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TWI464245B - 超低黏度之液晶聚合物組合物 - Google Patents

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TWI464245B
TWI464245B TW101142246A TW101142246A TWI464245B TW I464245 B TWI464245 B TW I464245B TW 101142246 A TW101142246 A TW 101142246A TW 101142246 A TW101142246 A TW 101142246A TW I464245 B TWI464245 B TW I464245B
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functional compound
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hydroxy
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TW101142246A
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Inventor
Young Shin Kim
Kamlesh P Nair
Original Assignee
Ticona Llc
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Description

超低黏度之液晶聚合物組合物 相關申請案
本申請案主張2012年6月27日申請之美國臨時申請案第61/664,995號之優先權,該案以全文引用之方式併入本文中。
電子組件(例如,細間距連接器)係通常自全芳族熱致性液晶聚合物(「LCP」)製得。該等聚合物之一效益係其等可顯示相當高「流動性」,此係指該聚合物在於剪切下加熱時快速均勻填充複雜部件而無過度閃蒸或其他有害處理問題之能力。除允許獲得複雜部件幾何形態以外,高聚合物流動性亦可增強該模製組件之最終性能。最顯著地,自良好流動聚合物形成之部件通常因低模內應力而顯示高尺寸安定性,此使該組件更適於可受翹曲負面影響之下游熱處理及在未良好模製材料中發生的其他聚合物應力鬆弛處理。
儘管當前的商用LCP具有相當高流動能力,但其仍缺少滿足複雜部件設計之高模製要求而不顯著損害最終產品性能所需之性質。因此,已進行藉由降低熔融黏度來改善習知聚合物之流動性之各種嘗試。降低熔融黏度之一途徑包括降低該聚合物之分子量。然而,低分子量聚合物在無鉛焊接及其他製造方法期間通常顯示減弱的熱及機械性質及較差的腫泡性能。已使用的其他途徑包括在混合期間對該聚合物添加某些化合物。例如,一種途徑採取使用可具有羧基及羥基末端基團之添加劑。然而,該等添加劑尤其在 以相當高含量使用時可由於其在熔融處理及/或使用期間分解而導致形成揮發性產物。此可進一步導致形成腫泡,其可對該聚合物之熱及機械性質產生不利影響且因此限制其在某些應用中之用途。
因此,需要一種具有超低熔融黏度且仍具有良好機械性質之液晶熱塑性組合物。
根據本發明一實施例,揭示一種熱塑性組合物,其包含熱致性液晶聚合物、芳族醯胺寡聚物及包括羥基、羧基、胺基或其組合之官能化合物。該熱塑性組合物具有約0.1至約80 Pa-s之熔融黏度,其係根據ASTM測試編號1238-70於1000 s-1 之剪切速率及350℃之溫度下測定。
下文更詳細地描述本發明之其他特徵及態樣。
本發明之完整及可實施性揭示內容(包括熟習此項技術者已知的其最佳模式)係更具體地描述於本說明書之剩餘部分(包括參照附圖)中。
一般技術者應瞭解本論述僅係示例性實施例之描述,且無意限制本發明之更廣泛態樣。
一般而言,本發明係關於一種熱塑性組合物,其包含熱致性液晶聚合物及某些類型的流動改質劑之組合。更特定言之,用於該組合物中之一種流動改質劑係可與該聚合物之主鏈反應之官能化合物(例如羥基官能性、羧基官能性等)。在某些情況下,例如,該官能化合物可引發該聚合 物之斷鏈作用,此降低分子量且進一步降低該聚合物在剪切下之熔融黏度。雖然有效,但該化合物降低熔融黏度之能力通常與聚合物分子量減小相關。然而,由於分子量過分減小可不利地影響機械性質,因此可藉由該官能化合物實現的熔融黏度水準係實際上受限制。因此,本發明者已發現亦可使用另一非官能化合物作為流動改質劑以助於使該熔融黏度降低至所需之「超低」水準而不顯著影響機械性質。更明確言之,該非官能化合物係芳族醯胺寡聚物,其可改變分子間聚合物鏈相互作用且不引發任何顯著程度的斷鏈,由此進一步降低該聚合物基質在剪切下之總體黏度。令人驚訝地,可使用此獨特的組合流動改質劑實現該低熔融黏度而不對方法安定性(例如在模製方法期間之螺桿回復時間及填充壓力)產生負面影響。
由於此發現,本發明者已發現可形成具有超低熔融黏度值(例如位於約0.1至約80 Pa-s之範圍內,在某些實施例中自約0.5至約50 Pa-s,及在某些實施例中自約1至約25 Pa-s,在1000 s-1 的剪切速率下測得)之熱塑性組合物。可根據ASTM測試編號1238-70於350℃之溫度下測定熔融黏度。該超低黏度可尤其允許該組合物容易地流入小尺寸模具之腔室中。通常,據信具有該超低黏度之熱塑性組合物亦無法具有允許其用於某些應用類型之足夠良好的熱性質及機械性質。然而,與習知觀點相反,已發現本發明熱塑性組合物具有極佳熱性質及機械性質。例如,該組合物可具有高衝擊強度,其在形成小部件時係有用。該組合物可具有 (例如)大於約4 kJ/m2 ,在某些實施例中自約5至約40 kJ/m2 ,及在某些實施例中自約6至約30 kJ/m2 (根據ISO測試編號179-1(技術上相當於ASTM D256,方法B)於23℃下測得)的沙比(Charpy)缺口衝擊強度。
該組合物之拉伸及撓曲機械性質亦係良好。例如,該熱塑性組合物可顯示約20至約500 MPa,在某些實施例中自約50至約400 MPa,及在某些實施例中自約100至約350 MPa之拉伸強度;約0.5%或更高,在某些實施例中自約0.6%至約10%,及在某些實施例中自約0.8%至約3.5%之拉伸斷裂應變;及/或自約5,000 MPa至約20,000 MPa,在某些實施例中自約8,000 MPa至約20,000 MPa,及在某些實施例中自約10,000 MPa至約15,000 MPa之拉伸模量。可根據ISO測試編號527(技術上相當於ASTM D638)於23℃下測定該等拉伸性質。該熱塑性組合物亦可顯示約20至約500 MPa,在某些實施例中自約50至約400 MPa,及在某些實施例中自約100至約350 MPa之撓曲強度;約0.5%或更高,在某些實施例中自約0.6%至約10%,及在某些實施例中自約0.8%至約3.5%之撓曲斷裂應變;及/或自約5,000 MPa至約20,000 MPa,在某些實施例中自約8,000 MPa至約20,000 MPa,及在某些實施例中自約10,000 MPa至約15,000 MPa之撓曲模量。可根據ISO測試編號178(技術上相當於ASTM D790)於23℃下測定該等撓曲性質。
另外,該組合物之熔融溫度可係約250℃至約400℃,在某些實施例中自約270℃至約380℃,及在某些實施例中自 約300℃至約360℃。如此項技術中所熟知,可使用差示掃描量熱法(「DSC」)來測定該熔融溫度(例如藉由ISO測試編號11357測定)。即使在該等熔融溫度下,負荷變形溫度(「DTUL」)(短期耐熱性之量度)對該熔融溫度之比值仍可保持相當高。例如,該比值可係自約0.65至約1.00,在某些實施例中自約0.66至約0.95,及在某些實施例中自約0.67至約0.85。該特定DTUL值可係(例如)自約200℃至約300℃,在某些實施例中自約210℃至約280℃,及在某些實施例中自約220℃至約260℃。該等高DTUL值可尤其允許使用在製造具有小尺寸容差之組件期間經常使用的高速方法。
現將更詳細地描述本發明之各種實施例。
I.液晶聚合物
該熱致性液晶聚合物通常具有允許其有效填充模具之微小空間之高結晶度。該等液晶聚合物的含量通常係該熱塑性組合物之約20重量%至約90重量%,在某些實施例中自約30重量%至約80重量%,及在某些實施例中自約40重量%至約75重量%。適宜的熱致性液晶聚合物可包括芳族聚酯、芳族聚(酯醯胺)、芳族聚(酯碳酸酯)、芳族聚醯胺等,且亦可含有自一或多個芳族羥基羧酸、芳族二羧酸、芳族二醇、芳族胺基羧酸、芳族胺、芳族二胺等及其組合形成的重複單元。
芳族聚酯可藉由(例如)使(1)兩種或更多種芳族羥基羧酸;(2)至少一種芳族羥基羧酸、至少一種芳族二羧酸及至 少一種芳族二醇;及/或(3)至少一種芳族二羧酸及至少一種芳族二醇聚合來獲得。適宜的芳族羥基羧酸之實例包括4-羥基苯甲酸、4-羥基-4'-聯苯羧酸、2-羥基-6-萘甲酸、2-羥基-5-萘甲酸、3-羥基-2-萘甲酸、2-羥基-3-萘甲酸、4'-羥苯基-4-苯甲酸、3'-羥苯基-4-苯甲酸、4'-羥苯基-3-苯甲酸等及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基。適宜的芳族二羧酸之實例包括對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、二苯醚-4,4'-二羧酸、1,6-萘二甲酸、2,7-萘二甲酸、4,4'-二羧基聯苯、雙(4-羧苯基)醚、雙(4-羧苯基)丁烷、雙(4-羧苯基)乙烷、雙(3-羧苯基)醚、雙(3-羧苯基)乙烷等及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基。適宜的芳族二醇之實例包括氫醌、間苯二酚、2,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘、1,6-二羥基萘、4,4'-二羥基聯苯、3,3'-二羥基聯苯、3,4'-二羥基聯苯、4,4'-二羥基聯苯醚、雙(4-羥苯基)乙烷等及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基。此等及其他芳族聚酯之合成及結構可更詳細地描述於美國專利案第4,161,470號、第4,473,682號、第4,522,974號、第4,375,530號、第4,318,841號、第4,256,624號、第4,219,461號、第4,083,829號、第4,184,996號、第4,279,803號、第4,337,190號、第4,355,134號、第4,429,105號、第4,393,191號、第4,421,908號、第4,434,262號及第5,541,240號中。
