TWI479175B - 轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 107
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 6
- ZEDZJUDTPVFRNB-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);triiodide Chemical compound I[Ce](I)I ZEDZJUDTPVFRNB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- MKKCJTYKJLHFJO-UHFFFAOYSA-N [Bi].S=O Chemical compound [Bi].S=O MKKCJTYKJLHFJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- UPIZSELIQBYSMU-UHFFFAOYSA-N lanthanum;sulfur monoxide Chemical compound [La].S=O UPIZSELIQBYSMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004829 CaWO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEOFZKLOXGMTJZ-UHFFFAOYSA-N [S-2].[Zn+2].[Sb+3] Chemical compound [S-2].[Zn+2].[Sb+3] PEOFZKLOXGMTJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- MAHNFPMIPQKPPI-UHFFFAOYSA-N disulfur Chemical compound S=S MAHNFPMIPQKPPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000399 orthopedic effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFKJCVBFQRKZCJ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+);trisulfide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[S-2].[S-2].[S-2].[Y+3].[Y+3].[Y+3].[Y+3] GFKJCVBFQRKZCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 210000000115 thoracic cavity Anatomy 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BPMRLDMEAPSVQN-UHFFFAOYSA-N yttrium(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Y+3].[Y+3] BPMRLDMEAPSVQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/301—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to very short wavelength, e.g. being sensitive to X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/496—Luminescent members, e.g. fluorescent sheets
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
本發明係關於一電磁波偵測裝置之領域，特別是關於一種轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法。
