45‧‧‧測量單元
V1-V3‧‧‧電壓
S1/S2‧‧‧受控開關
V3_s‧‧‧高電位
V3_t‧‧‧低電位
Cx‧‧‧對地電容
Cb‧‧‧調整電容
phase1-phase3‧‧‧相位
S701‧‧‧驅動感應電極
S702‧‧‧調整測試精度
S703‧‧‧檢測感應資料
S704‧‧‧確定觸控位置
圖1為本發明實施例的電容式觸控螢幕的示意圖。
圖2為本發明實施例的感應電極陣列的俯視圖。
圖3為本發明實施例的感應電極的工作電路。
圖4A-4C為本發明實施例的感應電極的掃描時序示意圖。
圖5為本發明實施例的觸控檢測電路圖。
圖6為本發明實施例的觸控檢測電路時序圖。
圖7為本發明實施例的觸控檢測方法流程圖。
為了使本公開的目的、特徵和優點能夠更加的明顯易懂,下面將結合本公開實施例中的附圖,對本公開實施例的技術方案進行描述。顯然,所描述的實施例僅僅是本發明的一部分實施例。基於本公開實施例,本領域技術人員在不付出創造性勞動的前提下所獲得的任何其他實施例,都應當屬於本發明的保護範圍。為便於說明,表示結構的剖面圖不依一般比例而作局部放大。而且,附圖只是示例性的,其不應限制本發明的保護範圍。此外,在實際製作中應包含長度、寬度以及深度的三維尺寸。
第1圖是本發明實施例的電容式觸控螢幕的示意圖。如第1圖所示,電容式觸控螢幕11包括:襯底16;設置於襯底16上的多個感應電極19,多個感應電極19排列成二維陣列;以及設置於襯底16上的觸控控制晶片10。觸控控制晶片10與每個感應電極19分別通過導線相連接,觸控控制晶片10配置為利用測試精度可調的檢測電路檢測每一個感應電極的自電容變化量,從而確定觸控訊號,檢測電路將在後文中詳細描述。
襯底16可以是透明的,例如是玻璃襯底或柔性襯底;襯底16也可以是不透明的,例如是印製電路板。襯底16上設置有多個感應電極19,多個感應電極19排列成二維陣列,可以是矩形陣列或任何其他形狀的二維陣列。對於電容式觸控螢幕11,每個感應電極19是一個電容傳感器,電容傳感器的電容在觸控螢幕上相應位置被觸摸時發生變化。
在一些實施態樣中,感應電極19上方設置有覆蓋層18(Cover Lens)以保護感應電極19。
在一些實施態樣中,感應電極19上方設置有光學膠15(Optical Clear Adhesive;OCA)。再者,光學膠15設置於覆蓋層18與感應電極19之間。
每個感應電極19通過導線連接到觸控控制晶片10,觸控控制晶片10設置於襯底16上。由於與每個感應電極19分別通過導線相連接,觸控控制晶片10的管腳很多,因此,將觸控控制晶片10設置於襯底16上能夠避免常規封裝的困難。
在一些實施態樣中,觸控控制晶片10可通過玻璃覆晶(Chip-on-Glass,簡稱COG)方式或柔性覆晶(Chip-on-Film,簡稱COF)或板上晶片封裝(Chip-on-Board,簡稱COB)方式設置於襯底16上。如第1圖所示,觸控控制晶片10與襯底16之間可存在各向異性導電膜(ACF)17。
此外,常規的柔性電路板(FPC)連接要求在 硬件上給觸控控制晶片10和柔性電路板預留空間,不利於系統精簡。而通過玻璃覆晶方式或柔性覆晶方式,觸控控制晶片10與觸控螢幕成為一體,顯著降低了兩者之間的距離,從而減小了整體的體積。此外,由於感應電極19一般通過在襯底16上對氧化銦錫(ITO)進行刻蝕形成,而觸控控制晶片10也位於襯底16上,因此,兩者之間的連線可通過一次氧化銦錫刻蝕完成,顯著簡化了製造工藝。
第2圖是本發明實施例的感應電極陣列的俯視圖。本領域技術人員應理解,第2圖示出的僅僅是感應電極19的一種排列方式,在具體實施中,感應電極19可排列成任何二維陣列。此外,各感應電極19在任一方向上的間距可以是相等的,也可以是不等的。本領域技術人員亦應理解,感應電極19的數量可多於第2圖所示的數量。
本領域技術人員應理解,如第2圖所示僅是感應電極19的一種形狀。根據其他實施例,感應電極19的形狀可以是矩形、菱形、圓形或橢圓形,也可以是不規則形狀。各感應電極19的圖案可以是一致的,也可以是不一致的。例如,中部的感應電極19採用菱形結構,邊緣的採用三角形結構。此外,各感應電極19的大小可以是一致的,也可以是不一致的。例如,靠裡的感應電極19尺寸較大,靠邊緣的尺寸較小,如此有利於走線和邊沿的觸控精度。