液晶聚酯醯胺亦可藉由使(1)至少一種芳族羥基羧酸及至少一種芳族胺基羧酸;(2)至少一種芳族羥基羧酸、至少一種芳族二羧酸及至少一種視需要具有酚羥基之芳族胺 及/或二胺;及(3)至少一種芳族二羧酸及至少一種視需要具有酚羥基之芳族胺及/或二胺聚合來獲得。適宜的芳族胺及二胺可包括(例如)3-胺基苯酚、4-胺基苯酚、1,4-苯二胺、1,3-苯二胺等及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基。在一特定實施例中,該芳族聚酯醯胺包含衍生自2,6-羥基萘甲酸、對苯二甲酸及4-胺基苯酚之單體單元。在另一實施例中,該芳族聚酯醯胺包含衍生自2,6-羥基萘甲酸及4-羥基苯甲酸及4-胺基苯酚及其他可選單體(例如4,4'-二羥基聯苯及/或對苯二甲酸)之單體單元。此等及其他芳族聚(酯醯胺)之合成及結構可更詳細地描述於美國專利案第4,339,375號、第4,355,132號、第4,351,917號、第4,330,457號、第4,351,918號及第5,204,443號中。
若需要,該液晶聚合物可係「低環烷」聚合物,其在某種程度上包含最少量的衍生自環烷羥基羧酸及環烷二羧酸(例如萘-2,6-二甲酸(「NDA」)、6-羥基-2-萘甲酸(「HNA」)或其組合)之重複單元。即,衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸(例如NDA、HNA或HNA及NDA之組合)之重複單元之總量可不超過該聚合物之約10莫耳%,在某些實施例中不超過約8莫耳%,及在某些實施例中自0莫耳%至約5莫耳%(例如0莫耳%)。儘管不存在高濃度習知環烷酸,但據信所得之「低環烷」聚合物仍可顯示如上所述之良好熱性質及機械性質。
在一特定實施例中,例如,可形成包含衍生自4-羥基苯甲酸及對苯二甲酸(「TA」)及/或間苯二甲酸(「IA」)之單 體重複單元的「低環烷」芳族聚酯。衍生自4-羥基苯甲酸(「HBA」)之單體單元可佔該聚合物之約40莫耳%至約95莫耳%,在某些實施例中自約45莫耳%至約90莫耳%,及在某些實施例中自約50莫耳%至約80莫耳%;而衍生自對苯二甲酸及/或間苯二甲酸之單體單元可各佔該聚合物之約1莫耳%至約30莫耳%,在某些實施例中自約2莫耳%至約25莫耳%,及在某些實施例中自約3莫耳%至約20莫耳%。可視需要使用其他單體單元,例如芳族二醇(例如4,4'-聯苯酚、氫醌等)。例如,當使用氫醌(「HQ」)、4,4'-聯苯酚(「BP」)及/或乙醯胺苯酚(「APAP」)時,其等可各佔約1莫耳%至約30莫耳%,在某些實施例中自約2莫耳%至約25莫耳%,及在某些實施例中自約3莫耳%至約20莫耳%。若需要,該聚合物亦可包含位於上述指定範圍內之少量6-羥基-2-萘甲酸(「HNA」)。
可藉由將該(等)適當單體(例如芳族羥基羧酸、芳族二羧酸、芳族二醇、芳族胺、芳族二胺等)引入反應器容器中以引發聚縮反應來製備該等液晶聚合物。該等反應中所使用的特定條件及步驟係熟知,且可更詳細地描述於美國專利案第4,161,470號(Calundann )、美國專利案第5,616,680號(Linstid,III 等人)、美國專利案第6,114,492號(Linstid,III等人 )、美國專利案第6,514,611號(Shepherd等人 )及WO 2004/058851(Waggoner )中。用於該反應之容器係不受特定限制,然而通常希望使用高黏度流體之反應中常用者。該反應容器之實例可包括攪拌槽式裝置,其具有配備有可 變形攪拌葉片(錨型、多級型、螺旋帶型、螺桿軸型等或其經修改形狀)之攪拌機。該反應容器之其他實例可包括常用於樹脂捏合的混合裝置,例如捏合機、輥磨機、班伯里(Banbury)混煉機等。
若需要,該反應可藉由上述及此項技術中已知之單體之乙醯化作用來進行。此可藉由將乙醯化劑(例如醋酸酐)添加至該等單體中來完成。乙醯化作用通常於約90℃的溫度下開始。在乙醯化作用之初始階段期間,可採用回流以使氣相溫度維持在低於醋酸副產物及酐開始蒸餾時的溫度下。乙醯化期間之溫度通常係90℃至150℃,及在某些實施例中自約110℃至約150℃。若使用回流,則該氣相溫度通常超過醋酸之沸點,但仍低至足以保留殘餘醋酸酐。例如,醋酸酐於約140℃的溫度下蒸發。因此,提供具有在約110℃至約130℃的溫度下之氣相回流之反應器係尤其理想。為確保實質上完全反應,可使用過量醋酸酐。過量酸酐的量將根據所使用的特定乙醯化條件(包括存在或不存在回流)而變化。使用約1至約10莫耳%過量的醋酸酐(基於存在的反應物羥基之總莫耳數計)係並非罕見。
乙醯化作用可於不同反應器容器中發生,或其可於聚合反應器容器中原位發生。當使用不同反應器容器時,可將該等單體中之一或多者引入該乙醯化反應器中且隨後轉移至該聚合反應器中。同樣地,亦可將該等單體中之一或多者在不經歷預乙醯化之情況下直接引入該反應器容器中。
除該等單體及可選乙醯化劑以外,該反應混合物中亦可 包含其他組分以助於促進聚合作用。例如,可視需要使用觸媒,例如金屬鹽觸媒(例如醋酸鎂、醋酸錫(I)、鈦酸四丁酯、醋酸鉛、醋酸鈉、醋酸鉀等)及有機化合物觸媒(例如N-甲基咪唑)。該等觸媒通常以佔該等循環單元前驅物之總重量之約50至約500 ppm的量使用。當使用不同反應器時,通常希望將該觸媒施加至該乙醯化反應器而非該聚合反應器中,然而此並非係必要條件。
通常將該反應混合物於該聚合反應器容器內加熱至高溫以引發該等反應物之熔融聚縮。聚縮作用可發生在(例如)約210℃至約400℃及在某些實施例中約250℃至約350℃的溫度範圍內。例如,用於形成芳族聚酯之一適宜技術可包括:將前驅物單體(例如4-羥基苯甲酸及2,6-羥基萘甲酸)及醋酸酐添加至該反應器中;將該混合物加熱至約90℃至約150℃的溫度以使該等單體之羥基乙醯化(例如形成乙醯氧基);及隨後使溫度上升至約210℃至約400℃的溫度以進行熔融聚縮。當接近最終聚合溫度時,亦可除去該反應之揮發性副產物(例如醋酸),以便可容易地達到所需分子量。通常在聚合作用期間攪拌該反應混合物以確保良好的熱及質量轉移及進一步確保良好的材料均質性。該攪拌機之轉速可在反應過程中變化,但通常係約10至約100轉/分鐘(「rpm」),且在某些實施例中係約20至約80 rpm。為建立熔融物之分子量,該聚合反應亦可於真空下進行,施加真空係促進移除在聚縮作用之最後階段期間形成的揮發物。可藉由施加抽吸壓力(例如,約5至約30磅/平方英寸 (「psi」),及在某些實施例中自約10至約20 psi)來建立真空。
在熔融聚合後,可自該反應器釋放該熔融聚合物(通常經由裝有所需組態之模具之擠出孔),將其冷卻並收集。通常,經由有孔模具釋放該熔融物以形成股並將其置於水浴中,製粒並乾燥。該樹脂亦可呈股、顆粒或粉末形式。雖然不必要,但應瞭解可進行後續固相聚合以進一步提高分子量。當對藉由熔融聚合獲得之聚合物進行固相聚合時,通常希望選擇一種其中使該藉由熔融聚合獲得之聚合物固化且隨後將其粉碎以形成粉末狀或薄片狀聚合物之方法,接著進行固體聚合方法,例如於惰性氣氛(例如氮)下及200℃至350℃的溫度範圍內之熱處理。
無論使用何種特定方法,所得液晶聚合物通常具有約2,000 g/莫耳或更大,在某些實施例中約4,000 g/莫耳或更大,及在某些實施例中自約5,000至約30,000 g/莫耳之高數量平均分子量(Mn )。當然,亦可使用本發明方法形成具有低分子量(例如小於約2,000 g/莫耳)之聚合物。該聚合物之固有黏度(其通常與分子量成比例)亦可係相當高。例如,該固有黏度可係約4公合/g(「dL/g」)或更高,在某些實施例中約5 dL/g或更高,在某些實施例中自約6至約20 dL/g,及在某些實施例中自約7至約15 dL/g。可根據ISO-1628-5,使用五氟苯酚及六氟異丙醇之50/50(體積/體積)混合物來測定固有黏度。
II.流動改質劑 A.官能化合物
文中所使用之官能化合物可係單-、雙-、三官能等。適宜的官能基可包括(例如)羥基、羧基、胺(例如一級或二級胺)等及其組合。在一特定實施例中,本發明熱塑性組合物中使用(例如)羥基官能化合物。術語「羥基官能」通常意指該化合物包含至少一個羥基官能基或其可於溶劑之存在下具有該官能基。雖然無意受理論限制,但據信該化合物之羥基可攻擊該熱致性液晶聚合物(例如聚酯或聚酯醯胺)之缺電子羰基碳原子以引發該聚合物之斷鏈作用。此降低分子量且進一步降低該聚合物在剪切下之熔融黏度。
該羥基官能化合物之總分子量係相當低,以使其可有效作為該聚合物組合物之助流劑。該化合物通常具有約2,000 g/莫耳或更小,在某些實施例中自約25至約1,000 g/莫耳,在某些實施例中自約50至約500 g/莫耳,及在某些實施例中自約100至約400 g/莫耳之分子量。該羥基官能化合物亦可包含由一或多個性質與該液晶聚合物之芳族成分類似之芳香環(包括雜芳香環)形成之核心。該芳族化合物可具有如下所提供之式(I)通式結構或其金屬鹽: 其中,環C係6員芳香環,其中1至3個環碳原子係視需要經氮或氧置換,其中各氮係視需要經氧化,且其中環C可視需要 稠合或鍵聯至5-或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基;R12 係醯基、醯氧基(例如乙醯氧基)、醯胺基(例如乙醯胺基)、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;a係0至4,在某些實施例中自0至2,及在某些實施例中自0至1;且e係1至3,及在某些實施例中自1至2。當該化合物呈金屬鹽形式時,適宜的金屬相對離子可包括過渡金屬相對離子(例如,銅、鐵等)、鹼金屬相對離子(例如,鉀、鈉等)、鹼土金屬相對離子(例如,鈣、鎂等)及/或主族金屬相對離子(例如,鋁)。
例如,在一實施例中,式(I)中之e係1且C係苯基,因此該羥基官能化合物係具有下式(II)之酚或其金屬鹽: 其中,R12 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、羧基、羧基酯、羥基、鹵基或鹵代烷基;及a係0至4,在某些實施例中自0至2,及在某些實施例中自0至1。該等羥基官能酚系化合物之特定實例包括(例如)苯酚(a係0);苯酚鈉(a係0);氫醌(R12 係OH且a係1);間苯二酚(R12 係OH且a係1);4-羥基苯甲酸(R12 係C(O)OH且a係 1)等。
在另一實施例中,上式(I)中之C係苯基,a係1,且R12 係苯基,因此該羥基官能化合物係具有下式(III)之聯苯或其金屬鹽: 其中,R15 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;且f係0至4,在某些實施例中自0至2,及在某些實施例中自0至1。該等聯苯化合物之特定實例包括(例如)4,4'-聯苯酚(R15 係OH且f係1)、3,3'-聯苯酚(R15 係OH且f係1)、3,4'-聯苯酚(R15 係OH且f係1)、4-苯基苯酚(f係0)、4-苯基苯酚鈉(f係0)、雙(4-羥苯基)乙烷(R15 係C2 (OH)2 苯酚且f係1)、叁(4-羥苯基)乙烷(R15 係C(CH3 )聯苯酚且f係1)、4-羥基-4'-聯苯羧酸(R15 係C(O)OH且f係1)、4'-羥苯基-4-苯甲酸(R15 係C(O)OH且f係1)、3'-羥苯基-4-苯甲酸(R15 係C(O)OH且f係1)、4'-羥苯基-3-苯甲酸(R15 係C(O)OH且f係1)等。
在又一實施例中,上式(I)中之C係萘基,因此該羥基官能化合物係具有下式(IV)之萘酚或其金屬鹽: 其中,R12 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;且a係0至4,在某些實施例中自0至2,及在某些實施例中自0至1。該等萘酚化合物之特定實例包括(例如)2-羥基-萘(a係0)、2-萘酚鈉(a係0)、2-羥基-6-萘甲酸(R12 係C(O)OH且a係1)、2-羥基-5-萘甲酸(R12 係C(O)OH且a係1)、3-羥基-2-萘甲酸(R12 係C(O)OH且a係1)、2-羥基-3-萘甲酸(R12 係C(O)OH且a係1)、2,6-二羥基萘(R12 係OH且a係1)、2,7-二羥基萘(R12 係OH且a係1)、1,6-二羥基萘(R12 係OH且a係1)等。
本發明亦可使用其他類別的羥基官能化合物,其可單獨或與上述化合物組合使用。例如,在某些實施例中,水亦係適宜的羥基官能化合物,且可單獨或與其他羥基官能化合物組合使用。亦可添加呈在處理條件下生成水之形式之化合物。例如,可使用在處理條件(例如高溫)下有效「失去」水之氫氧化物。該化合物之一實例係具有通式M(OH)s 之金屬氫氧化物,其中s係氧化態(通常係1至3)且M係金屬(例如過渡金屬、鹼金屬、鹼土金屬或主族金屬)。適宜的金屬氫氧化物之實例包括氫氧化銅(II)(Cu(OH)2 )、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鎂(Mg(OH)2 )、氫氧化鈣(Ca(OH)2 )、氫氧化鋁(Al(OH)3 )等。可於溶劑(例如水) 之存在下形成羥基官能基之金屬烷醇鹽化合物亦係適宜。該等化合物可具有通式M(OR)s ,其中s係氧化態(通常係1至3),M係金屬,且R係烷基。該等金屬烷醇鹽之實例可包括乙醇酮(II)(Cu2+ (CH3 CH2 O- )2 )、乙醇鉀(K+ (CH3 CH2 O- ))、乙醇鈉(Na+ (CH3 CH2 O- ))、乙醇鎂(Mg2+ (CH3 CH2 O- )2 )、乙醇鈣(Ca2+ (CH3 CH2 O- )2 )等;乙醇鋁(Al3+ (CH3 CH2 O- )3 )等。
當使用羥基官能化合物時,其通常係佔該熱塑性組合物之約0.05重量%至約4重量%,在某些實施例中自約0.1重量%至約2重量%,及在某些實施例中自約0.2重量%至約1重量%。在某些實施例中,該熱塑性組合物使用不同羥基官能化合物之組合。例如,可使用聯苯羥基官能化合物(例如4,4'-聯苯酚)與金屬氫氧化物(例如氫氧化鋁)之組合。實際上,本發明者已發現羥基官能化合物之此特定組合可有助於降低熔融黏度並改善流動且對機械性質無不利影響。通常,金屬氫氧化物對聯苯羥基官能化合物之重量比係約0.5至約8,在某些實施例中自約0.8至約5,及在某些實施例中自約1至約5。例如,聯苯化合物可佔該熱塑性組合物之約0.01重量%至約1重量%,及在某些實施例中自約0.05重量%至約0.4重量%,而金屬氫氧化物可佔該熱塑性組合物之約0.02重量%至約2重量%,及在某些實施例中自約0.05重量%至約1重量%。
除上述化合物以外或就代替上述化合物而言,本發明亦可採用羧基官能化合物作為流動改質劑。術語「羧基官能」通常意指該化合物包含至少一個羧基官能基或可於溶 劑之存在下具有該官能基。該羧基官能化合物通常具有約2,000 g/莫耳或更小,在某些實施例中自約25至約1,000 g/莫耳,在某些實施例中自約50至約500 g/莫耳,及在某些實施例中自約100至約400 g/莫耳之分子量。該化合物亦可包含由一或多個性質與該液晶聚合物之芳族成分類似之芳香環(包括雜芳香環)形成之核心。該芳族化合物可具有如下所提供之式(V)通式結構或其金屬鹽: 其中,環D係6員芳香環,其中1至3個環碳原子係視需要經氮或氧置換,其中各氮係視需要經氧化,且其中環D可視需要稠合或鍵聯至5-或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基;R13 係醯基、醯氧基(例如乙醯氧基)、醯胺基(例如乙醯胺基)、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;b係1至3,及在某些實施例中自1至2;且c係0至4,在某些實施例中自0至2,及在某些實施例中自0至1。當該化合物呈金屬鹽形式時,適宜的金屬相對離子可包括過渡金屬相對離子(例如,銅、鐵等)、鹼金屬相對離子(例如,鉀、鈉等)、鹼土金屬相對離子(例如,鈣、鎂等)及/或主族金屬相對離子(例如,鋁)。
例如,在一實施例中,式(V)中之b係1且D係苯基,因此該羧基官能化合物係具有下式(VI)之酚酸或其金屬鹽: 其中,R13 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、羧基、羧基酯、羥基、鹵基或鹵代烷基;且c係0至4,在某些實施例中自0至2,及在某些實施例中自0至1。該等酚酸化合物之特定實例包括(例如)苯甲酸(c係0);苯甲酸鈉(c係0);3-羥基苯甲酸(R13 係OH且c係1);4-羥基苯甲酸(R13 係OH且c係1);對苯二甲酸(R13 係OH且c係1);間苯二甲酸(R13 係OH且c係1)等。
在另一實施例中,上式(V)中之D係苯基,c係1,且R13 係苯基,因此該羧基官能化合物係具有下式(VII)之雙酚酸化合物或其金屬鹽: 其中,R14 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;且d係0至4,在某些實施例中自0至2,及在某些實施例中 自0至1。
在又一實施例中,上式(V)中之D係萘基,因此該羧基官能化合物係具有下式(VIII)之萘酸或其金屬鹽: 其中,R13 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;且c係0至4,在某些實施例中自0至2,及在某些實施例中自0至1。該等萘酸化合物之特定實例包括(例如)1-萘甲酸(c係0)、2-萘甲酸(c係0)、2,6-萘二甲酸(c係1且R13 係COOH)、2,3-萘二甲酸(c係1且R13 係COOH)等。
當使用羧基官能化合物時,其通常係佔該熱塑性組合物之約0.001重量%至約0.5重量%,及在某些實施例中自約0.005重量%至約0.1重量%。在某些實施例中,該熱塑性組合物可使用羧基-及羥基官能化合物之組合。實際上,雖然無意受理論限制,但據信該等羧基官能化合物可在聚合物已經羥基官能化合物切斷後使該聚合物之更短鏈組合在一起。此有助於維持該組合物之機械性質(即使在其熔融黏度已減小後)。例如,在一特定實施例中,可使用環烷酸(例如2,6-萘二甲酸)與聯苯羥基官能化合物(例如4,4'-聯 苯酚)及/或金屬氫氧化物(例如氫氧化鋁)之組合。為有助於獲得所需性質,該組合物中之羥基官能化合物(例如4,4'-聯苯酚、氫氧化鋁等)對羧基官能化合物(例如2,6-萘二甲酸)之重量比通常係約1至約30,在某些實施例中自約2至約25,及在某些實施例中自約5至約20。
B.芳族醯胺寡聚物
