TWI476966B - 金屬支架結構及其發光二極體結構 - Google Patents

Description

金屬支架結構及其發光二極體結構

本發明乃是關於一種金屬支架結構及其發光二極體結構，特別是指一種應用方形扁平無接腳封裝(Quad Flat No-lead)技術，以封裝體封裝金屬支架的發光二極體結構，以及設置於發光二極體結構內的金屬支架結構。

為著改善習知發光二極體的製程，已發展使用『方形扁平無接腳封裝』(Quad Flat No-lead,QFN)技術製造發光二極體。其金屬支架裸露於封裝體的底面，具較佳散熱效能；此外，產品也具有較薄的尺寸。

相關專利如本案申請人之中華民國專利公告號TW 551694之『表面黏著電子元件之金屬支架結構』，其在於增加膠體與金屬支架之連接強度，使產品在切割製程時，改善膠材的剝離(peeling)的問題。

基於上述的基礎，本發明針對QFN製程的發光二極體封裝結構，作進一步的研發改善。不僅考量承受機械剪力脫離的問題，更進一步考量多組金屬支架之間連接部(bar)因切割製程高溫所造成膠材剝離及毛邊問題。此外，QFN製程的發光二極體封裝結構由於金屬支架裸露於封裝體的底面，金屬支架的兩個導線架之間是水氣入侵最短路徑之處，產品容易因水氣入侵固晶區而導致晶片發光效率的衰退，因此本發明也考量如何改善水氣侵入的問題。

緣是，本發明人有感上述問題之可改善，乃潛心研究並配合學理之運用，而提出一種設計合理且有效改善上述問題之本發明。

本發明所要解決的技術問題，在於提供一種發光二極體結構及其金屬支架結構，利用蝕刻製程的半蝕刻方式，以設計凸型導線架，以及半蝕的盲孔以加強金屬支架與封裝體之間的結合強度。

此外，本發明要解決的技術問題，更在於提供一種發光二極體結構及其金屬支架結構，利用三段式結構以強化金屬支架的兩個導線架之間的電性絕緣區(即水氣入侵最短路徑)，藉由多段式結構以阻絕水氣入侵並強化膠材接著力。

為了解決上述技術問題，根據本發明之其中一種方案，提供一種金屬支架結構，其頂面封裝一封裝體且形成一透光部，該金屬支架結構包括一金屬支架，其包括有一第一導線架及一第二導線架，其中該第一導線架朝向該第二導線架的邊緣局部突出一凸出部，其中該第一導線架與該第二導線架之間形成一電性絕緣區，其中該金屬支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其組合，該第一盲孔係由該金屬支架的頂面向下凹陷形成，且該第一盲孔的位置係對應該透光部的內徑輪廓，該第二盲孔靠近該電性絕緣區。

此外，為了解決上述技術問題，本發明還提供一種發光二極體結構，其包括一金屬支架、至少一發光二極體晶片及一封裝體。該金屬支架包括包括有一第一導線架及一第二導線架，其中該第一導線架面向該第二導線架的邊緣突出一凸出部，該第一導線架與該第二導線架之間形成一電性絕緣區，其中該金屬支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其組合，該第一盲孔係由該金屬支架的頂面向下凹陷形成，該第二盲孔靠近該電性絕緣區；該至少一發光二極體晶片設置於該金屬支架上，且電性連接於該第一導線架及該第二導線架；該封裝體包括一封裝該金屬支架的基部、及一位於該至少一發光二極體晶片上方的透光部，其中該第一盲孔的位置係對應該透光部的內徑輪廓。

本發明至少具有以下有益效果：本發明可克服因切割過程受機械剪力所造成與導線架剝離的問題。本發明利用半蝕刻技術，製程更成熟，可提昇量產良率。此外，提高封裝的穩定性，增加產品可靠度和壽命。

為了能更進一步瞭解本發明為達成既定目的所採取之技術、方法及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明、圖式，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得以深入且具體之瞭解，然而所附圖式與附件僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

