[go: up one dir, main page]

TWI487160B - 使用ｎ－摻質前驅物摻雜有機半導體材料方法、前驅物及電子或光電組件 - Google Patents

使用ｎ－摻質前驅物摻雜有機半導體材料方法、前驅物及電子或光電組件 Download PDF

Info

Publication number
TWI487160B
TWI487160B TW097123214A TW97123214A TWI487160B TW I487160 B TWI487160 B TW I487160B TW 097123214 A TW097123214 A TW 097123214A TW 97123214 A TW97123214 A TW 97123214A TW I487160 B TWI487160 B TW I487160B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
dopant
organic
independently
doping
Prior art date
Application number
TW097123214A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200903879A (en
Inventor
林默特 米夏埃爾
路克斯 安德里亞
哈特曼 霍斯特
Original Assignee
諾瓦發光二極體股份公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 諾瓦發光二極體股份公司 filed Critical 諾瓦發光二極體股份公司
Publication of TW200903879A publication Critical patent/TW200903879A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI487160B publication Critical patent/TWI487160B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/12—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D487/16—Peri-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

使用n－摻質前驅物摻雜有機半導體材料方法、前驅物及電 子或光電組件
本發明係關於使用n－掺質前驅物以掺雜有機半導體材料，於電子或光電組件中做為阻擋層、做為電荷注入層、做為電極材料、做為儲存材料或是做為半導體層本身，係關於相對應前驅物、有機半導體材料及亦關於電子或光電組件。
使用掺雜以改良有機半導體的電性質，特別是導電率為已知，如在無機半導體例如矽半導體的情況亦同。此處，經由產生電荷載體於該基材達到起初非常低的導電率之增加，及，依據所使用掺質而定，達到在該半導體費米能位之變化。在此情況，掺雜造成電荷傳送層導電率的增加，結果使得歐姆損失減少，及係關於接點及該有機層之間的改良電荷載體傳送。以導電率觀點掺雜特徵在於自掺質至鄰近基質分子的電荷轉移(n－掺雜，電子導電率增加)或是藉由自基質分子至鄰近掺質的電荷轉移(p－掺雜，電洞導電率增加)。該電荷轉移可不完全或完全程度地發生及可由解釋FTIR測量(傅立葉變形紅外線光譜)的振動帶而決定。
目前所使用的無機掺質，例如鹼或鹼土金屬(例如銫)或路易士酸(例如FeCl3 )在有機基質材料的情況一般為不利的因為它們的高擴散係數，因為它們損傷電子結構元件的功能及穩定性。這些無機掺質亦伴隨在製造上的困難性，因為它們一般在室溫具高蒸氣壓及會污染在真空製程的製 造系統。鹼或鹼土金屬特別是具其他缺點使得其使用因為其與空氣的高反應性而更困難。這些已知缺點可藉由使用分子n－掺質而避免。
強的分子掺質可為直接作用的掺質(亦即，類似鹼金屬，那些直接發展其作用及不需任何進一步活化方法的掺質；參考上文)，這些實例為四硫富瓦烯或是十甲基二茂鈷(WO 03/088271)。然而，這些物質的一個顯著缺點為對大氣物質(氧及水)的顯著敏感性，使得當使用它們時一般必須採用特殊方法(亦即惰性氣體環境)。
對此的一個替代方案為使用當適當活化例如藉由以光激發時會釋出活性物質的合適前驅物化合物，這些實例包含二苯甲基自由基的二聚體(H.Yokoi等，Chem.Lett.1999,241－242)或是其他無色結晶紫(德國專利10307125 A1)。然而，在此情況，實際掺雜效果為相當低的；特別是，僅經辨識的接受體可使用二苯甲基自由基掺雜。一種特別有效形式的二聚體為聯吡啶及特別是雙咪唑基(J.Ludvik,F.Pragst等，J.Electroanal.Chem.Interfac.Electrochem.1984,180(1－2),141－156)。然而，在此情況存在合成地得到這些化合物之困難性，因為這些化合物需要電化學專門技術，此特別技術必然為技術製造的一個重要限制因素因為電解方法，除了顯著例外例如熔鹽電解，係鮮少用於微細化學物的情況。
