TWI470815B - 矽基太陽能電池及其製造方法 - Google Patents

Description

矽基太陽能電池及其製造方法

本發明係關於一種矽基太陽能電池(silicon-based solar cell)及其製造方法，並且特別地，本發明乃關於一種具有特殊背電極(back electrode)結構的矽基太陽能電池及其製造方法。

光伏元件(photovoltaic device)因為其將發自一光源(例如，太陽光)中容易取得的能量轉換成電力，以操控例如，計算機、電腦、加熱器…，等電子裝置，所以光伏元件已被廣泛地使用。最常見的光伏元件即為矽基太陽能電池。

矽基太陽能電池係指利用取自單晶矽晶棒或多晶矽鑄錠之結晶矽基材所製作的太陽能電池。矽基太陽能電池之所以廣泛地被運用，主要是其在技術上的三大突破：(1)表面鈍化技術；(2)切割結晶矽基材的線切割技術；以及(3)銀製正電極(front electrode)與鋁製背電極的共燒技術(co-firing)。

結晶矽基材的表面原子不像內部原子一般友共價鍵結，而有許多空的懸浮鍵。表面鈍化技術即是利用例如氫原子鈍化熱氧化或退火等方式，讓表面鈍化，減少載子在表面復合的機率，以提升矽基太陽能電池的光電轉換效率。

切割結晶矽基材的線切割技術可以讓結晶矽基材的厚度減少，進而降低矽基太陽能電池的製造成本。線切割技術讓商用的結晶矽基材的厚度從原本的200μm降至180μm，甚至降至160μm、150μm以下。

在矽基太陽能電池上形成電極的先前技術，先在矽基太陽能電池的正表面及背表面上塗佈金屬漿料後，需要執行兩次燒結程序，才能形成具有良好的歐姆接觸之金屬電極。典型的矽基太陽能電池，其正表面塗佈導電銀漿，其背表面塗佈導電鋁漿以及導電銀漿(或導電銀鋁漿)。共燒技術則只需執行一次燒結程序，即同時形成具有良好的歐姆接觸的正電極以及供焊接用的匯流排電極(bus bar)、鋁形成的背電極以及供焊接用的匯流排電極。鋁局部擴散至矽基太陽能電池的背表面裡，形成了背表面電場(back surface filed,BSF)。背表面電場反射少數載子並增加多數載子的收集再傳輸至銀或銀鋁形成的背電極，進而提升矽基太陽能電池的整體效能。

背電極的厚度也會影響矽基太陽能電池的整體效能。以往採用厚度200μm結晶矽基材所製造的太陽能電池，背電極的厚度可達約60μm，不至影響矽基太陽能電池的整體效能，也不會降低矽基太陽能電池的製造良率。然而，隨著結晶矽基材的厚度降至180μm，由於形成背電極的金屬漿料(例如，導電鋁漿)幾乎全面被覆矽基太陽能電池的背表面，並且由於在燒結過程中導電漿料與結晶矽基材之熱膨脹係數的差異，厚度約60μm的金屬漿料在形成背電極的過程會造成矽基太陽能電池翹曲，進而造成翹曲的矽基太陽能電池在後續封裝時破裂。因此，目前採用厚度180μm之結晶矽基材的矽基太陽能電池，其背電極的厚度已降至40μm，以避免在共燒製程中造成矽基太陽能電池翹曲。但是此種降低背電極厚度的做法，也多少降低矽基太陽能電池的整體效能。

此外，共燒完成正電極、背電極以及匯流排電極的前提，是在共燒過程中，正電極、背電極以及匯流排電極造成的熱膨脹不致造成矽基太陽能電池翹曲。因此，實務上，採用共燒技術時，若基於成本或效能等因素，須換掉原採用形成背電極的金屬漿料(例如，導電鋁漿)，則須將其他金屬漿料一併換掉，這是需多次嘗試、耗時、降低產能的工作，常常讓人卻步。

因此，本發明所欲解決的技術問題在於提供一種矽基太陽能電池及其製造方法。並且，根據本發明之矽基太陽能電池具有特殊背電極結構，以避免在共燒製程中造成矽基太陽能電池翹曲。

