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TWI468381B - 十氫化萘化合物、含有此化合物的液晶組成物及含有此液晶組成物的液晶顯示元件 - Google Patents

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TWI468381B
TWI468381B TW99122861A TW99122861A TWI468381B TW I468381 B TWI468381 B TW I468381B TW 99122861 A TW99122861 A TW 99122861A TW 99122861 A TW99122861 A TW 99122861A TW I468381 B TWI468381 B TW I468381B
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Tokifumi Masukawa
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Jnc Corp
Jnc Petrochemical Corp
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Description

十氫化萘化合物、含有此化合物的液晶組成物及含有此液晶組成物的液晶顯示元件
本發明是有關於一種新穎之化合物及液晶組成物。更詳細而言是有關於具有十氫化萘環且介電異向性(△ε)為負的液晶性化合物、含有所述液晶性化合物之液晶組成物及含有該液晶組成物的液晶顯示元件。
使用了液晶性化合物(於本發明中，液晶性化合物之用語是作為具有液晶相之化合物以及雖然不具液晶相但可用作液晶組成物之構成成分之化合物的總稱而使用)之顯示元件廣泛用於時鐘、計算器、文字處理機等之顯示器中。該些顯示元件利用了液晶性化合物之折射率異向性(△n)、介電異向性(△ε)等特性。
液晶相有向列型液晶相、層列型液晶相、膽固醇型液晶相，但最廣泛使用的是利用了向列型液晶相者。而且，顯示方式有動態散射(DS)型、配向相變形(DAP)型、賓主(GH)型、扭轉向列(TN)型、超扭轉向列(STN)型、薄膜電晶體(TFT)型、垂直配向(VA)型、橫向電場切換(IPS)型、高分子支持配向(PSA)型等。
於該些顯示方式中所使用之液晶性化合物，於以室溫為中心之較廣之溫度範圍內顯示出液晶相，於使用顯示元件之條件下非常穩定，另外必須具有用以使顯示元件驅動所需之充分之特性，但目前為止尚未發現以單一之液晶性化合物滿足該條件者。
因此，現狀是藉由混合數種至數十種之液晶性化合物而調製具有所要求之特性的液晶組成物。要求該些液晶組成物於使用顯示元件之條件下對通常存在之水分、光、熱、空氣穩定，且對電場或電磁放射亦穩定，另外對混合之化合物亦化學性質穩定。而且，於液晶組成物中，需要其折射率異向性(Δn)及介電異向性(Δε)等諸物性值依存於顯示方式或顯示元件之形狀而具有適當之值。另外，重要的是液晶組成物中之各成分相互之間具有良好之溶解性。
近年來，作為克服液晶顯示元件之最大問題點即視角狹窄的顯示方式，在顯示方式中關注IPS、VA、OCB等模式。在該些模式之液晶顯示元件中，特別是VA模式或IPS模式之液晶顯示元件除了視角較廣之外，響應性亦優異，另外可獲得高對比度之顯示，因此而被廣泛開發。該些顯示方式之液晶顯示元件中所使用之液晶組成物之特徵在於介電異向性(Δε)為負。而且，已知負的介電異向性(Δε)大的液晶組成物可降低含有該液晶組成物之液晶顯示元件的驅動電壓(非專利文獻1)。因此，關於作為該液晶組成物之構成成分的液晶性化合物，亦要求其具有更大之負的介電異向性(Δε)。
而且，為了於較廣之溫度範圍內驅動液晶顯示元件，需要向列相之上限溫度(TNI )高的化合物。
自先前以來，介電異向性大量研究了苯環之側位之氫經氟取代之液晶性化合物(專利文獻1、專利文獻2)，作為具有負的介電異向性(Δε)之液晶組成物之成分。例如報告有以式(a)所表示之化合物(以下有時稱為化合物(a)。化合物(b)等以其他式所表示之化合物亦同樣)。然而，化合物(a)雖然具有負的介電異向性(Δε)，然而卻亦存在其值未必大之情形，亦存在對於使VA模式、IPS模式等之液晶顯示元件之驅動電壓降低而言並不充分之情形。
於式(a)中，R及R'為烷基。
因此，開始嘗試增大具有2,3-二氟伸苯基骨架之化合物之負的介電異向性(Δε)的絕對值。例如，報告有於具有2,3-二氟伸苯基骨架之化合物中導入伸乙基氧基結合基的化合物(專利文獻3)。化合物(b)雖然與化合物(a)相比具有較大的負的介電異向性(Δε)，然而與化合物(a)相比向列相之上限溫度(TNI )低。
於式(b)中，R及R為烷基。
因此，需要負的介電異向性(Δε)之絕對值大，且向列相之上限溫度(TNI )高的液晶性化合物。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第2811342號公報
[專利文獻2]日本專利特開平02-4725號公報
[專利文獻3]歐洲專利申請332007號公報
[專利文獻4]國際公開2009/034867說明書
[專利文獻5]國際公開2009/031437說明書
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Mol. Cryst. Liq. Cryst.,12,57(1970)
本發明之第一目的在於提供一種液晶性化合物，所述液晶性化合物不僅具有較大之負的介電異向性(Δε)及較高之向列相之上限溫度(TNI )，而且具有對熱、光等之穩定性、適當之折射率異向性(Δn)、及與其他液晶性化合物之優異之相溶性等之至少一種特性。
本發明之第二目的在於提供一種含有化合物的液晶組成物，所述液晶組成物具有黏度低、具有適當之折射率異向性(Δn)及適當之負的介電異向性(Δε)、臨界電壓低、另外向列相之上限溫度(向列相-等向性相之相轉移溫度)高、向列相之下限溫度低等之至少一種特性，或者關於至少兩種特性具有適當之平衡。
本發明之第三目的在於提供一種含有組成物的液晶顯示元件，所述液晶顯示元件具有響應時間短、消耗電力及驅動電壓小、具有較大之對比度、可於較廣之溫度範圍內使用等之至少一種特性，或者關於至少兩種特性具有適當之平衡。
針對上述課題進行研究之結果，發現具有
1)十氫化萘環
2)-CH2 O-或-OCH2 -
三要素的結構骨架的化合物，由於該些要素之相乘效應(synergistic effect)，負的介電異向性(Δε)之絕對值變大，且向列相之上限溫度(TNI )變高。藉由活用該效果，能夠進一步發現可解決課題之知識見解，從而完成本發明。
即，本發明具有第[1]項至第[21]項等之構成。
[1]　一種化合物，所述化合物以式(1)所表示，
於式(1)中，R1 及R2 獨立為碳數為1～10之烷基，於該烷基中任意之-CH2 -亦可經-O-、-S-、-CO-或-SiH2 -取代，任意之-(CH2 )2 -亦可經-CH=CH-或-C≡C-取代；環A及環B獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，於該些環中任意一個-CH2 -亦可經-O-、-S-、-CO-或-SiH2 -取代，任意之-(CH2 )2 -亦可經-CH=CH-取代，於1,4-伸苯基中任意之-CH=亦可經-N=取代，且於該些環中任意之氫亦可經鹵素、-CF3 、-CHF2 、-CH2 F、-OCF3 、-OCHF2 或-OCH2 F取代；Z1 及Z2 獨立為單鍵或碳數為1~4之伸烷基，於該伸烷基中任意之-CH2 -亦可經-O-、-S-、-CO-或-SiH2 -取代，任意之-(CH2 )2 -亦可經-CH=CH-或-C≡C-取代，且任意之氫亦可經鹵素取代；Z3 為-CH2 O-或-OCH2 -；Y1 及Y2 獨立為鹵素、-CF3 、-CHF2 、-CH2 F、-OCF3 、-OCHF2 或-OCH2 F；m及n獨立為0、1或2；p為1或2；m+n+p為1、2或3。
[2]如第[1]項所述之化合物，其中，於如第[1]項所述之式(1)中，R1 及R2 獨立為碳數為1~10之烷基、碳數為1~9之烷氧基、或碳數為2~10之烯基；環A及環B獨立為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,3-二噁烷-2,5-二基、1,4-伸苯基、或嘧啶-2,5-二基；Z1 及Z2 獨立為單鍵、-(CH2 )2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH2 O-或-OCH2 -；Y1 及Y2 獨立為氟或氯。
[3]如第[1]項或第[2]項所述之化合物，其中，於如第[1]項所述之式(1)中，R2 為碳數為1~9之烷氧基。
[4]如第[1]項至第[3]項中任一項所述之化合物，其中，於如第[1]項所述之式(1)中，Z3 為-CH2 O-。
[5]如第[1]項至第[4]項中任一項所述之化合物，其中，於如第[1]項所述之式(1)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為 碳數為2~6之烷氧基；環A及環B獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基；Z1 及Z2 獨立為單鍵、-(CH2 )2 -、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、-CH2 O-或-OCH2 -；Y1 及Y2 為氟。
[6]如第[1]項至第[5]項中任一項所述之化合物，其中，於如第[1]項所述之式(1)中，Z1 及Z2 為單鍵。
[7]一種化合物，所述化合物以式(1-1)所表示，
於式(1-1)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為碳數為2~6之烷氧基。
[8]一種化合物，所述化合物以式(1-2)或式(1-3)所表示，
於式(1-2)及式(1-3)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為碳數為2~6之烷氧基；環A及環B獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
[9]一種化合物，所述化合物以式(1-4)所表示，
於式(1-4)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為碳數為2~6之烷氧基。
[10]一種化合物，所述化合物以式(1-5)或式(1-6)所表示，
於式(1-5)及式(1-6)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為碳數為2~6之烷氧基； 環A及環B獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
[11]一種液晶組成物，所述液晶組成物含有第一成分及第二成分，第一成分是選自如第[1]項至第[10]項中任一項所述之化合物的至少一種。
[12]如第[11]項所述之液晶組成物，其含有選自通式(2)、通式(3)及通式(4)所表示之化合物之群組的至少一種化合物作為第二成分，
於式(2)~式(4)中，R3 為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於所述烷基及烯基中，任意之氫亦可經氟取代，任意之-CH2 -亦可經-O-取代；X1 獨立為氟、氯、-OCF3 、-OCHF2 、-CF3 、-CHF2 、-CH2 F、-OCF2 CHF2 或-OCF2 CHFCF3 ；環A1 、環A2 及環A3 獨立為1,4-伸環己基、1,3-二噁烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、1-四氫吡喃-2,5-二基、或任意之氫亦可經氟取代之1,4-伸苯基； Z4 及Z5 獨立為-(CH2 )2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 O-或單鍵；L1 及L2 獨立為氫或氟。
