TWI481058B - 薄膜太陽能電池的退火裝置 - Google Patents
薄膜太陽能電池的退火裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI481058B TWI481058B TW101118440A TW101118440A TWI481058B TW I481058 B TWI481058 B TW I481058B TW 101118440 A TW101118440 A TW 101118440A TW 101118440 A TW101118440 A TW 101118440A TW I481058 B TWI481058 B TW I481058B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- solar cell
- film solar
- thin film
- annealing
- chamber
- Prior art date
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 100
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N copper gallium Chemical compound [Cu].[Ga] CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本發明係關於一種薄膜太陽能電池退火裝置，尤其關於一種減少退火室中例如為硒粉粒的雜質或灰塵掉落至薄膜太陽能電池的退火裝置。
薄膜太陽能電池中的CIGS(copper indium gallium(di)selenide)是屬於化合物半導體。CIGS屬於多晶薄膜的形式，它是由銅、銦、鎵以及硒所組成的一三五族化合物半導體材料。圖1A顯示CIGS薄膜太陽能電池製造過程之一步驟的示意圖。圖1B顯示CIGS薄膜太陽能電池製造過程之一步驟的示意圖。如圖1A所示，CIGS薄膜太陽能電池10包含一玻璃基板11。於玻璃基板11上依序沉積鉬金屬層12、銅鎵金屬層13、銦金屬層14及硒層15。如圖1B所示，對圖1A步驟的CIGS薄膜太陽能電池10，進行退火(arnealing)處理，退火主要是指一種使材料曝露於高溫一段時間後，然後再慢慢冷卻的製程，退火處理後，銅鎵金屬層13、銦金屬層14及硒層15會形成一CIGSe層16。
圖2A顯示一習知薄膜太陽能電池的退火裝置之外部結構的示意圖。習知薄膜太陽能電池的退火裝置20，包含互相連通的5個退火室21~25、及2個冷卻室31~32。進行退火處理時，從退火裝置20的入口35將圖1A步驟的CIGS薄膜太陽能電池10，送入至退火室21進行預熱，再藉由傳送裝置(未圖示)送至退火室22快速加熱至高溫狀態，例如500℃~600℃。於退火室23中使CIGS薄膜太陽能電池10保持在高溫狀態下一段時間。在退火室24中使CIGS薄膜太陽能電池10開始降溫，最後再使CIGS薄膜太陽能電池10於冷卻室31~32中緩慢降溫至低溫狀態後，從出口36送出。
圖2B顯示一習知薄膜太陽能電池的退火裝置之各退火室之內部結構的示意圖。如圖2B所示，退火室21中設有一底板26。CIGS薄膜太陽能電池10靜置於底板26上。於退火過程中需要通入氮氣N2，再利用一加熱器50隔著一蓋板60對CIGS薄膜太陽能電池10進行加熱。
然而，習知退火裝置20所形成的CIGS薄膜太陽能電池10a，其表面上還是存在有雜質及灰塵，因此習知退火裝置20還有進一步改善的空間。
本發明一實施例之目的在於提供一種減少雜質或灰塵
掉落於薄膜太陽能電池的退火裝置。
依據本發明一實施例，提供一種薄膜太陽能電池退火裝置，適於對一含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池進行退火製程。薄膜太陽能電池退火裝置包含一退火室、一加熱器及至少一通氣管。退火室包含一第一側、一第二側及一底板，底板設於第一側且用以放置含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池，第二側相對於第一側。加熱器設於退火室用以對含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池加熱。至少一通氣管連通於退火室的第一側，用以流通一氣體，並且於退火室的遠離底板的第二側沒有連通於任一排氣管。
於一實施例中，退火室包含一製程室及至少一閘道。製程室用以容置含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池。至少一閘道連通於製程室，藉以使含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池通過至少一閘道後再進入或送出製程室。
於一實施例中，前述至少一通氣管連通於前述至少一閘道的第一側。較佳的情況是，前述氣體吹過含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池的一背面側。
於一實施例中，至少一閘道包含一第一閘道及一第二閘道，製程室位於第一閘道及第二閘道之間。至少一通氣管包含一第一通氣管及一第二通氣管。第一通氣管連通於第一閘道的第一側，用以流入前述氣體。第二通氣管連通於第二閘