咪唑啉，更特定言之2H－咪唑啉，原則上能夠被掺雜之事實係敘述於E.Hasegawa等，有機化學期刊2005,70, 9632－9635。此處在光激發之後電子轉移係在複雜反應順序中假定為第一步驟，然而，此亦表示，對n－掺質，必須發現一種結構，其能儘可能抑制這些連續反應及於是能保持地維持掺雜效果。
本發明目的係克服先前技藝缺點及提供以簡單及有效方式得到有機半傳導材料的n－掺雜之可能性，所得到n－掺質具高密度(有效掺雜強度)及亦為可容易改良的。此外，要提供適合用作相對應n－掺質前驅物的新穎化合物，而且，要提供有機半傳導材料及電子與光電組件。
第一目的係藉由使用根據申請專利範圍第1項的n－掺質前驅物達到，進一步目的係藉由獨立項申請專利範圍第9、10及12項達到，較佳具體實施例係由相依申請專利範圍得到。
令人驚訝地發現若n－掺質前驅物係用於掺雜有機半傳導材料及用做在申請專利範圍第1項所訂定的其他目的，則先前技藝的缺點可被克服。在這些前驅物中，不安定的鍵可藉由合適(一般為光的)激發而可逆地裂解，在根據本發明所使用的化合物中，在激發時，取代基L係以中性自由基(離去基)釋出，結果實際掺質，中間自由基，釋出，此係因為其7π電子結構為非常有效的還原劑；目的為釋出其額外的電子以形成高度穩定的、芳香族陽離子，電子的接受較佳為若接受體(例如周圍宿主物質，後文稱為基質)，此表 示受體被還原，亦即，電掺雜，以形成自由基陰離子。
在根據本發明的用途中，至少下列成分可產生做為成功掺雜操作的最終階段：高度穩定陽離子，一種形式上的氧化還原不活性自由基及周圍基質的自由基陰離子，在此種情況，該氧化還原不活性自由基可維持照樣，選擇性地於溶液中二聚合以形成具密閉電子殼層的分子間後續產品，或是其亦可在特別情況(1,2－雙自由基)成為分子內飽和以形成烯。
原則上，依據所使用物質的電子及立體情況而定，掺雜可經由許多替代反應途徑發生：1.在(較佳為)光激發後均裂為兩個自由基(如上文所敘述)。均裂為中性自由基，且目的為釋出其電子至周圍，及進入氧化還原不活性，穩定自由基。
2.藉由(較佳為)光激發自整個前驅物電子轉移及後續分解中間自由基陽離子為陽離子及為氧化還原不活性，穩定自由基。
3.在(較佳為)光激發後均裂為陽離子及陰離子；此處，目的為使後者可經由電子釋放轉化為氧化還原不活性，穩定自由基，此裂解可在氫化物變化物(亦即L＝H)的情況進行。
電子轉移的有效性，亦即，掺質強度，基本上係依據三個參數而定：陽離子的還原電位(較佳為<－2.3伏特比二茂鐵/二茂鐵＋ ，特佳為<－2.6伏特，最佳為<－2.8伏特)。
離去基形成自由基的傾向，例如，在芳基的情況下此傾向為非常低的，使得在R＝C6 H5 的情況下裂解為相當不會發生的。相反地，苄基(亦即R＝CH2 C6 H5 )為有效穩定化自由基，故在此情況有發生裂解的高傾向。
C－L鍵的強度，此係依據立體及電子情況而定。
與先前技藝相較，根據本發明觀念提供數種將於下文解釋的優點：良好的合成路徑；易於改良；高掺質強度；應用領域廣。
而且，前驅物具相關於氧及濕氣的高穩定性(特別是與掺質例如十甲基二茂鈷相較)，使得當使用它們時不需採取任何特殊保護措施(惰性氣體環境)。
經選擇化學化合物的合成
這些化合物係可經由各種合成路徑取得的。
這些文獻包含合適1,2－二胺基苯與醛或酮的反應，相對應咪唑啉係由水的縮合形成(G.W.H.Cheeseman，化學協會期刊1955.3308－3310)。
然而，根據本發明更有利為將咪唑根離子與做為強親核劑的合適陰離子反應，其產生為中性化合物的掺質。與先前技藝相較，此路徑具較短合成序列及更溫和反應條件之優點。
較佳合成方法：
一般步驟：2－胺基苯咪唑
2－胺基苯咪唑衍生物 自合適芳香族二胺合成2－胺基苯咪唑衍生物係如在文獻中所敘述進行(W.Reid等,J.Prakt.Chem.1959,8,132－149)。
咪唑根離子
一般步驟：多環胍鹽 對所有衍生物接橋至胍衍生物皆以相同方式發生：將10毫莫耳(2.0公克)的1,3－二溴丙烷及15毫莫耳(1.9公克)的K2 CO3 於DMF加至5毫莫耳相對應2－胺基苯並咪唑。於60℃加熱混合物5小時並攪拌，接著於90℃加熱6小時及最後於135℃進一步加熱6小時。過濾出不溶性部分及濃縮濾液，產物以溴鹽沉澱，其係於真空乾燥。
甲矽基陰離子 一般步驟：鹼金屬三有機基甲矽基做為反應成分
此合成係如在文獻(A.G.Brook等美國化學學會期刊1954,76,2333－2338)中所敘述進行。
其他有機金屬係為可商業提供(例如有機鋰及有機鎂化合物)或是係使用標準方法原位得到(例如使用丁基鋰於二乙醚的去質子化)。
掺質合成 A：L＝H的掺質之一般步驟
此合成係如在文獻(R.W.Alder等，美國化學學會期刊1992,507－508)中所敘述進行。
B.一般步驟：2,2－二烷基咪唑啉或鄰羧酸醯胺及衍生物 將相對應陽離子，例如胍離子鹽，懸浮於THF，及將有機金屬化合物耦合對象加入並於室溫攪拌，轉化係藉由不溶性鹽溶解及最後得到乳狀溶液的事實而證實。將水加至此溶液及使用乙醚進行萃取，醚類相於硫酸鎂上乾燥，過濾及濃縮。所得產物為無色固體。
化合物11
根據步驟B合成
1 H－NMR(500MHz,THF－d8 )：δ＝7.47,m,4H；7.05－7.25,m,6H；6.34,m,2H；6.23,m,2H；5.31,s,1H；3.24,m,4H；2.92,m,2H；2.54,m,2H；1.84,m,2H；1.21,m,2H。