請參考圖1，為本發明之發光二極體結構的立體分解示意圖。本發明之發光二極體結構100包括一金屬支架10、一晶片20、及一覆蓋該金屬支架10及該晶片20的封裝體30。金屬支架10包括有一第一導線架11及一第二導線架12。其中該晶片20以發光二極體晶片為例說明，但不限制於此。本實施例的發光二極體晶片20以導線(bonding wire)22a及22b分別電性連接於該第一導線架11及該第二導線架12；封裝體30可分為封裝該金屬支架10的基部32及位於晶片20上方的透光部34。封裝體30的材料可以是樹脂或矽膠等。然而，並不以此為限。

此圖僅為示意說明，實際製造的主要過程是先在一金屬板體形成多組金屬支架10，該些多組的金屬支架10之間各以數個連接部(bar)119、129彼此連接。然後，將發光二極體晶片20以打線或覆晶的方式電性連接於該金屬支架10之後，再以該封裝體30分別封裝該些金屬支架10及該發光二極體晶片20。最後，將該多組金屬支架10分別切割分離。完成後，如圖2所示的。其中本實施例以一個發光二極體晶片20表示，然而其數量與種類並不限制於此，可以是至少一個發光二極體晶片。當發光二極體晶片選用一白光晶片時，此發光二極體結構不需透過螢光粉來混光，即為一白光的發光二極體結構。當選用藍光晶片時，可於藍光晶片上塗佈黃色螢光粉或於封裝膠內摻混黃色螢光粉來進行混光，亦可得到一個白光的發光二極體結構。當發光二極體為一紫外光晶片時，可於紫外光晶片上塗佈紅綠藍螢光粉或於封裝結構內掺混紅綠藍螢光粉來得到一白光的發光二極體結構。

請參考圖1及圖1A，其中圖1A為本發明之金屬支架的立體圖。該金屬支架10的第一導線架(first lead frame)11及第二導線架(second lead frame)12，構成本發明之發光二極體之金屬支架結構。本實施例的特徵之一在於該第一導線架11大體呈凸型，該第二導線架12大體呈凹型，兩者相互配合。更具體的說，該第一導線架11面向該第二導線架12的邊緣局部突出一凸出部110，該第二導線架12凹陷地形成一對應該凸出部110的凹陷部120，該第一導線架11與該第二導線架12之間形成一呈多個彎折狀的電性絕緣區G。

本實施例為著強化該金屬支架10與該封裝體30的結合強度，第一導線架11的頂面形成二第一盲孔115；此外，該第一導線架11及該第二導線架12靠近該電性絕緣區G的邊緣各形成多數個第二盲孔111a、111b、121a、121b。

本實施例中上述第一盲孔115為呈彎弧形的盲孔。該些第二盲孔為呈半圓形的盲孔。本發明所指的『盲孔』(blind vias)是指未完全貫穿導線架，『半盲孔』表示其深度大約貫穿導線架的一半厚度，故盲孔與半盲孔的差異在於多了蝕刻深度的限定。在本實施例中，該金屬支架10是使用蝕刻製程，並且為多元化半蝕製程(half-etching)結構設計，其優點在於成品尺寸控制精準，並且可降低成本。然而，本發明的該些盲孔並不限制於上述形狀。

本實施例中該第一導線架11的該凸出部110大體呈矩形，該凸出部110的轉角各形成一斜邊，該些第二盲孔111a、111b由該凸出部110的該些斜邊向內蝕刻而成。上述第一導線架11的該些第二盲孔111a、111b與第二導線架12的該些第二盲孔121a、121b彼此相對，並且形成於該第一導線架11及該第二導線架12的頂面邊緣，該些第二盲孔111a、111b、121a、121b呈半圓形，其蝕刻深度小於該金屬支架10的一半高度。上述實施方式中，凸出部110的形狀以矩形為例，但不以此為限，凸出部的形狀可由晶片的擺放方式或晶片的形狀所定義，可依設計者而定，如多邊形或圓弧形的凸出部。第一導線架11和第二導線架12的第二盲孔111a、111b、121a、121b可為一大的半圓形盲孔和一小的半圓形盲孔的任意組合，但不以此限。

