TWI478189B - 固體電解電容器及其製造方法 - Google Patents
固體電解電容器及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI478189B TWI478189B TW099128058A TW99128058A TWI478189B TW I478189 B TWI478189 B TW I478189B TW 099128058 A TW099128058 A TW 099128058A TW 99128058 A TW99128058 A TW 99128058A TW I478189 B TWI478189 B TW I478189B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- conductive polymer
- polymer layer
- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
- polymerization liquid
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 104
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 111
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 104
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 99
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 80
- -1 decane compound Chemical class 0.000 claims description 76
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 32
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 136
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 90
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- MFAWEYJGIGIYFH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trimethoxymethyl)dodecoxymethyl]oxirane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC MFAWEYJGIGIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K iron(3+);4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Fe+3].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- VPCCKEJZODGJBT-UHFFFAOYSA-K iron(3+) phenylmethanesulfonate Chemical compound [Fe+3].[O-]S(=O)(=O)Cc1ccccc1.[O-]S(=O)(=O)Cc1ccccc1.[O-]S(=O)(=O)Cc1ccccc1 VPCCKEJZODGJBT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 13
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NCRNCSZWOOYBQF-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCC(OC)OC NCRNCSZWOOYBQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMLNDVNTPWRZJH-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-(trimethoxymethyl)dodecane Chemical compound ClCCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC SMLNDVNTPWRZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFSRYSNJOVVGIH-UHFFFAOYSA-N 3-(trichloromethyl)undec-1-ene Chemical compound C(=C)C(C(Cl)(Cl)Cl)CCCCCCCC CFSRYSNJOVVGIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBIHNTAFJVHBLJ-UHFFFAOYSA-N 3-(triethoxymethyl)undec-1-ene Chemical compound C(=C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC LBIHNTAFJVHBLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPGQGNWEWPWQZ-UHFFFAOYSA-N 4-(triethoxymethyl)dodecan-1-amine Chemical compound NCCCC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC SXPGQGNWEWPWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNPSQUCXOBDIDY-UHFFFAOYSA-N 4-(trimethoxymethyl)dodecane Chemical compound C(CCCCCCC)C(C(OC)(OC)OC)CCC GNPSQUCXOBDIDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFYGYTNMHPUJBY-UHFFFAOYSA-N 4-(trimethoxymethyl)dodecane-1-thiol Chemical compound SCCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC DFYGYTNMHPUJBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYTWJOALUNKQU-UHFFFAOYSA-N 