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TWI466311B - 金屬氧化膜的製造方法及金屬氧化膜 - Google Patents

金屬氧化膜的製造方法及金屬氧化膜 Download PDF

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TWI466311B
TWI466311B TW101119711A TW101119711A TWI466311B TW I466311 B TWI466311 B TW I466311B TW 101119711 A TW101119711 A TW 101119711A TW 101119711 A TW101119711 A TW 101119711A TW I466311 B TWI466311 B TW I466311B
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Takahiro Shirahata
Hiroyuki Orita
Takahiro Hiramatsu
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Toshiba Mitsubishi Elec Inc
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Description

金屬氧化膜的製造方法及金屬氧化膜
本發明係關於金屬氧化膜的製造方法及金屬氧化膜之發明，可適用在例如太陽能電池或電子裝置等所使用之金屬氧化膜的製造方法。
就使太陽能電池或電子裝置等所使用之金屬氧化膜成膜之方法而言，例如可採用應用真空之MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法或濺鍍法等。藉由該等金屬氧化膜的製造方法所製作之金屬氧化膜之膜特性佳。
例如，當藉由上述金屬氧化膜的製造方法來製作透明導電膜時，該透明導電膜的電阻為低電阻，且即使對該製作後的透明導電膜施以加熱處理，該透明導電膜的電阻亦不會上升。
此外，就與由MOCVD法所進行之氧化鋅膜的成膜相關之先前文獻而言，例如存在有專利文獻1。此外，就與由濺鍍法所進行之氧化鋅膜的成膜相關之先前文獻，例如存在有專利文獻2。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2001-124330號公報
專利文獻2：日本特開平9-45140號公報
然而，MOCVD法中，為了實現該方法而需耗費高成本，且需使用空氣中處於不穩定之材料，就便利性之觀點來看較為不利。此外，藉由濺鍍法來製作積層構造的金屬氧化膜時，需準備複數台裝置，而有裝置成本增大之問題。因而期望一種能夠以低成本來製作低電阻的金屬氧化膜之金屬氧化膜的製造方法。
因此，本發明係以提供一種能夠以低成本來製作低電阻的金屬氧化膜之金屬氧化膜的製造方法者為目的。此外，亦以提供一種藉由該金屬氧化膜的製造方法所成膜之金屬氧化膜者為目的。
為了達成上述目的，本發明之金屬氧化膜的製造方法係具備有：(A)將含有鋅的溶液噴霧至配置在非真空下之基板之步驟；(B)於前述步驟(A)時，將含有摻雜劑的摻雜劑溶液噴霧至前述基板之步驟；及(C)藉由前述步驟(A)及前述步驟(B)，對成膜於前述基板之金屬氧化膜，施以未伴隨著前述金屬氧化膜的結晶重組之低電阻化處理之步驟；前述步驟(A)及(B)中，供給至前述基板之前述摻雜劑的莫耳濃度相對於供給至前述基板之前述鋅的莫耳濃度為既定值以上。
