[go: up one dir, main page]

TWI482705B - 抗靜電層用硬化性樹脂組成物、光學薄膜、偏光板及顯示面板 - Google Patents

抗靜電層用硬化性樹脂組成物、光學薄膜、偏光板及顯示面板 Download PDF

Info

Publication number
TWI482705B
TWI482705B TW100124540A TW100124540A TWI482705B TW I482705 B TWI482705 B TW I482705B TW 100124540 A TW100124540 A TW 100124540A TW 100124540 A TW100124540 A TW 100124540A TW I482705 B TWI482705 B TW I482705B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
antistatic layer
antistatic
optical film
adhesion
Prior art date
Application number
TW100124540A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201223758A (en
Inventor
Kana Yamamoto
Tomoyuki Horio
Original Assignee
Dainippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Printing Co Ltd filed Critical Dainippon Printing Co Ltd
Publication of TW201223758A publication Critical patent/TW201223758A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI482705B publication Critical patent/TWI482705B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/02—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated end groups
    • C08F290/06—Polymers provided for in subclass C08G
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
    • G02B5/3041—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid comprising multiple thin layers, e.g. multilayer stacks
    • G02B5/305—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid comprising multiple thin layers, e.g. multilayer stacks including organic materials, e.g. polymeric layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B23/00—Layered products comprising a layer of cellulosic plastic substances, i.e. substances obtained by chemical modification of cellulose, e.g. cellulose ethers, cellulose esters, viscose
    • B32B23/20—Layered products comprising a layer of cellulosic plastic substances, i.e. substances obtained by chemical modification of cellulose, e.g. cellulose ethers, cellulose esters, viscose comprising esters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/02—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated end groups
    • C08F290/06—Polymers provided for in subclass C08G
    • C08F290/067—Polyurethanes; Polyureas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/12—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by physical features, e.g. anisotropy, viscosity or electrical conductivity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D151/00—Coating compositions based on graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D151/08—Coating compositions based on graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers grafted on to macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/21—Anti-static
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/418—Refractive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/42—Polarizing, birefringent, filtering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2551/00—Optical elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/04—Antistatic
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
    • G02B2207/121—Antistatic or EM shielding layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

抗靜電層用硬化性樹脂組成物、光學薄膜、偏光板及顯示面板
本發明係關於一種設置於液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)、陰極管顯示裝置(CRT，Cathode-ray Tube)或電漿顯示器(PDP，Plasma Display Panel)等顯示器(影像顯示裝置)之前面之具有抗靜電層的光學薄膜及該抗靜電層用之組成物，以及使用該光學薄膜之偏光板及顯示面板。
於上述之顯示器中，通常於最表面設置有包含具有抗反射性、硬塗性或抗靜電性等各種功能之層的光學薄膜。另外，於本說明書中，有時將硬塗僅稱為「HC」。
作為此種光學薄膜的功能層之一，已知有用於賦予抗靜電性之抗靜電層。該抗靜電層係藉由添加摻雜有銻之氧化錫(ATO，Antimony Tin Oxide)或摻雜有錫之氧化銦(ITO，Indium Tin Oxide)等金屬氧化物系的導電性超微粒子、高分子型導電性組成物或四級銨鹽系導電材料等抗靜電劑而形成(例如專利文獻1)。於使用該等抗靜電劑之情形時，為了使所需之抗靜電性與光學特性(低霧值或高全光線透過率)並存，藉由形成含有抗靜電劑之0.1～1 μm左右的薄膜層來賦予所需之功能。
又，於上述之顯示器中，要求對顯示器之影像顯示面賦予硬度，以使其於處理時不受損傷。對此，於專利文獻1中揭示有如下之光學薄膜之構成：於三醋酸纖維素(以下，有時僅稱為「TAC(Triacetyl Cellulose)」基材上設置薄膜之防靜電層，並於該抗靜電層上設置HC層。
然而，由於抗靜電層係薄膜，因此存在如下之問題：層中所包含之季戊四醇三丙烯酸酯(以下，有時僅稱為「PETA(Pentaerythritol triacrylate)」或二季戊四醇六丙烯酸酯(以下，有時僅稱為「DPHA(Di-Pentaerythritol hexaacrylate)」之類的黏合劑成分及抗靜電劑的量有限，進而容易造成與鄰接於該抗靜電層之HC層之密接性不足。
於以基材/抗靜電層/HC層為基本構成之光學薄膜中，係有抗靜電層與HC層之間的界面、及抗靜電層與基材之間的界面，在各個界面存在密接性之問題。
於抗靜電層與HC層之間的界面上，抗靜電層與HC層各自之反應性基進行交聯鍵結而密接，但同時要求抗靜電層發揮抗靜電性能。於抗靜電劑為金屬氧化物之情形時，為了抗靜電層發揮抗靜電性能，抗靜電劑之微粒子彼此必需密接，因此添加大量之抗靜電劑，但存在霧值增加、或全光線透過率惡化之情況。然而，若重視光學特性而減少金屬氧化物之量，則抗靜電性能難以發揮。又，若增加抗靜電劑之量，則存在於抗靜電層與鄰接層之界面上黏合劑成分之量不足，抗靜電層與鄰接層之密接性變差之可能性。然而，若重視密接性而減少金屬氧化物之量，則抗靜電性能難以發揮。
