TWI473200B - 具有氣體導引開口之基板支撐件 - Google Patents

Description

具有氣體導引開口之基板支撐件

在此所揭示之實施例大體而言係有關於一種在一處理腔室內將一基板實質上緊靠一基板支撐件設置的設備及方法。

因為對於較大平面顯示器(FPDs)及較大太陽能面板的需求持續成長，用來形成FPDs及太陽能面板的基板尺寸也隨之成長。隨著基板尺寸增加，用來處理基板的腔室也增加。按一定尺寸製作腔室以處理表面積大於約兩平方公尺的基板並不罕見。

可執行例如電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、以及化學氣相沉積(CVD)等沉積製程以在該等大面積基板上沉積預期沉積層。也可在該等大面積基板上執行例如蝕刻(電漿或液態)等移除製程。

就半導體晶圓處理而言，該等晶圓可擁有約200毫米或約300毫米的直徑。咸信下世代半導體晶圓的直徑會是約400毫米。因此，半導體晶圓的表面積係顯著小於大面積基板的表面積。

將半導體晶圓處理腔室的尺寸升級成用來處理大面積基板的尺寸並不容易。可能會產生許多障礙，例如在該腔室內維持均勻的電漿、提供足夠的功率以在該腔室內產生電漿、以及清潔該腔室，這些僅是一小部分。此外，半導體晶圓通常是圓形基板，而許多大面積基板是多邊形或矩形。升級一圓形處理腔室來處理一大面積矩形或多邊形基板可能行不通。

因此，存有對於一種處理大面積基板的處理腔室之需要。

在此所揭示之實施例大體而言係有關於一種在一處理腔室內將一基板實質上緊靠一基板支撐件設置的設備及方法。在將一大面積基板設置在一基板支撐件上時，該基板可能因為存在於該基板和該基板支撐件之間的氣泡而無法完全緊靠該基板支撐件。該等氣泡可造成該基板上之不均勻沉積。因此，從該基板和該基板支撐件之間抽出氣體可實質上吸附該基板緊靠該基板支撐件。在沉積期間，靜電可能會累積並導致該基板黏附在該基板支撐件上。藉由在該基板和該基板支撐件之間通入一氣體，可克服該靜電力，而可在較少或沒有電漿支撐下將該基板從該基座分離，其需要額外的時間和氣體。

在一實施例中，揭示一種設備。該設備可包含一基板支撐件，其擁有一或多個具備一第一直徑的第一孔穿透其間，一真空幫浦，在對應該一或多個第一孔處與該基板支撐件耦結，以及一氣體供應器，在對應該一或多個第一孔處與該基板支撐件耦結。

在另一實施例中，揭示一種方法。該方法包含將一基板嵌入一處理腔室，將該基板設置在一或多個舉升梢上，將一基板支撐件從與該基板隔開的位置升至與該基板接觸的位置，以及從該基板和該基板支撐件之間的任何空間排空氣體，而將該基板拉引至實質上與該基板支撐件緊靠的位置。該排空係透過該基板支撐件發生。

在另一實施例中，一種方法包含在含有一基板支撐件的處理腔室內點燃一電漿，該基板支撐件具有一基板在其上，在該基板支撐件和該基板之間注入一第一氣體，以及降低該基板支撐件或升高一或多個舉升梢，以隔開該基板和該基板支撐件。

在此揭示的實施例會關於PECVD腔室做描述。一適合的PECVD腔室可從AKT美國公司購得，其為加州聖塔克拉拉的應用材料公司之子公司。應了解在此揭示的實施例可在其他處理腔室內實施，包含其他製造商所販售者。

第1A圖係根據一實施例之一設備100的概要剖面圖，其中該基板146係經升高至該基板支撐件104上方。該基板146起初係透過存在於該腔室之至少一側壁102上的流量閥開口148引進該腔室。該基板146係經設置在該基板支撐件104上方該舉升梢124、126上。