因此，本發明之另一面向在於提供一種矽基太陽能電池及其製造方法。並且，根據本發明之矽基太陽能電池其結晶矽基材可降至約170μm以下的厚度，且其背電極具有厚達約40μm以上的厚度，以提升矽基太陽能電池的整體效能，降低矽基太陽能電池的製造成本。

根據本發明之一較佳具體實施例之一矽基太陽能電池，其包含一半導體結構組合、一正電極、至少一背面匯流排電極以及一背電極。該半導體結構組合包含至少一p-n接面，並且具有一正表面以及一背表面。該正電極係形成在該半導體結構組合之該正表面上。該至少一背面匯流排電極係形成在該半導體結構組合之該背表面上。該背電極係形成在該半導體結構組合之該背表面上，且覆蓋該背表面上形成該至少一背面匯流排電極以外的區域。特別地，該背電極並且具有至少一第一溝槽。

於一具體實施例中，每一第一溝槽內該背電極可以具有一第一殘留厚度，也可以沒有殘留厚度。

於一具體實施例中，每一第一溝槽係大致與該至少一背面匯流排電極垂直。

於一具體實施例中，該背電極並且具有至少一第二溝槽，每一第二溝槽係大致與該至少一背面匯流排電極平行。

於一具體實施例中，每一第二溝槽內該背電極可以具有一第二殘留厚度，也可以沒有殘留厚度。

於一具體實施例中，該半導體結構組合包含一結晶矽基材。該結晶矽基材之厚度小於約170μm，並且該背電極之厚度大於約40μm。

於一具體實施例中，該至少一背面匯流排電極大致上係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物所形成。

於一具體實施例中，該至少一正電極大致上係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物所形成。

於一具體實施例中，該背電極大致上係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物所形成。

根據本發明之一較佳具體實施例之一種製造矽基太陽能電池的方法，首先，係形成一半導體結構組合。該半導體結構組合包含至少一p-n接面，並且具有一正表面以及一背表面。接著，該方法係在該半導體結構組合之該正表面上，塗佈具有一第一圖案之一第一導電漿。該第一圖案對應一正電極。接著，該方法係在該半導體結構組合之該背表面上，塗佈具有一第二圖案之一第二導電漿。該第二圖案對應一背電極。接著，該方法係在該半導體結構組合之該背表面上，塗佈具有一第三圖案之一第三導電漿。該第三圖案對應至少一背面匯流排電極。最後，該方法係對上一步驟之結構執行一共燒製程，具有該第一圖案之該第一導電漿即燒結成該正電極，具有該第二圖案之該第二導電漿即燒結成該背電極，且有該第三圖案之該第三導電漿即燒結成該至少一背面匯流排電極。特別地，該背電極具有至少一第一溝槽。每一第一溝槽內該背電極可具有一第一殘留厚度。

於一具體實施例中，該第一導電漿係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物形成之顆粒混合成的導電漿。

於一具體實施例中，該第二導電漿係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物形成之顆粒混合成的導電漿。

於一具體實施例中，該第三導電漿係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物形成之顆粒混合成的導電漿。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。

本發明係提供一種矽基太陽能電池及其製造方法。並且，根據本發明之矽基太陽能電池具有特殊背電極結構，以避免在共燒製程中造成矽基太陽能電池翹曲。並且，根據本發明之矽基太陽能電池其結晶矽基材可降至約170μm以下的厚度，且其背電極具有厚達約40μm以上的厚度，以提升矽基太陽能電池的整體效能，降低矽基太陽能電池的製造成本。進一步，根據本發明之矽基太陽能電池利於往後基於成本或效能等因素，汰換掉原採用的金屬漿料。

請參閱第1圖、第2圖、第3圖及第4圖，第1圖係本發明之一較佳具體實施例之矽基太陽能電池1的底視圖。第2圖係本發明之一較佳具體實施例之矽基太陽能電池1的頂視圖。第3圖係沿第1圖及第2圖中A-A線的剖面視圖。第4圖係沿第1圖及第2圖中B-B線的剖面視圖。

