TWI467679B - 晶片層積元件檢查方法和晶片層積元件再配列單元以及晶片層積元件用檢查裝置 - Google Patents

Description

晶片層積元件檢查方法和晶片層積元件再配列單元以及晶片層積元件用檢查裝置

本發明，係有關於對晶片層積元件進行檢查之晶片層積元件檢查方法和晶片層積元件再配列單元以及晶片層積元件用檢查裝置。

在對於結束了檢查之晶圓上的複數之晶片作了切割後，係有更進而進行檢查的情況。

亦即是，係有著為了僅對於良品作更嚴格之檢查等的目的，而在將晶圓切割成晶片後再將該些之晶片作拾取並進行檢查的情況。於此情況，係成為需要使用將被作了切割的複數之晶片作支持的托盤。作為此種托盤之例，例如係存在有於專利文獻1以及專利文獻2中所記載之例。

首先，針對專利文獻1之發明，根據圖1來作說明。基底1，係收容有使晶片被作了定位並被作了支持的托盤2。在基底1處，係經由絞鍊3而被安裝有蓋4。在蓋4之背面處，係被設置有彈性體5。彈性體5，係對於複數之晶片的厚度之偏差作吸收。

在托盤2處，係空出有特定之間隔地，而被形成有與一體化之特定晶片數N(於本例中，係為16個)相等之數量的開口部6。開口部6，係被形成在應配置晶片之位置處，且被形成為適合於晶片之尺寸的大小。托盤蓋7，係將在開口部6處而配置有晶片之托盤2的上側作覆蓋。

接觸部8，係將被搭載在托盤2之開口部6處的晶片從下側來作支持。在接觸部8之表面上，係於與插入至上述托盤2之開口部6處並作了搭載的各晶片之電極墊片相對應的位置處，具備有突起狀之細微探針部9。

而後，係對於基底1而安裝蓋4，並裝著在檢查裝置上。

接著，針對專利文獻2之發明，根據圖2來作說明。在托盤11之開口部12處，係被搭載有晶片13，並從該晶片13之上下來藉由接觸部14利基底15而作挾持並作支持，再裝著於檢查裝置上。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2001-91576號公報

[專利文獻2]日本特開2000-100882號公報

另外，上述之各托盤2、11，係為將被作了晶粒切割的晶片1次1枚地作設置並進行檢查之構成。因此，當1次1枚地對於晶片進行檢查的情況時，各引例之托盤2、11係並不會產生問題。

但是，在將複數之晶片作層積所構成之晶片層積元件的情況時，係會有著被作了層積的各晶片相互偏移或者是各晶片之周緣部份的最終加工精確度較低的情況。而，起因於此，晶片層積元件之外形尺寸，係會在各晶片層積元件中而互為相異。在對於此種晶片層積元件進行多數個同時檢查的情況時，就算是將晶片層積元件設置在上述托盤處，相對於托盤端面之晶片層積元件的上側面(最上層晶片)之各接觸墊片的位置，亦會在各元件處而互為相異。其結果，會造成難以進行與檢查裝置之各探針間的對位。亦即是，若是晶片層積元件之外形尺寸係在各晶片層積元件之每一者處而互為相異，則在與托盤端面相抵接之晶片層積元件的每一者處，其之上側面的各接觸墊片的位置亦會互為相異，而有著難以進行各接觸墊片和檢查裝置之各探針間的對位之問題。

又，當使用在上述托盤2、11中而將晶片重新裝配並進行測定且再度反覆進行重新裝配動作之方式的專用裝置來進行測定的情況時，係存在著下述之問題。

(1)專用裝置之成本係會增大。並且，在使用專用裝置的情況時，若是處置(handling)時間成為較測試時間更長，則其之兩者間的差，係會成為測試機的待機時間，而成為無謂浪費的時間，因此，稼動效率係為差。

(2)上述托盤2、11，由於係以高精確度而被加工，因此，係為高價。進而，係需要在每次改變晶片種類時，而重新製作專用托盤，成本係會增大。

(3)係有必要進行托盤精確度之維持管理，成本係會增大。

本發明，係為考慮到上述之點所進行者，其目的，係在於提供一種：能夠對於外形尺寸為相異之複數的晶片層積元件，而正確且有效率地來以低成本而進行檢查之晶片層積元件檢查方法、和晶片層積元件再配列單元、以及晶片層積元件用檢查裝置。