請參閱第2圖,每個感應電極19都有導線引出,導線布於感應電極19之間的空隙中。一般而言,導線 儘量均勻,且走線儘量短。此外,導線的走線範圍在保證安全距離的前提下儘量窄,從而留給感應電極19更多的面積,使感應更精確。
各感應電極19可通過導線連接至總線22,總線22將導線直接或者經過一定的排序後與觸控控制晶片10的管腳相連接。對於大螢幕的觸控螢幕,感應電極19的數量可能非常多。在這種情況下,可以用單個觸控控制晶片10控制所有感應電極19;或者,可以通過對螢幕分區,用多個觸控控制晶片10分別控制不同區域的感應電極19,多個觸控控制晶片10之間可進行時脈同步。此時,總線22可分割成若干個總線集,以便與不同的觸控控制晶片10相連接。各觸控控制晶片10控制相同數量的感應電極19,或者控制不同數量的感應電極19。
對於第2圖所示的感應電極陣列,佈線可以在感應電極陣列的同一層上實現。對於其他結構的感應電極陣列,如果同層走線難以實現,導線也可以佈置在不同於感應電極陣列所在層的另一層,通過過孔連接各感應電極。
第2圖所示的感應電極陣列基於自電容的觸控檢測原理。每個感應電極19對應螢幕上特定位置,在第2圖中,感應電極2a/2b/2c/2d表示不同的感應電極。當觸摸21發生在某感應電極所對應的位置時,感應電極上的電荷改變,因此,檢測感應電極上的電荷(電流/電壓),而能夠知道感應電極有沒有發生觸控事件。一般而言,這可以通過類比數位轉換器(ADC)轉換類比值量化為數字來 實現。感應電極的電荷改變量與感應電極被覆蓋的面積有關,例如,第2圖中感應電極2b和感應電極2d的電荷改變量大於感應電極2a和感應電極2c的電荷改變量。
螢幕上的每個位置均有對應的感應電極,感應電極之間沒有物理連接,因此,本公開實施例所提供的電容式觸控螢幕能夠實現真正的多點觸控,避免了現有技術中自電容觸控檢測的鬼點問題。
感應電極層可以通過表面貼合方式與顯示螢幕結合,也可以把感應電極層做到顯示螢幕內部,例如內嵌式(In-Cell)觸控螢幕,還可以把感應電極層做到顯示螢幕上表面,例如外嵌式(on-Cell)觸控螢幕。
第3圖為本發明實施例的感應電極的工作電路,感應電極19同時連接驅動源24和檢測電路25,當感應電極19的自電容發生變化時,變化量可以由檢測電路25檢測出來。感應電極19由驅動源24驅動。於此,驅動源24為電源,即驅動源24可以是電壓源或電流源。對於不同的感應電極19,驅動源24不一定採用相同的結構。例如,可以部分採用電壓源,部分採用電流源。此外,對於不同的感應電極19,驅動源24的頻率可以相同,也可以不同。時脈控制電路23控制各驅動源24工作的時脈。
各感應電極19的驅動時脈有多種選擇。如第4A圖所示,所有感應電極同時驅動,同時檢測。這種方式完成一次掃描所需要的時間最短,驅動源數量最多(與感應電極的數量一致)。
如第4B圖所示,感應電極19的驅動源被分成若干組,每組依次驅動特定區域內的電極。這種方式能夠實現同一個驅動源分時驅動不同電極,從而節省驅動源的數量,但會增加掃描時間,不過,通過選擇合適的分組數量,可以使驅動源複用和掃描時間達到折中,舉例而言,假設每個電極的掃描時間相等為Ts,而規定一幀的總掃描時間為T,那麼定義K=T/Ts,則K值越大,就可以用越少的驅動源分時完成全屏掃描。例如,K=2,代表可以只用1/2的驅動源完成掃描,K=3,代表只需1/3數量的驅動源。
第4C圖示出了常規互電容觸控檢測的掃描方式,假設有N個驅動通道(TX),每個TX的掃描時間為Ts,則掃描完一幀的時間為N*Ts。而採用本實施例的感應電極驅動方法,可以將所有感應電極一起檢測,掃描完一幀的時間最快僅Ts。也就是說,與常規互電容觸控檢測相比,本實施例的方案能夠將掃描頻率提高N倍。