隨著高齡化社會的來臨，世界各國對於醫療議題是愈加重視。在醫療相關產業中，醫學影像檢測產業之發展更是各國的重點發展方向之一，此可歸因於醫學影像檢測設備的高技術門檻以及高附加價值，並且不具人體侵入性。一般來說，醫學影像檢測設備包括X光(x-ray)儀器設備、心電圖儀、超音波儀、電腦斷層掃描儀(Computed Tomography,CT)、核磁共振造影儀等設備。其中，X光儀器設備及電腦斷層掃描儀更是被廣泛地應用於牙科、骨科、胸腔科等醫療科別。
一般來說，上述之X光儀器設備及電腦斷層掃描儀均配置有X射線之影像偵測裝置，以進一步將穿透人體之光線轉換成電訊號，以供電路傳送或被處理器加以運算。在習知的X射線影像偵測裝置中，一般會包含有轉換結構以及光偵測裝置。轉換結構可以將入射至影像偵測裝置之X射線轉換為一可以被光偵測裝置偵測之電磁波，並進而利用光偵測裝置將此電磁波轉換成相應之電訊號。其中，上述之轉換結構係採用閃光體(scintillator)作為電磁波轉換之材料，且其主流材質係為摻雜有鉈之碘化銫(CsI：Tl)。
然而，上述採用CsI：Tl作為閃光體材質之X射線影像偵測裝置尚具有諸多缺失。舉例來說，由於鉈(Tl)是劇毒之重金屬元素，在製備過程中必須採用價格高昂之廢氣過濾系統以避免造成環境汙染，且對人體有一定程度的傷害。此外，CsI：Tl必須透過長晶製程始能形成柱狀體，才不會造成光線通過閃光體時產生散射，進而影響影像偵測解析度。並且，受限於材料特性，Tl通常無法與CsI均勻混合，而造成CsI：Tl內之Tl會分佈不均而產生較低之光轉化效率。又，CsI：Tl的易潮解特性也導致其相應之偵測裝置必須具備優異的密封程度。
因此，有必要提供一種轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法，以解決上述習知技術之缺失。
有鑑於此，本發明之一目的在於提供轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法，以避免上述採用CsI：Tl作為閃光體材質之缺失。
根據本發明之一實施例，係提供一種轉換結構，其包括一基板、複數個呈現二維陣列排列之電磁波轉換單元、一反射膜以及複數個反射層。基板具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，且第二表面具有複數個凹槽。電磁波轉換單元係分別被設置於各凹槽內，其中電磁波轉換單元係用於吸收具有第一波長之第一電磁波，並放射出具有第二波長之第二電磁波，且第一波長小於第二波長。反射膜係覆蓋於基板之第一表面上，其中第一電磁波會穿透反射膜，且反射膜用於反射第二電磁波。各反射層分別設置於各凹槽之側壁與各電磁波轉換單元之間，且各反射層用於反射第二電磁波。
根據本發明之另一實施例，係提供一種影像偵測裝置。影像偵測裝置包括一轉換結構以及一光偵測裝置。轉換結構包括一基板、複數個呈現二維陣列排列之電磁波轉換單元、一反射膜以及複數個反射層。基板具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，且第二表面具有複數個凹槽。電磁波轉換單元係分別被設置於各凹槽內，其中電磁波轉換單元係用於吸收具有第一波長之第一電磁波，並放射出具有第二波長之第二電磁波，且第一波長小於第二波長。反射膜係覆蓋於基板之第一表面上，其中第一電磁波係穿透反射膜，且反射膜用於反射第二電磁波。各反射層分別設置於各凹槽之側壁與各電磁波轉換單元之間，且各反射層用於反射第二電磁波。光偵測裝置係與轉換結構基板之第二表面相對設置，且光偵測裝置包括複數個呈現二維陣列排列之偵測單元。光偵測裝置包括一第二基板以及複數個光偵測單元。光偵測單元分別設置於各偵測區內之第二基板上。
根據本發明之又一實施例，係提供一種轉換結構之製備方法。此製備方法包括提供一基板，基板具有彼此相對之一第一表面與一第二表面。接著於基板之第二表面形成複數個凹槽，並於基板之第一表面上覆蓋一反射膜。於各凹槽之側壁形成一反射層。於各凹槽內填入一電磁波轉換材料，其中各電磁波轉換材料係用於吸收具有一第一波長之一第一電磁波，並放射出具有一第二波長之一第二電磁波，且第一波長小於第二波長。