上述結構的優點在於，藉由凸型及凹型相配合的一對導線架11、12、以及呈多個彎折狀的該電性絕緣區G，金屬支架10與封裝體30的結合力得以加強；此外，第二盲孔111a、111b、121a、121b也可加強金屬支架10與封裝體30的結合力。相較於申請人前案的導線架之間的電性絕緣區呈一直線，本發明可以克服側向機械剪力問題，解決導線架與膠體剝離的現象。

請參閱圖1A，為本發明之金屬支架另一角度的立體圖。本發明之金屬支架10的底部亦具有改良的設計，該金屬支架10的外緣底面向內凹陷形成一全周的階梯結構112、122，該全周的階梯結構112、122環繞金屬支架10底部的全部周圍。此外，該第一導線架11及該第二導線架12的底面具有多個由該階梯結構112、122向內凹陷形成的第三盲孔114、124。本實施例中，該些第三盲孔114、124為向內凹陷半圓形的半盲孔，每一金屬支架10的四個側邊各形成有二對的第三盲孔114、124。另外，本發明的金屬支架10外緣向外突出多數連接部119、129以連接另一金屬支架(圖未示)。本發明利用全周式的階梯結構112、122以及連接部119、129可以減少切割厚度及毛邊，同時減少高溫切割的時間；藉由毛邊的減少，本發明可以減少切割製程的切斷點水氣入侵問題，以及因為切割製程高溫造成的膠材剝離問題。再者，該些第三盲孔114、124可以強化第一及第二導線架11、12與封裝體30之間的結合力。

值得注意的是，第三盲孔114、124的位置係根據連接部119、129的位置而對稱存在。亦即第三盲孔114、124位於連接部119、129的兩側，使得封裝體30咬合於連接部119兩側之第三盲孔114內，並咬合於連接部129兩側之第三盲孔124內，藉此更加有助於第一、第二導線架11、12與封裝體30的結合力。換言之，當切割兩個金屬支架10之間的連接部119、129時，位於第三盲孔114、124內的封裝體30可抓牢第一及第二導線架11、12，使得封裝體30不易與金屬支架10剝離(peeling)。

請參考圖1及圖2，本實施例於該第一導線架11的頂面向下凹陷形成二個第一盲孔115，其位於透光部34的內徑輪廓，亦即第一盲孔115只要落在透光部34內徑即可，較佳為順著透光部34的輪廓而設置第一盲孔115。此實施例上述透過該些第一盲孔115，本發明可加強金屬支架10與透光部34的底部邊緣形成環狀結構，以增加結合強度。然而，該些第一盲孔115並不限制形成於第一導線架11，只要是形成於該金屬支架10的頂面，較佳的是對應於透光部34的內徑輪廓，後面將以不同實施例舉例說明。

請參考圖1、圖1A及圖3，本實施例的該金屬支架10還形成多個貫穿孔117、127，其位於第一導線架11和第二導線架12的直角轉角處及透光部34的外圍。以該貫穿孔117的圖式說明，其形狀略呈倒T形，圖1顯示一較窄且外露於第一導線架11頂面的上孔部1171，圖1A及圖3顯示一較寬且外露於第一導線架11底面的下孔部1172，亦即下孔部1172的孔徑大於上孔部1171的孔徑。當封裝體30填入該貫穿孔117時，如同貫穿孔117、127之T型般咬合在金屬架10。本實施例透過T形的貫穿孔117、127，可以增加封裝體30咬合金屬支架10的強度，並且可減緩水氣侵入。

