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TWI485471B - 像素結構，顯示裝置，及電子設備 - Google Patents

像素結構，顯示裝置，及電子設備 Download PDF

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TWI485471B
TWI485471B TW100145320A TW100145320A TWI485471B TW I485471 B TWI485471 B TW I485471B TW 100145320 A TW100145320 A TW 100145320A TW 100145320 A TW100145320 A TW 100145320A TW I485471 B TWI485471 B TW I485471B
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TW
Taiwan
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pixel
film
planarizing film
electrodes
pixel structure
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TW100145320A
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English (en)
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TW201243435A (en
Inventor
Masaya Tamaki
Koichi Nagasawa
Shuji Hayashi
Masaaki Kabe
Yoko Fukunaga
Original Assignee
Japan Display West Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of TW201243435A publication Critical patent/TW201243435A/zh
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Description

像素結構，顯示裝置，及電子設備
本技術係有關於像素結構、顯示裝置、及電子設備，特別有關於採用面積比例灰階法的像素結構、以面積比例灰階法來表示灰度的顯示裝置、以及具有顯示裝置的電子設備。
採用面積比例灰階法以補償導因於TFT(薄膜電晶體)的特徵變異之影像品質的不均勻性之像素結構已知為顯示裝置的像素結構、或特別是主動矩陣型顯示裝置的像素結構(舉例而言，請參見日本專利公開號2005-300579)。
此面積比例灰階法將作為一像素(單元像素)的顯示部之像素電極分成依面積加權的多個電極(於下，稱為子像素電極)，以及藉由這些子像素電極的結合而產生灰度顯示。
在採用面積比例灰階法的像素結構中，舉例而言，二個子像素電極可以彼此電連接以使各別灰度的重心相同(彼此相同)。需要當二個子像素電極彼此電連接時不阻礙達成顯示裝置的更高清晰度之像素結構。
因此希望提供當二個子像素電極彼此電連接時不阻礙 取得更高清晰度的像素結構。
根據本技術的實施例，提供有像素結構，其包含：在基板上依序層疊的第一平坦化膜及第二平坦化膜，在基板上形成有電路部；以及，金屬佈線，用以將配置在第二平坦化膜上以致於彼此分離的二個電極電連接，金屬佈線係形成在第一平坦化膜與第二平坦化膜之間。
在上述構造的像素結構中，為了在有電路部形成於其上的基板上之平坦化而形成的平坦化膜具有雙層結構，所述雙層結構係藉由將第一平坦化膜及第二平坦化膜依序堆疊而被形成的。因此，相較於單層結構的平坦化膜的膜厚，第一及第二平坦化膜各別的厚度均降低。設在第二平坦化膜上以致於彼此分離的二個電極藉由第一及第二平坦化膜之間經過第二平坦化膜的金屬佈線而彼此電連接。
此時，由於第二平坦化膜具有小的膜厚，所以，用以形成第二平坦化膜中用於電連接的接觸部之接觸基底比在單層結構的平坦化膜中形成接觸部的情況更小。因此，即使當採用金屬佈線形成在雙層結構的平坦化膜之間以及二個電極藉由經過第二平坦化膜之金屬佈線而彼此電連接的結構時，相較於在單層結構的平坦化膜中形成接觸部的情況中，像素的尺寸仍然可以縮小。因此，討論中的像素結構不會變成阻礙取得顯示裝置的更高清晰度的因素。
根據本技術的另一實施例，提供有藉由配置具有像素結構的像素而形成的顯示裝置，所述像素結構包含：在基板上依序層疊的第一平坦化膜及第二平坦化膜，在基板上 形成有電路部；以及，金屬佈線，用以將配置在第二平坦化膜上以致於彼此分離的二個電極電連接，金屬佈線係形成在第一平坦化膜與第二平坦化膜之間。
根據本技術的又一實施例，提供有具有顯示裝置的電子設備，顯示裝置藉由配置具有像素結構的像素而形成的，所述像素結構包含：在基板上依序層疊的第一平坦化膜及第二平坦化膜，在基板上形成有電路部；以及，金屬佈線，用以將配置在第二平坦化膜上以致於彼此分離的二個電極電連接，金屬佈線係形成在第一平坦化膜與第二平坦化膜之間。
根據本技術，藉由採用金屬佈線配置在雙層結構的第一及第二平坦化膜之間以將第二平坦化膜上的二個電極彼此電連接、以及二個電極藉由金屬佈線而彼此電連接的結構，能夠提供不阻礙達成更高清晰度的像素結構、使用像素結構的顯示裝置、以及具有顯示裝置的電子設備。
於下，將參考圖式，詳述實施技術的模式(於下稱為實施例)。附帶一提，將依下述次序說明。
1.根據實施例的顯示裝置
1-1.系統配置
1-2. MIP的像素配置
1-3.重寫像素資料
1-4.面積比例灰階法
1-5.根據實施例的像素結構
1-6.鏡面反射
1-7.根據實施例之像素陣列基板結構
2.修改實例
3.電子設備
<1.根據實施例的顯示裝置>
圖1是方塊圖，顯示根據本技術的實施例之顯示裝置的系統配置。將以具有能在每一個像素中儲存資料的記憶體之所謂的MIP(像素記憶體)系統的反射型液晶顯示(LCD)裝置為例，於下作說明。
MIP系統的反射型液晶顯示裝置能夠取得類比顯示模式的顯示、以及藉由在像素內具有用以儲存資料的記憶體之記憶體顯示模式的顯示。在此情況中，類比顯示模式是以類比方式來顯示像素灰度的顯示模式。記憶體顯示模式是根據儲存於像素內的記憶體中的二進位資訊(邏輯「1」及邏輯「0」)而以數位方式來顯示像素的灰度之顯示模式。
在記憶體顯示模式的情況中，使用記憶體中固持的資訊，因此不需要執行反應框循環(frame cycle)中的灰度之訊號電位的寫入操作。因此，記憶體顯示模式比類比顯示模式耗費更少的電力，其中，反應灰度的訊號電位之寫入操作需要在框循環中執行，亦即，記憶體顯示模式使液晶顯示裝置能夠消耗更少的電力。
MIP系統的反射型液晶顯示裝置可以在每一個像素中以一個位元僅代表二個灰度。根據本實施例的MIP系統之反射型液晶顯示裝置因此採用面積比例灰階法作為灰度代表系統。面積比例灰階法是灰度代表系統，其藉由指定例如2：1權重給像素部(像素電極部)而以二個位元代表四個灰度。於下將說明面積比例灰階法的細節。
[1-1.系統配置]
將參考圖1，首先說明根據本實施例之MIP系統的反射型液晶顯示裝置的系統配置。
如圖1所示，根據本實施例的MIP系統之液晶顯示裝置10具有模組配置，模組配置包含形成在透明基板(舉例而言，玻璃基板)1上的TFT電路部2以及包含以COG(玻璃上晶片)法而被安裝在相同基板1上的驅動器IC 3。此模組配置的反射型液晶顯示裝置(LCD模組)10被供予來自外部控制器(或CPU等等)40而經由CPU介面(I/F)之各種指令以及資料。
(TFT電路部)
在LCD模組10中，TFT電路部2包含像素陣列部21、垂直驅動部22A 及22B 、以及水平驅動部23。附帶一提，在此情況中，關於TFT電路部2，在方塊圖中顯示僅有最少必須之TFT電路部2的功能。TFT電路部2不限於此配置。
圖2顯示TFT電路部2的配置之具體實例。如圖2所示，在像素陣列部21中，顯示部係由矩陣形式(陣列形式)之二維配置的像素4所形成，像素4包含能夠儲存資料的記憶體。稍後將說明包含記憶體的像素(MIP像素)4之電路配置的細節。
在像素陣列部21中，掃描線241 至24m 係沿著列方向(像素列中的像素配置方向)來予以配置，以供m列及n行的像素配置中的每一個像素列用。掃描線241 至24m 在其二端係連接至垂直驅動部22A 及22B 的對應列中的各別輸出端。在像素陣列部21中，訊號線251 至25n 又沿著行方向(像素行中像素配置的方向)，以供m列及n行的像素配置中的每一個像素行用。訊號線251 至25n 在其一端係連接至水平驅動部23的對應行中的各別輸出端。
垂直驅動部22A 及22B 包含垂直驅動器221A 及221B 以及V位址鎖存器222A 和222B 。垂直驅動器221A 及221B 任意地選取以像素列為單位之像素陣列部21中的每一個像素4。V位址鎖存器222A 及222B 儲存關於列位址的資訊，亦即，列位址是垂直(V)方向上的位址，係從驅動器IC 3供應的位址。