如上所示,芳族醯胺寡聚物亦係用作本發明熱塑性組合物中之流動改質劑。該寡聚物可藉由改變分子間聚合物鏈相互作用並由此降低該聚合物基質在剪切下之總體黏度來作為「助流劑」。然而,與上述官能化合物相反,該芳族醯胺寡聚物通常不與該液晶聚合物之聚合物主鏈發生任何顯著程度的反應。該寡聚物之另一效益係其不容易揮發或分解。此允許將該寡聚物添加至仍具有相當高溫度之反應混合物中。雖然無意受理論限制,但據信該等醯胺官能基之活性氫原子可與液晶聚酯或聚酯醯胺之主鏈形成氫鍵。該氫鍵增強該寡聚物與該液晶聚合物之連接且因此使其變得揮發之可能性最小。
該芳族醯胺寡聚物通常具有相當低分子量,以便其可有效作為該聚合物組合物之助流劑。例如,該寡聚物通常具有約3,000 g/莫耳或更小,在某些實施例中自約50至約2,000 g/莫耳,在某些實施例中自約100至約1,500 g/莫耳,及在某些實施例中自約200至約1,200 g/莫耳之分子量。除具有相當低分子量以外,該寡聚物通常亦具有高醯胺官能度,因此其可與該液晶聚合物進行足夠程度的氫鍵 結合。既定分子之醯胺官能度之特徵可係其「醯胺當量」,其反映包含一分子醯胺官能基之化合物的量且可藉由該化合物之分子量除以該分子中之醯胺基數量來計算。例如,該芳族醯胺寡聚物可包含1至15個(在某些實施例中2至10個,及在某些實施例中2至8個)醯胺官能基/分子。同樣地,該醯胺當量可係約10至約1,000 g/莫耳或更小,在某些實施例中自約50至約500 g/莫耳,及在某些實施例中自約100至約300 g/莫耳。
如上所示,希望該醯胺寡聚物通常亦係非反應性,以使其不與液晶聚合物主鏈形成共價鍵。為有助於更好地使反應性最小化,該寡聚物通常包含由一或多個芳香環(包括雜芳香環)形成之核心。該寡聚物亦可包含由一或多個芳香環形成之端基。該「芳族」寡聚物因此對該基質液晶聚合物具有極小(若有)反應性。例如,該芳族醯胺寡聚物之一實施例係如下所提供之式(IX): 其中,環B係6員芳香環,其中1至3個環碳原子係視需要經氮或氧置換,其中各氮係視需要經氧化,且其中環B可視需要稠合或鍵聯至5-或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基;R5 係鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環 烷基或雜環基;m係0至4;X1 及X2 獨立地係C(O)HN或NHC(O);且R1 及R2 係獨立地選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
在某些實施例中,環B可選自以下環: 其中,m係0、1、2、3或4,在某些實施例中m係0、1或2,在某些實施例中m係0或1,及在某些實施例中m係0;且R5 係鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基。較佳地,環B係苯基。
在某些實施例中,該寡聚物係雙官能化合物,其中環B係直接鍵接至僅兩個醯胺基(例如C(O)HN或NHC(O))。在該等實施例中,式(IX)中之m較佳係0。當然,在某些實施例中,環B亦可直接鍵接至三個或更多個醯胺基。例如,該化合物之一實施例係由通式(X)提供: 其中,環B、R5 、X1 、X2 、R1 及R2 係如上所定義;m係0至3;X3 係C(O)HN或NHC(O);且R3 係選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
該化合物之另一實施例係由通式(XI)提供: 其中,環B、R5 、X1 、X2 、X3 、R1 、R2 及R3 係如上所定義;X4 係C(O)HN或NHC(O);且R4 係選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
在某些實施例中,上述結構中之R1 、R2 、R3 及/或R4 可選自以下基團: 其中,n係0、1、2、3、4或5,在某些實施例中n係0、1或2,及在某些實施例中,n係0或1;且R6 係鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基。
在一特定實施例中,該芳族醯胺寡聚物具有以下通式(XII): 其中,X1 及X2 獨立地係C(O)HN或NHC(O);R5 、R7 及R8 係獨立地選自鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基;m係0至4;且p及q獨立地係0至5。
在另一實施例中,該芳族醯胺寡聚物具有以下通式(XIII): 其中,X1 、X2 、R5 、R7 、R8 、m、p及q係如上所定義。
例如,式(XII)及(XIII)中之m、p及q可等於0,因此該等核心及末端芳族基團係未經取代。在其他實施例中,m可係0且p及q可係1至5。在該等實施例中,R7 及/或R8 可係鹵基(例如氟)。在其他實施例中,R7 及/或R8 可係芳基(例如苯基)或經具有-C(O)R22 N-或-NR23 C(O)-結構之醯胺基取代之芳基,其中R22 及R23 係獨立地選自氫、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。例如,在一特定實施例中,R7 及/或R8 係經-C(O)HN-或-NHC(O)-取代之苯基。在其他實施例中,R7 及/或R8 可係雜芳基(例如吡啶基)。
在又一實施例中,該芳族醯胺寡聚物具有以下通式(XIII): 其中, X1 、X2 及X3 獨立地係C(O)HN或NHC(O);R5 、R7 、R8 及R9 係獨立地選自鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基;m係0至3;且p、q及r獨立地係0至5。
在又一實施例中,該芳族醯胺寡聚物具有以下通式(XIV): 其中,X1 、X2 、X3 、R5 、R7 、R8 、R9 、m、p、q及r係如上所定義。
例如,在某些實施例中,式(XIII)及(XIV)中之m、p、q及r可等於0,因此該等核心及末端芳族基團係未經取代。在其他實施例中,m可係0且p、q及r可係1至5。在該等實施例中,例如,R7 、R8 及/或R9 可係鹵基(例如氟)。在其他實施例中,R7 、R8 及/或R9 可係芳基(例如苯基)或經具有-C(O)R22 N-或-NR23 C(O)-結構之醯胺基取代之芳基,其中R22 及R23 係獨立地選自氫、烷基、烯基、芳基、雜芳基、 環烷基及雜環基。例如,在一特定實施例中,R7 、R8 及/或R9 係經-C(O)HN-或-NHC(O)-取代之苯基。在其他實施例中,R7 、R8 及/或R9 可係雜芳基(例如吡啶基)。
本發明芳族醯胺寡聚物之特定實施例亦描述於下表中:
可選擇該液晶聚合物與該芳族醯胺寡聚物在該組合物中之相對比例以助於實現黏度與機械性質之間的平衡。更特定言之,高寡聚物含量可導致低黏度,但過高含量可使黏度降低至該寡聚物不利地影響該聚合物之熔融強度的程度。例如,在大多數實施例中,該芳族醯胺寡聚物或其混合物之用量可係相對於100重量份該液晶聚合物為約0.1至約5重量份,在某些實施例中自約0.2至約4重量份,及在某些實施例中自約0.3至約1.5重量份。該等芳族醯胺寡聚 物可佔(例如)該熱塑性組合物之約0.1重量%至約5重量%,在某些實施例中自約0.2重量%至約4重量%,及在某些實施例中自約0.3重量%至約1.5重量%。
III.其他添加劑
除上述組分以外,若需要,亦可將各種其他添加劑併入該熱塑性組合物中。例如,可將纖維用於該熱塑性組合物中以改善機械性質。該等纖維通常具有相對其質量之高拉伸強度。例如,該等纖維之最終拉伸強度(根據ASTM D2101測定)通常係約1,000至約15,000兆帕(「MPa」),在某些實施例中自約2,000 MPa至約10,000 MPa,及在某些實施例中自約3,000 MPa至約6,000 MPa。為有助於維持用於電子組件時通常需要之絕緣性,該等高強度纖維可自通常亦具有絕緣性質的材料(例如玻璃、陶瓷(氧化鋁或矽石)、芳族聚醯胺(例如由E.I.du Pont de Nemours,Wilmington,DE出售的Kevlar®)、聚烯烴、聚酯等及其混合物)形成。玻璃纖維係特別適合,例如E-玻璃、A-玻璃、C-玻璃、D-玻璃、AR-玻璃、R-玻璃、S1-玻璃、S2-玻璃等及其混合物。
該等纖維之體積平均長度可係約50至約400微米,在某些實施例中自約80至約250微米,在某些實施例中自約100至約200微米,及在某些實施例中自約110至約180微米。該等纖維亦可具有窄長度分佈。即,至少約70體積%的纖維,在某些實施例中至少約80體積%的纖維,及在某些實施例中至少約90體積%的纖維之長度係在約50至約400微 米,在某些實施例中自約80至約250微米,在某些實施例中自約100至約200微米,及在某些實施例中自約110至約180微米之範圍內。該重量平均長度及窄長度分佈可進一步有助於獲得強度及流動性之理想組合,此允許其極適於具有小尺寸容差之模製部件。
除具有上述長度特徵以外,該等纖維亦可具有相當高縱橫比(平均長度除以標稱直徑),以助於改善所得熱塑性組合物之機械性質。例如,該等纖維可具有約2至約50之縱橫比,在某些實施例中自約4至約40,且在某些實施例中自約5至約20係特別有益。該等纖維可具有(例如)約10至約35微米,及在某些實施例中自約15至約30微米之標稱直徑。
亦可選擇性控制該等纖維在該熱塑性組合物中之相對含量以助於獲得所需機械性質而不對該組合物之其他性質(例如其流動性)產生不利影響。例如,該等纖維通常係佔該熱塑性組合物之約2重量%至約40重量%,在某些實施例中自約5重量%至約35重量%,及在某些實施例中自約6重量%至約30重量%。雖然可使用上述範圍內之纖維,但本發明之一特別有益且令人驚訝之態樣係可使用較小纖維含量且同時仍獲得所需機械性質。雖然無意受理論限制,但據信該等纖維之窄長度分佈可有助於獲得極佳機械性質,因此允許使用更小量的纖維。例如,該等纖維可以諸如約2重量%至約20重量%,在某些實施例中自約5重量%至約16重量%,及在某些實施例中自約6重量%至約12重量%的 較小量使用。