請繼續參考圖1及圖1A，本實施例的發光二極體結構具有另一特徵如下，該第一導線架11及該第二導線架12靠近該電性絕緣區G的頂面邊緣各凹陷形成一上凹槽113、123，該第一導線架11及該第二導線架12靠近該電性絕緣區G的底面邊緣各凹陷形成一下凹槽116、126。上述的上凹槽113、123及下凹槽116、126為局部蝕刻該些導線架11、12的表面而成。

請參閱圖4及圖4A，圖4為本發明的俯視圖，圖4A為沿著圖4中AA線的剖視圖。本實施例的上凹槽的113、123剖面呈彎弧狀，該下凹槽116、126的剖面呈矩形狀。其中上述二個上凹槽113、123之間的寬度大於該電性絕緣區G的寬度，上述二個下凹槽116、126之間的寬度大於該電性絕緣區G的寬度，實際上，上述二個下凹槽116、126之間的寬度又大於上述二個上凹槽113、123之間的寬度，藉此本發明形成一阻絕水氣入侵的多段式結構，其位於金屬支架10的頂面與底面之間且位於該電性絕緣區G的兩側。由於發光二極體結構100水氣入侵到內部最短的路徑乃是位於該電性絕緣區G，特別是容易由其底面侵入。本發明藉由上述的結構，設計三段式的結構，透過三段不同寬度結構以強化電性絕緣區G的隔絕水氣的性能，並且可強化封裝體30與金屬支架10的接著力。值得注意的是，該下凹槽116、126的剖面亦可成彎弧狀，並不限於矩形結構。

[第二實施例]

請參閱圖5，為本發明之發光二極體結構第二實施例的立體圖。與上述實施例的差異之一在於，此第二實施例的發光二極體結構100’具有一覆晶式發光二極體晶片20’，其底面直接電性接觸第一導線架11’及第二導線架12’，藉此可以減少導線的耗材成本，並減少金屬支架10與封裝體30之間因熱膨脹係數(CTE)造成熱應力而斷線的情形。

[第三實施例]

請參閱圖6及圖6A，為本發明之發光二極體結構第三實施例的立體圖，及沿著圖6中AA線的剖視圖。本實施例與上述實施例的差異在於，封裝體30”包括一不透明的基部32”及一透明的透光部34”。不透明基部32”的材料可為一白色塑料，其包覆相同於上述二個實施例的第一導線架11及第二導線架12，由於基部32”呈不透明，因此圖6未顯示上述的盲孔結構。如圖6A所示，第一盲孔115係由不透明的基部32”所包覆，可增加第一導線架11和基部32”的結合性。另外，透光部34”的材料可為一矽膠(silicone)。

本實施例的基部32”形成一環狀的反射面322以及一穿過該電性絕緣區G的凸肋324。更具體的說，該凸肋324穿過局部的該三段式結構，並且突出於第一導線架11及第二導線架12的頂面，剖面狀形成如同鉚釘的形狀。值得注意的是，高於第一導線架11和第二導線架12頂面的凸肋結構可為一梯形結構，此梯形結構如同塞子般塞在電性絕緣區G的上方，有助於阻擋水氣入侵晶片20區域，提高此發光二極體結構100”的信賴性。上述環狀的反射面322有助於發光二極體晶片20之光線的聚集；此外，此種結構不僅形成更佳的防水結構，並且更加強該封裝體30”與第一導線架11及第二導線架12之間的結合力。然而，本實施例的凸肋324不限於上述形狀，例如凸肋324也可以是平整而未突出於第一導線架11及第二導線架12的頂面。

[第四實施例]

