TWI480782B - 觸控面板 - Google Patents
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Description
本發明係有關一種觸控面板,特別是關於一種含低溫導電材料之橋接部的觸控面板。
觸控顯示器係結合感測技術及顯示技術所形成的一種輸入/輸出裝置,普遍使用於電子裝置中,例如可攜式及手持式電子裝置。
電容式觸控面板為一種常用的觸控面板,其利用電容耦合效應以偵測觸碰位置。當手指觸碰電容式觸控面板的表面時,相應位置的電容量會受到改變,因而得以偵測到觸碰位置。
觸控面板一般係由正交的X電極列與Y電極列所組成,其中一種電極列藉由橋接部(bridge)以電性連接。傳統觸控面板的橋接部一般是由金屬所形成。然而,金屬橋接部會造成反射及透光度降低等問題。另一種傳統觸控面板的橋接器則是由氧化銦錫(ITO)所形成。然而,氧化銦錫需使用高溫(例如大於300℃)的製程環境,且需進行退火製程。此外,還需使用強酸(例如王水)以蝕刻形成所要的圖樣,因而容易造成電極的破壞。
因此,亟需提出一種新穎的觸控面板,用以改善傳統觸控面板的缺點。
鑑於上述,本發明實施例的目的之一在於提出一種觸控面板,其橋接部使用低溫導電材料,以簡化製程、提高觸控感應度,且可避免反射及透光度降低等問題。
根據本發明實施例,觸控面板包含透明基板、複數第一電極列、複數第一導電連接部、複數第二電極列、複數導電橋接部及複數絕緣塊。第一電極列沿第一軸向形成於透明基板上,該第一電極列包含複數第一電極,且第一導電連接部用以連接沿第一軸向之相鄰第一電極。第二電極列沿第二軸向形成於透明基板上,該第二電極列包含複數第二電極,且導電橋接部的二端分別連接至沿第二軸向之相鄰第二電極,該些導電橋接部包含低溫導電材料。絕緣塊位於導電橋接部與第一導電連接部之間。
第一A圖至第一C圖顯示本發明實施例之觸控面板100的製程上視圖,而第二圖顯示第一C圖沿剖面線2-2’的剖視圖。圖示製程僅為觸控面板的多種製程當中的一種,非用以限定本實施例的製造方法。 【00010】 首先,如第一A圖所示,於透明基板10的表面形成複數第一電極列11及複數第二電極列12,其中該些第一電極列11沿第一軸向排列,且該些第二電極列12沿第二軸向排列。該些第一電極列11彼此實質平行,且該些第二電極列12彼此實質平行。第一電極列11與第二電極列12可以為實質正交,但不限定於此。其中,第一電極列11包含複數第一電極110,且第二電極列12包含複數第二電極120。如第一A圖所示,第二電極120彼此分離,而沿第一軸向之相鄰第一電極110之間藉由第一導電連接部111彼此連接。雖然第一A圖例示第一電極110及第二電極120的形狀為菱形,但也可以為其他形狀。 【00011】 上述透明基板10的材質可為絕緣材料,例如玻璃、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate, PET)、聚乙烯(Polyethylen, PE)、聚氯乙烯(Poly vinyl Chloride, PVC)、聚丙烯(Poly propylene, PP)、聚苯乙烯(Poly styrene, PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate, PMMA)或環烯烴共聚合物(Cyclic olefin copolymer, COC)。 【00012】 上述第一電極列11與第二電極列12可為非透明導電材料所形成的透光(light-transmissive)結構。非透明導電材料可為複數奈米金屬線(metal nanowire),例如奈米銀線或奈米銅線;或者複數奈米金屬網(metal nanonet),例如奈米銀網或奈米銅網。奈米金屬線或金屬網的內徑為奈米等級(亦即數奈米至數百奈米之間),可藉由塑膠材料(例如樹脂)加以固定。由於奈米金屬線/網非常細,非人眼可以觀察得到,因此由奈米金屬線/網所構成之第一電極列11與第二電極列12的透光性極佳。第一電極列11與第二電極列12還可包含光敏(photosensitive)材料(例如壓克力),藉由曝光顯影製程即可形成所要的電極形狀(pattern)。 【00013】 在另一實施例中,第一電極列11與第二電極列12可為透明導電材料所形成的透光結構。透明導電材料可為氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅鋁(Al-doped ZnO, AZO)或氧化錫銻(antimony tin oxide, ATO)。 【00014】 接下來,如第一B圖所示,於第一導電連接部111上形成絕緣塊13。絕緣塊13的頂面形狀可為四邊形,但不限定於此。絕緣塊13的材質可為光學膠(OCA)或二氧化矽,也可含光敏材料(例如壓克力),藉由曝光顯影製程即可形成所要的形狀。 【00015】 最後,如第一C圖所示,於絕緣塊13上形成導電橋接部(bridge)14,並於透明基板10的週邊形成導線(未顯示)。導電橋接部14的中央設於絕緣塊13上,且導電橋接部14的二端分別連接至沿第二軸向之相鄰第二電極120,因而使得同一行的第二電極120彼此電性連接。此外,第一電極列11與第二電極列12則藉由絕緣塊13而彼此電性絕緣。 