還可包含於該組合物中之其他添加劑可包括(例如)抗微生物劑、填充劑、顏料、抗氧化劑、安定劑、界面活性劑、蠟、固體溶劑及其他經添加用於增強性質及可加工性之材料。例如,可將礦物填充劑用於該熱塑性組合物中以助於獲得所需機械性質及/或外觀。當使用該等礦物填充劑時,其通常係佔該熱塑性組合物之約1重量%至約40重量%,在某些實施例中自約2重量%至約35重量%,及在某些實施例中自約5重量%至約30重量%。黏土礦物可特別適用於本發明。該等黏土礦物之實例包括(例如)滑石(Mg3 Si4 O10 (OH)2 )、多水高嶺土(Al2 Si2 O5 (OH)4 )、高嶺石(Al2 Si2 O5 (OH)4 )、伊利石((K,H3 O)(Al,Mg,Fe)2 (Si,Al)4 O10 [(OH)2 ,(H2 O)])、蒙脫石(Na,Ca)0.33 (Al,Mg)2 Si4 O10 (OH)2 .nH2 O)、蛭石((MgFe,Al)3 (Al,Si)4 O10 (OH)2 .4H2 O)、坡縷石((Mg,Al)2 Si4 O10 (OH).4(H2 O))、葉蠟石(Al2 Si4 O10 (OH)2 )等及其組合。就代替黏土礦物而言或除黏土礦物以外,亦可使用其他礦物填充劑。例如,亦可使用其他適宜的矽酸鹽填充劑,例如矽酸鈣、矽酸鋁、雲母、矽藻土、矽灰石等。例如,雲母可係特別適合。存在若干在地質產狀上具有相當大差異之化學相異性雲母種類,但其全部具有基本上相同的晶體結構。如文中所使用,術語「雲母」意欲總稱地包括此等種類中之任一者,例如白雲母(KAl2 (AlSi3 )O10 (OH)2 )、黑雲母(K(Mg,Fe)3 (AlSi3 )O10 (OH)2 )、金雲母(KMg3 (AlSi3 )O10 (OH)2 )、鋰雲母(K(Li,Al)2-3 (AlSi3 ) O10 (OH)2 )、海綠石(K,Na)(Al,Mg,Fe)2 (Si,Al)4 O10 (OH)2 )等及其組合。
亦可在該熱塑性組合物中使用可耐受該液晶聚合物之加工條件而無實質性分解之潤滑劑。該等潤滑劑之實例包括脂肪酸酯、其鹽、酯、脂肪酸醯胺、有機磷酸酯及在工程塑料加工中常用作潤滑劑之類型的烴蠟(包括其混合物)。適宜的脂肪酸通常具有約12至約60個碳原子之主碳鏈,例如肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、花生酸、褐煤酸、十八烷酸、十八碳四烯酸等。適宜的酯包括脂肪酸酯、脂肪醇酯、蠟酯、甘油酯、二醇酯及複合酯。脂肪酸醯胺包括脂肪一級醯胺、脂肪二級醯胺、亞甲基及伸乙基雙醯胺及烷醇醯胺,如(例如)棕櫚酸醯胺、硬脂酸醯胺、油酸醯胺、N,N'-伸乙基雙硬脂醯胺等。亦適宜的係脂肪酸之金屬鹽,例如硬脂酸鈣、硬脂酸鋅、硬脂酸鎂等;烴蠟,包括石蠟、聚烯烴及氧化聚烯烴蠟及微晶蠟。特別適宜的潤滑劑係硬脂酸之酯、鹽或醯胺,例如異戊四醇四硬脂酸酯、硬脂酸鈣或N,N'-伸乙基雙硬脂醯胺。當使用該(等)潤滑劑時,其通常係佔該熱塑性組合物之約0.05重量%至約1.5重量%,及在某些實施例中自約0.1重量%至約0.5重量%(以重量計)。
IV.加工技術
如此項技術中已知,使該等流動改質劑與該液晶聚合物組合之方式可變化。例如,因為該芳族醯胺寡聚物不與該聚合物之主鏈發生任何顯著程度的反應,因此其通常可在 加工之任何階段期間(包括在液晶聚合物形成期間及/或之後)施加。在一實施中,例如,可在液晶聚合物之聚合作用之一或多個階段(例如乙醯化、熔融聚合、固態聚合等)期間提供該芳族醯胺寡聚物。例如,可將該芳族醯胺寡聚物添加至熔融聚合裝置中。雖然可在任何時候引入該寡聚物,但通常希望在已引發熔融聚合之前施加該寡聚物且通常連同用於該液晶聚合物之前驅物單體施加。當然,在其他實施例中,可將該芳族醯胺寡聚物與該液晶聚合物簡單地熔融摻合。
與該芳族醯胺寡聚物相反,該官能化合物可與該液晶聚合物之主鏈經歷大規模反應,並通常導致斷鏈。因此,通常希望僅在形成該液晶聚合物後使該官能化合物與其摻合。熔融摻合可發生在(例如)約200℃至約450℃(在某些實施例中自約220℃至約400℃,及在某些實施例中自約250℃至約350℃)的溫度範圍內以形成該熱塑性組合物。本發明可使用各種熔融摻合技術中之任一者。例如,可將該等組分(例如,液晶聚合物、流動改質劑等)單獨或組合地提供至擠出機中,該擠出機包括至少一個以可旋轉方式安裝並容納在套筒(例如圓柱筒)內之螺桿並可沿該螺桿長度界定進料區段及位於該進料區段下游之熔融區段。
該擠出機可係單螺桿或雙螺桿擠出機。例如,參照圖3,顯示單螺桿擠出機80之一實施例,其包含外殼或套筒114及一端由適宜的驅動裝置124(通常包括電動機及齒輪箱)旋轉驅動之螺桿120。若需要,亦可使用包含兩個獨立 螺桿之雙螺桿擠出機。該螺桿之組態對本發明而言並非特別重要,且如此項技術中已知,其可包含任何數量及/或方向的螺紋及通道。例如,如圖3中所示,該螺桿120包含形成繞該螺桿120之核心徑向延伸之大體上螺旋狀通道之螺紋。料斗40係定位成與該驅動裝置124相鄰,以經由套筒114中之開口將基質液晶聚合物組合物(視需要包括芳族醯胺寡聚物)提供至進料區段132。該驅動裝置124之對面係該擠出機80之輸出端144,其中輸出擠出塑膠以用於進一步加工。
沿螺桿120之長度界定進料區段132及熔融區段134。該進料區段132係套筒114之輸入部分,在此添加基質液晶聚合物。該熔融區段134係其中該液晶聚合物自固體變成液體之相變區。雖然當製造該擠出機時未精確界定此等區域之輪廓,但一般技術者可相當可靠地識別進料區段132及其中發生自固體至液體之相變之熔融區段134。雖然不一定需要,但該擠出機80亦可具有混合區段136,其係定位成相鄰於套筒114之輸出端且位於熔融區段134之下游。若需要,可在該擠出機之混合及/或熔融區段內使用一或多個分佈式或分散式混合元件。適用於單螺桿擠出機之分佈式混合器可包括(例如)Saxon、Dulmage、空腔轉移(Cavity Transfer)混合器等。同樣地,適宜的分散式混合器可包括Blister環、Leroy/Maddock、CRD混合器等。如此項技術中所熟知,可藉由在該套筒中使用產生該聚合物熔融物之疊合及再定向之銷釘(例如彼等用於Buss捏合擠出機、空腔 轉移混合器及Vortex Intermeshing Pin混合器者)進一步改善該混合。
可在該擠出機之任何區域(例如料斗40、進料區段132、熔融區段134及/或混合區段136)添加該(等)助流劑(例如,非官能及/或官能化合物)。例如,在一實施例中,可在該液晶聚合物之下游(例如,熔融區段134及/或混合區段136)添加該(等)助流劑。
當使用纖維時,亦可將其添加至料斗40中或其下游位置。在一特定實施例中,可在提供液晶聚合物之處之下游位置(但位於該熔融區段之前)添加纖維。同樣地,亦可希望在添加該等纖維之下游添加流動改質劑。例如,在圖3中,顯示位於擠出機80之進料區段132之區域內的料斗42。提供至該料斗42之纖維最初可係相當長,例如具有約1,000至約5,000微米,在某些實施例中自約2,000至約4,500微米,及在某些實施例中自約3,000至約4,000微米之體積平均長度。然而,藉由在其中該液晶聚合物仍呈固態之位置提供此等長纖維,該聚合物可作為研磨劑以使該等纖維之尺寸減小至上文所指定之體積平均長度及長度分佈。
若需要,可選擇該螺桿之長度(「L」)對直徑(「D」)之比例以實現產量與纖維長度減小量之最佳平衡。該L/D值可係(例如)約15至約50,在某些實施例中自約20至約45,及在某些實施例中自約25至約40。該螺桿長度可係(例如)約0.1至約5米,在某些實施例中自約0.4至約4米,及在某些實施例中自約0.5至約2米。同樣地,該螺桿直徑可係約 5至約150毫米,在某些實施例中自約10至約120毫米,及在某些實施例中自約20至約80毫米。亦可將該螺桿在提供該等纖維之位置之後的L/D比控制在特定範圍內。例如,該螺桿具有定義成自將該等纖維提供給該擠出機的位置至該螺桿末端之摻合長度(「LB 」),該摻合長度係小於該螺桿之總長度。如上所述,可希望在液晶聚合物熔融之前添加該等纖維,此意味著該LB /D比將相當高。然而,過高的LB /D比可導致聚合物劣化。因此,該螺桿在提供該等纖維之位置之後的LB /D比通常係約4至約20,在某些實施例中自約5至約15,及在某些實施例中自約6至約10。
除該長度及直徑以外,亦可選擇該擠出機之其他態樣以助於獲得所需纖維長度。例如,可選擇該螺桿之速度以獲得所需停留時間、剪切速率、熔融加工溫度等。通常,摩擦能增加係源自於旋轉螺桿對該擠出機內之材料所施加的剪切並導致纖維(若使用)斷裂。斷裂程度可至少部分取決於該螺桿速度。例如,該螺桿速度可係約50至約200轉/分鐘(「rpm」),在某些實施例中自約70至約150 rpm,及在某些實施例中自約80至約120 rpm。熔融摻合期間之表觀剪切速率亦可係約100 s-1 至約10,000 s-1 ,在某些實施例中自約500 s-1 至約5000 s-1 ,及在某些實施例中自約800 s-1 至約1200 s-1 。該表觀剪切速率係等於4Q/πR3 ,其中Q係該聚合物熔融物之體積流速(「m3 /s」)且R係該熔融聚合物流動通過之毛細管(例如擠出機模)之半徑(「m」)。
在上述實施例中,於該擠出機內減小該等纖維之長度。 然而,應瞭解此並非本發明之必要條件。例如,可將該等纖維以所需長度提供至該擠出機。在該等實施例中,可(例如)在該擠出機之混合及/或熔融區段或甚至在進料區段連同液晶聚合物提供該等纖維。在其他實施例中,可不使用任何纖維。