舉例而言，垂直驅動器221A 及221B 是由解碼器所形成。由解碼器所形成的垂直驅動器221A 及221B 根據位址資訊而輸出掃描訊號至討論中的(in question)像素列，所述掃描訊號用於設定儲存在處於操作狀態的V位址鎖存器222A 及222B 中的位址資訊指定的像素列中的每一個像 素4。
具有解碼器配置的垂直驅動器221A 及221B 可以任意地選取像素列，亦即，執行定址。因此，在寫入像素陣列部21中的每一個像素4的資料時，不僅能夠重寫一個畫面(screen)為單位的資料，也能夠以像素列為單位來定址以重寫用於特定部(視窗)之資料。
附帶一提，在此情況中，採用一配置，其中，垂直驅動部22A 及22B 係配置在像素陣列部21的左側及右側等二側上。但是，這僅為舉例說明。亦即，也可以採用一配置，其中，垂直驅動部22A 及22B 係僅配置在像素陣列部21的左側及右側的其中一側上。但是，從垂直驅動部22A /22B 輸出的掃描訊號的傳播延遲最小化的觀點而言，與垂直驅動部22A /22B 係配置在像素陣列部21的左側及右側中僅其中一側上相比，更希望垂直驅動部22A 及22B 係配置在像素陣列部21的左側及右側等二側上。
如圖2中所示，水平驅動部23包含水平驅動器231及緩衝電路232。水平驅動部23將像素資料寫至像素被垂直驅動部22A 和22B 選取的像素行中的每一個像素4。由水平驅動部23寫入像素資料的系統包含各式各樣的系統，這些系統包含同時將像素資料寫至選取的列中的每一個像素4之線順序系統、以像素單位依序地將像素資料寫至選取的列中的每一個像素4之點順序系統。
(驅動器IC)
在圖1中，驅動器IC具有解碼器31、緩衝器記憶體(記憶體部)32、重寫決定電路33、區域記憶體34、暫存器35、控制部36、及輸出電路37。如上所述，驅動器IC 3是以COG而被安裝於與TFT電路部2相同的透明基板1上。此外，在此情況中，關於驅動器IC 3，方塊圖中顯示僅有最少必須的驅動器IC 3的功能。驅動器IC 3不限於此配置。
在驅動器IC 3中，舉例而言，來自外部控制器40的資料及指令經由可撓性印刷線路板50而被供應給解碼器31(請參見圖2)。供應至解碼器31的資料(影像資料/像素資料)是用以重寫固持在像素陣列部21中的每一個像素4的記憶體中的資料。
供應至解碼器31的指令是重寫像素陣列部21中的每一個像素4的資料之指令。此指令包含啟動資料及區域的重寫之時序有關的資訊。具體而言，此指令包含例如區域資訊以及重寫資料的重寫命令，區域資訊關於重寫資料的區域，亦即，關於XY啟始位址與XY結束位址的資訊。
在此情況中假定用於重寫的資料以及標示重寫的指令(舉例而言，畫面更新命令)，依資料而後是指令的次序，以時間序列，從外部控制器40傳送至解碼器31。
解碼器31將外部控制器40供應的資料及指令分開。解碼器31供應資料至緩衝器記憶體32，以及供應指令至重寫決定電路33。緩衝器記憶體32暫時地儲存及固持經過可撓性印刷線路板50及解碼器31而自外部控制器40 供應的資料，以重寫像素陣列部21中每一個像素4的資料。
關於緩衝器記憶體32，舉例而言，可以使用能夠將要由像素陣列部21中的每一個像素4顯示的一個畫面的資料儲存在框記憶體中。但是，緩衝器記憶體32不限於框記憶體。當緩衝器記憶體32係由框記憶體所形成時，依例如與像素陣列部21中的每一個像素4的XY位址一對一的對應性，緩衝器記憶體32儲存用於重寫資料的區域之每一件像素資料。
重寫決定電路33決定(解譯)解碼器31供應的指令。重寫決定電路33將關於重寫部的XY啟始位址及XY結束位址的資訊供應給區域記憶體34，此資訊係包含於指令中。重寫決定電路33將標示資料重寫的啟始時序之畫面更新命令供應給暫存器35，此命令係包含於指令中。區域記憶體34儲存關於要重寫資料之區域的XY啟始位址及XY結束位址之各別件資訊，這些資訊係從重寫決定電路33供應。暫存器35儲存重寫決定電路33供應的畫面更新命令。
控制部36包含時序產生器(TG)。在控制部36的控制之下的時序產生器產生各種時序訊號，這些時序訊號係決定資料寫至緩衝器記憶體32的時序以及從緩衝器記憶體32讀取資料的時序、以及垂直驅動部22A 及22B 和水平驅動部23的驅動時序。
在重寫像素陣列部21中每一個像素4的資料時，舉 例而言，根據儲存在暫存器35中的畫面更新命令，控制部36啟始用於重寫資料的操作。然後，根據關於要重寫資料的區域的XY啟始位址及XY結束位址的各別件資訊，控制部36控制時序產生器中產生的各種時序訊號的時序，所述資訊係儲存在區域記憶體34中。
根據自控制部36供應的各種時序訊號，輸出電路37讀取儲存在緩衝器記憶體32中的資料，並且輸出資料至TFT電路部2，或是，具體而言，TFT電路部2內的水平驅動部23。此外，根據自控制部36供應的各種時序訊號，輸出電路37將用於驅動垂直驅動部22A 及22B 以及水平驅動部23之驅動訊號輸出至TFT電路部2。
[1-2. MIP的像素配置]
接著，將說明包含記憶體的像素(MIP像素)4之電路配置的細節。圖3是方塊圖，顯示MIP像素4的電路配置之實例。
如圖3所示，像素4具有設有SRAM功能的像素配置，此像素配置包含三開關元件41至43、鎖存部44、及液晶胞45。此情況中的液晶胞45代表像素電極以及配置成與像素電極相反的對置電極之間發生的液晶電容。圖4是輔助說明MIP像素4的操作之時序圖。
開關元件41的一端係連接至訊號線25(251 至25n )。切換元件41藉由被供予來自垂直驅動部22A 及22B 的掃描訊號Φ V(Φ V1 至Φ Vm )而被設定在開啟(關閉)狀 態，並且讓經由訊號線25(251 至25n )供應的資料SIG進入。鎖存部44係由在彼此相反的方向上彼此並聯的反相器441和442所形成。鎖存部44固持(鎖存)對應於由開關元件41接收的資料SIG之電位。
根據鎖存部44固持的電位的極性，開關元件42和43的其中之一被設定在開啟狀態。開關元件42及43供應與施加至液晶胞45的對置電極之共同電位VCOM 同相的控制脈衝FRP、或是與施加至液晶胞45的像素電極之共同電位VCOM 反相的控制脈衝XFRP。與開關元件42的其中一端及開關元件43的其中一端共同連接的節點是本像素電路的輸出節點NOUT 。
如同圖4中清楚可見般，當由鎖存部44固持的電位具有負側極性時，液晶胞45的像素電位與共同電位VCOM 同相，因此，產生黑色顯示。當由鎖存部44固持的電位具有正側極性時，液晶胞45的像素電位與共同電位VCOM 反相，因此，產生白色顯示。
圖5是電路圖，顯示像素4的具體電路配置實例。在圖5中，對應於圖3的部件以相同的代號來予以標示。
在圖5中，舉例而言，切換元件41係由Nch MOS電晶體Qn10 所形成。Nch MOS電晶體Qn10 具有連接至訊號線25(251 至25n )的源極/汲極，以及具有連接至掃描線24(241 至24m )的閘極。
舉例而言，切換元件42及43都是由藉由並聯Nch MOS電晶體以及Pch MOS電晶體而形成的轉移開關所形 成。具體而言，切換元件42具有Nch MOS電晶體Qn11 與Pch MOS電晶體Qp11 彼此並聯的配置。切換元件43具有Nch M OS電晶體Qn12 與Pch MOS電晶體Qp12 彼此並聯的配置。
切換元件42及43不一定需要藉由並聯Nch MOS電晶體以及Pch MOS電晶體所形成的轉移開關形成。也可以使用具有單一導電率型的MOS電晶體，亦即，Nch MOS電晶體或Pch MOS電晶體，以形成切換元件42和43。切換元件42和43的共同連接節點是本像素電路的輸出節點NOUT 。
舉例而言，反相器441和442都是由CMOS反相器所形成。具體而言，反相器441具有Nch MOS電晶體Qn13 及Pch MOS電晶體Qp13 的閘極彼此共同連接且Nch MOS電晶體Qn13 和Pch MOS電晶體Qp13 的汲極彼此共同連接之配置。反相器442具有Nch MOS電晶體Qn14 和Pch MOS電晶體Qp14 的閘極彼此共同連接以及Nch MOS電晶體Qn14 和Pch MOS電晶體Qp14 的汲極彼此共同連接之配置。
具有上述電路配置作為基本電路配置的像素4在水平方向及垂直方向上分佈，並且以矩陣形式來予以配置。除了用於每一列的掃描線24(241 至24m )及用於每一行的訊號線25(251 至25m )，對矩陣形式的像素4配置的每一行，還配置用以傳送控制脈衝FRP及XFRP之控制線26和27以及用於正側電源電壓VDD 及負側電源電壓VSS 的 電源線28和29。
如上所述，根據本實施例的主動矩陣型液晶顯示裝置10具有一配置，其中，以矩陣形式而配置設有SRAM功能的像素(MIP)4，這些像素具有用於固持對應於顯示資料的電位之鎖存部44。此外，雖然在本實施例中以SRAM作為包含在像素中的記憶體的情況為例說明，但是，SRAM僅為舉例說明，也可以使用例如DRAM等其它配置的記憶體。
如上所述，MIP系統的主動矩陣型液晶顯示裝置10在每一個像素中具有記憶體，並因而可以取得類比顯示模式的顯示以及記憶體顯示模式的顯示。在記憶體顯示模式的情況中，使用固持在記憶體中的像素資料而產生顯示，因此，在框循環中不必執行反應灰度的訊號電位之寫入操作。因此，記憶體顯示模式具有降低液晶顯示裝置耗電之優點。
