TWI469179B - 電漿裝置 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種電漿裝置，且特別是有關於一種感應耦合電漿(inductively coupled plasma,ICP)裝置。
電漿是包含離子或電子與自由基(radical)的氣體的電離態，而受到廣泛的應用。通常電漿處理是指將氣體轉變為電漿以及將電漿氣體沉積在基板上或將電漿氣體用於清洗(cleaning)、塗佈(coating)、濺鍍(sputtering)、電漿化學氣相沈積、離子植入、灰化(ashing)或蝕刻等。目前常見的電漿處理設備在運作時，當兩個電極之間形成強大的電場之後，被供應到這兩電極之間的製程氣體就會被離子化或解離而產生電漿。
現階段在顯示器的研發狀況，主要朝向大型化顯示器與軟性顯示器的研究與開發應用，其中商品化過程中最重要的課題為基板大面積下高均勻度的問題。傳統使用電容式電漿(capacitively coupled plasma,CCP)受限於電漿密度較小，設備之製程速率無法有效提升，因此感應耦合電漿(inductively coupled plasma,ICP)成為另一項極具潛力的技術。由於ICP所產生之電漿密度較高，所以一般也稱為高密度電漿源，其系統之特徵為具有產生電漿之感應耦合線圈。然而，在大面積ICP的設計上會遭遇到下列問題：(1)當線圈長度過長時會導致駐波的問題，影響能量傳遞的效
率；(2)在大面積化時，電漿均勻度較難進行調整，尤其是在線圈邊緣的部分，容易造成電漿輔助鍍膜或電漿輔助蝕刻等製程受限。
前人研發採用陶瓷球將氣體分流的擴散板，將製程氣體由腔體兩側通進此擴散板裡，使氣體均勻的導入腔體中，配合ICP線圈產生電漿。但是，此法會有進氣端氣體濃度較中心端氣體濃度高的情形產生。
另一方式是在腔壁四周設計一儲氣室，於儲氣室上設計出氣孔，將製程氣體向腔體中心噴射，再輔以中間噴氣，配合線圈與磁鐵調整電場，產生均勻鍍膜。然而，此法仍有鍍膜厚度與噴氣位置的距離有關連性而非均勻的問題。
本提案的電漿裝置包括一腔體、一電極組以及一供氣管組。腔體具有一承載台。供氣管組配置於腔體且位於承載台與電極組之間。供氣管組包括至少一外層供氣管與至少一第一內層供氣管。第一內層供氣管套設於外層供氣管內。外層供氣管與第一內層供氣管分別具有多個氣孔，且外層供氣管的氣孔的數量多於第一內層供氣管的氣孔的數量。
基於上述，本提案的電漿裝置中，多層式的供氣管供應的氣體會經過分流後再進入且均勻地分布於腔體，因此獲得均勻的鍍膜厚度。
為讓本提案之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特
舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本提案提供一種電漿裝置，可在大面積的製程中保有良好的膜厚均勻性。
圖1是本提案一實施例的電漿裝置的整體外觀示意圖，圖2是圖1的電漿裝置沿剖面A-A’的簡略倒立剖面圖。請參照圖1與圖2，本實施例的電漿裝置100包括一腔體110、一電極組120以及一供氣管組130。腔體110具有一承載台112以承載一基板50。供氣管組130配置於腔體110且位於承載台112與電極組120之間。
本實施例是利用電漿裝置100中的供氣管組130所產生的氣場來讓電漿均勻化，因此對於設備的複雜度與成本的影響較小。另外，因為供氣管組130是位於承載台112與電極組120之間，製程氣體被轉換為電漿之後大都直接移往基板50而較少轟擊電極組120，所以可以減少污染微粒的產生，進而提升製程良率並減少進行設備清潔所需的成本。
供氣管組130包括至少一外層供氣管132A與至少一第一內層供氣管132B。第一內層供氣管132B套設於外層供氣管132A內。本實施例中，供氣管組130包括多根多層供氣管132，平行排列於該腔體110內。每根多層供氣管132包括一根外層供氣管132A、一根第一內層供氣管132B。然而，根據腔體110的形狀或面積，供氣管組130
也可能由單一多層供氣管132構成。此外，多層供氣管132也可以是由單一根彎折而分布於腔體110內。因此，本提案的供氣管組可以包含單一外層供氣管與單一第一內層供氣管，但供氣管組也可以包括多根外層供氣管與多根第一內層供氣管。
外層供氣管132A具有多個氣孔P12，第一內層供氣管132B也具有多個氣孔P14，且外層供氣管132A的氣孔P12的數量多於第一內層供氣管132B的氣孔P14的數量。
本實施例的氣孔P12與P14藉由供氣管組130的緣故位於承載台50的正上方。供氣管組130通過腔體110內的大部分空間，並讓供氣管組130的氣孔P12與P14分佈在腔體130內的空間中，因此氣孔P12與P14所提供的氣場可用以調整電漿的均勻性。若將承載台112視為一個平面，則至少大部分氣孔P12與P14相對於這個平面的正投影會落在承載台112的範圍內。本實施例的電漿裝置100在運作時，製程氣體首先進入第一內層供氣管132B，再經由第一內層供氣管132B的氣孔P14進入第一內層供氣管132B與外層供氣管132A之間。之後，製程氣體再分流而從外層供氣管132A的氣孔P12進入腔體110，並由電極組120所產生的電場將製程氣體離子化或解離而產生電漿。由於外層供氣管132A的氣孔P12的數量多於第一內層供氣管132B的氣孔P14的數量，因此製程氣體是在第一內層供氣管132B與外層供氣管132A之間分流後才進入腔體110，以提升外層供氣管132A的氣孔P12出氣的均
勻性，有利於在基板50具有大面積的情形下依舊保持鍍膜的厚度的高均勻度。
本實施例中，外層供氣管132A的氣孔P12朝向基板50的方向，而第一內層供氣管132B的氣孔P14則朝向背向基板50的方向。因此，製程氣體由第一內層供氣管132B的氣孔P14出來後，會先遇到外層供氣管132A的管壁，並且在繞著管壁分流後才到達位於另一側的外層供氣管132A的氣孔P12。這樣的分流過程有助於製程氣體均勻分布於外層供氣管132A內之後，再從外層供氣管132A的氣孔P12進入腔體110。氣孔P12與P14垂直於供氣管組130之軸向，且氣孔P12與P14可以軸向為中心不同旋轉角度設置。也就是說，在本實施例中，氣孔P12與P14是分別朝向與背向承載台112方向。然而，在其他實施例中，氣孔P12與P14也可以朝向其他任何角度，本提案不對此做限制。
圖3是圖1的電漿裝置的多層供氣管的局部剖視圖。請參照圖2與圖3，本實施例的每根多層供氣管132更包括一第二內層供氣管132C與一第三內層供氣管132D。第二內層供氣管132C套設於外層供氣管132A與第一內層供氣管132B之間，則第三內層供氣管132D套設於外層供氣管132A與第二內層供氣管132C之間。第二內層供氣管132C具有多個氣孔P16，第三內層供氣管132D具有多個氣孔P18。第二內層供氣管132C的氣孔P16的數量介於外層供氣管132A的氣孔P12的數量與第一內層供氣管
132B的氣孔P14的數量之間，且第三內層供氣管132D的氣孔P18的數量介於外層供氣管132A的氣孔P12的數量與第二內層供氣管132C的氣孔P16的數量之間。外層供氣管132A的氣孔P12與第二內層供氣管132C的氣孔P16朝向相同方向，第三內層供氣管132D的氣孔P18與第一內層供氣管132B的氣孔P14朝向相同方向，外層供氣管132A的氣孔P12與第三內層供氣管132D的氣孔P18朝向相反方向。換言之，製程氣體在多層供氣管132內經過多次分流後才進入腔體110，使得腔體110內的製程氣體分布得更為均勻。
舉例而言，氣孔P12有16個，氣孔P14有2個，氣孔P16有4個，氣孔P18有8個。每個氣孔P14可位於兩個氣孔P16之間，每個氣孔P16可位於兩個氣孔P18之間，每個氣孔P18可位於兩個氣孔P12之間。16個氣孔P12之間可等距配置，但也可以不等距。另外，從圖3可看出，氣孔P12、P14、P16與P18都位於同一平面上，也就是圖3的剖面上。當然，如前所述，氣孔P12、P14、P16與P18可以多層供氣管132的軸向為中心不同旋轉角度設置。在一實施例中，當腔體110水平面的尺寸為600mm×700mm，氣孔P12、P14、P16與P18的孔徑例如是2mm或更小。
圖4是圖1的電漿裝置的電極組的外觀圖。請參照圖1與圖4，本實施例的電極組120是部分位於腔體110內。此外，電極組120例如包括一金屬本體122與多個介電套管124，介電套管124套設在金屬本體122位於腔體110
內的部分。介電套管124的作用是避免金屬本體122受到電漿的轟擊而損毀。當電極組120完全位於腔體110外時可不須介電套管124的設置。金屬本體122的材質例如是銅、鋁、不鏽鋼或其他金屬，而介電套管124的材質例如是石英或其他介電材質。電極組120的金屬本體122可包括多根線型主體122A與多個第一連接部122B，電極組120更包括一第二連接部126以及一第三連接部128。多根線型主體122A間係以並聯方式相連接，即第一連接部122B連接相鄰的兩個線型主體122A。此外，一半的線型主體122A未連接於第一連接部122B的一端係連接第二連接部126而接地，另一半的線型主體122A未連接於第一連接部122B的一端係連接第三連接部128而做為電源輸入端。
