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TWI476211B - 高硬度壓印材料 - Google Patents

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TWI476211B
TWI476211B TW099128272A TW99128272A TWI476211B TW I476211 B TWI476211 B TW I476211B TW 099128272 A TW099128272 A TW 099128272A TW 99128272 A TW99128272 A TW 99128272A TW I476211 B TWI476211 B TW I476211B
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加藤拓
首藤圭介
鈴木正睦
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日產化學工業股份有限公司
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Description

高硬度壓印材料
本發明係關於壓印材料及由該材料所製作之經轉印圖型之膜。更詳細而言，本發明係關於形成具有高硬度、高透明性及燒成(烘烤)後之耐龜裂性之膜的壓印材料及由該材料所製作之經轉印圖型之膜。
於1995年，現普林斯頓大學之周教授等提出一種稱為奈米壓印微影術之新穎技術(專利文獻1)。奈米壓印微影術係使具有任意圖型之模具與形成有樹脂膜之基材接觸，且將該樹脂膜予以加壓之同時，使用熱或光作為外部刺激，將目的之圖型形成於已硬化之該樹脂膜之技術，此奈米壓印微影術與以往半導體裝置製造中之光微影術等相比，具有可簡便‧平價地進行奈米尺度之加工之優點。因此，奈米壓印微影術，由於其係倍受期待可取代光微影術技術而適用於半導體裝置、光學裝置、顯示器、記憶媒體、生化晶片等之製造的技術，因而己有通報關於各種奈米壓印微影術所用之光奈米壓印微影術用硬化性組成物(專利文獻2、3)。
然而，至今為止，奈米壓印微影術所用之材料(以下，亦稱為「壓印材料」)雖已揭示有各種之材料，但尚未接到可形成對具有構造物之光學構件、層間絕緣膜等賦予有用之高硬度及透明性，且在燒成後不產生龜裂之膜的壓印材料之通報。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第5772905號說明書
[專利文獻2]日本特開2008-105414號公報
[專利文獻3]日本特開2008-202022號公報
本發明係有鑑於上述情事所完成者，其所欲解決之課題係提供可形成具有高硬度、高透明性及燒成後之耐龜裂性之膜的壓印材料。又，由該材料所製作之經轉印圖型之膜。
具體而言，關於燒成後之耐龜裂性，係以提供形成於230℃中之燒成後，即使使其驟冷亦無發現龜裂之膜的材料為目的，且關於硬度，係以提供形成具有例如鉛筆硬度3H以上之硬度之膜的材料為目的，關於透明性，係以提供形成具有例如98%以上之高穿透率之膜的材料為目的。
特別係本發明之特徵在於提供形成具有皆可滿足、高硬度、高透明性及燒成後之耐龜裂性等之諸特性之性能之膜的壓印材料。
尚且，本說明書中，所形成之圖型尺寸並非僅限於奈米級(nanometer order)，例如，將含有微米級(micrometer order)之情況之光奈米壓印技術稱為光壓印。
本發明者們為了解決上述課題進行銳意檢討之結果，發現藉由使壓印材料含有於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物及於分子內具有2個之聚合性基之化合物，從該壓印材料所形成之膜具有皆可滿足上述之諸特性之性能一事，進而完成本發明。
即，本發明為含有(A)成分、(B)成分、及(C)成分之壓印材料。
(A)成分：於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物
(B)成分：於分子內具有2個之聚合性基之化合物
(C)成分：光自由基產生劑
本發明由於係使壓印材料中含有於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物及於分子內具有2個之聚合性基之化合物，由該壓印材料所製作之經轉印圖型之膜在燒成後不產生龜裂，且具有高硬度及高透明性。
本發明之壓印材料可光硬化，且由於其硬化膜在模具之離型時不產生圖型之部分剝離，而可得到所期望之圖型經正確地形成之膜。故，可形成良好之光壓印之圖型。
又，本發明之壓印材料可在任意之基材上進行成膜，壓印後所形成之經轉印圖型之膜，不僅可適用於圖像顯示裝置用或太陽電池用之防反射構件、太陽電池用之集光構件、光學透鏡、光導波路等之光學構件，亦可適用於場效電晶體等之半導體元件之層間絕緣膜及/或閘絕緣膜、CMOS圖像感應器等之固體攝像元件、有機EL元件等之圖像顯示元件。藉由使用本發明之壓印材料，例如可在防反射構件之表面形成蛾眼構造。
更且，本發明之壓印材料藉由改變具有上述(A)成分及(B)成分之聚合性基之化合物的種類及比例，而可控制硬化速度、動黏度、膜厚。故，因本發明之壓印材料係可設計對應製造之裝置種類與曝光製程及燒成製程之種類的材料並可擴大製程範圍(process margin)，而可極適合用於光學構件之製造。
本發明之特徵在於藉由使用於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物與於分子內具有2個之聚合性基之化合物，可提升由含有其之壓印材料所形成之膜之燒成後之耐龜裂性，且同時賦予高硬度、高透明性之性質。即，其係含有(A)成分之「於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物」、(B)成分之「於分子內具有2個之聚合性基之化合物」與(C)成分之「光自由基產生劑」之壓印材料。更且，除含有(A)成分、(B)成分、(C)成分，更可含有(D)成分之溶劑、(E)成分之於分子內具有2個以上之聚合性基之聚矽氧化合物之壓印材料。
以下，詳細說明關於各成分。
＜(A)成分＞
(A)成分之「於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物」係指於一分子中具有5個以上聚合性基，且該聚合性基位於分子末端，並且不具有Si-O-Si鍵結之化合物，且亦可為該化合物之混合物。5個以上之聚合性基係指例如5個至6個之聚合性基。又，該聚合性基係指，例如，選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯基及烯丙基所成群之至少1種類之有機基。在此，丙烯醯氧基有使用丙烯醯基氧基表示之情形，且甲基丙烯醯氧基有使用甲基丙烯醯基氧表示之情形。