本發明係提供轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法，其特徵在於可取代現有技術之長晶製程以及有毒材料，使得製程更方便與環保。此外，轉換結構凹槽之幾何設計、反射膜和反射層之設
置也增強了轉換結構輸出至光偵測裝置之第二波長光線強度，使得光偵測單元更容易判別各偵測區內之第二波長光強度變化，避免了CsI：Tl僅能產生較低光轉化效率之缺失。
10‧‧‧基板
20‧‧‧凹槽
20a‧‧‧第一開口
20b‧‧‧第二開口
21‧‧‧轉換單元
22‧‧‧第二表面
24‧‧‧第一表面
26‧‧‧反射膜
28a‧‧‧側壁
28b‧‧‧底面
30‧‧‧反射層
32‧‧‧電磁波轉換單元
50‧‧‧第二基板
52‧‧‧開關元件
56‧‧‧光偵測元件
56a‧‧‧陽極電極
56b‧‧‧陰極電極
56c‧‧‧光檢測器
60‧‧‧偵測區
100‧‧‧轉換結構
200‧‧‧影像偵測裝置
300‧‧‧光偵測裝置
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極
S‧‧‧源極
L1‧‧‧第一電磁波
L2‧‧‧第二電磁波
第1圖係根據本發明之一實施例所繪製之轉換結構之俯視圖。
第2圖係根據本發明之一實施例沿著第1圖中切線A-A’所繪製之轉換結構之剖面圖。
第3圖係根據本發明之一實施例所繪製之轉換結構之俯視圖。
第4圖至第8圖係根據本發明實施例沿著第1圖切線A-A’所繪示之轉換結構之剖面圖。
第9圖係根據本發明之一實施例所繪示之影像偵測裝置之透視圖。
第10圖係根據本發明之一實施例之光偵測裝置之局部剖面示意圖。
第11圖和第12圖係根據本發明不同實施例所繪示之各偵測區內之轉換單元布局示意圖。
於下文中，係加以陳述本發明之轉換結構、影像偵測裝置及轉換結構之製備方法，俾使本技術領域中具有通常技術者可據以實施本發明。該些具體實施方式可參考相對應的圖式，俾使該些圖式構成實施方式之一部分。雖然本發明之實施例揭露如下，然而其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範疇內，當可作些許之更動與潤飾。
請參考第1圖和第2圖。第1圖是根據本發明之一實施例所繪製之轉換結構之俯視圖，第2圖是根據本發明之一實施例沿著第1圖
中切線A-A’所繪製之轉換結構之剖面圖。如第1圖和第2圖所示，本實施例係提供一種轉換結構100，其包括一基板10、複數個轉換單元21以及一反射膜26。基板10具有一第一表面24與一第二表面22，且可包括硬質基板(例如半導體基板、晶圓、玻璃纖維基板、玻璃基板、硬質塑膠基板、金屬基板或陶瓷基板)、可撓式基板(flexible substrate)或其他適合材料所形成之基板，但不限於此。轉換單元21設置於基板10中，且具有陣列排列之布局，其彼此間較佳係具有相同之間距。舉例而言，兩相鄰轉換單元21之間距(pitch)可介於20微米(micrometer,μm)至200μm之間，較佳係介於50μm至100μm之間，但不限於此。此外，端視產品需求，轉換單元21兩相鄰行之間距可以等於或不等於轉換單元21兩相鄰列之間距。並且，反射膜26覆蓋於基板10之第一表面24上。
更具體而言，本發明實施例之各轉換單元21較佳係包括一凹槽20、一反射層30以及一電磁波轉換單元32。也就是說，基板10之第二表面22具有複數個凹槽20，且各凹槽20貫穿基板10，使各凹槽20包括一第一開口20a以及一第二開口20b，其中第一開口20a及第二開口20b分別位於第二表面22和第一表面24。第一開口20a之開口形狀較佳為圓形，但不限於此。凹槽20包括一側壁28a，例如垂直側壁或非垂直側壁。較佳而言，凹槽20之側壁28a較佳係與第二表面22不相互垂直，且兩者之夾角大於90度，使其可具有較佳之集光效果，但本發明不限於此。反射層30係被設置於側壁28a上，其係對特定波長範圍之電磁波具有反射之效果。較佳而言，反射層30係覆蓋整個側壁28a，並會延伸覆蓋於第二表面22之整面，但不限定於此。電磁波轉換單元32係被設置於凹槽20內，其材質可以包括閃光體(Scintillator)，螢光材料(phosphors)、磷光材料或任何可轉換電磁波波段之材料，此特徵將於下文詳細描述。舉例而言，根據本發明之一實施例，可提供一具有第一波長之第一電磁