[13]如第[11]項所述之液晶組成物，其含有選自通式(5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物作為第二成分，
於式(5)中，R4 為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於所述烷基及烯基中，任意之氫亦可經氟取代，任意之-CH2 -亦可經-O-取代；X2 為-C≡N或-C≡C-CN；環B1 、環B2 及環B3 獨立為1,4-伸環己基、任意之氫亦可經氟取代之1,4-伸苯基、1,3-二噁烷-2,5-二基、1-四氫吡喃-2,5-二基或嘧啶-2,5-二基；Z6 為-(CH2 )2 -、-COO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-C≡C-、-CH2 O-或單鍵；L3 及L4 獨立為氫或氟；q為0、1或2，r為0或1。
[14]如第[11]項所述之液晶組成物，其含有選自通式(6)、通式(7)、通式(8)、通式(9)、通式(10)及通式(11)所表示之化合物之群組的至少一種化合物作為第 二成分，
於式(6)~式(11)中，R5 及R6 獨立為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於所述烷基及烯基中，任意之-CH2 -亦可經-O-取代，於所述烯基中，任意之氫亦可經氟取代；環C1 、環C2 、環C3 及環C4 獨立為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、任意之氫亦可經氟取代之1,4-伸苯基、6-四 氫吡喃-2,5-二基、或十氫-2,6-萘；Z7 、Z8 、Z9 及Z10 獨立為-(CH2 )2 -、-COO-、-CH2 O-、-OCF2 -、-OCF2 (CH2 )2 -或單鍵；L5 及L6 獨立為氟或氯；j、k、l、m、n及s獨立為0或1，k+l+m+n為1或2。
[15]如第[11]項所述之液晶組成物，其含有選自通式(12)、通式(13)及通式(14)所表示之化合物之群組的至少一種化合物作為第二成分，
於式(12)~式(14)中，R7 及R8 獨立為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於該烯基中，任意之氫亦可經氟取代，任意之-CH2 -亦可經-O-取代；環D1 、環D2 及環D3 獨立為1,4-伸環己基、嘧啶-2,5-二基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z11 及Z12 獨立為-C≡C-、-COO-、-(CH2 )2 -、-CH=CH-或單鍵。
[16]如第[12]項所述之液晶組成物，其進一步含有選自如第[13]項所述之通式(5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
[17]如第[12]項所述之液晶組成物，其進一步含有選自如第[15]項所述之通式(12)、通式(13)及通式(14)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
[18]如第[13]項所述之液晶組成物，其進一步含有選自如第[15]項所述之通式(12)、通式(13)及通式(14)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
[19]如第[14]項所述之液晶組成物，其進一步含有選自如第[15]項所述之通式(12)、通式(13)及通式(14)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
[20]如第[11]項至第[19]項中任一項所述之液晶組成物，其進一步含有至少一種光學活性化合物及/或可聚合之化合物。
[21]如第[11]項至第[20]項中任一項所述之液晶組成物，其進一步含有至少一種抗氧化劑及/或紫外線吸收劑。
[22]一種液晶顯示元件，所述液晶顯示元件含有如第[11]項至第[21]項中任一項所述之液晶組成物。
本說明書中之用語的使用方法如下所述。有時將液晶性化合物、液晶組成物、液晶顯示元件分別簡稱為化合物、組成物、元件。液晶顯示元件是液晶顯示面板及液晶顯示模組的總稱。向列相之上限溫度是向列相-等向性相之相轉移溫度，而且有時僅簡稱為透明點或上限溫度。有時將向列相之下限溫度僅簡稱為下限溫度。有時將以式(1)表示之化合物簡稱為化合物(1)。該略記亦適用於式(2)等所表示之化合物。於式(1)等中，以六角形所圍住之A、B、A1 、B1 等記號分別對應環A、環B、環A1 、環B1 等。以百分率所表示之化合物之量是基於組成物之總重量的重量百分率(wt%)。於同一式或不同式中記或了環A、R1 、Y1 等多個相同之記號，該些記號中的任意2個可相同亦可不同。
「任意之」不僅表示位置任意而且表示個數任意，但不包含個數為0之情況。任意之A亦可經B、C或D取代之表現是指：除任意之A經B取代之情形、任意之A經C取代之情形以及任意之A經D取代之情形之外，還包括多個A經B～D之至少2個取代之情形。例如，任意之-CH2 -亦可經-O-或-CH=CH-取代之烷基包括烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基烯基、烯氧基烷基等。另外，於本發明中，連續之2個-CH2 -經-O-取代而成為-O-O-之情形欠佳。而且，烷基之末端之-CH2 -經-O-取代之情形亦欠佳。
[發明效果]
根據本發明，可獲得一種不僅具有較大之負的介電異向性(Δε)及較高之向列相之上限溫度(TNI )，而且具有對熱、光等之穩定性、較高之透明點、適當之折射率異向性(Δn)及與其他液晶性化合物之優異的相溶性之至少一種特性的液晶性化合物。而且，根據本發明，可獲得一種具有低黏度、適當之折射率異向性(Δn)、適當之負的介電異向性(Δε)、較低之臨界電壓、向列相之下限溫度較低之至少一種特性的液晶組成物。另外，根據本發明，可獲得一種響應時間短、消耗電力及驅動電壓小、具有較大之對比度、可於較廣之溫度範圍內使用之至少一種特性的液晶顯示元件。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
以下，對本發明加以更具體之說明。
本發明之化合物是以下之式(1)所表示之化合物，即化合物(1)。
於式(1)中，R1 及R2 獨立為碳數為1～10之烷基，於該烷基中，任意之-CH2 -亦可經-O-、-S-、-CO-、或-SiH2 -取代，任意之-(CH2 )2 -亦可經-CH=CH-或-C≡C-取代。考慮到化合物之穩定性，氧與氧鄰接之情形欠佳。
R1 可列舉碳數為1～10之烷基、碳數為1～9之烷氧基、碳數為2～9之烷氧基烷基、碳數為2～8之烷氧基烷氧基、碳數為2～10之烯基、碳數為2～9之烯氧基、碳數為3～9之烯氧基烷基、及碳數為3～9之烷氧基烯基。該些基之烷基鏈較佳的是直鏈。若所述烷基鏈為直鏈，則可擴廣液晶相之溫度範圍，且可減小黏度。而且，烯基較佳的是其雙鍵位於奇數位，且立體組態為反式組態。於烯基中存在多個雙鍵之情形時，較佳的是並不共軛的烯基。
烷基可列舉-CH3 、-C2 H5 、-C3 H7 、-C4 H9 、-C5 H11 、-C6 H13 、-C7 H15 、-C8 H17 、-C9 H19 、及-C10 H21 ；烷氧基可列舉-OCH3 、-OC2 H5 、-OC3 H7 、-OC4 H9 、-OC5 H11 、-OC6 H13 、-OC7 H15 、-OC8 H17 、及-OC9 H19 ；烷氧基烷基可列舉-CH2 OCH3 、-CH2 OC2 H5 、-(CH2 )2 OCH3 、及-(CH2 )2 OC2 H5 ；烷氧基烷氧基可列舉-OCH2 OCH3 、-OCH2 OC2 H5 、-O(CH2 )2 OCH3 、及-O(CH2 )2 OC2 H5 ；烯基可列舉-CH=CH2 、-CH=CHCH3 、-CH=CHC2 H5 、-(CH2 )2 CH=CH2 、-CH=CHC3 H7 、-(CH2 )2 CH=CHCH3 、-(CH2 )3 CH=CH2 、-CH=CH(CH2 )2 CH=CH2 、及-(CH2 )2 CH=CH(CH2 )2 CH=CH2 ；烯氧基可列舉-OCH2 CH=CH2 、-OCH2 CH=CHCH3 、及-OCH2 CH=CHC2 H5 ；烯氧基烷基可列舉-CH2 OCH2 CH=CH2 、-CH2 OCH2 CH=CHCH3 、及-(CH2 )2 O(CH2 )2 CH=CH3 ；烷氧基烯基可列舉-CH=CHCH2 OCH3 、-CH=CHCH2 OC2 H5 、及-CH2 CH=CHCH2 OCH3 。
該些R1 中較佳的是-CH3 、-C2 H5 、-C3 H7 、-C4 H9 、-C5 H11 、-C6 H13 、-C7 H15 、-C8 H17 、-C9 H19 、-C10 H21 、-OCH3 、-OC2 H5 、-OC3 H7 、-OC4 H9 、-OC5 H10 、-OC6 H13 、-OC7 H15 、-OC8 H17 、-OC9 H19 、-CH=CH2 、-CH=CHCH3 、-CH=CHC2 H5 、-(CH2 )2 CH=CH2 、-CH=CHC3 H7 、-(CH2 )2 CH=CHCH3 、-(CH2 )3 CH=CH2 、-CH=CH(CH2 )2 CH=CH2 、及-(CH2 )2 CH=CH(CH2 )2 CH=CH2 。
更佳之R1 為-CH3 、-C2 H5 、-C3 H7 、-C4 H9 、-C5 H11 、-C6 H13 、-CH=CH2 、-CH=CHCH3 、-CH=CHC2 H5 、-(CH2 )2 CH=CH2 、-CH=CHC3 H7 、-(CH2 )2 CH=CHCH3 、-(CH2 )3 CH=CH2 、-CH=CH(CH2 )2 CH=CH2 、及-(CH2 )2 CH=CH(CH2 )2 CH=CH2 。
R2 可列舉碳數為1～10之烷基、碳數為1～9之烷氧基、碳數為2～9之烷氧基烷基、碳數為2～8之烷氧基烷氧基、碳數為2～10之烯基、碳數為2～9之烯氧基、碳數為3～9之烯氧基烷基、及碳數為3～9之烷氧基烯基。該些基之烷基鏈較佳的是直鏈。若烷基鏈為直鏈，則可擴廣液晶相之溫度範圍，且可減小黏度。而且，烯基較佳的是其雙鍵位於奇數位，且立體組態為反式組態。於烯基中存在多個雙鍵之情形時，較佳的是並不共軛的烯基。
烷基可列舉-CH3 、-C2 H5 、-C3 H7 、-C4 H9 、-C5 H11 、-C6 H13 、-C7 H15 、-C8 H17 、-C9 H19 、及-C10 H21 ；烷氧基可列舉-OCH3 、-OC2 H5 、-OC3 H7 、-OC4 H9 、-OC5 H11 、-OC6 H13 、-OC7 H15 、-OC8 H17 、及-OC9 H19 ；烷氧基烷基可列舉-CH2 OCH3 、-CH2 OC2 H5 、-(CH2 )2 OCH3 、及-(CH2 )2 OC2 H5 ；烷氧基烷氧基可列舉-OCH2 OCH3 、-OCH2 OC2 H5 、-O(CH2 )2 OCH3 、及-O(CH2 )2 OC2 H5 ；烯基可列舉-CH=CH2 、-CH=CHCH3 、-CH=CHC2 H5 、-(CH2 )2 CH=CH2 、-CH=CHC3 H7 、-(CH2 )2 CH=CHCH3 、-(CH2 )3 CH=CH2 、-CH=CH(CH2 )2 CH=CH2 、及-(CH2 )2 CH=CH(CH2 )2 CH=CH2 ；烯氧基可列舉-OCH2 CH=CH2 、-OCH2 CH=CHCH3 、及-OCH2 CH=CHC2 H5 ；烯氧基烷基可列舉-CH2 OCH2 CH=CH2 、-CH2 OCH2 CH=CHCH3 、及-(CH2 )2 O(CH2 )2 CH=CH3 ；烷氧基烯基可列舉-CH=CHCH2 OCH3 、-CH=CHCH2 OC2 H5 、及-CH2 CH=CHCH2 OCH3 。