上述(A)成分之於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物，例如可舉出二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五甲基丙烯酸酯。
上述於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物可由市售品取得，其具體例可舉出KAYARAD(登錄商標)DPHA、同D-310、同DPCA-20、同DPCA-30、同DPCA-60、同DPCA-120(以上，日本化藥股份有限公司製)、Aronix(登錄商標)M-400、同M-402、同M-403、同M-404、同M-405、同M-406(以上，東亞合成股份有限公司製)、A-DPH(新中村化學工業股份有限公司製)等。
上述於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物可單獨使用或將2種以上予以組合使用。
本發明中之(A)成分，可賦予硬度至由含有其之壓印材料所形成之膜，其含有量係基於該(A)成分及後述之(B)成分之合計100質量份，較佳為10至30質量份。此比例若過少時，該膜之硬度降低，若過大時則於燒成後發生龜裂，而變得難以得到作為目的之物性。
＜(B)成分＞
(B)成分之「於分子內具有2個之聚合性基之化合物」係指於一分子中具有2個聚合性基，該聚合性基位於分子末端，且不具有Si-O-Si鍵結之化合物，亦可為該化合物之混合物。又，該聚合性基，例如可指出選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯基及烯丙基所成群之至少1種類之有機基。
上述(B)成分之於分子內具有2個之聚合性基之化合物，例如可舉出新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、2-羥基丙二醇二丙烯酸酯、2-羥基丙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、異丙二醇二丙烯酸酯、異丙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、N,N’-雙(丙烯醯基)半胱胺酸、N,N’-雙(甲基丙烯醯基)半胱胺酸、硫二醇二丙烯酸酯、硫二醇二甲基丙烯酸酯、雙酚A二丙烯酸酯、雙酚F二丙烯酸酯、雙酚S二丙烯酸酯、雙苯氧基乙醇茀二甲基丙烯酸酯、二烯丙基醚雙酚A、o-二烯丙基雙酚A、馬來酸二烯丙酯等。
上述於分子內具有2個之聚合性基之化合物可由市售品取得，其具體例可舉出KAYARAD(登錄商標)R-526、同NPGDA、同PEG400DA、同MANDA、同R－167、同HX-220、同HX-620、同R-551、同R-712、同R-604、同R-684(以上，日本化藥股份有限公司製)、Aronix(登錄商標)M-203S、同M-208、同M-211B、同M-215、同M-220、同M-225、同M-270、同M-240(以上，東亞合成股份有限公司製)、Biscote195、同230、同260、同265、同310HP、同335、同700(以上，大阪有機化學工業股份有限公司製)、A-200、A-400、A-600、A-1000、ABE-300、A-BPE-4、A-BPE-10、A-BPE-20、A-BPP-3、A-DOD、DOD-N、A-DCP、A-IBD-2E、A-NPG、701A、A-B1206PE、A-HD-N、APG-100、APG-200、APG-400、APG-700、1G、2G、3G、4G、9G、14G、23G、BD、BG、HD-N、NOD、IND、BPE-100、BPE-200、BPE-300、BPE-500、BPE-900、BPE-1300N、NPG、DCP、1206PE、701、3PG、9PG(以上，新中村化學工業股份有限公司製)。
上述於分子內具有2個之聚合性基之化合物可單獨使用或將2種以上予以組合使用。
本發明中之(B)成分，可賦予耐龜裂性至由含有其壓印材料所形成之膜，其含有量係基於(A)成分及(B)成分之合計100質量份，較佳為90至70質量份。此比例若過少時則於燒成後發生龜裂，若過大時則該膜之硬度降低，而變得難以得到作為目之物性。
＜(C)成分＞
(C)成分之光自由基產生劑，例如可舉出tert-丁基過氧化-iso-酞酸酯、2,5-二甲基-2,5-雙(苄醯基二氧基氧基)己烷、1,4-雙[α-(tert-丁基二氧基)-iso-丙氧基]苯、二-tert-丁過氧化物、2,5-二甲基-2,5-雙(tert-丁基二氧基)己烯氫過氧化物、α-(iso-丙基苯基)-iso-丙基氫過氧化物、2,5-二甲基己烷、tert-丁基氫過氧化物、1,1-雙(tert-丁基二氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、丁基-4,4-雙(tert-丁基二氧基)戊酸鹽、環己酮過氧化物、2,2’,5,5’-四(tert-丁基過氧化羰基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(tert-丁基過氧化羰基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(tert-戊基過氧化羰基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(tert-己基過氧化羰基)二苯甲酮、3,3’-雙(tert-丁基過氧化羰基)-4,4’-二羧基二苯甲酮、tert-丁基過氧化苄酸鹽、二-tert-丁基過氧化異酞酸酯等之有機過氧化物，或9,10-蒽醌、1-氯蒽醌、2-氯蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌等之醌類，或安息香甲醚、安息香乙醚、α-甲基安息香、α-苯基安息香等之安息香衍生物，2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-[4-{4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)苄基}-苯基]-2-甲基-丙烷-1-酮、苯基乙醛酸甲酯、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉苯基)-丁酮-1、2-二甲基胺基-2-(4-甲基-苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-1-酮、雙(2,4,6-三甲基苄醯基)-苯基膦氧化物、2,4,6-三甲基苄醯基-二苯基-膦氧化物、1,2-辛二酮,1-[4-(苯基硫代)-,2-(o-苄醯基肟)]、乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苄醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(o-乙醯肟)等，只要係在光硬化時所使用之對光源具有吸收者則無特別限定。