道的第一側，用以從製程室排出前述氣體。如此能夠防止硒液或硒粉粒沉積於製程室或閘道下方而無法排出。
於一實施例中，退火室更包含至少一閘門用以選擇性地封閉製程室。
於一實施例中，流入至少一通氣管並進入退火室的氣體，被加熱至不低於退火室內的溫度；或是流入至少一通氣管並進入退火室的氣體，被加熱至不低於退火室內之反應氣的溫度。
於一實施例中，前述氣體為氮氣。
於一實施例中，加熱器包含多個加熱管。且薄膜太陽能電池退火裝置更包含一蓋板，該些加熱管隔著蓋板對含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池加熱。
依本發明一實施例，由於氣體自靠近底板的第一側流入退火室，因此能夠減少粉末掉落於含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池上。於一實施例中，通氣管連通於閘道的第一側，因此氣體大部分會直接吹過薄膜太陽能電池的背面側，因此對於薄膜太陽能電池之品質的影響相對較小。於一實施例中，通入通氣管的氣體被加熱至不低於退火室內之反應氣的溫度，如此即使氣體被通入於退火室中，還是能夠使退火室內之反應物蒸氣保持在氣相。
本發明的其他目的和優點可以從本發明所揭露的技術
特徵中得到進一步的了解。為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖3顯示本發明一實施例薄膜太陽能電池的退火裝置之退火室之剖面示意圖。薄膜太陽能電池退火裝置100用以對一CIGS薄膜太陽能電池10進行退火製程，其包含至少一退火室210。如圖3所示，退火室210包含至少一通氣管231、一加熱器250及至少一蓋板260。CIGS薄膜太陽能電池10置於退火室210內，加熱器250隔著至少一蓋板260對CIGS薄膜太陽能電池10加熱。於本實施例中，包含有兩個蓋板260，分別位於退火室210的上側及下側，其中下側的蓋板260當作一底板，底板的表面261用以放置CIGS薄膜太陽能電池10。通氣管231連通於退火室210下側，用以流通一氮氣N2。
於一實施例中，加熱器250包含多個加熱管251。加熱管251為長條狀且具有一長軸沿一第二方向延伸，較佳的情況是第二方向大致垂直於CIGS薄膜太陽能電池10的傳送方向，亦即為第一方向。蓋板260位於該些加熱管251及CIGS薄膜太陽能電池10之間。
於一實施例中，退火室210包含有製程室211、至少一閘道212及至少一閘門213。製程室211用以容置CIGS薄膜太陽能電池10。於圖3實施例中包含有兩個閘道212，而製程室211位於該些閘道212之間，並且該些閘道212分別連通於製程室211，藉以使CIGS薄膜太陽能電池10通過閘道212後進入或送出製程室211。如圖3所示，製程室211的兩旁各設有一閘道212，並且於製程室211及閘道212間皆設有一閘門213。製程室211兩旁的閘門213能夠選擇性地被開啟或關閉，當閘門213呈開啟狀態時製程室211連通於閘道212；當閘門213呈關閉狀態時，製程室211保持封閉狀態。依據習知技術，由於沒有閘門的設計，因此各退火室間會互相影響，相對於此依本發明一實施例，能夠使各製程室211獨立操作，各製程室211間較不會互相的影響，能夠得到較佳品質的CIGS薄膜太陽能電池10a。
製程室211兩旁的通氣管231，分別連通於閘門213的下側，氮氣N2從製程室211左側的通氣管231流入於製程室211中再從製程室211右側的通氣管231流出製程室211。
依據習知技術，會從退火室21的上側及下側通入常溫的氮氣N2並從退火室21的上側排出氮氣N2，然而當氮氣N2及硒粉粒從退火室21上側排出時，由於重力的影響還是會有粉末掉落，而落至CIGS薄膜太陽能電池10或退火室
21內，因而影響到CIGS薄膜太陽能電池10a的品質。
相對於此，於本發明一實施例中，由於氮氣N2自靠近底板表面261的退火室210的下側流入或流出退火室210，因此能夠減少粉末掉落於CIGS薄膜太陽能電池10上。於一實施例中，左側之通氣管231連通於左側閘道212的下側，因此當CIGS薄膜太陽能電池10通過左側閘道212時，氮氣N2大部分會直接吹過CIGS薄膜太陽能電池10的背面側，且大部分不會直接吹到CIGS薄膜太陽能電池10的正面側，因此較不會影響CIGSe層16的成膜過程，對於CIGS薄膜太陽能電池10之品質的影響相對較小。
於一實施例中，一氣體加熱裝置252設置於左側的通氣管231，氮氣N2流過左側的通氣管231，且於左側的通氣管231中的氮氣N2被氣體加熱裝置252加熱後，再進入於退火室210中。於本實施例中，氣體加熱裝置252對通入左側的通氣管231的氮氣N2進行加熱至不低於退火室210內的溫度。並且，為了形成良好的CIGSe層16，在加熱段的退火室210其製程室211內的溫度要高於硒元素的沸點的溫度。
於退火製程，在依據習知技術的退火室21~25中，會有製程氣體的產生，例如硒蒸氣。當通入室溫下的氮氣N2時，冷的氮氣N2與熱的硒蒸氣在退火室21~25內部混合後，會
使硒蒸氣冷卻並固化而形成硒粉塵。更尤其是在250℃~300℃的退火室，由於製程室211內的溫度接近冷凝溫度，硒蒸氣碰到冷的氮氣N2，更容易產生硒粉塵。