如第1圖、第2圖、第3圖及第4圖所示，本發明之矽基太陽能電池1包含一半導體結構組合10、一正電極12、一背電極14以及至少一背面匯流排電極(16a、16b)。該半導體結構組合10包含至少一p-n接面106，並且具有一正表面102以及一背表面104。該正表面102朝上，將面向太陽。為降低入射太陽光的反射率，如第3圖及第4圖所示，該正表面102經粗紋化處理成粗糙表面為佳。

該正電極12係形成在該半導體結構組合10之該正表面102上。如第2圖所示，該正電極12包含線寬較細的網柵電極(grid)122以及線寬較粗的至少一正面匯流排電極124。該至少一正面匯流排電極124係沿第1圖中Y方向排列，且供該矽基太陽能電池1串聯時焊接之用。一般矽基太陽能電池1會有兩條或三條正面匯流排電極124。

於一具體實施例中，該網柵電極122以及該至少一正面匯流排電極124大致上係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金、其混合物或其他能與矽形成良好歐姆接觸之金屬所形成。該該網柵電極122以及該至少一正面匯流排電極124大致上係由銀形成者為佳。

該至少一背面匯流排電極(16a、16b)係形成在該半導體結構組合10之該背表面104上，且供該矽基太陽能電池1串聯時焊接之用。於如第1圖所示的案例中，三條排成一欄的背面匯流排電極16a與三條排成一欄的背面匯流排電極16b成對稱排列，且沿第1圖中Y方向排列。

該背電極14係形成在該半導體結構組合10之該背表面104上，且覆蓋該背表面104上形成該至少一背面匯流排電極(16a、16b)以外的區域。實務上，該正電極12、該背電極14以及該至少一背面匯流排電極(16a、16b)係藉由一共燒製程所形成。

於一具體實施例中，該背電極14大致上係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金、其混合物或其他能與矽形成良好歐姆接觸之金屬所形成。該背電極14大致上係由鋁形成者為佳。於共燒製程中，形成該背電極14的鋁局部擴散至該半導體結構組合10的背表面104裡，形成了背表面電場。背表面電場反射少數載子並增加多數載子的收集再傳輸至該至少一背面匯流排電極(16a、16b)，進而提升該矽基太陽能電池1的整體效能。如第1圖所示，該三條背面匯流排電極16a與該背面匯流排電極16b成對稱排列，該三條背面匯流排電極16a負責收集第1圖面左半邊的多數載子，該背面匯流排電極16b負責收集第1圖面右半邊的多數載子。該三條背面匯流排電極16a與該背面匯流排電極16b成類似虛線的排列，可增加鋁形成背表面電場的面積，以提升該矽基太陽能電池1的整體效能。本發明之矽基太陽能電池1的背面匯流排電極，也可以如傳統矽基太陽能電池的背面匯流排電極一樣，為兩條或三條從該矽基太陽能電池1的邊緣延續至相對的邊緣之電極。

於一具體實施例中，該至少一背面匯流排電極(16a、16b)大致上係由鋁、銀、銀與鋁的混合物或其他能與矽形成良好歐姆接觸之金屬所形成。該至少一背面匯流排電極(16a、16b)大致上係由銀/鋁或銀形成者為佳。

特別地，該背電極14並且具有至少一第一溝槽142。每一第一溝槽142內該背電極14可以沒有殘留厚度。每一第一溝槽142內該背電極14也可以具有一第一殘留厚度，如第3圖所示，以降低第一溝槽142背表面電場的形成及多數載子的傳導造成的影響。

於一具體實施例中，每一第一溝槽142係大致與該至少一背面匯流排電極(16a、16b)垂直。如第1圖所示，該三條背面匯流排電極16a與該三條背面匯流排電極16b係沿第1圖中Y方向排列，每一第一溝槽142係沿第1圖中X方向排列，以中斷該背電極14的區塊沿Y方向的連續性，進而讓該背電極14在共燒過程中其熱膨脹限縮在被第一溝槽142中斷的區塊內。於實際應用中，第一溝槽142可以是如第1圖與相鄰的第一溝槽142、背面匯流排電極(16a、6b)、該矽基太陽能電池1的邊緣存有間隙。第一溝槽142也可以是連續的溝槽，從背面匯流排電極16a延續至背面匯流排電極16b，從背面匯流排電極16a或背面匯流排電極16b延續至該矽基太陽能電池1的邊緣。