為了解決上述課題，本發明之晶片層積元件檢查方法，係為對於將從藉由檢查裝置而作了檢查的檢查對象板經由晶粒切割而作了分割的複數之晶片作層積所構成之晶片層積元件，而進行檢查的晶片層積元件檢查方法，其特徵為：使用具備有與晶粒切割前之上述檢查對象板相同之形狀以及外形尺寸，並且於表面上具有黏著層之晶片層積元件用托盤，在該晶片層積元件用托盤之黏著層上，將上述晶片層積元件，整合於晶粒切割前之上述檢查對象板的各晶片之位置處，並作1或複數之貼附而作支持，將上述晶片層積元件用托盤，與上述檢查對象板之檢查時同樣地來設置於上述檢查裝置處，並對於被貼附在上述黏著層上之上述各晶片層積元件進行檢查。

又，本發明之晶片層積元件再配列單元，係為對於將從藉由檢查裝置而作了檢查的檢查對象板經由晶粒切割而作了分割的複數之晶片作層積所構成之晶片層積元件，而進行重新配列之晶片層積元件再配列單元，其特徵為，具備有：再配列平台，係支持晶片層積元件用托盤，該晶片層積元件用托盤，係支持上述晶片層積元件並與上述檢查對象板之檢查同樣的而被設置在上述檢查裝置處；和元件拾起置放單元，係從收容有上述晶片層積元件之元件托盤，而將晶片層積元件整合並移載至被支持於上述再配列平台處之上述晶片層積元件用托盤的黏著層上之晶粒切割前的上述檢查對象板之各晶片的位置處。

又，本發明之晶片層積元件用檢查裝置，係為對於晶片層積元件進行檢查之晶片層積元件用檢查裝置，其特徵為，具備有：晶片層積元件再配列單元，係為將從檢查對象板經由晶粒切割而作了分割的複數之晶片作層積所構成之晶片層積元件，在晶片層積元件用托盤上而整合於晶粒切割前之上述檢查對象板的各晶片之位置處並進行重新配列；和檢查單元，係對於上述晶片層積元件用托盤之各晶片層積元件進行檢查；和搬出側元件拾起置放單元，係將結束檢查後之上述晶片層積元件用托盤的各晶片層積元件移載至元件托盤處。

藉由以上之構成，係能夠對於外形尺寸相異之複數的晶片層積元件而正確且有效率地以低成本來進行檢查。

以下，針對本發明之實施形態的晶片層積元件檢查方法和晶片層積元件再配列單元以及晶片層積元件用檢查裝置，參考所添附之圖面而作說明。另外，晶片層積元件，係為將對於晶圓等之檢查對象板作晶粒切割所分割出的各晶片作複數枚層積而一體化，並藉由例如貫通電極(TSV)等而將各晶片之電路相互作了連接之元件。又，作為檢查對象板，係存在有各種形態，但是，於此係以晶圓為例來作說明。圖3，係為對本實施形態的晶片層積元件用薄片托盤作展示之平面圖，圖4，係為圖3之Ⅳ-Ⅳ線箭頭方向視剖面圖，圖5，係為對於晶圓作展示之平面圖，圖6，係為對本發明之實施形態的晶片層積元件檢查方法作展示之工程圖，圖7，係為對於元件托盤作展示之平面圖，圖8，係為對本實施形態的晶片層積元件再配列單元作展示之平面圖，圖9，係為對本實施形態的晶片層積元件再配列單元作展示之正面圖。圖10，係為對元件拾起置放單元之重要部分作展示的部分剖面圖。

上述晶片層積元件，由於係為將晶片作複數枚層積所構成者，因此，外形精確度係為差。故而，就算是以晶片層積元件之外形為基準來進行定位，定位精確度亦為差，而難以進行探針探查。進而，晶片層積元件之最上側面的檢查用接觸墊片之尺寸係為小。檢查用接觸墊片尺寸，例如係僅有100μm平方以下，而難以作定位。

本實施形態之晶片層積元件檢查方法以及晶片層積元件用薄片托盤，係為成為能夠對於此種晶片層積元件而將多數個同時作檢查者。

具體而言，係對於檢查對象之全部的晶片層積元件，而將身為其之最上側面的檢查用接觸墊片之位置正確地作配置，並且能夠反覆地實施此正確配置，而成為能夠簡單地進行將各晶片層積元件整合於晶粒切割前之晶圓的各晶片之位置處的再配列化者。