與該基板支撐件104相對處可存在一氣體分配噴頭106。該噴頭106可擁有複數個氣體通道108延伸通過其間。可從一氣源110饋送處理氣體及/或清潔氣體至該腔室。可利用一選擇性開啟及關閉的閥門112來調節所傳送的處理及/或清潔氣體量。該處理氣體通過與該背板118耦結的管路114行進至該處理腔室，而使該氣體流經該噴頭106上方的背板118並延伸進入該背板118和該噴頭106之間的氣室120。該氣室120使該氣體可在通過該等氣體通道108之前在該噴頭106後方實質上平均分布，因此通過該等氣體通道108接近中心處的處理氣體量實質上等於通過該等氣體通道108接近該噴頭106邊緣處的氣體量。

一功率源116可與該處理腔室耦結。在一實施例中，該功率源116可包含能夠以約10MHz和約100MHz之間的頻率輸送電流之RF功率源。該功率源116可與該管路114耦結。RF電流僅穿透進入導電材料一特定、可預定的距離。該預定穿透有時被稱為「集膚效應」。因為RF電流的「集膚效應」，該管路114可以是導電的，以容許該RF電流沿著該外部表面行進，同時容許該氣體流經該管路114內部。該管路114內的氣體因為該「集膚效應」而不會「見到」該RF電流，因此不會在該管路114內點燃成電漿。

該RF電流從該功率源116行進至該管路114。該RF電流然後沿著該管路114的外部表面往下行進至該背板118。該RF電流會沿著該背板118的背側行進而非貫穿該背板118，因為該背板118是導電的。電氣耦結該噴頭106至該背板118的托架152也是導電的，因此該RF電流沿著該托架152的表面行進至該噴頭106的前表面。該RF電流然後在該處理區154內點燃該處理氣體成為電漿。

RF電流會回到驅策它的來源。因此，該RF電流會試圖返回該功率源116。該RF電流會沿著該基板支撐件104行進，下行至該台座136，沿著該腔室底部132行進，上行該腔室側壁102，沿著該上蓋122底部行進並回到該功率源116。應了解可藉由該基板支撐件104和該底部132及/或側壁102之間的耦結條來縮短該RF返回路徑。

在處理期間，該處理氣體係從該氣源110輸送至該腔室，通過該管路114進入該背板118和該噴頭106之間的氣室120。該氣體然後在該氣室120內平均分布，而後通過該等氣體通道108進入該處理區154。該RF電流，其從該功率源116沿著該管路114、該背板118的背表面、該托架152、以及該噴頭106的前表面行進，在該處理區154內點燃該氣體成為電漿。材料然後沉積在該基板146上。

在處理前，該基板146最初係置於一端效器上通過該流量閥開口148設置至該處理腔室內。該端效器降低該基板146並將該基板146設置在該等舉升梢124、126上。該等舉升梢124、126擱置在該腔室底部132上。該端效器然後撤回。可利用一真空幫浦128排空該處理腔室。可利用一被開啟及關閉的閥門130來控制真空水準。

在將該基板146設置在該等舉升梢124、126上並且該端效器撤出該腔室之後，可利用一致動器134升高該基板支撐件104，而使該基板146擱置在該基板支撐件104上。第1B圖係第1A圖之設備的概要剖面圖，其中該基板146擱置在該基板支撐件104上。當該基板支撐件104升高至該處理位置時，該等舉升梢124、126被舉離該腔室底部132。

應了解雖然基於該等舉升梢124、126係擱置在該腔室底部132並且該基板支撐件104相對於該等舉升梢124、126移動來進行說明，但包含在此的討論同樣可應用在該等舉升梢124、126能夠獨立於該基板支撐件104移動的情況。例如，該基板支撐件104可保持不動，而該等舉升梢124、126上升及下降以將該基板146從與該基板支撐件104隔開的位置移至與該基板支撐件104接觸的位置。此外，該基板支撐件104和該等舉升梢124、126兩者均可獨立移動，而使該等舉升梢124、126在該基板支撐件104上升的同時下降，反之亦然。在此所討論的中心至邊緣漸進及在此所討論的邊緣至中心漸進可應用在每一種情況中。