4-methoxydodec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCC(OC)CC=C GEYTWJOALUNKQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEHRQPQNJOFIQ-UHFFFAOYSA-N N(C1=CC=CC=C1)CCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound N(C1=CC=CC=C1)CCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC XEEHRQPQNJOFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XQTIWNLDFPPCIU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) Chemical compound [Ce+3] XQTIWNLDFPPCIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- UUMMHAPECIIHJR-UHFFFAOYSA-N chromium(4+) Chemical compound [Cr+4] UUMMHAPECIIHJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
本發明係有關一種固體電解電容器及其製造方法，特別是有關一種經抑制短路發生之固體電解電容器及其製造方法。
近年來，因電子機器小型化和高頻化，也對構成電子機器之電子零件之電容器要求小型化和高頻化。適於小型化之電容器有一種固體電解電容器，其係於由閥金屬所構成之陽極體形成有介電體被膜，且於該介電體被膜上形成有由二氧化錳及導電性高分子等所構成之層。
在固體電解電容器中，介電體被膜係經由將形成陽極體之閥金屬進行化成處理而形成。如此方式形成之介電體被膜係極為緻密、耐久性高，並且非常薄。因此，與其他電容器、例如紙電容器或薄膜電容器相比，固體電解電容器更可在不降低靜電容量之情形下進行小型化。
然而，如上述之固體電解電容器一方面雖可進行小型化，另一方面卻有隨著進行小型化而使製造步驟中之漏電流(leakage current，LC)、及短路之發生增加之傾向。此外，在製造後，亦有時會因在高溫進行之軟熔(reflow)處理而產生漏電流之傾向。
為了抑制如此之短路之發生，例如日本特開2005-109252號公報中揭示了一種方法，其係在將形成有介電體被膜之陽極體浸漬於聚合性單體溶液中並使之乾燥，而形成導電性高分子層後，再浸漬於導電性高分子溶液中(或塗佈)並予以乾燥。專利文獻1中記載有：藉由上述方法，可均勻地形成導電性高分子層，藉此可抑制短路發生。
然而，現今仍存在抑制短路發生之必要性。此外，也要求不僅抑制短路發生，也同時維持做為電容器之特性，例如：維持靜電容量、抑制ESR(Equivalent Series Resistance，等效串聯電阻)增加等。
本發明之目的係提供一面維持做為電容器之特性一面使短路之發生獲得抑制之固體電解電容器及其製造方法。
本發明人等著眼於固體電解電容器之導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度而反覆致力進行研究後結果發現，經由使矽烷化合物之濃度相對於導電性高分子層之厚度方向變化，即可在維持做為電容器之特性之狀態下抑制短路發生。本發明係依據上述技術之發現而研創者。
換言之，本發明為一種固體電解電容器，係具備：於表面形成有介電體被膜之陽極體、及形成於介電體被膜上之導電性高分子層，其中，導電性高分子層係至少具備：形成於介電體被膜上之第1導電性高分子層、及形成於該第1導電性高分子層上之第2導電性高分子層，並且第1導電性高分子層及第2導電性高分子層係包含矽烷化合物，且第1導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度與第2導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度不同。
在上述固體電解電容器中，以第1導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度高於第2導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度為佳。
在上述固體電解電容器中，陽極體以由燒結體所構成為佳。
此外，本發明為一種固體電解電容器之製造方法，該固體電解電容器係具備：於表面形成有介電體被膜之陽極體、及形成於介電體被膜上之導電性高分子層，該製造方法係具有下述步驟：於陽極體上形成介電體被膜之步驟；及於介電體被膜上形成導電性高分子層之步驟，並且形成導電性高分子層之步驟係至少具有：使用包含矽烷化合物之第1聚合液於介電體被膜上形成第1導電性高分子層之步驟；及使用包含矽烷化合物之第2聚合液於第1導電性高分子層上形成第2導電性高分子層之步驟，且第1聚合液中之矽烷化合物之濃度與第2聚合液中之矽烷化合物之濃度不同。
此外，在上述固體電解電容器之製造方法中，以第1聚合液中之矽烷化合物之濃度高於第2聚合液中之矽烷化合物之濃度為佳。
此外，在上述固體電解電容器之製造方法中，以第1聚合液及第2聚合液中之矽烷化合物之濃度為5%以上30%以下為佳。
此外，在上述固體電解電容器之製造方法中，陽極體以由燒結體所構成為佳。
在本說明書中，前驅物單體不一定必須為單體，亦可為一種包含例如低分子之寡聚物之概念，並且氧化劑也可具有做為摻雜劑之機能。此外，在本說明書中，所謂物質A之濃度，係指當構成聚合液之物質A至C之各重量為X至Z時，X之重量相對於Y+Z之重量之比例。
根據本發明，可提供一面維持做為電容器之特性一面使短路之發生獲得抑制之固體電解電容器及其製造方法。
本發明之上述及其他目的、特徵、態樣、及優點可由以下配合所附圖式而進行之本發明之詳細說明而更顯而易見。
以下，依據圖式說明本發明之實施形態。在以下之圖式中，對相同或相當之部分標示相同的參照編號，且不重複其說明。再者，圖式中之長度、大小、寬度等尺寸關係，係為了圖式之明瞭化與簡化而經適當變更者，並非表示實際之尺寸。
在第1圖中，固體電解電容器100係具備電容器元件10，該電容器元件10係具有：於表面形成有介電體被膜12之陽極體11、形成於介電體被膜12上之導電性高分子層13、以及形成於導電性高分子層13上而做為陰極導出層之碳層14及銀膠(silver paste)層15。
固體電解電容器100係復具備：陽極導線16、陽極端子17、接著層18、及陰極端子19。陽極導線16係由金屬、例如鉭所構成之棒狀體，其一端係埋設於陽極體11，且以使另一端凸出至電容器元件10之外部之方式配置。陽極端子17之一部分係藉由熔接而連接於陽極導線16。此外，陰極端子19係以藉著由具導電性之接著劑所構成之接著層18而與屬於電容器元件10之最外層之銀膠層15連接之方式配置。