上述光自由基產生劑可由市售品取得，其具體例可舉出IRGACURE(登錄商標)651、同184、同500、同2959、同127、同754、同907、同369、同379、同379EG、同819、同819DW、同1800、同1870、同784、同OXE01、同OXE02、同250、DAROCUR(登錄商標)1173、同MBF、同TPO、同4265(以上，BASF JAPAN股份有限公司(舊Ciba Japan股份有限公司)製)、KAYACURE(登錄商標)DETX、同MBP、同DMBI、同EPA、同OA(以上，日本化藥股份有限公司製)、VICURE-10、同55(以上，STAUFFER Co.LTD製)、ESACURE KIP150、同TZT、同1001、同KTO46、同KB1、同KL200、同KS300、同EB3、Triazine-PMS、Triazine A、Triazine B(以上，Japan SiberHegner股份有限公司製)、Adeka Optomer N-1717、同N-1414、同N-1606(股份有限公司ADEKA(舊旭電子工業股份有限公司)製)。
上述光自由基產生劑可單獨使用或將2種以上組合使用。
本發明之壓印材料中之(C)成分之含有量係相對於上述(A)成分及上述(B)成分之總質量，以0.5 phr至30 phr為佳，以1 phr至20 phr為更佳。此比例若在0.1 phr以下時，則無得到充分之硬化性，其係由於引起圖型化特性之惡化及由壓印材料形成之膜中之硬度之降低所致。在此，phr係表示相對於(A)成分及(B)成分之總質量100g之光自由基產生劑之質量。
＜(D)成分＞
本發明中亦可含有作為(D)成分之溶劑。
(D)成分之溶劑的功用係用於調節(A)成分之於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物之黏度。
上述溶劑例如可舉出甲苯、p-茬、o-茬、苯乙烯、乙二醇二甲基醚、丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單異丙基醚、乙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇乙基醚乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、丙二醇單丁基醚、乙二醇單丁基醚、二乙二醇二乙基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二乙二醇單乙基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇、1-辛醇、乙二醇、己烯乙二醇、二丙酮醇、糠醇、四氫糠醇、丙二醇、苄基醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、γ-丁內酯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、甲基n-丁基酮、環己酮、2-庚酮、乙酸乙酯、乙酸異丙基酮、乙酸n-丙酯、乙酸異丁酯、乙酸n-丁酯、乳酸乙酯、甲醇、乙醇、異丙醇、tert-丁醇、烯丙醇、n-丙醇、2-甲基-2-丁醇、異丁醇、n-丁醇、2-甲基-1-丁醇、1-戊醇、2-甲基-1-戊醇、2-乙基己醇、1-辛醇、乙二醇、己烯乙二醇、三亞甲基二醇、1-甲氧基-2-丁醇、二丙酮醇、糠醇、四氫糠醇、丙二醇、苄基醇、異丙基醚、1,4-二噁烷、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、二甲基亞碸、N-環己基-2-吡咯嗪等，只要係可調節上述(A)成分之黏度者，則無特別限定。
但，於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物，從於分子內具有2個之聚合性基之化合物及光自由基產生劑之相溶性之觀點，較佳為丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚、γ-丁內酯、N-甲基吡咯啶酮、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、二丙酮醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙二醇、丙二醇、己烯乙二醇、甲基溶纖劑、乙烯溶纖劑、丁基溶纖劑、乙基卡必醇、丁基卡必醇、二乙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單丁基醚、環己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯等。
上述溶劑可單獨使用或將2種以上予以組合使用。
＜(E)成分＞
本發明中亦含有作為(E)成分之於分子內具有2個以上之聚合性基之聚矽氧化合物。
(E)成分之「於分子內具有2個以上之聚合性基之聚矽氧化合物」係指於一分子中具有2個以上之聚合性基，且在主鏈具有Si-O-Si鍵結(矽氧烷鍵結)之聚合物或寡聚物之化合物，亦可為該化合物之混合物。又，該聚合性基係例如選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯基及烯丙基所成群之至少1種類之有機基。
上述於分子內具有2個以上之聚合性基之聚矽氧化合可由市售品取得，其具體例可舉出X-22-164、X-22-164AS、X-22-164A、X-22-164B、X-22-164C、X-22-164E(以上，信越化學工業股份有限公司製)、BYK(登錄商標)-UV3570、同-UV3500、同-UV3510(以上，BYK JAPAN股份有限公司製)等。
上述於分子內具有2個以上之聚合性基之聚矽氧化合物可單獨使用或將2種以上予以組合使用。