因為該基板146非常大，在某些情況中表面積至少兩平方公尺，該基板146可能無法完全緊靠該基板支撐件104。因此，縫隙156可能存在於該基板146和該基板支撐件104之間。該等縫隙156可能有若干起因。一個起因是加熱該基板146會使該基板146彎曲。該基板146最初可能在進入該腔室時被加熱。該腔室的溫度可能因為前一個製程期間對於該腔室的加熱而大於該基板的溫度。在某些情況中，前一個製程內的電漿會將該腔室加熱至約200℃的溫度。但是，該基板146會在從一負載鎖定室取出後置入該處理腔室。該基板146可能，就在進入該腔室之前，處於低於該腔室的溫度下，因此在進入該腔室時彎曲。

此外，該等縫隙156可能會因為該基板支撐件104上升接觸該基板146時，氣體不慎被困在該基板146和該基板支撐件104之間而存在。舉升梢126比舉升梢124短。因此，當該基板支撐件104上升時，該基板146在中心處接觸該基板支撐件104，並且通常橫移至該基板146邊緣。在此種橫移中，該基板146和該基板支撐件104之間的氣體通常會從該基板146和該基板支撐件104之間擠出。但是，某些氣體會繼續困在該基板146和該基板支撐件104之間，而在其間產生縫隙156。

該基板146和該基板支撐件104之間的縫隙156造成該基板146上的不均勻沉積表面158。該不均勻沉積表面158可在其上造成不均勻沉積，包含沒有發生同樣多的沉積之薄點(thin spots)。不希望受限於理論除非明確主張，咸信該等縫隙156會造成薄點。該等薄點可能因為沉積材料傾向於沉積在較低區域內並累積而形成在該基板146上。該材料會繼續沉積直到達到預期厚度為止。一旦達到預期厚度，預期該薄膜的頂表面實質上是平坦的。而當縫隙156存在時，沉積層看起來可能是平均的。但是，一旦從該腔室移出該基板146並且實質上攤平，沉積在該基板146上的材料便不再平坦，而會留下薄點。

薄點會形成的另一個原因是來自電漿密度。從該功率源116沿著該管路114、背板118、托架152、及噴頭106行進的RF電流點燃該處理氣體成為電漿。該噴頭106係被視為RF「活躍(hot)」，因為該RF電流係直接施加至該噴頭106。該基板支撐件104，反之，是該RF返回路徑的一部分。某些人將該基板支撐件104稱為陽極，與陰極或噴頭106相對比。雖然如此，來自該電漿的RF電流沿著該基板支撐件104行進，最終回到該功率源116。該RF電流透過該基板146與該基板支撐件104耦合。由於該基板146因為該等縫隙156的緣故實質上並沒有緊靠該基板支撐件104，該RF電流在對應該等縫隙156處不會與該基板支撐件104耦合。在該等縫隙156處RF電流不與該基板支撐件104耦合，該電漿會在該腔室內不均勻分散。該不均勻的電漿分佈會造成該基板146上的不均勻沉積。

為了克服不均勻電漿分佈，使該基板146實質上緊靠該基板支撐件104會是有助益的。當該基板146實質上緊靠該基板支撐件104時，實質上應無縫隙156會存在，並且該RF電流能夠在實質上整個基板146底表面處透過該基板146與該基板支撐件104耦合。第1C圖係第1A圖之設備的概要剖面圖，其中該基板146實質上緊靠該基板104擱置。為了拉引該基板146使其實質上緊靠該基板支撐件104，除去困在該基板146和該基板支撐件104之間的氣體，因此除去該等縫隙156。