於一具體實施例中，該背電極14並且具有至少一第二溝槽144。每一第二溝槽144內該背電極14可以沒有殘留厚度。每一第二溝槽144內該背電極14也可以具有一第二殘留厚度，如第4圖所示。每一第二溝槽144係大致與該至少一背面匯流排電極(16a、16b)平行。如第1圖所示，該三條背面匯流排電極16a與該三條背面匯流排電極16b係沿第1圖中Y方向排列，每一第二溝槽144係沿第1圖中Y方向排列，以減緩該背電極14在共燒過程中的熱膨脹。於如第1圖所示的案例中，該三條背面匯流排電極16a與該三條背面匯流排電極16b成對稱排列，因此，第二溝槽144以對稱排列為佳，不致影響該背面匯流排電極16a負責收集第1圖面左半邊的多數載子，該背面匯流排電極16b負責收集第1圖面右半邊的多數載子。於實際應用中，第二溝槽144可以是如第1圖與相鄰的第二溝槽144、該矽基太陽能電池1的邊緣存有間隙。第二溝槽144也可以是連續的溝槽，從該矽基太陽能電池1的邊緣延續至相對的邊緣。

於一具體實施例中，該半導體結構組合10包含一結晶矽基材101。該結晶矽基材101之厚度可以小於約170μm，甚至降至160μm、150μm以下，以降低該矽基太陽能電池1的製造成本。並且，該背電極14之厚度可以大於約40μm，甚至厚達60μm，以提升該矽基太陽能電池1的整體效能。

於一具體實施例中，該半導體結構組合10包含p型態結晶矽基材101，並且在p型態結晶矽基材101的表面植佈n型態摻雜以形成n型態區域。該半導體結構組合10包含一鈍化層108覆蓋該n型態區域，並且提供該正表面102。根據本發明之矽基太陽能電池1進一步含一抗反射層18，如第3圖及第4圖所示，該抗反射層18覆蓋該鈍化層108。

於另一具體實施例中，該半導體結構組合10包含n型態結晶矽基材101，並且在n型態結晶矽基材101的表面植佈p型態摻雜以形成p型態區域。該半導體結構組合10包含一鈍化層108覆蓋該p型態區域，並且提供該正表面102。根據本發明之矽基太陽能電池1進一步含一抗反射層18，如第3圖及第4圖所示，該抗反射層18覆蓋該鈍化層108。

於另一具體實施例中，該半導體結構組合10即為如美國專利公告號第5,935,344號所揭示的矽異質接面太陽能電池(silicon heterojunction solar cell)其結構。矽異質接面太陽能電池的結構請參考美國專利公告號第5,935,344號，在此不再贅述。

請參閱第5A圖至第5D圖，係以截面視圖根據本發明之第二較佳具體實施例之製造如第1圖沿A-A線的剖面視圖所示之矽基太陽能電池1的方法。

如第5A圖所示，根據本發明之一較佳具體實施例之方法，首先，係形成一半導體結構組合10。該半導體結構組合10包含至少一p-n接面106，並且具有一正表面102以及一背表面104。該正表面102朝上，將面向太陽。為降低入射太陽光的反射率，如第5A圖所示，該正表面102經粗紋化處理成粗糙表面為佳。於一具體實施例中，該半導體結構組合10包含一結晶矽基材101，並且該結晶矽基材101具有小於約170μm之一厚度，甚至降至160μm、150μm以下。

接著，如第5B圖所示，本發明之方法係在該半導體結構組合10之該正表面102上，塗佈具有一第一圖案之一第一導電漿12' 。該第一圖案對應一正電極12，包含線寬較細的網柵電極122以及線寬較粗的至少一正面匯流排電極124。

於一具體實施例中，該第一導電漿12' 係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物形成之顆粒混合成的導電漿，或其他商用導電金屬漿料。該第一導電漿12' 係由銀顆粒混合成的導電漿為佳。

接著，如第5B圖所示，本發明之方法係在該半導體結構組合10之該背表面104上，塗佈具有一第二圖案之一第二導電漿14' 。該第二圖案對應一背電極14。

於一具體實施例中，該第二導電漿14' 係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物形成之顆粒混合成的導電漿，或其他商用導電金屬漿料。該第二導電漿14' 係由鋁顆粒混合成的導電漿為佳。

接著，如第5B圖所示，本發明之方法係在該半導體結構組合10之該背表面104上，塗佈具有一第三圖案之一第三導電漿(16a' 、16b' )。該第三圖案對應至少一背面匯流排電極(16a、16b)。

於一具體實施例中，該第三導電漿(16a' 、16b' )係由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金或其混合物形成之顆粒混合成的導電漿，或其他商用導電金屬漿料。該第三導電漿(16a' 、16b' )係由銀顆粒與鋁顆粒混合成的導電漿為佳。

最後，如第5C圖所示，本發明之方法係對上一步驟之結構執行一共燒製程，具有該第一圖案之該第一導電漿12' 即燒結成該正電極12(包含線寬較細的網柵電極122以及線寬較粗的至少一正面匯流排電極124)，具有該第二圖案之該第二導電漿14' 即燒結成該背電極14，並且具有該第三圖案之該第三導電漿(16a' 、16b' )即燒結成該至少一背面匯流排電極(16a、16b)。特別地，該背電極14具有至少一第一溝槽142。每一第一溝槽142內該背電極14可具有一第一殘留厚度，不致影響背表面電場的形成及多數載子的傳導。

於一具體實施例中，該背電極14並且具有至少一第二溝槽144。該至少一第一溝槽142與該至少一第二溝槽144的功用、結構與排列已於上文中詳述，在此不再贅述。

於一具體實施例中，該半導體結構組合10包含p型態結晶矽基材101，並且在p型態結晶矽基材101的表面植佈n型態摻雜以形成n型態區域。如第5A圖所示，本發明之方法形成一鈍化層108覆蓋該n型態區域，該鈍化層108提供該正表面102。如第5D圖所示，本發明之方法進一步形成一抗反射層18，該抗反射層18覆蓋該鈍化層108。

於另一具體實施例中，該半導體結構組合10包含n型態結晶矽基材101，並且在n型態結晶矽基材101的表面植佈p型態摻雜以形成p型態區域。如第5A圖所示，本發明之方法形成一鈍化層108覆蓋該p型態區域，該鈍化層108提供該正表面102。如第5D圖所示，本發明之方法進一步形成一抗反射層18，該抗反射層18覆蓋該鈍化層108。

於另一具體實施例中，該半導體結構組合10即為如美國專利公告號第5,935,344號所揭示的矽異質接面太陽能電池(silicon heterojunction solar cell)其結構。矽異質接面太陽能電池的結構請參考美國專利公告號第5,935,344號，在此不再贅述。

於一具體實施例中，該半導體結構組合10包含一結晶矽基材101。該結晶矽基材101之厚度可以小於約170μm，甚至降至160μm、150μm以下，以降低該矽基太陽能電池1的製造成本。並且，該背電極14之厚度可以大於約40μm，甚至厚達60μm，以提升該矽基太陽能電池1的整體效能。

由上文的詳述，可以清楚了解，藉由該至少一第一溝槽142與該至少一第二溝槽144的引入，限縮或減緩該背電極14在共燒過程中的熱膨脹量，因此，本發明之矽基太陽能電池1利於往後基於成本或效能等因素，汰換掉原採用的金屬漿料。

綜上所述，根據本發明之矽基太陽能電池具有特殊背電極結構，可以避免在共燒製程中造成矽基太陽能電池翹曲。根據本發明之矽基太陽能電池其結晶矽基材可降至約170μm以下的厚度，以降低其整體製造成本。並且，根據本發明之矽基太陽能電池其背電極具有厚達約40μm以上的厚度，以提升背電極的傳導性。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。因此，本發明所申請之專利範圍的範疇應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。