本發明之金屬氧化膜的製造方法係具備有：(A)將含有鋅的溶液噴霧至配置在非真空下之基板之步驟；(B)於前 述步驟(A)時，將含有摻雜劑的摻雜劑溶液噴霧至前述基板之步驟；及(C)藉由前述步驟(A)及前述步驟(B)，對成膜於前述基板之金屬氧化膜，施以未伴隨著前述金屬氧化膜的結晶重組之低電阻化處理之步驟；前述步驟(A)及(B)中，供給至前述基板之前述摻雜劑的莫耳濃度相對於供給至前述基板之前述鋅的莫耳濃度為既定值以上。
如此，本發明之金屬氧化膜的製造方法中，係在非真空下對基板實施金屬氧化膜的成膜處理。因此，可減少成膜處理所需之成本(成膜裝置成本)，且亦可實現便利性的提升。
此外，本發明之金屬氧化膜的製造方法中，係對成膜後的金屬氧化膜施以上述低電阻化處理。因此，即使在非真空下使金屬氧化膜成膜於基板，亦可實現該金屬氧化膜的低電阻化(可將在非真空下所成膜之金屬氧化膜的電阻，降低至與在真空下所成膜之金屬氧化膜的電阻同等程度為止)。
再者，本發明之金屬氧化膜的製造方法中，係藉由將鋅及摻雜劑供給(噴霧)至基板，使金屬氧化膜成膜於基板上。在此，將鋅及摻雜劑供給至基板時，係將(摻雜劑)/Zn莫耳濃度比設定為既定值以上。因此，在上述低電阻化處理後，即使經過長時間，亦可抑制施以該低電阻化處理後之金屬氧化膜的電阻形成高電阻化之情形。
本發明之目的、特徵、狀況、及優點，可藉由下列的詳細說明及附加圖式而更加明瞭。
本發明之金屬氧化膜的製造方法中，係在非真空(大氣壓)下進行成膜處理。在此，在該非真空(大氣壓)下所成膜之含有鋅(Zn)的金屬氧化膜，成膜不久後會成為高電阻。因此，係對該成膜不久後的金屬氧化膜施以未伴隨著高溫處理之低電阻化處理(亦即對成膜不久後的金屬氧化膜，施以未伴隨著金屬氧化膜的結晶重組之賦予金屬氧化膜之能隙以上的能量之低電阻化處理)。該低電阻化處理例如可採用對金屬氧化膜照射紫外線之方式。
藉由上述低電阻化處理，在該低電阻化處理不久後可實現金屬氧化膜的低電阻。
然而，本發明者們係發現到：當金屬氧化膜中不含摻雜劑時(非摻雜的金屬氧化膜時)，低電阻化處理後隨著時間的經過，該金屬氧化膜的電阻會再次形成高電阻化。
此外，本發明者們亦發現到：在將摻雜劑及鋅供給至基板時，藉由將供給至基板之摻雜劑的莫耳濃度相對於供給至基板之鋅的莫耳濃度設為既定值以上(換言之，藉由對摻雜劑相對於供給至基板之鋅的莫耳濃度比設定下限值，並將該下限值以上之該莫耳濃度比的摻雜劑供給至基板)，即使在低電阻化處理後隨著時間的經過，亦可抑制金屬氧化膜的高電阻化。
以下係根據顯示該實施形態之圖式來具體說明本發明。
<實施形態>
使用第1圖所示之製造裝置(成膜裝置)，來具體說明本實施形態之金屬氧化膜的製造方法。
首先製作出至少含有鋅的溶液7。在此，該溶液7的溶劑係採用醚或醇等之有機溶劑。如第1圖所示，該製作後的溶液7係充填於容器3A。
此外，採用水(H2O)作為氧化源6，如第1圖所示，將該氧化源6充填於容器3B。氧化源6係除了水以外，亦可採用氧、臭氧、過氧化氫、N2O或NO2等，但就便宜及容易處理之觀點來看，較佳為水(以下係以水作為氧化源6)。
然後製作出含有摻雜劑的摻雜劑溶液5。例如製作出含有硼(B)的摻雜劑溶液5。該摻雜劑溶液5例如可採用硼酸(H3BO3)溶液。如第1圖所示，該製作出的摻雜劑溶液5係充填於容器3C。