一旦形成該熱塑性組合物,則可使用此項技術中已知的技術將其模製成各種不同形狀部件中之任一者。例如,可使用其中將乾燥預熱塑膠顆粒注入模具中之單組分注射模製法來模製該等成型部件。無論使用何種模製技術,已發現具有高流動性及良好機械性質之獨特組合之本發明熱塑性組合物係特別適用於具有小尺寸容差之部件。該等部件通常包含(例如)至少一個微級尺寸(例如,厚度、寬度、高度等),例如約500微米或更小,在某些實施例中自約100至約450微米,及在某些實施例中自約200至約400微米。
一種該部件係細間距電連接器。更特定言之,通常使用該等電連接器將中央處理單元(「CPU」)可拆卸式安裝至印刷電路板上。該連接器可包含經組態以容納接觸針腳之插入通道。此等通道係由可自熱塑性樹脂形成之相對壁體界定。為有助於獲得所需電性能,此等針腳之間距通常係較小以在既定空間內容納所需之大量接觸針腳。此進一步要求該等針腳插入通道之間距及分隔該等通道之相對壁體之寬度亦較小。例如,該等壁體可具有約500微米或更小,在某些實施例中自約100至約450微米,及在某些實施例中自約200至約400微米之寬度。在過去,經常難以用熱 塑性樹脂充分填充具有該細寬度之模具。然而,本發明熱塑性組合物因其獨特性質而特別適於形成細間距連接器之該等壁體。
一特別適宜的細間距電連接器係示於圖1中。電連接器200顯示可安裝至電路板P之表面上之板側部分C2。該連接器200亦可包括佈線材料側部分C1,其係經結構化以藉由耦合至板側部分C2將離散導線3連接至電路板P。該板側部分C2可包括第一外殼10,其具有適配佈線材料側部分C1之配接凹槽10a及在該外殼10之橫向方向細長之組態。該佈線材料側部分C1亦可包括第二外殼20,該外殼20係橫向細長。在該第二外殼20中,可提供橫向平行的複數個終端接收腔22,以建立包括上層及下層終端接收腔22之雙層陣列。安裝於離散導線3之遠端之終端5可容納在各終端接收腔22內。若需要,亦可在外殼20上提供對應於板側部分C2上之連接構件(未顯示)之鎖合部分28(嚙合部分)。
如上所述,該第一外殼10及/或第二外殼20之內壁可具有相當小寬度尺寸且可自本發明熱塑性組合物形成。例如,該等壁體係更詳細地顯示於圖2中。如圖所示,可容納接觸針腳之插入通道或間隔225係界定於相對壁體224之間。該等壁體224具有上述範圍內之寬度「w」。當該等壁體224係自含有纖維(例如單元400)之熱塑性組合物形成時,該等纖維可具有特定範圍內之體積平均長度及窄長度分佈,以最佳地匹配該等壁體之寬度。例如,該等壁體中至少一者之寬度對該等纖維之體積平均長度之比例係約 0.8至約3.2,在某些實施例中自約1.0至約3.0,及在某些實施例中自約1.2至約2.9。
除該等壁體以外或就代替該等壁體而言,亦應瞭解該外殼之任何其他部分亦可自本發明熱塑性組合物形成。例如,該連接器亦可包括封閉該外殼之護罩。該護罩之部分或全部可自本發明熱塑性組合物形成。例如,該外殼及該護罩各可係自該熱塑性組合物單一模製之單片結構。另外,該護罩可係包括第一外殼及第二外殼之雙片結構,該等外殼各可自本發明熱塑性組合物形成。
當然,該熱塑性組合物亦可用於各類具有小尺寸容差之其他組件。例如,可將該熱塑性組合物模製成用於電子組件之平面基板。該基板可係薄型,例如具有約500微米或更小,在某些實施例中自約100至約450微米,及在某些實施例中自約200至約400微米之厚度。可使用該基板之電子組件之實例包括(例如)行動電話、膝上型電腦、小型可攜式電腦(例如超可攜式電腦、筆記型電腦及平板型電腦)、腕錶式裝置、垂掛式裝置、頭戴式耳機及耳塞式裝置、具有無線通訊能力之媒體播放器、手持式電腦(有時亦稱為個人數位助理器)、遠端控制器、全球定位系統(GPS)裝置、手持式遊戲裝置、電池蓋、揚聲器、積體電路(例如SIM卡)等。
在一實施例中,例如,可使用各種已知技術(例如雷射直接結構化、電鍍等)對該平面基板施加一或多個傳導元件。該等傳導元件可用於各種不同目的。在一實施例中, 例如,該等傳導元件形成積體電路(例如彼等用於SIM卡者)。在另一實施例中,該等傳導元件形成各種不同類型的天線,例如自平板天線結構、倒F型天線結構、封閉及開放型槽孔天線結構、環形天線結構,單極、偶極、平面倒F型天線結構,此等設計之混合體等形成之具有諧振元件之天線。可將所得之天線結構併入諸如上述之相對緊湊型可攜式電子組件(其可用內部空間係相當小)之外殼中。
包括天線結構之一特別適宜的電子組件係示於圖4-5中,其係具有行動電話功能之手持式裝置410。如圖4中所示,該裝置410可具有外殼412,其係自塑膠、金屬、其他適宜介電材料、其他適宜導電材料或該等材料之組合形成。可在該裝置410之前表面上提供顯示器414(例如觸控螢幕顯示器)。該裝置410亦可具有揚聲器埠口440及其他輸入-輸出埠口。一或多個按鈕438及其他使用者輸入裝置可用於收集使用者輸入。如圖5中所示,亦可在裝置410之後表面442上提供天線結構426,然而應瞭解可將該天線結構定位於該裝置之任何所需位置。如上所述,該天線結構426可包含自本發明熱塑性組合物形成之平面基板。可使用各種已知技術中之任一者使該天線結構電性連接至該電子裝置內之其他組件。例如,該外殼412或外殼412之部分可作為該天線結構426之傳導接地平面。
自本發明熱塑性組合物形成之平面基板亦可用於其他應用。例如,在一實施例中,該平面基板可用於形成無線通訊裝置(例如行動電話)中常用之緊湊型相機模組 (「CCM」)之基座。例如,參照圖6-7,更詳細地顯示緊湊型相機模組500之一特定實施例。如圖所示,該緊湊型相機模組500包含覆蓋於基座506上之透鏡總成504。該基座506進一步覆蓋可選主板508。由於基板506及/或主板508之相當薄特性,因此其等係特別適合自上述本發明熱塑性組合物形成。該透鏡總成504可具有此項技術中已知之各種組態中之任一者,且可包括定焦型透鏡及/或自動聚焦型透鏡。例如,在一實施例中,該透鏡總成504係呈內置有透鏡604之中空鏡筒形式,該等透鏡604係與位於主板508上並由電路601控制之影像感應器602連通。該鏡筒可具有各類形狀(例如矩形、圓柱形等)中之任一者。在某些實施例中,該鏡筒亦可自本發明熱塑性組合物形成且具有上述指定範圍內之壁體厚度。應瞭解該相機模組之其他部件亦可自本發明熱塑性組合物形成。例如,如圖所示,聚合物膜510(聚酯膜)及/或絕熱蓋502可覆蓋透鏡總成504。在某些實施例中,該薄膜510及/或罩502亦可自本發明熱塑性組合物形成。
參照以下實例可更好地理解本發明。
測試方法
熔融黏度:使用Dynisco LCR7001毛細管流變儀,根據ISO測試編號11443於350℃及1000 s-1 之剪切速率下測定熔融黏度(Pa-s)。該流變儀孔(模)具有1 mm直徑、20 mm長度、20.1之L/D比及180°之入口角。料桶直徑係9.55 mm±0.005 mm且棒長度係233.4 mm。
熔融溫度:如此項技術中已知,藉由差示掃描量熱法(「DSC」)測定該熔融溫度(「Tm」)。該熔融溫度係藉由ISO測試編號11357測定之差示掃描量熱法(DSC)峰值熔融溫度。在該DSC過程中,如ISO標準10350(其使用於TA Q2000儀器上進行之DSC測量)中所述,以20℃/分鐘加熱並冷卻樣品。
負荷變形溫度(「DTUL」):根據ISO測試編號75-2(技術上相當於ASTM D648-07)測定負荷變形溫度。更特定言之,使80 mm長、10 mm厚及4 mm寬之試驗條帶樣品經歷其中指定負荷(最大外部纖維應力)係1.8兆帕之沿邊三點彎曲測試。將該樣品浸入溫度以2℃/分鐘上升之聚矽氧油浴中直至其偏轉0.25 mm(針對ISO測試編號75-2為0.32 mm)。
拉伸模量、拉伸應力及抗張伸長率:根據ISO測試編號527(技術上相當於ASTM D638)測試拉伸性質。對80 mm長、10 mm厚及4 mm寬之相同試驗條帶樣品進行模量及強度測量。測試溫度係23℃,且測試速度係1或5 mm/min。
撓曲模量、撓曲應力及撓曲應變:根據ISO測試編號178(技術上相當於ASTM D790)測試撓曲性質。在64 mm支撐跨距上進行此測試。對未切割ISO 3167多功能棒之中心部分進行測試。測試溫度係23℃且測試速度係2 mm/min。
缺口沙比衝擊強度:根據ISO測試編號ISO 179-1(技術上相當於ASTM D256,方法B)測試缺口沙比性質。使用A型缺口(0.25 mm基底半徑)及1型樣品尺寸(80 mm長、10 mm 寬及4 mm厚)進行此測試。使用單齒銑床自多功能棒之中心切割樣品。測試溫度係23℃。
纖維長度:藉由最初將若干顆粒樣品(例如7或8)放置於馬弗爐中於420℃下過夜來測定體積平均纖維長度。將所得灰燼浸入含有甘油界面活性劑之水溶液中以分散玻璃纖維。然後將該水溶液置於玻璃載片上並經由影像分析系統收集影像。藉由ImageProTM 軟體自該等影像選擇性選取玻璃纖維,且該軟體根據校準長度自動測量選定玻璃纖維之長度。繼續測量直至計數達至少500個玻璃纖維。
焊縫強度:如此項技術中所熟知,藉由首先自熱塑性組合物樣品形成注射成型線柵陣列(「LGA」)連接器(尺寸為49 mm x 39 mm x 1 mm)來測定焊縫強度。一旦形成該LGA連接器,即將其放置於樣品架上。然後藉由以5.08毫米/分鐘之速度移動的棒對該連接器之中心施加張力。記錄峰值應力作為該焊縫強度之評估值。
N1,N4-二苯基對苯二甲醯胺(化合物A)之合成
可根據以下流程圖自對苯二甲醯氯及苯胺進行化合物A之合成:
該實驗裝置可由配備有與頂部機械攪拌器耦合之玻璃棒攪拌器之2 L玻璃燒杯組成。可將二甲基乙醯胺(「DMAc」)(3 L)添加至該燒杯中且可將該燒杯浸入冰浴中以使該系統冷卻至10-15℃。然後可將苯胺(481.6 g)伴隨 不斷攪拌添加至該溶劑中,並使所得混合物冷卻至10-15℃。可將對苯二甲醯氯(300 g)逐漸添加至該冷卻的攪拌混合物中,以使該反應溫度維持低於30℃。可歷時1至2小時添加該醯基氯,然後可於10-15℃下再攪拌該混合物3小時且隨後於室溫下攪拌過夜。該反應混合物可係乳白色(含於溶劑中之產物之微細懸浮液)並使用濾紙及布氏(Buchner)漏斗進行真空過濾。可使用丙酮(2 L)沖洗該粗產物且隨後用熱水(2 L)沖洗。隨後可於室溫下空氣乾燥該產物過夜並於真空烘箱中於150℃下乾燥4至6小時。該產物(464.2 g)可係高度結晶的白色固體。熔點可係346-348℃(由差示掃描量熱法(「DSC」)測定)。