此外，請參考圖1，線型主體122A呈直線狀，且線型主體122A互相平行地排列。供氣管組130之多層供氣管132的一軸向與電極組120之介電套管124的一軸向係呈垂直角度，然而，在其他實施例中，多層供氣管132之軸向與介電套管124之軸向可以是平行或呈其他角度，並不以此為限。請參考圖4，排列於中間的線型主體122A的間距大於排列於兩側的線型主體122A的間距。詳細來說，線型主體122A越靠近腔體110壁面，相鄰線型主體112A的間距越小。當線型主體122A以上述方式排列時，可得到良好的鍍膜厚度的均勻度。
圖5A與圖5B是本提案另外兩種實施例的電漿裝置的供氣管組的剖面示意圖。請參照圖5A，本實施例的供氣管
組為雙層設計，僅包括外層供氣管132A與第一內層供氣管132B。外層供氣管132A具有16個氣孔P12，而第一內層供氣管132B具有2個氣孔P14。其中，外層供氣管132A的氣孔P12與第一內層供氣管132B的氣孔P14朝向相反方向。請參照圖5B，本實施例的供氣管組為三層設計，僅包括外層供氣管132A、第一內層供氣管132B與第二內層供氣管132C。外層供氣管132A具有16個氣孔P12，而第一內層供氣管132B具有2個氣孔P14，而第二內層供氣管132C具有4個氣孔P16。其中，外層供氣管132A的氣孔P12與第一內層供氣管132B的氣孔P14朝向相同方向，外層供氣管132A的氣孔P12與第二內層供氣管132C的氣孔P16朝向相反方向。本提案的電漿裝置的供氣管組可以是雙層、三層、四層或更多層的設計。
圖6A至圖6D分別是使用單層、雙層、三層與四層設計的供氣管組進行鍍膜的膜厚模擬圖。圖6A是使用傳統單層設計的供氣管組進行鍍膜的狀況，在腔體110水平面的尺寸為600mm×700mm的時候，所能得到膜厚均勻的區域的尺寸僅約200mm×200mm。圖6B是使用如圖5A雙層設計的供氣管組進行鍍膜的狀況，在腔體110水平面的尺寸為600mm×700mm的時候，所能得到膜厚均勻的區域的尺寸增加到了約300mm×400mm。圖6C是使用如圖5B三層設計的供氣管組進行鍍膜的狀況，在腔體110水平面的尺寸為600mm×700mm的時候，所能得到膜厚均勻的區域的尺寸增加為約400mm×500mm。圖6D是使用如圖3
四層設計的供氣管組進行鍍膜的狀況，在腔體110水平面的尺寸為600mm×700mm的時候，所能得到膜厚均勻的區域的尺寸增加為約500mm×500mm。由上述模擬結果可知，本提案採用多層設計的供氣管組確實有助於在大面積基板上提高均勻度的厚度的鍍膜。
以下舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖7是本發明另一實施例的電漿裝置的剖面示意圖。請參照圖7，本實施例之電漿裝置200與圖2的電漿裝置100相似，差異處在於電極組220位於腔體110外。由於供氣管組130依然位於承載台112與電極組120之間，因此依然可利用供氣管組130所提供的氣場來使電漿均勻地在基板50上產生作用。另外，本實施例之電漿裝置200同樣採用多層設計的供氣管組130，有助於在大面積基板上提高均勻度的厚度的鍍膜。
綜上所述，本提案的電漿裝置中採用了多層式的供氣管。製程氣體從供氣管的內層管流出後會先經過分流再通過外層管進入腔體，並且均勻地分布於腔體。因此，由製程氣體激發生成的電漿也會均勻地分布於腔體，進而在基板上獲得均勻的鍍膜厚度。
雖然本提案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定
本提案，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本提案之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本提案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
50‧‧‧基板
100、200‧‧‧電漿裝置
110‧‧‧腔體
112‧‧‧承載台
120、220‧‧‧電極組
122‧‧‧金屬本體
122A‧‧‧線型主體
122B‧‧‧第一連接部
126‧‧‧第二連接部
128‧‧‧第三連接部
124‧‧‧介電套管
130‧‧‧供氣管組
132‧‧‧多層供氣管
132A‧‧‧外層供氣管
132B‧‧‧第一內層供氣管
132C‧‧‧第二內層供氣管
132D‧‧‧第三內層供氣管
P12、P14、P16與P18‧‧‧氣孔
A-A’‧‧‧剖面
圖1是本提案一實施例的電漿裝置的整體外觀示意圖。
圖2是圖1的電漿裝置沿剖面A-A’的簡略倒立剖面圖。
圖3是圖1的電漿裝置的多層供氣管的局部剖視圖。
圖4是圖1的電漿裝置的電極組的外觀圖。
圖5A與圖5B是本提案另外兩種實施例的電漿裝置的供氣管組的剖面示意圖。
圖6A至圖6D分別是使用單層、雙層、三層與四層設計的供氣管組進行鍍膜的膜厚模擬圖。
圖7是本發明另一實施例的電漿裝置的剖面示意圖。
50‧‧‧基板
100‧‧‧電漿裝置