本發明中之(E)成分係賦予由含有其之壓印材料所形成之膜在溶劑中浸漬時從基材之剝離防止性，其含有量係基於上述(A)成分及上述(B)成分之合計100質量份，較佳為1至20質量份，更佳為3質量份以上。此比例若過少時，剝離防止性降低，若過大時則該膜之硬度降低，而變得難以得到作為目的之物性。
本發明之壓印材料只要係在不損及本發明之效果之範圍內，可因應需要而含有光增感劑、紫外線吸收劑、防氧化劑、界面活性劑、密著補助劑等。
上述光增感劑，例如可舉出噻吨系、呫噸系、酮系、thiopyrylium鹽系、基底苯乙烯(base styryl)系、部花青素系、3-取代香豆素系、3,4-取代香豆素系、花青系、吖啶系、噻嗪系、吩噻嗪系、蒽系、蔻系、苯并蒽系、苝系、側氧香豆素(ketocumarin)系、薰草呋系、硼酸鹽系等。
上述光增感劑可單獨使用或將2種以上予以組合使用。藉由使用該光增感劑亦可調整UV領域之波長。
上述紫外線吸收劑，例如可舉出TINUVIN(登錄商標)PS、同99-2、同109、同328、同384-2、同400、同405、同460、同477、同479、同900、同928、同1130、同111FDL、同123、同144、同152、同292、同5100、同400-DW、同477-DW、同99-DW、同123-DW、同5050、同5060、同5151(以上，BASF JAPAN股份有限公司(舊Ciba Japan股份有限公司)製)。
上述紫外線吸收劑可單獨使用或將2種以上予以組合使用。藉由使用該紫外線吸收劑，可抑制於光硬化時由壓印材料所形成之膜之最表面之硬化速度，亦有可提升離型性之情形。
上述防氧化劑，例如可舉出IRGANOX(登錄商標)1010、同1035、同1076、同1135、同1520L(以上，BASF JAPAN股份有限公司(舊Ciba Japan股份有限公司)製)等。
上述防氧化劑可單獨使用或將2種以上予以組合使用。藉由使用該防氧化劑，而可防止因氧化而由壓印材料所形成之膜變色成為黃色。
上述界面活性劑，例如可舉出聚氧乙烯月桂醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯乙醯基醚、聚氧乙烯烯烴醚等之聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯辛基酚醚、聚氧乙烯壬基酚醚類之聚氧乙烯烷基烯丙基醚類、聚氧乙烯‧聚氧丙烯嵌段共聚物類、去水山梨醇單月桂酸酯、去水山梨醇單棕櫚酸酯、去水山梨醇單硬脂酸酯、去水山梨醇單油酸酯、去水山梨醇三油酸酯、去水山梨醇硬脂酸酯等之去水山梨醇脂肪酸酯類、聚氧乙烯去水山梨醇單月桂酸酯、聚氧乙烯去水山梨醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯去水山梨醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯去水山梨醇三油酸酯、聚氧乙烯去水山梨醇三硬脂酸酯等之聚氧乙烯去水山梨醇脂肪酸酯類等之非離子系界面活性劑、商品名Eftop(登錄商標)EF301、同EF303、同EF352(三菱材料電子化成股份有限公司(舊股份有限公司JEMCO製)、商品名Megafac(登錄商標)F171、同F173、同R-08、同R-30(DIC股份有限公司製)、Florad FC430、FC431(住友3M股份有限公司製)、商品名Asahi Guide(登錄商標)AG710、Surflon(登錄商標)S-382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106(旭硝子股份有限公司製)等之氟系界面活性劑、及有機聚矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業股份有限公司製)、BYK(登錄商標)-302、同-307、同-322、同-323、同-330、同-333、同-370、同-375、同-378(BYK JAPAN股份有限公司製)等。
上述界面活性劑可單獨使用或將2種以上予以組合使用。使用界面活性劑時，其比例係相對於上述(A)成分及上述(B)成分之總質量，較佳為0.01phr至10phr，更佳為0.01phr至5phr。
上述密著補助劑，例如可舉出3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷等。藉由使用該密著補助劑，與基材之密著性提升。該密著補助劑之含有量係相對於上述(A)成分及上述(B)成分之總質量，較佳為5phr至50phr，更佳為10phr至50phr。
本發明之壓印材料之調製方法無特別限定，只要係(A)成分、(B)成分、(C)成分以及(D)成分及/或(E)成分係經均勻地混合之狀態即可。又，將(A)成分至(E)成分予以混合時之順序，只要係可得到均勻之溶液則無任何問題，並無特別限定。該調製方法，例如可舉出對(A)成分以即定之比例混合(B)成分及(C)成分之方法等。又，亦可舉出對此更混合(D)成分及/或(E)成分，而作成均勻溶液之方法等。並且，尚可舉出在此調製方法之適當階段中，可因應必要更添加其他之添加劑進行混合之方法。
又，使用(D)成分之溶劑時，以使溶劑蒸發為目的，亦可對於光照射前之被膜及光照射後之被膜之至少一者進行燒成。燒成機器，則無特別限定，例如，使用加熱板、烤箱、加熱爐，在適宜環境下、即大氣、氮等之惰性氣體、真空中等可進行燒成者即可。燒成溫度係以使溶媒蒸發為目的，並無特別限定，例如可以40℃至200℃進行。
本發明之壓印材料係藉由塗布於基材並使其光硬化，且進行其後之加熱，而可得到所期望之被膜。塗布方法為公知或周知之方法，例如可舉出旋轉塗布法、浸塗法、淋塗法、噴墨塗布法、噴霧塗布法、棒塗法、凹板塗布法、狹縫塗布法、輥塗法、轉印印刷法、刷毛塗布、刮刀塗布法、氣刀塗布法等。
塗布本發明之壓印材料用之基材，例如可舉出由矽、有銦錫氧化物(ITO)成膜之玻璃(以下，略稱為「ITO基板」)、有氮化矽(SiN)成膜之玻璃、有銦鋅氧化物(IZO)成膜之玻璃、聚對酞酸乙二酯(PET)、三乙醯纖維素(TAC)、壓克力、塑膠、玻璃、石英、陶瓷等構成之基材。又，亦可使用具有可撓性之可撓性基材。
使本發明之壓印材料硬化之光源，並無特別限定，例如可舉出高壓水銀燈、低壓水銀燈、金屬鹵素燈、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、F2 準分子雷射、電子線(EB)、極端紫外線(EUV)等。又，波長可使用一般的436nm之G射線、405nm之H射線、365nm之I射線、或GHI混合射線。且，曝光量較佳為30至2000mJ/cm2 ，更佳為30至1000mJ/cm2 。