波L1，使其自基板10之第一表面24照射入電磁波轉換單元32。第一電磁波L1可被電磁波轉換單元32吸收而轉換成一具有第二波長之第二電磁波L2，之後進一步從基板10之第二表面22放射出。其中，第一波長係小於第二波長，且第一電磁波L1之能量高於第二電磁波L2之能量。舉例來說，當第一波長是伽瑪射線(Gamma ray)、X射線(X-ray)、紫外線(ultraviolet light)、可見光(visible light)或紅外線(infrared light)波段的其中之一時，則第二波長則可以是小於第一波長之任何波段。當第一電磁波L1進入電磁波轉換單元32內時，其可以被電磁波轉換單元32吸收而被轉換成第二電磁波L2。第二電磁波L2可藉由反射膜26和反射層30之反射作用，自基板10之第二表面22放射出。在此需注意的是，反射膜26和反射層30較佳僅會反射具有第二波長之第二電磁波L2，而具有第一波長之第一電磁波L1會穿透反射膜26。此外，本發明為了增強第二電磁波L2之出光強度，各凹槽20之側壁28a較佳係被設計成一非垂直側壁，並使得各凹槽20之第一開口20a之開口面積係大於第二開口20b之開口面積。藉由反射膜26和反射層30之反射作用以及側壁28a之幾何設計，可以將第二電磁波L2加以集中，並自基板10之第二表面22放射出。
根據本發明之一實施例，第一波長較佳係落在X射線之波段，而第二波長較佳係落在可見光之波段。因此，電磁波轉換單元32係屬於可以吸收X射線並放射出可見光之X射線螢光材料(X-ray phosphors)，或稱為閃光體(scintillator)。一般而言，其材質可以例如是硫氧化釓(Gd2
O2
S)摻雜鋱(Tb)、銪(Eu)、鐠(Pr)、鍶(Ce)、氟(F)或其他雜質、如摻雜銪(Eu)之硫氧化釓(Gd2
O2
S：Eu)、摻雜鐠之硫氧化釓(Gd2
O2
S：Pr)、摻雜鐠鈰氟之硫氧化釓(Gd2
O2
S：Pr,Ce,F)。硫氧化鑭(La2
O2
S)摻雜銪(Eu)、鋱(Tb)或其他雜質，如摻雜銪(Eu)之硫氧化鑭(La2O2S：Eu)，摻雜
鋱(Tb)之硫氧化鑭(La2O2S：Tb)。硫氧化釔(Y2O2S)摻雜鋱(Tb)或其他雜質，如摻雜鋱(Tb)之硫氧化釔(Y2O2S：Tb)。碘化銫(CsI)摻雜鉈(Tl)或鈉(Na)或其他雜質，如摻雜鉈(Tl)之碘化銫(CsI：Tl)，摻雜鈉(Na)之碘化銫(CsI：Na)。摻有雜質之溴氧化鑭(LaOBr)，摻有雜質之硫化釓鋅(Zn0.6Cd0.4S)、摻有雜質之鎢氧化鈣(CaWO4)等等，但本發明不限於此。然而，根據本發明之其他實施例，電磁波轉換單元亦可採用其他種類之X射線螢光材料，其可以吸收X射線且放射出波長大於X射線之電磁波，例如紅外線或紫外線。比較於現有技術所採用之CsI：Tl之轉換結構，由於本發明轉換結構100所採用之電磁波轉換單元32為混合均勻之螢光材料或磷光材料，因此不會有混合不均勻而造成光轉化效率低落之現象產生。舉例來說，當X射線照射於人體時，人體的不同部位對X射線的阻擋程度並不相同，因此穿過人體之X射線的能量大小可呈現出人體影像的灰階圖案。如此一來，對應不同部位且具有相對應能量之X射線在從第一表面24射入轉換結構100之後可透過不同的轉換單元21轉換為具有相對應能量之可見光，並且具有相對應能量之可見光可透過反射層30與反射膜26之反射而朝第二表面22射出。
下文將闡述本發明不同實施例之轉換結構。在此注意的是，下述實施例僅針對主要差異處加以敘述，其相同或相似之元件或結構將以相同之元件符號表示。請參照第3圖。第3圖係根據本發明另一實施例所繪製之轉換結構之俯視示意圖。如第3圖所示，本實施例之轉換結構100與第1圖所示結構之主要差異在於，第3圖之各凹槽20之開口形狀非呈現圓形，而是呈現橢圓形之開口形狀。但根據本發明之其他實施例，各凹槽20之開口形狀亦可以是三角形、方形、矩形等等之多邊形或是上述任何形狀之搭配組合。
又如第4圖所示，其類似沿著第1圖切線A-A’所繪示之轉換結構之剖面圖。第4圖所示之轉換結構100與第1圖所示結構之主要差異在於，本實施例之各凹槽20非屬於一通孔(through hole)，其係屬於一盲孔(blind via hole)。換句話說，各凹槽20不會貫穿基板10，因此其底面28b係位於基板10內，而不會與反射膜26直接接觸。此外，根據本實施例，由於各凹槽20係為一盲孔，此時基板10較佳係選自可被第一電磁波L1穿透之材質。舉例來說，當第一電磁波L1之波段落在X射線時，基板10之材質較佳係為玻璃或其他塑膠材質。