於抗靜電劑為四級銨鹽之情形時，為了抗靜電層發揮抗靜電性能，層內必需存在量比黏合劑更多之四級銨鹽。或者，四級銨鹽必需集中存在於抗靜電層之與HC層鄰接的界面附近。然而，於此種情形時，存在如下之可能性：存在於界面附近之四級銨鹽阻礙抗靜電層與HC層之密接，在抗靜電層與鄰接之HC層的界面上黏合劑成分(具有提高與HC層之交聯密度之反應性基的成分)之量不足，抗靜電層與鄰接之HC層的密接性變差。然而，若重視密接性而減少四級銨鹽之量，則抗靜電性能會惡化。
為了使抗靜電性與密接性並存，可考慮單純地增多PETA(季戊四醇三丙烯酸酯)或DPHA(二季戊四醇六丙烯酸酯)之類的黏合劑成分之量的方法，但若增多此種黏合劑成分之量，則抗靜電層之膜厚增厚，伴隨於此，存在抗靜電層之捲曲(翹曲)變大之問題，以及分散於抗靜電層中之昂貴之抗靜電劑的使用量亦增加，而導致成本增加之問題。又，為了提高密接性，可考慮增加黏合劑中之具有反應性基之成分的方法，但如上所述，為了顯現抗靜電性能而有必要之抗靜電劑之量，黏合劑之量有限制，因此難以採用該方法。
又，如上所述，因作為薄膜之抗靜電層之層中所包含的黏合劑成分與抗靜電劑之總量有限，故若欲減少抗靜電劑之使用量，相應地增加黏合劑成分之使用量來提高抗靜電層與HC層之密接性，則存在抗靜電劑之使用量減少而導致抗靜電性能降低之問題。
另一方面，於抗靜電層與基材之間的界面上，為了使抗靜電層密接於基材，需要使抗靜電層之組成物之黏合劑成分滲透至基材內，且在基材與抗靜電層之界面上，滲透至基材內之黏合劑成分與形成抗靜電層之黏合劑成分硬化結合。
於抗靜電劑為四級銨鹽之情形時，已知先前為了提高耐久性或抗靜電性而使用分子量較大之四級銨鹽。然而，若四級銨鹽之分子量較大，則抗靜電層之組成物之黏合劑成分難以滲透至基材內，因此為了獲得抗靜電層與基材之密接性，必需使用大量之滲透性溶劑、或使用可滲透至基材內之分子量較小之黏合劑。然而，於該情形時，存在抗靜電層與HC層之界面之密接性變差的問題。
又，先前已知有藉由使用滲透性溶劑而可防止干擾條紋、且可使外觀變得良好之技術，但若使用滲透性溶劑，則有時於基材內亦會形成新的界面，除上述之密接性惡化以外，亦有產生干擾條紋且外觀變差之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-086660號公報
本發明係為了解決上述問題而完成之發明，其第一目的在於提供一種抗靜電層用硬化性樹脂組成物，該抗靜電層用硬化性樹脂組成物可形成光學特性及外觀良好、抗靜電性充分、且與鄰接之HC層及TAC基材之密接性優異的抗靜電層。
又，本發明之第二目的在於提供一種光學薄膜，其具有使用上述組成物所形成之抗靜電層，且灰塵附著防止性優異。
又，本發明之第三目的在於提供一種偏光板，其具有上述光學薄膜。
又，本發明之第四目的在於提供一種顯示面板，其具有上述光學薄膜。
本發明者等人進行了努力研究，結果得知，若作為抗靜電層之組成物中所包含之黏合劑成分、且用於提高與鄰接之HC層之交聯密度並獲得密接性的PETA或DPHA之類的分子量為900以下之分子量比較小之黏合劑成分，可大致全部滲透至TAC基材中，或者根據黏合劑成分自TAC基材之屬於與HC層之界面的表面向TAC基材無HC層之背面的深度方向之滲透程度，結果黏合劑成分偏存於基材中，基材上之抗靜電層中所包含之黏合劑成分減少，在HC層與抗靜電層之界面進行反應之成分不足，因此有時無法充分獲得抗靜電層與HC層之密接性。又，亦得知：若滲透至TAC基材內部之部分並非以梯度形式滲透，而是滲透之材料全部一樣地滲透至TAC基材內之相同深度，則於TAC基材內形成黏合劑滲透層，而於基材內產生新的界面，且產生干擾條紋等而導致外觀惡化。
因此，本發明者等人發現：藉由將組成物中所包含之抗靜電劑、屬於難以滲透至TAC基材或不滲透至TAC基材之黏合劑成分之特定分子量的丙烯酸胺基甲酸酯、及滲透至TAC基材之黏合劑成分(多官能單體)設定為特定之比例，可形成具有充分之抗靜電性，並且與HC層及TAC基材之密接性優異的抗靜電層，作為光學薄膜整體，可獲得優異之灰塵附著防止性能，從而完成本發明。
即，解決上述問題之本發明之抗靜電層用硬化性樹脂組成物之特徵在於包含：
(A)抗靜電劑，
(B)於1分子中具有2個以上之光硬化性基、且分子量為900以下之多官能單體，以及
(C)於1分子中具有6個以上之丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基、且重量平均分子量為1000～11000之丙烯酸胺基甲酸酯，
該(A)相對於該(A)、(B)及(C)之總量之比例為1～30質量%，且該(C)相對於該(B)及(C)之總量之比例為1～40質量%。
藉由將抗靜電劑(A)之比例設為上述範圍，使用上述組成物所形成之膜厚為1～5 μm之抗靜電層具有充分的抗靜電性，即便於在其上積層HC層而形成光學薄膜之情形時，亦確保充分之灰塵附著防止性。
先前，抗靜電層之膜厚係因光學性能及透明性，而按0.1～1 μm左右之薄膜設置，但若為此種薄膜層，為了賦予抗靜電性，必需將層內之組成物之大部分設為抗靜電性材料，因此無法添加足夠量之具有為了顯現與基材或其上方之層之密接性所必需的反應性基之某些黏合劑。因此，於本案中，使膜厚變厚至某種程度，並確保抗靜電層與鄰接層之密接性，故可充分地使抗靜電性材料以外之具有反應性基之黏合劑成分的添加變得可能。
又，藉由將丙烯酸胺基甲酸酯(C)相對於多官能單體(B)與丙烯酸胺基甲酸酯(C)之總量之比例設為上述範圍，即便於TAC基材上自TAC基材側起依序形成抗靜電層及HC層，亦因丙烯酸胺基甲酸酯(C)不滲透至TAC基材內或相較於多官能單體(B)更不易滲透至TAC基材內，故藉由丙烯酸胺基甲酸酯(C)而可獲得抗靜電層與HC層之充分之密接性，且由於多官能單體(B)滲透至TAC基材內，因此亦可獲得抗靜電層與TAC基材之密接性。
於本發明之抗靜電層用硬化性樹脂組成物中，就抑制抗靜電劑朝TAC基材之滲透且塗佈性優異而言，較佳為抗靜電劑(A)係重量平均分子量為1000～50000之四級銨鹽。
於本發明之抗靜電層用硬化性樹脂組成物中，就提高多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之作用之觀點而言，較佳為進一步包含(D)滲透性溶劑及(E)非滲透性溶劑。
於本發明之抗靜電層用硬化性樹脂組成物中，亦可將上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之膜厚為1～5μm之硬化物的表面電阻值設為未滿1×1012 Ω/□。藉由將抗靜電層用硬化性樹脂組成物之硬化物(亦即抗靜電層)設為此種抗靜電性能，於抗靜電層上積層5～15μm之硬塗層而成之光學薄膜可發揮灰塵附著防止性。
再者，表面電阻值係指如下之值：於TAC基材上形成上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之膜厚為1～5μm之硬化物(抗靜電層)，然後利用高電阻率計(三菱化學Analytech(股)製造，商品名：Hiresta IP MCP-HT260)，於施加電壓1000 V、溫度25℃、濕度40%調濕24小時之條件下，對該硬化物表面進行測定所得之值。
本發明之光學薄膜係於三醋酸纖維素基材之一面側，自該三醋酸纖維素基材側起鄰接設置膜厚為1～5μm之抗靜電層及硬塗層而成者，其特徵在於，該抗靜電層包含上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之硬化物，上述多官能單體(B)係滲透至該三醋酸纖維素基材之抗靜電層側之界面附近的區域並硬化。
於TAC基材之一面側，自TAC基材側起設置有膜厚為1～5μm之抗靜電層及HC層的本發明之光學薄膜，因抗靜電層包含上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之硬化物，而具有充分之灰塵附著防止性。進而，HC層與抗靜電層之密接性變得優異。又，藉由多官能單體(B)滲透至TAC基材之抗靜電層側之界面側的區域並硬化，亦可獲得抗靜電層與TAC基材之密接性。作為光學薄膜整體，可獲得優異之灰塵附著防止性能。
於本發明之光學薄膜之較佳之態樣中，亦可將上述硬塗層、上述抗靜電層及上述三醋酸纖維素基材間之方格密接性試驗的密接率定為90～100%，且將於溫度30℃、濕度40%下，以每小時500 W/m2 之光量照射紫外線192小時後的該密接率定為80～100%。
再者，所謂方格密接性試驗(Cross Cut Adhesion Test)之密接率，係指針對於溫度25℃、濕度40%下調濕24小時後的光學薄膜，依據JIS K5400之方格試驗(Cross Cut Test)方法，於硬塗層面上以1 mm間隔橫豎分別切入11條縫隙來製作100個方格，將Nichiban(股)製造之Cellotape(註冊商標)貼附於方格上後，迅速將其於90°之方向拉伸而使其剝離，並根據下述基準所算出之未剝落而殘留之方格的比例。
密接率(%)=(未剝落之方格數/合計方格數100)×100
於本發明之光學薄膜之較佳之態樣中，亦可作成於硬塗層之與抗靜電層相反側之面上進一步設置低折射率層的構成。
於本發明之光學薄膜之較佳之態樣中，亦可將硬塗層作為含有電離放射線硬化性樹脂之組成物的硬化物。
本發明之偏光板之特徵在於，於光學薄膜之三醋酸纖維素基材側設置有偏光片。
本發明之顯示面板之特徵在於，於光學薄膜之三醋酸纖維素基材側配置有顯示器。
藉由使以上述特定之比例含有抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之組成物硬化而形成為膜厚1～5 μm的抗靜電層，即便為於TAC基材上自TAC基材側起具有抗靜電層及HC層之層構成，亦可獲得充分之灰塵附著防止性，且可獲得抗靜電層與TAC基材及HC層之密接性良好的光學薄膜。又，以上述特定之比例含有該抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之組成物，係可較佳地用於形成具有此種特性之光學薄膜中所使用的抗靜電層。
以下，對本發明之抗靜電層用硬化性樹脂組成物(以下，有時僅稱為「抗靜電層用組成物」)、光學薄膜以及使用該光學薄膜之偏光板及顯示面板加以說明。
於本發明中，(甲基)丙烯醯基表示丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。