N1,N4-二苯基間苯二甲醯胺(化合物B)之合成
可根據以下流程圖自間苯二甲醯氯及苯胺進行化合物B之合成:
該實驗裝置可由配備有與頂部機械攪拌器耦合之玻璃棒攪拌器之2 L玻璃燒杯組成。可將DMAc(1.5 L)添加至該燒杯中並浸入冰浴中以使該溶劑冷卻至10-15℃。然後可將苯胺(561.9 g)伴隨不斷攪拌添加至該溶劑中,並使所得混合物冷卻至10-15℃。可將間苯二甲醯氯(350 g,溶解於200 g DMAc中)逐漸添加至該冷卻的攪拌混合物中,以使該反應溫度維持低於30℃。歷時1小時添加該醯基氯,然後於 10-15℃下再攪拌該混合物3小時且隨後於室溫下攪拌過夜。該反應混合物之外觀係乳白色。藉由添加1.5 L蒸餾水進行沉澱且接著使用濾紙及布氏漏斗進行真空過濾以回收該產物。隨後,使用丙酮(2 L)沖洗該粗產物且然後再用熱水(2 L)沖洗。然後可於室溫下空氣乾燥該產物過夜且隨後於真空烘箱中於150℃下乾燥4至6小時。該產物(522 g)係白色固體。熔點係290℃(由DSC測定)。
N1,N3,N5-三苯基苯-1,3,5-三甲醯胺(化合物J)之合成
可根據以下流程圖自均苯三甲醯氯及苯胺合成化合物J:
該實驗裝置可由配備有與頂部機械攪拌器耦合之玻璃棒攪拌器之2 L玻璃燒杯組成。可將均苯三甲醯氯(200 g)溶解於二甲基乙醯胺(「DMAc」)(1 L)中並藉由冰浴冷卻至10-20℃。可歷時1.5至2小時將苯胺(421 g)滴加至該醯基氯之攪拌溶液中。在該胺之添加完成後,可再攪拌該反應混合物45分鐘,然後使溫度增加至90℃達約1小時。可使該混合物於室溫下靜置過夜。可藉由添加1.5 L蒸餾水進行沉澱且接著使用濾紙及布氏漏斗進行真空過濾來回收該產物。可使用丙酮(2 L)沖洗該粗產物且隨後再用熱水(2 L)沖 洗。可於室溫下空氣乾燥該產物過夜且隨後於真空烘箱中於150℃下乾燥4至6小時。該產物(250 g)可係白色固體且具有319.6℃之熔點(由差示掃描量熱法「DSC」測定)。
1,3-苯二甲醯胺,N1,N3-二環己基(化合物K1)之合成
可根據以下流程圖自間苯二甲醯氯及環己胺合成化合物K1:
該實驗裝置係由配備有與頂部機械攪拌器耦合之玻璃棒攪拌器之1 L玻璃燒杯組成。於室溫下,將環己胺(306 g)混合於二甲基乙醯胺(1 L)(或者亦可使用N-甲基吡咯啶酮)及三乙胺(250 g)中。接著,歷時1.5至2小時將間苯二甲醯氯(250 g)伴隨不斷攪拌緩慢添加至該胺溶液中。維持該醯基氯之添加速率以使該反應溫度保持低於60℃。在完成添加該苯甲醯氯後,使該反應混合物逐漸升溫至85-90℃且隨後使其冷卻至約45-50℃。使該混合物於室溫下靜置過夜(持續至少3小時)。藉由添加1.5 L蒸餾水進行沉澱且接著使用濾紙及布氏漏斗進行真空過濾以回收該產物。隨後使用丙酮(250 mL)沖洗該粗產物並再用熱水(500 mL)沖洗。然後於室溫下空氣乾燥該產物(產率:約90%)過夜且隨後於真空烘箱中於150℃下乾燥4至6小時。該產物係白色固體。質子NMR特徵係如下:1 H NMR(400 MHz d6 -DMSO):8.3(s,2H,CONH),8.22(s,IH,Ar),7.9(d,2H,Ar),7.5(s,1H,Ar),3.7(寬s,2H,環己基),1.95-1.74(寬 s,4H,環己基)及1.34-1.14(m,6H,環己基)。
實例1
根據以下方法形成液晶聚合物。首先,將4-羥基苯甲酸(65.9 lb)、6-羥基-2-萘甲酸(7.2 lb)、對苯二甲酸(2.8 lb)、4,4'-聯苯酚(18.8 lb)、4-羥基乙醯苯胺(5.8 lb)及3.4 g醋酸鉀添加至300公升哈氏合金C(Hastalloy C)反應器中。亦添加一定量化合物A,以使其佔所得聚合物之2.0重量%或2.8重量%。
該反應器係配備有槳狀機械攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。在緩慢氮氣吹掃下,添加醋酸酐(99.7%分析值,76.1 lb)。以120 rpm攪拌該乳白色漿液並歷時130分鐘將其加熱至190℃。在此期間,自該反應器蒸餾獲得約42磅醋酸。隨後將該混合物轉移至190公升不鏽鋼聚合反應器中並以1℃/分鐘加熱至245℃。此時,建立副產物醋酸之穩定回流,其使加熱速率降低至約0.5℃/分鐘。當該反應混合物達到305℃時,停止回流並以約1℃/分鐘之速率加熱該批料。在加熱期間,該混合物變成黃色且稍更黏稠,且蒸氣溫度逐漸隨副產物醋酸之蒸餾結束而下降至低於100℃。繼續加熱直至該批料到達350℃之目標溫度。停止氮氣吹掃並施加真空45分鐘以使壓力緩慢降低至低於5 mm。隨著在真空下之時間的進行,最後的微量醋酸被移除且該批料變得更黏稠。在完全真空(<5 mm)下持續30分鐘後,使氮氣進入該系統且自該反應器以3 psig壓力經由3孔模板擠出該熔融聚合物。藉由流動通過水浴使該聚合物 股冷卻及固化且隨後切成顆粒。
所得聚合物具有325.6℃之Tm及在1000 s-1 剪切速率下的5.0 Pa-s熔融黏度(藉由毛細管流變技術於350℃溫度下測得)。
實例2
藉由使液晶聚合物、三水合鋁(「ATH」)、4,4'-聯苯酚(「BP」)、2,6-萘二甲酸(「NDA」)、玻璃纖維及滑石之各種組合混合來形成樣品。在樣品2及4-6中,使用實例1之聚合物。在樣品7中,所用的聚合物係以類似於實例1之方式形成,只是在形成期間不添加化合物A,而是使其與下述其他組分混合。亦形成兩個比較樣品。更特定言之,樣品1包含實例1之聚合物,但未添加ATH/BP/NDA。同樣地,樣品3包含ATH/BP/NDA,但未添加化合物A。
不考慮其特定成分,通常如下所述來形成該等樣品組合物。於150℃下乾燥液晶聚合物顆粒過夜。然後,摻合該聚合物及GlycolubeTM P並將其提供至ZSK-25 WLE同步旋轉完全嚙合式雙螺桿擠出機(其中螺桿長度係750毫米,螺桿直徑係25毫米,且L/D比係30)之進料口。該擠出機具有溫度區1-9,其可分別設定為以下溫度:330℃、330℃、310℃、310℃、310℃、310℃、320℃、320℃及320℃。螺桿設計係經選擇以使熔融開始於區4。藉由定體積進料器將該聚合物提供至該進料口。將玻璃纖維及滑石分別進料至區4及區6中。一旦該等樣品經熔融摻合,則使其等擠出通過股模,冷卻通過水浴並經粒化。
該等樣品之特徵係描述於下表1中。
自樣品1-7注射模製部件並測試其熱性質及機械性質。結果係描述於下表2中。
在不違背本發明之精神及範圍之情況下,一般技術者可進行本發明之此等及其他修飾及改變。另外,應瞭解各種實施例之態樣可全部或部分互換。此外,一般技術者將明白以上描述係僅作為實例且無意限制另外描述於該等附加申請專利範圍中之本發明。
3‧‧‧離散導線
5‧‧‧終端
10‧‧‧第一外殼
10a‧‧‧配接凹槽
20‧‧‧第二外殼
22‧‧‧終端接收腔
28‧‧‧鎖合部分
40‧‧‧料斗
42‧‧‧料斗
80‧‧‧擠出機
114‧‧‧外殼
120‧‧‧螺桿
124‧‧‧驅動裝置
132‧‧‧進料區段
134‧‧‧熔融區段
136‧‧‧混合區段
144‧‧‧輸出端
200‧‧‧電連接器
224‧‧‧相對壁體
225‧‧‧插入通道
400‧‧‧元件
410‧‧‧手持式裝置
412‧‧‧外殼
414‧‧‧顯示器
426‧‧‧天線結構
438‧‧‧按鈕
440‧‧‧揚聲器埠口
442‧‧‧後表面
502‧‧‧絕熱蓋
504‧‧‧透鏡總成
506‧‧‧基座
508‧‧‧可選主板
510‧‧‧聚合物膜
601‧‧‧電路
602‧‧‧影像感應器
604‧‧‧透鏡
C1‧‧‧佈線材料側部分
C2‧‧‧板側部分
P‧‧‧電路板
圖1係可根據本發明形成之細間距電連接器之一實施例之分解透視圖;圖2係圖1之細間距電連接器之相對壁體之正視圖;圖3係可用於形成本發明熱塑性組合物之擠出機螺桿之一實施例之示意說明圖;圖4-5分別係可使用根據本發明一實施例形成之天線結構之電子組件之正透視圖及後透視圖;且圖6-7係可根據本發明一實施例形成之緊湊型相機模組(「CCM」)之透視圖及正視圖。
3‧‧‧離散導線
5‧‧‧終端
10‧‧‧第一外殼
10a‧‧‧配接凹槽
20‧‧‧第二外殼
22‧‧‧終端接收腔
28‧‧‧鎖合部分
200‧‧‧電連接器
C1‧‧‧佈線材料側部分
C2‧‧‧板側部分
P‧‧‧電路板

Claims (45)

  1. 一種熱塑性組合物,其包含熱致性液晶聚合物、芳族醯胺寡聚物、及包括羥基、羧基或其組合之官能化合物,其中如根據ASTM測試編號1238-70於1000s-1 之剪切速率及350℃之溫度下所測定,該熱塑性組合物具有約0.1至約80Pa-s之熔融黏度,其中該芳族醯胺寡聚物具有3,000g/莫耳或更小之分子量,其中當該官能化合物為羥基官能化合物,該羥基官能化合物具有2,000g/莫耳或更小之分子量,及其中當該官能化合物為羧基官能化合物,該羧基官能化合物具有2,000g/莫耳或更小之分子量。
  2. 如請求項1之熱塑性組合物,其中該官能化合物包括具有如下所提供之式(I)通式結構之羥基官能化合物或其金屬鹽: 其中,環C係6員芳香環,其中1至3個環碳原子係視需要經氮或氧置換,其中各氮係視需要經氧化,且其中環C可視需要稠合或鍵聯至5-或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基;R12 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、 胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;a係0至4;且e係1至3。