此外，需要部份地重寫畫面，亦即，僅重寫部份畫面。在此情況中，部份地重寫像素資料即足夠。當部份地重寫畫面時，亦即，部份地重寫像素資料時，資料不需被傳送至不執行重寫的像素。因此，資料傳送量能夠降低。因此有能夠取得省電的液晶顯示裝置之另一優點。
[1-3.重寫像素資料]
有需要部份地重寫畫面，亦即，僅重寫包含MIP系統的主動矩陣型液晶顯示裝置10的電子設備中的部份畫面 。為了此需要，以往的系統係配置成以與例如垂直同步訊號Vsync 等同步訊號(於下簡稱為「垂直同步訊號Vsync 」)同步的方式，週期性地(舉例而言，每一個週期60 Hz)重寫來自驅動器IC 3的像素4的資料。
亦即，以往的系統以與垂直同步訊號Vsync 同步的方式而重寫像素資料。因此，當要被重寫的顯示資料從外部控制器40被輸入至驅動器IC 3時，用於一個畫面的顯示資料與外部控制器40側上產生的垂直同步訊號Vsync 同步地輸入。或者，在驅動器IC 3的側上產生垂直同步訊號Vsync ，垂直同步訊號Vsync 被傳送至外部控制器40側，並且，在下一個垂直同步訊號Vsync 抵達之前的期間，外部控制器40側輸入用於一個畫面的顯示資料。
此點之理由是重寫像素資料的時序與顯示資料從外部控制器40寫至緩衝器記憶體32之時序之間的時序關係。亦即，當顯示資料以驅動器IC 3側的時序簡單地寫至像素4時，前者的時序與後者的時序可以彼此重疊，或者，發生後者的時序在前者的時序之前的狀態。
基於下述理由，發生後者的時序在前者的時序之前的狀態。從外部控制器40與驅動器IC 3之間的資料傳送與垂直同步訊號Vsync 同步之事實可以瞭解，外部控制器40與驅動器IC 3之間的通訊速度比TFT電路部2與驅動器IC 3之間的通訊速度還快。當後者的時序在前者的時序之前時，顯示切換偏移一框，以致於發生例如條狀等顯示缺陷。
因此，以往的系統要求從外部輸入的顯示資料與垂直同步訊號Vsync 同步。因此，需要預先在外部產生用於現在起新近地顯示的其中之一個畫面的顯示資料，以及傳送顯示資料至驅動器IC 3。但是，實際上，舉例而言，當經常需要重寫部份畫面時，與垂直同步訊號Vsync 同步地傳送用於一個畫面的顯示資料是無效率的。
因此，根據本實施例的MIP系統的液晶顯示裝置10係配置成在任意時序執行重寫處理以回應重寫像素資料的請求，而非與垂直同步訊號Vsync 同步地重寫像素資料，此請求是從客戶側接收到的，客戶側亦即外部控制器40的側。
具體而言，首先，從客戶(外部控制器40)側接收到的顯示資料是用於屬於執行重寫的區域之像素4的資料，而非用於一個畫面的資料。部份顯示資料被暫時地儲存在緩衝器記憶體32中。由於固持在緩衝器記憶體32中的顯示資料不是用於一個畫面的顯示資料，所以，緩衝器記憶體32並非一定需要是框記憶體，亦即，能夠儲存用於一個畫面的顯示資料之記憶體。
根據標示重寫的指令，用於執行重寫的區域之部份顯示資料依時間序列而從外部控制器40送至驅動器IC 3。舉例而言，顯示資料首先從外部控制器40送至驅動器IC 3，並且，在一定的時間過去之後，傳送標示重寫的指令(畫面更新命令)。從外部控制器40接收畫面更新命令，驅動器IC 3根據儲存在緩衝器記憶體32中的顯示資料 來執行重寫像素資料的處理，而不會在驅動器IC 3與外部控制器40之間傳送資料時插入垂直同步訊號Vsync 。
將參考圖6的流程圖，在下述中說明驅動器IC 3中部份地重寫像素資料的處理之具體處理程序。此重寫處理基本上是驅動器IC 3的處理。資料及指令依時間序列而從外部控制器40輸入至驅動器IC 3。
首先接收要被重寫的顯示資料(步驟S11)，驅動器IC 3將顯示資料寫至緩衝器記憶體32以將顯示資料暫時固持在緩衝器記憶體32中(步驟S12)。接著，當接收到標示重寫的指令時(步驟S13)，驅動器IC 3將指令供應至重寫決定電路33。重寫決定電路33決定(解譯)指令(步驟S14)。
然後，關於重寫部的XY啟始位址與XY結束位址之資訊儲存在區域記憶體34中(步驟S15)，所述資訊是包含於指令中。特別是，作為包含在指令中的資料重寫命令之畫面更新命令被儲存在暫存器35中(步驟S16)。
接著，當畫面更新命令儲存在暫存器35中時，控制部36接收畫面更新命令以及啟始用於重寫資料的時序控制(步驟S17)。具體而言，根據儲存在區域記憶體34中的XY啟始位址及XY結束位址的各別件資訊，控制部36對時序產生器(TG)執行時序控制。
此外，在緩衝器記憶體32是框記憶體的情況中，當資料暫時固持於緩衝器記憶體32中時，根據關於XY啟始位址及XY結束位址的各別件資訊，在控制部36的控 制之下，控制資料儲存部即足夠。
接著，在控制部36的控制之下，儲存在緩衝器記憶體32中的資料被讀出及輸出至TFT電路部2，並且，驅動訊號輸出至垂直驅動部22A 和22B 以及水平驅動部23(步驟S18)。然後，在垂直驅動部22A 及22B 以及水平驅動部23的驅動下，將像素資料以像素列為單位寫入(步驟S19)。
具體而言，垂直驅動部22A 及22B 依序選取例如屬於由關於XY啟始位址及XY結束位址的資訊之各別件資訊指定的區域(視窗)之像素列(線)。同時，與垂直驅動部22A 及22B 對像素列的選取同步地，水平驅動部23將經由輸出電路37而從緩衝器記憶體32供應的顯示資料寫至選取到的列中之各個像素4。
當從客戶側接收重寫請求時，上述處理序列使得重寫處理能夠以重寫請求的時序執行，而非與垂直同步訊號Vsync 同步之重寫像素資料的處理。因此，能夠部份地輸入外部輸入顯示資料至驅動器IC 3而非用於一個畫面的顯示資料，而不與垂直同步訊號Vsync 同步，並且，能夠以任意時序執行重寫像素資料的處理。
當不需要與垂直同步訊號Vsync 同步時，不需要以高速處理在垂直同步訊號Vsync 的週期之內產生要被重寫的顯示資料，或者，不需要以用於一個畫面的框記憶體作為緩衝器記憶體32來傳送資料。能夠以任何時序來產生要被寫入的顯示資料及傳送顯示資料至驅動器IC 3，並且， 在畫面更新指令之後即刻地重寫像素資料。結果，當在一個畫面中被重寫的區域彼此重疊時，或者，當多個視窗被重寫時，舉例而言，可以避免暫時看到每一個區域的重寫以及顯示閃爍(閃光)之現象。
從上述像素資料重寫處理中的操作說明清楚可知，以具有部份畫面作為視窗(長方形區域)之像素列為單位而非以畫面為單位來重寫畫面。由於垂直驅動器221A 及221B 具有解碼器配置，所以畫面能夠被部份地重寫，因此能夠任意地選取像素陣列部21的每一個像素列(線)。水平驅動器231也具有解碼器，藉以以像素單位部份地重寫畫面。
此外，在上述像素資料重寫處理的實施例中，決定輸入指令，包含於指令中的寫入命令(舉例而言，畫面更新命令)儲存在暫存器35中，並且，控制部36接收寫入命令以及執行重寫像素資料的處理。但是，此僅為舉例說明。在另一配置的實例中，舉例而言，控制部36係配置成直接從外部控制器40接收寫入命令，而不用重寫決定電路33及暫存器35的介入(intervention)。
採用此配置可以不需要重寫決定電路33及暫存器35，因此，簡化驅動器IC 3的電路配置。亦即，重寫決定電路33及暫存器35並非驅動器IC 3的必要構成要求。
此外，在上述實例中，假設反射型液晶顯示裝置，以說明像素資料重寫處理。但是，重寫處理也可以以同於反射型液晶顯示裝置的情況中的方式而被應用至透射型液晶 顯示裝置及透反射型液晶顯示裝置。
[1-4.面積比例灰階法]
根據本實施例的液晶顯示裝置10採用面積比例灰階法以實現像素記憶體多位元著色。具體而言，根據本實施例的液晶顯示裝置10使用面積比例灰階法，其中，作為像素4的顯示部之像素電極分成多個依面積而權重化的子像素電極。然後，根據鎖存部24固持的電位而選取之像素電位被施加至依面積而權重化的子像素電極，藉由權重化的面積之結合而產生灰度顯示。
在此情況中，由於液晶顯示裝置10是反射型液晶顯示裝置，所以，依面積而權重化的子像素電極相當於反射器。此外，在透射式液晶顯示裝置中，依面積而權重化的子像素電極相當於透射窗。
在下述中將具體說明面積比例灰階法。面積比例灰階法是灰度呈現系統，其以面積比例權重化為20 、21 、22 、...、2N-1 的N個子像素電極來表示2N 灰度。舉例而言，為了補償導因於TFT特徵變異之影像品質的不均勻，採用面積比例灰階法。假定根據本實施例的液晶顯示裝置10採用指定2：1的權重給作為像素電極之反射電極的面積(像素面積)而以二個位元代表四個灰度之面積比例灰階法。
如圖41所示，用於指定2：1的權重給像素面積的典型結構是像素4的像素電極分成具有面積1的子像素電極 41以及具有面積(面積2)的子像素電極42，面積2是子像素電極41的面積的二倍。但是，由於每一個灰度的重心與一個像素的重心不相同(不一致)，所以，以灰度表示的觀點而言，圖7A的結構並非所希望的。
關於使每一個灰度的重心與一個像素的重心相同之結構，如圖7B所示，有一結構是具有面積2的子像素電極44的中心部份被切成長方形形狀，以及具有面積1的子像素電極43配置在切成長方形的中央部份中。但是，在圖7B的結構中，子像素電極44的耦合部份44A 及44B 具有狹窄寬度，以致於子像素電極44整體地具有縮減的反射面積，耦合部份是位於子像素電極43的二側上，並且，圍繞耦合部份44A 及44B 周圍的液晶對齊是困難的。