施行光壓印之裝置，只要係可得到目的之圖型則無特別限定，例如可使用東芝機械股份有限公司製之ST50、Obducat公司製之Sindre(登錄商標)60、明昌機構股份有限公司製之NM-0801HB等之市售中之裝置。
本發明使用之光壓印用中所使用之模具材，例如可舉出石英、矽、鎳、羰基矽烷、玻璃石墨等，只要係可得到目的之圖型則無特別限定。又，模具為了提高其離型性，亦可對其表面施以形成氟系化合物等之薄膜的離型處理。離型處理所用之離型劑，例如可舉出大金工業股份有限公司製之Optool(登錄商標)HD等，但只要係可得到目的之圖型則無特別限定。
光壓印之圖型係選擇適宜目的之電子裝置之圖型即可，圖型尺寸亦以此為依據。圖型尺寸，例如為奈米級及微米級。
[實施例]
以下，舉出實施例及比較例更加詳細說明本發明，但本發明並非係受限於此等實施例者。
[被膜形成用塗布液之調製] ＜實施例1＞
對KAYARAD(登錄商標)DPHA(日本化藥股份有限公司製)(以下，略稱為「DPHA」)3g添加KAYARAD(登錄商標)新戊二醇二丙烯酸酯(日本化藥股份有限公司製)(以下，略稱為「NPGDA」)7g(DPHA與NPGDA之合計100質量份之中為70質量份)、IRGACURE(登錄商標)OXE01(BASF JAPAN股份有限公司(舊Ciba Japan股份有限公司)製)(以下，略稱為「OXE01」)0.5g(相對於DPHA及NPGDA之總質量為5phr)，而調製成壓印材料PNI-01。
＜實施例2＞
對DPHA 2g添加NPGDA 8g(DPHA與NPGDA之合計100質量份之中為80質量份)、OXE01 0.5g(相對於DPHA及NPGDA之總質量為5phr)，而調製成壓印材料PNI-02。
＜實施例3＞
對DPHA 1g添加NPGDA 9g(DPHA與NPGDA之合計100質量份之中為90質量份)、OXE01 0.5g(相對於DPHA及NPGDA之總質量為5phr)，而調製成壓印材料PNI-03。
＜實施例4＞
除將實施例1所用之NPGDA變更為具有2個甲基丙烯醯氧基之1G(新中村化學股份有限公司製)(以下，略稱為「1G」)，與實施例1同樣地調製成壓印材料PNI-04。
＜實施例5＞
除將實施例2所用之NPGDA變更為1G以外，與實施例2同樣地調製成壓印材料PNI-05。
＜實施例6＞
除將實施例3所用之NPGDA變更為1G以外，與實施例3同樣調製成壓印材料PNI-06。
＜實施例7＞
除將實施例1所用之DPHA變更為A-DPH(新中村化學股份有限公司製)(以下，略稱為A-DPH」)以外，與實施例1同樣地調製成壓印材料PNI-07。
＜實施例8＞
除將實施例2所用之DPHA變更為A-DPH以外，與實施例2同樣地調製成壓印材料PNI-08。
＜實施例9＞
除將實施例3所用之DPHA變更為A-DPH以外，與實施例3同樣地調製成壓印材料PNI-09。
＜實施例10＞
除將實施例1所用之DPHA及NPGDA分別變更為A-DPH、1G以外，與實施例1同樣地調製成壓印材料PNI-10。
＜實施例11＞
除將實施例2所用之DPHA及NPGDA分別變更為A-DPH、1G以外，與實施例2同樣地調製成壓印材料PNI-11。
＜實施例12＞
除將實施例3所用之DPHA及NPGDA分別變更為A-DPH、1G以外，與實施例3同樣地調製成壓印材料PNI-12。
＜實施例13＞
實施例1中所得之壓印材料PNI-01添加丙二醇單甲基醚乙酸酯(以下，略稱為「PGMEA」)2.6g，而調製成壓印材料PNI-13。
＜實施例14＞
對實施例2中所得之壓印材料PNI-02添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-14。
＜實施例15＞
對實施例3中所得之壓印材料PNI-03添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-15。
＜實施例16＞
對實施例4中所得之壓印材料PNI-04添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-16。
＜實施例17＞
對實施例5中所得之壓印材料PNI-05添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-17。
＜實施例18＞
對實施例6中所得之壓印材料PNI-06添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-18。
＜實施例19＞
對實施例7中所得之壓印材料PNI-07添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-19。
＜實施例20＞
對實施例8中所得之壓印材料PNI-08添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-20。
＜實施例21＞
對實施例9中所得之壓印材料PNI-09添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-21。
＜實施例22＞
對實施例10中所得之壓印材料PNI-10添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-22。
＜實施例23＞
對實施例11中所得之壓印材料PNI-11添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-23。
＜實施例24＞
對實施例12中所得之壓印材料PNI-12添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-24。
＜實施例25＞
對實施例1中得之PNI-01添加(E)成分之X-22-164(信越化學工業股份有限公司製)0.5g(DPHA與NPGDA之合計100質量份之中為5質量份)，而調製成壓印材料PNI-25。
＜實施例26＞
除將實施例25所用之X-22-164變更為BYK(登錄商標)-UV3570(BYK JAPAN股份有限公司製)以外，與實施例25同樣地調製成壓印材料PNI-26。
＜實施例27＞
除將實施例25所用之X-22-164變更為BYK(登錄商標)-UV3500(BYK JAPAN股份有限公司製)以外，與實施例25同樣地調製成壓印材料PNI-27。
＜比較例1＞
對DPHA 10g添加OXE01 0.5g(相對於DPHA為5phr)，而調製成壓印材料PNI-A。
＜比較例2＞
對A-DPH 10g添加OXE01 0.5g(相對於A-DPH為5phr)，而調製成壓印材料PNI-B。
＜比較例3＞