接著如第5圖至第8圖所示，第5圖至第8圖是類似沿著第1圖切線A-A’所繪示之轉換結構之剖面圖，其分別繪示轉換結構100各凹槽20之不同幾何剖面形狀。更詳細來說，根據第5圖所繪示之轉換結構100之剖面圖，各凹槽20之側壁28a係具有兩個角度之傾斜面，因此可以更容易集中如第2圖所示之第二電磁波L2。然而，根據其他實施例，各凹槽20之側壁28a亦可以具有兩個以上角度之傾斜面，以滿足不同產品之需求。又根據第6圖所示，各凹槽20之側壁28a亦可以是角度漸變之弧面，使各凹槽20具有更佳之集光效果。又如第7圖所示，凹槽20之側壁28a可以與第二表面22呈現特定之傾斜方向，使得各凹槽20之第一開口20a之開口面積小於第二開口20b之開口面積。再如第8圖所示，凹槽20之側壁28a亦可以呈現類似於互相倒置接合之雙截頭圓錐(truncated cone)。上述僅為本發明例示之實施例，本發明之凹槽亦可以具有其他之幾何剖面形狀。舉例而言，凹槽之側壁可呈現垂直面、內凹面或其他任何之幾何形狀，但不限於此。
根據上述，本發明係提供一種轉換結構，其具有一基板和複數個轉換單元。藉由凹槽側壁之幾何設計以及電磁波轉換單元之材料選
擇，使其具有較佳之集光效果以及發光效率。又根據本發明之另一實施例，係提供一影像偵測裝置，其詳細結構如下所述。請參照第9圖和第10圖，第9圖係根據本發明另一實施例所繪示之影像偵測裝置之透視圖，而第10圖係為第9圖之光偵測裝置之局部剖面示意圖。如第1圖、第2圖、第9圖和第10圖所示，第9圖所示之影像偵測裝置200大體上可視為是如上所述之轉換結構100及另一光偵測裝置300之結合。其中，轉換結構100之特徵與材料特性大致類似於上述實施例之轉換結構100，故在此並不再贅述。根據本實施例，光偵測裝置300係包括複數個偵測單元，每個偵測單元有一偵測區60，且光偵測裝置300係與第一基板10之第二表面22相對設置。更詳細而言，轉換結構100之第二表面22係鄰近於光偵測裝置300。因此，從第一表面24入射之第一電磁波L1，在被轉換成第二電磁波L2後，可經由第二表面22之第一開口20a而照射至光偵測裝置300。根據本發明之另一實施例，類似第9圖所示，光偵測裝置300和反射膜26的位置亦可以互相對調，俾以滿足不同產品之需求。
仍如第9圖和第10圖所示，光偵測裝置300包括一第二基板50、複數個光偵測元件56以及複數個開關元件52。各光偵測元件56係設置於第二基板50上之各偵測區60內。根據本實施例，各光偵測元件56可包括一陽極電極56a、一陰極電極56b以及一光檢測器56c，且陰極電極56b、光檢測器56c以及陽極電極56a依序堆疊於第二基板50上。開關元件52可例如為一薄膜電晶體，且陰極電極56b可電性連接至薄膜電晶體之汲極D，藉此光檢測器56c所偵測到之訊號可透過開關元件52電性連接至外界或控制元件。光檢測器56c可例如為一PIN光二極體或光電晶體，且可用於吸收具有第二波長之第二電磁波，並產生相對應之光電流。並且，可透過開關元件52之開關來控制讀取光電流的時間點，
以搭配與照射第一電磁波之時序。上述第二基板50可包括硬質基板(例如半導體基板、玻璃纖維基板、玻璃基板、硬質塑膠基板、金屬基板或陶瓷基板)、可撓式基板或其他適合材料所形成之基板，但不限於此。
根據本實施例，較佳而言，各轉換單元21之凹槽20開口會對應於一光檢測器56c，且凹槽20之開口面積較佳會小於或等於光檢測器56c之面積。換句話說，光檢測器56c於垂直第一基板之方向上覆蓋相對應之凹槽20，俾使自各轉換單元21放射出之第二電磁波可以被相對應之光檢測器56c偵測，以防止各轉換單元21彼此間產生訊號干擾。如第2圖、第9圖及第10圖所示，根據上述凹槽20之幾何剖面結構，第二電磁波L2可以被集中照射至各偵測區60內之光檢測器56c。利用此電磁波集中之特性，若將此影像偵測裝置200作為醫療產業之X射線偵測裝置，則可以減少照射至人體之X射線劑量，進而減少對人體之傷害。在此需注意的是，各轉換單元21所放射出之第二電磁波波長必須與光檢測器56c可偵測之電磁波波長相對應。也就是說，光檢測器56c的材料需搭配電磁波轉換單元32所產生的第二電磁波的波長，使光檢測器56c可將第二電磁波轉換為光電流。舉例而言，當轉換單元21所放射出之第二電磁波L2波長落在可見光區段時，光檢測器56c所能偵測之第二電磁波波長較佳會落在可見光區段。於本發明之其他實施例中，光偵測裝置之第二基板上或內亦可具有黑色矩陣，黑色矩陣可具有複數個對應各偵測區之開口，使得黑色矩陣可以用於避免兩相鄰轉換單元所射出之第二電磁波相互干擾。