如上所述般，當以面積比例灰階設定無電場時液晶分子實質上垂直於基板之VA(垂直對齊)模式時，施加電壓至液晶分子的方式視電極的形狀、尺寸、等等而變，因此難以以優良方式對齊液晶。此外，由於在反射電極之間的面積比例不一定是反射比例，所以，灰度設計是困難的。反射率由反射電極的面積比例、液晶對齊、等等所決定。在圖7A的結構的情況中，即使當電極之間的面積比例為1：2時，電極的周長之間的長度比例不是1：2。因此，反射電極之間的面積比例不一定是反射比例。
從此觀點而言，當考慮灰度表示品質及在面積比例灰階法中有效使用反射面積時，如圖7C中所示，希望像素電極為分成具有相同面積(尺寸)的三個子像素電極45、 46A 、及46B 之三部份分割像素。在此三部份分割像素的情況中，二個上及下子像素電極46A 和46B 將子像素電極45夾在中間而形成為一組，並且，形成此組的二個子像素電極46A 及46B 同時被驅動。因此，2：1權重可以被指定給中間的子像素電極45及子像素電極46A 和46B 之間的像素面積。此外，可以使每一個灰度的重心與一個像素的重心相同。
但是，當使三個子像素電極45、46A 、及46B 中的每一個子像素電極電接觸驅動電路時，相較於圖7A及7B的結構，金屬佈線的數目增加，因此，增加像素的尺寸及及變成阻礙取得更高清晰度的因素。在每一個像素4中具有記憶體的MIP像素配置之情況中，特別是，如同圖5清楚可見，例如電晶體及接觸部件等很多電路構成要件出現在像素4之內，且以佈局面積的觀點而言，沒有太多的空間。因此，一個接觸部件大幅地影響像素的尺寸。
為了降低接點的數目，形成一像素結構即足夠，在像素結構中，藉由夾住一個子像電極45而彼此相距的二個子像素電極46A 和46B 此電耦合(連接)。然後，如圖8所示，一組驅動電路47A 驅動一個子像素電極45，另一組驅動電路47B 同時地驅動二個其它子像素電極46A 和46B 。在此情況中，驅動電路47A 和47B 對應於圖5中所示的像素電路。
因此，在使用區域比例灰階法而使每一個灰度的重心與一個像素的重心相同之像素結構的情況中為了降低接點 數目，採用彼此相離的二個子像素電極46A 和46B 彼此電耦合之像素結構。使二個子像素電極46A 和46B 彼此電耦合的方法包含下述二方法。
方法的其中之一是藉由形成在平坦化膜之下的金屬佈線，經過形成在平坦化膜中的接觸部件，而使平坦化膜上的二個子像素電極46A 和46B 彼此連接。另一方法是在相同平面中使平坦化膜上的二個子像素電極46A 和46B 彼此電連接。
為了以平坦化膜更可靠地取得平坦化的作用及功效，平坦化膜的膜厚需要增加至某一程度。因此，為了在平坦化膜中形成包含接觸孔的接觸部件，需要形成具有某尺寸的接觸基底。因此，當採用前一方法時，需要形成某尺寸的接觸基底，因而增加像素的尺寸且變成阻礙取得更高清晰度的因素。
另一方面，當採用後一方法時，二個子像素電極46A 及46B 需要藉由ITO(銦錫氧化物)或另一導體而彼此連接，以致於降低有效的顯示面積(在反射式液晶顯示裝置中的反射面積)。此外，在VA模式的情況中，由於反射電極之間的面積比例不一定是反射比例，所以，灰度設計是困難的，並且對齊控制是困難的。
[1-5.根據實施例的像素結構]
因此，在本實施例中，在採用面積比例灰階法而將像素4形成為三個部份分割像素結構時，採用下述像素結構 。
一般而言，在基板上形成用於平坦化的平坦化膜，在所述基板上形成有電路部(亦即，圖2中所示的TFT電路部2)。在本實施例中的平坦化膜具有藉由依序層疊第一平坦化膜及第二平坦化膜而形成的雙層結構。此外，金屬佈線形成在雙層結構的平坦化膜之間，亦即，第一及第二平坦化膜之間。然後，設在第二平坦化膜上至彼此分離的二個電極(子像素電極46A 和46B )藉由金屬佈線而彼此電連接。
在上述構造的像素結構中，平坦化膜具有雙層結構，以致於相較於單層結構的平坦化膜的膜厚，第一和第二平坦化膜中的每一個膜的膜厚可以降低。設在第二平坦化膜上至彼此分離的二個電極(子像素電極46A 和46B )，藉由第一與第二平坦化膜之間的金屬佈線，經由第二平坦化膜，而彼此電連接。
此時，由於第二平坦化膜具有小的膜厚，所以，在第二平坦化膜中形成用於電連接的接觸部件之接觸基底製成比形成單層結構的平坦化膜中的接觸部件的情況還小。因此，即使當採用金屬佈線形成在雙層結構的平坦化膜之間以及二個電極藉由金屬佈線經過第二平坦化膜而彼此電連接時，相較於在單層結構的平坦化膜中形成接觸部件的情況，像素的尺寸仍然可以縮減。
因此，討論中的像素結構能夠提供不會阻礙取得顯示裝置的更高清晰度之像素結構。此外，與金屬佈線設在與 二個電極相同的平面中之情況不同，用於使二個電極(子像素電極46A 和46B )彼此電連接的金屬佈線設在雙層結構的二個平坦化膜之間，因此，不會降低反射式液晶顯示裝置中的有效顯示面積(反射面積)。
在下述中將說明根據實施例的像素結構，亦即，採用例如面積比例灰階法之三部份分割像素的像素結構的具體實例，此像素結構不會阻礙取得顯示裝置的更高清晰度。
(第一實例)
圖9A及9B輔助說明根據採用面積比例灰階法之三部份分割像素的第一實例之像素結構。圖9A是三個子像素電極的平面視圖，圖9B是從箭頭方向沿著圖9A的線X-X’取得的剖面視圖。在圖9A及9B中，與圖7A至7C及圖8相等的部件以相同的代號標示。TFT電路部2的基板及形成於基板上的TFT電路未顯示於圖9A和9B中。
在圖9A和9B中，在形成有TFT電路的基板上，為了將基板(未顯示出)整體地平坦化，依序層疊第一平坦化膜51和第二平坦化膜52，以將平坦化膜形成為雙層結構。由於平坦化膜具有雙層結構，所以，相較於單層結構的平坦化膜的膜厚，第一及第二平坦化膜51和52中每一個膜的膜厚可以減少。
金屬佈線53係由雙層結構的平坦化膜之間，亦即，第一及第二平坦化膜51和52之間的ITO(銦錫氧化物)或另一導電材料所形成。鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo )、等等可以作為另一導電材料。
在此情況中，在可以用於金屬佈線53的各種佈線材料之中，使用能與具有高反射率的銀歐姆接觸的ITO。但是，根據作為像素電極等的金屬種類，可以選取ITO以外的金屬。
然後，在第二平坦化膜52上，以例如銀(Ag)、鋁(Al)、等電極材料，形成三個子像素電極45、46A 、及46B 。在此情況中，三個子像素電極45、46A 、及46B 均具有相同尺寸(反射面積)。將子像素電極45夾在中間的二個上及下子像素電極46A 和46B 形成為一組，並且，形成此組的二個子像素電極46A 及46B 同時被驅動。因此，2：1權重可以被指定給中間的子像素電極45及子像素電極46A 和46B 佔據的像素面積。
第一平坦化膜51具有包含形成在第一平坦化膜51中的接觸孔55A 之接觸部件55。接觸部件55係形成在與子像素電極46A 的中央位置偏移的位置。
金屬佈線53的佈線材料在接觸孔55A 中形成導電層，因而一起被形成接觸部件55與接觸孔55A 。金屬佈線53經由接觸部件55而被電連接至TFT電路部2，或者，具體而言圖8中的驅動電路47B 。
第二平坦化膜52具有接觸部件56和57，接觸部件56和57分別包含形成在第二平坦化膜52上對應於例如子像素電極46A 和46B 的中央位置之部份中的接觸孔56A 和57A 。在此情況中，由於接觸部件56和57係配置成偏離 第一平坦化膜51的接觸部件55，並且，第二平坦化膜52的膜厚小於單層結構的平坦化膜的膜厚，所以，接觸孔56A 及57A 的直徑可以製成小於形成在單層結構的平坦化膜中的接觸孔的直徑。
子像素電極46A 及46B 的電極材料在接觸孔56A 和57A 中被形成導電層，因而一起被形成接觸部件56和57與接觸孔56A 和57A 。子像素電極46A 及46B 經由接觸部件56和57而被電連接至金屬佈線53。
在雙層結構的第一和第二平坦化膜51和52中，子像素電極46A 的側上之接觸部件56形成在對應於子像素電極46A 的中央位置之部份中，而第一平坦化膜51的側上的接觸部件55形成在與子像素電極46A 的中央位置偏離的位置處。亦即，從平面中觀視，作為下層之第一平坦化膜51中的接觸部件55以及作為上層之第二平坦化膜52中的接觸部件56配置在不同位置。
這意指插入在接觸部件55及接觸部件56之間的金屬佈線53允許第一平坦化膜51的側上的接觸部件55可以不管第二平坦化膜52的側上的接觸部件56的位置為何而被配置。因此，相對於子像素電極46A 及46B ，連接至接觸部件55的電路部、或具體而言圖8中所示的驅動電路47B 的佈局自由度增加。同理可用於子像素電極45的側上的接觸部件59與接觸部件60之間的關係。
在根據上述構造的第一實例之像素結構中，子像素電極46A 和46B 藉由金屬佈線53、經過接觸部件56和57而 彼此電連接，並且，這些子像素電極46A 及46B 經由接觸部件55而被電連接至驅動電路47B 。