本發明之光不僅包括可見光以及紫外線及X射線等非可見區域之波長之電磁波，亦包括如電子束之粒子束及統稱為電磁波與粒子束之放射線或電離放射線。
於本發明中，所謂「硬塗層」，係指於JIS K5600-5-4(1999)中規定之鉛筆硬度試驗(4.9 N負荷)中顯示「H」以上之硬度者。
再者，關於薄膜及片材，於JIS-K6900中之定義，片材係指較薄且通常其厚度比長度及寬度小之平坦製品，薄膜係指厚度與長度及寬度相比極小、且最大厚度被任意限定之較薄之平坦製品，其通常以捲之形態供給。因此，片材中厚度特別薄者可稱為薄膜，但由於片材與薄膜之邊界並不清楚，難以明確地加以區分，因此於本發明中，包括厚度較厚者及較薄者兩者之含義，均定義為「薄膜」。
於本發明中，樹脂係除了單體或寡聚物以外，亦包含聚合物之概念，其係指硬化後成為抗靜電層或HC層等其他功能層之基質的成分。
於本發明中，所謂分子量，於具有分子量分佈之情形時，係指作為於THP(Tetrahydrofuran，四氫呋喃)溶劑中藉由凝膠滲透層析法(GPC，Gel Permeation Chromatograph)所測定之聚苯乙烯換算值的重量平均分子量，於不具有分子量分佈之情形時，係指化合物本身之分子量。
於本發明中，所謂微粒子之平均粒徑，於組成物中之微粒之情形時，係指使用日機裝(股)製造之Microtrac粒度分析計所測定的值，於硬化膜中之微粒子之情形時，係指藉由穿透式電子顯微鏡(TEM，Transmission electron microscopy)照片所觀察之硬化膜之剖面的10個粒子之平均值。
於本發明中，所謂滲透，係指使TAC基材溶解或膨潤。
於本發明中，所謂固形份，係指去除溶劑之成分。
(抗靜電層用硬化性樹脂組成物)
本發明之抗靜電層用硬化性樹脂組成物之特徵在於包含：
(A)抗靜電劑，
(B)於1分子中具有2個以上之光硬化性基、且分子量為900以下之多官能單體，以及
(C)於1分子中具有6個以上之(甲基)丙烯醯基、且重量平均分子量為1000～11000之丙烯酸胺基甲酸酯，
該(A)相對於該(A)、(B)及(C)之總量之比例為1～30質量%，且該(C)相對於該(B)及(C)之總量之比例為1～40質量%。
藉由將抗靜電劑(A)之比例設為上述範圍，抗靜電層可賦予抗靜電性，且即便於在膜厚為1～5μm之抗靜電層上形成HC層之情形時，亦確保充分之灰塵附著防止性。
又，藉由將丙烯酸胺基甲酸酯(C)相對於多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之總量之比例設為上述範圍，若於TAC基材上自TAC基材側起依序形成抗靜電層、HC層，則因丙烯酸胺基甲酸酯(C)不會滲透至TAC基材內，或相較於多官能單體(B)更不易滲透至TAC基材內，故於抗靜電層與HC層之界面上亦存在丙烯酸胺基甲酸酯(C)，丙烯酸胺基甲酸酯(C)所具有之(甲基)丙烯醯基與HC層中之反應性基硬化結合，藉此可獲得抗靜電層與HC層之充分之密接性。
進而，多官能單體(B)適度滲透至TAC基材內(並非一樣地滲透至相同深度，而是以梯度形式滲透)，TAC基材中所存在之已滲透之多官能單體(B)的反應性基(光硬化性基)係與抗靜電層中所存在之多官能單體(B)之反應性基及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之反應性基((甲基)丙烯醯基)硬化結合，因此亦可獲得抗靜電層與TAC基材之密接性。
以下，針對作為本發明之抗靜電層用組成物之必需成分的上述抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)、以及可視需要而適當含有之其他成分加以說明。
(A：抗靜電劑)
抗靜電劑(A)係對作為抗靜電層用組成物之硬化膜之抗靜電層或光學薄膜賦予導電性來防止帶電，並具有賦予防止灰塵或塵土附著，或因帶電而產生步驟內不良之性質(亦即抗靜電性)之作用的成分。
作為抗靜電劑(A)，可使用先前公知之抗靜電劑，並無特別限定。
例如可列舉專利文獻1中所記載之四級銨鹽等陽離子性化合物、磺酸鹽等陰離子性化合物、胺基酸系等之兩性化合物、胺基醇系等之非離子性化合物、有機金屬化合物及金屬螯合物化合物、以及將該等化合物高分子量化而成之化合物、聚合性化合物、平均1次粒徑為1~100nm之氧化銦錫(ITO)等導電性超微粒子、以及脂肪族共軛系之聚乙炔等高分子型導電性組成物。
於本發明之抗靜電層用硬化性樹脂組成物中，就抑制抗靜電劑(A)朝TAC基材之滲透、且塗佈性優異而言，較佳為抗靜電劑(A)係重量平均分子量為1000~50000之四級銨鹽。若超過上述上限，則組成物之塗佈性惡化，若低於上述下限，則抗靜電劑容易滲出至抗靜電層之與HC層之界面上，而有抗靜電層與HC層之密接性惡化的可能性。
先前，抗靜電層之膜厚係因光學性能及透明性，以0.1~1μm左右之薄膜設置，但若為此種薄膜層，則為了賦予抗靜電性，必需將層內之組成物之大部分設為抗靜電性材料，因此難以添加足夠量之具有為了顯現與基材或其上方之層之密接性所必需的反應性基之樹脂組成物。因此，於本發明中，將膜厚設為1~5μm，較先前更厚，並確保抗靜電層與鄰接層之密接性，因此可充分地使抗靜電性材料以外之具有反應性基的樹脂組成物之添加變得可能。因膜厚增加，故較理想的是所添加之抗靜電劑選擇透明性較高之材料。於該方面，較佳為透明性高於無機材料之有機材料，進而，有機材料之中，著色極少之四級銨鹽最合適。當使用四級銨鹽時，於透明性基材為TAC之情形時，可使光學薄膜整體之全光線透過率變成90%以上，就此點而言亦較佳。又，亦可使霧值變成0.5%以下。全光線透過率可依據JIS K7361(1997)，藉由村上色彩技術研究所製造之HM150等來測定，霧值可依據JIS K7136(2000)，藉由村上色彩技術研究所製造之HM150等來測定。
進而，就藉由HC層與黏合劑成分之交聯反應來提高抗靜電層與HC層之密接性方面而言，較佳為該四級銨鹽具有光硬化性基。光硬化性基較佳為聚合性不飽和基，更佳為電離放射線硬化性不飽和基。作為其具體例，可列舉(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基、乙烯基及烯丙基等具有乙烯性不飽和鍵之基以及環氧基等。
作為此種重量平均分子量為1000～50000之四級銨鹽之市售品，例如可列舉三菱化學(股)製造之商品名H6100，以及新中村化學工業(股)製造之商品名Uniresin AS-10/M、Uniresin AS-12/M、Uniresin AS-15/M及Uniresin ASH26等。
於抗靜電層用組成物中，相對於抗靜電劑(A)與後述之多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之總量，含有1～30質量%之抗靜電劑(A)。
若抗靜電劑(A)之比例相對於上述總量(A+B+C)未滿1質量%，則無法獲得充分之抗靜電性能。又，若抗靜電劑(A)之比例相對於上述總量(A+B+C)超過30質量%，則抗靜電層用組成物中之多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之比例減少，無法獲得抗靜電層與鄰接於該層之TAC基材或HC層之充分的密接性。
抗靜電劑(A)之比例相對於上述總量(A+B+C)為1～30質量%，但較佳為5～20質量%。
(B：多官能單體)
多官能單體(B)係硬化後成為抗靜電層基質之黏合劑成分之一，且為1分子中具有2個以上之光硬化性基之分子量為900以下的單體。其係分子量較小且藉由為多官能而有助於提高抗靜電層內或與鄰接於抗靜電層之HC層之交聯密度，俾提昇密接性的成分。又，多官能單體藉由其至少一部分滲透至TAC基材內並硬化，而亦有助於提昇抗靜電層與TAC基材之密接性。
若多官能單體(B)之分子量超過900，則朝TAC基材之滲透性下降，而有無法獲得抗靜電層與TAC基材之充分密接性的可能性。
多官能單體(B)之分子量只要為900以下即可，但就使多官能單體(B)適度地朝TAC基材滲透，並使抗靜電層與HC層之密接性及抗靜電性(表面電阻值)高度地並存之觀點而言，多官能單體(B)之分子量較佳為230以上，更佳為290以上。若分子量小於230，則多官能單體(B)朝TAC基材之滲透並不適度，會有全部滲透至一樣之深度而產生新的界面之情況，且有於其界面所反射之光與在抗靜電層與HC層之界面所反射之光、或於HC層表面所反射之光之間產生光干擾，並產生干擾條紋而導致外觀惡化之可能性。
作為多官能單體(B)，可使用一種或兩種以上。
多官能單體(B)之光硬化性基係為了形成交聯結構而為2個以上，較佳為具有3個以上，更佳為具有5個以上。若為3個以上，則容易獲得抗靜電層與HC層及TAC基材之充分密接性。作為光硬化性基，可列舉與抗靜電劑中所列舉之光硬化性基相同者。
作為多官能單體(B)，例如可列舉季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯及三羥甲基丙烷六(甲基)丙烯酸酯以及該等之改質體。
再者，作為改質體，可列舉EO(Ethylene oxide，環氧乙烷)改質體、PO(Propylene oxide，環氧丙烷)改質體、CL(Caprolactone，己內酯)改質體及異三聚氰酸改質體等。
於上述多官能單體中，就硬化反應性之觀點而言，與甲基丙烯醯相比，光硬化性基為丙烯醯基更佳。
作為多官能單體(B)，尤其可較佳地使用二季戊四醇五丙烯酸酯(DPPA，Di-Pentaerythritol pentaacrylate)、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)。
於本發明之抗靜電層用組成物中，多官能單體(B)滿足上述抗靜電劑之含有比例，且相對於多官能單體(B)與後述之丙烯酸胺基甲酸酯(C)之總量為60～99質量%。若未滿60質量%，則無法獲得抗靜電層與HC層及TAC基材之充分之密接性。又，若超過99質量%，則丙烯酸胺基甲酸酯(C)之比例較少，無法獲得抗靜電層與HC層之充分之密接性。
(C：丙烯酸胺基甲酸酯)
丙烯酸胺基甲酸酯(C)係硬化後成為抗靜電層基質的黏合劑成分之一，其1分子中具有6個以上之(甲基)丙烯醯基，且重量平均分子量為1000～11000，較佳為1000～10000，更佳為1000～5000。
藉由重量平均分子量為1000～11000，塗佈性良好，不滲透至TAC基材內，或相較於多官能單體(B)更不易滲透至TAC基材內，容易控制滲透，且確實地存在於整個抗靜電層中。
於抗靜電劑(A)為四級銨鹽之情形時，作為該化合物之性質，與親水性化合物之相容性較佳。因此，若抗靜電層中之黏合劑為具有OH基之化合物(PETA、PETTA(季戊四醇四丙烯酸酯)、DPPA(二季戊四醇五丙烯酸酯)等)，則抗靜電劑過度分散於整個層中，而無法獲得抗靜電性。已知DPHA於結構式上不含OH基，但通常於合成上難以形成100%之6官能，因此實際上係與5官能或4官能部分之混合化合物，由於通常所市售之樹脂係殘留有OH基之化合物，故而無法獲得較佳之抗靜電性。
可控制該分散性者係屬於疏水性樹脂之丙烯酸胺基甲酸酯(C)。藉由使丙烯酸胺基甲酸酯(C)存在於整個層中，於抗靜電劑(A)為四級銨鹽系之情形時，可確實地控制抗靜電劑於層內過度分散、或在與HC之界面方向滲出之情況。容易於HC界面方向滲出之原因在於，如上所述，因四級銨鹽喜歡親水性，故將抗靜電層積層並硬化時，於其表面存在空氣，與該空氣中之水分發生反應而滲出。
而且，藉由具有6個以上之(甲基)丙烯醯基，有助於提高抗靜電層內或與鄰接於抗靜電層之HC層中之反應性基的交聯密度，而提昇抗靜電層與HC層之密接性。又，由於提高滲透至TAC基材之抗靜電層之多官能單體(B)的反應性基、與抗靜電層中所存在之丙烯酸胺基甲酸酯(C)之(甲基)丙烯醯基或多官能單體的反應性基之交聯密度，故而丙烯酸胺基甲酸酯(C)亦有助於提昇抗靜電層與TAC基材之密接性。於自密接性方面來看之情形時，不添加丙烯酸胺基甲酸酯(C)，只要除抗靜電劑(A)以外係具有大量反應性基之多官能單體(B)即可，但為了如上述般控制抗靜電劑(A)於抗靜電層內之變動，若僅為多官能單體(B)，則難以控制，為了抗靜電劑(A)不分散，需要疏水性且具有大量反應性基之丙烯酸胺基甲酸酯(C)。
又，含有丙烯酸胺基甲酸酯(C)係對於抑制捲曲(翹曲)之產生亦有效。
若丙烯酸胺基甲酸酯(C)之重量平均分子量未滿1000，則存在如下之可能性：丙烯酸胺基甲酸酯(C)容易滲透至TAC基材內，過度滲透至TAC基材內，導致抗靜電層與HC層之界面之丙烯醯基減少，難以獲得抗靜電層與HC層之密接性。
若丙烯酸胺基甲酸酯(C)之重量平均分子量超過11000，則存在塗佈性惡化之可能性。
只要丙烯酸胺基甲酸酯(C)具有6個以上之(甲基)丙烯醯基，則亦可含有電離放射線硬化性不飽和基等其他交聯反應性之官能基。(甲基)丙烯醯基只要合計具有6個以上之丙烯醯基與甲基丙烯醯基即可，可僅具有丙烯醯基，亦可僅具有甲基丙烯醯基。
作為本發明之丙烯酸胺基甲酸酯(C)，只要具有胺基甲酸酯鍵(-NH-CO-O-)、具有6個以上之(甲基)丙烯醯基、且為上述重量平均分子量，則並無特別限定。作為丙烯酸胺基甲酸酯(C)，較佳為製成塗膜時光透過之透光性者，亦可根據要求性能等而適當採用屬於藉由以紫外線或電子束所代表之電離放射線而硬化之樹脂的電離放射線硬化性丙烯酸胺基甲酸酯、其他公知之丙烯酸胺基甲酸酯等。
作為上述丙烯酸胺基甲酸酯之市售品，例如可列舉專利文獻1中所記載之日本合成化學工業(股)製造之商品名UV1700B、根上工業(股)製造之商品名UN3320HS、荒川化學工業(股)製造之商品名BS577以及新中村化學工業(股)製造之商品名U15HA、U15H、U9HA、U9H、U6HA及U6H等。
於本發明之抗靜電層用組成物中，丙烯酸胺基甲酸酯(C)係滿足上述抗靜電劑之含有比例，且相對於上述多官能單體(B)與丙烯酸胺基甲酸酯(C)之總量為1～40質量%。若未滿1質量%，則無法獲得抗靜電層與HC層之充分密接性。又，若超過40質量%，則多官能單體(B)之比例較少，無法獲得抗靜電層與TAC基材之充分密接性。
丙烯酸胺基甲酸酯(C)之比例係相對於上述總量(B+C)為1～40質量%，但較佳為5～30質量%。
如此，藉由黏合劑中之多官能單體(B)、丙烯酸胺基甲酸酯(C)之比例適當，抗靜電劑(A)既不會於抗靜電層內過度分散，亦不會滲出，可於層內以可發揮抗靜電性之程度集中存在。正因為其為該組成，抗靜電層之表面電阻率才能夠成為未滿1×1012 Ω/□。
於抗靜電層用組成物中，除上述(A)、(B)及(C)成分以外，視需要亦可含有適當之溶劑及聚合起始劑。以下，對該等其他成分加以說明。
(溶劑)
作為溶劑，可使用專利文獻1中所記載之丙酮等酮系溶劑、乙酸甲酯等酯系溶劑、乙腈等含氮系溶劑、甲基乙二醇等二醇系溶劑、THF等醚系溶劑、二氯甲烷等鹵化烴溶劑及甲基賽路蘇等二醇醚系溶劑等滲透性溶劑。
作為滲透性溶劑，較佳為選自由乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮(MIBK，Methyl Isobutyl Ketone)及環己酮所組成之群組中的至少一種。
又，亦可使用丙二醇單甲基醚(PGME，Propylene Glycol Monomethyl Ether)、正丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、異丁醇及第三丁醇等非滲透性溶劑。
上述溶劑可單獨地使用一種，亦可將兩種以上混合來使用。
於本發明之抗靜電層用組成物中，就推測藉由使用滲透性溶劑，可促進上述多官能單體(B)朝TAC基材之滲透、提昇抗靜電層與TAC基材之密接性而言，較佳為使用滲透性溶劑。
又，於本發明之抗靜電層用組成物中，就推測藉由使用非滲透性溶劑，可抑制上述丙烯酸胺基甲酸酯(C)朝TAC基材之滲透、提昇抗靜電層與HC層之密接性而言，較佳為使用非滲透性溶劑。
因此，於本發明之抗靜電層用組成物中，於溶劑為一種之情形時，較佳為使用滲透溶劑，但於兩種以上溶劑之情形時，最佳為將滲透性溶劑與非滲透性溶劑組合使用。其原因在於，雖然即便係一種溶劑(僅滲透溶劑)，亦可藉由丙烯酸胺基甲酸酯(C)之分子量來控制滲透，但將滲透性溶劑與非滲透性溶劑組合使用可更容易地控制滲透，而獲得使用組成物之抗靜電層之穩定的性能。
於將滲透性溶劑與非滲透性溶劑組合使用之情形時，較佳為其質量比為滲透性溶劑：非滲透性溶劑=100：0～50：50，較佳為90：10～50：50，且相對於抗靜電層用組成物之總固形份100質量份為30～500質量份。
(聚合起始劑)
聚合起始劑係開始或促進上述黏合劑成分(B)之交聯反應之成分，視需要可適當地選擇使用先前公知之自由基及陽離子聚合起始劑等。作為自由基聚合起始劑，例如可較佳地使用Ciba Japan(股)製造之商品名Irgacure184(1-羥基-環己基-苯基-酮)。於使用聚合起始劑之情形時，其含量相對於抗靜電層用組成物之總固形份之合計質量，較佳為0.4～2.0質量%。藉由如上述般將抗靜電層用組成物中所使用之聚合起始劑之量設為HC層中所使用之聚合起始劑之量的1/10～1/2，可使抗靜電層之反應性基大量殘留。藉此，反應難以進行，故亦防止捲曲之產生。
(抗靜電層用硬化性樹脂組成物之製備)
上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物可藉由使上述(A)、(B)及(C)成分混合分散於溶劑中而獲得。又，即便無溶劑，上述(A)、(B)或(C)成分仍具有充分之流動性之情形時，亦可無溶劑。混合分散可使用塗料振盪機或珠磨機等公知之方法。
於本發明之抗靜電層用硬化性樹脂組成物中，藉由將抗靜電劑(A)設為上述範圍，亦可使上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之膜厚為1～5μm之硬化物的表面電阻值未滿1×1012 Ω/□。藉由使抗靜電層為此種抗靜電性能，即便積層膜厚比較厚之HC層，亦可於整個光學薄膜中發揮優異之灰塵附著防止性能。
若抗靜電層之膜厚未滿1μm，則為了維持相同之表面電阻而必需增加作為抗靜電劑之四級銨鹽之量，但於該情形時，存在抗靜電劑之反應性基減少，抗靜電層與HC層之密接惡化之可能性。
若抗靜電層之膜厚超過5μm，則表面電阻容易表現，但存在產生捲曲、成本升高、處理性惡化之可能性。
進而，於抗靜電層用組成物中，藉由使抗靜電劑(A)相對於抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之總量為5～20質量%，且使丙烯酸胺基甲酸酯(C)相對於多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之總量為5～30質量%，除了可獲得充分之抗靜電性以外，亦可獲得光學薄膜之密接性對於紫外線(UV)之優異的耐久性。
(光學薄膜)
本發明之光學薄膜係於三醋酸纖維素基材之一面側，自該三醋酸纖維素基材側起鄰接地設置膜厚為1～5 μm之抗靜電層及硬塗層而成者，其特徵在於，該抗靜電層包含上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之硬化物，且上述多官能單體(B)滲透至三醋酸纖維素基材之抗靜電層側之界面側的區域並硬化。
即便係於TAC基材之一面側自TAC基材側起設置膜厚為1～5μm之抗靜電層、及HC層的光學薄膜，藉由抗靜電層包含上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之硬化物，仍可成為具有充分之灰塵附著防止性，並且HC層與抗靜電層之密接性優異者。又，藉由使多官能單體(B)滲透至TAC基材之抗靜電層側之界面側的區域並硬化，亦可獲得抗靜電層與TAC基材之密接性。作為光學薄膜整體，可獲得優異之灰塵附著防止性能。
於本發明之光學薄膜之較佳之形態中，藉由使抗靜電層由上述抗靜電層用組成物之硬化物形成，亦可使光學薄膜之上述硬塗層、上述抗靜電層及上述三醋酸纖維素基材間之方格密接性試驗的密接率為90～100%，且使於溫度30℃、濕度40%下以每小時500 W/m2 之光量照射192小時紫外線後(以下，有時僅稱為「耐紫外線(UV，Ultraviolet)試驗後」)之該密接率為80～100%。
該密接率表示HC層、抗靜電層及TAC基材之密接，即抗靜電層與HC層間之密接及抗靜電層與TAC基材間之密接性。