該些R2 中較佳的是-OCH3 、-OC2 H5 、-OC3 H7 、-OC4 H9 、-OC5 H10 、-OC6 H13 、-OC7 H15 、-OC8 H17 及-OC9 H19 。
於式(1)中，環A及環B獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，於該些環中任意一個-CH2 -亦可經-O-、-S-、-CO-或-SiH2 -取代，任意之-(CH2 )2 -亦可經-CH=CH-取代，於1,4-伸苯基中，任意一個-CH=亦可經-N=取代，而且於該些環中，任意一個氫亦可經鹵素、-CF3 、-CHF2 、-CH2 F、-OCF3 、-OCHF2 或-OCH2 F取代。於m為2時之兩個環A可相同亦可不同，於n為2時之兩個環B可相同亦可不同。
於該些環為1,4-伸環己基時，可減小折射率異向性(Δn)，且可減小黏度，另外，若將該液晶性化合物添加於液晶組成物中，則可提高向列相之上限溫度。
而且，於該些環為氫亦可經鹵素取代之1,4-伸苯基時，可較大程度地增大折射率異向性(Δn)，且可增大方位秩序參數(orientational order parameter)。
作為環A及環B，其中較佳的是1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,3-二噁烷-2,5-二基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氟-3-氯-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氯-1,4-伸苯基、或1,3-嘧啶-2,5-二基，更佳的是1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
Z1 及Z2 獨立為單鍵或碳數為1～4之伸烷基，於該伸烷基中任意之-CH2 -亦可經-O-、-S-、-CO-或-SiH2 -取代，任意之-(CH2 )2 -亦可經-CH=CH-或-C≡C-取代，且任意之氫亦可經鹵素取代。m為2時之兩個Z1 可相同亦可不同，n為2時之兩個Z2 可相同亦可不同。
Z1 及Z2 可列舉單鍵、-(CH2 )2 -、-CH=CH-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF=CF-、-(CH2 )4 -、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH2 CO-、-COCH2 -、-CH2 SiH2 -、-SiH2 CH2 -、-O(CH2 )2 O-、-(CH2 )2 COO-、-(CH2 )2 OCO-、-COO(CH2 )2 -、-OCO(CH2 )2 -、-(CH2 )2 CF2 O-、-(CH2 )2 OCF2 -、-CF2 O(CH2 )2 -、-OCF2 (CH2 )2 -、-CH=CH-CH2 O-、及-OCH2 -CH=CH-。關於如-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CH-CH2 O-及-OCH2 -CH=CH-之類的結合基的雙鍵的立體組態，順式較反式更佳。
較佳之Z1 及Z2 為單鍵、-(CH2 )2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C=C-、-CH2 O-或-OCH2 -。更佳之Z1 及Z2 為單鍵、-(CH2 )2 -、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、-CH2 O-或-OCH2 -。最佳之Z1 及Z2 為單鍵。
Z3 為-CH2 O-或-OCH2 -。較佳之Z3 為-CH2 O-。
Y1 及Y2 獨立為鹵素、-CF3 、-CHF2 、-CH2 F、-OCF3 、-OCHF2 或-OCH2 F。p為2時之兩個Y1 可相同亦可不同，p為2時之兩個Y2 可相同亦可不同。較佳之Y1 及Y2 為氟或氯。更佳之Y1 及Y2 為氟。
m及n獨立為0、1或2，p為1或2，m+n+p為1、2或3。m+n+p為1之化合物的黏度低，且低溫相溶性優異。m+n+p為2或3之化合物之向列相的上限溫度高。p為1之化合物之黏度低且向列相的上限溫度高。p為2之化合物之負介電異向性大。
化合物(1)之更佳例為化合物(1-1)~化合物(1-6)。藉由具有如該些之結構，化學性質變穩定，顯示出較大之負的介電異向性、較高之向列相之上限溫度、適當之光學異向性、及與其他液晶性化合物之優異之相溶性。另外，於將其製成組成物之情形時，可提供一種具有黏度低、具有適當之折射率異向性、臨界電壓低、另外向列相之上限溫度高、向列相之下限溫度低等之至少一種特性，或者關於至少兩種特性具有適當之平衡的液晶組成物。
化合物(1-1)之負的介電異向性大、向列相之上限溫度高、黏度小。
化合物(1-2)及化合物(1-3)之負的介電異向性大、向列相之上限溫度非常高、黏度稍小。
化合物(1-4)之負的介電異向性非常大、向列相之上限溫度非常高。
化合物(1-5)及化合物(1-6)之負的介電異向性非常大、向列相之上限溫度極其高。
本發明之化合物(1)可藉由於該式中之R1 、R2 、A、B、Z1 、Z2 、Z3 、Y1 及Y2 導入預定之基而獲得，如此之基的導入可藉由公知之一般有機合成法而獲得。代表性之合成例可列舉新實驗化學講座14有機化合物之合成與反應(1978年)丸善或者第四版實驗化學講座19~26有機合成I~VIII(1991)丸善等中記載之方法。
關於生成結合基Z1 、Z2 、Z3 或Z4 之方法的一例，首先表示流程(scheme)，其次藉由第(I)項~第(XI)項對流程加以說明。於該流程中，MSG1 或MSG2 為具有至少一個環的1價有機基。流程中所使用之多個MSG1 (或MSG2 )可相同亦可不同。化合物(1A)~(1K)相當於化合物(1)。
(I)單鍵之生成
於碳酸鹽水溶液與如四(三苯基膦)鈀之類的觸媒之存在下，使芳基硼酸(21)與以公知之方法合成的化合物(22)進行反應而合成化合物(1A)。該化合物(1A)亦可藉由使以公知之方法而合成之化合物(23)與正丁基鋰反應，其次與氯化鋅反應，於二氯雙(三苯基膦)鈀之類的觸媒之存在下與化合物(22)反應而合成。
(II)　-COO-與-OCO-之生成
使化合物(23)與正丁基鋰反應，繼而與二氧化碳反應而獲得羧酸(24)。於DDC(1,3-二環己基碳二醯亞胺)與DMAP(4-二甲胺基吡啶)之存在下，使化合物(24)與以公知之方法而合成之苯酚(25)脫水而合成具有-COO-之化合物(1B)。亦可藉由該方法而合成具有-OCO-之化合物。
(III)　-CF2 O-與-OCF2 -之生成
以勞森試劑(Lawesson's reagent)之類的硫化劑對化合物(1B)進行處理而獲得化合物(26)。以氟化氫吡啶錯合物與NBS(N-溴丁二醯亞胺)對化合物(26)進行氟化，合成具有-CF2 O-之化合物(1C)。參照M. Kuroboshi et al.,Chem. Lett.,1992,827.。亦可以(二乙基胺基)三氟化硫((diethylamino)sulfur trifluoride，DAST)對化合物(26)進行氟化而合成化合物(1C)。參照W. H. Bunnelle et al.,J. Org. Chem. 1990,55,768.。亦可藉由該方法而合成具有-OCF2 -之化合物。亦可藉由Peer. Kirsch et al.,Anbew. Chem. Int. Ed. 2001,40,1480.中記載之方法而生成該些結合基。
(IV)-CH=CH-之生成
將化合物(23)以正丁基鋰進行處理後，使其與N,N-二甲基甲醯胺(DMF)等甲醯胺反應而獲得醛(28)。使將以公知之方法而合成之鏻鹽(27)以如第三丁醇鉀之類的鹼進行處理而產生之磷葉立德(phosphorus ylide)，與醛(28)反應而合成化合物(1D)。由於反應條件而生成順式體，因此視需要藉由公知之方法而將順式體異構化為反式體。
(V)-(CH2 )2 -之生成
藉由於如鈀碳之類的觸媒之存在下對化合物(1D)進行氫化而合成化合物(1E)。
(VI)-(CH2 )4 -之生成
使用鏻鹽(29)代替鏻鹽(27)，依照第(IV)項之方法而獲得具有-(CH2 )2 -CH=CH-之化合物。對其進行接觸氫化而合成化合物(1F)。
(VII)-C≡C-之生成
於二氯化鈀與鹵化銅之觸媒之存在下，使化合物(23)與2-甲基-3-丁炔-2-醇反應後，於鹼性條件下進行去保護而獲得化合物(30)。於二氯化鈀與鹵化銅之觸媒之存在下，使化合物(30)與化合物(22)反應而合成化合物(1G)。
(VIII)-CF=CF-之生成
將化合物(23)以正丁基鋰進行處理後，使其與四氟乙烯反應而獲得化合物(31)。將化合物(22)以正丁基鋰進行處理後，使其與化合物(31)反應而合成化合物(1H)。
(IX)-CH2 O-或-OCH2 -之生成
以硼氫化鈉等還原劑將化合物(28)還原而獲得化合物(32)。將其以氫溴酸等進行鹵化而獲得化合物(33)。於碳酸鉀等之存在下，使化合物(33)與化合物(25)反應而合成化合物(1J)。
(X)-(CH2 )3 O-或-O(CH2 )3 -之生成
使用化合物(34)而代替化合物(32)，依照第(IX)項之方法而合成化合物(1K)。
(XI)-(CF2 )2 -之生成
依照J.Am.Chem.Soc.,2001,123,5414.中記載之方法，於氟化氫觸媒之存在下，以四氟化硫將二酮(-COCO-)氟化而獲得具有-(CF2 )2 -之化合物。
其次，表示合成式(1)所表示之十氫化萘化合物之方法的一例。首先對合成具有八氫化萘-2-酮骨架之反應中間體(40)的流程加以說明，其次記述合成式(1)所表示之十氫化萘化合物之方法的一例。
於化合物(36)~化合物(40)中，Q1 為式(1)之結構單元。結構單元表示於流程中。該些化合物中之R1 、A及Z1 之記號的含義與第1項中記載之記號之含義相同。
由化合物(36)合成式(40)之化合物的方法於W.Sucrow及H.Wolter,Chem.Ber.,118 ,3350(1985)等中有所記載。
化合物(37)可藉由化合物(36)與吡咯啶之反應而合成。該反應可藉由如下方式而進行：使用具有丁史塔克(Dean-Stark)之反應裝置，較佳的是於甲苯等可與水成為共沸混合物之溶劑中，一面使其回流一面除去水。化合物(38)可藉由使化合物(37)與甲基乙烯基酮加成而合成。較佳的是使用甲苯等溶劑，於溶劑之沸點下進行該反應。於充分進行加成反應後，藉由添加鹽酸等酸而獲得化合物(38)。化合物(39)可藉由化合物(38)之環化反應而合成。較佳的是於甲醇等溶劑中，於甲醇鈉等鹼之存在下進行該反應。化合物(40)可藉由化合物(39)之Birch還原而合成。於液化氨溶劑中，於鈉或鋰之存在下進行該反應。
作為起始原料之化合物(36)可依照有機合成化學之方法而容易地合成。
十氫化萘化合物(1)可依照有機合成化學之方法而將化合物(40)衍生為醇、醛、羧酸等之後，使用上述(I)～(XI)之方法而合成。
本發明之化合物與公知之同樣結構的化合物相比，與其他液晶材料之相溶性優異且黏度低，液晶溫度範圍亦較廣。而且，與類似之化合物相比，具有較低之臨界電壓且顯示出較低之黏度。另外，本發明化合物於通常使用液晶顯示元件之條件下物理性質及化學性質足夠穩定，且作為向列型液晶組成物之構成成分極其優異，可適宜使用為TN型、STN型、TFT型、VA型、IPS型及PSA型用液晶組成物之構成成分。
本發明之液晶組成物必須含有所述本發明之以式(1)所表示之化合物作為成分A。雖然亦可為僅該成分A之組成物、或者成分A與本說明書中未特別表示成分名之其他成分的組成物，但藉由於該成分A中添加選自以下所示之成分B、成分C、成分D及成分E的成分，可提供具有各種特性之本發明之液晶組成物。本發明之液晶組成物中之成分A的含量相對於液晶組成物之總重量為1 wt%～99 wt%之範圍較為適當，較佳的是3 wt%～90 wt%，更佳的是5 wt%～60 wt%。
作為添加於成分A中之成分，較佳的是混合有成分B及/或成分C及/或成分D之成分，所述成分B包含選自由所述式(2)、式(3)及式(4)所構成之群組之至少1種化合物，所述成分C包含選自由所述式(5)所構成之群組的至少1種化合物，所述成分D包含選自由所述式(6)、式(7)、式(8)、式(9)、式(10)及式(11)所構成之群組的至少1種化合物。另外，可藉由混合成分E而調整臨界電壓、液晶相溫度範圍、折射率異向性、介電異向性及黏度等，所述成分E包含選自由式(12)、式(13)及式(14)所構成之群組的至少1種化合物。
而且，本發明中所使用之液晶組成物之各成分即使是由各元素之同位素元素所構成之類似物，其物理特性上亦無較大之差異。
上述成分B中，化合物(2)之較佳例可列舉化合物(2-1)～化合物(2-16)，化合物(3)之較佳例可列舉化合物(3-1)～化合物(3-112)，化合物(4)之較佳例可列舉化合物(4-1)～化合物(4-54)。
式中，R3 及X1 之定義與上述相同。
該些化合物(2)～化合物(4)即成分B之介電異向性為正，熱穩定性或化學穩定性非常優異，因此可於調製TFT用及PSA用液晶組成物之情形時使用。本發明之液晶組成物中之成分B的含量相對於液晶組成物之總重量為1 wt%～99 wt%之範圍較為適當，較佳的是10 wt%～97 wt%，更佳的是40 wt%～95 wt%。而且，可藉由進一步含有化合物(12)～化合物(14)(成分E)而調整黏度。
所述化合物(5)即成分C中之較佳例可列舉化合物(5-1)～化合物(5-64)。
式中，R4 及X2 之定義與上述相同。
該些化合物(5)即成分C之介電異向性為正且其值非常大，因此可主要於調製STN、TN用、PSA用液晶組成物之情形時使用。藉由含有該成分C，可減小組成物之臨界電壓。而且，可調整黏度、調整折射率異向性及擴廣液晶相溫度範圍。另外，亦可用於陡峭性之改良。
於調製STN或TN用液晶組成物之情形時，成分C之含量可適用0.1 wt%～99.9 wt%之範圍，較佳的是10 wt%～97 wt%，更佳的是40 wt%～95 wt%。而且，藉由混合後述之成分，可調整臨界電壓、液晶相溫度範圍、折射率異向性、介電異向性及黏度等。
包含化合物(6)～化合物(11)之成分D於調製在垂直配向模式(VA模式)、高分子支持配向模式(PSA模式)等中所使用之介電異向性為負的本發明之液晶組成物之情形時為較佳之成分。
該化合物(6)～化合物(11)(成分D)之較佳例可列舉化合物(6-1)～化合物(6-6)、化合物(7-1)～化合物(7-15)、化合物(8-1)、化合物(9-1)～化合物(9-3)、化合物(10-1)～化合物(10-11)、及化合物(11-1)～化合物(11-10)。
式中，R5 及R6 之定義與上述相同。
該些成分D之化合物主要用於介電異向性值為負之VA模式、PSA模式用液晶組成物中。若其含量增加，則雖然組成物之臨界電壓變低，但黏度變大，因此較佳的是在滿足臨界電壓之要求的範圍內減少含量。然而，介電異向性之絕對值為5左右，因此若含量變得少於40 wt%，則存在無法進行電壓驅動之情形。
成分D中之化合物(6)為2環化合物，因此主要具有調整臨界電壓、調整黏度或調整折射率異向性之效果。而且，化合物(7)及化合物(8)為3環化合物，因此可獲得提高透明點、擴廣向列相範圍、降低臨界電壓、增大折射率異向性等之效果。而且，化合物(9)、化合物(10)及化合物(11)可獲得降低臨界電壓等之效果。
成分D之含量於調製VA模式、PSA模式用組成物之情形時，相對於組成物總量而言較佳的是40 wt%以上、更佳的是50 wt%～95 wt%。而且，藉由混合成分D，可控制彈性常數，且控制組成物之電壓-穿透率(voltage-transmittance)曲線。於將成分D混合於介電異向性為正之組成物中之情形時，其含量相對於組成物總量而言較佳的是30 wt%以下。
化合物(12)、化合物(13)及化合物(14)(成分E)之較佳例可列舉化合物(12-1)～化合物(12-11)、化合物(13-1)～化合物(13-19)、及化合物(14-1)～化合物(14-6)。
式中，R7 及R8 之定義與上述相同。
化合物(12)～化合物(14)(成分E)是介電異向性之絕對值小、且接近中性之化合物。化合物(12)主要具有調整黏度或調整折射率異向性之效果，且化合物(13)及化合物(14)所表示之化合物具有提高透明點等擴廣向列相範圍之效果，或者具有調整折射率異向性之效果。
若使成分E所表示之化合物之含量增加，則液晶組成物之臨界電壓變高、且黏度變低，因此只要滿足液晶組成物之臨界電壓之要求，則較理想的是含量較多。於調製TFT用、PSA用液晶組成物之情形時，成分E之含量相對於組成物總量而言較佳的是30 wt%以上、更佳的是50 wt%以上。而且，於調製TN用、STN用或PSA用液晶組成物之情形時，成分E之含量相對於組成物總量而言較佳的是30 wt%以上、更佳的是40 wt%以上。
本發明之液晶組成物以0.1 wt%～99 wt%之比例含有本發明之化合物(1)之至少一種，可表現出優良之特性而較佳。
本發明之液晶組成物之調製通常可藉由公知之方法、例如使必須成分於高溫度下溶解之方法等而調製。而且，可根據用途而添加本領域技術人員所熟知之添加物，例如可調製含有如後所述之光學活性化合物、或可聚合之化合物、聚合起始劑的本發明之液晶組成物，添加了染料之GH型用液晶組成物。通常情況下，添加物為本領域技術人員所熟知，於文獻等中有所詳細記載。
本發明之液晶組成物亦可於上述之本發明之液晶組成物中進一步含有一種以上光學活性化合物。
作為光學活性化合物，可添加公知之手性摻雜劑。該手性摻雜劑具有誘導液晶之螺旋結構而調整必要之扭轉角，防止逆扭轉之效果。手性摻雜劑之例可列舉光學活性化合物(Op-1)～光學活性化合物(Op-13)。
本發明之液晶組成物通常添加該些光學活性化合物而調整扭轉之間距。若為TFT用及TN用液晶組成物，則較佳的是將扭轉之間距調整為40μm~200μm之範圍。若為STN用液晶組成物，則較佳的是調整為6μm~20μm之範圍。而且，於雙穩態扭轉型(Bistable TN)模式用之情形時，較佳的是調整為1.5μm~4μm之範圍。而且，亦可添加兩種以上光學活性化合物以調整間距之溫度依存性。
本發明之液晶組成物若添加部花青系(merocyanine)、苯乙烯系、偶氮系、次甲基偶氮系、氧偶氮系、喹酞酮系、蒽醌系、四嗪系等二色性色素，則亦可作為GH型用液晶組成物而使用。
本發明之液晶組成物亦可作為以將向列型液晶微膠囊化而製作之NCAP、或於液晶中形成三維網狀高分子而製作之聚合物分散型液晶顯示元件(PDLCD)例如以聚合物網狀液晶顯示元件(PNLCD)用為代表之雙折射控制(ECB)型或DS型用液晶組成物而使用。
而且，本發明之液晶組成物亦可添加可聚合之化合物而作為PSA(polymer sustained alignment)型用液晶組成物而使用。可聚合之化合物之例子為具有丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯基氧基、丙烯基醚、環氧基、乙烯基酮、及環氧丙烷等可聚合之基的化合物。可聚合之化合物較佳的是於光聚合起始劑等適當之起始劑之存在下藉由UV照射等而聚合。用以聚合之適當之條件、起始劑之適當之類型以及適當之量對於本領域技術人員而言為已知的，於文獻中有所記載。例如作為光聚合起始劑之Irgacure651(註冊商標)、Irgacure184(註冊商標)或Darocurel173(註冊商標)(Ciba Japan K.K.)對於自由基聚合而言較為適當。
以下，藉由實例對本發明加以更詳細之說明，但本發明並不受該些實例限制。另外，若無特別之限制，則「%」表示「wt%」。
所得之化合物可藉由1 H-NMR分析中所得之核磁共振波譜、氣相層析法(GC)分析中所得之氣相層析圖等而進行鑑定，因此首先對分析方法加以說明。
1 H-NMR分析
測定裝置使用DRX-500(Bruker BioSpin股份有限公司製造)。將實例等中製造之樣品溶解於CDCl3 等樣品可溶之氘化溶劑中，於室溫、500 MHz、累計次數為24次之條件下進行測定。使用四甲基矽烷(TMS)作為化學位移δ的零點的標準物質。
GC分析
測定裝置使用島津製作所製造之GC-14B型氣相層析儀。管柱使用島津製作所製造之毛細管柱CBP1-M25-025(長度為25 m、內徑為0.22 mm、膜厚為0.25 μm；固定液相為二甲基聚矽氧烷，無極性)。載體氣體使用氦，並將流量調整為1 ml/min。將試樣氣化室之溫度設定為280℃，將偵測器(FID)部分之溫度設定為300℃。
將試樣溶解於甲苯中，調製為1 wt%之溶液，將所得之溶液1 μl注入至試樣氣化室中。
紀錄器使用島津製作所製造之C-R6A型Chromatopac或其同等品。所得之氣相層析圖中顯示與成分化合物對應之峰值之保持時間及峰值之面積值。
另外，試樣之稀釋溶劑例如亦可使用氯仿、己烷。而且，管柱亦可使用Agilent Technologies Inc.製造之毛細管柱DB-1(長度為30 m、內徑為0.32 mm、膜厚為0.25 μm)、Agilent Technologies Inc.製造之HP-1(長度為30 m、內徑為0.32 mm、膜厚為0.25 μm)、Restek Corporation製造之Rtx-1(長度為30 m、內徑為0.32 mm、膜厚為0.25 μm)、SGE International Pty. Ltd製造之BP-1(長度為30 m、內徑為0.32 mm、膜厚為0.25 μm)等。
氣相層析圖中之峰值之面積比相當於成分化合物之比例。一般情況下，分析樣品之成分化合物之重量百分比並不與分析樣品之各峰值之面積百分比完全相同，但於本發明中使用上述管柱之情形時，實質上校正係數為1，因此分析樣品中之成分化合物之重量百分比與分析樣品中之各峰值之面積百分比對應。
[化合物等之物性之測定試樣]
測定化合物之物性的試樣有如下兩種：將化合物自身作為試樣之情形、將化合物與母液晶混合而作為試樣之情形。
於使用混合有化合物與母液晶之試樣的後者之情形時，藉由以下方法進行測定。首先，將所測定之液晶化合物15 wt%與母液晶85 wt%加以混合而製作試樣。其次，根據所得之試樣之測定值，依照下述式所示之外推法而算出外推值。將該外推值作為該化合物之物性值。
〈外推值〉=(100×〈試樣之測定值〉-〈母液晶之重量百分比〉×〈母液晶之測定值〉)/〈化合物之重量百分比〉
液晶化合物與母液晶之比例為該比例，但於25℃下為層列相之情形或者於25℃下析出結晶之情形時，將液晶化合物與母液晶之比例順次變更為10 wt%：90 wt%、5 wt%：95 wt%、1 wt%：99 wt%，以於25℃下並不變為層列相之組成或者於25℃下並不析出結晶之組成測定試樣之物性值，依照上述式而求出外推值，將該值作為液晶化合物之物性值。
測定中所使用之母液晶存在著各種種類，例如母液晶A之組成如下所示。
另外，測定液晶組成物之物性的試樣使用液晶組成物本身。
[化合物等之物性之測定方法]
以後述之方法進行物性之測定。該些測定方法多為日本電子機械工業會規格(Standard of Electric Industries Association of Japan)EIAJ‧ED-2521A中記載之方法或者對其進行修改而成之方法。而且，測定中所使用之TN元件或VA元件中並未安裝TFT。
測定值中，至於將化合物單質自身作為試樣而獲得之值與將液晶組成物自身作為試樣而獲得之值，將該值直接記載為實驗資料。於將化合物混合於母液晶中製成試樣而獲得之情形時，將藉由外推法而所得之值作為物性值。
相結構及轉移溫度(℃)