化合物12
根據步驟B合成
1 H－NMR(500MHz,THF－d8 )：δ＝7.26,m,2H；7.10,m,2H；7.15,m,1H；6.06,s,2H；3.52,m,2H；3.46,s,2H；3.36,m,2H；2.98,m,2H；2.46,m,2H；2.04,s,6H；1.95,m,2H；1.32,m,2H。
化合物13
根據步驟B合成
1 H－NMR(500MHz,THF－d8 )：δ＝7.78,m,6H；7.35,m,3H；7.28,m,6H；6.51,m,2H；6.34,m,2H；3.34,m,2H；3.04,m,2H；2.83,m,4H；1.83,m,2H；1.17,m,2H。
化合物14
根據步驟A合成
1 H－NMR(500MHz,CDCl3 )：δ＝6.15,s,2H；4.47,s,1H；3.66,m,2H；3.15,m,2H；2.54,m,2H；2.25,m,2H；2.16,s,6H；1.80,m,2H；1.30,m,2H。
化合物15
根據步驟A合成
1 H－NMR(500MHz,CDCl3 )：δ＝7.22,m,2H；7.09,m,2H；6.56,m,2H；4.58,s,1H；4.17,m,2H；3.05,m,2H；2.93,m,2H；2.38,m,2H；2.25,m,2H；1.39,m,2H。
化合物16
根據步驟A合成
1 H－NMR(500MHz,CDCl3 )：δ＝7.52,m,2H；7.15,m,2H；6.65,s,2H；4.63,s,1H；3.87,m,2H；3.29,m,2H；2.69,m,2H；2.36,m,2H；1.97,m,2H；1.47,m,2H。
化合物17(根據形式3b)
起始化合物(三環胍陽離子)係使用敘述於文獻(R.W.Alder等，化學協會期刊化學通訊1992,507)中的步驟合成，成為所欲產品的轉化可根據標準步驟B完成。或者，根據形式3b的化合物可根據：R.D.Kohn,G.Seifert等，Chem.Ber.1996,129(19),21－24製造。
1 H－NMR(500MHz,DMSO－d6 )：δ＝7.43,d,2H；7.14,t,2H；7.06,t,1H；3.25,s,2H；2.7－2.85,m,12H；1.87,m,3H；1.21,m,3H。
化合物18(根據形式2a)
L＝H
L＝H
起始化合物(雙環2－胺基－苯並噁唑)係使用敘述於文獻(A.I.Khalaf等，Tetrahedron 2000,56,8567)中的步驟合成，成為所欲產品的轉化可根據標準步驟A進行。
1 H－NMR(500MHz,DMSO－d6 )：δ＝6.55,m,1H；6.38,m,2H；6.29,m,1H；4.45,s,1H；2.94,t,2H；2.12,t,2H；2.09,s,3H；1.51－1.38,m,4H。
化合物19(根據形式2a)
L＝H
L＝H
起始化合物先根據WO 2005/086251 A2合成為2,3,4,10－四氫嘧啶並[1,2－a]苯並咪唑的中間物，其接著以加熱於DMF烷化以在甲基碘存在下回流以形成咪唑根離子。成為所欲產品的後續轉化係根據步驟A的標準進行。
1 H－NMR(500MHz,DMSO－d6 )：δ＝6.55,m,2H；6.41,m,2H；4.64,s,1H；3.10,s,3H；3.03,t,2H；2.41,t,2H；2.21,s,3H；1.745,m,2H。
根據形式I的化合物
根據具L＝H及X、Y、Z＝N的此形式之化合物係例如揭示於N.I.Korotkikh,O.V：Knishevitskii等，Ukr.Khim.Zhur.2006,72(7－8),32－38，W.Kanthlener,合成科學2005,22,795－841。
變化物：根據具L＝H；X、Y＝NR及Z＝OR的一般形式I之化合物係例如揭示於S.Csihony,D.Culkin等，美國化學協會期刊2005,127(25)，9079－9084，P.Bazinet,T.－G.Ong,等，有機金屬2007,26(11),2885－2895，A.Furstner,L.Ackermann,等，化學歐洲期刊2001,7(15),3236－3253。
根據具L＝H；X＝NR，Y＝O及Z＝NR2 的一般形式I之化合物係例如揭示於A.Malik,N.Afza,S.Siddiqui,Z.Naturforsch.B 1982,37B(4),512－18。
根據具L＝H；X＝S、NR，Y＝S及Z＝NR2 的一般形式I之化合物係例如揭示於S.Eid,M.Guerro,等，Org.Lett.2006,8(11),2377－2380，M.Bssaibis,A.Robert,A.A.Souizi,J.Chem.Soc.Perkin 1 1994,1469－72，M.Murayama,等,Jpn.Kokai Tokkyo Koho 1973,JP 48075582 19731011。
根據形式3c的化合物
此種形式的化合物係例如揭示於W.Kantlehner,E.Haug等,Z.Naturforsch.B 2002,57(4),399－419，W.Kantlehner,合成科學2005,22,795－841。
變化物：根據具L＝H；X、Y＝NR2 及Z＝OR的一般形式I之化合物係例如揭示於H.U.Blank,H.Kraus,等,歐洲專利申請案1993,EP 525536 A2 19930203,I.Wawer,J.Osek,J.Chem.Soc.Perkin 2 1985,1669－1671。
可修改性
掺質強度：有效掺質強度係在兩方面決定：a)咪唑根離子或衍生物的還原電位及b)朝離去基L的自由基形成之傾向,或是C－L鍵的強度。
在使用二苯甲酮的測試中，發現L＝CHPh2 掺雜此物質(藍色因為二苯甲酮自由基陰離子的形成)，然而沒有任何與L＝CH2 Ph的可見反應發生，在合適物系掺雜效應達到(參看下文)。使用L＝苯基做為特別去穩定化自由基，特別是不再有任何可估計效果(除了相關於強接受體做為直接掺質)。
使用相同結構但是不同還原電位的咪唑根離子或衍生物，使用16(CV：約－2.7伏特比二茂鐵)較使用15(約－2.6伏特)得到較強效果(參看掺雜實驗)。
揮發性：根據本發明所使用化合物昇華的傾向可容易地以各種方式適用。
僅管14已在室溫於超高真空昇華，在16活性部分及在12氧化還原－非活性部分被改性(使用重苄基，其係以些微合成努力引入)。化合物16及12皆在較14遠遠為高的溫度(於約70℃)於超高真空昇華。
無機離去基L 氧化還原－非活性部分L不限於有機成分：無機或有機金屬L基亦可以些微努力引入，如使用化合物13所說明，此原則當然不限於矽及可擴充至其他部分。
所以，原則上，L＝OR及OR2 (W.Kantlehner等,J.Prakt.Chem,2000,342,256－268)的化合物亦可根據本發明使用。
可加工性 藉由變化離去基L的相當簡單可修改性使得可適用於各種方法及方法參數，除了昇華溫度之外，亦可以此方式調整溶解度。
掺雜實驗之敘述
一般，n－掺質的還原電位必須符合某些要求：分子及/或中性自由基具HOMO電位低於3.3電子伏特(較佳為低於2.8電子伏特，更佳為低於2.6電子伏特)，給予體的HOMO可由氧化電位的循環伏安測量決定，或者，給予體陽離子的還原電位可在給予體鹽類決定，給予體應具一種氧化電位，其比Fc/Fc＋(二茂鐵/二茂鐵氧化還原對) 係小於或等於約－1.5伏特，較佳為小於或等於約－2.0伏特，更佳為小於或等於約－2.2伏特。
給予體的莫耳實體係介於100及2000公克/莫耳之間，較佳為介於200及1000公克/莫耳之間。
莫耳掺雜濃度介於1：1000(接受者分子：基質分子)及1：2之間，較佳為介於1：100及1：5之間，更佳為介於1：100及1：10之間。在個別情況，掺雜比可考慮為掺雜分子係於較1.2為高的濃度使用，例如當需要特別高的導電率。
給予體可在層製造方法或是後續層製造方法期間由前軀體(參考德國專利103 07 125.3)形成，上文所訂定給予體的HOMO位準則相關於所產生物質。
根據本發明所使用物質的活性部分，亦即咪唑根離子或是衍生物，在循環伏安測量顯現介於－2.6伏特及－2.9伏特(比二茂鐵做為內標物)的減少。
此表示根據本發明所使用掺質(或是在實際面為前軀體)顯現較老舊方法為更佳的掺雜性能，其係基於可比較觀念。
於ZnPc的掺雜實驗15
15係以1：10的比值與ZnPc共蒸發，此樣品係以水銀蒸氣燈於抽氣式系統經由石英玻璃窗照射五分鐘。在照射結束時，物質放置約1小時及接著測量導電率。
測得導電率為2x10－8 姆歐/公分。
於ZnPc的掺雜實驗16
16係以1：10的比值與ZnPc共蒸發，此樣品係以水銀蒸氣燈於抽氣式系統經由石英玻璃窗照射五分鐘。在照射 結束時，物質放置約1小時及接著測量導電率。
測得導電率為7x10－8 姆歐/公分。
於ZnPc的掺雜實驗12
12係以1：10的比值與ZnPc共蒸發，此樣品係以水銀蒸氣燈於抽氣式系統經由石英玻璃窗照射五分鐘。在照射結束時，物質放置約1小時及接著測量導電率。
測得導電率為9x10－8 姆歐/公分。
具特別優勢，掺質強度可在使用二苯甲酮的溶液中證實，此化合物僅在約－2.3伏特(比二茂鐵做為內標物)還原，此值係對應於大多數基質材料的還原電位，及所以此為一種有用的模型化合物。
二苯甲酮形成自由基陰離子的還原反應(亦即一種成功”掺雜”)係由加強藍色所指示。
掺雜強度的証實：11與二苯甲酮於THF的溶液
在充滿氬氣的手套箱中，小樣品11隨著過量十倍重量的二苯甲酮及約3毫升無水THF放置於不透氣－可密封NMR管，旋轉及放置於商業可提供實驗室用UV光(366奈米)約10分鐘。溶液的持久藍色顯示電子自n－掺質成功轉移至弱接受體二苯甲酮，當打開管子及倒出溶液時，其因為與空氣接觸而立即脫色。
掺雜強度的証實：13與二苯甲酮於THF的溶液
在充滿氬氣的手套箱中，小樣品13隨著過量十倍重量的二苯甲酮及約3毫升無水THF放置於不透氣－可密封NMR管，旋轉及放置於商業可提供實驗室用UV光(366奈 米)約10分鐘。溶液的持久藍色顯示電子自n－掺質成功轉移至弱接受體二苯甲酮，當打開管子及倒出溶液時，其因為與空氣接觸而立即脫色。
掺雜強度的証實：14與二苯甲酮的磨碎
在充滿氬氣的手套箱中，小樣品14使用過量十倍重量的二苯甲酮於小瑪瑙碾缽微細地磨碎及放置於不透氣－可密封NMR管，旋轉及放置於商業可提供實驗室用UV光(366奈米)約10分鐘。固體混合物的持久藍－綠色顯示電子自n－掺質成功轉移至弱接受體二苯甲酮，當打開管子及倒空時，粉末因為與空氣接觸而立即脫色。