相較於此，依本發明一實施例，由於氮氣N2在進入退火室210前已被加熱，熱的氮氣N2與熱的硒蒸氣間進行的熱交換較少，因此能夠減少退火室210內之硒蒸氣被氮氣N2冷卻後固化，形成固體粉未。此外，當被加熱的氮氣N2的溫度達到製程室211的溫度時，熱的氮氣N2無法冷卻熱的硒蒸氣，因此能夠減少硒蒸氣被固化。於一實施例中，通入通氣管的氣體被加熱至不低於退火室內之反應氣的溫度，如此即使氣體被通入於退火室中，還是能夠使退火室內之反應物蒸氣保持在氣相。
於一實施例中，還可以於退火室210內設置一溫度感測器(未圖示)，溫度感測器及氣體加熱裝置252皆耦接於一控制器，溫度感測器感測退火室210中氣體的溫度，並傳送溫度訊號給氣體加熱裝置252，氣體加熱裝置252依據溫度訊號將氮氣N2加熱至退火室210中氣體的溫度以上。
依本發明一實施例，由於氮氣N2自靠近底板表面261的退火室210的下側流入或流出退火室210，因此能夠減少粉末掉落於CIGS薄膜太陽能電池10上。於一實施例中，通氣管231連通於閘道212的下側，因此氮氣N2大部分會直
接吹過CIGS薄膜太陽能電池10的背面側，因此對於CIGS薄膜太陽能電池10之品質的影響相對較小。於一實施例中，通入左側之通氣管231的氮氣N2被加熱至不低於退火室內之反應氣的溫度，如此即使氮氣N2被通入於退火室中，還是能夠使退火室內之反應物蒸氣保持在氣相。
此外，本發明雖然以包含有硒元素的CIGS薄膜太陽能電池10為示例加以說明，但本發明不限定於此，硒為第VIA族元素，因此於本領域具有通常知識者亦能夠明白，本發明可以適用於包含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。
10‧‧‧CIGS薄膜太陽能電池
100‧‧‧薄膜太陽能電池退火裝置
10a‧‧‧CIGS薄膜太陽能電池
11‧‧‧玻璃基板
12‧‧‧鉬金屬層
13‧‧‧銅鎵金屬層
14‧‧‧銦金屬層
15‧‧‧硒層
16‧‧‧CIGSe層
20‧‧‧退火裝置
21~25‧‧‧退火室
210‧‧‧退火室
211‧‧‧製程室
212‧‧‧閘道
213‧‧‧閘門
231‧‧‧通氣管
250‧‧‧加熱器
251‧‧‧加熱管
252‧‧‧氣體加熱裝置
26‧‧‧底板
260‧‧‧蓋板
261‧‧‧底板表面
31~32‧‧‧冷卻室
35‧‧‧入口
36‧‧‧出口
50‧‧‧加熱器
60‧‧‧蓋板
圖1A顯示CIGS薄膜太陽能電池製造過程之一步驟的示意圖。
圖1B顯示CIGS薄膜太陽能電池製造過程之一步驟的
示意圖。
圖2A顯示一習知薄膜太陽能電池的退火裝置之外部結構的示意圖。
圖2B顯示一習知薄膜太陽能電池的退火裝置之各退火室之內部結構的示意圖。
圖3顯示本發明一實施例薄膜太陽能電池的退火裝置之退火室之剖面示意圖。
10‧‧‧CIGS薄膜太陽能電池
100‧‧‧薄膜太陽能電池退火裝置
210‧‧‧退火室
211‧‧‧製程室
212‧‧‧閘道
213‧‧‧閘門
231‧‧‧通氣管
250‧‧‧加熱器
251‧‧‧加熱管
252‧‧‧氣體加熱裝置
260‧‧‧蓋板
261‧‧‧底板表面
Claims (6)
- 一種薄膜太陽能電池退火裝置，用以對一含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池進行退火製程，包含：至少一通氣管，用以流通一氣體；一退火室，包含一第一側、一第二側及一底板，該底板設於該第一側且用以放置該含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池，該第一側靠近該底板，該第二側相對於該第一側且遠離該底板，而且該退火室包含：一製程室，用以容置該含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池；至少一閘道，連通於該製程室，藉以使該含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池通過該至少一閘道後再進入或送出該製程室；及至少一閘門，選擇性地封閉該製程室，其中，該至少一閘道包含一第一閘道及一第二閘道，該製程室位於該第一閘道及該第二閘道之間，並且該至少一通氣管包含：一第一通氣管，連通於該第一閘道的該第一側，用以流入該氣體；及一第二通氣管，連通於該第二閘道的該第一側，用以從該製程室排出該氣體；以及 一第一加熱器，設於該退火室，用以對該含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池加熱，其中於該退火室的該第二側沒有連通於任一排氣管。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池退火裝置，其中當該含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池通過該至少一閘道時，該氣體吹過該含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池的一背面側。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池退火裝置，更包含一第二加熱器，用以對該第一通氣管的該氣體加熱，其中流入該至少一通氣管並進入該退火室的該氣體，被該第二加熱器加熱至不低於該退火室內的溫度。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池退火裝置，更包含一第二加熱器，用以對該第一通氣管的該氣體加熱，其中流入該至少一通氣管並進入該退火室的該氣體，被該第二加熱器加熱至不低於該退火室內之反應氣體的溫度。