對NPGDA 10g添加OXE01 0.5g(相對於NPGDA為5phr)，而調製成壓印材料PNI-C。
＜比較例4＞
對1G 10g添加OXE01 0.5g(相對於1G為5phr)，而調製成壓印材料PNI-D。
＜比較例5＞
對比較例1中所得之壓印材料PNI-A添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-E。
＜比較例6＞
對比較例2中所得之壓印材料PNI-B添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-F。
＜比較例7＞
對比較例3中所得之壓印材料PNI-C添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-G。
＜比較例8＞
對比較例4中所得之壓印材料PNI-C添加PGMEA 2.6g，而調製成壓印材料PNI-H。
[光壓印用被膜之製作]
將實施例1中所得之壓印材料PNI-01旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-01F)。
將實施例2中所得之壓印材料PNI-02旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-02F)。
將實施例3中所得之壓印材料PNI-03旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-03F)。
將實施例4中所得之壓印材料PNI-04旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-04F)。
將實施例5中所得之壓印材料PNI-05旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-05F)。
將實施例6中所得之壓印材料PNI-06旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-06F)。
將實施例7中所得之壓印材料PNI-07旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-07F)。
將實施例8中所得之壓印材料PNI-08旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-08F)。
將實施例9中所得之壓印材料PNI-09旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-09F)。
將實施例10中所得之壓印材料PNI-10旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-10F)。
將實施例11中所得之壓印材料PNI-11旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-11F)。
將實施例12中所得之壓印材料PNI-12旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-12F)。
將實施例13中所得之壓印材料PNI-13旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-13F)。
將實施例14中所得之壓印材料PNI-14旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-14F)。
將實施例15中所得之壓印材料PNI-15旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-15F)。
將實施例16中所得之壓印材料PNI-16旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-16F)。
將實施例17中所得之壓印材料PNI-17旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-17F)。
將實施例18中所得之壓印材料PNI-18旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-18F)。
將實施例19中所得之壓印材料PNI-19旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-19F)。
將實施例20中所得之壓印材料PNI-20旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-20F)。
將實施例21中所得之壓印材料PNI-21旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-21F)。
將實施例22中所得之壓印材料PNI-22旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-22F)。
將實施例23中所得之壓印材料PNI-23旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-23F)。
將實施例24中所得之壓印材料PNI-24旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-24F)。
將實施例25中所得之壓印材料PNI-25旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-25F)。
將實施例26中所得之壓印材料PNI-26旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-26F)。
將實施例27中所得之壓印材料PNI-27旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-27F)。
將比較例1中所得之壓印材料PNI-A旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-AF)。
將比較例2中所得之壓印材料PNI-B旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-BF)。
將比較例3中所得之壓印材料PNI-C旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-CF)。
將比較例4中所得之壓印材料PNI-D旋轉塗布於石英基板上，而得到光壓印用被膜(PNI-DF)。