此外，固體電解電容器100係復具備外裝樹脂20。該外裝樹脂20係以使陽極端子17之一部分及陰極端子19之一部分從外裝樹脂20露出之方式，將配置有陽極導線16、陽極端子17、接著層18及陰極端子19之電容器元件10密封。
在上述固體電解電容器100中，陽極體11係由閥作用金屬(鉭、鈮、鈦、鋁等)之燒結體所構成，介電體被膜12係為經由將閥作用金屬進行化成處理而形成之氧化被膜。例如：當使用鉭(Ta)做為閥作用金屬時，介電體被膜12之組成為Ta2
O5
，當使用鋁(Al)做為閥作用金屬時，介電體被膜12之組成為Al2
O3
。再者，燒結體係具有多孔質構造。
導電性高分子層13係由導電性高分子、矽烷化合物所構成。此導電性高分子層13係經由例如將於表面形成有介電體被膜12之陽極體11浸漬於包含導電性高分子之前驅物單體、矽烷化合物及氧化劑之聚合液中，而形成於介電體被膜12上。此外，也可例如在將形成有介電體被膜12之陽極體11浸漬於包含前驅物單體及矽烷化合物之聚合液中後，再浸漬於包含氧化劑之溶液中。此外，也可例如在將形成有介電體被膜12之陽極體11浸漬於包含氧化劑之溶液中後，再浸漬於包含前驅物單體及矽烷化合物之聚合液中。或者，也可將包含前驅物單體、矽烷化合物及氧化劑之聚合液塗佈於形成有介電體被膜12之陽極體11。
不過，矽烷化合物可藉由經過水解及脫水反應而與無機物進行化學鍵結，以保護介電體被膜之缺陷部。由如此之矽烷化合物之作用觀之，吾人可認為經由提高導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度，可抑制固體電解電容器發生短路。然而，本發明人等發現，當較以往更加提高導電性高分子層13之矽烷化合物之濃度時，一方面雖可抑制固體電解電容器100發生短路，另一方面卻會導致ESR增加。其原因可認為係因矽烷化合物本身為絕緣體的緣故。
於是，為了使短路發生及ESR增加之抑制效果同時兼顧，本發明人等反覆致力進行研究後，結果經由使矽烷化合物之濃度相對於導電性高分子層13之厚度方向變化，而成功地達成使短路發生及ESR增加之抑制效果同時兼顧之目的。
換言之，在本實施形態之固體電解電容器100中，導電性高分子層13中之矽烷化合物之濃度係並非為均勻分佈，而是相對於厚度方向呈階段性地變化。如此之導電性高分子層之一態樣可舉例如：第1圖中之導電性高分子層13，其係由具有面13a之第1導電性高分子層(內側層)、及具有面13b且形成於第1導電性高分子層上之第2導電性高分子層(外側層)所構成，並且第1導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度與第2導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度不同。藉由此構成，即可有效地抑制固體電解電容器發生短路。
此外，如上述，當導電性高分子層13為二層構造時，以第1導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度高於第2導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度為佳。此時，可有效地抑制固體電解電容器100發生短路。
此外，當然，導電性高分子層13之構造係不限於二層構造，可為任何層數之構造。特別是，以構成導電性高分子層13之各層中，最內層之具有面13a之導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度大於其他層、特別是最外層之具有面13b之導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度為佳。此時，可有效地抑制固體電解電容器發生短路。
此外，當導電性高分子層13由複數層所構成時，使用於形成各層之前驅物單體、矽烷化合物、氧化劑之種類、及含有此等組合物之溶劑之種類可各層不同。
構成導電性高分子層13之導電性高分子而言，以具有脂肪族系化合物、芳香族系化合物、雜環式系化合物及含雜原子化合物中之至少一種之高分子為佳，其中尤以聚噻吩(polythiophene)、聚吡咯、聚苯胺、聚呋喃、及TCNQ(7,7,8,8-四氰醌二甲烷，7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)銀鹽等為佳。
此外，構成導電性高分子層13之矽烷化合物有：乙烯基三氯矽烷、乙烯基(β-甲氧基矽烷)、乙烯基三乙氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-氯丙基三甲氧基矽烷等。
特別是，矽烷化合物以γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、或N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷為佳。此等可良好地抑制固體電解電容器100發生短路、ESR增加。
此外，氧化劑有例如：磺酸系金屬鹽。磺酸系金屬鹽可發揮做為氧化劑及摻雜劑之作用。構成磺酸之部分可舉例如：烷磺酸、芳香族磺酸、多環芳香族磺酸等，構成金屬鹽之部分可從鐵(III)、銅(II)、鉻(IV)、鈰(IV)、釕(III)、鋅(II)等中適當選出。
此外，做為陰極導出層之碳層14只要具有導電性即可，例如：可使用石墨來構成。陽極端子17及陰極端子19可以例如銅或銅合金等金屬來構成。此外，外裝樹脂20之材料可使用例如環氧樹脂。
其次，使用第2A圖至第2E圖說明固體電解電容器100之製造方法。在此，說明具備由第1導電性高分子層及第2導電性高分子層所構成之導電性高分子層13之固體電解電容器之製造方法做為一例。
首先，在第2A圖中，準備閥作用金屬粉末，在棒狀體之陽極導線16之長邊方向之一端側埋入金屬粉末中之狀態下，將該粉末成形為所需形狀。然後，經由將該粉末予以燒結，而形成埋入有陽極導線16之一端之多孔質構造之陽極體11。
接著，如第2B圖所示，經由將陽極體11進行化成處理，而於陽極體11上形成介電體被膜12。化成處理之方法有：將陽極體11浸漬於0.01至2質量%之磷酸水溶液或硝酸水溶液等化成溶液中後對陽極體11施加電壓之方法。
接著，將形成有介電體被膜12之陽極體11浸漬於包含屬於構成導電性高分子層13之高分子之前驅物之前驅物單體、矽烷化合物及氧化劑之聚合液中，而於介電體被膜12上形成導電性高分子層13。此時，以使導電性高分子層13中之矽烷化合物之濃度相對於導電性高分子層13之厚度方向呈階段性地變化之方式，使聚合液中之矽烷化合物之濃度如下述地調整。
首先，將形成有介電體被膜12之陽極體11浸漬於做為包含前驅物單體、矽烷化合物及氧化劑之第1聚合液之聚合液A中。然後，經由將陽極體11從聚合液A中拉起後進行乾燥處理而去除溶劑，而如第2C圖所示，形成做為第1導電性高分子層之內側層13A。乾燥處理可使用熱處理。