對於一個有40個驅動通道的互電容觸控螢幕,如果每個驅動通道的掃描時間為500微秒(μs),則整個觸控螢幕(一幀)的掃描時間為20毫秒(ms),即幀率為50Hz。50Hz往往不能達到良好使用體驗的要求。本公開實施例的方案可以解決這個問題。通過採用排列成二維陣列的感應電極,所有電極可以同時檢測,在每個電極的檢測時間保持500微秒(μs)的情況下,幀率達到2000Hz。這大大超出了多數觸控螢幕的應用要求。多出來的掃描資料可以被數字信號處理端利用,用於例如抗干擾 或優化觸控軌跡,從而得到更好的效果。
內嵌式(In-Cell)觸控螢幕利用每幀的場消隱時間(Vertical Blanking Interval;VBlank,又稱場逆程)進行掃描,但每幀的場消隱時間僅為2至4毫秒(ms),常規基於互電容的掃描時間卻往往達到5ms甚至更大。為實現內嵌式螢幕的使用,通常減少互電容觸控檢測的掃描時間,具體是減少每個通道的掃描時間,這種方法降低了內嵌式螢幕的信噪比(Signal-to-noise ratio;SNR或S/N),影響了觸控體驗。本公開實施例的方案可以解決這個問題。例如,有十個驅動通道及常規互電容觸控檢測掃描時間為4ms的內嵌式螢幕,每個通道的掃描時間僅為400μs。通過採用本公開實施例的方案,所有電極同時驅動和檢測,則所有電極都掃描完一次僅需400μs。若按上述內嵌式螢幕,掃描時間共有4ms,則還有很多時間剩餘。節省出的時間可以用於多次重複檢測或變頻率檢測等其他檢測,從而大大提高檢測信號的信噪比和抗干擾能力,以得到更好的檢測效果。
第5圖為本發明實施例的觸控檢測電路圖,也是對第3圖中檢測電路25的詳細描述。檢測電路25檢測每個感應電極的自電容。感應電極的自電容可以是其對地的電容。
作為一個示例,可採用電荷檢測法。如第5圖所示,驅動源41提供恆定電壓V1。電壓V1可以是正壓、負壓或接地。兩個受控開關(controlled switch)S1/S2,電 容42表示感應電極的對地電容Cx,對地電容Cx的值在感應電極無觸摸時是固定的,一旦感應電極上有觸摸,對地電容Cx的值就會發生改變。測量單元45可將輸入端電壓鉗位至電壓源V2,並利用電容42把電荷轉成電壓,然後送給類比數位轉換器(ADC)測量,實際中就是根據測量單元45測量的電壓的變化確定感應電極的對地電容Cx的變化,從而確定感應電極上是否有觸摸以及具體的觸摸位置。電容43是一個容量已知,且大小可調的調整電容Cb(或稱可變電容),調整電容Cb一端連接電壓V2,另一端連接電壓V3,其中電壓V3的值為可變。調整電容Cb的作用是調節測量單元45的測試精度。作為另一個示例,也可採用電流源,或者通過感應電極的頻率來獲得其自電容。
第6圖為本發明實施例的觸控檢測電路時序圖,第5圖的電荷測量過程可分為若干個階段,第6圖示出了幾個關鍵的階段。
請參閱第6圖,高電位時表示受控開關S1及受控開關S2連通,低電位時表示受控開關S1及受控開關S2斷開。其中,電壓V3會在高電位V3_s和低電位V3_t之間變化。測量單元45為高電位時,代表電路正在進行取樣量化,測量單元45低電位時代表電路處於等待狀態。下面詳細描述感應電極上從無觸控到有觸控時電荷量的變化。
當電極上沒有觸控時,在相位phase1階段,受控開關S1閉合,受控開關S2斷開,電壓源V3處於高 電位V3_s狀態,對地電容Cx的上極板被充電至驅動源41所提供的電壓V1。此時:對地電容Cx上的電荷Qx=Cx *V1;調整電容Cb上的電荷Qb=Cb*(V2-V3_s);45端的電荷Q45=0。
在相位phase2階段,受控開關S1斷開,受控開關S2閉合,電壓V3從高電位V3_s變化到低電位V3_t狀態,對地電容Cx與測量單元45及調整電容Cb發生電荷交換,穩態時:對地電容Cx上的電荷Qx=Cx *V2;調整電容Cb上的電荷Qb=Cb*(V2-V3_t)。
由於在相位phase1到相位phase2的過程中,電荷是守恆的,因此,Qx+Qb+Q45在兩個階段相等,可以得到在相位phase2階段測量單元45測量的電荷:Q45=(Cx *V1+Cb*(V2-V3_s))-(Cx *V2+Cb*(V2-V3_t))=Cx*(V1-V2)-Cb(V3_s-V3_t)。