藉由以下(1)及(2)之方法進行測定。
(1)於具有偏光顯微鏡之熔點測定裝置的加熱板(Mettler公司之FP-52型高溫載台)上放置化合物，一面以3℃/min之速度進行加熱一面用偏光顯微鏡觀察相狀態與其變化，確定相之種類。
(2)使用珀金埃爾默股份有限公司製造之掃描熱卡計DSC-7系統或者Diamond DSC系統，以3℃/min之速度進行升降溫，藉由外推求出伴隨著試樣之相變的吸熱峰或者發熱峰之開始點(on set)，確定轉移溫度。
以下，將結晶表示為C。在區別結晶之情形時，分別表示為C1 或C2 。而且，將層列相表示為S，將向列相表示為N。將液體(等向性)表示為Iso。於層列相中，在區別層列型B相或層列型A相之情形時，分別表示為SB 或SA 。作為轉移溫度之記述，例如「C 50.0 N 100.0 Iso」表示自結晶至向列相之轉移溫度(CN)為50.0℃，自向列相至液體之轉移溫度(NI)為100.0℃。其他記述亦相同。
向列相之上限溫度(TNI ；℃)
於具有偏光顯微鏡之熔點測定裝置的加熱板(Mettler公司之FP-52型高溫載台)上放置試樣(液晶組成物、或液晶性化合物與母液晶之混合物)，一面以1℃/分鐘之速度進行加熱一面以偏光顯微鏡進行觀察。將試樣之一部分自向列相變化為等向性液體時之溫度作為向列相之上限溫度。以下，有時將向列相之上限溫度僅僅簡稱為「上限溫度」。
低溫相溶性
製作以化合物成為20wt%、15wt%、10wt%、5wt%、3wt%及1wt%之量的方式混合有母液晶與化合物的試樣，將試樣放入至玻璃瓶中。將該玻璃瓶於-10℃或-20℃之製冷器中保管一定時間後，觀察是否析出結晶或者層列相。
黏度(整體黏度；η；於20℃下測定；mPa‧s)
具有若黏度(整體黏度)小則響應時間變小之特徵。
使用E型旋轉黏度計進行測定。
黏度(旋轉黏度；γ1；於25℃下測定；mPa‧s)
具有若黏度(旋轉黏度)小則響應時間變小之特徵。
依照M.Imai et al.,Molecular Crystals and Liquid Crystals,Vol.259,37(1995)中記載之方法進行測定。將試樣(液晶組成物、或化合物與母液晶之混合物)放入至2枚玻璃基板之間隔(單元間隙)為20μm之VA元件中。於30伏特至50伏特之範圍內每1伏特地對該元件階段性地施加電壓。於0.2秒之未施加後，於僅1個矩形波(矩形脈衝；0.2秒)與未施加(2秒)之條件下反覆施加。測定由於該施加所產生之暫態電流(transient current)之峰值電流(peak current)與峰值時間(peak time)。由該些測定值與M.Imai等人之論文第40頁之計算式(8)而獲得旋轉黏度之值。
另外，於該計算中所必需之介電異向性(△ε)，使用下述介電異向性(△ε)中所測定之值。
折射率異向性(△n；於25℃下測定)
於25℃之溫度下，使用波長為589 nm之光，藉由於接目鏡上安裝了偏光板的阿貝折射計進行測定。於一個方向對主稜鏡之表面進行摩擦(rubbing)後，將試樣(液晶組成物、或化合物與母液晶之混合物)滴加至主稜鏡上。於偏光方向與摩擦方向平行時測定折射率(n∥)。於偏光方向與摩擦方向垂直時測定折射率(n⊥)。根據(Δn)=(n∥)-(n⊥)之式計算出光學異向性(Δn)之值。
介電異向性(Δε；於25℃下測定)
於經充分清洗之玻璃基板上塗佈十八烷基三乙氧基矽烷(0.16 ml)之乙醇(20 ml)溶液。藉由旋轉器使玻璃基板旋轉後，於150℃下加熱1小時。由2枚玻璃基板組裝間隔(單元間隙)為20 μm之VA元件。
以同樣之方法，於玻璃基板上調製聚醯亞胺之配向膜。對所得之玻璃基板之配向膜進行摩擦處理後，組裝2枚玻璃基板之間隔為9 μm、扭轉角為80度之TN元件。
將試樣(液晶組成物、或化合物與母液晶之混合物)放入至所得之VA元件中，施加0.5 V(1 kHz、正弦波)，測定液晶分子之長軸方向之介電常數(ε∥)。
而且，將試樣(液晶組成物、或化合物與母液晶之混合物)放入至所得之TN元件中，施加0.5 V(1 kHz、正弦波)，測定液晶分子之短軸方向之介電常數(ε⊥)。
根據(Δε)=(ε∥)-(ε⊥)之式算出介電異向性(Δε)之值。
<化合物之合成例>
[實例1]
2-[4-(4-乙氧基-2,3-二氟苯氧基甲基)-6-丙基十氫化萘之合成(化合物No.3)
第一步驟
於具有丁史塔克(Dean-Stark)之氮氣環境化之反應器中，於4-丙基環己酮53.0 g中添加甲苯200 ml與吡咯啶90 ml，一面除去丁史塔克中生成之水一面回流3小時。冷卻至室溫後，以飽和食鹽水對反應液加以清洗後，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯，獲得58.2 g之1-(4-丙基環己-1-烯基)吡咯啶。
第二步驟
於氮氣環境化之反應器中，於第一步驟中所得之1-(4-丙基環己-1-烯基)吡咯啶58.2 g中於室溫下添加甲苯300 ml與甲基乙烯基酮42 ml，回流6小時。冷卻至室溫後，添加2N鹽酸200 ml而攪拌15分鐘。以飽和食鹽水對反應液加以清洗後，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯，獲得34.3 g之2-(3-酮丁基)-4-丙基環己酮。
第三步驟
於氮氣環境化之反應器中，於無水甲醇300 ml中添加甲醇鈉17.6 g，於其中於室溫下滴加第二步驟中所得之2-(3-酮丁基)-4-丙基環己酮34.3 g之無水甲醇300 ml溶液，攪拌90分鐘。添加1N鹽酸300 ml，以乙酸乙酯對水層進行萃取。收集有機層，以飽和食鹽水加以清洗後，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲醇。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得21.9 g之6-丙基-4,4a,5,6,7,8-六氫化萘-2(3H)-酮。
第四步驟
於氮氣環境化之反應器中添加液體氨300 ml，添加鋰3.6 g，繼而添加乙醇10 ml。於其中滴加第三步驟中所得之6-丙基-4,4a-5,6,7,8-六氫化萘-2(3H)-酮21.9 g之THF 150 ml溶液，攪拌30分鐘。添加氯化銨25 g後，於室溫下餾去氨，添加水200 ml。以甲苯對混合物進行萃取，以水加以清洗後，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得14.8 g之6-丙基-八氫化萘-2(1H)-酮。
第五步驟
於氮氣環境化之反應器中，於甲氧基甲基三苯基氯化鏻30.3 g中添加THF 200 ml，冷卻至-20℃，添加t-BuOK 9.9 g之THF 50 ml溶液，攪拌1小時。於其中滴加第四步驟中所得之6-丙基-八氫化萘-2(1H)-酮13.3 g之THF 100 ml溶液，攪拌1小時。將反應混合物升溫至室溫，添加水100 ml而以甲苯進行萃取。對所得之有機層進行水洗後，於無水硫酸鎂上進行乾燥，於減壓下將甲苯濃縮至約200 ml，將濃縮之溶液投入至正己烷1000 ml中，濾別除去析出之固體。將所得之溶液於減壓下餾去溶劑，藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/20(體積比))對殘留物進行純化，獲得13.3 g之2-甲氧基亞甲基-6-丙基十氫化萘。
第六步驟
使第五步驟中所得之2-甲氧基亞甲基-6-丙基十氫化萘13.3 g溶解於丙酮100 ml中，添加鹽酸(4M)30 ml，於室溫下攪拌3小時。添加水100 ml，以甲苯進行萃取，將有機層合併後以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去溶劑。於殘留物中添加乙醇100 ml，於冰冷下添加NaOH水溶液(20%)15 ml，於室溫下攪拌2小時。添加飽和氯化銨水溶液進行中和，以甲苯進行萃取，將有機層合併後以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得12.1 g之6-丙基十氫化萘-2-甲醛。
第七步驟
使第六步驟中所得之6-丙基十氫化萘-2-甲醛6.0 g溶解於EtOH 50 ml中，於冰冷下每次少量添加硼氫化鈉共1.2 g，於室溫下攪拌15小時。添加水100 ml，以甲苯進行萃取，將有機層合併後以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/2(體積比))對殘留物進行純化，獲得4.2 g之(6-丙基十氫化萘-2-基)甲醇。
第八步驟
使第七步驟中所得之(6-丙基十氫化萘-2-基)甲醇4.2 g溶解於二氯甲烷50 ml中，添加對甲苯磺醯氯3.8 g。於冰冷下添加吡啶11.0 g之二氯甲烷50 ml溶液，於室溫下攪拌30分鐘。將反應液以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去二氯甲烷。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得5.8 g之對甲苯磺酸(6-丙基十氫化萘-2-基)甲酯。
第九步驟
使第八步驟中所得之對甲苯磺酸(6-丙基十氫化萘-2-基)甲酯3.0 g溶解於DMF 50 ml中，添加4-乙氧基-2,3-二氟苯酚1.4 g與碳酸鉀2.2 g，於60℃下攪拌5小時。將反應液以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去DMF。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/20(體積比))、再結晶(溶劑：Solmix/正庚烷=1/4(體積比))對殘留物進行純化，獲得1.8 g之2-((4-乙氧基-2,3-二氟苯氧基)甲基)-6-丙基十氫化萘。
1 H-NMR分析之化學位移δ(ppm)如下所述，可鑑定所得之化合物為2-((4-乙氧基-2,3-二氟苯氧基)甲基)-6-丙基十氫化萘。另外，測定溶劑為CDCl3 。
化學位移δ(ppm)：6.60(m,2H),4.14(q,2H),3.77(d,2H),1.9-0.8(m,26H)。
所得之化合物(No.3)之相轉移溫度如下所述。
相轉移溫度：C 73.5(N 61.4) Iso。
[實例2]
2-(4-((4-乙氧基-2,3-二氟苯氧基)甲基)環己基)-6-丙基十氫化萘之合成(化合物No.68)
第一步驟
於具有丁史塔克之氮氣環境化之反應器中，於4-(1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷-8-基)環己酮100 g中添加甲苯200 ml與吡咯啶90 ml，一面除去丁史塔克中生成之水一面回流3小時。冷卻至室溫後，以飽和食鹽水對反應液加以清洗後，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯，獲得105.8 g之1-(4-(1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷-8-基)環己-1-烯基)吡咯啶。
第二步驟
於氮氣環境化之反應器中，於第一步驟中所得之1-(4-(1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷-8-基)環己-1-烯基)吡咯啶105.8 g中於室溫下添加甲苯300 ml與甲基乙烯基酮42 ml，回流6小時。冷卻至室溫後，添加乙酸鈉18 g、乙酸36 ml、水60 ml回流4小時。冷卻至室溫後，添加水200 ml，以乙酸乙酯對水層進行萃取。收集有機層，以飽和食鹽水對其加以清洗後，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲醇。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/5(體積比))對殘留物進行純化，進一步藉由再結晶(溶劑：Solmix/正庚烷=1/9(體積比))進行純化，獲得43.3g之6-(1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷-8-基))-4,4a,5,6,7,8-六氫化萘-2(3H)-酮。
第三步驟
於氮氣環境化之反應器中添加液體氨500ml，添加鋰4.5g，繼而添加乙醇10ml。於其中滴加第二步驟中所得之6-(1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷-8-基)-4,4a,5,6,7,8-六氫化萘-2(3H)-酮43.3g之THF 100ml溶液，攪拌30分鐘。添加氯化銨25g後，於室溫下餾去氨，添加水200ml。以甲苯對混合物進行萃取，以水加以清洗後，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得36.0g之6-(1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷-8-基)-八氫化萘-2(1H)-酮。
第四步驟
於氮氣環境化之反應器中，於丙基三苯基溴化鏻56.9g中添加THF 500ml，冷卻至-20℃，添加t-BuOK 16.6g之THF 150ml溶液，攪拌1小時。於其中滴加第三步驟中所得之6-(1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷-8-基)-八氫化萘-2(1H)-酮36.0g之THF 200ml溶液，攪拌1小時。將反應混合物升溫至室溫，添加水500ml而以甲苯進行萃取。對所得之有機層進行水洗後，於無水硫酸鎂上進行乾燥，於減壓下將 甲苯濃縮至約300ml，將濃縮之溶液投入至正己烷1500ml中，濾別除去析出之固體。將所得之溶液於減壓下餾去溶劑，藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/20(體積比))對殘留物進行純化，獲得28.3g之8-(6-亞丙基十氫化萘-2-基)-1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷。
第五步驟
使第四步驟中所得之8-(6-亞丙基十氫化萘-2-基)-1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷28.3g溶解於甲苯150ml、乙醇300ml中，添加Pd/C 1.4g，於氫氣環境化室溫下攪拌15小時。藉由過濾除去Pd/C，於減壓下餾去溶劑。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得27.9g之8-(6-丙基十氫化萘-2-基)-1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷。
第六步驟
於第五步驟中所得之8-(6-丙基十氫化萘-2-基)-1,4-二氧雜螺[4.5]癸烷27.9g中添加甲苯300ml、甲酸(98%)15g攪拌7小時。冷卻至室溫，以氫氧化鈉水溶液(1M)、繼而以水加以清洗後，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得24.1g之4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己酮。
第七步驟
於氮氣環境化之反應器中，於甲氧基甲基三苯基氯化鏻35.9g中添加THF 200ml，冷卻至-20℃，添加t-BuOK 11.7g之THF 50ml溶液而攪拌1小時。於其中滴加第六步驟中所得之4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己酮24.1g之THF 200ml溶液，攪拌1小時。將反應混合物升溫至室溫，添加水200ml而以甲苯進行萃取。對所得之有機層進行水洗後，於無水硫酸鎂上進行乾燥，於減壓下將甲苯濃縮至約200ml，將濃縮之溶液投入至正己烷1000ml中，濾別除去析出之固體。將所得之溶液於減壓下餾去溶劑，藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/20(體積比))對殘留物進行純化，獲得20.9g之2-(4-(甲氧基亞甲基)環己基)-6-丙基十氫化萘。
第八步驟
使第七步驟中所得之2-(4-(甲氧基亞甲基)環己基)-6-丙基十氫化萘20.9g溶解於丙酮200ml中，添加鹽酸(4M)40ml，於室溫下攪拌3小時。添加水200ml，以甲苯進行萃取，將有機層合併後以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去溶劑。於殘留物中添加乙醇200ml、甲苯200ml，於冰冷下添加NaOH水溶液(20%)20ml，於室溫下攪拌2小時。添加飽和氯化銨水溶液進行中和，以甲苯進行萃取，將有機層合併後以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得17.4g之4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己烷甲醛。
第九步驟
使第八步驟中所得之4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己烷甲醛17.4g溶解於EtOH 50ml中，於冰冷下每次少量添加硼氫化鈉共1.2g，於室溫下攪拌15小時。添加水100ml，以甲苯進行萃取，將有機層合併後以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去甲苯。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/2(體積比))對殘留物進行純化，獲得15.2g之(4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己基)甲醇。
第十步驟
使第九步驟中所得之(4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己基)甲醇15.2g溶解於二氯甲烷150ml中，添加對甲苯磺醯氯10.9g。於冰冷下添加吡啶32g之二氯甲烷150ml溶液，於室溫下攪拌30分鐘。將反應液以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去二氯甲烷。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))對殘留物進行純化，獲得20.3g之對甲苯磺酸(4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己基)甲酯((4-(6-propyl decahydronaphthalene-2-yl)cyclohexyl)methyl p-toluenesulfonate)。
第十一步驟
使第十步驟中所得之對甲苯磺酸(4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己基)甲酯3.5g溶解於DMF 50ml中，添加4-乙氧基-2,3-二氟苯酚1.6g與碳酸鉀2.2g，於70℃下攪拌5小時。將反應液以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥， 於減壓下餾去DMF。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/20(體積比))、再結晶(溶劑：Solmix/正庚烷=1/4(體積比))對殘留物進行純化，獲得2.1g之2-(4-((4-乙氧基-2,3-二氟苯氧基)甲基)環己基)-6-丙基十氫化萘。
1 H-NMR分析之化學位移δ(ppm)如下所述，可鑑定所得之化合物為2-(4-((4-乙氧基-2,3-二氟苯氧基)甲基)環己基)-6-丙基十氫化萘。另外，測定溶劑為CDCl3 。
化學位移δ(ppm)：6.60(m,2H),4.05(q,2H),3.75(d,2H),2.0-0.5(m,36H)。
所得之化合物(No.68)之相轉移溫度如下所述。
相轉移溫度：C 60.3 N 189.5 Iso。
[實例3]
2-((4'-乙氧基-2,2',3,3'-四氟聯苯-4-基氧基)甲基)-6-丙基十氫化萘之合成(化合物No.120)
使實例1之第八步驟中所得之對甲苯磺酸(6-丙基十氫化萘-2-基)甲酯2.5g溶解於DMF 30ml中，添加4'-乙氧基-2,2',3,3'-四氟聯苯-4-酚2.6g與碳酸鉀1.8g，於60℃下攪拌5小時。將反應液以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去溶劑。藉由矽膠管柱層析法(展開溶 劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))、再結晶(溶劑：Solmix/正庚烷=1/4(體積比))對殘留物進行純化，獲得2.3g之2-((4'-乙氧基-2,2',3,3'-四氟聯苯-4-基氧基)甲基)-6-丙基十氫化萘。
1 H-NMR分析之化學位移δ(ppm)如下所述，可鑑定所得之化合物為2-((4'-乙氧基-2,2',3,3'-四氟聯苯-4-基氧基)甲基)-6-丙基十氫化萘。另外，測定溶劑為CDCl3 。
化學位移δ(ppm)：7.00(m,2H),6.78(m,2H),4.16(q,2H),3.80(d,2H),2.0-0.8(m,26H)。
所得之化合物(No.120)之相轉移溫度如下所述。
相轉移溫度：C 104.9 N 159.4 Iso。
[實例4]
2-(4-((4'-乙氧基-2,2',3,3'-四氟聯苯-4-基氧基)甲基)環己基)-6-丙基十氫化萘之合成(化合物No.391)
使實例2之第十步驟中所得之對甲苯磺酸(4-(6-丙基十氫化萘-2-基)環己基)甲酯2.8g溶解於DMF 60ml中，添加4'-乙氧基-2,2',3,3'-四氟聯苯-4-酚2.1g與碳酸鉀1.7g，於70℃下攪拌5小時。將反應液以水加以清洗，以無水硫酸鎂將其乾燥，於減壓下餾去溶劑。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯/正庚烷=1/9(體積比))、再結晶(溶劑：Solmix/正庚烷=1/4(體積比))對殘留物進行純化，獲得1.9 g之2-(4-((4'-乙氧基-2,2',3,3'-四氟聯苯-4-基氧基)甲基)環己基)-6-丙基十氫化萘。
1 H-NMR分析之化學位移δ(ppm)如下所述，可鑑定所得之化合物為2-(4-((4'-乙氧基-2,2',3,3'-四氟聯苯-4-基氧基)甲基)環己基)-6-丙基十氫化萘。另外，測定溶劑為CDCl3 。
化學位移δ(ppm)：7.00(m,2H),6.80(m,2H),4.16(q,2H),3.86(d,2H),2.0-0.5(m,36H)。
所得之化合物(No.391)之相轉移溫度如下所述。
相轉移溫度：C 134.3 N 279.4 Iso。
[實例5]
可藉由與實例1～實例4同樣之方法而製造以下之化合物(No.1)～化合物(No.427)。
<液晶組成物之例>
將本發明之代表性組成物匯總於實例6。首先，表示作為組成物之成分的化合物與其量(重量百分比)。化合物是依照表3之規定，藉由左末端基、結合基、環狀構造、及右末端基之記號進行表示。
[實例6]
組成物例1
3-Npd1OB(2F,3F)-O2　(No.3)　20%
3-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　20%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　20%
3-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　10%
5-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　10%
2-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
3-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
NI=73.6℃；Δn=0.106；Δε=-7.4；η=37.3 mPa‧sec。
組成物例2
3-Npd1OB(2F,3F)-O2　(No.3)　15%
3-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　20%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　5%
3-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　10%
5-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　10%
2-HH1OB(2F,3F)-O2　(7-5)　4%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(7-5)　4%
2-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
3-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
5-HB-3　(12-5)　10%
3-HBBH-3　(14-1)　2%
NI=82.2℃；Δn=0.109；Δε=-6.9；η=36.8 mPa‧sec。
組成物例3
3-Npd1OB(2F,3F)-O2　(No.3)　10%
3-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　20%
3-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　10%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　10%
3-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　5%
5-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　5%
2-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
3-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
5-HB-3　(12-5)　10%
3-HBB-2　(13-4)　5%
2-BB(3F)B-3　(13-6)　5%
NI=62.3℃；Δn=0.115；Δε=-6.0；η=30.7 mPa‧sec。
組成物例4
3-Npd1OB(2F,3F)B(2F,3F)-O2　(No.120)　10%
3-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　10%
5-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　10%
3-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　15%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　15%
3-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　10%
5-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　10%
2-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
3-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
NI=77.0℃；Δn=0.111；Δε=-7.5；η=42.6 mPa‧sec。
組成物例5
3-Npd1OB(2F,3F)-O2　(No.3)　5%
3-Npd1OB(2F,3F)B(2F,3F)-O2　(No.120)　10%
3-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　20%
5-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　10%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　20%
3-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　5%
5-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　5%
2-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
3-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
2-BB(3F)B-3　(13-6)　5%
NI=70.5℃；Δn=0.118；Δε=-7.4；η=42.8 mPa‧sec。
組成物例6
3-Npd1OB(2F,3F)B(2F,3F)-O2　(No.120)　10%
3-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　10%
5-HB(2F,3F)-O2　(6-1)　10%
3-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　13%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　20%
3-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　5%
5-HHB(2F,3F)-O2　(7-1)　5%
3-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
4-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
2-BB(3F)B-3　(13-6)　5%
3-HBBH-3　(14-1)　2%
NI=75.3℃；Δn=0.118；Δε=-7.2；η=43.0 mPa‧sec。
組成物例7
3-NpdH1OB(2F,3F)-O2　(No.68)　8%
3-HB(2F,3F)-O4　(6-1)　10%
5-HB(2F,3F)-O4　(6-1)　10%
V-HB(2F,3F)-O4　(6-1)　7%
3-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　20%
2-HH1OB(2F,3F)-O2　(7-5)　5%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(7-5)　5%
3-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
4-HHB(2F,3C1)-O2　(7-12)　5%
3-HH2B(2F,3F,6Me)-O2　(11-6)　5%
3-HH1OCro(7F,8F)-5　(10-6)　3%
5-HH1OCro(7F,8F)-5　(10-6)　3%
2-HH1OCro(7F,8F)-4　(10-6)　3%
3-BB(2F,3F)B-O2　(8-1)　6%
NI=73.1℃；Δn=0.102；Δε=-7.3；η=46.5 mPa‧sec。
組成物例8
3-Npd1OB(2F,3F)B(2F,3F)-O2　(No.120)　5%
3-NpdH1OB(2F,3F)B(2F,3F)-O2　(No.391)　3%
3-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　25%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　25%
2-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
3-HBB(2F,3F)-O2　(7-7)　10%
2-HHB(2F,3CL)-O2　(7-12)　5%
3-HHB(2F,3CL)-O2　(7-12)　5%
3-HH1OB(2F,3F,6Me)-O2　(11-7)　5%
5-HH1OB(2F,3F,6Me)-O2　(11-7)　5%
5-HH1ONp(1F,7F,8F)-O4　(9-3)　2%
NI=74.3℃；Δn=0.107；Δε=-7.1；η=44.6 mPa‧sec。
組成物例9
3-Npd1OB(2F,3F)-O2　(No.3)　6%
3-NpdH1OB(2F,3F)-O2　(No.68)　6%
3-HB(2F,3F)-O4　(6-1)　10%
5-HB(2F,3F)-O4　(6-1)　10%
V-HB(2F,3F)-O4　(6-1)　5%
3-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　15%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　15%
2-HHB(2F,3CL)-O2　(7-12)　6%
3-HHB(2F,3CL)-O2　(7-12)　6%
4-HHB(2F,3CL)-3　(7-12)　6%
3-BB(2F,3F)B-O2　(8-1)　6%
5-HBB(3F)B-2　(14-5)　9%
NI=70.6℃；Δn=0.106；Δε=-6.3；η=43.0 mPa‧sec。
組成物例10
3-Npd1OB(2F,3F)-O2　(No.3)　4%
3-NpdH1OB(2F,3F)-O2　(No.68)　3%
3-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　15%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　15%
2-HHB(2F,3F)-1　(7-1)　8%
3-BB(3F)XB(3F)-F　(3-93)　15%
2-HBB(3F)-F　(3-23)　15%
3-H2BTB-2　(13-17)　8%
4-H2BTB-2　(13-17)　8%
5-HBB(3F)B-2　(14-5)　9%
NI=78.9℃；Δn=0.137；Δε=-1.1。
組成物例11
3-Npd1OB(2F,3F)-O2　(No.3)　4%
3-NpdH1OB(2F,3F)-O2　(No.68)　3%
3-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　15%
5-H2B(2F,3F)-O2　(6-4)　15%
2-HHB(2F,3F)-1　(7-1)　8%
2-HBB(3F)-F　(3-23)　10%
3-HB-C　(13-17)　20%
3-H2BTB-2　(13-17)　8%
4-H2BTB-2　(13-17)　8%
5-HBB(3F)B-2　(14-5)　9%
NI=77.3℃；Δn=0.136；Δε=-0.2。
[產業上之可利用性]
本發明提供一種與其他液晶材料之相溶性優異、且具有較大之折射率異向性(Δn)之新穎之液晶化合物。
而且，本發明藉由將該液晶化合物作為成分，適當選擇構成該化合物之環、取代基、結合基等，而提供具有所期望之物性的具有上述特徵的新穎之液晶組成物；另外提供使用該液晶組成物而構成之液晶顯示元件。該液晶顯示元件可廣泛用於時鐘、計算器、文字處理機等之顯示器中。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (19)

  1. 一種化合物，以式(1)表示： 於式(1)中，R1 及R2 獨立為碳數為1~10之烷基，於該烷基中任意之-CH2 -能經-O-取代，任意之-(CH2 )2 -能經-CH=CH-取代；環A及環B獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，於1,4-伸苯基中任意之-CH=能經-N=取代，且於該些環中任意之氫能經氟取代；Z1 及Z2 為單鍵；Z3 為-CH2 O-或-OCH2 -；Y1 及Y2 為氟；m及n獨立為0、1或2；p為1或2；m+n+p為1、2或3。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化合物，其中，於式(1)中，R2 為碳數為1~9之烷氧基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之化合物，其中，於式(1)中，Z3 為-CH2 O-。
  4. 一種化合物，以式(1-1)表示： 於式(1-1)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為碳數為2~6之烷氧基。
  5. 一種化合物，以式(1-2)或式(1-3)所表示： 於式(1-2)及式(1-3)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為碳數為2~6之烷氧基；環A及環B獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
  6. 一種化合物，以式(1-4)表示： 於式(1-4)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為碳數為2~6之烷氧基。
  7. 一種化合物，以式(1-5)或式(1-6)所表示： 於式(1-5)及式(1-6)中，R1 為碳數為1~7之烷基、碳數為2~6之烷氧基、或碳數為2~7之烯基；R2 為碳數為2~6之烷氧基；環A及環B獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
  8. 一種液晶組成物，含有第一成分及第二成分，該第一成分是選自如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之化合物的至少一種。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物，其中該第二成分含有選自通式(2)、通式(3)及通式(4)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 於式(2)~式(4)中，R3 為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於所述烷基及烯基中，任意之氫能經氟取代，任意之-CH2 -能經-O-取代；X1 獨立為氟、氯、-OCF3 、-OCHF2 、-CF3 、-CHF2 、-CH2 F、-OCF2 CHF2 或-OCF2 CHFCF3 ；環A1 、環A2 及環A3 獨立為1,4-伸環己基、1,3-二噁烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、1-四氫吡喃-2,5-二基、或任意之氫能經氟取代之1,4-伸苯基；Z4 及Z5 獨立為-(CH2 )2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 O-或單鍵；L1 及L2 獨立為氫或氟。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物，其中該第二成分含有選自通式(5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 於式(5)中，R4 為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於所述烷基及烯基中，任意之氫能經氟取代，任意之-CH2 -能經-O-取代；X2 為-C≡N或-C≡C-CN；環B1 、環B2 及環B3 獨立為1,4-伸環己基、任意之氫能經氟取代之1,4-伸苯基、1,3-二噁烷-2,5-二基、1-四氫吡喃-2,5-二基、或嘧啶-2,5-二基；Z6 為-(CH2 )2 -、-COO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-C≡C-、-CH2 O-或單鍵；L3 及L4 獨立為氫或氟；q為0、1或2，r為0或1。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物，其中該第二成分含有選自通式(6)、通式(7)、通式(8)、通式(9)、通式(10)及通式(11)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 於式(6)~式(11)中，R5 及R6 獨立為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於所述烷基及烯基中任意之-CH2 -能經-O-取代，於所述烯基中，任意之氫能經氟取代；環C1 、環C2 、環C3 及環C4 獨立為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、任意之氫能經氟取代之1,4-伸苯基、6-四氫吡喃-2,5-二基、或十氫-2,6-萘；Z7 、Z8 、Z9 及Z10 獨立為-(CH2 )2 -、-COO-、-CH2 O-、-OCF2 -、-OCF2 (CH2 )2 -或單鍵； L5 及L6 獨立為氟或氯；j、k、l、m、n及s獨立為0或1，k+l+m+n為1或2。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物，其中該第二成分含有選自通式(12)、通式(13)及通式(14)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 於式(12)~式(14)中，R7 及R8 獨立為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於該烯基中，任意之氫能經氟取代，任意之-CH2 -能經-O-取代；環D1 、環D2 及環D3 獨立為1,4-伸環己基、嘧啶-2,5-二基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z11 及Z12 獨立為-C≡C-、-COO-、-(CH2 )2 -、-CH=CH-或單鍵。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之液晶組成物，其更含有選自通式(5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 於式(5)中，R4 為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於所述烷基及烯基中，任意之氫能經氟取代，任意之-CH2 -能經-O-取代；X2 為-C≡N或-C≡C-CN；環B1 、環B2 及環B3 獨立為1,4-伸環己基、任意之氫能經氟取代之1,4-伸苯基、1,3-二噁烷-2,5-二基、1-四氫吡喃-2,5-二基、或嘧啶-2,5-二基；Z6 為-(CH2 )2 -、-COO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-C≡C-、-CH2 O-或單鍵；L3 及L4 獨立為氫或氟；q為0、1或2，r為0或1。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之液晶組成物，其更含有選自通式(12)、通式(13)及通式(14)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 於式(12)~式(14)中，R7 及R8 獨立為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於該烯基中，任意之氫能經氟取代，任意之-CH2 -能經-O-取代；環D1 、環D2 及環D3 獨立為1,4-伸環己基、嘧啶-2,5-二基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、或 2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z11 及Z12 獨立為-C≡C-、-COO-、-(CH2 )2 -、-CH=CH-或單鍵。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之液晶組成物，其更含有選自通式(12)、通式(13)及通式(14)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 於式(12)~式(14)中，R7 及R8 獨立為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於該烯基中，任意之氫能經氟取代，任意之-CH2 -能經-O-取代；環D1 、環D2 及環D3 獨立為1,4-伸環己基、嘧啶-2,5-二基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z11 及Z12 獨立為-C≡C-、-COO-、-(CH2 )2 -、-CH=CH-或單鍵。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之液晶組成物，其更含有選自通式(12)、通式(13)及通式(14)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 於式(12)~式(14)中，R7 及R8 獨立為碳數為1~10之烷基或碳數為2~10之烯基，於該烯基中，任意之氫能經氟取代，任意之-CH2 -能經-O-取代；環D1 、環D2 及環D3 獨立為1,4-伸環己基、嘧啶-2,5-二基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z11 及Z12 獨立為-C≡C-、-COO-、-(CH2 )2 -、-CH=CH-或單鍵。
  17. 如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物，其更含有至少一種光學活性化合物及/或可聚合之化合物。
  18. 如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物，其更含有至少一種抗氧化劑及/或紫外線吸收劑。
  19. 一種液晶顯示元件，含有如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物。
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JP2004075661A (ja) * 2002-06-18 2004-03-11 Shiseido Co Ltd 表皮基底膜ケアを特徴とする皮膚外用剤、皮膚基底膜構造形成促進剤および人工皮膚の製造方法

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