【00016】 根據本實施例的特徵之一,導電橋接部14的材質包含低溫導電材料。在本實施例中,“低溫”係指室溫。藉此,可使用低溫濺鍍(sputtering)製程以形成低溫導電材料層,不需再進行退火(annealing)。相較於傳統使用高溫導電材料(例如氧化銦錫(ITO))以形成橋接部時,不但需要高溫(例如大於300℃)的製程環境,且還需要進行退火製程,因此本實施例可以簡化整個的製程。在一較佳實施例中,本實施例的低溫導電材料包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)及鋅(Zn),此種低溫導電材料也稱為IXO,在本實施例中,鋅的重量百分比為0.1~30%。 【00017】 接著,對低溫導電材料層進行蝕刻製程,以形成導電橋接部14。相較於傳統使用高溫導電材料(例如氧化銦錫(ITO))以形成橋接部時,需使用強酸(例如王水(Aqua regia或royal water))以形成所要的圖樣,因而容易造成電極的破壞。反觀本實施例使用低溫導電材料,於進行蝕刻製程時僅需使用弱酸(例如草酸(Oxalic acid)),不會破壞第一電極110及第二電極120,因而可以提高觸控感應度。此外,本實施例使用低溫導電材料作為導電橋接部14的材質,不會有傳統使用金屬作為橋接部所造成的反射及透光度降低等問題。 【00018】 第三圖顯示本發明另一實施例之觸控面板200的剖視圖。與前一實施例(第二圖)相同的是,導電橋接部14的二端分別連接至沿第二軸向之相鄰第二電極120,因而使得同一行的第二電極120彼此電性連接。不同的是,前一實施例(第二圖)由下而上依次為第一導電連接部111、絕緣塊13及導電橋接部14,然而本實施例(第三圖)由下而上則依次為導電橋接部14、絕緣塊13及第一導電連接部111。 【00019】 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已,並非用以限定本發明之申請專利範圍;凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾,均應包含在下述之申請專利範圍內。
100...觸控面板
200...觸控面板
10...透明基板
11...第一電極列
110...第一電極
111...第一導電連接部
12...第二電極列
120...第二電極
13...絕緣塊
14...導電橋接部
第一A圖至第一C圖顯示本發明實施例之觸控面板的製程上視圖。 第二圖顯示第一C圖沿剖面線2-2’的剖視圖。 第三圖顯示本發明另一實施例之觸控面板的剖視圖。
100...觸控面板
10...透明基板
111...第一導電連接部
12...第二電極列
120...第二電極
13...絕緣塊
14...導電橋接部
Claims (9)
- 一種觸控面板,包含:一透明基板;複數第一電極列,沿第一軸向形成於該透明基板上,該第一電極列包含複數第一電極;複數第一導電連接部,每一該第一導電連接部用以連接沿該第一軸向之相鄰第一電極;複數第二電極列,沿第二軸向形成於該透明基板上,該第二電極列包含複數第二電極;複數導電橋接部,每一該導電橋接部的二端分別連接至沿該第二軸向之相鄰第二電極,該些導電橋接部包含低溫導電材料;及複數絕緣塊,每一該絕緣塊位於該導電橋接部與該第一導電連接部之間;其中該低溫導電材料包含氧化銦錫(ITO)及鋅(Zn),其中該鋅的重量百分比為0.1~30%,且低溫為室溫。
- 根據申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該第一導電連接部、該絕緣塊及該導電橋接部從該透明基板由下而上依次堆疊。
- 根據申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該導電橋接部、該絕緣塊及該第一導電連接部從該透明基板由下而上依次堆疊。
- 根據申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該透明基板包含玻璃、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或環烯烴共聚合物(COC)。
- 根據申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該第一電極列或該第二電極列包含非透明導電材料所形成的透光結構。
- 根據申請專利範圍第5項所述之觸控面板,其中該非透明導電材料包含複數奈米金屬線或複數奈米金屬網。
- 根據申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該第一電極列或該第二電極列包含透明導電材料所形成的透光結構。
- 根據申請專利範圍第7項所述之觸控面板,其中該透明導電材料包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅鋁(AZO)或氧化錫銻(ATO)。
- 根據申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該絕緣塊包含光學膠(OCA)、二氧化矽或壓克力。
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