請參考圖7及圖8，為本發明之發光二極體結構第四實施例的立體圖。相較於第一實施例，此實施例簡化地突顯本發明的特徵。金屬支架10a具有凸型的第一導線架11a及凹型的第二導線架12a，以加強封裝體30與金屬支架10a之間的結合力。其中第一導線架11a朝向該第二導線架12a的邊緣局部地突出該凸出部110。此外，第一導線架11a的頂面具有兩個第一盲孔115，其座落在透光部34的內徑輪廓，以加強與封裝體30之間的結合力。類似於第一實施例，該金屬支架10a的外緣底面向內凹陷形成一全周的階梯結構112、122；該第一導線架11a及該第二導線架12a靠近該電性絕緣區G的底面邊緣各凹陷形成一下凹槽116、126。和第一實施例相比，此發光二極體結構簡化了第二盲孔(即座落在金屬支架邊緣的半圓形盲孔)、第三盲孔(即位於連接部兩側的半圓形的盲孔)，及如圖4A的多段式結構，可簡化蝕刻製程。這裡，僅示意用透明的封裝材料封裝金屬支架10a，但不以此限。也可同第三實施例，封裝體30可包含不透光的基部和透明的透光部等。

[第五實施例]

請參考圖9及圖10，為本發明之發光二極體結構第五實施例的立體圖。相較於第一實施例，此實施例的金屬支架10b具有凸型的第一導線架11b及第二導線架12b，兩個導線架11b及12b的形狀相對稱，且形成呈工字型的電性絕緣區G。或者說，電性絕緣區G的兩端略呈Y形狀，此設計的優點在於Y型區可增加塑料面積且避免剪力破壞。由於第一導線架11b及第二導線架12b面積相當，不僅更容易打線發光二極體晶片20於金屬支架10b上；此外，此種金屬支架10b更適合於覆晶型的發光二極體晶片20。每一導線架的頂面各具有一較大的第一盲孔115b、125b及一對的圓形的盲孔117b及127b座落在金屬支架10b的直角轉角處。此實施例除了具有第一實施例的優點，此外，封裝體30可以平衡地結合於第一導線架11b及第二導線架12b，不論是頂面或底面。這裡，封裝體30僅示意用透明的封裝材料封裝金屬支架10a，但不以此限。也可同第三實施例，封裝體30可包含不透光的基部和透明的透光部等。

本實施例的第一導線架11b及第二導線架12b底部各具有一焊墊118b、128b，兩焊墊118b、128b的形狀也是相對稱，其優點為可平均分佈焊錫，達到熱平衡狀態。

[第六實施例]

請參考圖11及圖12，為本發明之發光二極體結構第六實施例的立體圖。此實施例的金屬支架10c具有凸型的第一導線架11c及凹型的第二導線架12c，第一導線架11c突出的凸出部110c較平緩。每一導線架11c、12c的頂面各具有二個呈彎弧形、以及一對圓形的盲孔117c及127c座落在金屬支架10c的直角轉角處。該些第一盲孔115c、125c對稱地分佈於透光部34的內徑輪廓且環繞著發光二極體晶片20，藉此以增加封裝體30和金屬支架10c的結合性。

相較於前面的實施例，第一導線架11c的面積較大於第二導線架12c，第一導線架11c的底面具有二個焊墊118，第二導線架12c具有一個焊墊128。由於第一導線架11c有兩個焊墊118，故位於兩個焊墊118間的間隙也會有封裝膠的存在，進一步增加金屬支架10c和封裝膠30的結合強度。這裡，封裝體30僅示意用透明的封裝材料封裝金屬支架10a，但不以此限。也可同第三實施例，封裝體30可包含不透光的基部和透明的透光部等。

金屬支架10c的底面共有三個焊墊118及128，更方便焊接並傳導餘熱至電路板。從另一面描述，該第一導線架11c及該第二導線架12c靠近電性絕緣區G的底面邊緣的下凹槽116d、126d具有平直的邊緣。換言之，金屬支架10c的底面在三個焊墊118及128之間形成二個對稱的直線凹槽，使得封裝體30與金屬支架10c底面的結合力更平衡。此外，三塊焊墊可平均分佈焊錫，達到熱平衡狀態，且其中焊墊之間更具有與塑料結合的作用力。

[第七實施例]