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池退火裝置，其中該氣體為氮氣。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池退火裝置， 其中，該第一加熱器包含多個加熱管，該薄膜太陽能電池退火裝置更包含一蓋板，該些加熱管隔著該蓋板對該含有第VIA族元素的薄膜太陽能電池加熱。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101118440A TWI481058B (zh) | 2012-05-24 | 2012-05-24 | 薄膜太陽能電池的退火裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101118440A TWI481058B (zh) | 2012-05-24 | 2012-05-24 | 薄膜太陽能電池的退火裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201349541A TW201349541A (zh) | 2013-12-01 |
| TWI481058B true TWI481058B (zh) | 2015-04-11 |
Family
ID=50157560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101118440A TWI481058B (zh) | 2012-05-24 | 2012-05-24 | 薄膜太陽能電池的退火裝置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI481058B (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19813910A1 (de) * | 1998-03-28 | 1999-09-30 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten Substraten |
| JP2006082926A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2008002904A2 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Thermal Processing Solutions, Inc. | Rapid thermal firing ir conveyor furnace having high intensity heating section |
| CN101405842A (zh) * | 2006-09-05 | 2009-04-08 | 东京毅力科创株式会社 | 退火装置 |
| US20090217875A1 (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-03 | Mattson Thermal Products Gmbh | Apparatus for the heat treatment of disc shaped substrates |
| CN101651101A (zh) * | 2009-09-14 | 2010-02-17 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种碳化硅离子激活退火装置及碳化硅离子激活退火方法 |
| US20100226629A1 (en) * | 2008-07-21 | 2010-09-09 | Solopower, Inc. | Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing |
| TW201034230A (en) * | 2008-12-29 | 2010-09-16 | Solopower Inc | Reactor to form solar cell absorbers in roll-to-roll fashion |
| TW201116492A (en) * | 2009-08-14 | 2011-05-16 | Leybold Optics Gmbh | Device and treatment chamber for thermal treatment of substrates |
-
2012
- 2012-05-24 TW TW101118440A patent/TWI481058B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19813910A1 (de) * | 1998-03-28 | 1999-09-30 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten Substraten |
| JP2006082926A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2008002904A2 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Thermal Processing Solutions, Inc. | Rapid thermal firing ir conveyor furnace having high intensity heating section |