上述已說明子像素電極46A 和46B 。子像素電極45側如下所述。如圖9A所示，圖8中所示的子像素電極45和驅動電路47A 藉由形成在雙層結構的平坦化膜51和52之間的金屬佈線58、經過形成在第一和第二平坦化膜51和52中的接觸孔59和60而彼此電連接。
如上所述，根據第一實例的像素結構，平坦化膜具有雙層結構，因而相較於單層結構的平坦化膜的膜厚，第一及第二平坦化膜51和52中的每一個膜的膜厚減少。在第二平坦化膜52上的二個子像素電極46A 和46B 藉由平坦化膜51與52之間的金屬佈線53而彼此電連接。
如圖9C所示，子像素電極46A 和46B 也可以藉由二條佈線以上的佈線而連接。在此佈局中，二個子像素電極46A 和46B 以二種方式電連接，它們係設置於接觸部59和60的二側中。此佈局可以降低導因於金屬佈線53的斷裂之像素缺陷，金屬佈線53的斷裂容易由平坦化膜51或52的處理或應變期間例如不純的灰塵混入所造成。這意指即使佈線的一側斷裂時，子像素電極46A 及46B 仍然可以藉由佈線53的另一側而彼此電接觸。
在此情況中，由於接觸部件56和57配置成在第一平坦化膜51中偏離接觸部件55，所以，接觸部件的膜厚可以減少。因此，在藉由金屬佈線53而建立電連接時，在第二平坦化膜52中形成接觸部件56和57時接觸孔56A 和57A 的直徑可以減小。因此，接觸部件56和57的接觸基底的尺寸可以減少，因此像素的尺寸不會增加。
在根據第一實例的像素結構中，一個像素4的像素電極被分成三個相同尺寸的子像素電極45、46A 、及46B ，二個上及下子像素電極46A 和46B 作為整組地被同時驅動，以及，2：1的權重指定給像素部，因此，四個灰度係以二個位元來予以表示。在採用面積比例灰階法之三部份分割的像素之像素結構中，各別的較高階及較低階位元的重心之位置，亦即，子像素電極46A 及46B 之顯示的重心位置與子像素電極45之顯示的重心位置相同(彼此一致)。
當各別位元的重心位置因而在採用面積比例灰階法之像素結構中相同時，與各別位元的重心的位置不相同之像素結構的情況相比，可以取得優良的灰度顯示。雖然在此情況中以三部份分割像素的像素結構為例說明，但是，這不限於三部份分割像素的像素結構。亦即，即使在分成四或更多部份的像素之像素結構中，當各別位元的重心的位置相同時，可以取得更佳的灰度顯示。
(第二實例)
如同也於上述中說明般，當VA(垂直對齊)模式要由面積比例灰階來予以設定時，施加至液晶分子的電壓視電極的形狀、尺寸、等等而變，因此，難以以優良方式對齊液晶。此外，由於子像素電極(反射電極)之間的面積 比例不一定是反射比例，所以灰度設計是困難的。慮及這些觀點，在下述中說明根據第二實例的像素結構。
圖10A及10B輔助說明根據採用面積比例灰階法的三部份分割像素的第二實例之像素結構。在圖10A及10B中，等同於圖9A和9B的部件以相同代號標示。圖10A是三個子像素電極的平面視圖。圖10B是從箭頭方向沿著圖10A的線Y-Y’取得的剖面視圖。
以使二個子像素電極46A 和46B 彼此電連接的構造之觀點而言，根據第二實例的像素結構基本上與根據第一實例的像素結構相同。亦即，根據第二實例的像素結構具有一構造，其中，平坦化膜具有雙層結構、金屬佈線53形成在雙層結構的第一與第二平坦化膜51和52之間、以及第二平坦化膜52上的二個子像素電極46A 和46B 藉由金屬佈線53而彼此電連接。
除了此構造之外，根據第二實例的像素結構具有用於控制垂直對齊的對齊因素61、62、及63。對齊因素61、62、及63是稱為VAP(垂直對齊突出)之對齊控制部的其中之一。對齊因素61、62、及63作動(act)以界定液晶分子下降的方向，亦即，當施加電場時觸發某方向上液晶分子的下降。
對齊因素61、62、及63，亦即，VAP 61、62、及63係設在中間的子像素電極45以及二個子像素電極46A 和46B 的各別中央部份。第二平坦化膜52在對應於中間中的子像素電極45的中央位置之部份中具有接觸部件60，以 及在對應於二個子像素電極46A 和46B 的各別中央位置的部份中具有接觸部件56和57。
亦即，VAP 61、62、及63的各別配置位置與接觸部件60、56、及57的各別配置位置相符。換言之，在根據第二實例的像素結構中，設在第二平坦化膜52中的接觸部件60、56、及57被使用作為(變二倍)VAP 61、62、及63。
如上所述，在以面積比例灰階採用VA模式時，根據第二實例的像素結構在中間的子像素電極45及將子像素電極45夾在中間的二個子像素電極46A 和46B 之各別中央部份中具有VAP 61、62、及63。除了根據第一實例的像素結構的作用及效果之外，此構造之使用提供下述作用及效果。
由於三個分割的子像素電極45、46A 、及46B 具有相同的電極形狀，以及子像素電極45、46A 、及46B 均具有均勻的電場分佈，所以，當電場被施加時，VAP 61、62、及63可以作動以觸發某方向上液晶分子的下降。結果，可以取得優良的液晶對齊。此外，由於接觸部件60、56、及57變為VAP 61、62、及63的二倍，所以，VAP 61、62、及63不需要被分別設置。
但是，VAP 61、62、及63不限於接觸部件60、56、及57變成VAP 61、62、及63的二倍之構造。VAP 61、62、及63可以具有另一構造，例如孔形成在金屬佈線53中及金屬佈線58和孔作為VAP 61、62、及63。此外，突 出可以設置成形成VAP 61、62、及63。在任何情況中，VAP 61、62、及63較佳位於三子像素電極45、46A 、及46B 的各別中央部份中。
在第二實施例中，如同第一實施例中所述般，如圖10C所示般，子像素電極46A 及46B 也可以藉由二條佈線以上的佈線而連接。
已以像素結構應用至像素包含記憶體(MIP像素)的液晶顯示裝置之情況為例，說明根據上述實施例的像素結構。但是，像素結構不限於此應用實例。亦即，像素可以具有或不具有MIP像素結構。但是，在MIP像素結構的情況中，例如電晶體等很多電路構成元件及接觸部件存在於一個像素之內，並且，電路密度高，以致於以佈局面積的觀點而言，沒有太多空間。因此，從取得更高清晰度的觀點而言，根據實施例的像素結構未增加接點的數目或佈線件數，因此，藉由應用至具有MIP像素結構的顯示裝置而能夠完美地施加像素結構的作用及功效。
此外，關於使平坦化膜具有雙層結構、在雙層結構的二個平坦化膜之間形成金屬佈線、以及藉由金屬佈線而使配置在用作為上層的平坦化膜上之二個電極電連接等技術事項，應用本技術的液晶顯示裝置可以具有或不具有採用面積比例灰階法的像素結構。亦即，本技術可以應用至一般使用配置在平坦化膜上的二個電極彼此電連接之構造的液晶顯示裝置。
[1-6.鏡面反射]
對於用作為反射式液晶顯示裝置中、或是較佳使用前散射膜(暗化膜)之反射式液晶顯示裝置中的反射器(反射電極)的子像素電極45、46A 、及46B ，鏡面反射是理想的。但是，在一般的液晶顯示裝置中，平坦化膜形成在佈線的凸部及凹部、以及反射電極形成在平坦化膜上，所述佈線係形成作為驅動電路，亦即，特別是圖2中的TFT電路部2的像素陣列部21的佈線。
因此，反射率及對比因例如下述的散射因素而變差：．導因於電路的佈線之凸部及凹部的殘餘表面粗糙度，．導因於直接在反射電極之下的凸部及凹部，及．接觸像素電極的部份以及圍繞像素電極的錐形部。
此外，在應用面積比例灰階時，為了無限制地配置子像素，如圖11所示，所有像素需要切換元件SW，用於選擇性地供應電力至像素電極。例如薄膜電晶體(TFT)等電晶體可以被使用作為切換元件SW。像素陣列部21的電路密度增加之數量相當於用於每一個像素4的切換元件SW的增加數目。
[1-7.根據實施例之像素陣列基板結構]
因此，在本實施例中，在反射式液晶顯示裝置中應用面積比例灰階時，像素陣列基板(TFT陣列基板)結構如下所述。
首先，為了有電路部(亦即，TFT電路部2)形成於其上的基板上之像素陣列基板結構的平坦化而形成的平坦化膜具有雙層結構，雙層結構係藉由依序地層疊第一平坦化膜及第二平坦化膜(對應於圖9中的平坦化膜51和52)而形成的。此外，在雙層結構的第一與第二平坦化膜之間形成中繼佈線。從第二平坦化膜中的平面觀視時，此中繼佈線使形成在第一平坦化膜中且連接至TFT電路部2的第一接觸部件電連接至形成在與第一接觸部件的位置不同位置處的第二接觸部件。
在上述構造的像素陣列基板結構中，形成在基板上的平坦化膜具有雙層結構，因而比單層結構的平坦化膜的情況，能夠更可靠地將導因於電路的佈線之凸部及凹部之表面粗糙度平坦化。此外，即使當第一接觸部件所連接的TFT電路部2的電路密度增加時，在第一接觸部件與第二接觸部件之間插入中繼佈線可以防止第二接觸部件的配置位置受TFT電路部2的電路圖案限制。換言之，形成在第二平坦化膜中的第二接觸部件可以自由地佈局。
因此，由於導因於電路的佈線之凸部及凹部的表面粗糙度可以更可靠地平坦化，以及，形成在第二平坦化膜中的第二接觸部件可以自由地佈局而不影響影像品質，所以，能夠提供具有高顯示品質的反射式液晶顯示裝置。於下將參考圖式，說明根據實施例的像素陣列基板結構的實例。
(基板結構)
圖12是代表根據實施例之像素陣列基板結構的具體實例的主要部份的剖面視圖。
在圖12中，在透明基板(基底材料)71的表面上形成包含電晶體72的電路部。舉例而言，使用玻璃基板作為透明基板71。舉例而言，使用TFT(薄膜電晶體)作為電晶體72。亦即，包含電晶體72的電路部對應於圖1及圖2中的TFT電路部2。大量的像素部係以陣列形式而被設置在透明基板71上，並且，電晶體72係形成為對應於各別像素4。
此情況中所示的電晶體72被使用作為切換元件，用以控制供應給設置成用於每一個像素4的像素電極之電力。亦即，電晶體72對應於圖11中的切換元件SW。雖然圖12中未顯示，但是，構成具有圖5中所示的具有記憶體功能之像素電路(驅動電路)的電晶體等等也包含在形成於透明基板71上的TFT電路部2中。
電晶體(TFT)72具有一配置，其具有形成在透明基板71上的閘極電極721以及具有構成形成在閘極電極721上的主動層之半導體層722。半導體層722的中央部份形成通道部，半導體層722的二端形成源極/汲極部。在半導體層722的二端之源極/汲極部經過絕緣膜73而被電連接至由例如Al(鋁)、Ti(鈦)等導電材料所形成的源極/汲極電極723和724。
有包含電晶體72的TFT電路部2係形成於其上的透 明基板71的上表面具有導因於包含源極/汲極電極723和724的金屬佈線之存在的凸部及凹部。為了平坦化凸部及凹部，第一平坦化膜74形成為覆蓋包含電晶體72的TFT電路部2。第一平坦化膜74對應於圖9中的第一平坦化膜51。接觸孔75A 係形成在第一平坦化膜74中。
藉由形成例如ITO等薄的導電膜以及藉由微影術等而將薄的導電膜製成所需的電路圖案，在第一平坦化膜74中形成中繼佈線76。也在形成於第一平坦化膜74中的接觸孔75A 的內壁上，形成用以形成中繼佈線76的ITO，藉以形成用以使中繼佈線76及電晶體72彼此電連接的第一接觸部件75。
第二平坦化膜77形成在第一平坦化膜74上以覆蓋作為電路圖案的中繼佈線76。第二平坦化膜77對應於圖9中的第二平坦化膜52。接觸孔78A 形成在第二平坦化膜77中。從平面觀視時，此接觸孔78A 佈局在不同於形成在第一平坦化膜74中的接觸孔75A 的位置之位置處。
藉由形成例如Ag(銀)、Al(鋁)等具有高反射率的薄的導電膜以及以微影術等而將薄的導電膜製成所需的像素電極圖案，在第二平坦化膜77上形成像素電極79作為反射電極。像素電極79對應於圖9中的子像素電極45及子像素電極46A 和46B 。
舉例而言，形成像素電極79之Ag也被形成在形成於第二平坦化膜77中的接觸孔78A 的內壁上，因而形成用以使中繼佈線76及像素電極79彼此電連接的第二接觸部 件78。由於從平面觀視時接觸孔78A 佈局在不同於接觸孔75A 的位置之位置處，所以，從平面觀視時第二接觸部件78當然也佈局在不同於第一接觸部件75的位置之位置處。
形成在第二平坦化膜77中的第二接觸部件78是漫反射區域，亦即，光學無效區域，因而影響影像品質。第二接觸部件78的尺寸及佈局位置因而在增進液晶顯示裝置的顯示品質上是重要的。
如上所述，在根據本實施例的像素陣列基板結構中，為了平坦化基板的表面而形成於透明基板71上的平坦化膜具有雙層結構，雙層結構係藉由依序層疊第一平坦化膜74及第二平坦化膜77而被形成的。與單層結構的平坦化膜的情況相比，雙層結構能夠更可靠地平坦化電路粗糙度，亦即，導因於佈線的凸部和凹部之表面粗糙度，並且，藉由第二平坦化膜77而能夠平坦化中繼佈線76的高度差(level difference)。
在此情況中能夠更平坦化基板的表面意指形成具有高平坦度的像素電極79作為反射電極。由於形成具有高平坦度的像素電極79，所以，相較於使用單層結構的平坦化膜之以前的結構，反射式液晶顯示裝置能夠提供高反射率及高對比。
圖13A及13B是在平坦化膜形成在具有包含記憶體的像素結構的TFT基板上以及像素電極形成在平坦化膜之後，雙層結構的平坦化膜的情況(圖13A)與單層結構的平 坦化膜的情況(圖13B)之間關於基板表面的粗糙度之比較。在此情況中，為了比較平坦化效果而未形成接觸孔，並且，顯示藉由原子力顯微鏡(AFM)來測量表面粗糙度而取得的測量結果。
在圖13A及13B中，Ra 代表(表面的表面粗糙度)變異，Rpv 代表最大高度差(峰至谷的高度差)。如圖13A中所示，當平坦化膜具有雙層結構時，基板表面呈現鏡面。另一方面，如圖13B所示，當平坦化膜具有單層結構時，基板表面是粗糙表面。
此外，由於第一接觸部件75及第二接觸部件78佈局在不同位置，以及藉由中繼佈線而建立第一接觸部件75及第二接觸部件78之間的連接，所以，視接觸部件75和78的佈局位置而安排中繼佈線76的路徑不會造成TFT電路部2複雜化。另一方面，在平坦化膜具有單層結構之以前的結構之情況中，視連接至像素電極的接觸部件的佈局位置而安排平坦化膜之下的佈線之路徑會因為討論中的佈線是TFT電路部2的佈線而使TFT電路部2複雜化。
此外，即使當TFT電路部2的電路密度增加時，使第一接觸部件75及第二接觸部件78彼此連接的中繼佈線76仍然能夠防止第二接觸部件78的佈局位置受TFT電路部2的電路圖案限制。換言之，形成在第二平坦化膜77中且對影像品質產生效果的第二接觸部件78可以自由地佈局，以降低對影像品質的影響。亦即，相對於第一接觸部件75的配置位置，可以任意地設定第二接觸部件78的配置 位置。
此外，由於平坦化膜具有雙層結構，所以，相較於單層結構的平坦化膜的膜厚，第一及第二平坦化膜74和77中每一個膜的膜厚可以降低。因此，形成在第一及第二平坦化膜74和77中的接觸孔75A 和78A 的直徑可以減少。由於特別減少形成在第二平坦化膜77中的接觸孔78A 的直徑，所以，對影像品質的影響最小化，並且與中繼佈線76的作用及影響相耦合，一或更多個小尺寸的接觸部件可以自由地佈局在第二平坦化膜77中。
因此，根據本實施例的像素陣列基板結構，導因於電路的佈線之凸部及凹部之表面粗糙度可以更可靠地平坦化，並且，形成在第二平坦化膜77中的第二接觸部件78可以以小尺寸及以不影響影像品質的方式而自由地佈局。結果，根據本實施例的像素陣列基板結構，能夠提供具有高顯示品質的反射式液晶顯示裝置。
(製造方法)
接著，將參考圖14的流程圖，說明根據本實施例的像素陣列基板結構之製造方法。
首先，包含電晶體(TFT)72的TFT電路部2係形成在透明基板(基底材料)71上(步驟S21)。接著，藉由塗敷、曝光、顯影、及燒製用於第一平坦化膜74的材料，以形成第一平坦化膜74(步驟S22)。
圖15A是平面圖案視圖，顯示形成第一層平坦化膜( 第一平坦化膜)74的狀態中像素電路的平面圖案。圖15B是沿著平面圖案視圖的線A-A’取得的剖面結構視圖(圖15A)。
圖15A的平面圖案視圖對應於以如圖5所示之包含記憶體的二個(47A 及47B )像素電路(驅動電路)用於如圖8所示的三個子像素電極45、46A 、及46B 之電路配置。關於圖5的電路配置，藉由使用電晶體，具體而言，使用TFT，以形成包含記憶體的像素4的切換元件41至43以及鎖存部44。在此情況中，顯示一配置，其中，以具有單一導電率型的MOS電晶體而形成切換元件42和43。
在第一層平坦化膜(第一平坦化膜)74中，在對應於圖5中的輸出節點NOUT 之部份中形成接觸部件。此接觸部件對應於圖9A及9B中的接觸部件55和59。亦即，如同從圖15A的平面圖案清楚可見般，特別是，二個接觸部件(55和59)係出現在第一層平坦化膜74形成的狀態中。
關於下一個製程，例如ITO等薄的導電膜形成在第一平坦化膜74上(步驟S23)，然後，以微影術等，將導電膜圖案化成所需電路圖案，因而形成中繼佈線76(步驟S24)。接著，藉由塗敷、曝光、顯影、及燒製用於第二平坦化膜77的材料，在第一平坦化膜74上形成第二平坦化膜77以致覆蓋中繼佈線76(步驟S25)。
接著，在第二平坦化膜77上形成例如Ag/Al等具有高反射例的薄的導電膜(步驟S26)，然後，以微影術等 ，將薄的導電膜圖案化成所需像素電極圖案，因而形成像素電極79作為反射電極(步驟S27)。以上述製程系列，形成根據本實施例的像素陣列基板結構。之後，製程進行至胞(cell)製程。
圖16A是平面圖案視圖，顯示形成像素電極79的狀態中像素電路的平面圖案。圖16B是沿著平面圖案視圖(圖16A)的線B-B’取得的剖面結構視圖。
如同圖16A中清楚可見般，在形成像素電極79的情況中存在有全部三個接觸部件(60、56、及57)，亦即，在子像素電極45的中央部份的一個接觸部件以及在子像素電極46A 和46B 中每一個電極的中央部份中的一個接觸部件。
(用於平坦化膜的材料)
接著，將說明用於第一及第二平坦化膜74(51)和77(52)的材料，或是具體而言，用於平坦化膜74和77的材料，它們適用於雙層結構的材料。
已知在以單層結構的平坦化膜取得高平坦度時，具有高熔融特性的材料是非常有效的。但是，當使用具有高熔融特性的材料時，因為高溫燒製時的熔融而加寬形成在平坦化膜中的接觸孔。接觸孔的加寬區域是漫反射區域，亦即，光學無效區域。熔融是表示溶液狀態中聚合物的流動性或可處理性之測量的其中之一。
因此，第一平坦化膜74是由用於第一層之具有高熔 融特性的材料所形成，中繼佈線76形成在平坦化膜74上，之後，第二平坦化膜77是由與第一層相反之用於第二層的具有低熔融特性的材料所形成。此時，在第二層中的平坦化膜77的玻璃轉變溫度Tg 製成高於第二層中的平坦化膜77顯影之後燒製處理中的燒製溫度T。