請參考圖13及圖14，為本發明之發光二極體結構第七實施例的立體圖。此實施例的金屬支架10d具大體呈鑽石形的第一導線架11d及第二導線架12d。從另一面描述，兩個導線架11d、12d大體呈五邊形。與前述實施例差異點在於，位於第一導線架11d及第二導線架12d之間的電性絕緣區G穿過金屬支架10d的兩相鄰的側邊，因此本實施例的電性絕緣區G的長度都小於前述實施例。其優點在於水氣可入侵之範圍更小。

此外，第一盲孔115d可為一彎弧狀，且對稱性的設置在第一導線架11d且環繞著發光二極體晶片20，藉此以增加封裝體30和金屬支架10d的結合性。再者，第一導線架11d更具有三個T型貫穿孔117，第二導線架僅具有一個T型貫穿孔127，較佳位置座落在第一導線架11d和第二導線架12d的直角轉角處，用以增加封裝體30和金屬支架10d的結合性。

還有，第一導線架11d及第二導線架12d的底面外緣具有全周的階梯結構112d、122d，及由全周的階梯結構112d、122d向內凹陷形成第三盲孔114d、124d，此實施例的第三盲孔的形狀可為一半圓形或呈狹長形，狹長型的第三盲孔分別位於金屬支架10d的四個邊緣的中間，半圓型的第三盲孔分別位於金屬支架10d之四個轉角角落的兩側。藉此可以更平衡且加強封裝體30與金屬支架10d的結合力。兩個導線架11d、12d面向電性絕緣區G的邊緣下方形成下凹槽116d、126d，各自連通於階梯結構112d、122d。本實施例中，第三盲孔的較佳位置為連接部的兩側附近，其形狀可為狹長型或半圓型，因此對稱連接部的左右側可為半圓型盲孔或狹長型盲孔的任意組合。

另外，由於第一導線架11d的底部具有較大的面積，可有效地傳導晶片20的熱。這裡，封裝體30僅示意用透明的封裝材料封裝金屬支架10d，但不以此限。也可同第三實施例，封裝體30可包含不透光的基部和透明的透光部等。

[第八實施例]

請參閱圖15及圖16，為本發明之發光二極體結構第八實施例的立體圖。此實施例的結構類似於第三實施例，封裝體30”包括一不透明的基部32”及一透明的透光部34”。差異點在於，不透明基部32”的厚度等於金屬支架10e的厚度，亦即基部32”切齊於金屬支架10e的頂面與底面。由圖式可以看出，金屬支架10e的第一導線架11e及第二導線架12e的外形，相似於第四實施例的金屬支架。第一導線架11e的頂面具有兩個第一盲孔115，其座落在透光部34的內徑輪廓，以加強與透光部34”之間的結合力。另外，由其頂面與底面相比較，該金屬支架10e的外緣底面向內凹陷而形成全周的階梯結構112、122，該第一導線架11a及該第二導線架12a靠近該電性絕緣區G的底面邊緣各凹陷形成下凹槽116、126。本實施例與第三實施例相比，少了環狀反射面322，故可減少塑料使用並進一步降低發光二極體結構的總高度。此外，本實施例使用不透光的基部包覆金屬支架並切齊金屬支架頂面和底面，和第四實施例相比，進一步強化了封裝體和金屬支架結合的機械強度。是以，透過本發明發光二極體結構及其金屬支架結構，具有至少如下述之特點及功能：

一、藉由凸型及凹型的導線架11、12，以及第二盲孔111a、111b、121a、121b，克服因切割過程受機械剪力所造成封裝體30與導線架11、12剝離的問題。

二、藉由全周的階梯結構112、122，減少切割厚度，節省刀具磨耗及毛邊的產生，進而使得尺寸更為精確，並改善吃錫良率。

三、藉由導線架的第三盲孔114、124、第一盲孔115結構、T型貫穿孔117、127，有效強化導線架與封裝體30的結合力。

四、藉由多組的金屬支架10之間的連接部119、129，減少切割製程因切斷點而造成的水氣入侵問題。

五、透過多段式結構來強化電性絕緣區，延長水氣入侵路徑並強化導線架和膠材(或塑料)結合力。

六、選用覆晶式晶片時，可減少導線耗材成本及因不同材料的熱膨脹係數不同造成熱應力而導致斷線的問題。

七、本發明利用半蝕刻技術，製程更成熟，可提昇量產良率。此外，提高封裝的穩定性，增加產品可靠度和壽命。

惟以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，非因此即侷限本發明之專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所為之等效技術變化，均同理皆包含於本發明之範圍內，合予陳明。