| CN101405842A (zh) * | 2006-09-05 | 2009-04-08 | 东京毅力科创株式会社 | 退火装置 |
| US20090217875A1 (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-03 | Mattson Thermal Products Gmbh | Apparatus for the heat treatment of disc shaped substrates |
| US20100226629A1 (en) * | 2008-07-21 | 2010-09-09 | Solopower, Inc. | Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing |
| TW201034230A (en) * | 2008-12-29 | 2010-09-16 | Solopower Inc | Reactor to form solar cell absorbers in roll-to-roll fashion |
| TW201116492A (en) * | 2009-08-14 | 2011-05-16 | Leybold Optics Gmbh | Device and treatment chamber for thermal treatment of substrates |
| CN101651101A (zh) * | 2009-09-14 | 2010-02-17 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种碳化硅离子激活退火装置及碳化硅离子激活退火方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201349541A (zh) | 2013-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5647977B2 (ja) | 積み重ねられた処理対象品を特に処理するための処理装置 | |
| CN102185024B (zh) | 一种处理制备cigs太阳能电池吸收层的硒化炉及制备方法 | |
| TWI479671B (zh) | 用於執行薄膜光伏材料的反應熱處理的方法和裝置 | |
| CN103122448B (zh) | 垂直式热处理炉结构 | |
| US20130216967A1 (en) | Device and method for heat-treating a plurality of multi-layer bodies | |
| CN101409228B (zh) | 具有可移动热挡板的半导体片红外快速热处理腔 | |
| TW201123470A (en) | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates | |
| TWI481058B (zh) | 薄膜太陽能電池的退火裝置 | |
| TWI442013B (zh) | 熱處理爐結構 | |
| US20170155005A1 (en) | Selenization/sulfurization process apparatus for use with single-piece glass substrate | |
| CN105556651B (zh) | 热处理装置以及具备该热处理装置的热处理系统 | |
| TWI474497B (zh) | 薄膜太陽能電池的退火裝置 | |
| CN107531483B (zh) | 蒸汽循环再生系统 | |
| TWI492406B (zh) | 薄膜太陽能電池的退火裝置 | |
| TWI512829B (zh) | 薄膜太陽能電池的退火方法 | |
| US20150295124A1 (en) | Manufacturing equipment for photovoltaic devices and methods | |
| TWI508179B (zh) | 薄膜太陽能電池的退火裝置 | |
| JP3916073B2 (ja) | 熱処理オーブン | |
| CN202576559U (zh) | 铜铟镓硒太阳能电池基片的硒化与硫化反应装置 | |
| KR20220027064A (ko) | 칼코겐-함유 화합물 반도체를 제조하는 공정 및 장치 | |
| KR101593493B1 (ko) | 대면적 유리기판 열처리 장치 | |
| TWI385261B (zh) | 蒸發機以及適用於蒸發機之液位控制裝置及方法 | |
| CN103046023B (zh) | 热处理炉结构 | |
| TWI481057B (zh) | 薄膜太陽能電池的退火裝置 | |
| CN116913776A (zh) | 一种快速链式退火设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |