[go: up one dir, main page]

TWI463032B - 含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積 - Google Patents

含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積 Download PDF

Info

Publication number
TWI463032B
TWI463032B TW098118837A TW98118837A TWI463032B TW I463032 B TWI463032 B TW I463032B TW 098118837 A TW098118837 A TW 098118837A TW 98118837 A TW98118837 A TW 98118837A TW I463032 B TWI463032 B TW I463032B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
lanthanide
group
ipr
precursor
substrate
Prior art date
Application number
TW098118837A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201002855A (en
Inventor
凡卡特斯瓦拉 帕雷姆
克里斯均 杜薩拉特
Original Assignee
液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 filed Critical 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司
Publication of TW201002855A publication Critical patent/TW201002855A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI463032B publication Critical patent/TWI463032B/zh

Links

Classifications

    • H10P14/69396—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C257/00—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines
    • C07C257/10—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines with replacement of the other oxygen atom of the carboxyl group by nitrogen atoms, e.g. amidines
    • C07C257/14—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines with replacement of the other oxygen atom of the carboxyl group by nitrogen atoms, e.g. amidines having carbon atoms of amidino groups bound to acyclic carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F17/00—Metallocenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45531—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making ternary or higher compositions
    • H10P14/24—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積
相關申請案之交互參照
本申請案主張2008年6月5日申請之美國臨時專利申請案第61/059,214號之權利，該案以全文引用的方式併入本文中以用於所有目的。
本文係關於沈積含稀土金屬層之方法及組成物。
工業面臨之一個嚴重挑戰為開發用於動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及電容器之新穎閘極介電材料。數十年來，二氧化矽(SiO2 )為可靠介電質，但作為電晶體已持續縮小且技術自「全Si」電晶體變為「金屬閘極/高k值」電晶體，SiO2 基閘極介電質之可靠性達到其物理極限。當用於目前技術之尺寸縮小時對新穎高介電常數材料及方法之需求逐漸增加且變得愈來愈關鍵。尤其基於含鑭系元素材料的新一代氧化物被視為在電容方面與習知介電材料相比產生明顯優勢。
然而，含鑭系元素層之沈積較難且愈加需要新穎材料及方法。舉例而言，原子層沈積(atomic layer deposition，ALD)已被視為用於微電子器件製造之重要薄膜生長技術，其依賴於藉由惰性氣體淨化來分離之交替塗覆前驅物的連續及飽和表面反應。ALD之表面受控性質使得薄膜之生長能夠在精確厚度控制下具有高度正形性及均一性。對開發 用於稀土材料之新穎ALD方法之需求為顯而易見的。
令人遺憾地是，將化合物成功併入沈積方法中已證實為困難的。典型地提出兩類分子：β-二酮類(beta-diketonates)及環戊二烯基類。前類化合物為穩定的，但熔點始終超過90℃，從而使其不實用。鑭系元素2,2-6,6-四甲基庚二酸鹽[La(tmhd)3 ]之熔點高達260℃，且相關鑭系元素2,2,7-三甲基辛二酸鹽[La(tmod)3 ]之熔點為197℃。另外，β-二酮之輸出效率極難控制。未經取代之環戊二烯基化合物亦展現低揮發性及高熔點。分子設計可有助於改良揮發性及降低熔點。然而，在製程條件下，此等種類之材料已證實用途有限。舉例而言，La(iPrCp)3 並不允許高於225℃之ALD方案。
目前可得到之一些含鑭系元素前驅物在用於沈積方法中時呈現許多缺點。舉例而言，氟化鑭系元素前驅物可產生副產物形式之LnF3 。已知此副產物難以移除。
因此，對用於沈積含鑭系元素薄膜之替代性前驅物存在需要。
本文中揭示以下通式之含鑭系元素前驅物：Ln(R1 Cp)m (R2 -N-C(R4 )=N-R2 )n ，其中：-Ln為具有約0.75至約0.94之離子半徑、3+電荷及6之配位數的鑭系金屬；-R1 選自由H及C1 -C5 烷基鏈組成之群；-R2 選自由H及C1 -C5 烷基鏈組成之群；-R4 選自由H及Me組成之群；-n及m在1至2之範圍內；且-該前驅物具有低於約105℃之熔點。所揭示之含鑭系元素前驅物可視情況包括以下一或多個態樣：-Ln選自由Lu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb組成之群。
-Ln選自由Er及Yb組成之群。
-R1 選自由Me、Et及iPr組成之群。
-R2 選自由iPr及tBu組成之群。
亦揭示一種使含鑭系元素薄膜沈積於半導體基板上之方法，該方法包含：a)提供基板，b)提供所揭示之含鑭系元素前驅物及c)使含鑭系元素薄膜沈積於該基板上。
所揭示之方法可視情況包括以下一或多個態樣：-在介於約150℃與600℃之間的溫度下使含鑭系元素薄膜沈積於基板上。
-在介於約0.5毫托與約20托之間的壓力下使含鑭系元素薄膜沈積於基板上。
-含鑭系元素前驅物在低於70℃之溫度下為液體。
-含鑭系元素前驅物在低於40℃之溫度下為液體。
-含鑭系元素薄膜選自由Ln2 O3 、(LnLn')O3 、Ln2 O3 -Ln'2 O3 、LnSix Oy 、LnGex Oy 、(Al,Ga,Mn)LnO3 、HfLnOx 及ZrLnOx 組成之群，其中Ln與Ln'不同。
-含鑭系元素薄膜選自由HfErOx 、ZrErOx 、HfYbOx 及ZrYbOx 組成之群。
-含鑭系元素前驅物具有選自由Ln(R1 Cp)2 (NZ -fmd)、Ln(R1 Cp)2 (NZ -amd)、Ln(R1 Cp)(NZ -fmd)2 及Ln(R1 Cp)(NZ -amd)2 組成之群的通式，其中Ln選自由Y、Gd、Dy、Er及Yb組成之群；R1 選自由Me、Et及iPr組成之群；且Z為iPr或tBu。
亦揭示於基板上形成含鑭系元素薄膜之第二種方法，其包含以下步驟：提供具有至少一個安置於其中之基板的反應器，將本文中所揭示之至少一種含鑭系元素前驅物引入該反應器中，及使用沈積方法使該含鑭系元素前驅物與該基板接觸以於基板之至少一個表面上形成含鑭系元素層。
所揭示之第二種方法可視情況包括以下一或多個態樣：-向反應器中提供至少一種含氧流體且使含鑭系元素前驅物與該含氧流體反應。
-含氧流體選自由O2 、O3 、H2 O、H2 O2 、乙酸、福馬林、三聚甲醛及其組合組成之群。
-含鑭系元素前驅物及反應物質當在化學氣相沈積法中時至少部分同時引入，或當在原子層沈積法中時至少部分依序引入。
-將金屬前驅物引入反應器中，其中該金屬前驅物不同於含鑭系元素前驅物，且沈積金屬前驅物之至少一部分以於一或多個基板上形成含鑭系元素層。
-金屬前驅物之金屬選自由Hf、Si、Al、Ga、Mn、Ti、Ta、Bi、Zr、Pb、Nb、Mg、Sr、Y、Ba、Ca、鑭系元素及其組合組成之群。
-該沈積方法為化學氣相沈積法。
-沈積方法為具有複數個沈積循環之原子層沈積法。
-含鑭系元素前驅物具有選自由Ln(R1 Cp)2 (NZ -fmd)、Ln(R1 Cp)2 (NZ -amd)、Ln(R1 Cp)(NZ -fmd)2 及Ln(R1 Cp)(NZ -amd)2 組成之群的通式，其中Ln選自由Y、Gd、Dy、Er及Yb組成之群；R1 選自由Me、Et及iPr組成之群；且Z為iPr或tBu。
亦揭示塗有含鑭系元素薄膜之基板，其包含所揭示之第二種方法的產物。
表示法及命名法
貫穿以下描述及申請專利範圍，使用某些縮寫、符號及術語且包括：縮寫「Ln」係指鑭族元素，其包括以下元素：鈧(「Sc」)、釔(「Y」)、鎦(「Lu」)、鑭(「La」)、鈰(「Ce」)、鐠(「Pr」)、釹(「Nd」)、釤(「Sm」)、銪(「Eu」)、釓(「Gd」)、鋱(「Tb」)、鏑(「Dy」)、鈥(「Ho」)、鉺(「Er」)、銩(「Tm」)或鐿(「Yb」)；縮寫「Cp」係指環戊二烯；縮寫「」係指埃；符號(「'」)用於表示除第一個外之不同組份，例如(LnLn')O3 係指含有兩種不同鑭系元素之鑭系元素氧化物；術語「脂族基(aliphatic group)」係指C1 -C5 直鏈或支鏈烷基；術語「烷基(alkyl group)」係指僅含有碳及氫原子之飽和官能基；縮寫「Me」係指甲基；縮寫「Et」係指乙基；縮寫「Pr」係指丙基；縮寫「iPr」係指異丙基；縮寫「tBu」係指第三丁基；縮寫「NZ -amd」係指ZNC(CH3 )=NZ，其中Z為諸如iPr或tBu之經定義的烷基；縮寫「NZ -fmd」係指ZNC(H)=NZ，其中Z為諸如iPr或tBu之經定義的烷基；縮寫「CVD」係指化學氣相沈積；縮寫「LPCVD」係指低壓化學氣相沈積；縮寫「ALD」係指原子層沈積；縮寫「P-CVD」係指脈衝化學氣相沈積；縮寫「PE-ALD」係指電漿增強原子層沈積；縮寫「MIM」係指金屬絕緣體金屬(用於電容器中之結構)；縮寫「DRAM」係指動態隨機存取記憶體；縮寫「FeRAM」係指鐵電隨機存取記憶體；縮寫「CMOS」係指互補金屬-氧化物-半導體；縮寫「THF」係指四氫呋喃；縮寫「TGA」係指熱重分析；縮寫「TMA」係指三甲基鋁；縮寫「TBTDET」係指第三丁基亞胺基參(二乙基胺基)鉭(Ta[N(C2 H5 )2 ]3 [NC(CH3 )3 ])；縮寫「TAT-DMAE」係指四乙氧化二甲基胺基乙氧化鉭；縮寫「PET」係指五乙氧基鉭；縮寫「TBTDEN」係指第三丁基亞胺基參(二乙基胺基)鈮；縮寫「PEN」係指五乙氧基鈮；縮寫「TriDMAS」係指參(二甲基胺基)矽烷[SiH(NMe2 )3 ]；縮寫「BDMAS」係指雙(二甲基胺基)矽烷；縮寫「BDEAS」係指雙(二乙基胺基)矽烷[SiH2 (NEt2 )2 ]；縮寫「TDEAS」係指肆-二乙基胺基矽烷；縮寫「TDMAS」係指參(二甲基胺基)矽烷；縮寫「TEMAS」係指肆-乙基甲基胺基矽烷(Si(N(C2 H5 )(CH3 ))4 )；縮寫「BTBAS」係指雙(第三丁基胺基)矽烷[SiH2 (NHtBu)2 ]。
為了進一步瞭解本發明之性質及目的，應結合隨附圖式來參考以下實施方式。
揭示具有以下通式之含鑭系元素前驅化合物：Ln(R1 Cp)m (R2 -N-C(R4 )=N-R2 )n ,其中Ln表示鑭族元素，其包括Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu；R1 選自H或C1 -C5 烷基鏈；R2 選自H或C1 -C5 烷基鏈；R4 選自H、C1 -C5 烷基鏈及NR'R"，其中R'及R"獨立地選自C1 -C5 烷基鏈；m選自1或2；且n選自1或2。
含鑭系元素前驅物在與其相應均片段(homoleptic)化合物相比時提供獨特物理及化學性質，其包括經參取代之環戊二烯基鑭系元素化合物Ln(RCp)3 、參-乙脒基化物(tris-acetamidinate)化合物Ln(R-N-C(R')=N-R)3 或參-甲脒基化物(tris-formamidinate)化合物Ln(R-N-C(H)=N-R)3 。該等性質包括對金屬中心周圍之空間擁擠的較好控制，此轉而又控制基板上之表面反應及與第二反應物(諸如氧源)之反應。獨立地精調配位基上之取代基可增加揮發性及熱穩定性且降低熔點以得到液體或低熔點固體(具有低於約105℃之熔點)。
為了合成具有適合於氣相沈積法之性質的穩定含鑭系 元素前驅物(亦即，可揮發但仍熱穩定之液體或低熔點固體(具有低於約105℃之熔點))，已觀察到中心金屬離子之性質(配位數、離子半徑)與配位基(立體效應、兩個雜片段(heteroleptic)配位基之比率)之間的直接相關性。較佳地，金屬化合物包括約0.75至約0.94之離子半徑及3+電荷與6之配位數。因此，Ln較佳選自小鑭系元素，其包括Sc、Y、Lu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb。更佳地，Ln選自由Lu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或Yb。較佳地，R1 為C1 -C3 烷基鏈；R2 為C3 -C4 烷基鏈，且R4 為H或Me。較佳地，含鑭系元素前驅物具有低於約105℃、較佳低於80℃、更佳低於70℃且甚至更佳低於40℃之熔點。較佳含鑭系元素前驅物包括Ln(R1 Cp)2 (NZ -fmd)、Ln(R1 Cp)2 (NZ -amd)、Ln(R1 Cp)(NZ -fmd)2 及Ln(R1 Cp)(NZ -amd)2 ，其中Ln為Y、Gd、Dy、Er或Yb；R1 為Me、Et或iPr；且Z為iPr或tBu。
Ln(R1 Cp)m (R2 -N-C(R4 )=N-R2 )n 前驅物(其中m=2，n=1或m=1，n=2)之合成可通過以下方法來進行：
方法A
藉由使Ln(R1 Cp)2 X(其中X=Cl、Br或I)與M(R2 -N-C(R4 )=N-R2 )(其中M=Li、Na、K)反應或藉由使Ln(R1 Cp)X2 與2M(R2 -N-C(R4 )=N-R2 )反應(流程-1)。
方法B
藉由使Ln(R1 Cp)3 與1當量脒/脈R2 -NH-C(R4 )=N-R2 反應以得到Ln(R1 Cp)2 (R2 -N-C(R4 )=N-R2 )或與2當量脒/脈R2 -NH-C(R4 )=N-R2 反應以得到Ln(R1 Cp)(R2 -N-C(R4 )=N-R2 )2 (流程-2)。
方法C
使LnX3 (其中X=Cl、Br、I)(逐步反應，無需分離中間產物)與mR1 CpM(其中M=Li、Na、K)原位反應，隨後過濾，且使濾液與nM(R2 -N-C(R4 )=N-R2 )反應以產生Ln(R1 Cp)m (R2 -N-C(R4 )=N-R2 )n 前驅物(流程-3)。
可使用熟習此項技術者已知之任何沈積方法沈積所揭示之前驅化合物(下文稱為「含鑭系元素前驅物”)以形成含鑭系元素薄膜。合適之沈積方法的實例包括(但不限於)習知化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)、低壓化學氣相沈積(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、原子層沈積(atomic layer deposition，ALD)、脈衝化學氣相沈積(pulsed chemical vapor deposition，P-CVD)、電漿增強原子層沈積(plasma enhanced atomic layer deposition，PE-ALD)或其組合。
含鑭系元素薄膜待要沈積於其上之基板的類型將視所欲最終用途而變化。在一些具體實例中，該基板可選自用作MIM、DRAM、FeRam技術中之介電材料或CMOS技術中之閘極介電質的氧化物(例如，基於HfO2 之材料、基於TiO2 之材料、基於ZrO2 之材料、基於稀土氧化物之材料、 基於三元氧化物之材料等)或選自用作銅與低k值層之間的氧屏障之基於氮化物之薄膜(例如，TaN)。其它基板可用於製造半導體、光電伏打裝置、LCD-TFT或平板裝置。該等基板之實例包括(但不限於)固體基板，諸如金屬基板(例如，Au、Pd、Rh、Ru、W、Al、Ni、Ti、Co、Pt及金屬矽化物，諸如TiSi2 、CoSi2 及NiSi2 )；含有金屬氮化物之基板(例如，TaN、TiN、WN、TaCN、TiCN、TaSiN及TiSiN)；半導體材料(例如，Si、SiGe、GaAs、InP、金剛石、GaN及SiC)；絕緣體(SiO2 、Si3 N4 、SiON、HfO2 、Ta2 O5 、ZrO2 、TiO2 、Al2 O3 及鈦酸鍶鋇)；或包括許多此等材料之組合的其它基板。所用之實際基板亦可視所用之特定前驅物具體實例而定。但在許多情況下，所用之較佳基板將選自TiN、Ru及Si型基板。
將含鑭系元素前驅物引入含有至少一個基板之反應室中。該反應室可為進行沈積方法之裝置的任何外殼或腔室，該裝置諸如(但不限於)平行板型反應器、冷壁型反應器、熱壁型反應器、單晶圓反應器、多晶圓反應器或其他該等類型之沈積系統。
可使反應室維持於約0.5毫托至約20托之壓力範圍下。另外，反應室中之溫度可在約250℃至約600℃之範圍內。一般熟習此項技術者將認識到，溫度可經由實驗最優化以達到所需結果。
可將基板加熱至足以在足夠生長速率下獲得具有所需物理狀態及組成之所需含鑭系元素薄膜的溫度。基板可加 熱至之非限制性例示性溫度範圍包括150℃至600℃。較佳地，基板之溫度保持小於或等於450℃。
可以液體狀態將含鑭系元素前驅物饋入使其蒸發之蒸發器中，隨後將其引入反應室中。在其蒸發之前，可視情況將含鑭系元素前驅物與一或多種溶劑、一或多種金屬源及一或多種溶劑與一或多種金屬源之混合物混合。該等溶劑可選自由甲苯、乙苯、二甲苯、均三甲苯、癸烷、十二烷、辛烷、己烷、戊烷或其他溶劑組成之群。所得濃度可在約0.05M至約2M之範圍內。該金屬源可包括現在已知或以後開發之任何金屬前驅物。
或者，可藉由將載氣傳遞至含有含鑭系元素前驅物之容器中或藉由將該載氣鼓泡進入含鑭系元素前驅物中來使含鑭系元素前驅物蒸發。接著將載氣及含鑭系元素前驅物引入反應室中。必要時，可將該容器可選擇地加熱至允許含鑭系元素前驅物呈其液相且具有足夠蒸氣壓之溫度。載氣可包括(但不限於)Ar、He、N2 及其混合物。可將含鑭系元素前驅物與溶劑、另一金屬前驅物或其混合物混合於容器中。可使容器維持於在例如0-100℃之範圍內的溫度。熟習此項技術者認識到，可以已知方式調整容器之溫度以控制所蒸發之含鑭系元素前驅物的量。
除視情況將含鑭系元素前驅物與溶劑、金屬前驅物及穩定劑混合，隨後引入反應室中外，可將含鑭系元素前驅物與反應物質在反應室內混合。例示性反應物質包括(但不限於)H2 、金屬前驅物(諸如TMA或其他含鋁前驅物)、其他含鑭系元素前驅物、TBTDET、TAT-DMAE、PET、TBTDEN、PEN及其任何組合。
當所需含鑭系元素薄膜亦含有氧，諸如(且不限於)氧化鑭時，反應物質可包括選自(但不限於)O2 、O3 、H2 O、H2 O2 、乙酸、福馬林、三聚甲醛及其組合之氧源。
當所需含鑭系元素薄膜亦含有氮，諸如(且不限於)氮化鑭或碳氮化鑭時，反應物質可包括選自(但不限於)氮氣(N2 )、氨及其烷基衍生物、肼及其烷基衍生物、含N自由基(例如，N. 、NH. 、NH2 . )、NO、N2 O、NO2 、胺及其任何組合之氮源。
當所需含鑭系元素薄膜亦含有碳，諸如(且不限於)碳化鑭或碳氮化鑭時，反應物質可包括選自(但不限於)甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、丙烯、第三丁烯、異丁烯、CCl4 及其任何組合之碳源。
當所需含鑭系元素薄膜亦含有矽，諸如(且不限於)矽化鑭、矽氮化鑭、矽酸鑭、矽碳氮化鑭時，反應物質可包括選自(但不限於)SiH4 、Si2 H6 、Si3 H8 、TriDMAS、BDMAS、BDEAS、TDEAS、TDMAS、TEMAS、(SiH3 )3 N、(SiH3 )2 O、三矽烷胺、二矽氧烷、三矽烷胺、二矽烷、三矽烷、烷氧基矽烷SiHx (OR1 )4-x 、矽烷醇Si(OH)x (OR1 )4-x (較佳為Si(OH)(OR1 )3 ；更佳為Si(OH)(OtBu)3 )、胺基矽烷SiHx (NR1 R2 )4-x (其中x為1、2、3或4；R1 及R2 獨立地為H或直鏈、支鏈或環狀C1 -C6 碳鏈；較佳為TriDMAS、BTBAS及/或BDEAS)及其任何組合之矽源。或者，目標薄膜可含有鍺(Ge)，在該情況下上述含Si反應物質可由含Ge反應物質替換。
當所需含鑭系元素薄膜亦含有另一金屬，諸如(且不限於)Ti、Ta、Hf、Zr、Nb、Mg、Al、Sr、Y、Ba、Ca、As、Sb、Bi、Sn、Pb或其組合時，反應物質可包括選自(但不限於)以下之金屬源：金屬烷基，諸如SbRi' 3 或SnRi' 4 (其中各Ri" 獨立地為H或直鏈、支鏈或環狀C1 -C6 碳鏈)；金屬烷氧化合物，諸如Sb(ORi )3 或Sn(ORi )4 (其中各Ri 獨立地為H或直鏈、支鏈或環狀C1 -C6 碳鏈)；及金屬胺，諸如Sb(NR1 R2 )(NR3 R4 )(NR5 R6 )或Ge(NR1 R2 )(NR3 R4 )(NR5 R6 )(NR7 R8 )(其中各R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及R8 獨立地為H、C1 -C6 碳鏈或三烷基矽烷基，該碳鏈及三烷基矽烷基各為直鏈、支鏈或環狀)；及其任何組合。
可將含鑭系元素前驅物及一或多種反應物質同時(化學氣相沈積)、依序(原子層沈積)或以其他組合引入反應室中。舉例來說，可以一個脈衝引入含鑭系元素前驅物且可以獨立脈衝一起引入兩個其他金屬源[改良原子層沈積]。或者，反應室可已含有反應物質，隨後引入含鑭系元素前驅物。可使反應物質通過遠離反應室而定位之電漿系統且分解為自由基。或者，可將含鑭系元素前驅物連續引入反應室中，同時藉由脈衝引入其他金屬源(脈衝-化學氣相沈積)。在各實施例中，在脈衝之後為淨化或排空步驟以移除過量引入之組份。在各實施例中，脈衝可持續範圍為約0.01 s至約10 s、或者約0.3 s至約3 s、或者約0.5 s至約2 s之時段。
在一種非限制性例示性原子層沈積型方法中，將含鑭系元素前驅物之氣相引入反應室中，在該反應室中使其與合適之基板接觸。接著可藉由淨化及/或排空反應器而自反應室中移除過量含鑭系元素前驅物。將氧源引入反應室中，在該反應室中使其與吸收之鑭系元素前驅物以自限性方式反應。藉由淨化及/或排空反應室而自反應室中移除任何過量氧源。若所需薄膜為鑭系元素氧化物薄膜，則此兩步驟過程可提供所需薄膜厚度或可重複直至獲得具有必需厚度之薄膜。
或者，若所需薄膜為鑭系金屬氧化物薄膜，則在以上兩步驟過程之後可將金屬前驅物之蒸氣引入反應室中。金屬前驅物將基於所沈積之鑭系金屬氧化物薄膜之性質來選擇且可包括不同含鑭系元素前驅物。引入反應室中後，使金屬前驅物與基板接觸。藉由淨化及/或排空反應室而自反應室中移除任何過量金屬前驅物。再次可將氧源引入反應室中以與第二金屬前驅物反應。藉由淨化及/或排空反應室而自反應室中移除過量氧源。若獲得所需薄膜厚度，則可終止該過程。然而，若需要較厚薄膜，則可重複整個四步驟過程。藉由交替提供含鑭系元素前驅物、金屬前驅物及氧源，可沈積具有所需組成及厚度之薄膜。
自上述過程產生之含鑭系元素薄膜或含鑭系元素層可包括Ln2 O3 、(LnLn')O3 、Ln2 O3 -Ln'2 O3 、LnSix Oy 、LnGex Oy 、(Al,Ga,Mn)LnO3 、HfLnOx 或ZrLnOx 。較佳地，含鑭系元素薄膜可包括HfErOx 、ZrErOx 、HfYbOx 或ZrYbOx 。一般熟習此項技術者將認識到，藉由判斷選擇適當含鑭系元素前驅物及反應物質，可獲得所需薄膜組成。
實施例
提供以下非限制性實施例以進一步說明本發明之具體實例。然而，該等實施例不欲包括全部且不欲限制本文所述之本發明之範疇。
比較實施例1 (非本發明之一部分)
試圖藉由說明書中所述之方法A及B合成La(EtCp)2 (NiPr -amd)、La(EtCp)(NiPr -amd)2 、La(iPrCp)2 (NiPr -amd)及La(iPrCp)(NiPr -amd)2 ，結果無效。基於此等失敗嘗試，吾等相信無法使用說明書中所述之方法製備可分離量之具有通式La(R1 Cp)m (R2 -N-C(R4 )=N-R2 )n 的含鑭前驅物。
比較實施例2 (非本發明之一部分)
獲得可分離量之具有通式Ce(iPrCp)2 (NiPr -amd)的含鈰前驅物，但很快就分解。
比較實施例3 (非本發明之一部分)
基於來自比較實施例1及2之結果及以下實施例1-12中所提供之結果，申請者希望檢驗較小半徑分子提供較好錯合物之理論。獲得以下錯合物之分離。然而，在熱重分析期間每一者均產生極高百分數之殘餘質量(以下提供)，從而指示每一者均不適合於氣相沈積法。
Ni(Cp)(iPr-N-C(Me)=N-iPr)；21%殘餘物
Ni(EtCp)(iPr-N-C(Me)=N-iPr)：20%殘餘物
Ni(iPrCp)(iPr-N-C(Me)=N-iPr)：20%殘餘物
Ni(nBuCp)(iPr-N-C(Me)=N-iPr)：25%殘餘物
基於此等結果，申請者得出結論，必須考慮金屬之半徑、電荷及配位數以開發適合於氣相沈積之本文中所揭示之金屬前驅物。
實施例1：Y(MeCp) 2 (N iPr -amd)
藉由於-78℃下經緩慢添加22.1 mL(35.36 mmol)MeLi乙醚溶液(1.6 M)使存於30 mL THF中之二異丙基碳化二亞胺(4.47 g，35.36 mmol)反應來製備NiPr -amd-Li。於-78℃下攪拌溶液30分鐘，接著加溫至室溫且進一步於室溫下攪拌2小時。將全部數量之新鮮製備的NiPr -amd-Li溶液添加至於50 mL THF中含有Y(MeCp)2 Cl(10.00 g，35.38 mmol)的燒瓶中。攪拌所得混合物隔夜。將混合物於真空下蒸發至乾。添加戊烷且攪拌，隨後經由Celite牌矽藻土管柱過濾。將戊烷溶劑於真空下蒸發至乾以獲得淺黃色蠟狀固體。於115℃、14毫托下使該淺黃色蠟狀固體昇華以產生12.24 g，其與89%產率相關聯。淺黃色蠟狀固體於30℃下熔化且在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的1%殘餘質量。此等結果描述於圖1 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例2：Y(iPrCp) 2 (N iPr -amd)
向於60 mL戊烷中含有Y(MeCP)3 (11.11 g，27.07 mmol)的燒瓶中添加NiPr -amd-H(3.85 g，27.07 mmol)於20 mL戊烷中之溶液。攪拌所得混合物隔夜。於真空下蒸發溶劑及揮發物。於20℃、8毫托下蒸餾所得黃色液體。產量為11.4 g(87%)。黃色液體在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的1%殘餘質量。此等結果描述於圖2 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例3：Er(MeCp) 2 (N iPr -amd)
藉由於-78℃下經緩慢添加53 mL(84.36 mmol)MeLi乙醚溶液(1.6 M)使存於150 mL THF中之二異丙基碳化二亞胺(10.65 g，84.36 mmol)反應來製備NiPr -amd-Li之溶液。於-78℃下攪拌該溶液30 min，接著加溫至室溫且進一步於室溫下攪拌2小時。將全部數量之新鮮製備的NiPr -amd-Li溶液添加至於250 mL THF中含有Er(MeCp)2 Cl(30.45 g，83.36 mmol)的燒瓶中。攪拌所得混合物隔夜。將混合物於真空下蒸發至乾。添加戊烷且攪拌，隨後經由Celite牌矽藻土管柱過濾。將戊烷溶劑於真空下蒸發至乾以獲得粉紅色固體。於95-115℃、12毫托下使該粉紅色固體昇華以產生34.3 g，其與87%產率相關聯。粉紅色固體於36℃下熔化且在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的2.5%殘餘質量。此等結果描述於圖3 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例4：Er(MeCp) 2 (N iP r-amd)
向於60 mL戊烷中含有Er(MeCp)3 (11.54 g，28.12 mmol)的燒瓶中添加NiPr -amd-H(4.00 g，128.12 mmol)於20 mL戊烷中之溶液。攪拌所得混合物隔夜。於真空下蒸發溶劑及揮發物。於95-115℃、12毫托下使所得粉紅色固體蒸餾。產量為11.4 g(87%)。
實施例5：Er(MeCp) 2 (N tBu -amd)
藉由於-78℃下經緩慢添加5.2 mL(8.31 mmol)MeLi乙醚溶液(1.6 M)使存於30 mL THF中之1,3-二第三丁基碳化二亞胺(1.28 g，8.31 mmol)反應來製備NtBu -amd-Li之溶液。於-78℃下攪拌溶液30分鐘，接著加溫至室溫且進一步於室溫下攪拌2小時。將全部數量之新鮮製備的NtBu -amd-Li溶液添加至於25 mL THF中含有Er(MeCp)2 Cl(3.00 g，8.31 mmol)的燒瓶中。攪拌所得混合物隔夜。將混合物於真空下蒸發至乾。添加戊烷且攪拌，隨後經由Celite牌矽藻土管柱過濾。將戊烷溶劑於真空下蒸發至乾以獲得橙色固體。於100-150℃、10毫托下使該橙色固體昇華以產生2.61 g，其與64%產率相關聯。橙色固體於100℃下熔化且在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的1.8%殘餘質量。此等結果描述於圖4 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例6：Er(EtCp) 2 (N iPr -amd)
向於200 mL戊烷中含有Er(EtCp)3 (20.00 g，44.77 mmol)的燒瓶中添加NiPr -amd-H(6.37 g，44.77 mmol)於50 mL戊烷中之溶液。攪拌所得混合物隔夜。於真空下蒸發溶劑及揮發物。於72-74℃、8毫托下蒸餾所得粉紅色液體。產量為16.4 g(67%)。熔點為18℃。該粉紅色液體在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的2%殘餘質量。此等結果描述於圖5 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例7：Er(MeCp) 2 (N iPr -fmd)
藉由於-78℃下經緩慢添加4.9 mL(7.80 mmol)MeLi乙醚溶液(1.6 M)使存於40 mL THF中之二異丙基甲脒(10.00 g，7.80 mmol)反應來製備NiPr -fmd-Li之溶液。於-78℃下攪拌該溶液30分鐘，接著加溫至室溫且進一步於室溫下攪拌2小時。將全部數量之新鮮製備的NiPr -fmd-Li溶液添加至於50 mL THF中含有Er(MeCp)2 Cl(2.81 g，7.80 mmol)的燒瓶中。攪拌所得混合物隔夜。將混合物於真空下蒸發至乾。添加戊烷且攪拌，隨後經由Celite牌矽藻土管柱過濾。將戊烷溶劑於真空下蒸發至乾以獲得粉紅色固體。於60-80℃、3毫托下使該粉紅色固體昇華以獲得2.2 g，其與62%產率相關聯。粉紅色固體於50℃下熔化且在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的5%殘餘質量。此等結果描述於圖6 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例8：Yb(MeCp) 2 (N iPr -amd)
藉由於-78℃下經緩慢添加34.1 mL(54.54 mmol)MeLi乙醚溶液(1.6 M)使存於100 mL THF中之二異丙基碳化二亞胺(6.88 g，54.54 mmol)反應來製備NiPr -amd-Li之溶液。於-78℃下攪拌該溶液30分鐘，接著加溫至室溫且進一步於室溫下攪拌2小時。將全部數量之新鮮製備的NiPr -amd-Li溶液添加至於120 mL THF中含有Yb(MeCp)2 Cl(20.00 g，54.54 mmol)的燒瓶中。攪拌所得混合物隔夜。將混合物於真空下蒸發至乾。添加戊烷且攪拌，隨後經由Celite牌矽藻土管柱過濾。將戊烷溶劑於真空下蒸發至乾以獲得橙色固體。於120℃、25毫托下使該橙色固體昇華以產生22.4 g，其與87%產率相關聯。橙色固體於36℃下熔化且在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的3%殘餘質量。此等結果描述於圖7 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例9：Yb(MeCp) 2 (N tBu -amd)
藉由於-78℃下經緩慢添加5.1 mL(8.18 mmol)MeLi乙醚溶液(1.6 M)使存於30 mL THF中之1,3-二第三丁基碳化二亞胺(1.26 g，8.18 mmol)反應來製備NtBu -amd-Li之溶液。於-78℃下攪拌該溶液30分鐘，接著加溫至室溫且進一步於室溫下攪拌2小時。將全部數量之新鮮製備的NtBu -amd-Li溶液添加至於25 mL THF中含有Yb(MeCp)2 Cl(3.00 g，8.18 mmol)的燒瓶中。攪拌所得混合物隔夜。將混合物於真空下蒸發至乾。添加戊烷且攪拌，隨後經由Celite牌矽藻土管柱過濾。將戊烷溶劑於真空下蒸發至乾以獲得橙色固體。於125℃、10毫托下使該橙色固體昇華以產生1.73 g，其與43%產率相關聯。橙色固體於103℃下熔化且在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的1.8%殘餘質量。此等結果描述於圖8 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例10：Yb(EtCp) 2 (N iPr -amd)
向於250 mL戊烷中含有Yb(EtCp)3 (15.90 g，35.15 mmol)的燒瓶中添加NiPr -amd-H(5.00 g，35.15 mmol)於40 mL戊烷中之溶液。攪拌所得混合物隔夜。於真空下蒸發溶劑及揮發物。於110℃、10毫托下蒸餾所得橙色液體。產量為15.00 g(85%)。熔點為39℃。該橙色液體在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的3.5%殘餘質量。此等結果描述於圖9 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例11：Yb(EtCp) 2 (N iPr -fmd)
向於20 mL甲苯中含有Yb(EtCp)3 (6.00 g，13.26 mmol)的燒瓶中緩慢添加NiPr -fmd-H(1.7 g，13.26 mmol)於20 mL甲苯中之溶液。攪拌所得混合物隔夜。於真空下蒸發溶劑及揮發物。於120℃、6毫托下蒸餾所得橙色液體。產量為5.9 g(97%)。該橙色液體在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的1.4%殘餘質量。此等結果描述於圖l0 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例12：Yb(iPrCp) 2 (N iPr -fmd)
向於20 mL甲苯中含有Yb(EtCp)3 (3.00 g，6.07 mmol)的燒瓶中緩慢添加NiPr -fmd-H(0.78 g，6.07 mmol)於20 mL甲苯中之溶液。攪拌所得混合物隔夜。於真空下蒸發溶劑及揮發物。於140℃、20毫托下蒸餾所得橙色液體。產量為2.5 g(80%)。該橙色液體在TGA分析期間留下以10℃/min之溫度升高速率在氮氣以180 mL/min流動之氛圍中所測得的2%殘餘質量。此等結果描述於圖11 中，該圖為說明隨溫度變化重量損失百分數之TGA曲線。
實施例13：Er(MeCp) 2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)
使用實施例3之含鑭系元素前驅物Er(MeCp)2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)及反應物O3 使Er2 O3 薄膜沈積於SiO2 /Si基板上。使該SiO2 /Si基板維持於275℃之溫度下。在維持於115℃下之鼓泡器中使粉紅色固體前驅物蒸發。ALD循環包括10秒前驅物脈衝、隨後5秒淨化、隨後2秒反應物脈衝、隨後5秒淨化。觀察到Er2 O3 生長速率為1.2埃/循環。評估ALD方案直至275℃，其中沈積速率高達1.2埃/循環。
實施例14：Er(EtCp) 2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)
使用實施例6之含鑭系元素前驅物Er(EtCp)2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)及反應物O3 使Er2 O3 薄膜沈積於SiO2 /Si基板上。使該SiO2 /Si基板維持於250℃之溫度下。在維持於115℃下之鼓泡器中使粉紅色液體前驅物蒸發。ALD循環包括10秒前驅物脈衝、隨後5秒淨化、隨後2秒反應物脈衝、隨後5秒淨化。觀察到Er2 O3 生長速率為0.3埃/循環。評估ALD方案直至275℃，其中沈積速率高達0.3埃/循環。
實施例15：Yb(MeCp) 2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)
使用實施例8之含鑭系元素前驅物Yb(MeCp)2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)及反應物H2 O使Yb2 O3 薄膜沈積於SiO2 /Si基板上。使該SiO2 /Si基板維持於250℃之溫度下。在維持於115℃下之鼓泡器中使橙色固體前驅物蒸發。ALD循環包括3秒前驅物脈衝、隨後5秒淨化、隨後2秒反應物脈衝、隨後10秒淨化。觀察到Yb2 O3 生長速率為1.0埃/循環。評估ALD方案直至275℃，其中沈積速率高達1.0埃/循環。
實施例16：Yb(EtCp) 2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)
使用實施例10之含鑭系元素前驅物Yb(EtCp)2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)及反應物H2 O使Yb2 O3 薄膜沈積於SiO2 /Si基板上。使該SiO2 /Si基板維持於250℃之溫度下。在維持於115℃下之鼓泡器中使橙色液體前驅物蒸發。ALD循環包括10秒前驅物脈衝、隨後5秒淨化、隨後2秒反應物脈衝、隨後10秒淨化。觀察到Yb2 O3 生長速率為1.0埃/循環。評估ALD方案直至250℃，其中沈積速率高達1.0埃/循環。
雖然已展示及描述本發明之具體實例，但可在不脫離本發明之精神或教示的情況下由熟習此項技術者對其作出修改。本文所述之具體實例僅為例示性的而非限制性的。組成物及方法之許多變更及修改可能存在且在本發明之範疇內。因此，保護範疇並不限於本文所述之具體實例，而僅由隨附申請專利範圍限制，其範疇應包括申請專利範圍中之標的物之所有等效物。
圖1 為說明Y(MeCp)2 (NiPr -amd)之重量損失百分數隨溫度變化的TGA曲線。
圖2 為Y(iPrCp)2 (NiPr -amd)之TGA曲線。
圖3 為Er(MeCp)2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)之TGA曲線。
圖4 為Er(MeCp)2 (tBu-N-C(Me)=N-tBu)之TGA曲線。
圖5 為Er(EtCp)2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)之TGA曲線。
圖6 為Er(MeCp)2 (iPr-N-C(H)=N-iPr)之TGA曲線。
圖7 為Yb(MeCp)2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)之TGA曲線。
圖8 為Yb(MeCp)2 (tBu-N-C(Me)=N-tBu)之TGA曲線。
圖9 為Yb(EtCp)2 (iPr-N-C(Me)=N-iPr)之TGA曲線。
圖10 為Yb(EtCp)2 (iPr-N-C(H)=N-iPr)之TGA曲線。
圖11 為Yb(iPrCp)2 (iPr-N-C(H)=N-iPr)之TGA曲線。

Claims (23)

  1. 一種組成物，其包含以下通式之含鑭系元素前驅物：Ln(R1 Cp)m (R2 -N-C(R4 )=N-R2 )n ，其中：Ln為具有約0.75至約0.94之離子半徑、3+電荷及6之配位數的鑭系金屬；R1 選自由H及C1 -C5 烷基鏈組成之群；R2 選自由H及C1 -C5 烷基鏈組成之群；R4 選自由H及Me組成之群；n及m在1至2之範圍內；且該前驅物具有低於約105℃之熔點。
  2. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中Ln選自由Lu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb組成之群。
  3. 如申請專利範圍第2項之組成物，其中Ln選自由Er及Yb組成之群。
  4. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中R1 選自由Me、Et及iPr組成之群。
  5. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中R2 選自由iPr及tBu組成之群。
  6. 一種使含鑭系元素薄膜沈積於半導體基板上之方法，該方法包含：a)提供基板；b)提供如申請專利範圍第1項之含鑭系元素前驅物；及c)使含鑭系元素薄膜沈積於該基板上。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其進一步包含在介於約150℃與約600℃之間的溫度下使該含鑭系元素薄膜沈積於該基板上。
  8. 如申請專利範圍第6項之方法，其進一步包含在介於約0.5毫托與約20托之間的壓力下使該含鑭系元素薄膜沈積於該基板上。
  9. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該含鑭系元素前驅物在低於70℃之溫度下為液體。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該含鑭系元素前驅物在低於40℃之溫度下為液體。
  11. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該含鑭系元素薄膜選自由Ln2 O3 、(LnLn')O3 、Ln2 O3 -Ln'2 O3 、LnSix Oy 、LnGex Oy 、(Al,Ga,Mn)LnO3 、HfLnOx ,及ZrLnOx 組成之群，其中Ln與Ln'不同。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該含鑭系元素薄膜選自由HfErOx 、ZrErOx 、HfYbOx 及ZrYbOx 組成之群。
  13. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該含鑭系元素前驅物具有選自由Ln(R1 Cp)2 (NZ -fmd)、Ln(R1 Cp)2 (NZ -amd)、Ln(R1 Cp)(NZ -fmd)2 及Ln(R1 Cp)(NZ -amd)2 組成之群的通式，其中Ln選自由Y、Gd、Dy、Er及Yb組成之群；R1 選自由Me、Et及iPr組成之群；且Z為iPr或tBu。
  14. 一種於基板上形成含鑭系元素薄膜之方法，該方法包含以下步驟：提供具有至少一個安置於其中之基板的反應器；將如申請專利範圍第1項之至少一種含鑭系元素前驅物引入該反應器中；及使用沈積方法使該含鑭系元素前驅物與該基板接觸以於該基板之至少一個表面上形成含鑭系元素層。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其進一步包含以下步驟：a)向該反應器中提供至少一種反應物質，其中該反應物質為含氧流體；及b)使該含鑭系元素前驅物與該反應物質反應。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該至少一種反應物質選自由O2 、O3 、H2 O、H2 O2 、乙酸、福馬林、三聚甲醛及其組合組成之群。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該含鑭系元素前驅物及該反應物質當在化學氣相沈積法中時至少部分同時引入，或當在原子層沈積法中時至少部分依序引入。
  18. 如申請專利範圍第15項之方法，其進一步包含將金屬前驅物引入該反應器中，其中該金屬前驅物不同於該含鑭系元素前驅物且沈積該金屬前驅物之至少一部分以於該一或多個基板上形成該含鑭系元素層。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該金屬前驅物之金屬選自由Hf、Si、Al、Ga、Mn、Ti、Ta、Bi、Zr、Pb、Nb、Mg、Sr、Y、Ba、Ca、鑭系元素及其組合組成之群。
  20. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該沈積方法為化學氣相沈積法。
  21. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該沈積方法為具有複數個沈積循環之原子層沈積法。
  22. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該含鑭系元素前驅物具有選自由Ln(R1 Cp)2 (NZ -fmd)、Ln(R1 Cp)2 (NZ -amd)、Ln(R1 Cp)(NZ -fmd)2 及Ln(R1 Cp)(NZ -amd)2 組成之群的通式，其中Ln選自由Y、Gd、Dy、Er及Yb組成之群；R1 選自由Me、Et及iPr組成之群；且Z為iPr或tBu。
  23. 一種塗有含鑭系元素薄膜之基板，其包含如申請專利範圍第14項之方法的產物。
TW098118837A 2008-06-05 2009-06-05 含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積 TWI463032B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US5921408P 2008-06-05 2008-06-05
US12/479,175 US8283201B2 (en) 2008-06-05 2009-06-05 Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201002855A TW201002855A (en) 2010-01-16
TWI463032B true TWI463032B (zh) 2014-12-01

Family

ID=41100459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098118837A TWI463032B (zh) 2008-06-05 2009-06-05 含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積

Country Status (6)

Country Link
US (3) US8283201B2 (zh)
JP (1) JP5666433B2 (zh)
KR (3) KR101711356B1 (zh)
CN (1) CN102057077B (zh)
TW (1) TWI463032B (zh)
WO (1) WO2009149372A1 (zh)

Families Citing this family (409)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120156373A1 (en) 2008-06-05 2012-06-21 American Air Liquide, Inc. Preparation of cerium-containing precursors and deposition of cerium-containing films
KR101711356B1 (ko) 2008-06-05 2017-02-28 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 란탄족 함유 전구체의 제조 및 란탄족 함유 필름의 증착 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP2011054935A (ja) * 2009-06-19 2011-03-17 Rohm & Haas Electronic Materials Llc ドーピング方法
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9079923B2 (en) 2010-08-05 2015-07-14 Air Products And Chemicals, Inc. Multidentate ketoimine ligands for metal complexes
US8617305B2 (en) 2011-01-25 2013-12-31 Air Products And Chemicals, Inc. Metal complexes for metal-containing film deposition
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
WO2013043507A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Applied Materials, Inc. Metal-aluminum alloy films from metal pcai precursors and aluminum precursors
WO2013043501A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Applied Materials, Inc. Metal-aluminum alloy films from metal amidinate precursors and aluminum precursors
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
WO2014015248A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
TW201509799A (zh) 2013-07-19 2015-03-16 Air Liquide 用於ａｌｄ／ｃｖｄ含矽薄膜應用之六配位含矽前驅物
US9382268B1 (en) 2013-07-19 2016-07-05 American Air Liquide, Inc. Sulfur containing organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9099301B1 (en) 2013-12-18 2015-08-04 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Preparation of lanthanum-containing precursors and deposition of lanthanum-containing films
KR101840759B1 (ko) 2014-01-05 2018-05-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공간적인 원자 층 증착 또는 펄스형 화학 기상 증착을 사용하는 필름 증착
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
KR101615897B1 (ko) * 2014-08-01 2016-05-13 연세대학교 산학협력단 코팅층 형성 방법 및 방수성 코팅 부재
KR101617396B1 (ko) 2014-08-01 2016-05-13 연세대학교 산학협력단 초소수성 코팅 부재 및 이의 제조 방법
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
WO2016094711A2 (en) 2014-12-13 2016-06-16 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
KR102424961B1 (ko) * 2015-07-07 2022-07-25 삼성전자주식회사 란타넘 화합물 및 그 제조 방법과 란타넘 전구체 조성물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법
KR102551351B1 (ko) * 2018-03-16 2023-07-04 삼성전자 주식회사 란타넘 화합물과 이를 이용한 박박 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법
US10913754B2 (en) * 2015-07-07 2021-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Lanthanum compound and methods of forming thin film and integrated circuit device using the lanthanum compound
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
TWI740848B (zh) * 2015-10-16 2021-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 實施原子層沉積以得閘極介電質
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
WO2017095185A1 (ko) * 2015-12-03 2017-06-08 인천대학교 산학협력단 기능성 필터 및 그 제조방법
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
TWI742092B (zh) * 2016-06-13 2021-10-11 美商應用材料股份有限公司 用於ald、cvd與薄膜摻雜之鑭系、釔與鈧前驅物及使用方法
US9850573B1 (en) * 2016-06-23 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US20160315168A1 (en) * 2016-06-30 2016-10-27 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Process for forming gate insulators for tft structures
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
EP3538533A1 (en) * 2016-11-08 2019-09-18 Merck Patent GmbH Metal complexes containing cyclopentadienyl ligands
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US10487398B2 (en) * 2016-12-04 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Synthesis of metal nitride thin films materials using hydrazine derivatives
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US20180187303A1 (en) 2016-12-30 2018-07-05 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Lanthanide precursors and deposition of lanthanide-containing films using the same
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10975469B2 (en) 2017-03-17 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US20200246494A1 (en) * 2017-08-07 2020-08-06 L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude Lu-containing compositions and methods of producing the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
JP7235466B2 (ja) * 2018-01-26 2023-03-08 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ランタノイド化合物、ランタノイド含有薄膜、および該ランタノイド化合物を用いたランタノイド含有薄膜の成膜方法
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP7674105B2 (ja) 2018-06-27 2025-05-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11667575B2 (en) * 2018-07-18 2023-06-06 Applied Materials, Inc. Erosion resistant metal oxide coatings
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
KR102138707B1 (ko) * 2018-12-19 2020-07-28 주식회사 한솔케미칼 희토류 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11473198B2 (en) 2019-01-25 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Homoleptic lanthanide deposition precursors
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
WO2021133080A1 (ko) * 2019-12-27 2021-07-01 주식회사 유피케미칼 이트륨/란탄족 금속 전구체 화합물, 이를 포함하는 막 형성용 조성물 및 이를 이용한 이트륨/란탄족 금속 함유 막의 형성 방법
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
TWI901623B (zh) 2020-01-06 2025-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
KR20220151188A (ko) 2020-03-05 2022-11-14 어쿠스티스, 인크. 디바이스들을 제공하기 위해 화학적 증기 퇴적을 이용하여 저온들에서 스칸듐을 포함하는 필름들을 형성하는 방법들
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
CN113838794B (zh) 2020-06-24 2024-09-27 Asmip私人控股有限公司 用于形成设置有硅的层的方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
US11274069B2 (en) 2020-08-13 2022-03-15 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Mono-substituted cyclopentadienes and metal cyclopentadienyl complexes and synthesis methods thereof