100、100’、100”．．．發光二極體結構

10、10’、10a、10b、10c、10d、10e．．．金屬支架

11、11’、11a、11b、11c、11d、11e．．．第一導線架

12、12’、12a、12b、12c、12d、12e．．．第二導線架

110．．．凸出部

120．．．凹陷部

111a、111b、121a、121b．．．第二盲孔

112、112d、122、122d．．．階梯結構

113、123．．．上凹槽

114、124、114d、124d．．．第三盲孔

115、115b、115c、115d．．．第一盲孔

125、125b、125c．．．第一盲孔

116、126、116d、126d．．．下凹槽

117、127．．．貫穿孔

117b、127b．．．盲孔

1171．．．上孔部

1172．．．下孔部

118,118b,128,128b．．．焊墊

119、129．．．連接部

G．．．電性絕緣區

20、20’．．．發光二極體晶片

22a、22b．．．導線

30、30”．．．封裝體

32、32”．．．基部

322．．．反射面

324．．．凸肋

34、34”．．．透光部

圖1為本發明之發光二極體結構第一實施例的立體分解示意圖。

圖1A為本發明之金屬支架的立體圖。

圖2為本發明之發光二極體結構的立體圖。

圖3為本發明之發光二極體結構的另一立體圖。

圖4為本發明之發光二極體結構的俯視圖。

圖4A為沿著圖4中AA線的剖視圖。

圖5為本發明之發光二極體結構第二實施例的立體圖。

圖6為本發明之發光二極體結構第三實施例的立體圖。

圖6A為沿著圖6中AA線的剖視圖。

圖7及圖8為本發明之發光二極體結構第四實施例的立體圖。

圖9及圖10為本發明之發光二極體結構第五實施例的立體圖。

圖11及圖12為本發明之發光二極體結構第六實施例的立體圖。

圖13及圖14為本發明之發光二極體結構第七實施例的立體圖。

圖15及圖16為本發明之發光二極體結構第八實施例的立體圖。

100．．．發光二極體結構

10．．．金屬支架

11．．．第一導線架

110．．．凸出部

12．．．第二導線架

120．．．凹陷部

G．．．電性絕緣區

20．．．發光二極體晶片

30．．．封裝體

32．．．基部

34．．．透光部

Claims (20)