1．．．矽基太陽能電池

10．．．半導體結構組合

101．．．結晶矽基材

102．．．正表面

104．．．背表面

106．．．p-n接面

108．．．鈍化層

12．．．正電極

122．．．網柵電極

124．．．正面匯流排電極

14．．．背電極

142．．．第一溝槽

144．．．第二溝槽

16a、16b．．．背面匯流排電極

18‧‧‧抗反射層

12' ‧‧‧第一導電漿

14' ‧‧‧第二導電漿

16a' 、16b' ‧‧‧第三導電漿

第1圖係本發明之一較佳具體實施例之矽基太陽能電池的底視圖。

第2圖係本發明之一較佳具體實施例之矽基太陽能電池的頂視圖。

第3圖係第1圖及第2圖之矽基太陽能電池沿第1圖及第2圖中的A-A線之剖面視圖。

第4圖係第1圖及第2圖之矽基太陽能電池沿第1圖及第2圖中的B-B線之剖面視圖。

第5A圖至第5D圖係示意地繪示根據本發明之一較佳具體實施例之製造如第1圖沿A-A線的剖面視圖所示之矽基太陽能電池的方法。

1．．．矽基太陽能電池

10．．．半導體結構組合

101．．．結晶矽基材

102．．．正表面

104．．．背表面

106．．．p-n接面

108．．．鈍化層

12．．．正電極

122．．．網柵電極

124．．．正面匯流排電極

14．．．背電極

142．．．第一溝槽

16a、16b．．．背面匯流排電極

18．．．抗反射層

Claims (10)

1. 一種矽基太陽能電池，包含：一半導體結構組合，包含至少一p-n接面，並且具有一正表面以及一背表面；一正電極，係形成在該半導體結構組合之該正表面上；至少一背面匯流排電極，係形成在該半導體結構組合之該背表面上；以及一背電極，係形成在該半導體結構組合之該背表面上且覆蓋該背表面上形成該至少一背面匯流排電極以外的區域，並且具有至少一第一溝槽。
2. 如請求項1所述之矽基太陽能電池，其中該每一第一溝槽係大致與該至少一背面匯流排電極垂直。
3. 如請求項2所述之矽基太陽能電池，其中該背電極並且具有至少一第二溝槽，每一第二溝槽係大致與該至少一背面匯流排電極平行。
4. 如請求項2所述之矽基太陽能電池，其中該半導體結構組合包含一結晶矽基材，該結晶矽基材之厚度小於170μm，並且該背電極之厚度大於40μm。
5. 如請求項2所述之矽基太陽能電池，其中該至少一背面匯流排電極包含選自由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金以及其混合物所組之群組中之其一，該背電極包含選自由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金以及其混合物所組之群組中之其一。
6. 一種形成一矽基太陽能電池之方法，包含下列步驟： (a)形成一半導體結構組合，其中該半導體結構組合包含至少一p-n接面，並且具有一正表面以及一背表面；(b)在該半導體結構組合之該正表面上，塗佈具有一第一圖案之一第一導電漿，該第一圖案對應一正電極；以及(c)在該半導體結構組合之該背表面上，塗佈具有一第二圖案之一第二導電漿，該第二圖案對應一背電極；以及(d)在該半導體結構組合之該背表面上，塗佈具有一第三圖案之一第三導電漿，該第三圖案對應至少一背面匯流排電極；以及(e)對步驟(d)之結構執行一共燒製程，具有該第一圖案之該第一導電漿即燒結成該正電極，具有該第二圖案之該第二導電漿即燒結成該背電極，且有該第三圖案之該第三導電漿即燒結成該至少一背面匯流排電極，其中該背電極具有至少一第一溝槽。
7. 如請求項6所述之方法，其中每一第一溝槽係大致與該至少一背面匯流排電極垂直。
8. 如請求項7所述之方法，其中該背電極並且具有至少一第二溝槽，每一第二溝槽係大致與該至少一背面匯流排電極平行。
9. 如請求項7所述之方法，其中該半導體結構組合包含一結晶矽基材，該結晶矽基材之厚度小於170μm，並且該背電極之厚度大於40μm。
10. 如請求項7所述之方法，其中該第二導電漿包含選自由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金以及其混合物所組之群組中之其一，該第三導電漿包含選自由鋁、銀、銅、金、鉑、鈀、鋁合金、銀合金、銅合金、金合金、鉑合金、鈀合金以及其混合物所組之群組中之其一。