於習知之具有不含丙烯酸胺基甲酸酯(C)，主要僅含有多官能單體(B)作為黏合劑之組成物，或即便含有丙烯酸胺基甲酸酯(C)亦未以特定之比例含有抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之組成物的硬化物所構成之抗靜電層之光學薄膜中，抗靜電層與TAC基材間之密接雖良好，但抗靜電層與HC層間之密接並不充分。如此，於抗靜電層與HC層間之密接性並不充分之情形時，若進行密接性試驗，則抗靜電層與TAC基材間雖不產生剝離，但抗靜電層與HC層之間會產生剝離而剝落。於抗靜電層與TAC基材間之密接並不充分之情形時，抗靜電層與TAC基材間會產生剝離而剝落。因此，作為光學薄膜，為了獲得優異之密接性，需要抗靜電層與HC層間之密接及抗靜電層與TAC基材間之密接。
藉由使上述抗靜電層用組成物硬化而形成抗靜電層，膜厚為1～5μm之抗靜電層與HC層間之密接及抗靜電層與TAC基材間之密接優異，作為光學薄膜整體顯現優異之密接性。尤其，該密接性於耐UV試驗後較顯著。本發明之光學薄膜於耐UV試驗後亦顯現優異之密接性。
圖1係表示本發明之光學薄膜之層構成之一例的示意圖。於三醋酸纖維素基材10之一面側，依序鄰接地設置有抗靜電層20及硬塗層30。圖2係表示本發明之光學薄膜之層構成之另一例的示意圖。在與圖1相同之光學薄膜之硬塗層上進而設置有低折射率層40。
以下，對作為本發明之光學薄膜之必需構成要素的三醋酸纖維素基材、抗靜電層及硬塗層，暨可視需要而適當設置之高折射率層、中折射率層、低折射率層、防眩層及防污層等其他層加以說明。
(三醋酸纖維素基材)
本發明中所使用之三醋酸纖維素基材係透光性較高之三醋酸纖維素薄膜，且只要為滿足可用作光學薄膜之透光性基材之物性者，則並無特別限定，可適當地選擇使用先前公知之硬塗薄膜或光學薄膜之TAC基材。
可見光區域380～780nm中之TAC基材之平均透光率較佳為80%以上，特佳為90%以上。再者，透光率之測定係採用使用紫外可見分光光度計(例如島津製作所(股)製造之商品名UV-3100PC)，於室溫、大氣中所測定之值。
可對TAC基材實施皂化處理或設置底塗層等表面處理。又，可添加抗靜電劑等添加劑。
TAC基材之厚度並無特別限定，通常為30～200μm，較佳為40～200μm。
(抗靜電層)
本發明之抗靜電層係由上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之硬化物所構成，膜厚為1～5μm。若膜厚薄於1μm，則無法獲得充分之抗靜電性能，無法充分地添加為了確保與其他層之密接性而必需之黏合劑。若厚於5μm，則由於抗靜電劑若未以某種程度緊密地存在於層內則無法發揮性能，故而抗靜電層之捲曲變大，因此加工性惡化，若膜厚進一步變厚，則所包含之抗靜電劑等之量增加，成本增加。
作為抗靜電層之性能，表面電阻較佳為未滿1×1012 Ω/□，更佳為1×1011 Ω/□以下、進而為1×1010 Ω/□以下。只要抗靜電層之表面電阻良好，積層有HC層之光學薄膜的灰塵附著防止性可更良好。
(硬塗層)
硬塗層係於JIS K5600-5-4(1999)中規定之鉛筆硬度試驗(4.9 N負荷)中，顯示「H」以上之硬度的層，且對本發明之光學薄膜賦予硬度。
HC層包含硬塗層用組成物之硬化物，可使用先前公知之硬塗層，亦可為包含僅含黏合劑成分之硬塗層用組成物的硬化物者，另外，亦可於組成物中含有上述抗靜電層用組成物中所列舉之聚合起始劑等。為了提高HC層之硬度等，亦可含有先前公知之賦予硬度之成分，例如日本專利特開2008-165040號公報中記載之具有與黏合劑成分之交聯反應性的反應性二氧化矽微粒子。
作為具體例，可藉由將含有電離放射線硬化性樹脂作為透明樹脂之樹脂組成物塗佈於透明基材上，並使該樹脂組成物中所包含之單體、寡聚物及預聚物交聯及/或聚合而形成HC層。
作為透明樹脂，較佳為電離放射線硬化性樹脂，作為單體、寡聚物及預聚物之官能基，較佳為電離放射線聚合性之官能基，其中較佳為光聚合性官能基。藉由該官能基與抗靜電層用樹脂組成物中之丙烯酸胺基甲酸酯(C)之反應性基硬化結合，可獲得抗靜電層與HC層之充分之密接性。
作為光聚合性官能基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、苯乙烯基、烯丙基等不飽和聚合性官能基等。
又，作為預聚物及寡聚物，可列舉(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸酯、不飽和聚酯、環氧樹脂等。
作為單體，可列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、甘油丙氧基三丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚F之EO改質二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A之EO改質二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸EO改質二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸EO改質三(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷PO改質三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷EO改質三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸系單體，三羥甲基丙烷三硫代乙醇酸酯、三羥甲基丙烷三硫代丙醇鹽、季戊四醇四硫甘醇等分子中具有2個以上之硫醇基的多元醇化合物，又，具有2個以上之不飽和鍵之(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯或聚酯(甲基)丙烯酸酯等。
尤其，就提高交聯密度、獲得抗損傷性之觀點而言，較佳為多官能丙烯酸酯單體，其中，季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯因與抗靜電層之密接良好、鉛筆硬度亦良好而更佳。又，於該等單體中混合胺基甲酸酯多官能丙烯酸酯等寡聚物成分亦可使硬度變得良好，並且使聚合收縮減少，可良好地形成防止捲曲或裂痕之性能，故較佳。
於此種樹脂組成物中，亦可為了提昇硬度而含有二氧化矽等無機微粒子等。又，為了使與樹脂組成物之相容性變佳，可進行有機表面處理，亦可具有反應性基。
又，作為黏合劑，亦可將聚合物添加至上述樹脂組成物中來使用。作為聚合物，例如可列舉聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，Polymethyl Methacrylate)、乙酸-丙酸纖維素(CAP，Cellulose Acetate Propionate)等。藉由添加聚合物，可調整塗液之黏度，藉此有使塗佈變得容易之優點。
又，於上述樹脂組成物中，視需要可添加光自由基聚合起始劑。較佳之添加量相對於上述樹脂組成物之總固形份的合計質量為0.8~8.0質量%。作為光自由基聚合起始劑，可使用苯乙酮類、苯偶姻類、二苯基酮類、氧化膦類、縮酮類、蒽醌類、9-氧硫類、偶氮化合物等。
作為苯乙酮類，可列舉2,2-二甲氧基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、對二甲基苯乙酮、1-羥基-二甲基苯基酮、1-羥基-二甲基-對異丙基苯基酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-4-甲硫基-2-啉基苯丙酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-丁酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-第三丁基-二氯苯乙酮等，作為苯偶姻類，可列舉苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基二甲基縮酮、苯偶姻苯磺酸酯、苯偶姻甲苯磺酸酯等。
又，作為二苯基酮類，可使用二苯基酮、羥基二苯基酮、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯基硫化物、2,4-二氯二苯基酮、4,4-二氯二苯基酮及對氯二苯基酮、4,4'-二甲基胺基二苯基酮(米其勒酮)、3,3',4,4'-四(第三丁基過氧化羰基)二苯基酮等。
又，亦可混合使用光敏劑，作為其具體例，可列舉正丁基胺、三乙胺、聚-正丁基膦等。
HC層之膜厚只要適當調節即可，例如，只要為1～20μm即可。較佳為5～15μm。若超過15μm則無法獲得優異之灰塵附著防止性能，若未滿5μm，則硬度變得不足、且密接性亦變弱。
通常，若積層於抗靜電層上之HC層變厚，則灰塵附著防止性能變差，但若為本案之構成及組成物，則可獲得優異之灰塵附著防止性能。
於本發明之光學薄膜之較佳之實施形態中，即便如抗靜電層為1～5μm、HC層為5～15μm般於抗靜電層上積層有較厚之HC層，光學薄膜亦可獲得充分之灰塵附著防止性能、及充分之抗靜電層與HC層之密接性。
(其他層)
於本發明之光學薄膜中，在不脫離本發明之主旨之範圍內，於上述HC層之與抗靜電層相反側的面上，亦可為了提昇光學薄膜之抗反射性、防眩性及防污性等而設置高折射率層、中折射率層、低折射率層、防眩層及防污層等其他層。
(高折射率層及中折射率層)
高折射率層及中折射率層係為了調整本發明之光學薄膜之反射率而設置的層。於設置高折射率層之情形時，雖未圖示，但通常鄰接於低折射率層之TAC基材側而設置。又，於設置中折射率層之情形時，雖未圖示，但通常自TAC基材側起依序設置中折射率層、高折射率層及低折射率層。
高折射率層及中折射率層包含主要含有黏合劑成分及折射率調整用粒子之組成物的硬化物。作為黏合劑成分，可使用抗靜電層用組成物中所列舉之多官能單體等。作為折射率調整用粒子，例如可列舉粒徑為100nm以下之微粒子。作為此種微粒子，可列舉選自由氧化鋅(折射率：1.90)、二氧化鈦(折射率：2.3～2.7)、二氧化鈰(折射率：1.95)、摻錫氧化銦(折射率：1.95)、摻銻氧化錫(折射率：1.80)、氧化釔(折射率：1.87)、氧化鋯(折射率：2.0)所組成之群組中之一種以上。
具體而言，高折射率層之折射率較佳為1.50～2.80。中折射率層之折射率低於高折射率層之折射率，較佳為1.50～2.00。