1. 一種金屬支架結構，其頂面封裝一封裝體且形成一透光部，該金屬支架結構包括：一金屬支架，其包括有一第一導線架及一第二導線架，該金屬支架的頂面係定義一晶片置放區；其中該第一導線架具有一朝向該第二導線架突出的凸出部，其中該第一導線架與該第二導線架之間形成一電性絕緣區，其中該金屬支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其組合，該第一盲孔係由該金屬支架的頂面向下凹陷形成，且該第一盲孔的位置係對應該透光部的內徑輪廓，該第二盲孔靠近該電性絕緣區；其中該至少一第一盲孔分佈環繞該晶片置放區；該至少一第二盲孔連通於該電性絕緣區。
2. 如申請專利範圍第1項所述之金屬支架結構，其中該第一盲孔的形狀呈彎弧形。
3. 如申請專利範圍第1項所述之金屬支架結構，其中該第一導線架和該第二導線架的頂面靠近該電性絕緣區的邊緣各形成該第二盲孔，該第一導線架的該第二盲孔與該第二導線架的該第二盲孔的位置彼此對應。
4. 如申請專利範圍第1項所述之金屬支架結構，其中該凸出部的轉角各形成一斜邊，該第二盲孔由該凸出部的該些斜邊向內蝕刻而成。
5. 如申請專利範圍第4項所述之金屬支架結構，其中該第二盲孔係由該凸出部的該斜邊向內蝕刻呈半圓形盲孔。
6. 如申請專利範圍第5項所述之金屬支架結構，其中該第一導線架和該第二導線架的該半圓形盲孔為一大的半圓形盲孔和一小的半圓形盲孔的搭配組合。
7. 如申請專利範圍第1項所述之金屬支架結構，其中該第二盲孔的向下蝕刻深度小於該金屬支架高度的一半，該金屬支架高度係由該金屬支架的頂面和底面所界定。
8. 如申請專利範圍第1項所述之金屬支架結構，其中該金屬支架的外緣底面向內形成一階梯結構。
9. 如申請專利範圍第8項所述之金屬支架結構，其中該第一導線架及該第二導線架的底面具有至少一個由該階梯結構向內凹陷形成的第三盲孔。
10. 如申請專利範圍第9項所述之金屬支架結構，其中該金屬支架的外緣向外突出多數連接部，其中每一該連接部的兩側對應於兩個該第三盲孔。
11. 如申請專利範圍第1項所述之金屬支架結構，其中該第一導線架及該第二導線架靠近該電性絕緣區的頂面邊緣各凹陷形成一上凹槽，該第一導線架及該第二導線架靠近該電性絕緣區的底面邊緣各凹陷形成一下凹槽，藉此形成一多段式結構。
12. 如申請專利範圍第11項所述之金屬支架結構，其中該第一導線架和該第二導線架所界定的二個上凹槽之間的寬度大於該電性絕緣區的寬度，該第一導線架和該第二導線架所界定的二個下凹槽之間的寬度大於該電性絕緣區的寬度。
13. 如申請專利範圍第11項所述之金屬支架結構，其中該上凹槽的剖面呈彎弧狀，該下凹槽的剖面呈矩形狀。
14. 如申請專利範圍第1項所述之金屬支架結構，其中該金屬支架還形成多個貫穿孔，每一貫穿孔具有一外露於該第一導線架頂面的上孔部、及一外露於該第一導線架底面的下孔部，該下孔部大於該上孔部。
15. 如申請專利範圍第1項所述之金屬支架結構，其中該第二導線架形成一凹陷部或一凸出部，該第二導線架的凹陷部或該凸出部係對應於該第一導線架的該凸出部。
16. 一種發光二極體結構，包括：一金屬支架，其包括有一第一導線架及一第二導線架，該金屬支架的頂面係定義一晶片置放區；其中該第一導線架面向該第二導線架的邊緣突出一凸出部，該第一導線架與該第二導線架之間形成一電性絕緣區，其中該金屬支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其組合，該第一盲孔係由該金屬支架的頂面向下凹陷形成，該第二盲孔靠近該電性絕緣區；至少一發光二極體晶片，設置於該金屬支架的該晶片置放區上，且電性連接於該第一導線架及該第二導線架；及一封裝體，包括一封裝該金屬支架的基部、及一位於該至少一發光二極體晶片上方的透光部，其中該第一盲孔的位置係對應該透光部的內徑輪廓並且分佈環繞該晶片置放區；該至少一第二盲孔連通於該電性絕緣區。
17. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體結構，其中該基部包覆該第一導線架和該第二導線架，且該基部形成 一凹陷部以承載該發光二極體晶片，該基部更具有一環狀反射面以反射該發光二極體晶片的所發出的光線。
18. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構，其中該基部更包含一穿過該電性絕緣區的凸肋，該凸肋突出於該第一導線架及該第二導線架的頂面。
19. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體結構，其中該基部和該透光部為一體成型，該封裝體直接封裝該第一導線架和該第二導線架。
20. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體結構，其中該第一導線架和該第二導線架係由不透光的該基部所包覆，該不透光的該基部係切齊該金屬支架的頂面和與該頂面相對應的底面。