又，根據其他之實施例，各偵測區內之轉換單元不限定於只有一凹槽，亦即，各偵測區內可以具有一個以上之凹槽。其詳細結構繪示如第11圖和第12圖所示。第11圖和第12圖是根據本發明之其他實
施例所繪示之各偵測區內之轉換單元布局示意圖。如第11圖所示，各偵測區60內之轉換單元21係具有兩個凹槽20。其中，各凹槽20係沿著一Y方向排列，且各凹槽20均具有一圓形之開口形狀，但不限於此。根據另一實施例，如第12圖所示，各偵測區60內之凹槽20係為沿著X方向和Y方向排列之2X2陣列。其中，各凹槽20係具有一矩形之開口形狀，但不限於此。根據其他實施例，各偵測區內之凹槽可以具有多種不同布局以及不同開口形狀，此端視產品需求。
根據上述，係提供一種轉換結構以及影像偵測裝置。於下文中，係加以陳述上述實施例中轉換結構之製備方法，俾使本技術領域中具有通常技術者可據以實施本發明。為了簡潔與方便起見，相同或相似之元件或結構將以相同之元件符號表示，且由於下述實施例之裝置結構大體上類似如上述實施例所提及之裝置結構，相同之特徵與材料特性便不再贅述。
根據本發明之一實施例，係提供一種轉換結構之製備方法，其製程詳述如下。類似如第2圖以及第9圖所示，其製備初始階段係提供一第一基板10，其具有彼此相對之一第一表面24與一第二表面22。第一基板10之材質可以是上述實施例中提及之硬質基板或軟質基板。接著，進行一鑽孔製程，以於第一基板10之第二表面22形成複數個凹槽20。凹槽20可以包括通孔或盲孔，較佳係為通孔。上述之鑽孔製程包括雷射鑽孔、機械鑽孔、噴沙鑽孔或蝕刻鑽孔，較佳而言，係為一雷射鑽孔製程。之後，可選擇性地於第一基板10之第一表面24貼覆或鍍上一層反射膜26。繼以於各凹槽20之側壁28a上形成一反射層30，其形成方式可以是電子束蒸鍍、電漿濺鍍或其他合適之方式。最後，將電磁波轉換單元32填入至各凹槽20內，並可選擇性地進行一固化程序。其中，
電磁波轉換單元32可以包括磷光材料或螢光材料，其係用於吸收具有第一波長之第一電磁波L1，並放射出具有第二波長之第二電磁波L2。本發明之一特徵在於，呈現粉末態或是分佈在液相介質之電磁波轉換單元32可以利用塗佈或是點膠之方式而被填入各凹槽20內，因此相較於現有技術必須利用長晶方式才能形成之材料，本發明之填入方式更具有製程方便性。由於電磁波轉換單元32之材質以及功能已經闡述於上述之各實施例中，在此便不加以贅述。經過上述步驟，便完成轉換結構100之製備流程。
於轉換結構100完成後，最後可將轉換結構100與光偵測裝置300相結合，使得轉換結構100之第二表面22面向光偵測裝置300，而獲得一影像偵測裝置200。其中，各偵測區60內之光偵測元件56係與凹槽20之至少一者相對應。在此需注意的是，在不違背本發明之精神以及範疇之下，上述之影像偵測裝置200除了能作為X射線之偵測裝置，其亦可以作為伽瑪射線、紫外線、可見光或紅外線之偵測裝置。此外，其應用領域不限於醫療領域，其也可被應用於運輸產業、半導體產業或是其他工業領域。
綜合以上所述，本發明係提供一種轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法。本發明之轉換結構製程不必採用現有技術的長晶製程以及有毒材料，因此可以使得製程更方便與環保。此外，轉換結構凹槽之剖面幾何設計、反射膜和反射層之設置也增強了輸出之光線強度，使得光偵測元件更容易判別各偵測區內之光強度變化，避免了現有技術CsI：Tl具有較低之光轉化效率之缺失。另外，由於轉換結構之凹槽間距可視產品需要而被加以調整，因此可很輕易地與影像偵測裝置內光偵測元件之間距互相搭配，因而不會造成訊號互相干擾之情形。
10‧‧‧基板
20‧‧‧凹槽
21‧‧‧轉換單元
22‧‧‧第二表面
24‧‧‧第一表面
26‧‧‧反射膜
30‧‧‧反射層
32‧‧‧電磁波轉換單元
60‧‧‧偵測區
100‧‧‧轉換結構
200‧‧‧影像偵測裝置
300‧‧‧光偵測裝置
Claims (14)