高折射率層及中折射率層之膜厚只要適當調節即可，較佳為50～300 nm。
(低折射率層)
低折射率層包含含有二氧化矽或氟化鎂等折射率較低之成分及黏合劑成分之組成物、或者含有偏二氟乙烯共聚物等含氟樹脂之低折射率層用組成物的硬化物，可形成先前公知之低折射率層。
於用於形成低折射率層的組成物中，為了降低低折射率層之折射率，亦可含有中空粒子。中空粒子係指具有外殼層且被外殼層所包圍之內部為多孔質組織或空洞之粒子。該多孔質組織或空洞中含有空氣(折射率：1)，藉由使低折射率層含有折射率為1.20～1.45之中空粒子中，可降低低折射率層之折射率。中空粒子之平均粒徑較佳為1～100nm。中空粒子可使用先前公知之低折射率層中所使用者，例如可例舉日本專利特開2008-165040號公報中所記載之具有空隙的微粒子。
當上述脂肪酸金屬鹽粒子之個數平均一次粒徑未滿上述下限時，存在如下之情形：容易產生脂肪酸金屬鹽粒子彼此之凝聚、或脂肪酸金屬鹽粒子對於著色樹脂粒子之掩埋等不良情況，對碳粉之印字性能造成不良影響。
另一方面，當上述脂肪酸金屬鹽粒子之個數平均一次粒徑超過上述上限時，存在如下之情形：脂肪酸金屬鹽粒子易於自著色樹脂粒子游離(脫離)，無法將所需之外添劑之功能(對碳粉賦予帶電穩定性、及流動性等之功能)充分地賦予至碳粉粒子，對碳粉之印字性能造成不良影響。
(防眩層)
防眩層包含含有黏合劑成分及防眩劑之防眩層用組成物之硬化物，黏合劑成分可使用上述抗靜電層用組成物中所列舉之多官能單體等。
作為防眩劑，可列舉微粒子，例如可列舉苯乙烯顆粒(折射率為1.59)、三聚氰胺顆粒(折射率為1.57)及丙烯酸顆粒(折射率為1.49)等。此種賦予防眩性之微粒子之平均粒徑較佳為100～500nm。賦予防眩性之微粒子之含量相對於防眩層用組成物中所包含之黏合劑成分的總質量，較佳為2～30質量%。
(防污層)
根據本發明之較佳之態樣，為了防止光學薄膜最表面之污漬，可於光學薄膜之與TAC基材相反側的最表面設置防污層。藉由防污層，可對光學薄膜謀求防污性及耐擦傷性之進一步的改善。防污層包含含有防污劑及黏合劑成分之防污層用組成物之硬化物。
防污層用組成物之黏合劑成分可使用先前公知者，例如可使用上述抗靜電層用組成物中列舉之多官能單體。
防污層用組成物中所包含之防污劑可自公知之均化劑等防污劑中適當選擇一種或兩種以上來使用。防污劑之含量相對於防污層用組成物中所包含之黏合劑成分的總質量，較佳為0.1～5質量%。
(光學薄膜之製造方法)
作為本發明之光學薄膜的製造方法，若為可獲得上述光學薄膜之層構成之方法，則並無特別限定，可使用先前公知之方法。
作為其一例，包括如下步驟：(i)準備三醋酸纖維素基材；(ii)準備上述抗靜電層用組成物及硬塗層用組成物；(iii)於該TAC基材之一面側塗佈該抗靜電層用組成物來製成塗膜；(iv)對該抗靜電層用組成物之塗膜進行光照射，使其硬化而形成抗靜電層；(v)於抗靜電層上塗佈該硬塗層用組成物來製成塗膜；(vi)對該HC層用組成物之塗膜進行光照射，使其硬化而形成HC層。
此外，亦可於上述(iv)步驟中不使抗靜電層用組成物之塗膜完全硬化(full cure)，而使其半硬化(half cure)，並於該半硬化之塗膜上塗佈HC層用組成物來製成塗膜，使該半硬化之塗膜與HC層用組成物之塗膜合併後進行光照射，然後使其完全硬化而獲得光學薄膜。藉由如上述般使用半硬化法，有抗靜電層與HC層之密接性提高之優點。
塗佈方法只要使用先前公知之方法即可，並無特別限定，可使用凹版塗佈法、旋塗法、浸漬法、噴霧法、斜板式塗佈法、棒塗法、輥塗法、彎月面塗佈法、快乾印刷法、網版印刷法及液滴塗佈法等各種方法。
光照射主要使用紫外線、可見光、電子束或電離放射線等。於紫外線硬化之情形時，使用自超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧燈、氙弧燈、金屬鹵化物燈等之光線發出的紫外線等。能量射線源之照射量以紫外線波長365nm下之累計曝光量計為50~500mJ/cm2 。半硬化之情形時之照射量為5~50mJ/cm2 。於除光照射亦進行加熱之情形時，通常於40℃~120℃之溫度下進行處理。
於塗佈抗靜電層用組成物後、且進行光照射前，亦可進行乾燥。作為乾燥方法，例如可列舉減壓乾燥或加熱乾燥、進而將該等乾燥加以組合之方法等。又，於以常壓進行乾燥之情形時，較佳為於30～110℃下進行乾燥。例如，於使用甲基乙基酮作為抗靜電層用組成物之溶劑之情形時，可於室溫～80℃、較佳為40℃～70℃之範圍內的溫度下，進行20秒～3分鐘、較佳為30秒～1分鐘之乾燥步驟。
HC層或低折射率層等之組成物只要以與上述抗靜電層相同之方法製備即可。又，於在HC層上設置低折射率層等之情形時，可使用上述抗靜電層之塗佈方法或硬化方法。
(偏光板)
本發明之偏光板之特徵在於：於上述光學薄膜之三醋酸纖維素基材側設置有偏光片。圖3係表示本發明之偏光板之層構成之一例的示意圖。圖3中所示之偏光板80具有光學薄膜1、及積層有保護薄膜50與偏光層60之偏光片70，且偏光片70設置於光學薄膜1之三醋酸纖維素基材10側。
再者，所謂於光學薄膜之三醋酸纖維素基材側配置有偏光片，不僅包括獨立地形成光學薄膜及偏光片之情形，亦包括構成光學薄膜之構件兼作構成偏光片之構件之情形。
又，於將本發明之偏光板用於顯示面板之情形時，通常於偏光片側配置顯示面板。
再者，關於光學薄膜，由於只要使用上述光學薄膜即可，故而省略此處之說明。以下，對本發明之偏光板中之其他構成加以說明。
(偏光片)
作為本發明中所使用之偏光片，若為具備既定之偏光特性者，則並無特別限定，可使用液晶顯示裝置中通常所使用之偏光片。
關於偏光片之形態，若為可長時間保持既定之偏光特性之形態，則並無特別限定，例如可僅由偏光層構成，亦可為將保護薄膜與偏光層貼合而成者。於將保護薄膜與偏光層貼合之情形時，可僅於偏光層之單面上形成保護薄膜，亦可於偏光層之兩面上形成保護薄膜。
作為偏光層，通常使用藉由使碘含浸於包含聚乙烯醇之薄膜中，並將其單軸延伸而形成有聚乙烯醇與碘之錯合物者。
又，作為保護薄膜，若為可保護上述偏光層、且具有所需之透光性者，則並無特別限定。作為保護薄膜之透光性，於可見光區域中之透過率較佳為80%以上，更佳為90%以上。再者，上述保護薄膜之透過率可藉由JIS K7361-1(塑膠-透明材料之全光透過率的試驗方法)進行測定。
作為構成保護薄膜之樹脂，例如可列舉纖維素衍生物、環烯烴系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚醯亞胺、聚芳酯、聚對苯二甲酸乙二酯等。其中，較佳為使用纖維素衍生物或環烯烴系樹脂。
保護薄膜可為包含單一層者，亦可為積層有複數層者。又，於保護薄膜為積層有複數層者之情形時，可積層有同一組成之複數層，又，亦可積層有具有不同組成之複數層。
又，關於保護薄膜之厚度，若為可使本發明之偏光板之可撓性處於所需的範圍內、且藉由與偏光層貼合而可使偏光片之尺寸變化處於既定之範圍內的範圍，則並無特別限定，但較佳為5～200μm之範圍內，特佳為15～150μm之範圍內，更佳為30～100μm之範圍內。若上述厚度薄於5μm，則存在本發明之偏光板之尺寸變化變大的可能性。又，若上述厚度厚於200μm，則例如於對本發明之偏光板進行裁剪加工時，存在加工屑增加、或裁剪刀之磨損變快的可能性。
保護薄膜可為具有相位差性者。藉由使用具有相位差性之保護薄膜，存在可使本發明之偏光板成為具有顯示面板之視角補償功能者的優點。
作為保護薄膜具有相位差性之態樣，若為可顯現所需之相位差性之態樣，則並無特別限定。作為此種態樣，例如可列舉：保護薄膜具有包含單一層之構成，並含有顯現相位差性之光學特性顯現劑，藉此具有相位差性之態樣；以及藉由具有於包含上述樹脂之保護薄膜上積層有包含具有折射率各向異性之化合物之位相差層的構成，而具有相位差性之態樣。於本發明中，該等之任一態樣均可較佳地使用。
(顯示面板)
本發明之顯示面板之特徵在於，於上述光學薄膜之三醋酸纖維素基材側配置有顯示器。
作為顯示器，可列舉LCD、PDP、ELD(Electroluminescent Display，電場發光顯示器)(有機EL、無機EL)、CRT、觸控面板、電子紙、平板電腦(Tablet Personal Computer)等。
本發明之顯示面板亦可用於觸控面板、電子紙、平板PC等。
作為上述顯示器之代表例之LCD係透過型，且係具備透過性顯示體及自背面照射其之光源裝置而成者。於上述顯示器為LCD之情形時，其係於該透過性顯示體之表面上配置本發明之光學薄膜或具備該光學薄膜之上述偏光板而成者。
作為上述顯示器之另一例之PDP係具備表面玻璃基板、及與該表面玻璃基板對向配置且兩者間填充有放電氣體之背面玻璃基板而成者。於上述顯示器為PDP之情形時，其亦為於表面玻璃基板之表面或其前面板(玻璃基板或薄膜基板)上具備上述光學薄膜者。
上述顯示器亦可為將若施加電壓則發光之硫化鋅、二胺類物質等發光體蒸鍍於玻璃基板上，並控制施加於基板之電壓來進行顯示的ELD裝置，或者將電訊號轉換為光，產生人眼可見之像的CRT等顯示器。於此情形時，其係於ELD裝置或CRT之最表面或其前面板之表面上具備上述光學薄膜而成者。
[實施例]
以下，列舉實施例更具體地說明本發明。本發明並不受該等記載限制。
製備具有以下之組成之抗靜電層用組成物1及HC層用組成物1。
(抗靜電層用組成物1)
抗靜電劑(A)：日本化成(股)製造之商品名UV-ASHC-01(重量平均分子量為20000，固形份為70%，固形份中四級銨鹽成分為15%)：固形份換算1質量份
多官能單體(B)：二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)(商品名：KAYARAD DPHA，日本化藥(股)製造，6官能，分子量為578)：64質量份
丙烯酸胺基甲酸酯(C)：荒川化學工業(股)製造之商品名BS577(6官能，重量平均分子量為1000)：35質量份
聚合起始劑：Ciba Specialty Chemicals(股)製造之商品名Irgacure184(1-羥基環己基苯基酮)：1質量份
甲基乙基酮：100質量份
(HC層用組成物1)
二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名：KAYARAD DPHA，日本化藥(股)製造，6官能，分子量為578)：98質量份