接著，將形成有內側層13A之陽極體11浸漬於做為矽烷化合物之濃度與聚合液A不同的第2聚合液之聚合液B。然後，經由將陽極體11從聚合液B中拉起後進行乾燥處理而去除溶劑，而如第2D圖所示，於內側層13A上形成做為第2導電性高分子層之外側層13B。乾燥處理可使用熱處理。
聚合液A及聚合液B可使用使前驅物單體、矽烷化合物及氧化劑含於溶劑、例如1-丁醇等有機溶劑中而成者。聚合反應有：化學氧化聚合反應、電化學聚合反應等，但考慮到可簡化製程、容易調整導電性高分子層13中之矽烷化合物之濃度之觀點，以採用化學氧化聚合反應為佳。
然後，經由於上述之處理後之陽極體11，按照習知技術配置碳層14、銀膠層15、陽極端子17、接著層18、陰極端子19，並以外裝樹脂20密封，而製得第2E圖所示之固體電解電容器100。
根據本實施形態之固體電解電容器之製造方法，在經由反覆進行浸漬處理、乾燥處理而形成導電性高分子層13時，各浸漬處理中所使用之聚合液中之至少一種聚合液中之矽烷化合物之濃度與其他聚合液中之矽烷化合物之濃度不同。因此，當形成例如兩層構造之導電性高分子層13時，如第2E圖所示，可形成由矽烷化合物之濃度分別不同的內側層13A及外側層13B所構成之導電性高分子層13。藉此，可一面抑制因導電性高分子層13中之矽烷化合物之量過度增加所造成之ESR增加，同時抑制短路發生。
此外，當導電性高分子層13為如上述之兩層構造時，以內側層13A中之矽烷化合物之濃度大於外側層13B中之矽烷化合物之濃度為佳。此時，可更有效地抑制短路發生。
聚合液A、B中之矽烷化合物之濃度相對於聚合液A、B中之矽烷化合物以外之物質之重量之比例，以為5%以上30%以下為佳。此時，可一面有效地抑制因矽烷化合物之量所造成之ESR增加，同時抑制短路發生。
此外，當導電性高分子層13由複數層所構成時，形成具有與介電體被膜12接觸之面13a之內側層13A時所使用之聚合液A中之矽烷化合物之濃度，以高於形成具有與碳層14接觸之面13b之外側層13B時所使用之聚合液B中之矽烷化合物之濃度為佳。藉此，可更有效地抑制ESR增加及短路發生。
如上述，根據本發明，在用於形成由複數層所構成之導電性高分子層之複數種聚合液中，藉由使至少一種聚合液中之矽烷化合物之濃度與其他聚合液中之矽烷化合物之濃度不同，可維持或提高所製得之固體電解電容器做為電容器之特性，並且可抑制短路發生。此外，因使用矽烷化合物之濃度呈階段性地不同的複數種聚合液，故可形成矽烷化合物之濃度呈階段性地變化之導電性高分子層。
此外，本發明中之固體電解電容器係不限於上述實施形態之固體電解電容器，可應用於習知形狀。習知形狀具體而言有：纏捲型之固體電解電容器、使用閥金屬板之積層型之固體電解電容器等。
惟，在具有由多孔質構造之燒結體所構成之陽極體之固體電解電容器中，在陽極體之介電體被膜上形成導電性高分子層時，一般係將陽極體浸漬於聚合液中並進行乾燥之步驟重複進行複數次。因此，具有由燒結體所構成之陽極體之固體電解電容器之導電性高分子層設為例如兩層構造，使內側層與外側層之矽烷化合物之濃度變化之作法，在製造步驟上甚為相當容易。因此，將本發明適於應用在具有由燒結體所構成之陽極體之固體電解電容器。
以下列舉實施例更詳細說明本發明，但本發明並不受此等實施例所限定。
在實施例1中，製作第2E圖所示構造之固體電解電容器。首先，準備鉭粉末，並在將棒狀體之陽極導線16之長邊方向之一端側埋入金屬粉末之狀態下，將該粉末成形為長方體。然後，將其燒結，而形成埋入有陽極導線16之一端之陽極體11。接著，經由將陽極體11浸漬於0.02質量%之磷酸溶液中後施加100V之電壓，而於陽極體11之表面形成由Ta2
O5
所構成之介電體被膜12。
接著，準備好在1-丁醇中混合做為前驅物之3,4-伸乙二氧噻吩、做為矽烷化合物之γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、做為具有摻雜劑機能之氧化劑之對甲苯磺酸鐵(III)而成之聚合液A。聚合液A係以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.9：5：11.5之方式調製。然後，將形成有介電體被膜12之陽極體11浸漬於此聚合液A中1分鐘。然後，經由將陽極體11從聚合液A中拉起後進行熱處理，而形成導電性高分子層13中之內側層13A。
接著，以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：1.5：5：8.5之方式調製聚合液B後，將形成有內側層13A之陽極體11浸漬於聚合液B中。然後，經由將陽極體11從聚合液B中拉起後進行熱處理，而形成導電性高分子層13中之外側層13B。
然後，經由於乾燥後之陽極體11進一步塗佈石墨粒子懸浮液並在大氣中進行乾燥，而於外側層13B上形成碳層14。並且，按照習知技術配置銀膠層15、陽極端子17、接著層18、陰極端子19，並如第2E圖所示以外裝樹脂20將此等密封，而製往固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：1.8：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.7：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：2.6：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.7：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：3.5：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.7：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：5.3：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.7：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.04：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.03：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.18：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.15：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.7：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.6：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.9：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：0.7：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：1.8：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：1.5：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：3.5：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：2.9：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：5.3：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：4.4：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：7：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：5.8：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法來製造固體電解電容器。
除了使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：8.8：5：11.5之方式調製之聚合液做為聚合液A，使用以使各化合物之重量比成為3,4-伸乙二氧噻吩：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷：對甲苯磺酸鐵(III)：1-丁醇=1：7.3：5：8.5之方式調製之聚合液做為聚合液B以外，其餘藉由與實施例1同樣的方法而製得固體電解電容器。
對各實施例及各比較例之固體電解電容器，測定做為初期特性之靜電容量(μF)。具體而言，從各實施例及各比較例之固體電解電容器中分別各隨機選出120個，並使用4端子測定用之LCR計，測定各個固體電解電容器在頻率120Hz之初期靜電容量(μF)後，算出各實施例及各比較例之平均值。然後，以比較例1之固體電解電容器之平均初期靜電容量做為基準值，算出相對於各實施例及各比較例之固體電解電容器之平均初期靜電容量之基準值之相對值。結果如表1所示。
對各實施例及各比較例之固體電解電容器，測定LC良品率(%)。所謂LC良品率，係顯示固體電解電容器之漏電流之程度之指標。具體而言，從各實施例及各比較例之固體電解電容器中分別各隨機選出120個，並在固體電解電容器串聯1kΩ之電阻後，測定以直流電源施加25V之額定電壓1分鐘後之漏電流。然後，將漏電流量為37.5μA以下者判定為良品，並算出各實施例及各比較例之LC良品率。結果如表1所示。
對各實施例及各比較例之固體電解電容器，測定做為初期特性之ESR值(mΩ)。具體而言，從各實施例及各比較例之固體電解電容器中分別各隨機選出120個，並使用4端子測定用之LCR計，測定各個固體電解電容器在頻率100kHz之ESR值(mΩ)後，算出各實施例及各比較例之平均值。結果如表1所示。
對各實施例及各比較例之固體電解電容器，測定短路發生率。具體而言，做為可靠性測試之熱風式之軟熔測試，重複進行下述步驟4次：將各實施例及各比較例之固體電解電容器放置於121℃以上、2氣壓之環境下12小時，強制使其吸濕，然後在最高溫度260℃保持10秒。然後，對軟熔測試後之各實施例及各比較例之固體電解電容器施加25V之額定電壓1分鐘測試有無短路後，算出各實施例及各比較例之固體電解電容器之短路發生率。短路之有無係，當測定出漏電流為1mA以上時，規定為已至短路者。結果如表1所示。
由表1之結果確認，當導電性高分子層中之矽烷化合物之濃度與以往同等時(比較例1至3)，短路發生率高且LC良品率低，相對地，實施例1至5及比較例4至7之短路發生率低且LC良品率高。此外，確認比較例8、9之靜電容量大幅降低。
並且，比較實施例1與比較例4、5中之各ESR值、短路發生率，得知實施例1之電容器之綜合特性較優良。由此得知，經由在各浸漬步驟中所使用之各聚合液中，以使矽烷化合物之濃度不同之方式調製，並使矽烷化合物之濃度相對於導電性高分子層13之厚度方向呈階段性變化，即可得到做為電容器之特性甚優良的固體電解電容器。
此外，在實施例2中，為了使內側層13A之矽烷化合物之濃度高於外側層13B之矽烷化合物之濃度，而以使聚合液A中之矽烷化合物之濃度高於聚合液B中之矽烷化合物之濃度之方式形成導電性高分子層13。此時可得知，關於靜電容量、LC良品率、ESR值、短路發生率，總的來說，電容器之特性甚為優良。由此得知，在形成導電性高分子層13時，以使第1次之浸漬步驟中所使用之聚合液之矽烷化合物之濃度高於第2次之浸漬步驟中所使用之聚合液之矽烷化合物之濃度為佳。
本次所揭示之實施形態係在所有觀點上皆應視為僅屬例示性而並非限制性。本發明之範圍並非藉由上述之說明來表示，而是藉由申請專利範圍來表示，並且包括與申請專利範圍具均等之意義及範圍內之所有變更。
10．．．電容器元件
11．．．陽極體
12．．．介電體被膜
13．．．導電性高分子層
13A．．．第1導電性高分子層
13a．．．第1導電性高分子層之面
13B．．．第2導電性高分子層
13b．．．第2導電性高分子層之面
14．．．碳層
15．．．銀膠層
16．．．陽極導線
17．．．陽極端子
18．．．接著層
19．．．陰極端子
20．．．外裝樹脂
100．．．固體電解電容器
第1圖係概略地表示實施形態之固體電解電容器之構造之剖面圖。
第2A至2E圖係實施形態之固體電解電容器之製造方法之步驟圖。
10．．．電容器元件
11．．．陽極體
12．．．介電體被膜
13．．．導電性高分子層
13a．．．第1導電性高分子層之面
13b．．．第2導電性高分子層之面
14．．．碳層
15．．．銀膠層
16．．．陽極導線
17．．．陽極端子
18．．．接著層
19．．．陰極端子
20．．．外裝樹脂
100．．．固體電解電容器
Claims (7)
- 一種固體電解電容器(100)，係具備：於表面形成有介電體被膜(12)之陽極體(11)、及形成於前述介電體被膜(12)上之導電性高分子層(13)，前述導電性高分子層(13)係至少具備：形成於前述介電體被膜(12)上之第1導電性高分子層(13A)、及形成於該第1導電性高分子層(13A)上之第2導電性高分子層(13B)，而前述第1導電性高分子層(13A)及前述第2導電性高分子層(13B)係包含矽烷化合物，且前述第1導電性高分子層(13A)中之矽烷化合物之濃度與前述第2導電性高分子層(13B)中之矽烷化合物之濃度不同。
- 如申請專利範圍第1項所述之固體電解電容器，其中，前述第1導電性高分子層(13A)中之矽烷化合物之濃度係高於前述第2導電性高分子層(13B)中之矽烷化合物之濃度。
- 如申請專利範圍第1項所述之固體電解電容器，其中，前述陽極體(11)係由燒結體所構成。
- 一種固體電解電容器(100)之製造方法，該固體電解電容器(100)係具備：於表面形成有介電體被膜(12)之陽極體(11)、及形成於前述介電體被膜(12)上之導電性高分子層(13)，該製造方法係包括下述步驟：於前述陽極體(11)上形成前述介電體被膜(12)之步驟：及於前述介電體被膜(12)上形成前述導電性高分子層(13)之步驟，而前述形成導電性高分子層(13)之步驟係至少具有：使用包含矽烷化合物之第1聚合液於前述介電體被膜(12)上形成第1導電性高分子層(13A)之步驟：及使用包含矽烷化合物之第2聚合液於前述第1導電性高分子層(13A)上形成第2導電性高分子層(13B)之步驟，且前述第1聚合液中之矽烷化合物之濃度與前述第2聚合液中之矽烷化合物之濃度不同。
- 如申請專利範圍第4項所述之固體電解電容器之製造方法，其中，前述第1聚合液中之矽烷化合物之濃度係高於前述第2聚合液中之矽烷化合物之濃度。
- 如申請專利範圍第4項所述之固體電解電容器之製造方法，其中，前述第1聚合液及前述第2聚合液中之前述矽烷化合物之濃度為5%以上30%以下。
- 如申請專利範圍第4項所述之固體電解電容器之製造方法，其中，前述陽極體(11)係由燒結體所構成。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009198240A JP5461110B2 (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201117244A TW201117244A (en) | 2011-05-16 |
| TWI478189B true TWI478189B (zh) | 2015-03-21 |
Family
ID=43413532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099128058A TWI478189B (zh) | 2009-08-28 | 2010-08-23 | 固體電解電容器及其製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8228664B2 (zh) |
| EP (1) | EP2290664B1 (zh) |
| JP (1) | JP5461110B2 (zh) |
| KR (1) | KR101554049B1 (zh) |
| CN (1) | CN102005313B (zh) |
| TW (1) | TWI478189B (zh) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5461110B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-04-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US8848342B2 (en) | 2010-11-29 | 2014-09-30 | Avx Corporation | Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors |
| JP5890986B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-03-22 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP5788282B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-09-30 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US9053861B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-06-09 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a colloidal suspension |
| US9076592B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-07-07 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a microemulsion |
| US8971020B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-03-03 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing a conductive copolymer |
| JP6285138B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2018-02-28 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| US10403444B2 (en) | 2013-09-16 | 2019-09-03 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a composite coating |
| US9165718B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-10-20 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a hydrogen protection layer |
| US9236193B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions |
| US9589733B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-03-07 | Avx Corporation | Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite |
| CN105793939B (zh) * | 2014-01-16 | 2018-09-28 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
| WO2015194129A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| WO2017002351A1 (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
| CN107851517B (zh) * | 2015-07-31 | 2020-05-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
| US10186382B2 (en) | 2016-01-18 | 2019-01-22 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| US10763046B2 (en) | 2016-09-15 | 2020-09-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| WO2018075330A2 (en) | 2016-10-18 | 2018-04-26 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| CN109891536B (zh) | 2016-10-18 | 2022-07-12 | 京瓷Avx元器件公司 | 在高温度和电压下具有改进的性能的固体电解电容器 |
| JP7209631B2 (ja) * | 2016-10-18 | 2023-01-20 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 固体電解キャパシタアセンブリ |
| EP3593367B1 (en) | 2017-03-06 | 2024-11-20 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly |
| EP3649660A4 (en) | 2017-07-03 | 2021-04-21 | AVX Corporation | ASSEMBLY FORMING A SOLID ELECTROLYTE CAPACITOR |
| US11257628B2 (en) | 2017-07-03 | 2022-02-22 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a nanocoating |
| US12476052B2 (en) | 2018-06-21 | 2025-11-18 | KYOCERA AVX Components Corporation | Delamination-resistant solid electrolytic capacitor |
| CN109887753B (zh) * | 2019-03-01 | 2021-11-26 | 湖南艾华集团股份有限公司 | 一种固态铝电解电容器及其制备方法 |
| CN114207754B (zh) | 2019-08-08 | 2025-04-04 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器 |
| US11837415B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
| US11739574B2 (en) | 2021-02-10 | 2023-08-29 | Aexion Inc. | Doorjamb safety system and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW564446B (en) * | 2001-10-19 | 2003-12-01 | Nec Tokin Toyama Ltd | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method therefor |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274021A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP3068430B2 (ja) * | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US6072694A (en) | 1998-09-30 | 2000-06-06 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor with improved leakage and dissipation factor |
| JP3906043B2 (ja) * | 2001-08-20 | 2007-04-18 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4328483B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2009-09-09 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US6671168B2 (en) * | 2001-11-30 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| JP4178911B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2008-11-12 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2005109252A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4325354B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2009-09-02 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| TWI239542B (en) * | 2003-12-26 | 2005-09-11 | Ind Tech Res Inst | Solid-state, electrolytic capacitor, fabrication method thereof, and coupling agent used therefor |
| CN1761007B (zh) * | 2004-10-15 | 2010-05-05 | 三洋电机株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法 |
| JP4610383B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-01-12 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| DE102005028262B4 (de) * | 2005-06-17 | 2010-05-06 | Kemet Electronics Corp. | Kondensator mit einer Elektrode und Herstellungsverfahren für den Kondensator mit der Elektrode |