如上所述，該基板146最初係利用一端效器設置在該等舉升梢124、126上。該端效器然後撤出該腔室。該基板支撐件104接著上升以接觸該基板146。該基板146以中心至邊緣漸進的方式與該基板支撐件104接觸，直到該基板146由該基板支撐件104而非該等舉升梢124、126支撐為止。與該基板146類似，該等舉升梢124、126係由該基板支撐件104支撐。可藉由從該等縫隙156排空該氣體來除去任何繼續困在該基板146和該基板支撐件104之間的氣體，因此拉引該基板146實質上緊靠該基板支撐件104。可利用與該基板支撐件104耦結的真空幫浦140排空該等縫隙156。通過該基板支撐件104的一或多個開口150使該氣體可被吸引通過該基板支撐件104並經由該真空幫浦140離開該腔室。可依需要開啟及關閉一閥門142，以控制從該真空幫浦140抽出的真空。

除了抽出困在該等縫隙156內的任何氣體外，該基板146可進行電漿負載(plasma loaded)或預電漿負載。電漿負載係一種熱遷移(thermophoresis)製程，其係用來加熱該基板146至大於其環境的溫度。因為該基板146係經加熱至大於其環境的溫度，任何帶負電粒子或其他污染物傾向於被吸引朝向最冷表面移動。當一基板146被置入一處理腔室時，該基板146可能是最冷表面，因此，有受到污染的風險。藉由加熱該基板146至大於環境的溫度，帶負電粒子會移動至該基板146以外的表面。電漿負載，其與預電漿負載不同，牽涉到快速升高該基板146的溫度。

一電漿負載程序包含將一基板146嵌入一處理腔室內，並將該基板146置於該基板支撐件104上。在將該基板146置於該基板支撐件104上之前沒有電漿被點燃。然後，增加該腔室壓力至高於正常處理壓力。通入例如鈍氣的的惰性氣體或不與該基板146產生化學反應的氣體至該腔室內，並點燃成為電漿。該電漿加熱該基板至大於另一個電極(在一PECVD系統中為噴頭106)的溫度。然後，熄滅電漿，排空氣體，並降低壓力至正常水準。接著可處理該基板146。或者，電漿負載可包含在該基板支撐件104上移以與該基板146接觸的同時點燃電漿。除了該電漿負載之外尚可排空該等縫隙156。

預電漿負載，另一方面，係一種輔助該基板146與該基板支撐件104接觸的製程。就預電漿負載而言，一基板146在其被引入一處理腔室時係由一端效器支撐。該端效器然後下降以將該基板146置於該等舉升梢124、126上，其係從該腔室底部132延伸通過該基板支撐件104。一旦該基板146已擱置在該等舉升梢124、126上，該端效器即從該腔室撤出。

在該基板146擱置在該等舉升梢124、126上時並且在該基板146擱置在該基板支撐件104上之前，可將一氣體通入該腔室。該氣體可包含不會與該基板146化學反應或在該基板146上造成任何沉積的氣體。可用氣體的範例包含氫氣、氮氣、氨氣、氬氣、及其組合物。然後點燃該氣體成為電漿。

與電漿沉積期間發生的情況類似，靜電會形成在該基板146及/或該基板支撐件104上。可中斷施加來點燃該電漿的功率，然後可將該腔室抽真空至處理用的基礎壓力。接著可升高該基板支撐件104，並且該基板146可以中心至邊緣的方式慢速接觸該基板支撐件104。該基板支撐件104在無任何氣體或電漿的情況下升高直到該基板146由該基板支撐件104支撐為止。僅在電漿熄滅後始升高該基板支撐件104。

累積在該基板146及/或該基板支撐件104上的靜電可拉引該基板146使其與該基板支撐件104有更大接觸，而使可能存在於該基板146和該基板支撐件104之間的縫隙156量可以減少至低於沒有預電漿負載製程下會存在者。