聚合起始劑：Ciba Specialty Chemicals(股)製造之商品名Irgacure184(1-羥基環己基苯基酮)：4質量份
甲基乙基酮：100質量份
(實施例1)
準備厚度為80μm之TAC基材(Fuji Film(股)製造之商品名TF80UL)，於TAC基材之單面上塗佈所製備之上述抗靜電層用組成物1，並於溫度為70℃之熱烘箱中乾燥60秒鐘而使塗膜中之溶劑蒸發，然後以使累計光量達到50mJ之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成乾燥時之厚度為2.5 μm的抗靜電層。
繼而，於所獲得之抗靜電層上塗佈所製備之上述硬塗層用組成物1，與抗靜電層同樣地進行乾燥，然後以使累計光量達到150mJ之方式照射紫外線而使塗膜硬化，形成乾燥時之厚度為12 μm的硬塗層，藉此製成於TAC基材之一面側自TAC基材側起依序具有抗靜電層及硬塗層之光學薄膜。
又，為了測定抗靜電層之表面電阻值，與上述光學薄膜同樣地於TAC基材(TF80UL)上進行至形成抗靜電層之步驟為止，而亦製成於TAC基材之一面側僅具有抗靜電層之積層體。
(實施例2～7)
於實施例1中，將抗靜電層用組成物1中所包含之抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量或種類分別如表1所示般加以替換，除此以外，以與實施例1相同之方式製作光學薄膜及積層體。再者，實施例7中所使用之丙烯酸胺基甲酸酯(C)為商品名UV-7610B(日本合成製造)。
(比較例1、2)
於實施例1中，將抗靜電層用組成物1中所包含之抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量分別如表1所示般加以替換，除此以外，以與實施例1相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(比較例3)
於實施例1中，作為抗靜電層用組成物1中所包含之多官能單體(B)，使用日本化藥(股)製造之R128H(單官能，分子量為222)來代替DPHA，並將抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量分別如表1所示般加以替換，除此以外，以與實施例1相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(比較例4)
於實施例1中，作為抗靜電層用組成物1中所包含之多官能單體(B)，使用日本化藥(股)製造之DPCA60(6官能，分子量為1263)來代替DPHA，並將抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量分別如表1所示般加以替換，除此以外，以與實施例1相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(比較例5)
於實施例1中，作為抗靜電層用組成物1中所包含之丙烯酸胺基甲酸酯(C)，使用Daicel-Cytec(股)製造之EBECRYL270(2官能，分子量為1500)來代替BS577，並將抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量分別如表1所示般加以替換，除此以外，以與實施例1相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(比較例6)
於實施例1中，作為抗靜電層用組成物1中所包含之丙烯酸胺基甲酸酯(C)，使用Daicel-Cytec(股)製造之EBECRYL5129(6官能，分子量為800)來代替BS577，並將抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量分別如表1所示般加以替換，除此以外，以與實施例1相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(比較例7)
於實施例1中，作為抗靜電層用組成物1中所包含之丙烯酸胺基甲酸酯(C)，使用荒川化學工業(股)製造之BS371MLV(50官能，分子量為20000)來代替BS577，並將抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量分別如表1所示般加以替換，除此以外，以與實施例1相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(比較例8～11)
於實施例1中，將抗靜電層用組成物1中所包含之抗靜電劑(A)、多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量分別如表1所示般加以替換，除此以外，以與實施例1相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(參考例1)
於實施例6中，將抗靜電層用組成物1中所包含之溶劑替換為僅為非滲透溶劑，除此以外，以與實施例6相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(比較例12)
於實施例3中，將抗靜電層用組成物1中所包含之丙烯酸胺基甲酸酯(C)替換為己內酯改質二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名：KAYARAD DPCA-60，日本化藥(股)製造)，除此以外，以與實施例3相同之方式製作光學薄膜及積層體。該化合物因與DPHA相同之理由而存在親水性傾向。
(參考例2)
於實施例3中，將抗靜電層用組成物1中所包含之抗靜電劑(A)替換為抗靜電劑(B)(金屬微粒子：ATO，商品名：ELCOM V3560，日揮觸媒化成製造)，除此以外，以與實施例3相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(參考例3)
於參考例2中，將抗靜電層用組成物1中所包含之抗靜電劑(B)的量如表1所示般增多，除此以外，以與參考例2相同之方式製作光學薄膜及積層體。
(抗靜電層之表面電阻值之評價)
針對實施例1~7、比較例1~12、及參考例1~3之基材上積層有抗靜電層之積層體，利用高電阻率計(Mitsubishi Chemical Analytech(股)製造之商品名Hiresta IP MCP-HT260)以施加電壓1000V測定表面電阻值。將其結果示於表1。再者，本案中所記載之表面電阻值的單位Ω/□係指Ω/sq.(每單位面積之電阻)。
(光學薄膜之灰塵附著防止性之評價)
利用聚酯布將實施例及比較例中所製作之包含基材/抗靜電層/硬塗層之光學積層體的HC層面往返擦拭20次，然後使該擦拭面接近香煙灰並以下述基準評價塵埃附著防止性。
○：灰不附著，具有灰塵附著防止效果而良好。
×：灰大量附著，無灰塵附著防止效果。
(光學薄膜之密接性之評價)
針對實施例1~7、比較例1~12、及參考例1~3之光學薄膜，於溫度25℃、濕度40%下調濕24小時後，依據JIS K5400之方格試驗之方法，於硬塗層面上以1mm間隔橫豎分別切入11條縫隙來製作100個方格，將Nichiban(股)製造之Cellotape(註冊商標)貼附於方格上後，迅速將其於90°之方向上拉伸而使其剝離，並根據下述基準來算出密接率。
密接率(%)=(未剝落之方格數/合計方格數100)×100
又，針對實施例1~7、比較例1~12、及參考例1~3的光學薄膜，亦求出於溫度25℃、濕度40%下調濕24小時後，於溫度30℃、濕度40%下以每小時500 W/m2 之光量照射紫外線192小時後的密接率。將耐UV試驗前後之光學薄膜的密接率之測定結果一併示於表1中。
(結果之總結)
根據表1，實施例1～7中均獲得良好之積層體(抗靜電層)的表面電阻值，且光學薄膜之密接性亦良好。又，光學特性及外觀亦良好。
然而，於比較例1、2中，由於抗靜電層用組成物中未包含多官能單體(B)或丙烯酸胺基甲酸酯(C)，故雖然耐UV試驗前之密接率良好，但耐UV試驗後之密接率較差。
於比較例3中，由於多官能單體(B)為單官能，故而未獲得充分之密接率。
於比較例4中，多官能單體(B)之分子量超過1000，且密接率較低，尤其耐UV試驗後之密接率較低。可認為其原因在於：多官能單體(B)朝TAC基材之滲透不充分，TAC基材與抗靜電層之密接性變得不充分。
於比較例5中，丙烯酸胺基甲酸酯(C)之官能基數為2而較少，且密接率較低，尤其耐UV試驗後之密接率較低。可認為其原因在於：由丙烯酸胺基甲酸酯(C)所引起之交聯較少，抗靜電層與HC層之密接性變得不充分。
於比較例6中，丙烯酸胺基甲酸酯(C)之分子量未滿1000，尤其耐UV試驗後之密接率較低。可認為其原因在於：由於丙烯酸胺基甲酸酯(C)過度滲透至TAC基材內，故而抗靜電層與HC層之密接性變得不充分。
於比較例7中，丙烯酸胺基甲酸酯(C)之分子量超過10000，且密接率較低，尤其耐UV試驗後之密接率較低。表面電阻值亦較高，可認為其原因在於：丙烯酸胺基甲酸酯(C)未完全滲透至TAC基材內，抗靜電層中之抗靜電劑(A)之相對量變少。
於比較例8中，抗靜電劑(A)之含有比例較少，表面電阻值變高。
於比較例9中，抗靜電劑(A)之含有比例較多，抗靜電性良好，但由於成為黏合劑之多官能單體(B)及丙烯酸胺基甲酸酯(C)之量變少，故而於耐UV試驗前後密接率較低。
於比較例10中，由於多官能單體(B)之含有比例較多，丙烯酸胺基甲酸酯(C)之含有比例較少，故而密接率較低，尤其耐UV試驗後之密接率較低。
於比較例11中，由於丙烯酸胺基甲酸酯(C)之含有比例較多，多官能單體(B)之含有比例較少，故而耐UV試驗前密接率良好，但耐UV試驗後之密接率較低。
於參考例1中，密接率較低，表面電阻值較高。可認為其原因在於：由於將抗靜電層用組成物中之溶劑僅設為被滲透溶劑，故而丙烯酸胺基甲酸酯(C)未充分滲透至TAC基材內，抗靜電層中之抗靜電劑(A)之相對量變少。
於比較例12中，由於未使用作為疏水性樹脂之丙烯酸胺基甲酸酯(C)，故而四級銨鹽過度分散，表面電阻值較高。因此，亦未獲得灰塵附著防止性。