  3. 如請求項2之熱塑性組合物,其中式(I)中之C係苯基且e係1,因此該羥基官能化合物係酚。
  4. 如請求項2之熱塑性組合物,其中上式(I)中之C係苯基,a係1,且R12 係苯基,因此該羥基官能化合物係具有下式(III)之聯苯化合物或其金屬鹽: 其中,R15 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;且f係0至4。
  5. 如請求項4之熱塑性組合物,其中該聯苯化合物係4,4'-聯苯酚。
  6. 如請求項2之熱塑性組合物,其中上式(I)中之C係萘基,因此該羥基官能化合物係萘酚化合物。
  7. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該官能化 合物包括金屬氫氧化物化合物。
  8. 如請求項7之熱塑性組合物,其中該金屬氫氧化物化合物係氫氧化銅(II)(Cu(OH)2 )、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鎂(Mg(OH)2 )、氫氧化鈣(Ca(OH)2 )、氫氧化鋁(Al(OH)3 )或其組合。
  9. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中羥基官能化合物係佔該熱塑性組合物之約0.05重量%至約4重量%。
  10. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該熱塑性組合物包括聯苯羥基官能化合物及金屬氫氧化物。
  11. 如請求項10之熱塑性組合物,其中金屬氫氧化物對聯苯羥基官能化合物之重量比係約0.5至約8。
  12. 如請求項10之熱塑性組合物,其中聯苯羥基官能化合物係佔該熱塑性組合物之約0.01重量%至約1重量%,且金屬氫氧化物係佔該熱塑性組合物之約0.02重量%至約2重量%。
  13. 如請求項1之熱塑性組合物,其中該官能化合物包括具有如下所提供之式(V)通式結構之羧基官能化合物或其金屬鹽: 其中,環D係6員芳香環,其中1至3個環碳原子係視需要經氮 或氧置換,其中各氮係視需要經氧化,且其中環D可視需要稠合或鍵聯至5-或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基;R13 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;b係1至3;且c係0至4。
  14. 如請求項13之熱塑性組合物,其中式(V)中之D係苯基且b係1,因此該羧基官能化合物係酚酸化合物。
  15. 如請求項13之熱塑性組合物,其中上式(V)中之D係苯基,c係1,且R13 係苯基,因此該羧基官能化合物係具有下式(VII)之雙酚酸化合物或其金屬鹽: 其中,R14 係醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基、烯基、烷基、胺基、芳基、芳氧基、羧基、羧基酯、環烷基、環烷基氧基、羥基、鹵基、鹵代烷基、雜芳基、雜芳氧基、雜環基或雜環基氧基;且d係0至4。
  16. 如請求項13之熱塑性組合物,其中上式(V)中之D係萘 基,因此該羧基官能化合物係萘酸化合物。
  17. 如請求項16之熱塑性組合物,其中該萘酸化合物係2,6-萘二甲酸。
  18. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中羧基官能化合物係佔該熱塑性組合物之約0.001重量%至約0.5重量%。
  19. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該熱塑性組合物包含至少一種羥基官能化合物及至少一種羧基官能化合物,且其中羥基官能化合物對羧基官能化合物之重量比係約5至約20。
  20. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該芳族醯胺寡聚物之用量係相對於100重量份該液晶聚合物為約0.1至約5重量份。
  21. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該芳族醯胺寡聚物具有約100至約1,500g/莫耳之分子量。
  22. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該寡聚物具有2至8個醯胺鍵/分子。
  23. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該寡聚物具有以下通式(IX): 其中, 環B係6員芳香環,其中1至3個環碳原子係視需要經氮或氧置換,其中各氮係視需要經氧化,且其中環B可視需要稠合或鍵聯至5-或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基;R5 係鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基;m係0至4;X1 及X2 獨立地係C(O)HN或NHC(O);且R1 及R2 係獨立地選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
  24. 如請求項23之熱塑性組合物,其中環B係苯基。
  25. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該寡聚物係選自由以下化合物組成之群:
  26. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該芳族醯胺寡聚物係N1,N4-二苯基對苯二甲醯胺。
  27. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該聚合物包含衍生自4-羥基苯甲酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、氫醌、4,4'-聯苯酚、乙醯胺苯酚、6-羥基-2-萘甲酸或其組合之單體單元。
  28. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中如根據ASTM測試編號1238-70於1000s-1 之剪切速率及350℃之溫度下所測定,該組合物具有約1至約25Pa-s之熔融黏度。
  29. 如請求項1至6中任一項之熱塑性組合物,其中該組合物另外包含體積平均長度為約50至約400微米之纖維。
  30. 一種模製部件,其包含如請求項1至29中任一項之熱塑性組合物。
  31. 如請求項30之模製部件,其中該部件至少一個維度為約500微米或更小。
  32. 一種電連接器,其包含相對壁體,在該等壁體之間界定用於容納接觸針腳之通道,其中該等壁體中之至少一者包含如請求項30之模製部件。
  33. 如請求項30之模製部件,其中將一或多個傳導元件施加至該部件上。
  34. 如請求項33之模製部件,其中該等傳導元件係諧振天線元件;倒F型天線結構;封閉及開放型槽孔天線結構;環形天線結構;單極、偶極、平面倒F型天線結構或其組合。
  35. 一種包含天線結構之手持式裝置,其中該天線結構包含如請求項30之模製部件。
  36. 一種積體電路,其包含如請求項30之模製部件。
  37. 一種電子組件,其包含如請求項30之模製部件。
  38. 如請求項37之電子組件,其中該電子組件係行動電話、膝上型電腦、小型可攜式電腦、腕錶式裝置、垂掛式裝置、頭戴式耳機或耳塞式裝置、具有無線通訊能力之媒體播放器、手持式電腦、遠端控制器、全球定位系統、手持式遊戲裝置、電池蓋、揚聲器、積體電路、電連接器、相機模組或其組合。
  39. 如請求項38之電子組件,其中該電子組件係電連接器。
  40. 如請求項38之電子組件,其中該電子組件係相機模組。
  41. 如請求項38之電子組件,其中該電子組件係行動電話。
  42. 一種於擠出機內形成熱塑性組合物之方法,該擠出機包含至少一個位於套筒內之可旋轉螺桿,其中該螺桿具有一總長度及直徑且其中沿該螺桿之長度界定進料區段及位於該進料區段下游之熔融區段,該方法包括:將含有熱致性液晶聚合物及芳族醯胺寡聚物之基質聚合物組合物提供至該擠出機之進料區段;在該基質聚合物組合物之下游位置將纖維提供至該擠出機;在該基質聚合物組合物之下游位置將包括羥基官能化合物、羧基官能化合物或其組合之官能化合物提供至該擠出機;及於該擠出機內摻合該官能化合物、該等纖維及該基質聚合物組合物以形成該熱塑性組合物。
  43. 如請求項42之方法,其中在該等纖維之下游位置提供該官能化合物。
  44. 一種於擠出機內形成熱塑性組合物之方法,該擠出機包含至少一個位於套筒內之可旋轉螺桿,其中該螺桿具有一總長度及直徑且其中沿該螺桿之長度界定進料區段及位於該進料區段下游之熔融區段,該方法包括:將含有熱致性液晶聚合物之基質聚合物組合物提供至該擠出機之進料區段;在該基質聚合物組合物之下游位置將纖維提供至該擠出機;在該基質聚合物組合物之下游位置將芳族醯胺寡聚物 及包括羥基官能化合物、羧基官能化合物或其組合之官能化合物提供至該擠出機;及於該擠出機內摻合該芳族醯胺寡聚物、該官能化合物、該等纖維及該液晶聚合物以形成該熱塑性組合物。
  45. 如請求項44之方法,其中在該等纖維之下游位置提供該芳族醯胺寡聚物及該官能化合物。
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