- 一種轉換結構，包括：一基板，具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，且該基板之該第二表面具有複數個貫穿該基板之凹槽；複數個電磁波轉換單元，分別設置於各該凹槽內，其中各該電磁波轉換單元係用於吸收具有一第一電磁波波長之一第一電磁波，並放射出具有一第二電磁波波長之一第二電磁波，且該第一電磁波波長小於該第二電磁波波長；一反射膜，覆蓋於該基板之該第一表面上，其中該第一電磁波係穿透該反射膜，且該反射膜用於反射該第二電磁波；以及複數個反射層，分別設置於各該凹槽之側壁與各該電磁波轉換單元之間，且該些反射層用於反射該第二電磁波。
- 如申請專利範圍第1項所述之轉換結構，其中各該複數個凹槽並不貫穿該基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之轉換結構，其中該複數個凹槽係呈現陣列排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之轉換結構，其中各該複數個凹槽於該第二表面上係具有一開口形狀，各該開口形狀包含圓形、橢圓形或多邊形。
- 如申請專利範圍第1項所述之轉換結構，其中各該複數個凹槽之側壁與該第二表面並不相互垂直。
- 如申請專利範圍第1項所述之轉換結構，其中各該複數個凹槽包含一位於 該第二表面之第一開口以及一位於該第一表面之第二開口，且各該第一開口之開口面積係大於各該第二開口之開口面積。
- 如申請專利範圍第1項所述之轉換結構，其中該複數個電磁波轉換單元之其中之一之材質包括閃光體(scintillator)材料、磷光材料或螢光材料。
- 如申請專利範圍第7項所述之轉換結構，其中該複數個電磁波轉換單元之其中之一之材質包括該些材料之混合物或組合物。
- 一種影像偵測裝置，包括：一轉換結構，包括：一第一基板，具有彼此相對之一第一表面與一第二表面，且該第一基板之該第二表面具有複數個貫穿該基板之凹槽；複數個電磁波轉換單元，分別設置於各該複數個凹槽內，其中各該複數個電磁波轉換單元係用於吸收具有一第一電磁波波長之一第一電磁波，並放射出具有一第二電磁波波長之一第二電磁波，且該第一電磁波波長小於該第二電磁波波長；一反射膜，覆蓋於該第一基板之該第一表面上，其中該第一電磁波係穿透該反射膜，且該反射膜用於反射該第二電磁波；以及複數個反射層，分別設置於各該複數個凹槽之側壁與各該複數個電磁波轉換單元之間，且該些複數個反射層用於反射該第二電磁波；一光偵測裝置，與該第一基板之該第二表面相對設置，且該光偵測裝置包括複數個偵測區，該光偵測裝置包括：一第二基板；以及複數個光偵測元件，分別設置於各該複數個偵測區內之該第二基板 上。
- 如申請專利範圍第9項所述之影像偵測裝置，其中該光偵測裝置另包括複數個開關元件，分別與各該複數個光偵測元件電性連接。
- 如申請專利範圍第9項所述之影像偵測裝置，其中各該複數個光偵測區係對應該複數個凹槽之至少一者。
- 如申請專利範圍第9項所述之影像偵測裝置，其中該複數個凹槽係呈現陣列排列。
- 一種轉換結構之製備方法，包括：提供一基板，且該基板具有彼此相對之一第一表面與一第二表面；於該基板之該第二表面形成複數個貫穿該基板之凹槽；於該基板之該第一表面上覆蓋一反射膜；於各該複數個凹槽之側壁形成一反射層；以及於各該複數個凹槽內填入一複數個電磁波轉換單元，其中各該複數個電磁波轉換單元係用於吸收具有一第一電磁波波長之一第一電磁波，並放射出具有一第二電磁波波長之一第二電磁波，且該第一電磁波波長小於該第二電磁波波長，其中該第一電磁波係穿透該反射膜，且該反射膜係反射該第二電磁波。
- 如申請專利範圍第13項所述之轉換結構之製備方法，其中該複數個凹槽不貫穿該基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102101577A TWI479175B (zh) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | 轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法 |