在此情況中，玻璃轉變溫度Tg 高於燒製溫度T(Tg >T)的材料被視為具有低熔融特性的材料，並且，玻璃轉變溫度Tg 等於或低於燒製溫度T(Tg ≦T)的材料被視為具有高熔融特性的材料。玻璃轉變溫度Tg 是熱力學微分量多多少少呈現當溫度改變時從類晶體值突然變成類液態值。
此熔融特性變成先前所述的製程(亦即，塗敷、曝光、顯影、及燒製用於第二層中的平坦化膜77的材料之製程)中的步驟S25的處理之問題(請參見圖14)。具體而言，如圖17A所示，將塗敷於第一層中的平坦化膜74上的第二層中的平坦化膜77曝光及顯影，然後，以燒製溫度T來燒製。以作為漫反射區域的光學無效區域之觀點而言，視材料的熔融特性而發生大的差異。
具體而言，當用於第二層中的平坦化膜77的材料是具有低熔融特性的材料，亦即，玻璃轉變溫度Tg 高於燒製溫度T的材料時(圖17B)，可以抑制導因於高溫燒製之形成在平坦化膜77中的接觸孔的加寬(對應於圖12中的接觸孔78A 之接觸孔)。另一方面，當用於第二層中的平坦化膜77的材料是具有高熔融特性的材料，亦即，玻 璃轉變溫度Tg 等於或低於燒製溫度T的材料時(圖17C)，在高溫燒製時接觸孔因熔融而加寬。
圖18A及18B顯示當用於第二層中的平坦化膜77的材料是具有低熔融特性的材料時之接觸孔狀態。圖18A顯示外照明下接觸孔的表面顯微影像，在外照明中，由樣品反射的光被放大及觀測。圖18B顯示接觸孔的剖面。顯示使用具有低熔融特性的材料作為用於第二層中的平坦化膜77的材料能夠抑制導因於高溫燒製的接觸孔之加寬，因而造成小的光學無效區域作為漫反射區域。
圖19A及19B顯示當用於二層中的平坦化膜77的材料是具有高熔融特性的材料時之接觸孔狀態。圖19A顯示外照明下接觸孔的表面顯微影像。圖19B顯示接觸孔的剖面。顯示使用具有高熔融特性的材料作為用於第二層中的平坦化膜77的材料會在高溫燒製時加寬接觸孔，因而與具有低熔融特性的材料之情況相比，造成較大的光學無效區域作為漫反射區域。
因此使用玻璃轉變溫度Tg 高於燒製溫度T的具有低熔融特性的材料作為第二層中的平坦化膜77，能夠抑制導因於高溫燒製之形成於平坦化膜77中的接觸孔的加寬，因而能夠降低接觸孔的加寬區域。這縮減對影像品質有影響之作為漫反射區域的光學無效區域，因而顯著地有助於增進顯示裝置的顯示品質。
已以像素陣列基板結構應用至像素具有MIP像素結構的液晶顯示裝置之情況為例，說明根據上述實施例的像素 陣列基板結構。但是，像素陣列基板結構不限於此應用實施例。亦即，像素可以具有或不具有MIP像素結構。但是，根據本實施例的像素陣列基板結構應用至具有MIP像素結構的液晶顯示裝置能夠提供下述獨特的作用及效果。
MIP像素結構在一個像素之內具有例如電晶體等很多電路構成元件以及接觸部件。因此，MIP像素結構具有高電路密度，並且，TFT陣列基板上的佈局結構複雜化。當在此TFT陣列基板上形成像素電極作為反射電極時採用根據本實施例的像素陣列基板結構時，在具有形成於第一層平坦化膜74上的中繼佈線76之設計中，可以自由地決定對影像品質有影響的接觸部件之佈局。結果能夠降低電路密度，以及作出專用於像素開關(對應於圖11中的開關元件SW)及像素記憶體側的設計。
<2.修改實例>
在上述實施例中，已以本技術應用至液晶顯示裝置的情況為例，作出說明。但是，關於在每一個子像素電極的中央部份設置VAP(對齊因素)的技術事項以外的技術事項，本技術不侷限於應用至VA系統的液晶顯示裝置，又可應用至一般液晶顯示裝置。亦即，本技術不僅可以應用至一般液晶顯示裝置，也可以應用至使用有機EL(電場發光)元件、無機EL元件、LED(發光二極體)元件、半導體雷射元件、等等作為像素的電光元件(發光元件)的一般顯示裝置。
此時，像素可以是或不是包含記憶體的像素(MIP像素)。但是，在MIP像素結構的情況中，例如電晶體等很多電路構成元件及接觸部件出現在一像素4之內，且以佈局面積而言沒有足夠的空間。因此，從取得更高清晰度的觀點而言，本技術不會增加接點數目或是佈線件數，因而藉由應用至具有MIP像素結構的顯示裝置，能夠完美地施加本技術的作用及效果。此外，在該情況中，本技術當然也可以被應用至MIP與有機EL元件相結合、無機EL元件、LED元件、半導體雷射元件、等等的結合之顯示裝置。
此外，使平坦化膜具有雙層結構、在雙層結構的平坦化膜之間形成金屬佈線、以及藉由金屬佈線而使配置在作為上層的平坦化膜上之二個電極彼此電連接等有關技術事項中，應用本技術的顯示裝置可以具有或不具有採用面積比例灰階法的像素結構。亦即，本技術可以應用至一般使用配置在平坦化膜上的二個電極彼此電連接的構造之顯示裝置。
此外，在上述實施例中，已以本技術應用至反射式液晶顯示裝置的情況為例說明。但是，本技術不侷於應用至反射式液晶顯示裝置。亦即，關於像素資料的寫入、像素結構、及像素陣列基板結構等技術事項，如同反射式液晶顯示裝置的情況一般，本技術類似地可應用至透射式液晶顯示裝置及透反射式液晶顯示裝置。但是，關於像素陣列基板結構的技術事項，由於本技術能夠取得作為反射電極 的子像素電極的更多鏡面反射，所以，當應用至反射式液晶顯示裝置時，本技術可以更完美地施加其作用及效果。
<3.電子設備>
根據上述本技術的實施例之顯示裝置可以應用作為所有領域的電子設備的顯示裝置，所述電子設備會顯示輸入至其的視頻訊號或於其中產生的視頻訊號以作為影像或視頻影像。舉例而言，根據本技術的實施例之顯示裝置可以應用作為圖20至22G中所示的例如數位相機及攝影機的顯示裝置以及例如可攜式電話、PDA(個人數位助理)、電子書等可攜式終端裝置的顯示裝置等各種電子設備的顯示裝置。
根據本技術的實施例之顯示裝置包含密封模組形式的顯示裝置。舉例而言，藉由使例如透明玻璃基板等對置部件附著至像素陣列部而形成的顯示模組相當於密封模組形式的顯示裝置。此透明對置部件可以設有濾光器、保護膜、等等。此外，顯示模組可以設有電路部件、FPC(可撓性印刷電路)、等等，用於外部地輸入或輸出訊號等等至像素陣列部。
在下述中將說明應用本技術的電子設備之具體實例。
圖20A及20B是應用本技術的數位相機之外觀立體視圖。圖20A是從前側觀視的數位相機之立體視圖。圖20B是從後側觀視的數位相機之立體視圖。根據本應用實施例的數位相機包含用於閃光的發光部件111、顯示部件112 、選單開關113、快門按鈕114、等等。使用根據本技術的實施例之顯示裝置作為顯示部件112，以製造數位相機。
圖21是應用本技術的攝影機之外觀立體視圖。根據本應用實施例的攝影機包含主單元131、在面向前方的側表面中的透鏡之用於拍攝物體的鏡頭132、在拍攝畫面時的開啟/停止開關、顯示部件134、等等。使用根據本技術的實施例之顯示裝置作為顯示部件134，以製造數位相機。
圖22A、22B、22C、22D、22E、22F、及22G是應用本技術的例如可攜式電話等可攜式終端裝置的外觀立體視圖。圖22A是處於打開狀態之可攜式電話的前視圖。圖22B是處於打開狀態之可攜式電話的側視圖。圖22C是處於閉合狀態之可攜式電話的前視圖。圖22D是處於閉合狀態之可攜式電話的左側視圖。圖22E是處於閉合狀態之可攜式電話的右側視圖。圖22F是處於閉合狀態之可攜式電話的上視圖。圖22G是處於閉合狀態之可攜式電話的底視圖。根據本應用實施例的可攜式電話包含上側殼141、下側殼142、耦合部件(此情況中的軸部部件)143、顯示器144、子顯示器145、畫面燈146、相機147、等等。使用根據本技術的實施例之顯示裝置作為顯示器144及子顯示器145，以製造根據本應用實施例的可攜式電話。
在上述中，以可攜式電話作為可攜式終端終端裝置的實例。但是，如上所述般，本技術可以應用至例如PDA、 電子書、等等各種可攜式終端的顯示裝置。當根據本技術的實施例之顯示裝置是反射式液晶顯示裝置時，特別是，反射式液晶顯示裝置不需要用於內部發光的功率，因此，當作為經常在戶外使用的可攜式終端裝置的顯示裝置時，反射式液晶顯示裝置提供能夠大幅降低可攜式終端裝置的耗電之優點。同理可用於經常在戶外使用的數位相機及攝影機。
本技術含有與2010年12月24日向日本專利局申請的日本優先權專利申請JP 2010-287668、以及2010年12月20日向日本專利局申請的日本優先權專利申請JP 2010-283487中所揭示的標的相關之標的，其整體內容於此一併列入參考。
習於此技藝者應瞭解可以視設計需求及其它因素而產生各式各樣的修改、組合、副組合及替代，但是，它們是在後附的申請專利範圍或其均等範圍之內。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧TFT電路部
3‧‧‧驅動器IC
4‧‧‧像素
10‧‧‧反射式液晶顯示裝置
21‧‧‧像素陣列部
22A ‧‧‧垂直驅動部
22B ‧‧‧垂直驅動部
23‧‧‧水平驅動部
24‧‧‧掃描線
25‧‧‧訊號線
26‧‧‧控制線
27‧‧‧控制線
28‧‧‧電源線
29‧‧‧電源線
31‧‧‧解碼器
32‧‧‧緩衝器記憶體
33‧‧‧重寫決定電路
34‧‧‧區域記憶體
35‧‧‧暫存器
36‧‧‧控制部
37‧‧‧輸出電路
40‧‧‧外部控制器
41‧‧‧開關元件
42‧‧‧開關元件
43‧‧‧開關元件
44‧‧‧鎖存部
44A ‧‧‧耦合部份
44B ‧‧‧耦合部份
45‧‧‧子像素電極