然後可利用該真空幫浦140透過該等開口150排空仍困在該等縫隙156內的任何氣體，以拉引該基板146實質上緊靠該基板支撐件104。一旦該基板146係由該基板支撐件104支撐，可通入處理氣體至該腔室內並利用RF功率點燃成為電漿。因此可處理該基板146。

一旦處理已經完成，可將該基板146功率舉升該基板支撐件104。為了將該基板146從該基板支撐件104功率舉升，可通入一氣體至該腔室內。該氣體可以是不會與所處理的基板146發生化學反應的氣體。若使用會與該基板146發生化學反應的氣體，則會發生不預見的基板146處理。因此，該氣體相對於所處理的基板146應是化學惰性的。在一實施例中，該氣體可選自氫氣、氮氣、氬氣、及氨氣。

將被通入的氣體點燃成電漿。在一實施例中，用來點燃電漿的RF功率係低於施加來產生在該基板146上沉積材料所用的電漿之RF功率。所處理的基板146係經暴露在該電漿下一段預定時間。在一實施例中，該時間段係介於約5秒和約15秒之間。不希望受到理論限制，咸信不反應的氣體之電漿除去、降低或重分配累積在該基板146以及基板支撐件104上的靜電，而使該基板146可從與該基板支撐件104的接觸移開而不會傷害該基板146。靜電的除去、降低或重分配可減少該基板146和該基板支撐件104之間的黏滯效應，因此使該基板146可以更容易與該基板支撐件104分離。藉由使用比用於材料沉積者低的功率，可限制該功率舉升期間施加至該基板146及該基板支撐件104的電荷。

為了在功率舉升後將該基板146從該基板支撐件104分離，降低該基板支撐件104，而該基板146係由該等舉升梢124、126支撐。該基板146以邊緣至中心漸進的方式從該基板支撐件104分離。但是，該基板146遠離該基板146邊緣的區域仍可能黏附在該基板支撐件104上。若該基板146黏附在該基板支撐件104上，該基板146會斷裂或受損。為了同時克服該黏滯效應，可在該基板146和該基板支撐件104之間通入氣體。

可通入氣體以在該基板146和該基板支撐件104之間形成縫隙156。該等縫隙156可減少該基板146和該基板支撐件104之間的黏滯效應，以輔助將該基板146從該基板支撐件104移開。可藉由開啟一閥門144並使氣體從一氣源138透過該等開口150通入該基板146和該基板支撐件104之間來通入氣體。來自該氣源138的氣體可包含不會與該基板146發生化學反應或在該基板146上造成任何沉積的氣體。可用氣體的範例包含氫氣、氮氣、氨氣、氬氣、及其組合物。可在該功率舉升之外在該基板146和該基板支撐件104間通入氣體。可在該功率舉升之前，該功率舉升的同時，或在該功率舉升之後通入該氣體以形成該等縫隙156。

第2圖係根據一實施例之基板支撐件200的概要上視圖。該基板支撐件具有用於外部舉升梢的開口202及用於內部舉升梢的開口204。該等開口202、204擁有實質上相同的直徑。也存在開口206以透過該基板支撐件200通入或抽出氣體。該等開口202、204與該基板支撐件 200中心的間距大於開口206與該基板支撐件200中心的間距。應了解雖然示出四個開口206，但可存在更多或更少開口206。此外，雖然該等開口206被示為設置在該等開口204附近，但除了第2圖所示位置外，或是做為另一種選擇，該等開口206可以位於其他位置。該等開口206的直徑係經示為大於該等開口202、204的直徑，但應了解該等開口206可擁有與該等開口202、204相同的直徑或是較小的直徑。