| US13/861,406 US8890198B2 (en) | 2013-01-15 | 2013-04-12 | Conversion structure, image sensor assembly and method for fabricating conversion structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102101577A TWI479175B (zh) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | 轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201428327A TW201428327A (zh) | 2014-07-16 |
| TWI479175B true TWI479175B (zh) | 2015-04-01 |
Family
ID=51164548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102101577A TWI479175B (zh) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | 轉換結構、影像偵測裝置以及轉換結構之製備方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8890198B2 (zh) |
| TW (1) | TWI479175B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW201543061A (zh) * | 2014-05-13 | 2015-11-16 | Architek Material Co Ltd | 閃光體面板、輻射顯像裝置及其製作方法 |
| DE102014112551A1 (de) * | 2014-09-01 | 2016-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| CN104374462A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-02-25 | 北京智谷睿拓技术服务有限公司 | 振动信息获取方法、振动信息获取装置及用户设备 |
| US10145966B2 (en) * | 2015-10-02 | 2018-12-04 | Varian Medical Systems, Inc. | Methods for fabricating pixelated scintillator arrays |
| CN119255498A (zh) | 2018-06-28 | 2025-01-03 | 3M创新有限公司 | 在柔性基底上制备金属图案的方法 |
| CN112886264B (zh) * | 2019-11-29 | 2025-09-26 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁散射膜 |
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| DE102012107547B4 (de) * | 2011-08-22 | 2020-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung |
-
2013
- 2013-01-15 TW TW102101577A patent/TWI479175B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-04-12 US US13/861,406 patent/US8890198B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201428327A (zh) | 2014-07-16 |
| US8890198B2 (en) | 2014-11-18 |
| US20140197510A1 (en) | 2014-07-17 |
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