接著將上述摻雜劑溶液5、氧化源6及溶液7分別霧化。於容器3A的底部配設有霧化器4A，於容器3B的底部配設有霧化器4B，於容器3C的底部配設有霧化器4C。藉由霧化器4A將容器3A內的溶液7霧化，藉由霧化器4將容器3B內的氧化源6霧化，藉由霧化器4C將容器3C內的摻雜劑溶液5霧化。
然後，霧化後的溶液7係通過路徑L1被供給至噴嘴8，霧化後的氧化源6係通過路徑L2被供給至噴嘴8，霧化後的摻雜劑溶液5係通過路徑L3被供給至噴嘴8。在此，如第1圖所示，路徑L1及路徑L2及路徑L3分別為不同通路。
在此，本發明中，供給至基板1之摻雜劑的莫耳濃度相對於供給至基板1之鋅的莫耳濃度(亦即摻雜劑/Zn莫耳濃度比)必須設為既定值以上。該莫耳濃度比，可藉由調整溶液7往噴嘴8(或基板1)之載體氣體供給量(升/分)、溶液7內的鋅莫耳濃度、摻雜劑溶液5往噴嘴8(或基板1)之載體氣體供給量(升/分)、及摻雜劑溶液5內的摻雜劑莫耳濃度來進行調整。
另一方面，如第1圖所示，將基板1載置在加熱器2上。在此，基板1被載置在非真空(大氣壓)下。經由噴嘴8，將霧化後的溶液7、霧化後的氧化源6及霧化後的摻雜劑溶液5，分別從個別獨立的噴出口噴霧(供給)至載置在非真空(大氣壓)下之基板1。在此，於該噴霧時，基板1係藉由加熱器2被加熱至例如約200℃。
藉由上述步驟，使既定膜厚的金屬氧化膜(為透明導電膜之氧化鋅膜)成膜於載置在非真空(大氣壓)下之基板1。本發明中，從上述步驟中可得知，在成膜後的金屬氧化膜內，不僅含有鋅，亦含有相對於鋅的摻雜劑。
然而，在非真空(大氣壓)下所成膜之金屬氧化膜，與依據濺鍍法等之真空下所成膜之金屬氧化膜相比，該電阻較高。因此，本發明之金屬氧化膜的製造方法中，如上所述，係施以未伴隨著金屬氧化膜的結晶重組之賦予金屬氧化膜之能隙以上的能量之低電阻化處理。
例如，本實施形態之金屬氧化膜的製造方法中，如第2圖所示，係使用紫外線燈12等將紫外線13照射至基板1 上所成膜之金屬氧化膜10的主面整面上。藉由該紫外線的照射，可降低金屬氧化膜10的電阻(電阻率)。
在此，如上所述，例如當金屬氧化膜為非摻雜時，即使對成膜後的金屬氧化膜施以上述低電阻化處理，亦會隨著時間的經過而形成高電阻化。結果，使金屬氧化膜的電阻回到低電阻化處理前的電阻值。
然而，當在金屬氧化膜內含有摻雜劑，且將摻雜劑及鋅供給至基板1時之摻雜劑/Zn莫耳濃度比設為既定值以上時，對金屬氧化膜施以上述低電阻化處理，即使隨著時間的經過，亦可抑制該金屬氧化膜的高電阻化。
第3圖為顯示該高電阻抑制效果之實驗數據。第3圖係顯示各金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化。具體而言，第3圖係顯示紫外線照射(低電阻化處理)與該紫外線照射後之各金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化。第3圖的縱軸為電阻率(Ω．cm)，第3圖的橫軸為時間(h)。
第3圖所示之實驗數據中，係以含有鋅的非摻雜金屬氧化膜以及含有摻雜劑及鋅的複數種金屬氧化膜為測定對象。在此，摻雜劑為硼。此外，第3圖係顯示：將鋅及硼供給至基板1時之B/Zn莫耳濃度比為0.2%之金屬氧化膜、將鋅及硼供給至基板1時之B/Zn莫耳濃度比為0.4%之金屬氧化膜、將鋅及硼供給至基板1時之B/Zn莫耳濃度比為0.8%之金屬氧化膜、及將鋅及硼供給至基板1時之B/Zn莫耳濃度比為1.8%之金屬氧化膜，以作為含有摻雜劑及鋅的複數種金屬氧化膜。