在此所述實施例有眾多優勢。藉由從一基板及一基板支撐件之間抽出氣體，可使一基板與該基板支撐件緊密接觸，而使該基板實質上緊靠該基板支撐件。由於該基板實質上緊靠該基板支撐件，材料可均勻沉積在該基板上。藉由在該基板和該基板支撐件之間通入氣體，可克服保持該基板與該基板支撐件緊密接觸的黏滯力，因此可更容易地將該基板從與該基板支撐件接觸的狀態移開。因此，可克服大面積基板的均勻性問題及折損問題。

雖然前述係針對本發明實施例，但可在不背離其基本範圍下設計出本發明之其他及進一步實施例，並且其範圍係由如下申請專利範圍界定。

100‧‧‧設備

102‧‧‧側壁

104、200‧‧‧基板支撐件

106‧‧‧噴頭

108‧‧‧氣體通道

110、138‧‧‧氣源

112、130、142、144‧‧‧閥門

114‧‧‧管路

116‧‧‧功率源

118‧‧‧背板

120‧‧‧氣室

122‧‧‧上蓋

124、126‧‧‧舉升梢

128、140‧‧‧幫浦

132‧‧‧腔室底部

134‧‧‧致動器

136‧‧‧台座

146‧‧‧基板

148‧‧‧流量閥開口

150、202、204、206‧‧‧開口

152‧‧‧托架

154‧‧‧處理區

156‧‧‧縫隙

158‧‧‧不均勻沉積表面

因此可以詳細瞭解上述本發明之特徵結構的方式，即對本發明更明確的描述，簡短地在前面概述過，可藉由參考實施例來得到，其中某些在附圖中示出。但應注意 的是，附圖僅示出本發明之一般實施例，因此不應視為係對其範圍之限制，因為本發明可允許其他等效實施例。

第1A圖係根據一實施例之一設備的概要剖面圖，其中該基板係經升高至該基板支撐件上方。

第1B圖係第1A圖之設備的概要剖面圖，其中該基板擱置在該基板支撐件上。

第1C圖係第1A圖之設備的概要剖面圖，其中該基板實質上緊靠該基板支撐件擱置。

第2圖係根據一實施例之一基板支撐件的概要上視圖。

為了促進了解，在可能時使用相同的元件符號來表示該等圖式共有的相同元件。預期到在一實施例中揭示的元件可有利地用於其他實施例而不需特別詳述。

100．．．設備

102．．．側壁

104．．．基板支撐件

106．．．噴頭

108．．．氣體通道

110、138．．．氣源

112、130、142、144．．．閥門

114．．．管路

116．．．功率源

118．．．背板

120．．．氣室

122．．．上蓋

124、126．．．舉升梢

128、140．．．幫浦

132．．．腔室底部

134．．．致動器

136．．．台座

146．．．基板

148．．．流量閥開口

150．．．開口

152．．．托架

154．．．處理區

156．．．縫隙

158．．．不均勻沉積表面

Claims (23)