加工
掺雜層的製造
低分子層典型上係使用真空方法，例如VTE(真空熱蒸鍍)或是OVPD(有機氣相沉積)而氣相沉積，亦可使用真空噴霧方法。
另一種沉積形式係包含物質自載體基質至實際基質的熱或光誘發轉移(例如LITI：雷射轉寫)。
掺雜層典型上係藉由自兩個獨立控制源(基質材料及掺質)的混合氣相沉積而於真空產生，或者是，它們亦可藉由自掺質層相互擴散至下方基質材料層而產生，且所以該兩種材料於真空中一個在另一個之後氣相沉積，亦可熱控制該相互擴散。在一些情況下，掺質必須藉由合適物裡及/或化學方法(例如在光作用下、在磁場及/或電場作用下)在製造方法期間或是在層中活化。
掺雜層的替代製造方法亦包含：－來自一個及該相同來源的基質與掺質的混合物之混合氣相沉積，－由掺質溶液掺雜基質層及溶劑的後續蒸發，特別是藉由熱處理，－藉由施用於表面的掺質層進行基質材料層的表面掺雜，－基質分子與掺質的溶液之製造及藉由習知方法例如溶劑的蒸發或旋轉塗覆由此溶液後續製造該層。
合適基質材料
做為電子傳送層的基質材料，可使用例如富勒烯，例如C60、噁二唑衍生物，例如2－(4－聯苯)－5－(4－第三丁基苯基)－1,3,4－噁二唑、喹啉－基底化合物例如雙(苯基喹噁啉)、或是寡聚賽吩、苝衍生物例如苝四羧酸二酐、萘衍生物例如萘四羧酸二酐、或是其他電子傳送材料，如揭示於A.P.Kulkarni等,Chem.Mater.2004,16,4556。
做為電子傳送層的基質材料，可使用喹啉複合物，例如鋁或其他主族金屬，喹啉配合基亦可為經取代的。特別是，該基質材料可為三(8－羥基－喹啉)鋁，亦可選擇性地使用具O及/或N給予體原子的其他鋁複合物，該喹啉複合物可包含例如一、二或三個喹啉配合基，其他配合基較佳地與在中心原子上的O及/或N給予體原子複合，例如下列Al複合物。
做為基質材料，亦可使用菲羅啉，其可為經取代的或是未經取代的，特別是芳基－取代的，例如苯基－或是萘基－取代的，或者是例如浴銅靈(BCP)。特別是，可使用浴菲繞啉(Bphen)做為基質材料。
做為基質材料，亦可使用雜芳香族化合物例如，特別是，三唑衍生物，選擇性地亦吡咯、咪唑、三唑、吡啶、嘧啶、噠嗪、喹噁啉、吡嗪並－喹噁啉及其類似物。雜芳香族化合物較佳為經取代的，特別是芳基－取代的，例如苯基－或是萘基－取代的，特別是，可使用下列三唑做為基質材料。
要了解在本發明文中先前所提及基質材料亦可與另一個或是與其他材料用於混合物，要了解亦可使用為具半導體性質的合適其他有機基質材料的方法。
所欲用途
使用所敘述化合物以產生有機半導體材料，其可特別是以層或是電子導體路軌的形式排列，可產生包含這些具掺雜有機半導體層的較大數目的電子組件或是裝置。在本發明文中，名稱”電子組件”亦包含光電組件。藉由所敘述化合物，組件的電功能活性區域的電性質可有利地改良，例如其電導性、發光性質或是其類似物。例如，經掺雜層的導電率可被改善及/或在自接觸點進入該經掺雜層的電荷載體注入之改善可達到。
本發明包含特別是有機發光二極體(OLEDs)，有機太陽電池，有機二極體，特別是那些具高整流比例如103 －107 、較佳為104 －107 或105 －107 ，及有機場效電晶體，其可根據本發明製造。
在該電子組件，基於有機基質材料的n－掺雜層可例如以下列層結構存在，該個別層的基底材料或基質材料的每一個較佳為有機的：－M－i－n：金屬－絕緣體－n－掺雜半導體，層M形成金屬基 底接觸點及可為例如ITO、Au、Ag、Al、等，cover contact形成與n－掺雜層的歐姆接點及可例如由Al構成，層”I”為一種未經掺雜層。
－n－i－M：相關於M－i－n結構所敘述的仍可應用，但差別在於歐姆接點係提供於基材上。
－p－i－n：p－掺雜半導體－絕緣體－n－掺雜半導體，－n－i－p：n－掺雜半導體－絕緣體－p－掺雜半導體。
“i"再次為一種未經掺雜層，”p”為一種p－掺雜層，此處接點物質為電洞－注入的，例如包含ITO或金的層或接點可提供於p－側，或是為電子注入的，例如包含ITO、鋁或銀的層或接點可提供於n－側。在以上結構，若必要i層亦可省略，其結果為可得到具p－n或n－p過渡的層序列。
然而，上述化合物的用途並不限於上文所提及具體實施例的實例，特別是，該層結構可由引入額外合適層而補充或是改良。
根據本發明化合物及其衍生物可根據本發明用於電子組件但亦可用於層、導體軌跡、點接點或是其類似物當這些較另一組件佔優勢時，例如以純或基本上純的形式做為注入層。
在另一構形，亦可使用根據本發明n－掺質以改善自陰極的注入，為達此目的，其係提供以在陰極及電子傳送層之間形成基本上由掺質所組成的層，基本上由掺質所組成的層可具超過0.5奈米的層厚度，較佳為介於0.5奈米及20奈米之間，更佳為介於1奈米及10奈米之間，甚至更佳為 介於1奈米及3奈米之間。基本上由掺質所組成的層可以純掺質層形成。
在由溶液加工的情況，可提供基質(選擇性地亦可為半傳導聚合物)及掺質於溶液中的完成配方物。
單體及掺質的配方物亦為可理解的，所釋出自由基在掺質活化之後開始單體的聚合。
而且，合併其他功能性，例如掺質的耦合於主體材料為容易的。
揭示於以上敘述及申請專利範圍的本發明特性於在各種具體實施例以進行本發明的個別及以任何組合皆為重要的。