46A ‧‧‧子像素電極
46B ‧‧‧子像素電極
47A ‧‧‧驅動電路
47B ‧‧‧驅動電路
50‧‧‧可撓性印刷線路板
51‧‧‧第一平坦化膜
52‧‧‧第二平坦化膜
53‧‧‧金屬佈線
55‧‧‧接觸部件
55A ‧‧‧接觸孔
56‧‧‧接觸部件
56A ‧‧‧接觸孔
57‧‧‧接觸部件
57A ‧‧‧接觸孔
58‧‧‧金屬佈線
59‧‧‧接觸部件
60‧‧‧接觸部件
61‧‧‧對齊因素
62‧‧‧對齊因素
63‧‧‧對齊因素
71‧‧‧透明基板
72‧‧‧電晶體
73‧‧‧絕緣膜
74‧‧‧第一平坦化膜
75‧‧‧第一接觸部件
75A ‧‧‧接觸孔
76‧‧‧中繼佈線
77‧‧‧第二平坦化膜
78‧‧‧第二接觸部件
78A ‧‧‧接觸孔
79‧‧‧像素電極
111‧‧‧發光部件
112‧‧‧顯示部件
113‧‧‧選單開關
114‧‧‧快門按鈕
131‧‧‧主單元
132‧‧‧鏡頭
133‧‧‧開啟/停止開關
134‧‧‧顯示部件
141‧‧‧上側殼
142‧‧‧下側殼
143‧‧‧耦合部件
144‧‧‧顯示器
145‧‧‧子顯示器
146‧‧‧畫面燈
147‧‧‧相機
221A ‧‧‧垂直驅動器
221B ‧‧‧垂直驅動器
222A ‧‧‧鎖存器
222B ‧‧‧鎖存器
231‧‧‧水平驅動器
232‧‧‧緩衝電路
441‧‧‧反相器
442‧‧‧反相器
721‧‧‧閘極電極
722‧‧‧半導體層
723‧‧‧源極/汲極電極
724‧‧‧源極/汲極電極
圖1是方塊圖，顯示根據本技術的實施例之顯示裝置的系統配置的實例；圖2是方塊圖，顯示TFT電路部的具體配置的實例；圖3是方塊圖，顯示MIP像素的電路配置的實例；圖4是輔助說明MIP像素的操作之時序圖；圖5電路圖，顯示MIP像素的具體電路配置的實例；圖6是驅動IC中用於部份地重寫像素資料的具體處 理程序之流程圖；圖7A、7B、及7C是助於說明面積比例灰階法中的像素分割；圖8是電路圖，顯示三部份分割的像素結構中的三個子像素電極與二組驅動電路之間的對應性；圖9A、9B、及9C是輔助說明根據採用面積比例灰階法之三部份分割像素的第一實例之像素結構，圖9A或9C是三個子像素電極的平面視圖，圖9B是從箭頭方向沿著圖9A的線X-X’取得的剖面視圖；圖10A、10B、及10C是輔助說明根據採用面積比例灰階法之三部份分割像素的第二實例之像素結構，圖10A或10C是三子像素電極的平面視圖，圖10B是從箭頭方向沿著圖10A或10C的線Y-Y’取得的剖面視圖；圖11是輔助說明用於選取供應電力至像素電極的切換元件；圖12是代表根據實施例之像素陣列基板結構的具體實例的主要部份的剖面視圖；圖13A及13B是在平坦化膜形成於具有包含記憶體的像素結構之TFT基板上以及像素電極形成在平坦化膜上之後雙層結構的平坦化膜的情況(圖13A)與單層結構的平坦化膜之情況(圖13B)之間有關於基板的表面粗糙度的比較；圖14是根據實施例的像素陣列基板結構的製造方法的處理流程之流程圖； 圖15A及15B是輔助說明形成第一層中的平坦化膜的狀態之像素電路，圖15A是顯示平面圖案的平面圖案視圖，圖15B是圖15A的A-A’剖面結構視圖；圖16A及16B輔助說明形成像素電極之後的像素電路，圖16A是顯示平面圖案的平面圖案視圖，圖16B是圖16A的B-B’剖面結構視圖；圖17A、17B、及17C輔助說明第二層中平坦化膜的熔融特性；圖18A及18B是輔助說明用於第二層中的平坦化膜的材料是具有低熔融特性的材料；圖19A及19B是輔助說明用於第二層中的平坦化膜的材料是具有高熔融特性的材料之情況；圖20A及20B是立體視圖，說明應用本技術的數位相機的外觀，圖20A是從前側觀視的數位相機的立體視圖，圖20B是從後側觀視的數位相機的立體視圖；圖21是應用本技術的攝影機的外觀立體視圖；以及圖22A、22B、22C、22D、22E、22F、及22G是應用本技術的可攜式電話的外部視圖，圖22A是處於開啟狀態的可攜式電話之前視圖，圖22B是處於開啟狀態的可攜式電話之側視圖，圖22C是處於關閉狀態的可攜式電話之前視圖，圖22D是處於關閉狀態的可攜式電話之左側視圖，圖22E是處於關閉狀態的可攜式電話之右側視圖，圖22F是處於關閉狀態的可攜式電話之上視圖，圖22G是處於關閉狀態的可攜式電話之底視圖。
40‧‧‧外部控制器
31‧‧‧解碼器
32‧‧‧緩衝器記憶體
3‧‧‧驅動器IC
33‧‧‧重寫決定電路
34‧‧‧區域記憶體
35‧‧‧暫存器
36‧‧‧控制部
37‧‧‧輸出電路
10‧‧‧反射式液晶顯示裝置
1‧‧‧透明基板
22A 、22B ‧‧‧垂直驅動部
2‧‧‧TFT電路部
21‧‧‧像素陣列部
23‧‧‧水平驅動部

Claims (17)

  1. 一種像素結構，包括：絕緣膜，係形成於基板上，而該基板上係形成有電路部，該電路部包含複數個電晶體電路；源極/汲極電極，係形成於該絕緣膜上，並且與該等電晶體電路的源極或汲極相連接；第一平坦化膜及第二平坦化膜，係依序堆疊於該絕緣膜及該源極/汲極電極上；以及中繼佈線，用以將配置在該第二平坦化膜上的二個電極彼此電連接以致彼此分離，該中繼佈線係形成在該第一平坦化膜與該第二平坦化膜之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之像素結構，其中，該二個電極藉由與另一個電極的面積結合而執行顯示灰度之面積比例灰階。
  3. 如申請專利範圍第2項之像素結構，其中，藉由該二個電極之顯示的重心位置與藉由該另一個電極之顯示的重心位置係相同的。
  4. 如申請專利範圍第2項之像素結構，其中，該二個電極與另一個電極具有相同的尺寸。
  5. 如申請專利範圍第4項之像素結構，其中，該二個電極係配置成該另一個電極被插入於該二個電極之間。
  6. 如申請專利範圍第4項之像素結構，其中，該像素結構使用垂直對齊模式，在無電場時，使液晶分子實質上垂直於該基板，以及 該二個電極與該另一個電極的各別中央部具有用以控制垂直對齊的對齊因素。
  7. 如申請專利範圍第6項之像素結構，其中，該第二平坦化膜在對應於該二個電極的中央位置之每一個部份中以及對應於該另一個電極的中央位置之部份中具有接觸部件。
  8. 如申請專利範圍第7項之像素結構，其中，該接觸部件作為該對齊因素。
  9. 如申請專利範圍第4項之像素結構，其中，該複數個電晶體電路在每一個像素中具有用以同時驅動該二個電極的一個電晶體電路、以及用以驅動該另一個電極的一個其它的電晶體電路。
  10. 如申請專利範圍第9項之像素結構，其中，該第一平坦化膜包含第一接觸部件，用以電連接該一個電晶體電路至該中繼佈線，以及該第二平坦化膜包含第二接觸部件，用以電連接該二個電極至該中繼佈線。
  11. 如申請專利範圍第10項之像素結構，其中，從平面觀視，該第二接觸部件係配置在不同於該第一接觸部件之位置。
  12. 如申請專利範圍第11項之像素結構，其中，該第二接觸部件係配置在對應於該第二平坦化膜中該二個電極的中央位置之部份中。
  13. 如申請專利範圍第1項之像素結構， 其中，該電路部具有記憶體，用以將資料固持在每一個像素中。
  14. 如申請專利範圍第1項之像素結構，其中，該中繼佈線包含在該第一接觸部件與該第二接觸部件之間連接的至少二條佈線。
  15. 一種顯示裝置，係藉由配置具有像素結構的像素來予以形成，該像素結構包括：絕緣膜，係形成於基板上，而該基板上係形成有電路部，該電路部包含複數個電晶體電路；源極/汲極電極，係形成於該絕緣膜上，並且與該等電晶體電路的源極或汲極相連接；第一平坦化膜及第二平坦化膜，係依序堆疊於該絕緣膜及該源極/汲極電極上；以及中繼佈線，用以將配置在該第二平坦化膜上的二個電極彼此電連接以致彼此分離，該中繼佈線係形成在該第一平坦化膜與該第二平坦化膜之間。
  16. 一種電子設備，具有藉由配置具有像素結構的像素而形成之顯示裝置，該像素結構包括：絕緣膜，係形成於基板上，而該基板上係形成有電路部，該電路部包含複數個電晶體電路；源極/汲極電極，係形成於該絕緣膜上，並且與該等電晶體電路的源極或汲極相連接；第一平坦化膜及第二平坦化膜，係依序堆疊於該絕緣膜及該源極/汲極電極上；以及 中繼佈線，用以將配置在該第二平坦化膜上的二個電極彼此電連接以致彼此分離，該中繼佈線係形成在該第一平坦化膜與該第二平坦化膜之間。
  17. 一種像素陣列基板結構的製造方法，包括：絕緣膜，係形成於基板上，而該基板上係形成有電路部，該電路部包含複數個電晶體電路；源極/汲極電極，係形成於該絕緣膜上，並且與該等電晶體電路的源極或汲極相連接；第一平坦化膜及第二平坦化膜，係依序堆疊於該絕緣膜及該源極/汲極電極上；以及中繼佈線，係形成在該第一平坦化膜與該第二平坦化膜之間；該中繼佈線，使第一接觸部件與第二接觸部件電連接；該第一接觸部件，係形成於該第一平坦化膜上，並且連接至該電路部；該第二接觸部件，係形成於該第二平坦化膜之從俯視方向觀察與該第一接觸部件不同的位置；其中，當該像素陣列基板結構被製造時，將該第二平坦化膜之材料的玻璃轉變點設定成高於：在該第二平坦化膜被顯影後所施加的燒製溫度。
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