在此，上述所有金屬氧化膜的成膜溫度均為200℃。此外，各金屬氧化膜的成膜均在第1圖所示之成膜裝置中形成，成膜條件係如表1所示。
如表1所示，非摻雜金屬氧化膜中，鋅往基板1之供給量為1.26m(毫)mol/min，氧化劑(水)往基板1之供給量為67mmol/min。
此外，如表1所示，上述B/Zn莫耳濃度比為0.2%、0.4%、0.8%、1.8%之各金屬氧化膜中，鋅往基板1之供給量為1.05mmol/min，氧化劑(水)往基板1之供給量為67mmol/min。
如第3圖所示，各金屬氧化膜係由於紫外線照射(低電阻化處理)而使電阻率降低。然而，如第3圖所示，非摻雜金屬氧化膜以及B/Zn莫耳濃度比為0.2%之金屬氧化膜中，紫外線照射(低電阻化處理)結束後，隨著時間的經過，該金屬氧化膜的電阻率仍回到紫外線照射(低電阻化處理)前的高電阻之水準。
相對於此，B/Zn莫耳濃度比為0.4%、0.8%、1.8%之各金屬氧化膜中，紫外線照射(低電阻化處理)結束後，即 使隨著時間的經過，亦可抑制該金屬氧化膜的高電阻化，而維持低電阻率的狀態(即使隨著時間的經過，含有硼作為摻雜劑之金屬氧化膜中，電阻幾乎未上升，而幾乎維持在低電阻化處理後的電阻值)。
亦即，當在金屬氧化膜內含有硼作為摻雜劑，且將鋅及硼供給至基板1時之B/Zn莫耳濃度比設為0.4%以上時，對金屬氧化膜施以上述低電阻化處理後，即使隨著時間的經過，亦可抑制該金屬氧化膜的高電阻化。
此外，第4圖為顯示該高電阻抑制效果之其他實驗數據。第4圖係顯示各金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化。更具體而言，第4圖係顯示紫外線照射(低電阻化處理)與該紫外線照射後之各金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化。第4圖的縱軸為電阻率(Ω．cm)，第4圖的橫軸為時間(h)。
第4圖所示之實驗數據中，係以含有鋅的非摻雜金屬氧化膜以及含有摻雜劑及鋅的複數種金屬氧化膜為測定對象。在此，摻雜劑為銦(In)。此外，第4圖係顯示：將鋅及銦供給至基板1時之In/Zn莫耳濃度比為0.4%之金屬氧化膜、將鋅及銦供給至基板1時之In/Zn莫耳濃度比為0.8%之金屬氧化膜、及將鋅及銦供給至基板1時之In/Zn莫耳濃度比為2.0%之金屬氧化膜，作為含有摻雜劑及鋅的複數種金屬氧化膜。
在此，上述所有金屬氧化膜的成膜溫度均為200℃。此外，各金屬氧化膜的成膜均在第1圖所示之成膜裝置中 形成，成膜條件係如表2所示。
如表2所示，In/Zn莫耳濃度比為0.4%、0.8%、2.0%之各金屬氧化膜中，鋅往基板1之供給量為0.53mmol/min，氧化劑(水)往基板1之供給量為67mmol/miIn。表2所示之非摻雜金屬氧化膜的成膜條件，係與表1所示之其他非摻雜金屬氧化膜的成膜條件相同。
如第4圖所示，各金屬氧化膜係由於紫外線照射(低電阻化處理)而使電阻率降低。然而，如第4圖所示，非摻雜金屬氧化膜中，紫外線照射(低電阻化處理)結束後，隨著時間的經過，該金屬氧化膜的電阻率仍回到紫外線照射(低電阻化處理)前的高電阻之水準。