Claims (18)

  1. 一種n-掺質前驅物的用途，用以掺雜有機半導體材料，於電子或光電組件中做為阻擋層、做為電荷注入層、做為電極材料、做為儲存材料或是做為半導體層本身，該前驅物係選自下列分子式1-3c： 其中L係為一種較佳為由H、CR3 、OR、NR2 及SiR3 所選出的有機、無機或有機金屬離去基，每一個R係獨立地選自H、烷基及芳基；A-B、C-D及E-F各自獨立地為一或更多sp3 -或sp2 -雜交碳原子的佔位；在結構1中，X及Y各自獨立地為S、O、或NR0 或PR0 ，其中R0 為C1 至C10 -烷基或C6 至C12 -芳基及X為NR0 2 、PR0 2 、OR0 或SR0 ；在結構2及2a中，X及Z各自獨立地為S、O、NR0 或PR0 及Y為N或P；在結構3、3a、3b及3c中，X、Y及Z係獨立地為N或P； n為自0至2的整數；及m為自0至2的整數。
  2. 如申請專利範圍第1項的用途，其中L係選自H、第二-烷基、第三-烷基、CH2 Ar、CHAr2 、SiAr3 、SiAr2 -烷基及SiAr1 -烷基2 其中Ar為芳基。
  3. 如申請專利範圍第2項的用途，其中Ar為苯基、噻吩基或呋喃基；第二-烷基為環己基、環戊基、2-丁基或2-丙基；第三-烷基為第三-丁基或金剛烷基。
  4. 如申請專利範圍第1項的用途，其中A-B、C-D及E-F係各自獨立地為-(CH2 )o的佔位，其中o為0-3，-CH=CH-的佔位，或各自獨立地為稠環芳香族的一部份，其選擇性地包含取代基。
  5. 如申請專利範圍第4項的用途，其中A-B、C-D及E-F各自獨立地為1,2-苯並、1,8-萘並、2,3-萘並、2,3-噻吩並、2,3-呋喃並、2,3-吡咯啉並、2,3-(1,4-二噁烷並)或2,3-(1,4-二嗪並)骨架的一部份。
  6. 如申請專利範圍第4或5項的用途，其中該稠環芳香族係包含選自烷基、烷氧基、二烷胺基及二芳胺基的一或更多取代基。
  7. 如申請專利範圍第6項的用途，其中該烷基為甲基，該烷氧基為甲氧基，該二烷胺基為二甲胺基，及/或該二芳胺基為 二苯胺基。
  8. 如申請專利範圍第1項的用途，其中該前驅物係選自下列分子式： 其中L、X、Y、Z、n及m係如在申請專利範圍第1項所述，其中R1 至R10 係各自獨立地選自H、C1 至C10 -烷基、C6 至C12 -芳基、C1 至C10 -烷氧基及C1 至C10 -二烷胺基。
  9. 如申請專利範圍第1項的用途，其中該前驅物係藉由使用電磁輻射活化而轉化為n-掺質。
  10. 如申請專利範圍第9項的用途，其中該電磁輻射係為可見光、UV光或IR光。
  11. 一種根據分子式1a-3e其中一項的化合物， 其中L、X、Y、Z、n及m係如在申請專利範圍第1項所述及R1 至R10 係如在申請專利範圍第8項所述，除了化合物1a及3e其中L為H及R1 至R10 為H。
  12. 一種包含至少一種有機基質化合物及一種掺質的有機半導體材料，其特徵在於該至少一種根據申請專利範圍第1至10項的前驅物係用做該掺質的前驅物。
  13. 如申請專利範圍第12項的有機半導體材料，其中掺質比基質分子的莫耳掺雜比或是掺質比聚合基質分子的單體單元之掺雜比係介於20：1及1：100 000之間。
  14. 如申請專利範圍第12或13項的有機半導體材料，其中該掺質比基質分子的莫耳掺雜比或是掺質比聚合基質分子的單體單元之掺雜比係介於10：1及1：1000之間。
  15. 如申請專利範圍第14項的有機半導體材料，其中該掺質比基質分子的莫耳掺雜比或是掺質比聚合基質分子的單體單元之掺雜比係介於1：1及1：100之間。
  16. 一種包含電功能活性區域的電或光電組件，其特徵在於至少一種根據申請專利範圍第1至10項的前驅物係用於該電活性區域。
  17. 如申請專利範圍第16項的電或光電組件，其中該電活性區域係包含一種有機半導體基質材料其係以至少一種掺質掺雜以使用至少一種根據申請專利範圍第1至10項的前驅物來修飾該半導體基質材料的電子性質。
  18. 如申請專利範圍第16或17項的電或光電組件，其係為有機發光二極體、光電池，有機太陽電池，有機二極體，有機場效電晶體或光起始或磁性儲存裝置的形式。
TW097123214A 2007-06-22 2008-06-20 使用ｎ－摻質前驅物摻雜有機半導體材料方法、前驅物及電子或光電組件 TWI487160B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07012228.8A EP2009014B1 (de) 2007-06-22 2007-06-22 Verwendung eines Precursors eines n-Dotanden zur Dotierung eines organischen halbleitenden Materials, Precursor und elektronisches oder optoelektronisches Bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200903879A TW200903879A (en) 2009-01-16
TWI487160B true TWI487160B (zh) 2015-06-01