即,沒有觸控時測量單元45測量的電壓:V45=K*Q45=K*(Cx*(V1-V2)-Cb(V3_s-V3_t)) (1)。
其中K代表一個增益,在電路中一般通過電容把電荷轉換為電壓,增益K是個可配值。
在相位phase3階段,仍然是受控開關S1斷開,受控開關S2閉合,各節點之間的電荷轉移達到平衡,測量單元45開始量化電荷/電壓值。
由式(1)可以看到,當Q45被量化測量出來 後,只有對地電容Cx的電容值一個變量是未知的,因此可以求出原本的對地電容Cx的電容值。
為保證資料準確,可重複進行相位phase1至相位phase3的過程,而測量得到多個對地電容Cx的電容值,然後取平均值。
當電極上有觸控時,對地電容Cx的電容值的大小會發生改變成Cx’,根據式(1),這個時候測量單元45測量的電荷:Q45’=Cx’*(V1-V2)-Cb(V3_s-V3_t)。即,有觸控時,測量單元45測量的電壓:V45’=K*Q45’=K*(Cx’*(V1-V2)-Cb(V3_s-V3_t)) (2)。
則可得到,當感應電極上有觸控時,引起測量單元45端的電壓變化量為:△V45=V45’-V45=K*(Q45’-Q45)=K(Cx’-Cx)*(V1-V2)=△Cx * K *(V1-V2) (3)。
從式(3)可以看出,根據測量單元45測量的電壓的變化量△V45即可得到感應電極的對地電容Cx的電容值的變化量△Cx,變化量△Cx代表了觸控的感應量,通過變化量△Cx可以知道觸控的大小。
通常情況下,當用手指觸控螢幕時,由於一個手指能覆蓋到2至3個感應電極,觸控的感應量的變化量△Cx相對來說比較大,上述測量的資料不會有太大偏差。但是,當使用無源筆觸控時,由於無源筆與感應電極的觸控面積較小,所以引起的感應電極的對地電容Cx的電容 值的變化量△Cx非常小,如果不做任何處理,直接用類比轉數位轉換器量化式(1)和式(2),會使得式(3)只用到了類比轉數位轉換器很小的一部分量化範圍,造成量化不準確,誤差過大等問題。
由式(1)和式(2)可以看出,通過調整增益K和調整電容Cb的值可以改變△V45的變化範圍。假設用來量化的類比轉數位轉換器量程的範圍是Vm~Vh。那麼對於小信號,最理想的情況是(3)式中的△V45能佔據(Vh-Vm)的全部或大部分範圍,這樣,即使很小的變化量也會量化出很大的差異,有利於提高模擬量的解析精度。具體的調整方法如下:首先,調整電容Cb與增益K的值使得式(1)中的V45等於或接近Vm,V45與Vm的差值可以根據系統應用的不同而不同,同時,調整電容Cb與K的值使得式(2)中的V45’等於或接近Vh,V45’與Vh的差值可以根據系統應用的不同而不同。這樣調整以後,會使得式(3)的△V45能佔據(Vh-Vm)的大部分範圍,從而使得量化精度提高。
在實際應用中,在檢測到有觸摸後,可先判斷觸控物件是手還是無源筆,具體可根據觸控覆蓋的感應電極的數量或觸控物件的特徵來確定,然後針對不同的觸控物件設置不同的調整電容Cb的電容值與增益K的值,以實現不同觸控物件的觸控位置的準確檢測。
第7圖示出了本發明實施例的觸控檢測方法 流程圖。當感應電極上有觸控發生時,感應電極的電容會改變,這個改變量通過類比數位轉換器(ADC)轉換成數字量,就能恢復出觸控訊號,一般而言,電容改變量與感應電極被觸控遮蓋的面積相關。
於本實施例,以下具體描述觸控位置的檢測方法。
驅動感應電極(步驟S701);用電壓源或電流源驅動設置於電容式觸控螢幕襯底上的感應電極;調整測試精度(步驟S702);根據觸控物件的不同,利用調整電容Cb調整感應電極的測試精度。
檢測感應資料(步驟S703);根據所設置的測試精度檢測感應電極的電壓或頻率或電量。
確定觸控位置(步驟S704)。
根據感應電極的電壓或頻率或電量等感應資料及被觸控的感應電極對應的座標,採用重心算法即可得到手指觸控位置的座標。例如,當一個觸控發生時,第2圖中的感應電極2a/2b/2c/2d被手指遮蓋,對應的感應資料分別為PT1,PT2,PT3,PT4,假設我們把橫座標定位x方向,縱座標定位y方向,且感應電極2a-2d所對應的坐標分別為x1,x2,x3,x4。則採用重心算法得到的手指觸控位置的座標是: Xtouch=(PT1*x1+PT2*x2+PT3*x3+PT4*x4)/(PT1+PT2+PT3+PT4)