相對於此，In/Zn莫耳濃度比為0.4%、0.8%、2.0%之各金屬氧化膜中，紫外線照射(低電阻化處理)結束後，即使隨著時間的經過，亦可抑制該金屬氧化膜的高電阻化，而大致維持低電阻率的狀態(雖然與含有硼作為摻雜劑之金屬氧化膜相比，含有銦作為摻雜劑之金屬氧化膜中稍微形成高電阻化，但含有銦作為摻雜劑之金屬氧化膜亦可充分地抑制高電阻化)。
亦即，當在金屬氧化膜內含有銦作為摻雜劑，且將鋅及銦供給至基板1時之In/Zn莫耳濃度比設為0.4%以上時，對金屬氧化膜施以上述低電阻化處理後，即使隨著時間的經過，亦可抑制該金屬氧化膜的高電阻化。
此外，第5圖為顯示該高電阻抑制效果之其他實驗數據。第5圖係顯示各金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化。更具體而言，第5圖係顯示紫外線照射(低電阻化處理)與該紫外線照射後之各金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化。第5圖的縱軸為電阻率(Ω．cm)，第5圖的橫軸為時間(h)。
第5圖所示之實驗數據中，係以含有鋅的非摻雜金屬氧化膜以及含有摻雜劑及鋅的複數種金屬氧化膜為測定對象。在此，摻雜劑為鎵(Ga)。此外，第5圖係顯示：將鋅及鎵供給至基板1時之Ga/Zn莫耳濃度比為0.33%之金屬氧化膜、將鋅及鎵供給至基板1時之Ga/Zn莫耳濃度比為0.5%之金屬氧化膜、將鋅及鎵供給至基板1時之Ga/Zn莫耳濃度比為0.67%之金屬氧化膜、將鋅及鎵供給至基板1時之Ga/Zn莫耳濃度比為0.83%之金屬氧化膜、將鋅及鎵供給至基板1時之Ga/Zn莫耳濃度比為1.17%之金屬氧化膜、及將鋅及鎵供給至基板1時之Ga/Zn莫耳濃度比為2.67%之金屬氧化膜，作為含有摻雜劑及鋅的複數種金屬氧化膜。
在此，上述所有金屬氧化膜的成膜溫度均為200℃。此外，各金屬氧化膜的成膜均在第1圖所示之成膜裝置中 形成，成膜條件係如表3所示。
如表3所示，Ga/Zn莫耳濃度比為0.33%、0.5%、0.67%、0.83%、1.17%之各金屬氧化膜中，鋅往基板1之供給量為1.26mmol/min，氧化劑(水)往基板1之供給量為67mmol/min。
此外，Ga/Zn莫耳濃度比為2.67%之金屬氧化膜中，鋅往基板1之供給量為0.63mmol/min，氧化劑(水)往基板1之供給量為67mmol/min。
表3所示之非摻雜金屬氧化膜的成膜條件，係與表1所示之其他非摻雜金屬氧化膜的成膜條件相同。
如第5圖所示，各金屬氧化膜係由於紫外線照射(低電阻化處理)而使電阻率降低。然而，如第5圖所示，非摻雜金屬氧化膜中，紫外線照射(低電阻化處理)結束後，隨著時間的經過，該金屬氧化膜的電阻率仍回到紫外線照射(低電阻化處理)前的高電阻之水準。
相對於此，Ga/Zn莫耳濃度比為0.33%、0.5%、0.67%、 0.83%、1.17%、2.67%之各金屬氧化膜中，紫外線照射(低電阻化處理)結束後，即使隨著時間的經過，亦可抑制該金屬氧化膜的高電阻化(雖然與含有B或In作為摻雜劑之金屬氧化膜相比，含有Ga作為摻雜劑之金屬氧化膜中具有高電阻化之傾向，但含有Ga作為摻雜劑之金屬氧化膜仍可抑制高電阻化)。
亦即，當在金屬氧化膜內含有鎵作為摻雜劑，且將鋅及鎵供給至基板1時之Ga/Zn莫耳濃度比設為0.33%以上時，對金屬氧化膜施以上述低電阻化處理後，即使隨著時間的經過，亦可抑制該金屬氧化膜的高電阻化。
就與硼、銦、鎵相同的13族元素而言，存在有鋁(Al)，該鋁亦具有與硼、銦及鎵相同的電子結構。因此，即使在含有鋁作為摻雜劑而使含有鋅之金屬氧化膜成膜時，該成膜後的金屬氧化膜，亦顯現出與含有鋅以及作為摻雜劑的B、In、Ga之金屬氧化膜相同之動作。
在此，從第3圖、第4圖、第5圖的探討中亦得知，當將鋅及摻雜劑(B、In、Ga)供給至基板1時之(B或In或Ga)/Zn莫耳濃度比至少為0.4%以上時，藉由該供給所成膜之金屬氧化膜係在低電阻化處理後，可抑制高電阻化。因此，即使將與B、In、Ga同樣屬於13族之Al採用作為摻雜劑而使含有鋅之金屬氧化膜成膜時，在將鋅及Al供給至基板1時之Al/Zn莫耳濃度比至少為0.4%以上時，藉由該供給所成膜之金屬氧化膜係在低電阻化處理後，亦可抑制高電阻化。
如上所述，本實施形態之金屬氧化膜的製造方法中，係在非真空下對基板1實施金屬氧化膜的成膜處理。因此，可減少成膜處理所需之成本(成膜裝置成本)，且亦可實現便利性的提升。
此外，本實施形態之金屬氧化膜的製造方法中，係對於成膜不久後的金屬氧化膜施以上述低電阻化處理。因此，即使在非真空下使金屬氧化膜成膜於基板1時，亦可實現該金屬氧化膜的低電阻化(可將在非真空下所成膜之金屬氧化膜的電阻，降低至與在真空下所成膜之金屬氧化膜的電阻同等程度為止)。
再者，本實施形態之金屬氧化膜的製造方法中，係藉由將鋅及摻雜劑供給(噴霧)至基板1，使金屬氧化膜成膜於基板1上。在此，將鋅及摻雜劑供給至基板1時，係將(摻雜劑)/Zn莫耳濃度比設定為既定值以上。例如，(B或In或Al)/Zn莫耳濃度比至少為0.4%以上，Ga/Zn莫耳濃度比至少為0.33%以上。
因此，本發明之金屬氧化膜的製造方法中，在上述低電阻化處理後，即使經過長時間，亦可抑制施以該低電阻化處理後之金屬氧化膜的電阻形成高電阻化之情形。
此外，本實施形態之金屬氧化膜的製造方法中，在含有鋅之金屬氧化膜的成膜時，係採用13族元素(硼、鋁、鎵、銦)作為該金屬氧化膜的摻雜劑。因此，成膜後的金屬氧化膜中，可使更多的電流流通。
從第3圖、第4圖、第5圖的比較可得知，採用硼作 為摻雜劑時，最能夠抑制低電阻化處理後之金屬氧化膜的高電阻化(即使經過長時間，亦可維持低電阻化處理不久後之金屬氧化膜的電阻值)。此外，由於硼(硼酸)穩定且為低成本，因此更可達到金屬氧化膜之成膜成本的進一步減少以及金屬氧化膜的成膜方法之便利性的進一步提升。
此外，第1圖所例示之成膜裝置中，溶液7用的容器3A、氧化源6用的容器3B、及摻雜劑溶液5用的容器3C，分別各自獨立地存在。然而，可省略此等容器3A、容器3B、容器3C中的任一個。
例如可採用將溶液7與氧化源6放入於相同一方的容器，將摻雜劑溶液5放入於另一方的容器之構成，或是將摻雜劑溶液5與氧化源6放入於相同一方的容器，將溶液7放入於另一方的容器之構成，或者是將溶液7與摻雜劑溶液5放入於相同一方的容器，將氧化源6放入於另一方的容器之構成。
針對各溶液5、6、7區分容器或是使兩種溶液採用共通的容器者，可因應溶液7、氧化源6、摻雜劑溶液5的種類(例如取決於摻雜劑的溶解性及各溶液5、6、7的反應性)來選擇。例如，由於硼酸溶於水，所以作為摻雜劑溶液5之硼酸與作為氧化源6之水可放入於相同的容器。
如上所述，在本發明中，將鋅及摻雜劑供給至基板1時，必須將(摻雜劑/Zn)莫耳濃度比調整為既定值以上。在此，供給至基板1之元素的莫耳濃度調整，針對各溶液5、6、7設置容器3A、3B、3C，並經由不同系統L1、L2、L3 將各溶液5、6、7供給至基板1之構成乃最為容易。