110‧‧‧腔體
112‧‧‧承載台
120‧‧‧電極組
130‧‧‧供氣管組
132A‧‧‧外層供氣管
132B‧‧‧第一內層供氣管
132C‧‧‧第二內層供氣管
132D‧‧‧第三內層供氣管
P12、P14、P16與P18‧‧‧氣孔
Claims (15)
- 一種電漿裝置，包括：一腔體，具有一承載台；一電極組；以及一供氣管組，配置於該腔體且位於該承載台與該電極組之間，其中該供氣管組包括至少一外層供氣管與至少一第一內層供氣管，該第一內層供氣管套設於該外層供氣管內，該外層供氣管與該第一內層供氣管分別具有多個氣孔，且該外層供氣管的該些氣孔的數量多於該第一內層供氣管的該些氣孔的數量。
- 如申請專利範圍第1項所述之電漿裝置，其中該外層供氣管的該些氣孔與該第一內層供氣管的該些氣孔朝向相反方向。
- 如申請專利範圍第1項所述之電漿裝置，其中該外層供氣管的該些氣孔與該第一內層供氣管的該些氣孔位於同一平面上。
- 如申請專利範圍第1項所述之電漿裝置，其中該些氣孔垂直於供氣管組軸向，且該些氣孔可以軸向為中心不同旋轉角度設置。
- 如申請專利範圍第1項所述之電漿裝置，其中該供氣管組包括多根多層供氣管，平行排列於該腔體內，各該多層供氣管包括一根該外層供氣管與一根該第一內層供氣管。
- 如申請專利範圍第1項所述之電漿裝置，其中該供 氣管組更包括一第二內層供氣管，該第二內層供氣管套設於該外層供氣管與該第一內層供氣管之間，該第二內層供氣管具有多個氣孔，且該第二內層供氣管的該些氣孔的數量介於該外層供氣管的該些氣孔的數量與該第一內層供氣管的該些氣孔的數量之間。
- 如申請專利範圍第6項所述之電漿裝置，其中該外層供氣管的該些氣孔與該第一內層供氣管的該些氣孔朝向相同方向，該外層供氣管的該些氣孔與該第二內層供氣管的該些氣孔朝向相反方向。
- 如申請專利範圍第6項所述之電漿裝置，其中該供氣管組更包括一第三內層供氣管，該第三內層供氣管套設於該外層供氣管與該第二內層供氣管之間，該第三內層供氣管具有多個氣孔，且該第三內層供氣管的該些氣孔的數量介於該外層供氣管的該些氣孔的數量與該第二內層供氣管的該些氣孔的數量之間。
- 如申請專利範圍第8項所述之電漿裝置，其中該外層供氣管的該些氣孔與該第二內層供氣管的該些氣孔朝向相同方向，該第三內層供氣管的該些氣孔與該第一內層供氣管的該些氣孔朝向相同方向，該外層供氣管的該些氣孔與該第三內層供氣管的該些氣孔朝向相反方向。
- 如申請專利範圍第1項所述之電漿裝置，其中該電極組部分位於該腔體內。
- 如申請專利範圍第10項所述之電漿裝置，其中該電極組包括一金屬本體與多個介電套管，該些介電套管套 設在該金屬本體位於該腔體內的部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之電漿裝置，其中該電極組位於該腔體外。
- 如申請專利範圍第1項所述之電漿裝置，其中該電極組包括：多根線型主體；以及多個連接部，連接相鄰兩個該些線型主體；其中，該些線性主體間係以並聯方式相連接。
- 如申請專利範圍第13項所述之電漿裝置，其中各該線型主體呈直線狀。
- 如申請專利範圍第13項所述之電漿裝置，其中該些線型主體互相平行地排列，排列於中間的該些線型主體的間距大於排列於兩側的該些線型主體的間距。
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| TWM346902U (en) * | 2008-01-18 | 2008-12-11 | Contrel Technology Co Ltd | A slotted electrode with uniform distribution of electric field |
| US20090183681A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Contrel Technology Co., Ltd. | Slotted Electrode and Plasma Apparatus Using the Same |
| TW201225746A (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-16 | Ind Tech Res Inst | Plasma apparatus |
| US20120186747A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-07-26 | Obama Shinji | Plasma processing apparatus |
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