於參考例2中，使用金屬微粒子作為抗靜電劑。由於設為可獲得與四級銨鹽之情形相同之全光線透過率之水程度的添加量(相當少)，故而表面電阻值較差。
於參考例3中，為了不考慮全光線透過率而獲得必需之抗靜電性，調配有比參考例2更多之作為抗靜電劑之金屬微粒子，因此密接性較差。因添加量較多而存在著色，全光線透過率低於四級銨鹽之情形(88%)、霧值(0.8%)變高。
對實施例、比較例及參考例之光學薄膜之灰塵附著防止性進行評價的結果，於積層體之表面電阻值未滿1×1012 Ω/□之情形時均良好，但於除此以外之情形時，灰大量附著。即，若為具有較佳之表面電阻值的抗靜電層，則即便於其上積層有HC層，亦可對光學薄膜賦予灰塵附著防止性。
1、2．．．光學薄膜
10．．．三醋酸纖維素基材
20．．．抗靜電層
30．．．硬塗層
40．．．低折射率層
50．．．保護薄膜
60．．．偏光層
70．．．偏光片
80．．．偏光板
圖1係表示本發明之光學薄膜之層構成之一例的示意圖。
圖2係表示本發明之光學薄膜之層構成之另一例的示意圖。
圖3係表示本發明之偏光板的層構成之一例的示意圖。
1．．．光學薄膜
10．．．三醋酸纖維素基材
20．．．抗靜電層
30．．．硬塗層

Claims (8)

  1. 一種抗靜電層用硬化性樹脂組成物，其特徵在於包含：(A)抗靜電劑；(B)於1分子中具有2個以上之光硬化性基，且分子量為900以下之多官能單體；以及(C)於1分子中具有6個以上之丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基，且重量平均分子量為1000~11000之丙烯酸胺基甲酸酯；該(A)相對於該(A)、(B)及(C)之總量之比例為1~30質量%，且，該(C)相對於該(B)及(C)之總量之比例為1~40質量%；上述抗靜電層用硬化性樹脂組成物之膜厚為1~5μm之硬化物的表面電阻值係未滿1×1012 Ω/□。
  2. 如申請專利範圍第1項之抗靜電層用硬化性樹脂組成物，其中，上述(A)係重量平均分子量為1000~50000之四級銨鹽。
  3. 如申請專利範圍第1項之抗靜電層用硬化性樹脂組成物，其中，進一步包含(D)滲透性溶劑及(E)非滲透性溶劑。
  4. 一種光學薄膜，其係於三醋酸纖維素基材之一面側，自該三醋酸纖維素基材側起鄰接地設置膜厚為1~5μm之抗靜電層及硬塗層者，其特徵在於，該抗靜電層包含申請專利範圍第1至3項中任一項之抗靜電層用硬化性樹脂組成物之硬化物，上述多官能單體(B)滲透至該三醋酸纖維素基材之抗靜電層 側之界面附近的區域並硬化。
  5. 如申請專利範圍第4項之光學薄膜，其中，上述硬塗層、該抗靜電層及上述三醋酸纖維素基材間之方格密接性試驗之密接率為90~100%，且於溫度30℃、濕度40%下，以每小時500W/m2 之光量照射紫外線192小時後之該密接率為80~100%。
  6. 如申請專利範圍第4項之光學薄膜，其中，於上述硬塗層之與抗靜電層相反側之面，進而設置有低折射率層。
  7. 一種偏光板，其特徵為於上述申請專利範圍第4項之光學薄膜之三醋酸纖維素基材側設置偏光片。
  8. 一種顯示面板，其特徵為於上述申請專利範圍第4項之光學薄膜之三醋酸纖維素基材側配置顯示器。
TW100124540A 2010-07-12 2011-07-12 抗靜電層用硬化性樹脂組成物、光學薄膜、偏光板及顯示面板 TWI482705B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010157808 2010-07-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201223758A TW201223758A (en) 2012-06-16
TWI482705B true TWI482705B (zh) 2015-05-01

Family

ID=45469442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100124540A TWI482705B (zh) 2010-07-12 2011-07-12 抗靜電層用硬化性樹脂組成物、光學薄膜、偏光板及顯示面板

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5811090B2 (zh)
KR (1) KR101466520B1 (zh)
CN (2) CN104530331B (zh)
TW (1) TWI482705B (zh)
WO (1) WO2012008444A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6235287B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-22 日東電工株式会社 光学積層体
CN107791632B (zh) * 2017-11-24 2024-08-23 深圳市摩码科技有限公司 一种tac基材的低反射率无彩虹纹硬化保护膜及其制备方法
JP6766969B2 (ja) * 2017-12-18 2020-10-14 Dic株式会社 活性エネルギー線硬化性組成物、及び、それを用いたフィルム
CN108802885A (zh) * 2018-04-23 2018-11-13 深圳市运宝莱光电科技有限公司 一种电磁屏蔽偏光片及制备方法
JP7257165B2 (ja) * 2019-02-12 2023-04-13 日東電工株式会社 補強フィルムを備えるデバイスおよびその製造方法、ならびに補強方法
WO2024101232A1 (ja) * 2022-11-07 2024-05-16 Ａｇｃ株式会社 フィルム及び半導体パッケージの製造方法
CN116640524A (zh) * 2023-05-10 2023-08-25 太湖金张科技股份有限公司 一种模切不掉粉的pu胶保护膜
CN117087268B (zh) * 2023-08-21 2025-09-19 湖南拓步电子科技有限公司 一种增强型抗静电触摸屏玻璃面板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200736654A (en) * 2006-03-31 2007-10-01 Dainippon Printing Co Ltd Optical laminated body

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006306008A (ja) * 2005-03-31 2006-11-09 Jsr Corp 帯電防止用積層体
JP4670745B2 (ja) * 2006-06-12 2011-04-13 日本化成株式会社 帯電防止組成物、帯電防止層および帯電防止フィルム
JP5359137B2 (ja) * 2007-09-12 2013-12-04 大日本印刷株式会社 光学積層体、その製造方法、偏光板及び画像表示装置
KR101574351B1 (ko) * 2008-09-16 2015-12-03 닛본 페인트 홀딩스 가부시키가이샤 내지문성 광경화성 조성물 및 내지문성 코팅층이 설치된 도장물

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200736654A (en) * 2006-03-31 2007-10-01 Dainippon Printing Co Ltd Optical laminated body

Also Published As

Publication number Publication date
JP5811090B2 (ja) 2015-11-11
KR101466520B1 (ko) 2014-11-27
WO2012008444A1 (ja) 2012-01-19
CN104530331B (zh) 2017-01-11
TW201223758A (en) 2012-06-16
CN102958963A (zh) 2013-03-06
CN102958963B (zh) 2014-11-05
CN104530331A (zh) 2015-04-22
KR20130054314A (ko) 2013-05-24
JPWO2012008444A1 (ja) 2013-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI522642B (zh) 光學薄膜、偏光板、顯示面板及顯示器
JP5779863B2 (ja) 光学フィルムの製造方法、光学フィルム、偏光板及びディスプレイ
TWI482705B (zh) 抗靜電層用硬化性樹脂組成物、光學薄膜、偏光板及顯示面板
KR101870473B1 (ko) 반사 방지 필름, 반사 방지 필름의 제조 방법, 편광판 및 화상 표시 장치
TWI541534B (zh) Optical film, polarizing plate and image display device
CN102985498B (zh) 硬涂层用固化性树脂组合物、硬涂薄膜的制造方法、硬涂薄膜、偏振片及显示面板
JP5262032B2 (ja) 光学積層体の製造方法、光学積層体、偏光板及び画像表示装置
KR101994489B1 (ko) 하드 코트 필름, 편광판, 전방면판 및 화상 표시 장치
US7709084B2 (en) Anti-newton ring sheet and touch panel using the same
KR101949558B1 (ko) 광학 적층체 및 그 제조 방법
EP3974183A1 (en) Cover window for flexible display device and flexible display device
KR101809757B1 (ko) 하드 코트 필름, 하드 코트 필름의 제조 방법, 편광판, 전방면판 및 화상 표시 장치
KR101467999B1 (ko) 방현필름
KR20140017618A (ko) 광학 적층체, 편광판 및 화상 표시 장치