| JP4845645B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-12-28 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4931776B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-05-16 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2009209259A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Nec Tokin Corp | 導電性高分子およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
| JP5461110B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-04-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
2009
- 2009-08-28 JP JP2009198240A patent/JP5461110B2/ja active Active
-
2010
- 2010-08-23 TW TW099128058A patent/TWI478189B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-08-24 US US12/862,319 patent/US8228664B2/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020100081990A patent/KR101554049B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-27 CN CN201010268006.9A patent/CN102005313B/zh active Active
- 2010-08-27 EP EP10008965.5A patent/EP2290664B1/en not_active Not-in-force
-
2012
- 2012-06-21 US US13/529,710 patent/US8810997B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW564446B (en) * | 2001-10-19 | 2003-12-01 | Nec Tokin Toyama Ltd | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011049458A (ja) | 2011-03-10 |
| TW201117244A (en) | 2011-05-16 |
| US8810997B2 (en) | 2014-08-19 |
| US8228664B2 (en) | 2012-07-24 |
| EP2290664A1 (en) | 2011-03-02 |
| CN102005313B (zh) | 2014-11-26 |
| EP2290664B1 (en) | 2015-01-21 |
| KR20110023777A (ko) | 2011-03-08 |
| JP5461110B2 (ja) | 2014-04-02 |
| KR101554049B1 (ko) | 2015-09-17 |
| CN102005313A (zh) | 2011-04-06 |
| US20110051321A1 (en) | 2011-03-03 |
| US20120262846A1 (en) | 2012-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI478189B (zh) | 固體電解電容器及其製造方法 | |
| CN113330528B (zh) | 电解电容器及其制造方法 | |
| KR20110056231A (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 | |
| JP2011181611A (ja) | 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3202668B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| TWI453778B (zh) | 固態電解電容器及其製造方法 | |
| JP4944359B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| WO2016174818A1 (ja) | 電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2009505413A (ja) | 固体コンデンサおよびその製造方法 | |
| US20120218682A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
| JP5020020B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| WO2018043063A1 (ja) | 電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| CN116325044A (zh) | 固体电解电容器元件和固体电解电容器 | |
| JP6142292B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP5623214B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3454715B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| CN117063256A (zh) | 电解电容器及其制造方法 | |
| JP5232624B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4632134B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2010177498A (ja) | 巻回型固体電解コンデンサ | |
| JP2006147900A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2013074026A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2013016663A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2009231645A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |