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TWI460765B - 固態浸沒透鏡微影術 - Google Patents

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TWI460765B
TWI460765B TW094131774A TW94131774A TWI460765B TW I460765 B TWI460765 B TW I460765B TW 094131774 A TW094131774 A TW 094131774A TW 94131774 A TW94131774 A TW 94131774A TW I460765 B TWI460765 B TW I460765B
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TW
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solid immersion
immersion lens
resist film
lens array
lens
Prior art date
Application number
TW094131774A
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English (en)
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TW200618062A (en
Inventor
Rama R Goruganthu
Michael R Bruce
Original Assignee
Globalfoundries Us Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Globalfoundries Us Inc filed Critical Globalfoundries Us Inc
Publication of TW200618062A publication Critical patent/TW200618062A/zh
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Publication of TWI460765B publication Critical patent/TWI460765B/zh

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description

固態浸沒透鏡微影術
本發明大體而言係關於半導體製程，更詳盡地來說，係關於結構之微影圖案成形(lithographic patterning)之方法與裝置。
現今積體電路之製造，需要於半導體晶圓(wafer)上圖案化數百萬種不一樣類型的區域，像是局部互連溝渠(local interconnect trenches)、總體金屬化層(global metallization layers)、電晶體閘極等。如此多種微小結構之製造係藉由使用微影製程而成為可能。在光蝕刻微影製程(photolithography processing)中，經常是使用旋轉塗佈法(spin－coating)將光阻劑材料層塗佈在晶圓上。接著，再使該光阻劑層曝露於光化輻射光源(actinic radiation source)，例如深紫外光(“DUV”)。DUV輻射會先通過光罩(mask或reticle)，該光罩係選擇性地使部份DUV輻射穿透過，同時阻擋其他部份DUV輻射穿透過，致使只有光阻劑之預先選擇區域曝露於該輻射。輻射穿透過光罩，然後在到達(striking)光阻劑層之前通過一個或多個縮影透鏡(reduction lens)。輻射改變光阻劑的化學性質，使光阻劑在後來的溶劑步驟中成為可溶或不可溶，其係取決於該阻劑為負型光阻或正型光阻。然後將阻劑曝露於顯影溶劑(developer solvent)，使該阻劑顯影。在顯影步驟後，光阻劑餘留的地方會遮蔽和保護其所覆蓋的基板區域。
其中，顯影影像的品質和最小特徵尺寸乃取決於曝光輻射的波長、縮影透鏡的聚焦能力、以及阻劑和阻劑下面之薄膜的光學性質。曝光輻射的波長在過去已稍受限於照射光源需要在比較窄的帶寬(bandwidth)上產生比較高強度的輻射。更具能力的縮影透鏡有助於使成像達到繞射極限(diffraction limit)。然而，對於縮影透鏡的改良，仍然有其物理極限。
有些人曾經提出利用固態浸沒透鏡使微電路結構成像。於該概念的一種變化形式中，係將單一個具有較高折射率(refractive index)的固態浸沒透鏡置於物鏡和待成像結構中間。將固態浸沒透鏡置於適合位置，從物鏡穿透的光就會聚焦在固態浸沒透鏡而不是空氣或一些其他介質。因為光是聚焦在折射率較高的固態浸沒透鏡，所以會由於的有效波長降低而致使成像系統的有效數值孔徑(numerical apeture)連帶增加。另一種習知的成像系統則是採用固態浸沒透鏡之陣列從接受檢驗之裝置去成像拉曼散射(Ramman scattering)。無論是單一或陣列排列，可以知道在背景敘述中習知之固態浸沒透鏡都是用在成像，而不是用在微影術。
本發明係應用於克服或減少一個或多個上述的缺點。
根據本發明之一實施態樣提供一種裝置，該裝置包含具有第一面和第二面之抗蝕膜，其中該第二面為第一面之相對面。將一個或多個固態浸沒透鏡設置於該抗蝕膜的第一面上。
根據本發明之另一實施態樣提供一種裝置，該裝置包含曝光光罩、照射該曝光光罩之輻射光源、位於該曝光光罩下之一個或多個固態浸沒透鏡，以使穿透過曝光光罩之輻射聚焦，以及用於支撐該一個或多個固態浸沒透鏡之元件。
根據本發明之另一實施態樣提供一種裝置，該裝置包含電路裝置、位在該電路裝置上之抗蝕膜、位在該抗蝕膜上之曝光光罩、以及照射該曝光光罩之輻射光源。將一個或多個固態浸沒透鏡設置於該曝光光罩和該抗蝕膜間之，以使穿透過曝光光罩之輻射聚焦於抗蝕膜上。提供用於支撐該一個或多個固態浸沒透鏡之元件。
根據本發明之另一實施態樣提供一種裝置，該裝置包含電路裝置、位在該電路裝置上之抗蝕膜、位在該抗蝕膜上之曝光光罩、以及照射曝光光罩之輻射光源。固態浸沒透鏡之陣列係結合至抗蝕膜，以使穿透過曝光光罩之輻射聚焦於抗蝕膜。提供用於支撐電路裝置之元件。
根據本發明之另一實施態樣，提供一種製造方法，該方法包含形成抗蝕膜以及利用穿透過一個或多個固態浸沒透鏡之輻射使該抗蝕膜曝光。
根據本發明之另一實施態樣提供一種製造方法，該方法包含形成抗蝕膜以及在該抗蝕膜上形成一個或多個固態浸沒透鏡。
根據本發明之另一實施態樣，提供一種光罩，該光罩包含可穿透電磁輻射的薄板。該薄板包含至少一個固態浸沒透鏡。將不透光薄膜設置於該薄板上。該不透光薄膜可以允許電磁輻射穿透過至少一個固態浸沒透鏡，但是防止電磁輻射穿透過至少一部份之薄板。
根據本發明之另一實施態樣，提供一種裝置，該裝置包含電磁輻射光源以及使電磁輻射之選擇部份通過的光罩。該光罩包含可以穿透電磁輻射的薄板。該薄板包含至少一個固態浸沒透鏡以及在該薄板上的不透光薄膜。該不透光薄膜可以允許電磁輻射穿透過至少一個固態浸沒透鏡，但是防止電磁輻射穿透過至少一部份之薄板。
根據本發明之另一實施態樣，提供一種裝置，該裝置包含電路裝置、位在該電路裝置上之抗蝕膜、電磁輻射光源、以及位在該電磁輻射光源和該抗蝕膜之間之光罩，以使電磁輻射之選擇部份通過到抗蝕膜。該光罩包含可以穿透電磁輻射的薄板。該薄板包含至少一個固態浸沒透鏡以及在該薄板上的不透光薄膜。該不透光薄膜可以允許電磁輻射穿透過至少一個固態浸沒透鏡，但是防止電磁輻射穿透過至少一部份之薄板。