藉由此，在本檢查方法中，係將複數之晶片層積元件，在能夠容易地作固定之薄片狀構件之上，而一次一個地作對位(定位)並作固定配置。作配置之形態，係以晶粒切割前之晶圓狀態下的晶片配列為基準而進行配置。此時，為了防止相鄰接之晶片層積元件的接觸，係以上述晶片配列之各跳空1個或跳空2個以上的方式來作配置。在此狀態下，與晶圓24相同的而進行元件檢查。在結束了檢查之後，將晶片層積元件從薄片狀構件而分離，並送回至元件托盤31處。

以下，針對具體性之晶片層積元件檢查方法和晶片層積元件再配列單元以及晶片層積元件用檢查裝置作說明。

[晶片層積元件用薄片托盤]

首先，針對在晶片層積元件檢查方法中所使用之晶片層積元件用薄片托盤作說明。晶片層積元件用薄片托盤，係為用以支持上述晶片層積元件之托盤。

晶片層積元件用薄片托盤21，係如圖3、4中所示一般，具備有環狀之框體22、和被安裝在此框體22處之支持薄片23，而構成之。

框體22，係被設定為與晶粒切割前之晶圓24(參考圖5)相同之形狀以及外形尺寸。於此，所謂之相同形狀以及外形尺寸，係指為了成為能夠與晶粒切割之晶圓24同樣的而設置在此晶圓24之檢查裝置52(參考圖6)處並進行檢查，而成為能夠設置在薄片托盤用卡匣51(參考圖6)或者是檢查裝置52之檢查平台53(參考圖6)等處的範圍內之相同的形狀以及外形尺寸。只要是在能夠與晶圓24同樣的而設置在檢查裝置52處的範圍內之相同或略相同的形狀以及外形尺寸，均係被包含於上述之「相同的形狀以及外形尺寸」中。

框體22，係使用低膨脹率之材料所構成。具體而言，係藉由與檢查對象之晶圓的熱膨脹率相同之材料所構成。探針卡，亦同樣的，係藉由與晶圓的熱膨脹率相同之材料所構成。依據此，係藉由與檢查裝置52之探針卡(未圖示)的熱膨脹率相同之熱膨脹率的材料所構成。藉由此，當由於探針卡之熱膨脹而導致各探針之位置有所偏移的情況時，係可配合於該各探針之偏移，而使支持薄片23上之晶片層積元件25作偏移，以維持晶片層積元件25之最上側面的各接觸墊片與各探針間的整合。

支持薄片23，係被安裝在框體22上。支持薄片23，係藉由具有會伴隨著框體22之熱膨脹而均等擴張之性質的合成樹脂等之材料所構成。支持薄片23，係在檢查結束後而被從框體22上取下，之後，將新的支持薄片23藉由接著劑或黏著膠帶等來安裝在框體22上而進行再利用。

在支持薄片23之表面上，係被設置有將晶片層積元件25作貼附支持之黏著層26。此黏著層26，係為用以將1或複數之晶片層積元件25整合於晶粒切割前之晶圓24的各晶片24A之位置處並作貼附支持的層。黏著層26，係藉由具有會由於溫度施加或UV光照射等而使黏著性消失之性質的黏著劑所構成。作為此黏著劑，係可使用在市面上有所販賣者。係使用黏著力為強者。支持薄片23，係由薄膜所構成，並成為能夠藉由被載置在檢查平台53上而將各晶片層積元件25在正確之位置處而堅固地作支持。

又，亦有在支持薄片23處而設置有用以使上突銷(未圖示)對於被接著在黏著層26處之晶片層積元件25而從其之下側來上突並剝離之銷孔(未圖示)的情況。亦可將此些適宜作組合，以成為能夠將晶片層積元件25容易地作剝離。

在晶片層積元件用薄片托盤21之可附著脫離之黏著層26上，將晶片層積元件25一面個別地進行畫像處理一面以高精確度來作貼附固定，藉由此，係能夠作成與晶圓24略相同之檢查對象板。亦即是，將晶片層積元件25作了貼附的晶片層積元件用薄片托盤21，係成為雖然在厚度上與晶圓24相異，但是係為以相同的形狀以及外形尺寸而將各接觸墊片整合在檢查裝置52之各探針之位置處的與晶圓24略相同之檢查對象板。而後，係為了進行各晶片層積元件25之檢查，而將此晶片層積元件用薄片托盤21，與上述晶圓24之檢查相同的而設置在上述檢查裝置52處，而能夠進行晶片層積元件25之多數個同時測定。

[晶片層積元件再配列單元]

接著，針對晶片層積元件再配列單元作說明。晶片層積元件再配列單元32(參考圖6)，係為為了進行晶片層積元件25之檢查而用以將複數個的晶片層積元件25作再配列之單元。晶片層積元件再配列單元32，係將晶片層積元件25，在晶片層積元件用薄片托盤21之上以一定之節距(晶粒切割前之晶圓24的各晶片24A之節距×整數倍)來作正確的配置並作固定。

晶片層積元件再配列單元32，係如圖6、8、9、10中所示一般，由身為基底構件之再配列單元基底33、和使晶片層積元件用薄片托盤21在X軸方向上移動之X軸平台部34、和使晶片層積元件用薄片托盤21在Y軸方向上移動之Y軸平台部35、和被安裝在Y軸平台部35上並支持晶片層積元件用薄片托盤21之再配列平台36、以及元件拾起置放單元37，所構成之。

元件拾起置放單元37，係為用以將晶片層積元件25從元件托盤31而移交至晶片層積元件用薄片托盤21處的裝置。元件拾起置放單元37，係由X軸移動機構40、和Y軸移動機構41、和Z軸移動機構42、和θ軸旋轉機構43、和吸附夾套(collet)44、以及載置台45，而構成之。

X軸移動機構40、Y軸移動機構41、Z軸移動機構42以及θ軸旋轉機構43，係為對於吸附夾套44之XYZθ方向的移動作控制之機構。X軸移動機構40和Y軸移動機構41以及Z軸移動機構42，係藉由直線移動機構所構成。θ軸旋轉機構43，係為對於吸附夾套44之旋轉作控制的機構。θ軸旋轉機構43，係使用步進馬達(未圖示)等所構成者。

吸附夾套44，係為用以將晶片層積元件25作吸附支持的構件。

吸附夾套44，係由透明體47、和真空連接口48、和真空密封環49、以及真空室50，而構成之。透明體47，係為用以製作出真空室50的板材。對位攝像機46，係為了進行晶片層積元件25之位置調整，而透過透明體47和真空室50來對於晶片層積元件25作攝影，並辨識出晶片層積元件25之位置。真空連接口48，係為與從真空幫浦(未圖示)而來之配管作連接的部分。真空密封環49，係被設置在真空室50之下端部處，並為當晶片層積元件25藉由真空室50來作吸附時而作為防止真空漏洩的吸盤來起作用的構件。真空室50，係為經由真空連接口48而被與真空幫浦作通連並被作真空抽氣之空間。

載置台45，係為用以載置元件托盤31的台。在載置台45上，係被載置有元件托盤31，元件托盤31內之各晶片層積元件25，係被移載至晶片層積元件用薄片托盤21處。

在再配列單元基底33處，係被固定有對位攝像機46。此對位攝像機46，係為用以進行晶片層積元件25之XYθ方向的定位之攝像機。對位攝像機46，係通過透明體47和真空室50，而將晶片層積元件25之上面作畫像辨識。藉由將被登錄在對位攝像機46中之晶片層積元件25的最上側面之記號(特徵性之記號或者是被加工為對位用之記號)和被設置在再配列對象之晶片層積元件25處的記號作合致，而進行元件之定位。

[晶片層積元件檢查方法]

接著，針對使用有上述之晶片層積元件用薄片托盤21、晶片層積元件再配列單元32的本發明之晶片層積元件檢查方法作說明。此晶片層積元件檢查方法，係為使用上述之晶片層積元件用薄片托盤21來對於複數之晶片層積元件25同時進行檢查的方法。