Family

ID=38544025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097123214A TWI487160B (zh) 2007-06-22 2008-06-20 使用ｎ－摻質前驅物摻雜有機半導體材料方法、前驅物及電子或光電組件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8920944B2 (zh)
EP (1) EP2009014B1 (zh)
JP (1) JP5701599B2 (zh)
DE (1) DE112008002305A5 (zh)
TW (1) TWI487160B (zh)
WO (1) WO2009000237A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108368058A (zh) * 2015-12-18 2018-08-03 剑桥显示技术有限公司 掺杂剂、电荷转移盐以及有机电子器件

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101703034B1 (ko) 2008-07-18 2017-02-06 유디씨 아일랜드 리미티드 전자 용품을 위한 아자피렌
US9040400B2 (en) 2010-04-05 2015-05-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Air-stable n-channel organic electronic devices
KR20130023237A (ko) 2010-04-05 2013-03-07 더 보드 어브 트러스티스 어브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티 Ｎ-형 도핑된 유기 재료 및 이를 위한 방법
DE102010056519B4 (de) 2010-12-27 2024-11-28 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit dotierten Schichten
US8841591B2 (en) 2011-04-04 2014-09-23 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Grating-enhanced optical imaging
US9263524B2 (en) 2011-04-05 2016-02-16 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Semiconductor materials, apparatuses and methods
US9508806B2 (en) 2012-09-28 2016-11-29 Sony Corporation Electronic device, image display device and sensor, and method for manufacturing electronic device
DE102013013876A1 (de) 2013-08-20 2015-03-12 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR102380808B1 (ko) 2013-12-06 2022-03-30 메르크 파텐트 게엠베하 치환 옥세핀
KR102618668B1 (ko) 2013-12-19 2023-12-27 메르크 파텐트 게엠베하 헤테로시클릭 스피로 화합물
JP6629291B2 (ja) 2014-07-21 2020-01-15 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 電子素子用材料
EP3189551B1 (de) 2014-09-05 2021-01-27 Merck Patent GmbH Formulierungen und verfahren zur herstellung einer organischen elektrolumineszenzvorrichtung
WO2016107663A1 (de) 2014-12-30 2016-07-07 Merck Patent Gmbh Formulierungen und elektronische vorrichtungen
WO2016155866A1 (en) 2015-03-30 2016-10-06 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material comprising a siloxane solvent
KR102654992B1 (ko) 2015-06-12 2024-04-04 메르크 파텐트 게엠베하 Oled 제제에 대한 용매로서 비-방향족 사이클을 함유하는 에스테르
US20180226583A1 (en) * 2015-07-31 2018-08-09 Cambridge Display Technology Limited Charge transfer salt, electronic device and method of forming the same
EP3341981B1 (en) 2015-08-28 2020-08-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent
CN108368361A (zh) 2015-12-10 2018-08-03 默克专利有限公司 含有包含非芳族环的酮的制剂
JP7051684B2 (ja) 2015-12-15 2022-04-11 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子調合物のための溶媒として芳香族基を含むエステル
EP3390549B1 (en) 2015-12-16 2022-06-29 Merck Patent GmbH Formulations containing a solid solvent
KR20180095028A (ko) 2015-12-16 2018-08-24 메르크 파텐트 게엠베하 둘 이상의 상이한 용매의 혼합물을 함유하는 제형
US10840448B2 (en) 2016-02-17 2020-11-17 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
EP3208863B1 (en) 2016-02-22 2019-10-23 Novaled GmbH Charge transporting semi-conducting material and electronic device comprising it
DE102016003104A1 (de) 2016-03-15 2017-09-21 Merck Patent Gmbh Behälter umfassend eine Formulierung enthaltend mindestens einen organischen Halbleiter
JP6224758B2 (ja) 2016-03-29 2017-11-01 住友化学株式会社 発光素子及びその製造方法
JP6851725B2 (ja) 2016-03-29 2021-03-31 住友化学株式会社 新規化合物及びその製造方法
CN109153871A (zh) 2016-06-16 2019-01-04 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
JP2019523998A (ja) 2016-06-17 2019-08-29 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
TW201815998A (zh) 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
WO2018024719A1 (en) 2016-08-04 2018-02-08 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
JP7013459B2 (ja) 2016-10-31 2022-01-31 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
CN109863223B (zh) 2016-10-31 2023-06-20 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
TW201833118A (zh) 2016-11-22 2018-09-16 德商麥克專利有限公司 用於電子裝置之材料
KR102472751B1 (ko) 2016-12-06 2022-11-30 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스의 제조 방법
CN110168047B (zh) 2016-12-13 2023-08-08 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
KR102504432B1 (ko) 2016-12-22 2023-02-27 메르크 파텐트 게엠베하 적어도 2종의 유기-기능성 화합물을 포함하는 혼합물
TWI763772B (zh) 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
TWI791481B (zh) 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法
JP7123967B2 (ja) 2017-03-31 2022-08-23 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）のための印刷方法
CN110494514A (zh) 2017-04-10 2019-11-22 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
WO2018189134A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
CN110573515B (zh) 2017-04-25 2023-07-25 默克专利有限公司 用于电子器件的化合物
JP7330898B2 (ja) 2017-05-03 2023-08-22 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
DE102017111137B4 (de) * 2017-05-22 2025-07-10 Novaled Gmbh Organische elektrolumineszente Vorrichtung
GB2563430A (en) * 2017-06-15 2018-12-19 Sumitomo Chemical Co Compound
CN110770363A (zh) 2017-06-26 2020-02-07 默克专利有限公司 均质混合物
CN110785415A (zh) 2017-07-05 2020-02-11 默克专利有限公司 用于有机电子器件的组合物
WO2019007867A1 (de) 2017-07-05 2019-01-10 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019016184A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Merck Patent Gmbh FORMULATION OF AN ORGANIC FUNCTIONAL MATERIAL
TWI785142B (zh) 2017-11-14 2022-12-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電子裝置之組成物
CN111418081B (zh) 2017-12-15 2024-09-13 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
JP7247231B2 (ja) 2018-02-26 2023-03-28 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
EP3802520A1 (de) 2018-05-30 2021-04-14 Merck Patent GmbH Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
EP3807367B1 (en) 2018-06-15 2023-07-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material
KR102714927B1 (ko) 2018-09-21 2024-10-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR20210056432A (ko) 2018-09-24 2021-05-18 메르크 파텐트 게엠베하 과립형 재료의 제조 방법
WO2020094538A1 (en) 2018-11-06 2020-05-14 Merck Patent Gmbh Method for forming an organic element of an electronic device
US20220127286A1 (en) 2019-03-04 2022-04-28 Merck Patent Gmbh Ligands for nano-sized materials
CN111825591B (zh) * 2019-04-22 2023-11-21 北京大学 三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用
WO2021213918A1 (en) 2020-04-21 2021-10-28 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
WO2021239191A1 (de) 2020-05-29 2021-12-02 Technische Universität Bergakademie Freiberg Perimidin-derivate und deren verwendung
WO2021259824A1 (de) 2020-06-23 2021-12-30 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung einer mischung
WO2022122607A1 (en) 2020-12-08 2022-06-16 Merck Patent Gmbh An ink system and a method for inkjet printing
DE102021108497A1 (de) 2021-04-06 2022-10-06 Heliatek Gmbh Dotanden für elektronische Bauelemente, deren Verwendung in elektronischen Bauelementen, sowie elektronische Bauelemente mit solchen Dotanden
WO2022223675A1 (en) 2021-04-23 2022-10-27 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
CN117355364A (zh) 2021-05-21 2024-01-05 默克专利有限公司 用于连续纯化至少一种功能材料的方法和用于连续纯化至少一种功能材料的装置
DE102021116886A1 (de) 2021-06-30 2023-01-05 Heliatek Gmbh Verfahren zur Herstellung mindestens einer dotierten Ladungstransportschicht eines Schichtsystems eines organischen elektronischen Bauelements
DE102021118308A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 Technische Universität Bergakademie Freiberg, Körperschaft des öffentlichen Rechts Elektronenreiche heterocyclische Dimere und deren Verwendung
TW202349760A (zh) 2021-10-05 2023-12-16 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
CN117343078A (zh) 2021-11-25 2024-01-05 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
TW202440819A (zh) 2022-12-16 2024-10-16 德商麥克專利有限公司 有機功能性材料之調配物
WO2025032039A1 (en) 2023-08-07 2025-02-13 Merck Patent Gmbh Process for the preparation of an electronic device
WO2025132547A1 (en) 2023-12-21 2025-06-26 Merck Patent Gmbh Mechanochemical method for deuterating organic compounds