根據本發明之另一實施態樣提供一種製造方法，該方法包含形成抗蝕膜以及利用穿透過光罩之輻射使該抗蝕膜曝光，而該光罩包含有可穿透電磁輻射的薄板。該薄板包含至少一個固態浸沒透鏡以及在該薄板上的不透光薄膜。該不透光薄膜可以允許電磁輻射穿透過至少一個固態浸沒透鏡的穿透，但是防止電磁輻射穿透過至少一部份之薄板。
提供一種製造方法，該方法包含在可以穿透電磁輻射的薄板上形成至少一個固態浸沒透鏡，以及在薄板上形成不透光薄膜。該不透光薄膜可以允許電磁輻射穿透過至少一個固態浸沒透鏡，但是防止電磁輻射穿透過至少一部份之薄板。
在下述圖式中，若相同元件出現於一個以上之圖式中，則通常會重複其元件符號。現在參照圖式，特別是第1圖，圖中顯示例示之習知固態浸沒透鏡(“SIL”)顯微鏡10之側面示意圖，該固態浸沒透鏡顯微鏡10係用於成像積體電路12。積體電路12係由封裝體(package)14和積體電路晶片16所組成。該顯微鏡10包含可以傳送入射光20到反射鏡或分光鏡22之照射光源18。入射光20通過物鏡24和下方之固態浸沒透鏡26。固態浸沒透鏡26使入射光20聚焦到特定位置或晶片16上之視界(field of view)。反射光28往回穿過固態浸沒透鏡26、物鏡24、和分光鏡22，再傳送到目鏡(eye piece)30或相機32或兩者。在該習知系統中，固態浸沒透鏡26在成像期間係典型地直接被固定在積體電路晶片16之上表面。除了掃描橫越晶片16，SIL26和其下面的晶片16之間會有相對的移動。
另外一個習知之SIL顯微鏡系統10’顯示於第2圖，其可使由晶片16和封裝體14組成之積體電路成像。如第1圖所述，習知之SIL顯微鏡10’包含傳送入射光之照射光源18、鏡子22、物鏡24、和接收反射光28之目鏡30或相機32。然而，固態浸沒透鏡26’本身則直接放置在積體電路晶片16上。該透鏡26’典型為在積體電路晶片16成像後移除。
第3圖係根據本發明之微影系統34之例示實施例的側面示意圖，該系統利用固態浸沒透鏡陣列36使入射光38聚焦到抗蝕膜40的選擇部份。該抗蝕膜40係形成在電路裝置42上面。電路裝置42可為在任何製造階段之積體電路或其他類型之電路裝置。舉例來說，電路裝置42可為用在半導體塊材例如矽中、或用在絕緣半導體(semiconductor－on－insulator)基材中的積體電路。系統34包含可產生同調(coherent)或不同調(incoherent)光之照射光源44。準直透鏡(collimating lens)45可置於光源44之光學輸出處(optical output)。可提供鏡子46去控制入射光38之路徑。將物鏡48置於SIL陣列36上面。將曝光光罩(mask或reticle)49置於準直透鏡45之輸出側和放射光38之路徑上。SIL陣列36由可移動平台50所支撐，該平台50可以提供在SIL陣列36和下方之抗蝕膜40之間的相對性橫向移動。或者，該相對性移動可藉由下述方式提供：移動積體電路42而不移動SIL陣列36，或除了移動SIL陣列36外亦移動積體電路42。平台50的移動和照射光源44可以由控制器52所控制，該控制器可以為電腦、微處理器、或其他控制系統。
另外可以參照第4圖而對SIL陣列36有更詳盡的了解，第4圖係SIL陣列36、抗蝕膜40和積體電路42之分解示意圖。SIL陣列36由基板54所構成，基板上面形成複數個SILS 56。製造基板54和透鏡56的材料較佳為具有與下面的抗蝕膜的折射率n實質上相同的折射率，藉此可降低或排除與各介面間的折射有關的不利結果。基板54之尺寸為設計考量上之重要關鍵。在例示之具體實施例中，基板54的長乘寬可分別為大約18毫米×18毫米，以及厚度大約為5×105 到6×105 奈米。
透鏡56可以為球狀的，或是比實際球狀構形還小或大的某形體。事實上，各個透鏡56的精確幾何形狀可依照抗蝕膜40的光學需要而大幅改變。在例示之具體實施例中，該透鏡具有半徑為約2×105 到3×105 奈米之半球形表面。透鏡56係排列成陣列，該陣列之幾何形狀為設計考量上之重要關鍵。就這一點而言，透鏡56可於“Y”方向以間距Py 以及於“X”方向以間距Px 隔開。各間距Py 和Px 可以相等或不相等。雖然描繪了複數個透鏡56，但預期可使用一個或多個透鏡56。
每個透鏡56會於下面的抗蝕膜40上顯現出視界(field of view)60。視界60的尺寸取決於透鏡56之幾何形狀、其組成成分以及其他因素如陣列36和抗蝕膜40之間的間隔以及入射光38的波長。
如上述，SIL陣列36可以有多種的幾何形狀。第5圖和第6圖敘述兩種可能的陣列結構之平面圖。第5圖顯示以矩形陣列方式在基板54上排列透鏡56之陣列36。第6圖說明以六角形圖案(pattern)在基板54上排列透鏡56之陣列36’。這兩個具體實施例僅代表透鏡56在基板54上之多種排列方式的其中兩種。事實上，設想在陣列中並不需要提供透鏡裝置或陣列36給透鏡56。就這一點而論，則可以將複數個透鏡56置於基板54上的特定位置，而不需要為幾何陣列或其他形式。
現在開始看第7圖，其為第4圖取7－7斷面之剖面圖，但並沒有將陣列36自抗蝕膜40或下面之積體電路42分開。為了簡化說明，只有描述照射光源44，而不去描述控制器52、鏡子46、和物鏡48。如上文中第3圖之說明所述，透鏡裝置36較佳係設置為儘可能地接近抗蝕膜40的上表面。精確的間隔為設計考量上之重要關鍵。如果間隔約為λ/10，則預計將獲得良好的結果，其中，λ為曝光輻射38的波長。將光罩49放在適當位置，使從照射光源44發射的入射光38穿過在光罩49上的一個或多個開孔62。接著再藉由透鏡裝置36的一個或多個透鏡56使入射光38聚焦，而在抗蝕膜40上產生複數個曝光區域64，但在圖上只顯示其中一個。視需要，可在透鏡裝置36之透鏡56之上表面形成頂部抗反射塗層(top anti－reflective coating)66。第一次曝光之後，可將透鏡裝置36以相對於下面的抗蝕膜40之“X”方向或“Y”方向(參考第4圖)位移，為使抗蝕膜上感興趣的所有區域充分曝光，可以執行第二次曝光甚至第三次或第四次曝光。
如上面所述，透鏡裝置36較佳係製造為和下面的抗蝕膜40的折射率實質上一樣。舉例來說，例示之材料包括，矽、鍺、氰基－丙烯酸系(cyano－acrylic)薄膜、聚碳酸酯(polycarbonate)薄膜、聚甲基丙烯酸酯(poly－methyl－acrylate)、各種玻璃、矽氧化物(silicon)、氮化矽(silcon nitride)等等。在攝氏溫度約0度到150度的溫度範圍內，期望基板54展現熱穩定性。透鏡56可藉由使基板54經過熟知的Bosch蝕刻技術、離子束銑切(ionbeam milling)、或其他微影技術而製造。預期浮雕法(embossing)也為用於製造透鏡56之技術。
頂部抗反射塗層66可以由多種適合該薄膜的材料製造，舉例來說，如氟化鎂、氟化鉛、一氧化矽等。頂部抗反射塗層66可具有約λ/4的厚度。光罩49可以為習知的光罩類型，或者視需要，也可以為相位移光罩(phase shifting mask)。
根據本發明之另一例示實施例，透鏡裝置36可以直接形成在下面的抗蝕膜之上。現在看到第8圖，其為將抗蝕膜40置於下面的積體電路42之上之剖面示意圖。抗蝕膜40可使用熟知用於阻劑塗佈和烘烤的材料以及技術製造。也可以使用對各種曝光波長具有光化敏感性之正型光阻和負型光阻。也可以使用旋轉塗佈或其他熟知的塗覆技術。為了克服該欲塗覆抗蝕膜40之表面的表面能量，可視需要在施加抗蝕膜40之前進行溶劑預濕(solvent pre－wet)處理。可以使用各種熟知的溶劑預濕之溶劑。舉例來說，可在欲塗覆膜40之表面上施用乳酸乙酯(ethyl－lactate)和4－甲基－2－戊酮(4－methyl－2－pentanone)的混合物，並使該混合物在高轉速如約5,000至10,000rpm下旋轉分佈開。當預濕溶劑從薄膜電路裝置42蒸發時，則使用前述技術施加抗蝕膜40。在阻劑塗佈之後，執行一次或多次的烘烤處理。在例示之具體實施例中，該阻膜40係於大氣壓力下加熱至約攝氏90度到110度，約45秒到300秒。