將比較例5中所得之壓印材料PNI-E旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-EF)。
將比較例6中所得之壓印材料PNI-F旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-FF)。
將比較例7中所得之壓印材料PNI-G旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-GF)。
將比較例8中所得之壓印材料PNI-H旋轉塗布於石英基板上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，而得到光壓印用被膜(PNI-HF)。
[光壓印]
壓印裝置係使用NM-0801HB(明昌機構股份有限公司製)。對由實施例1至實施例27以及比較例1至比較例8所得之各壓印材料所製作之光壓印用被膜進行圖型化試驗。
使用之模具為矽製，圖型為120nm之線寬與線距(Line and Space)。模具係使用事先浸漬於Optool(登錄商標)HD(大金工業股份有限公司製)，並使用溫度為90℃、濕度為90RH%之高溫高濕裝置進行處理2小時，以純水潤洗後，經空氣乾燥者。
使由實施例1中所得之壓印材料PNI-01所製作之光壓印用被膜PNI-01F與矽製模具接著之狀態下，設置上述壓印裝置。光壓印係以常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使模具與基板分離之離型之順序進行，將模具剝離後，在無塵烘箱(TABAI ESPEC公司製PVHC-210)中以230℃進行燒成1小時。光壓印後及燒成後之結果係如表1所示。
對於由實施例2至實施例27以及比較例1至比較例8中所得之各壓印材料所製作之光壓印用被膜，亦與上述同樣地進行光壓印及燒成。光壓印後及燒成後之結果係如表1所示。
[表1]
表1中，「光硬化」係指在曝光後膜是否硬化之評價，“○”表示已硬化，“×”表示未硬化。「剝離」係指在離型時，圖型之一部分是否因附著於模具等而剝離之評價，“○”表示無剝離，“×”表示發現剝離。「形狀」係指在離型後之膜上模具之圖型是否良好地受到轉印之評價，“○”表示良好地經轉印，“×”並無良好地經轉印。「燒成後之龜裂」係指在光壓印後進行燒成，在放冷中是否產生龜裂之評價，“○”表示無發現龜裂，“×”表示發現龜裂。
從表1之結果可知，由實施例1至實施例27所得之各壓印材料製作之光壓印用被膜，藉由光壓印可形成良好之圖型。另一方面，由比較例1、2、5及6所得之各壓印材料製作之光壓印用被膜，在燒成後發生龜裂。又，由比較例3、4、7及8所得之各壓印材料製作之光壓印用被膜，任一者皆在離型時圖型之一部分剝離，無法將模具之圖型良好地轉印在離型後之膜上。
從以上之結果，具有燒成後之耐龜裂性，且藉由光壓印可形成所期望之圖型之壓印材料之構成，其明顯地必須為(A)成分：於分子內具有5個以上之聚合性基之化合物、(B)成分：於分子內具有2個之聚合性基之化合物、及(C)成分：光自由基產生劑。並且，其明顯地亦可含有(D)成分：溶劑、(E)成分：分子內具有2個以上之聚合性基之聚矽氧化合物。
[鉛筆硬度試驗]
鉛筆硬度試驗係以JIS K5600-5-4所記載之方法進行。試驗機係使用電動鉛筆滑痕硬度試驗機No.553-M(股份有限公司安田精機製作所製)。鉛筆硬度試驗中，硬度之指標係以(硬)9H＞8H＞7H＞6H＞5H＞4H＞3H＞2H＞H＞F＞HB＞B＞2B＞3B＞4B＞5B＞6B(軟)表示。
將實施例1中所得之壓印材料PNI-01旋轉塗布於矽晶圓上，並於其之上覆蓋石英基板，在常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使石英基板與矽晶圓分離之離型之順序，在矽晶圓上製作光硬化膜，且在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成後，進行鉛筆硬度試驗。其結果如表2所示。
使用由實施例2至實施例12及實施例25至實施例27所得之各壓印材料，與上述同樣地製作光硬化膜，並於燒成後進行鉛筆硬度試驗。其結果如表2所示。
將實施例13中所得之壓印材料PNI-13旋轉塗布於矽晶圓上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，於其之上覆蓋石英基板，以常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使石英基板與矽晶圓分離之離型的順序，在矽晶圓上製作光硬化膜，在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成後，進行鉛筆硬度試驗。其結果如表2所示。
使用由實施例14至實施例24所得之各壓印材料，與上述同樣地製作光硬化膜，並於燒成後進行鉛筆硬度試驗。其結果如表2所示。
將比較例1中所得之壓印材料PNI-A旋轉塗布於矽晶圓上，於其之上覆蓋石英基板，以常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使石英基板與矽晶圓分離之離型的順序，在矽晶圓上製作光硬化膜，在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成時，由於發生龜裂，而無法得到被膜。
除使用比較例2中所得之壓印材料PNI-B取代上述PNI-A以外，與上述同樣地製作光硬化膜，並進行燒成，但由於燒成後發生龜裂，而無法得到被膜。
使用比較例3及比較例4所得之各壓印材料，與上述同樣地製作光硬化膜，並於燒成後進行鉛筆硬度試驗。其結果如表2所示。
將比較例5中所得之壓印材料PNI-E旋轉塗布矽晶圓上，並以100℃之加熱板進行假燒成1分鐘，於其之上覆蓋石英基板，以常時23℃之條件下、依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使石英基板與矽晶圓分離之離型的順序，在矽晶圓上製作光硬化膜，在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成時，由於發生龜裂，而無法得到被膜。
除使用比較例6中所得之壓印材料PNI-F取代上述PNI-E以外，與上述同樣地製作光硬化膜，並進行燒成，但由於燒成後發生龜裂，而無法得到被膜。
使用比較例7及比較例8所得之各壓印材料，與上述同樣地製作光硬化膜，並於燒成後進行鉛筆硬度試驗。其結果如表2所示。
[表2]