這裡僅僅以一維重心算法示例,實際坐標由二維重心算法決定。
本實施例中利用可調基準調整電容Cb可根據觸控物件的不同調整感應電極的測試精度,針對不同的觸控物件採用不同的測試精度檢測感應電極的電壓或頻率或電荷量,從而實現觸控位置的準確檢測。
對所公開的實施例的上述說明,使本領域技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域技術人員來說將是顯而易見的,本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的範圍的情況下,在其它實施例中實現。因此,本發明不應被限制於所公開的這些實施例,而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。
雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾,皆應涵蓋於本發明的範疇內,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧觸控控制晶片
11‧‧‧電容式觸控螢幕
15‧‧‧光學膠
16‧‧‧襯底
17‧‧‧異性導電膜
18‧‧‧覆蓋層
19‧‧‧感應電極

Claims (11)

  1. 一種電容式觸控螢幕,包括:一襯底:複數個感應電極,設置於該襯底上,該些感應電極排列成二維陣列;以及一觸控控制晶片,置於該襯底上,該觸控控制晶片與該些感應電極之中的每一該感應電極分別通過導線相連接,該觸控控制晶片配置為利用測試精度可調的一檢測電路檢測每一該感應電極的自電容變化量而確定一觸控訊號。
  2. 如請求項1所述的電容式觸控螢幕,其中測試精度可調的該檢測電路包括:一電源;一待測電容,具有一端接地,另一端通過一開關與該電源連接,該待測電容在有觸摸時電容值發生改變;一可調電容,兩端連接該電源,通過改變自身電容值來調整該檢測電路之測試精度;以及一測量單元,連接於該可調電容,根據該檢測電路之測試精度測試每一該感應電極的自電容變化量。
  3. 如請求項2所述的電容式觸控螢幕,其中該電源具有單一頻率或複數個頻率。
  4. 如請求項1所述的電容式觸控螢幕,其中該觸控控制晶片利用測試精度可調的該檢測電路檢測每一該感應電極的自電容變化量包括:利用測試精度可調的該檢測電路同時檢測每一該感應電極的自電容變化量。
  5. 如請求項1所述的電容式觸控螢幕,其中該觸控控制晶片利用測試精度可調的該檢測電路檢測每一該感應電極的自電容變化量包括:利用測試精度可調的該檢測電路分組檢測每一該感應電極的自電容變化量。
  6. 如請求項1所述的電容式觸控螢幕,其中該襯底是玻璃襯底,該觸控控制晶片以玻璃覆晶方式設置於該襯底上。
  7. 如請求項1所述的電容式觸控螢幕,其中該襯底是柔性襯底,該觸控控制晶片以柔性覆晶方式設置於該襯底上。
  8. 如請求項1所述的電容式觸控螢幕,其中該襯底是印製電路板,該觸控控制晶片以板上晶片封裝的方式設置於該襯底上。
  9. 如請求項1所述的電容式觸控螢幕,其中該些感應電極的形狀是矩形、菱形、圓形或橢圓形。
  10. 一種電容式觸控螢幕,包括:一襯底;複數個感應電極,設置於該襯底上,該些感應電極排列成二維陣列;以及複數個觸控控制晶片,置於該襯底上,該些觸控控制晶片各別的相應該些感應電極,各該觸控控制晶片與所對應的該些感應電極中的每一該感應電極分別通過導線相連接,各該觸控控制晶片配置為利用測試精度可調的一檢測電路檢測每一該感應電極的自電容變化量而確定一觸控訊號。
  11. 如請求項10所述的電容式觸控螢幕,其中該些觸控控制晶片的時脈同步或不同步。
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