1. 一種處理一基板的設備，包含：一基板支撐件，該基板支撐件擁有複數個穿透該基板支撐件的第一孔，該複數個第一孔具備一第一直徑；一真空幫浦，該真空幫浦與該基板支撐件內的該複數個第一孔的每一個耦結；以及一氣體供應器，該氣體供應器與該基板支撐件內的該複數個第一孔的每一個耦結，其中該設備係一電漿增強化學氣相沉積設備。
2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該基板支撐件擁有複數個穿透該基板支撐件的第二孔，該複數個第二孔具備一第二直徑，該設備更包含：一舉升梢，該舉升梢可移動地設置在該複數個第二孔的每一個內。
3. 一種處理一基板的設備，包含：一基板支撐件，該基板支撐件擁有複數個穿透該基板支撐件的第一孔，該複數個第一孔具備一第一直徑；一真空幫浦，該真空幫浦與該基板支撐件內的該複數個第一孔的每一個耦結；以及一氣體供應器，該氣體供應器與該基板支撐件內的該複數個第一孔的每一個耦結，其中該設備係一電漿增強 化學氣相沉積設備，其中該基板支撐件擁有複數個穿透該基板支撐件的第二孔，該複數個第二孔具備一第二直徑，該設備更包含：一舉升梢，該舉升梢可移動地設置在該複數個第二孔的每一個內，其中該複數個第二孔與該基板支撐件中心的間距大於該複數個第一孔與該基板支撐件中心的間距。
4. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該基板支撐件係與一支撐桿耦結，該設備更包含：一或多個管路，該一或多個管路延伸通過該支撐桿並在對應該複數個第一孔的位置處與該基板支撐件耦結，該一或多個管路另外與該氣體供應器和該真空幫浦的至少一者耦結。
5. 一種處理一基板的方法，依序包含：將一基板設置在一基板支撐件上，其中一第一氣體存在於該基板與該基板支撐件的一支撐表面之間；操作一幫浦以透過該支撐表面排空該第一氣體，以致將該基板拉引至一實質上與該支撐表面緊靠的位置；將一第二氣體注入該處理腔室中；在該處理腔室中將該第二氣體點燃成一電漿；及透過該支撐表面注入一第三氣體，以隔開該基板的至少一部分與該支撐表面。
6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第三氣體係一鈍氣(noble gas)。
7. 如申請專利範圍第5項所述之方法，更包括至少在該第三氣體之輸送開始之後，在該支撐表面與一或多個舉升梢之間引發相對移動，以致該整個基板與該基板支撐件分隔。
8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中在該基板與該一或多個舉升梢之間的相對移動過程中，該基板以一邊緣至中心的漸進方式與該支撐表面分隔。
9. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中將一基板設置在一基板支撐件上的步驟包括在該基板支撐件與一或多個舉升梢之間引發相對移動，以設置該基板接觸該支撐表面。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該基板擱置在該一或多個舉升梢上，且該基板的一中心朝向該支撐表面下垂。
11. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第三氣體相對於經處理之該基板是化學惰性的。
12. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第三氣體包括氫氣、氮氣、氨氣或氬氣。
13. 如申請專利範圍第5項所述之方法，更包括在該第三氣體之導入的同時，在該支撐表面與一或多個舉升梢之間引發相對移動。
14. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中一或多個開口分散橫跨該基板支撐件以按比例地覆蓋該基板支撐件的一支撐表面。
15. 一種處理一基板的方法，依序包含：將該基板設置在一處理腔室中之一或多個舉升梢上；相對於該一或多個舉升梢移動一基板支撐件，以致將該基板設置在該基板支撐件的一支撐表面上，其中一第一氣體留在該基板與該支撐表面之間；操作一幫浦以真空固持該基板至該支撐表面，以致將該基板拉引至一實質上與該支撐表面緊靠的位置；將一第二氣體注入該處理腔室中；在該處理腔室中將該第二氣體點燃成一電漿；熄滅該電漿；及透過該支撐表面中形成之一或多個開口注入一第三氣體，以隔開該基板的至少一部分與該支撐表面。
16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第三氣體係一鈍氣。
17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該基板擱置在該一或多個舉升梢上，以致在將該基板設置在一處理腔室中之一或多個舉升梢上的過程中，該基板的一中心朝向該支撐表面下垂。
18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中在相對於該一或多個舉升梢移動一基板支撐件的過程中，該基板以一中心至邊緣的漸進方式接觸該支撐表面。
19. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中在相對於該一或多個舉升梢移動一基板支撐件的過程中，該基板以一中心至邊緣的漸進方式接觸該支撐表面。
20. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該些舉升梢的一或多者獨立於該基板支撐件移動。
21. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包括在注入該第三氣體之後，相對於該一或多個舉升梢移動該基板支撐件。
22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該第三氣體包括氫氣、氮氣、氨氣或氬氣。
23. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該一或多個開口分散以按比例地覆蓋該基板支撐件的一支撐表面。