現在參考第9圖，將薄膜68施加至抗蝕膜40。經過後序處理，薄膜68將轉變成透鏡裝置，以下會有更完整的敘述。如其他所揭示的具體實施例，該最終將製造出透鏡裝置的薄膜68可以由多種材料形成，該等材料之折射率與下面之抗蝕膜40的折射率大約相同。舉例來說，薄膜68亦可由和下面的抗蝕膜40相同類型的阻劑材料製造，雖然，沒有任何的光活性化合物在其中。
現在參考第10圖，將薄膜68加工以形成透鏡56’。透鏡56’可藉由浮雕該薄膜68或藉由其他熟知的微影技術，如離子束銑切、雷射剝離法(laser ablation)、蝕刻(etching)等而形成。當透鏡56’形成，可視需要如第7圖所述施加頂部抗反射塗層66，然後可進行如第7圖或本文別處所述之曝光處理。曝光之後，可藉由熟知的灰化(ashing)、溶劑剝離法(solvent stripping)或兩者之結合等移除該透鏡裝置36’和下面的抗蝕膜40。透鏡裝置36’的移除處理當然是取決於其製造所選擇的特定材料。
經由參考第11圖和第12圖，可以了解依據本發明之另一個例示具體實施例。該例示之具體實施例結合一個以上的固態浸沒透鏡和微影光罩。第11圖描述在薄板或基板78上合併一種或多種固態浸沒透鏡74、75、和76的微影光罩72之平面示意圖。薄板78可以由本文別處所敘述的材料類型來製造。其他可行的材料包含鈉鈣玻璃(soda－lime glass)、硼矽酸玻璃(borosilicate glass)、石英等等。薄板78之至少一部份係由不透光薄膜80所覆蓋，使得入射電磁輻射可以穿過該一種或多種透鏡74、75和76而不穿過不透光薄膜80。該不透光薄膜80可以由各種材料製造，舉例來說，如乳劑、鉻、氧化鐵等等。
固態浸沒透鏡74，75和76可以有多種形狀，但較佳為根據電路裝置中所欲印出的圖案塑形。在大部份情況下，透鏡74、75和76的形狀與積體電路中圖案化之電晶體結構、互連線路和其他結構所欲之形狀相符。因此，雖然透鏡74經描繪為適於圖案化之細長結構，例如積體電路中之導線，透鏡75經描繪為彎頭形狀，以及透鏡76經描繪為球狀，但實際上是可以使用任何形狀。
現在參考第12圖，其為取第11圖之12－12斷面之剖面示意圖。除了描述光罩72之外，第12圖也顯示本文別處所述的電磁輻射光源44、電路裝置42和抗蝕膜40。而描述於第3圖之其他類型的光學元件，諸如鏡子和準直透鏡，在第12圖則省略以簡化圖式。光罩72係設置於輻射光源44和抗蝕膜40之間。固態浸沒透鏡74和76傳送來自光源44之輻射38並使之於抗蝕膜40上聚焦為選定之圖案該圖案之曝光形狀係由透鏡74和76的形狀以及不透光薄膜80的面積範圍所決定。為了在抗蝕膜40之曝光區域間獲得所欲之間隔，可視需要在連續曝光之間使光罩72相對於抗蝕膜40轉移而進行多重曝光。可視需要在曝光之後使用另一種光罩(圖中未顯示)，該光罩可以合併有固態浸沒透鏡，也可以不合併有固態浸沒透鏡。曝光之後，可使用熟知的阻劑顯影技術使抗蝕膜40顯影。