由表2之結果可知，由實施例1至實施例27中所得之各壓印材料，皆可形成具有3H以上之鉛筆硬度的被膜。另一方面，由比較例1、2、5及6所得之各壓印材料在燒成後發生龜裂而無法形成被膜。而由比較例3、4、7及8所得之各壓印材料，其皆成為H以下之鉛筆硬度。由以上之結果，使用本發明之壓印材料所得之膜，係為具有3H以上之鉛筆硬度者。
[穿透率之測定]
穿透率測定係使用UV-2550 UV-VISIBLE SPECTROPHOTOMETER(股份有限公司島津製作所製)，而算出波長400nm中之膜厚2μm之樣本之穿透率。
將實施例1中所得之壓印材料PNI-01旋轉塗布於石英基板上，於其之上覆蓋其他之石英基板，在常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使覆蓋之石英基板由下側之石英基板分離之離型的順序，在石英基板上製作光硬化膜，在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成後，進行穿透率測定。其結果如表3所示。
使用由實施例2至實施例12及實施例25至實施例27所得之各壓印材料，與上述同樣地製作光硬化膜，並於燒成後進行穿透率測定。其結果如表3所示。
將實施例13中所得之壓印材料PNI-13旋轉塗布於石英基板上，以100℃之加熱板進行1分鐘假燒成。其後，覆蓋其他石英基板，在常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使覆蓋之石英基板由下側之石英基板分離之離型的順序，在石英基板上製作光硬化膜，在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成後，進行穿透率測定。其結果如表3所示。
使用由實施例14至實施例24所得之各壓印材料，與上述同樣地製作光硬化膜，並於燒成後進行穿透率測定。其結果如表3所示。
比較例1中所得之壓印材料PNI-A旋轉塗布於石英基板上，並於其之上覆蓋其他石英基板，在常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使覆蓋之石英基板由下側之石英基板分離之離型的順序，在石英基板上製作光硬化膜，在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成時，由於發生龜裂而無法得到被膜。
除使用比較例2中所得之壓印材料PNI-B取代上述PNI-A以外，與上述同樣地製作光硬化膜並進行燒成，但由於燒成後發生龜裂，而無法得到被膜。
使用由比較例3及比較例4所得之各壓印材料，與上述同樣地製作光硬化膜，並於燒成後進行穿透率測定。其結果如表3所示。
比較例5中所得之壓印材料PNI-E旋轉塗布於石英基板上，以100℃之加熱板進行1分鐘假燒成。其後，覆蓋其他石英基板，在常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使覆蓋之石英基板由下側之石英基板分離之離型的順序，在石英基板上製作光硬化膜，在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成時，由於發生龜裂，而無法得到被膜。
除使用比較例6中所得之壓印材料PNI-F取代上述PNI-E以外，與上述同樣地進行製作光硬化膜及燒成，但由於燒成後發生龜裂，而無法得到被膜。
使用由比較例7及比較例8所得之各壓印材料，與上述同樣地製作光硬化膜，並於燒成後進行穿透率測定。其結果如表3所示。
[表3]
由表3之結果可確認，由實施例1至實施例27而得之各壓印材料之任一者，其所得之被膜皆可達成高穿透率。
[剝離(剝離性)試驗]
剝離(剝離性)試驗，係製作單乙醇胺與二甲基亞碸以質量比70比30而混合之溶液，在80℃加熱後，使於基材上所形成之被膜浸漬於該溶液15分鐘，確認在浸漬時有無自基材之剝離。又，關於浸漬後之被膜，在加熱板上以100℃進行1分鐘燒成，並依照以下之式算出浸漬後之殘膜率。
殘膜率=(浸漬後，以100℃燒成1分鐘後之膜厚)/(浸漬前之膜厚)
將實施例25至實施例27所得之各壓印材料旋轉塗布於石英基板上，並於其之上覆蓋其他石英基板，在常時23℃之條件下，依a)經時10秒鐘加壓至1000N、b)使用高壓水銀燈進行500mJ/cm2 之曝光、c)經時10秒鐘之除壓、d)使覆蓋石英基板由下側之石英基板分離之離型的順序，在石英基板上製作光硬化膜，在無塵烘箱中以230℃進行1小時燒成後，進行剝離性試驗。其結果如表4所示。
[表4]
表4中，「剝離」係指於浸漬時，膜是否由基材剝離之評價，“○”表示無剝離，“×”表示有剝離。由表4之結果可知，含有(E)成分之實施例25至實施例27中所得之各壓印材料，並無自基材剝離，且可形成殘膜率高之被膜。
[產業上之可利用性]
由本發明之壓印材料所得之膜，可極適合用於場效電晶體等之半導體元件、固體攝像元件、畫像顯示元件等之電子裝置及光學構件。

Claims (10)

  1. 一種壓印材料，其特徵為含有(A)成分、(B)成分、及(C)成分，其中基於前述(A)成分及前述(B)成分之合計100質量份，分別含有10至30質量份之(A)成分及90至70質量份之(B)成分，且相對於前述(A)成分及前述(B)成分之總質量，前述(C)成分之含有量為1phr至20phr；(A)成分：於分子內具有5個至6個之聚合性基之化合物，且前述化合物包括二季戊四醇六丙烯酸酯或二季戊四醇六甲基丙烯酸酯(B)成分：於分子內具有2個聚合性基之化合物，且前述化合物包括新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯(C)成分：光自由基產生劑。
  2. 如請求項1之壓印材料，其中進一步含有溶劑作為(D)成分。
  3. 如請求項1或請求項2之壓印材料，其中進一步含有於分子內具有2個以上聚合性基之聚矽氧化合物作為(E)成分。
  4. 如請求項1或請求項2之壓印材料，其中前述(A)成分及前述(B)成分係將具有選自由丙烯醯氧基及甲基丙烯醯氧基所成群之至少1種之有機基作為聚合性基之化合物。
  5. 一種經轉印圖型之膜，其特徵係由如請求項1至 請求項4中任一項之壓印材料所製作者。
  6. 一種光學構件，其特徵為在基材上具備如請求項5之經轉印圖型之膜。
  7. 一種固體攝像元件，其特徵為在基材上具備如請求項5之經轉印圖型之膜。
  8. 一種半導體元件，其特徵為在基材上具備如請求項5之經轉印圖型之膜。
  9. 一種畫像顯示元件，其特徵為在基材上具備如請求項5之經轉印圖型之膜。
  10. 一種電子裝置，其特徵為在基材上具備如請求項5之經轉印圖型之膜。
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