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TWI461351B - 流體輸送與分配技術 - Google Patents

流體輸送與分配技術 Download PDF

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Publication number
TWI461351B
TWI461351B TW098135931A TW98135931A TWI461351B TW I461351 B TWI461351 B TW I461351B TW 098135931 A TW098135931 A TW 098135931A TW 98135931 A TW98135931 A TW 98135931A TW I461351 B TWI461351 B TW I461351B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dispensing
polymerizable material
substrate
fluid
dispensing head
Prior art date
Application number
TW098135931A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201022133A (en
Inventor
Van Nguyen Truskett
Steven C Shackleton
Original Assignee
Molecular Imprints Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Molecular Imprints Inc filed Critical Molecular Imprints Inc
Publication of TW201022133A publication Critical patent/TW201022133A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI461351B publication Critical patent/TWI461351B/zh

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
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  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

流體輸送與分配技術 相關申請案之相互參照
本案請求於2008年10月24日提出申請的美國臨時申請案第61/108,146號及於2009年10月30日提出申請的美國臨時申請案第61/109,535號之優先權，茲將該二申請案之全文內容併入本案以作為參考資料。
本發明係有關於流體輸送與分配技術。
 發明背景
奈米製造技術包括製造極微小之結構，該種結構具有100奈米級或更小的構造。奈米製造技術之應用在積體電路製程中具有極可觀的影響。在增加基板每單位面積之電路的同時，半導體製程產業亦持續朝往更高的產率邁進，因此奈米製造技術顯得更為重要。奈米製造技術在提供更佳製程控制的同時亦容許在其形成的結構上持續減小最小構造之尺寸。已發展奈米製造技術的其他領域包括生物技術、光學技術、機械系統等等。
目前使用之例示的奈米製造技術一般稱作壓印微影術。有許多文獻，諸如美國專利公開第2004/0065976號、第2004/0065252號以及美國專利第6,936,194號已說明例示性之壓印微影製程，其等揭示之全文內容併入本案以作為參考資料。
在前述各件美國專利公開及專利案中所揭示之壓印微影技術包括在一可聚合層中形成一釋放圖案，並且將對應於該釋放圖案之一圖案轉移至一下層基板中。該基板可耦合至一移動平台以獲得所欲之定位來促成圖形化程序。該圖形化程序使用了一個與基板隔開之模板以及施加在該模板與該基板間之一可成形液體。可成形液體經固化後形成一剛性層，該剛性層具有一符合於接觸該可成形液體之模板表面的形狀。在固化之後，模板自剛性層分開，如此使得模板與基板隔開。接著基板與固化層經由其他程序以將一釋放影像轉移至該基板並且該釋放影像係對應於固化層內之圖案。
 圖式簡單說明
藉由參考隨附圖式所述之實施例可更詳盡地瞭解本發明。然而應注意的是，該等隨附圖式僅用於說明本發明之典型實施態樣，也因此並不欲用於限制本發明之範圍。
第1圖為根據本發明之一實施例之一微影系統的簡化側面圖。
第2圖為第1圖之基板的簡化側面圖，其中該基板上具有一圖形層。
第3圖為一種能分配微滴至一基板上之流體分配系統的簡化側面圖。
第4圖為一種例示之流體分配系統的簡化側面圖。
第5圖為一種自第4圖之流體分配系統尖端噴出之液滴的簡化側面圖。
第6圖所說明者為用於第4圖之流體分配系統之分配頭的例示配置方式。
第7圖為一種例示之分配頭保護裝置，其用於保護第4圖之流體分配系統之一尖端。
第8圖為一種例示之分配頭帽蓋裝置，其用於保護第4圖之流體分配系統之一尖端。
第9圖進一步說明第7圖中用於保護流體分配系統之一尖端之例示的分配頭保護裝置。
第10圖為一例示之防護擋塊之簡化側面圖，其中該防護擋塊係定位在相鄰於第4圖之流體分配系統處。
第11圖為一例示之防護擋塊之簡化側面圖，其中該防護擋塊係定位在一平臺上。
第12圖為一例示之分配系統之簡化剖面圖，其中該分配系統係連接至一例示之廢料處理系統。
第13圖說明用於分配頭之例示的安裝硬體。
第14圖說明一分配頭之例示的移動。
第15-20圖說明用於一流體分配系統之例示輸送系統。
第21-23圖說明藉由一輸送系統以提供流體至一分配頭之例示方法。
第24圖係一流程圖，其說明一種用於分配可聚合材料之微滴以避免堵塞一噴嘴系統之例示方法。
第25圖係一流程圖，其說明一種用於收集並評估來自一流體分配系統之氣體的例示方法。
第26圖係一流程圖，其說明一種用於沖洗流體分配系統之例示方法。
 較佳實施例之詳細說明
參考圖式，特別是第1圖，其中所說明者為一種用於在基板102上形成一釋放圖案之微影系統100。基板102可耦合至基板墊塊104。在一實施態樣中，基板墊塊104為一真空墊塊。可替代地，基板墊塊104可以是包括但不限於真空、針型、溝槽型、電磁及/或等等之任何墊塊。美國第6,873,087號專利案所說明之例示的墊塊併入本文中以作參考。
基板102與基板墊塊104可進一步以平臺106來支撐。平臺106可提供沿x-,y-,及z-軸方向之移動。平臺106、基板102以及基板墊塊104亦可定位在一基座上(未顯示)。
樣板108與基板102隔開。樣板108包括自其處朝向基板102延伸之階台120，階台120上具有一圖形化表面122。此外，階台120可為鑄模120。樣板108及/或鑄模120可形成自包含但不限於熔融二氧化矽、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化藍寶石及/或等等之材料。如上所述地，圖形化表面122包含由複數個間隔之凹部124及/或凸部126所界定之構造，雖然本發明之實施例並不限於這種組配。圖形化表面122可界定任何原始圖案，其形成基板102上之圖案的基礎。
樣板108可耦合至墊塊128。墊塊128可組配成但不限於真空、針型、溝槽型、電磁及/或其他類似的墊塊。美國第6,873,087號專利案所說明之例示的墊塊併入本文中以作為參考。此外，墊塊128可耦合至壓印頭130使得墊塊128及/或壓印頭130可經組配以促進樣板108之移動。
系統100可進一步包含一流體分配系統132。流體分配系統132可用於將可聚合材料134配置在基板120上。可使用但不限於液滴分配、旋轉塗佈、浸漬塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積及/或等等技術以將可聚合材料134定位在基板102上。在基於設計考量以將所欲體積界定於鑄模120與基板102間之前及/或之後，可聚合材料134可配置在基板102上。可聚合材料134可包含美國專利第7,157,036號以及美國專利公開第2005/0187339號所說明之單體，其等揭示之全文內容併入本案以作為參考資料。
參考第1及第2圖，系統100可進一步包含經耦合以沿著路徑142引導能量140之一能源138。壓印頭130及平臺106可經組配以將模板108與基板102定位成和路徑142重疊。系統100可受一處理器154控制，其中該處理器係與平臺106、壓印頭130、流體分配系統132及/或源138相聯繫，該系統可依儲存於記憶體156之電腦可讀取媒體來運作。
壓印頭130、平臺106之一或兩者改變鑄模120與基板102之間的距離以界定其間被可聚合材料134充填之體積。譬如，壓印頭130可施加一力至模板108使得鑄模120和可聚合材料134接觸。譬如，如第2圖所述地，在以可聚合材料134充填所欲之體積後，源138產生如寬頻帶紫外線輻射之能量140而讓可聚合材料134固化及/或交聯符合於一基板102之表面144及圖形化表面122之形狀並在基板102上界定一經圖形化之覆層202。經圖形化之覆層122可包含一殘留層204及複數個如凸部206及凹部208之構造，凸部206具有厚度t1並且殘留層204具有一t2之厚度。
上述之系統及方法可運用在美國專利第6,932,934號、美國專利公開第2004/0124566號、美國專利公開第2004/0188381號以及美國專利公開第2004/0211754號之壓印微影方法與系統中，其等揭示之全文內容併入本案以作為參考資料。
如上所述，可聚合材料134可定位在基板102上。流體分配系統132可用於配置可聚合材料134或其他流體。第3圖說明一種流體分配系統132，其包含一分配頭302及一分配系統304以將可聚合材料134配置於基板102上。分配頭302可包含微螺線管閥、壓電致動分配器、微機電系統系統式分配器、超音波式液滴射出器等等。而壓電致動分配器是可獲自MicroFab Technologies,Inc.,Plano,TX之商品。
如上所述，可聚合材料134可用流體分配系統132而施加至樣板108與基板102之間所界定的體積。第3圖說明一種流體分配系統132之實施例。流體分配系統132可包含一分配頭302及噴嘴系統304。依據設計考量，噴嘴系統304可包含單一個尖端或複數個尖端306(1)-306(N)。譬如，第3圖說明噴嘴系統304包含複數個尖端306(1)、306(2)及306(3)。可聚合材料134通過分配頭302並自噴嘴系統304之尖端306(N)噴出。尖端306(N)界定出一可聚合材料134能定位於基板102上之分配軸308。如果不防止潑濺及/或液滴位置偏移以及防止氣體出現在已配置於基板上102之可聚合材料134中，尖端306(N)與基板102間所選之距離dts 可儘量小。噴嘴306(1)-306(N)通常可包括一範圍在10奈米至100微米的直徑。可以在大於約1KHz之頻率範圍並以接近100dpi至5000dpi或更高的解析度來噴出液滴。噴嘴306(N)之開口可以接近80微米或更小並具有約1微微升至約180微微升或更少的液滴體積。
如第4圖所述者，流體分配系統132可選擇地連接至一視覺系統402。視覺系統402可包含一顯微鏡404(如光學顯微鏡)以提供可聚合材料134放置在基板102上之影像406。顯微鏡404可受處理器154控制並進一步依儲存於記憶體156之電腦可讀取程式來運作。在壓印期間，可在周期性之時距內提供影像406。第4圖更進一步說明，流體分配系統132可包括一電源供應裝置408以提供接近施加電壓V至分配微滴。此外，流體分配系統132可藉由一或多個處理器以及一或多個儲存在記憶體之軟體產生程式來控制。譬如，流體分配系統132可藉由在記憶體156中存有軟體產生程式之處理器154來控制。應注意到，流體分配系統132可使用一外部處理器。
由於系統100周圍之氣流，分配自噴嘴系統304之可聚合材料134可能受蒸發作用的影響及/或當曝露於能量源138時受交聯或膠化作用影響(如第1圖所示)。蒸發作用可能堵塞噴嘴系統304因而產生不分配之尖端306(N)、較差之可聚合材料134放置方式、充填缺陷等等。譬如，第5圖說明具有多個尖端306(1)、306(2)、306(3)、306(4)以及306(5)以分配可聚合材料134之噴嘴系統304。經蒸發的可聚合材料134可能分別在接近尖端306(4)及306(5)處沉積殘餘物502(1)及502(2)。殘餘物502(1)及/或502(2)可能會干擾液滴的形成、干擾液滴的放置方式及1或污染將自尖端306(N)噴出之可聚合材料134。
如上所討論地，流體分配系統132可能包含單一個分配頭306或多個分配頭306(1)…306(N)。譬如，第6圖說明用於單一分配頭306及多個分配頭306(1)…306(N)之不同組態，包括單一組態602、雙縫組態604、雙交錯組態606以及矩陣組態608。
第7及第8圖分別說明一分配頭保護件702及一分配頭遮蓋件802以在壓印過程中用於減少噴嘴304周圍之氣流。分配頭保護件702及分配頭遮蓋件802可交替使用，使得當流體分配系統132正在使用時可將分配頭保護件702附加至流體分配系統132，並且在不使用流體分配系統132時移除分配頭保護件702並附加分配頭遮蓋件802。分配頭保護件702及分配頭遮蓋件802可用任何和可聚合材料134相容之材料來形成，諸如但不限於塑膠、鋁、不鏽鋼等等。分配頭保護件702及分配頭遮蓋件802可用任何實質不透射紫外光的材料來形成，諸如但不限於非透明塑膠、鋁等等。
如第7圖所示，分配頭保護件702可包含至少一基座704及一保護板706。基座704可讓保護板706附加至一支撐分配頭302的安裝托架708。可替代地，基座704可直接將保護板706附加至分配頭302。基座704可經設計而具有t3 之厚度，使得保護板706與噴嘴尖端306之間有一設置距離D1 。譬如，基座704可經設計而具有t3 之厚度，使得保護板706與噴嘴尖端306之間的距離D1 是在約250微米與約750微米之間。
如第8圖所示，分配頭保護件802可包含一基座804及一遮蓋板806。基座804可讓遮蓋板806附加至支撐分配頭302的安裝托架708。可替代地，基座804可直接將遮蓋板806附加至配頭302。基座804可經設計而具有t4 之厚度，使得遮蓋板806與噴嘴尖端306之間有一設置距離D2 。遮蓋板806在系統100的使用期間覆蓋噴嘴尖端306。譬如，但不限於，當系統100閒置二十四小時遮蓋板806可覆蓋噴嘴尖端306。
保護板706容許可聚合材料134微滴通過到達基板102，同時亦能減少氣流及/或阻擋在噴嘴系統304周圍的能量140。如第9圖所示者，保護板706可包含一具有寬度w及長度1之開口902，其之尺寸大小係能在系統100的使用期間容納噴嘴尖端306以提供可聚合材料134。雖然僅顯示一個開口902，但應瞭解到保護板706可具有任何數量之開口。
第10及第11圖分別說明用於減少氣流及/或阻擋能量140之防護擋塊1002及1102。特別地，第10圖說明附加至流體分配系統132之防護擋塊1002。在一實施態樣中，防護擋塊1002可藉由安裝托架708、分配頭302或兩者之組合上的一黏著劑而附加至流體分配系統132。可替代地，防護擋塊1002可一體成形至流體分配系統132，如此使得在壓印過程中防護擋塊1002與基板102之間有一距離D3 。距離D3 可用於實質阻擋能量140(如第1圖所示)卻不會使防護擋塊1002與基板102接觸。譬如，但非限制地，防護擋塊1002可放置在約750微米之D3 距離。
如第11圖所示，在防護擋塊1002並未附加至流體分配系統132下，防護擋塊1002可提供氣流之改向並阻擋能量140(如第1圖所示)。在一實施態樣中，防護擋塊1102可附加至平臺106。可替代地，防護擋塊1102可附加至墊塊104、壓印過程之一橋接件及/或一氦裙板。
第12圖說明具有一入口埠1202及一出口埠1204之分配頭302，其中該出口埠1204可連接至一廢料處理系統1206以收集並評估氣體。可聚合材料134流經入口埠1202並穿過通道1208以自噴嘴尖端306噴出。分配頭302內或在噴嘴尖端306之氣體可能會干擾穿過通道1208及/或噴嘴尖端306之可聚合材料134的傳遞。具有藉由通道1210而連接至廢料處理系統1206的出口埠1204可提供收集並評估氣體的機制。
如第13圖所示，可使用安裝硬體1302來安裝單個或多個分配頭302。如第14圖所述地，在一實施態樣中，安裝硬體1302可在多個分配頭302之間用於θ(theta)動作1402、滾動動作1404以及傾斜動作1406的調整。或者，亦可使用別種配置的安裝硬體1302。
第15-20圖說明用來提供流體至分配頭302之例示的流體輸送系統100。如圖所示者，流體輸送系統1500通常可包括一或多個流體供應貯存器1502以提供流體至分配頭302與一或多個流體返回貯存器1504以接收來自分配頭302之流體。貯存器1502及/或1504可約為150毫升。此外，貯存器1502及/或1504可包括三埠：入口埠1506、出口埠1508以及排放埠1510。入口埠1506可接收流體、出口埠1506可提供流體並且排放埠1510可經設置以調節貯存器1502及/或1504內之壓力。貯存器1502及/或1504可包括位準感測器以用於在貯存器1502及/或1504內維持一預定量之流體。此外，輸送系統100可包括與貯存器1502及/或1504流體相通之一回充貯存器1512。
貯存器1502及/或1504可用實質無離子的材料製得。譬如，貯存器1502及/或1504可以鐵氟龍、FET及/或等等來製得。所選出用於貯存器1502及/或1504之材料可有以下等級：等於或少於10ppb(半導體等級)及/或等於或少於25ppL(電子等級)。
流體可穿過管線、閥門、固定裝置等等而輸送於貯存器1502及/或1504與分配頭302之間。管線、閥門及固定裝置可用類似於貯存器1502及/或1504之材料製得。管線可隔絕振動使得流體的流動不被中斷。譬如，管線可固鎖在輸送系統1500中。
輸送系統1500可包括過濾裝置1514。過濾裝置1514可放置在有固定裝置及閥門連接點、在貯存器1502及/或1504可接收流體之處以及在貯存器1502及/或1504可提供流體之處。過濾裝置1514的放置方式可經設計以在設有固定裝置及/或連接點以將流體引導至分配頭302之處用來減少粒子及/或減少離子。一種例示之過濾裝置1514網或孔的尺寸係趨近於45微米。
輸送系統1500可包括排氣裝置以用於移除未溶解之氣體。藉由排氣裝置來移除氣體可減少在分配頭302中產生氣泡及/或減少被分配頭302分配之氣體，因為這些可能會在壓印過程中造成缺陷。通常來說，排氣裝置可位在貯存器1502及/或1504與分配頭302之間。此外，管線可包括氣泡感測器以用於辨別氣囊。譬如，氣泡感測器可以是電容性感測器、雷射感測器及/或等等。
輸送系統1500可包括成排的歧管2002。歧管2002可提供自貯存器1502及/或1504至分配頭302之流體發送。
第21-23圖說明藉由輸送系統1500來提供流體至分配頭302之方法。譬如，第21圖說明藉由重力自流技術來輸送流體。使用重力自流技術時，流體藉由表面張力而流至分配頭302。貯存器1502及/或1504可位於分配系統304之平面P1 下方，因此可在分配系統304之平面P1 與貯存器1502及/或1504之平面P2 之間提供一距離d1 。
第22圖說明藉由主動流動法來輸送流體。譬如，真空裝置2302可提供一力以將流體輸送至分配頭302。如此一來，貯存器1502及/或1504之平面P2 可位於平面P1 之上。第23圖說明主動流動法之另一示例。在此例中，可使用一具有位準感測器2404之頂槽2402。頂槽2402可有一滿位準L1 及一低位準L2 。當流體自頂槽2402輸送至分配頭302時，位準感測器2404可判定頂槽2402之位準。若位準感測器指出頂槽係在低位準L2 ，則泵2406可自貯存器1502及/或1504提供流體以將頂槽2402充填至位準L1 。此外，可將第二泵放置在出口埠1508之返回供應線上以助於將流體自分配頭302輸送至貯存器1502、1504、2402及/或1512。泵可用諸如鐵氟龍等無離子材料建來建構。泵可經建構使得當啟動時能限制粒子的產生。
第24圖係一流程圖，其說明一種用於分配可聚合材料134之微滴以避免噴嘴系統304堵塞之方法2500。在步驟2502中，可決定一可聚合材料134之液滴圖案。液滴圖案可構建任何數量之可聚合材料134液滴於任何最初的圖案中。在一實施態樣中，液滴圖案可由一百滴可聚合材料134所組成。在步驟2504中，可決定自流體分配系統132分配液滴圖案的時距。該時距可以是一段壓印過程閒置的時距。在一實施態樣中，壓印過程100可閒置三分鐘並運作三十分鐘。分配液滴圖案之時距可在該三分鐘的閒置時間內。在步驟2506中，噴嘴系統可根據該時距的液滴圖案來分配可聚合材料134之液滴。在步驟2508中，可藉由一處理系統來收集可聚合材料134之液滴。處理系統可包括但不限於廢料容器、真空系統等等。
如前所述地，可聚合材料134通過分配頭302並自噴嘴系統304之噴嘴尖端306噴出。分配頭302內或噴嘴尖端306處之氣體可能會干擾可聚合材料134傳遞通過分配頭302。
第25圖係一流程圖，其說明一種使用第12圖中連接至廢料處理系統1208之流體分配系統132來收集並評估氣體的方法。在步驟2602中，可聚合材料134可經設定以流過入口埠1202。通過入口埠1202之流速可以是能使得少量之可聚合材料134通過噴嘴尖端306流出及可通過出口埠1204流出以到達廢料處理系統1206。在一實施態樣中，可聚合材料134可經設定以藉由上至3巴(bars)的壓力流過入口埠1202。在步驟2604中，可使用一氣泡感測器來評估可聚合材料134。或者，可藉由使用者來評估可聚合材料134。在步驟2606中，當無實質氣體以少於約每秒一個氣泡且不大於約20毫升/秒的流速從通道1210離開廢料處理系統1206時則可關閉出口埠1204。在步驟2608中，可聚合材料134可經設定以持續地流過入口埠1202。在一實施態樣中，通過入口埠1202的流速可設定成不大於3巴之壓力。在步驟2610中，可擦拭噴嘴系統304之噴嘴尖端306。在一實施態樣中，可使用一多針織布來擦拭噴嘴尖端306。或者，可使用一真空管來擦拭噴嘴尖端306。
第26圖係一流程圖，其說明一種沖洗流體分配系統132的例示方法2700。在步驟2702中，可蓋住流體分配系統132之出口埠1204。在步驟2704中，可設定可聚合材料134通過入口埠1202之流速。可設定可聚合材料134之流速使得在可聚合材料134中不會產生紊流。在一實施態樣中，可聚合材料134之流速可依據一不超過3巴之壓力。
100、1500．．．輸送系統
102．．．基板
104．．．墊塊
106．．．平臺
108．．．樣板
120．．．階台
122．．．圖形化表面
124、208．．．凹部
126、206．．．凸部
128．．．墊塊
130．．．壓印頭
132．．．流體分配系統
134．．．可聚合材料
138．．．源
140．．．能量
142．．．路徑
144．．．表面
154．．．處理器
156．．．記憶體
202．．．經圖形化之覆層
204．．．殘留層
302．．．分配頭
304．．．噴嘴系統
306．．．尖端
308‧‧‧分配軸
402‧‧‧視覺系統
404‧‧‧顯微鏡
406‧‧‧影像
408‧‧‧電源供應裝置
502‧‧‧殘餘物
602‧‧‧單一組態
604‧‧‧雙縫組態
606‧‧‧雙交錯組態
608‧‧‧矩陣組態
702‧‧‧分配頭保護件
704、804‧‧‧基座
706‧‧‧保護板
708‧‧‧安裝托架
802‧‧‧分配頭遮蓋件
806‧‧‧遮蓋板
902‧‧‧開口
1002、1102‧‧‧防護擋塊
1202‧‧‧入口埠
1204‧‧‧出口埠
1206‧‧‧廢料處理系統
1208、1210‧‧‧通道
1302‧‧‧安裝硬體
1402‧‧‧θ(theta)動作
1404‧‧‧滾動動作
1406‧‧‧傾斜動作
1502、1504‧‧‧貯存器
1506‧‧‧入口埠
1508‧‧‧出口埠
1510‧‧‧排放埠
1512‧‧‧回充貯存器
1514‧‧‧過濾裝置
2302‧‧‧真空裝置
2402‧‧‧頂槽
2404‧‧‧位準感測器
2406‧‧‧泵
2500、2600、2700‧‧‧方法
2402-2508‧‧‧步驟
2602-2608‧‧‧步驟
2702-2704‧‧‧步驟
第1圖為根據本發明之一實施例之一微影系統的簡化側面圖。
第2圖為第1圖之基板的簡化側面圖，其中該基板上具有一圖形層。
第3圖為一種能分配微滴至一基板上之流體分配系統的簡化側面圖。
第4圖為一種例示之流體分配系統的簡化側面圖。