此外，本發明中，由於是在非真空(大氣壓下)所進行之成膜處理，所以可應用大氣中的氧作為氧化源。然而，如第1圖所例示，藉由採用積極地將氧化源6供給至基板1之構成，可提升金屬氧化膜的成膜速度，且亦可形成膜質佳之金屬氧化膜。
以上係已詳細說明本發明，但上述說明在所有狀況下均僅為例示，本發明並不限定於此。在不脫離本發明的範圍內，未例示之無數個變形例均可視為由本發明所涵蓋者。
1‧‧‧基板
2‧‧‧加熱器
3A、3B、3C‧‧‧容器
4A、4B、4C‧‧‧霧化器
5‧‧‧摻雜劑溶液
6‧‧‧氧化源
7‧‧‧溶液
8‧‧‧噴嘴
10‧‧‧金屬氧化膜(透明導電膜、氧化鋅膜)
12‧‧‧紫外線燈
13‧‧‧紫外線
L1、L2、L3‧‧‧路徑
第1圖係用以說明本發明之金屬氧化膜的成膜方法之成膜裝置構成圖。
第2圖係用以說明本發明之金屬氧化膜的製造方法(尤其是低電阻化處理)之圖。
第3圖係顯示以本發明之金屬氧化膜的製造方法所成膜之金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化之圖。
第4圖係顯示以本發明之金屬氧化膜的製造方法所成膜之金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化之圖。
第5圖係顯示以本發明之金屬氧化膜的製造方法所成膜之金屬氧化膜之電阻率的時間序列變化之圖。
1‧‧‧基板
2‧‧‧加熱器
3A、3B、3C‧‧‧容器
4A、4B、4C‧‧‧霧化器
5‧‧‧摻雜劑溶液
6‧‧‧氧化源
7‧‧‧溶液
8‧‧‧噴嘴
L1、L2、L3‧‧‧路徑

Claims (5)

  1. 一種金屬氧化膜的製造方法，係具備有：(A)將含有鋅的溶液噴霧至配置在非真空下之基板之步驟；(B)於前述步驟(A)時，將含有摻雜劑的摻雜劑溶液噴霧至前述基板之步驟；及(C)藉由前述步驟(A)及前述步驟(B)，對成膜於前述基板之金屬氧化膜，施以未伴隨著前述金屬氧化膜的結晶重組之低電阻化處理之步驟；前述步驟(A)及(B)中，供給至前述基板之前述摻雜劑的莫耳濃度相對於供給至前述基板之前述鋅的莫耳濃度為既定值以上；前述摻雜劑為硼、鎵、銦或鋁；當前述摻雜劑為硼、銦或鋁時，前述既定值為0.4%；當前述摻雜劑為鎵時，前述既定值為0.33%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之金屬氧化膜的製造方法，其中，前述步驟(C)為將紫外線照射至前述金屬氧化膜之步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之金屬氧化膜的製造方法，復具備：(D)於前述步驟(A)及(B)時，將氧化源噴霧至前述基板之步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之金屬氧化膜的製造方法，其中，於前述步驟(A)、(B)及(D)中，前述溶液、前述氧化源及前述摻雜劑溶液係分別經由不同系統被供給 至前述基板。
  5. 一種金屬氧化膜，係藉由如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之金屬氧化膜的製造方法所製作之金屬氧化膜，其係含有摻雜劑之氧化鋅膜，且前述摻雜劑為硼、鎵、銦或鋁。
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