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
KR102855073B1 (ko) 2020-08-26 2025-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR102862610B1 (ko) * 2020-10-30 2025-09-22 솔브레인 주식회사 ３족 금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 금속 함유 박막의 제조 방법
KR102862617B1 (ko) * 2020-10-30 2025-09-22 솔브레인 주식회사 ３족 금속 전구체 및 금속 함유 박막
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
US12428439B2 (en) 2020-11-20 2025-09-30 Merck Patent Gmbh Lanthanide and lanthanide-like transition metal complexes
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
KR20230009793A (ko) 2021-07-09 2023-01-17 삼성전자주식회사 이트륨 화합물과 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법
CN113582879A (zh) * 2021-09-02 2021-11-02 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种有机镧前驱体La(iPr2-FMD)3的制备方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102661498B1 (ko) * 2021-11-18 2024-04-29 주식회사 한솔케미칼 유기 금속 화합물을 이용하여 박막을 형성하는 방법 및 이로부터 제조된 박막
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN116355019B (zh) * 2021-12-28 2025-07-22 Dnf有限公司 含锑薄膜蒸镀用组合物、含锑薄膜的制造方法和锑化合物
US11784041B2 (en) * 2022-02-08 2023-10-10 L'Air Liquide, Sociéte Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films
WO2024050202A1 (en) 2022-08-31 2024-03-07 Merck Patent Gmbh Multiple substituted cyclopentadienyl rare-earth complexes as precursors for vapor phase thin film deposition processes
CN119403955A (zh) 2022-09-16 2025-02-07 思科特利肯股份有限公司 含镧族金属薄膜形成用前体、利用所述前体的含镧族金属薄膜形成方法以及包含所述含镧族金属薄膜的半导体组件
KR102666160B1 (ko) 2022-09-16 2024-05-13 에스케이트리켐 주식회사 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
JP2025520756A (ja) * 2022-09-16 2025-07-03 エスケー トリケム カンパニー リミテッド ランタン族金属含有薄膜形成用前駆体、これを用いたランタン族金属含有薄膜形成方法、および前記ランタン族金属含有薄膜を含む半導体素子
KR102614467B1 (ko) 2022-11-30 2023-12-14 에스케이트리켐 주식회사 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막 형성 방법 및 상기 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR20250081126A (ko) 2023-11-29 2025-06-05 에스케이트리켐 주식회사 란탄족 금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 란탄족 금속 함유 박막 형성 방법 및 상기 란탄족 금속 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR20250082116A (ko) 2023-11-29 2025-06-09 에스케이트리켐 주식회사 란탄족 금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 란탄족 금속 함유 박막 형성 방법 및 상기 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR20250132406A (ko) 2024-02-28 2025-09-04 에스케이트리켐 주식회사 아미디네이트 리간드를 포함하는 박막 형성용 전구체.
KR20250140035A (ko) 2024-03-15 2025-09-24 에스케이트리켐 주식회사 이트륨(Y), 스칸듐(Sc) 또는 란탄족(Ln) 금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR20250140001A (ko) * 2024-03-15 2025-09-24 에스케이트리켐 주식회사 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
WO2025192984A1 (ko) * 2024-03-15 2025-09-18 에스케이트리켐 주식회사 이트륨(y), 스칸듐(sc) 또는 란탄족(ln) 금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060046521A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Vaartstra Brian A Deposition methods using heteroleptic precursors
TW200609238A (en) * 2004-07-27 2006-03-16 Jsr Corp Chemical vapor deposition material and chemical vapor deposition
JP2006511716A (ja) * 2002-11-15 2006-04-06 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ 金属アミジナートを用いる原子層の析出
US20080102205A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Barry Sean T ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7023A (en) * 1850-01-15 peters
US5453494A (en) 1990-07-06 1995-09-26 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for MOCVD
US5322813A (en) * 1992-08-31 1994-06-21 International Business Machines Corporation Method of making supersaturated rare earth doped semiconductor layers by chemical vapor deposition
US7396949B2 (en) * 2003-08-19 2008-07-08 Denk Michael K Class of volatile compounds for the deposition of thin films of metals and metal compounds
JP4312006B2 (ja) * 2003-08-25 2009-08-12 株式会社Ａｄｅｋａ 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
WO2006012052A2 (en) * 2004-06-25 2006-02-02 Arkema, Inc. Amidinate ligand containing chemical vapor deposition precursors
TW200831694A (en) * 2007-01-17 2008-08-01 Advanced Tech Materials Precursor compositions for ALD/CVD of group II ruthenate thin films
TWI398541B (zh) * 2007-06-05 2013-06-11 羅門哈斯電子材料有限公司 有機金屬化合物
KR101711356B1 (ko) 2008-06-05 2017-02-28 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 란탄족 함유 전구체의 제조 및 란탄족 함유 필름의 증착 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006511716A (ja) * 2002-11-15 2006-04-06 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ 金属アミジナートを用いる原子層の析出
TW200609238A (en) * 2004-07-27 2006-03-16 Jsr Corp Chemical vapor deposition material and chemical vapor deposition
US20060046521A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Vaartstra Brian A Deposition methods using heteroleptic precursors
US20080102205A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Barry Sean T ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds

Also Published As

Publication number Publication date
US20120329999A1 (en) 2012-12-27
TW201002855A (en) 2010-01-16
KR20110014179A (ko) 2011-02-10
KR101802124B1 (ko) 2017-11-27
KR20170020936A (ko) 2017-02-24
KR101660052B1 (ko) 2016-09-26
US20130303739A1 (en) 2013-11-14
JP2011522833A (ja) 2011-08-04
KR101711356B1 (ko) 2017-02-28
CN102057077A (zh) 2011-05-11
US9076648B2 (en) 2015-07-07
US20090302434A1 (en) 2009-12-10
US8283201B2 (en) 2012-10-09
WO2009149372A1 (en) 2009-12-10
KR20160085357A (ko) 2016-07-15
CN102057077B (zh) 2013-11-13
JP5666433B2 (ja) 2015-02-12
US8507905B2 (en) 2013-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI463032B (zh) 含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積
US11242597B2 (en) Lanthanide precursors and deposition of lanthanide-containing films using the same
US9711347B2 (en) Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films
KR101304760B1 (ko) 증착용 티타늄 함유 전구체
TWI523078B (zh) 製造含鉿或鋯化合物的方法及使用含鉿或鋯化合物之沈積方法
TWI894397B (zh) 鑭系及類鑭系過渡金屬之錯合物
US9099301B1 (en) Preparation of lanthanum-containing precursors and deposition of lanthanum-containing films
TWI593820B (zh) 含鑭系元素前驅物的製備和含鑭系元素薄膜的沈積
JP2025527797A (ja) 気相薄膜堆積プロセスのための前駆体としての多置換シクロペンタジエニル希土類錯体