晶片層積元件檢查方法，係如圖6中所示一般，由晶片層積元件再配列工程和檢查工程以及托盤收容工程所構成。

晶片層積元件再配列工程，係為在將晶片層積元件25收容於元件托盤31(參考圖7)中之後所進行的工程。晶圓24，係在藉由檢查裝置52而進行了檢查後，被作晶粒切割並被分割成各晶片24A，再將被作了分割的各晶片24A中之複數枚作層積並一體化，而藉由例如貫通電極(TSV)等而將各晶片24A之電路相互作連接並構成晶片層積元件25。之後，此晶片層積元件25，係被收容在元件托盤31中。此工程之下一工程，係為晶片層積元件再配列工程。

在晶片層積元件再配列工程中，係經由晶片層積元件再配列單元32，而將元件托盤31內之晶片層積元件25重新配列至晶片層積元件用薄片托盤21中。亦即是，係將各晶片層積元件25，整合至晶粒切割前之晶圓24的各晶片24A之位置處，並重新配列至晶片層積元件用薄片托盤21處。

在晶片層積元件再配列單元32處，係藉由元件拾起置放單元37之X軸移動機構40以及Y軸移動機構41，而使吸附夾套44移動至被載置於載置台45上之元件托盤31的正上方處，並藉由Z軸移動機構42而使吸附夾套44之真空密封環49與晶片層積元件25作接觸，而將此晶片層積元件25作吸附。

接著，藉由Z軸移動機構42而使吸附夾套44上升，並藉由X軸移動機構40和Y軸移動機構41來使晶片層積元件25移動至對位攝像機46之正下方處。與吸附夾套44之移動之開始同時地，再配列平台36，係為了將下一個的晶片層積元件25設置在晶片層積元件用薄片托盤21之上，而根據再配列資訊來僅作正確之距離量的移動。亦即是，再配列平台36，係藉由X軸平台部34以及Y軸平台部35而被作移動，並以使與身為晶片層積元件用薄片托盤21上之晶片層積元件25的設置位置之晶粒切割前的晶圓24之各晶片24A的位置相整合之位置，被整合於對位攝像機46之正下方之位置處的方式，而進行移動。

又，在使晶片層積元件25移動至對位攝像機46之正下方後，對位攝像機46係對於晶片層積元件25之最上面的畫像作辨識，並以使其與被作了登錄之記號相一致的方式，來使其作旋轉並且在XY軸方向上移動，而實施晶片層積元件25之對位。藉由此，對於晶圓24進行了檢查的檢查裝置52之探針，和晶片層積元件25之最上側面的各接觸墊片，其位置係被作整合。

接著，藉由Z軸移動機構42而使吸附夾套44下降，並將被吸附在吸附夾套44上之晶片層積元件25貼附至晶片層積元件用薄片托盤21之黏著層26上。接著，停止真空抽氣，並解除由真空室50所致之吸附，再使吸附夾套44上升。

於此，作為晶片層積元件25之設定位置，係使其合致於圖5之晶圓24的各晶片24A之位置中的各跳空一個的位置(圖5之下影線的位置)處。晶片層積元件25，係配合於此位置而貼附在圖3之晶片層積元件用薄片托盤21的黏著層26上。藉由此，相鄰接之晶片層積元件25彼此係並不相互接觸地而被正確地作定位。進行上述之處理，直到在晶片層積元件用薄片托盤21處而將預先所設定了的個數之晶片層積元件25貼附在晶片層積元件用薄片托盤21之黏著層26上為止。此時，若是元件托盤31內之晶片層積元件25用盡，則係交換為下一個的元件托盤31。

接著，晶片層積元件用薄片托盤21，係與晶圓24同樣的，被收容在與圖6之晶片層積元件再配列單元32相鄰接之薄片托盤用卡匣51中。若是在薄片托盤用卡匣51之全部的收容空間中均被收容有晶片層積元件薄片托盤21，則薄片托盤用卡匣51係被送至檢查裝置52側，並準備新的薄片托盤用卡匣51。

在檢查工程中，係對於被送來之薄片托盤用卡匣51內的晶片層積元件用薄片托盤21依序進行檢查。此時，晶片層積元件用薄片托盤21係與晶圓24相同的而被進行處理。

具體而言，如圖6中所示一般，薄片托盤用卡匣51係被設置在檢查裝置52上。在檢查裝置52處，係藉由搬送臂(未圖示)，來將薄片托盤用卡匣51內的晶片層積元件用薄片托盤21取出，並載置在檢查平台53上。

接著，與晶圓24之情況相同的，晶片層積元件用薄片托盤21係在XYθ方向上被作對位，各探針和晶片層積元件用薄片托盤21上之各晶片層積元件25的各接觸墊片係被作整合。

接著，檢查平台53係上升，各探針和各接觸墊片係相互接觸，並進行檢查。若是結束檢查，則係藉由搬送臂而將晶片層積元件用薄片托盤21插入至搬出側之薄片托盤用卡匣51中。若是在薄片托盤用卡匣51之全部的收容空間中均被收容有晶片層積元件薄片托盤21，則該薄片托盤用卡匣51係被送至搬出側元件拾起置放單元55側處，並準備新的薄片托盤用卡匣51。

在托盤收容工程中，係將依序被送來之搬出側的薄片托盤用卡匣51，安裝在搬出側元件拾起置放單元55上。

於此，搬出側元件拾起置放單元55，係為用以將晶片層積元件用薄片托盤21上之各晶片層積元件25移交至搬出側之元件托盤31處的裝置。在搬出側元件拾起置放單元55處，由於係僅為將各晶片層積元件25移交至元件托盤31處，因此係並不必要求高精確度。故而，搬出側元件拾起置放單元55，係為由身為晶片層積元件再配列單元32之構成要素的一部份的X軸移動機構57和Y軸移動機構58和Z軸移動機構59和吸附夾套(collet)61以及黏著解除手段(未圖示)所構成者。X軸移動機構57、和Y軸移動機構58、和Z軸移動機構59、以及吸附夾套(collet)61，係為與上述晶片層積元件再配列單元32之各機構相同。黏著解除手段，係為用以從晶片層積元件用薄片托盤21之黏著層26而將黏著性解除之手段。黏著解除手段，係配合於黏著層26之性質，而藉由加熱裝置、UV發光機、上突銷等而構成之。

藉由此，晶片層積元件用薄片托盤21之黏著層26的黏著性係藉由黏著解除手段而被解除。接著，晶片層積元件用薄片托盤21上之各晶片層積元件25，係藉由吸附夾套61而被作吸附，並藉由X軸移動機構57、Y軸移動機構58和Z軸移動機構59而被移交至元件托盤31上。

接著，晶片層積元件用薄片托盤21，係將支持薄片23從框體22而卸下，並將新的支持薄片23安裝在框體22上而進行再利用。

如同上述一般，由於係在晶片層積元件用薄片托盤21之支持薄片23上，經由黏著層26而將複數之晶片層積元件25正確地作對位並強力作貼附，因此，係能夠容易且正確地進行晶片層積元件25之上側面的各接觸墊片和檢查裝置52之各探針的對位。亦即是，就算是各晶片層積元件25之外形尺寸有所差異，亦能夠正確地作支持。

晶片層積元件用薄片托盤21，由於係具備有與晶圓24相同之形狀以及外形尺寸，因此，係能夠將晶圓24之檢查裝置52直接作流用，而能夠將營運成本大幅度降低。

又，由於係能夠將晶圓24之檢查裝置52直接作流用，因此，係能夠將對於探針卡等之品種對應的初期費用或裝置開發費用等降低。

晶片層積元件25，由於係能夠在晶片層積元件用薄片托盤21之支持薄片23上作任意個數之安裝，因此，係能夠對於複數之晶片層積元件25而容易且有效率地作檢查。特別是，係能夠對於多數之晶片層積元件25同時進行測定，檢查效率係大幅度提升。

又，由於係並不需要使用晶片層積元件25用之專用的檢查裝置，因此，係不需要進行搬送至該專用檢查裝置處的工程，處理時間係縮短，而稼動效率係提升。

藉由晶片層積元件用薄片托盤21之框體22的熱膨脹率之改良，就算是對於檢查時之溫度變化，亦能夠維持高的檢查精確度。

相較於托盤方式，由於係能夠以高精確度來保持接觸墊片之位置，因此，係成為能夠進行接觸墊片之細微化，而能夠謀求晶片單價之降低。

[變形例]

在上述實施形態中，雖係在晶片層積元件用薄片托盤21處安裝了複數之晶片層積元件25，但是，亦可僅貼附1個地來進行檢查。

又，在上述實施形態中，雖係如圖5中所示一般，將晶片層積元件25在晶片層積元件用薄片托盤21上而各跳空1個地作了配設，但是，係亦可作2個以上之跳空配設。當晶片層積元件25之外形尺寸為正確的情況時，亦可與晶圓24之晶片24A的配列相同地而並不空出間隙地來作配設。於此情況，亦能夠得到與上述實施形態相同之作用、效果。

在上述實施形態中，於圖6中，雖係為了使各工程成為易於理解，而設為使用有薄片托盤用卡匣51之各工程互為獨立之裝置，但是，係亦可設為將晶片層積元件再配列單元32和檢查裝置52以及搬出側元件拾起置放單元55作了一體化之裝置。亦即是，係可設為一種對於晶片層積元件25進行檢查之晶片層積元件用檢查裝置，其係為將從檢查對象板經由晶粒切割而作了分割的複數之晶片作層積所構成之上述晶片層積元件25，在晶片層積元件用薄片托盤21等之晶片層積元件用托盤上，而整合於晶粒切割前之上述檢查對象板的各晶片之位置處並進行重新配列之晶片層積元件再配列單元32、和作為對於上述晶片層積元件用托盤之各晶片層積元件25進行檢查之檢查單元的檢查裝置52、和將結束檢查後之上述晶片層積元件用托盤的各晶片層積元件25移載至元件托盤31處之搬出側元件拾起置放單元55，作了一體化之裝置。於此情況，亦能夠得到與上述實施形態相同之作用、效果。

在上述實施形態中，作為晶片層積元件用托盤，雖係以具備有支持薄片23之晶片層積元件用薄片托盤21為例來作了說明，但是，係亦可使用其他構成之托盤或者是既存之托盤等。

21．．．晶片層積元件用薄片托盤

22．．．框體

23．．．支持薄片

24．．．晶圓

24A．．．晶片

25．．．晶片層積元件

26．．．黏著層

31．．．元件托盤

32．．．晶片層積元件再配列單元

33．．．再配列單元基底

34．．．X軸平台部

35．．．Y軸平台部

36．．．再配列平台

37．．．元件拾起置放單元

40．．．X軸移動機構

41．．．Y軸移動機構

42．．．Z軸移動機構

43．．．θ軸旋轉機構

44．．．吸附夾套

45．．．載置台

46．．．對位攝像機

47．．．透明體

48．．．真空連接口

49．．．真空密封環

50．．．真空室

51．．．薄片托盤用卡匣

52．．．檢查裝置

53．．．檢查平台

55．．．搬出側元件拾起置放單元

57．．．X軸移動機構

58．．．Y軸移動機構

59．．．Z軸移動機構

61．．．吸附夾套

[圖1]對第1先前技術例之托盤作展示的立體圖。

[圖2]對第2先前技術例之托盤作展示的立體圖。

[圖3]對本發明之實施形態的晶片層積元件用薄片托盤作展示之平面圖。

[圖4]圖3之Ⅳ-Ⅳ線箭頭方向視剖面圖。

[圖5]對於晶圓作展示之平面圖。

[圖6]對本發明之實施形態的晶片層積元件檢查方法作展示之工程圖。

[圖7]對於元件托盤作展示之平面圖。

[圖8]對本發明之實施形態的晶片層積元件再配列單元作展示之平面圖。

[圖9]對本發明之實施形態的晶片層積元件再配列單元作展示之正面圖。

[圖10]對本發明之實施形態的元件拾起置放單元之重要部分作展示的部分剖面圖。

21．．．晶片層積元件用薄片托盤

23．．．支持薄片

25．．．晶片層積元件

31．．．元件托盤

32．．．晶片層積元件再配列單元

33．．．再配列單元基底

34．．．X軸平台部

35．．．Y軸平台部

36．．．再配列平台

37．．．元件拾起置放單元

40．．．X軸移動機構

41．．．Y軸移動機構

42．．．Z軸移動機構

51．．．薄片托盤用卡匣

52．．．檢查裝置

53．．．檢查平台

55．．．搬出側元件拾起置放單元

57．．．X軸移動機構

58．．．Y軸移動機構

59．．．Z軸移動機構

61．．．吸附夾套

Claims (10)

1. 一種晶片層積元件檢查方法，係為對於將從藉由檢查裝置而作了檢查的檢查對象板經由晶粒切割所作了分割的複數之晶片作層積所構成之晶片層積元件，而進行檢查的晶片層積元件檢查方法，其特徵為：使用具備有與晶粒切割前之上述檢查對象板相同之形狀以及外形尺寸，並且於表面上具有黏著層之晶片層積元件用托盤，在該晶片層積元件用托盤之黏著層上，將上述晶片層積元件，整合於晶粒切割前之上述檢查對象板的各晶片之位置處，並作1或複數之貼附而作支持，將上述晶片層積元件用托盤，與上述檢查對象板之檢查時同樣地來設置於上述檢查裝置處，並對於被貼附在上述黏著層上之上述各晶片層積元件進行檢查。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之晶片層積元件檢查方法，其中，被收容在元件托盤處之上述各晶片層積元件，係在上述晶片層積元件用托盤之黏著層上，而被整合為晶粒切割前之上述檢查對象板的各晶片之位置以及朝向地作貼附，該晶片層積元件用托盤，係與上述檢查對象板同樣的而被收容在卡匣內，並被安裝於檢查裝置上，結束檢查後之晶片層積元件用托盤上的各晶片層積元件，係被移載至上述元件托盤處。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之晶片層積元件檢查 方法，其中，上述晶片層積元件用托盤上之各晶片層積元件，係相對於晶粒切割前之上述檢查對象板的各晶片之位置，而至少被整合貼附於該晶片配列之各跳空1個的位置處。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之晶片層積元件檢查方法，其中，係根據被設置於上述晶片層積元件處之記號，來對於上述各晶片層積元件作定位。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之晶片層積元件檢查方法，其中，上述晶片層積元件用托盤，係具備有：與晶粒切割前之上述檢查對象板相同形狀以及外形尺寸之框體、和被安裝在該框體上之支持薄片，上述支持薄片，係在結束檢查後，被從上述框體而卸下，並將新的支持薄片安裝在上述框體處而作再利用。
6. 如申請專利範圍第5項所記載之晶片層積元件檢查方法，其中，上述晶片層積元件用托盤之框體，係藉由低膨脹率之材料所構成，上述支持薄片，係具備有伴隨著上述框體之熱膨脹而均等地擴張之性質。
7. 一種晶片層積元件再配列單元，係為對於將從藉由檢查裝置而作了檢查的檢查對象板經由晶粒切割所作了分割的複數之晶片作層積所構成之晶片層積元件，而進行重新配列之晶片層積元件再配列單元，其特徵為，具備有：再配列平台，係支持晶片層積元件用托盤，該晶片層積元件用托盤，係支持上述晶片層積元件並與上述檢查對 象板之檢查同樣的而被設置在上述檢查裝置處；和元件拾起置放單元，係從收容有上述晶片層積元件之元件托盤，而將晶片層積元件整合並移載至被支持於上述再配列平台處之上述晶片層積元件用托盤的黏著層上之晶粒切割前的上述檢查對象板之各晶片的位置處，上述晶片層積元件用托盤，係具備有：與晶粒切割前之上述檢查對象板相同形狀以及外形尺寸之框體、和被安裝在該框體上之支持薄片。
8. 如申請專利範圍第7項所記載之晶片層積元件再配列單元，其中，上述支持薄片，係在結束檢查後，被從上述框體而卸下，並將新的支持薄片安裝在上述框體處。
9. 如申請專利範圍第8項所記載之晶片層積元件再配列單元，其中，上述框體，係藉由低膨脹率之材料所構成，上述支持薄片，係由伴隨著上述框體之熱膨脹而均等地擴張之材料所構成。
10. 一種晶片層積元件用檢查裝置，係為對於晶片層積元件進行檢查之晶片層積元件用檢查裝置，其特徵為，具備有：晶片層積元件再配列單元，係為將從檢查對象板經由晶粒切割而作了分割的複數之晶片作層積所構成之晶片層積元件，在晶片層積元件用托盤上而整合於晶粒切割前之上述檢查對象板的各晶片之位置處並進行重新配列；和檢查單元，係對於上述晶片層積元件用托盤之各晶片 層積元件進行檢查；和搬出側元件拾起置放單元，係將結束檢查後之上述晶片層積元件用托盤的各晶片層積元件移載至元件托盤處，上述晶片層積元件用托盤，係具備有：與晶粒切割前之上述檢查對象板相同形狀以及外形尺寸之框體、和被安裝在該框體上之支持薄片。