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200509428A (en) * 2003-08-18 2005-03-01 Novaled Gmbh Doped organic semiconductor material and process for manufacturing the same
TW200520020A (en) * 2003-12-04 2005-06-16 Novaled Gmbh Method of doping organic semiconductors with derivatives of diiminoquinones
TW200629362A (en) * 2005-02-05 2006-08-16 Novaled Gmbh Dopant for doping an organic semiconducting matrix material
TW200635068A (en) * 2005-03-17 2006-10-01 Novaled Gmbh Dopant of organic semiconductor matrix using metal compound, organic semiconductor material and electronic unit, the dopant thereof and connecting wire, and manufacturing method thereof

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10207859A1 (de) * 2002-02-20 2003-09-04 Univ Dresden Tech Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung
KR101361710B1 (ko) * 2006-03-21 2014-02-10 노발레드 아게 도핑된 유기 반도체 물질을 제조하는 방법 및 이러한 방법에 사용되는 포뮬레이션
ATE394800T1 (de) * 2006-03-21 2008-05-15 Novaled Ag Heterocyclisches radikal oder diradikal, deren dimere, oligomere, polymere, dispiroverbindungen und polycyclen, deren verwendung, organisches halbleitendes material sowie elektronisches bauelement

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200509428A (en) * 2003-08-18 2005-03-01 Novaled Gmbh Doped organic semiconductor material and process for manufacturing the same
TW200520020A (en) * 2003-12-04 2005-06-16 Novaled Gmbh Method of doping organic semiconductors with derivatives of diiminoquinones
TW200629362A (en) * 2005-02-05 2006-08-16 Novaled Gmbh Dopant for doping an organic semiconducting matrix material
TW200635068A (en) * 2005-03-17 2006-10-01 Novaled Gmbh Dopant of organic semiconductor matrix using metal compound, organic semiconductor material and electronic unit, the dopant thereof and connecting wire, and manufacturing method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108368058A (zh) * 2015-12-18 2018-08-03 剑桥显示技术有限公司 掺杂剂、电荷转移盐以及有机电子器件

Also Published As

Publication number Publication date
TW200903879A (en) 2009-01-16
JP5701599B2 (ja) 2015-04-15
EP2009014B1 (de) 2018-10-24
WO2009000237A1 (de) 2008-12-31
JP2010532555A (ja) 2010-10-07
US8920944B2 (en) 2014-12-30
US20100187515A1 (en) 2010-07-29
EP2009014A1 (de) 2008-12-31
DE112008002305A5 (de) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI487160B (zh) 使用ｎ－摻質前驅物摻雜有機半導體材料方法、前驅物及電子或光電組件
KR101460021B1 (ko) 유기 반도체 매트릭스 물질을 도핑하기 위한 도펀트로서의 헤테로시클릭 라디칼 또는 헤테로시클릭 디라디칼, 이의 다이머, 올리고머, 폴리머, 디스피로 화합물 및 폴리사이클의 용도
TWI436985B (zh) 雜環自由基之使用方法、有機半導體材料及電子或光電組件
JP6343311B2 (ja) 有機半導体材料を含んでいる電子デバイス
KR102339316B1 (ko) 포스핀 옥사이드 매트릭스 및 금속 도펀트를 포함하는 ｎ-도핑된 반도전성 물질
US10749115B2 (en) N-doped semiconducting material comprising polar matrix and metal dopant
US20150060804A1 (en) Organic electronic components having organic superdonors having at least two coupled carbene groups and use thereof as an n-type dopants
Chen et al. Solution-processable, star-shaped bipolar tetraphenylethene derivatives for the fabrication of efficient nondoped OLEDs
JP2010533646A (ja) キノイド化合物、ならびに半導体基質材料、電子素子および光電子素子におけるキノイド化合物の使用
JP2010529695A (ja) 非平面状ポルフィリンを用いた有機感光性光電子デバイス
Zhou et al. Simple construction of deep-red hexaazatrinaphthylene-based thermally activated delayed fluorescence emitters for efficient solution-processed OLEDs with a peak at 692 nm
US11355721B2 (en) Organic light emitting device comprising polar matrix, metal dopant and silver cathode
KR20170117812A (ko) 유기소자의 정공차단층 및/또는 전자수송층에 사용될 수 있는 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기박막의 제조방법 및 유기발광소자
Ahmed et al. Near infrared organic light emitting devices based on a new erbium (III) β-diketonate complex: Synthesis and optoelectronic investigations
CN112969695B (zh) 化合物及包含其的有机发光器件
KR102105911B1 (ko) 유기 전자기기를 위한 n-도펀트로서 시클로펜타디엔의 염
Bolduc et al. Polythiophenoazomethines–alternate photoactive materials for organic photovoltaics
Lim et al. Effect of the π-linker on the performance of organic photovoltaic devices based on push–pull D–π–A molecules
Stanitska et al. Exploring the charge-transport and optical characteristics of organic doublet radicals: a theoretical and experimental study with photovoltaic applications
TW201526328A (zh) 含膦氧化物基質及金屬摻雜劑之n摻雜半導體材料
CN104051626B (zh) HATCN及其构筑Cu(I)配合物为阳极缓冲层的有机紫外光探测器件
Idris Synthesis of oligomers, polymers and cucurbituril-based polyrotaxanes towards polymer light emitting diode and photodynamic therapy application
Kumar et al. www. rsc. org/materialsC