第5圖為一種自第4圖之流體分配系統尖端噴出之液滴的簡化側面圖。
第6圖所說明者為用於第4圖之流體分配系統之分配頭的例示配置方式。
第7圖為一種例示之分配頭保護裝置，其用於保護第4圖之流體分配系統之一尖端。
第8圖為一種例示之分配頭帽蓋裝置，其用於保護第4圖之流體分配系統之一尖端。
第9圖進一步說明第7圖中用於保護流體分配系統之一尖端之例示的分配頭保護裝置。
第10圖為一例示之防護擋塊之簡化側面圖，其中該防護擋塊係定位在相鄰於第4圖之流體分配系統處。
第11圖為一例示之防護擋塊之簡化側面圖，其中該防護擋塊係定位在一平臺上。
第12圖為一例示之分配系統之簡化剖面圖，其中該分配系統係連接至一例示之廢料處理系統。
第13圖說明用於分配頭之例示的安裝硬體。
第14圖說明一分配頭之例示的移動。
第15-20圖說明用於一流體分配系統之例示輸送系統。
第21-23圖說明藉由一輸送系統以提供流體至一分配頭之例示方法。
第24圖係一流程圖，其說明一種用於分配可聚合材料之微滴以避免堵塞一噴嘴系統之例示方法。
第25圖係一流程圖，其說明一種用於收集並評估來自一流體分配系統之氣體的例示方法。
第26圖係一流程圖，其說明一種用於沖洗流體分配系統之例示方法。
100．．．輸送系統
102．．．基板
104．．．墊塊
106．．．平臺
108．．．樣板
120．．．階台
122．．．圖形化表面
124．．．凹部
126．．．凸部
128．．．墊塊
130．．．壓印頭
132．．．流體分配系統
134．．．可聚合材料
138．．．源
140．．．能量
142．．．路徑
144．．．表面
154．．．處理器
156．．．記憶體

Claims (10)

  1. 一種用於分配可聚合材料之系統，其包含：一或多個分配頭，其使該可聚合材料通過該系統送至一基板；耦合至各個該一或多個分配頭之一噴嘴系統，其中各噴嘴系統包含一噴嘴尖端；耦合至各個該一或多個分配頭之一分配頭保護件及一分配頭遮蓋件；以及一整合之防護擋塊，使得在一壓印過程中該整合之防護擋塊與該基板之間有一距離D。
  2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該分配頭保護件及該分配頭遮蓋件包含一對於紫外光呈實質不可透射之材料。
  3. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該分配頭保護件包含至少一基座及至少一保護板，其中該基座具有一厚度T3 使得該保護板與該噴嘴尖端之間有一範圍約250微米至約750微米的距離D1 。
  4. 如申請專利範圍第3項之系統，其中該保護板包含一開口，其允許該可聚合材料通過以到達該基板。
  5. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該距離D係約750微米。
  6. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該噴嘴尖端包含：一直徑，其範圍係在約10奈米至約100微米；一液滴體積，其範圍在約1毫微微升(femtoliter)至約180微微升(picoliter)。
  7. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該可聚合材料具有不少於1千赫茲之液滴噴出速率、並具有每英吋約100點(DPI)至約5000DPI之解析度。
  8. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該一或多個分配頭係組配成一單一分配頭、一雙縫組態、一雙交錯組態或一矩陣組態。
  9. 如申請專利範圍第1項之系統，更包含一或多個安裝硬體，其能使該一或多個分配頭作出θ(theta)動作、滾動(roll)動作或傾斜(pitch)動作。
  10. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該系統係由至少一儲存在電腦可讀取媒體內之程式與一或多個處理器來控制。
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