根據本發明之製造光罩72的例示方法，可藉由參考第13、14和15圖而有所了解。第13圖係描述在薄板78上界定出一個或多個固態浸沒透鏡74後之光罩72的剖面圖。透鏡74的製造可以使用多種熟知的圖案化技術，舉例來說，如離子束銑切、直接或非直接蝕刻、浮雕法等等。在例示之具體實施例中，可適當地遮蔽和蝕刻薄板78以界定出固態浸沒透鏡74。然後，如第14圖所示，可將前面所述之不透光薄膜80形成於透鏡74上以及薄板78所欲之其他區域上。不透光薄膜80之沉積(deposition)或形成(formation)可以利用濺鍍法(sputter deposition)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition)或其他熟知的薄膜沉積技術。如第15圖所示，於不透光薄膜80成形之後，在該不透光薄膜80上圖案化(pattern)另一個光罩82，以便使固態浸沒透鏡74上之不透光薄膜80之區域曝光。然後，以濕式蝕刻、乾式蝕刻、電子束蝕刻(e－beam etching)等方式移除不透光薄膜80之未遮蔽區域以曝光該固態浸沒透鏡74，藉以完成光罩72，通常如第11圖和第12圖所示。在例示之具體實施例中，鉻不透光薄膜80可以藉由使用飽和之Ce(SO4 )2 溶液和濃縮之HNO3 溶液以約9：1的比例進行濕式蝕刻而圖案化。
第13、14和15圖所顯示以及上文所說明之製造方法為減成法(subtractive process)，其中，描繪於彼等圖式中之固態浸沒透境74係利用從下面的基板或薄板78移除材料而製造。在另一例示之具體實施例中，可使用加成法(additive process)製造光罩，該光罩合併有一個或多個固態浸沒透鏡。現在參考第16、17、18和19圖。如第16圖所示，基板或薄板84係如本文他處所說明，塗佈有不透光薄膜80。薄板84可藉由使用與其他圖所示以及敘述於本文他處的薄板78相同的材料製造。此時，將適當的光罩82圖案化於不透光薄膜80上，其圖案通常與後來所形成之固態浸沒透境的配置相符。光罩82提供蝕刻光罩的雙重作用：(1)用於蝕刻移除不透光薄膜80之各個部份；和(2)用於後來的材料沉積步驟。如第17圖所示，不透光薄膜80之未遮蓋部分係經由蝕刻、雷射剝離法、離子束銑切等方式移除。
現在參考第18圖，在下面的薄板84的曝露區域87之上沉積薄膜86。經過後序處理，薄膜86將被圖案化而轉變成設置於下面的薄板84上的一個或多個固態浸沒透鏡。因此，使用和下面的薄板84相同種類的材料是有利於製造薄膜86。當然，期望薄膜86所選擇的材料的折射率不只相近於下面的薄板84，也要與藉助於光罩72所圖案化之任何阻劑層很相近。例示的材料包括，舉例來說，旋塗式玻璃(spin－on－glass)、各種聚合材料、電漿輔助化學氣相沉積氧化物(Plasma enhanced chemical vapor deposition oxide)等等。沉積之後，如第19圖所示，於薄膜86上進行材料移除處理而形成一個或多個固態浸沒透鏡88。此步驟可以利用蝕刻、雷射剝離法、離子束銑切等方式完成。先前用作為蝕刻不透光薄膜80之蝕刻光罩的光罩82，也可以用作為圖案化該固態浸沒透鏡88之合適光罩。於固態浸沒透鏡88圖案化後，光罩82可以經由熟知的灰化法、溶劑剝離法、兩者之結合等方法去除。
雖然本發明可以有各種修改以及替代形式，但本文已由圖示範例方式顯示並詳細敘述特定的具體實施例。然而，須明白本發明並不只侷限於所揭示之特定形式。更明確言之，本發明涵蓋了所有落於本發明之精神和範疇內的修飾、等效以及替代物，其中，本發明之精神與範疇係如下列附加之專利申請範圍所定義。
10,10’．．．固態浸沒透鏡顯微鏡
12．．．積體電路
14．．．封裝體
16．．．積體電路晶片
18．．．照射光源
20．．．入射光
22．．．反射鏡或分光鏡
24．．．物鏡
26,26’．．．固態浸沒透鏡
28．．．反射光
30．．．目鏡
32．．．相機
36,36’．．．固態浸沒透鏡陣列
38．．．入射光,曝光輻射
40．．．抗蝕膜
42．．．電路裝置,積體電路
44．．．照射光源,電磁輻射光源
45．．．準直透鏡
46．．．鏡子
48．．．物鏡
49．．．光罩
50．．．平台
52．．．控制器
54．．．基板
56,56’．．．固態浸沒透鏡
60．．．視界
62．．．開孔
64．．．曝光區域
66．．．頂部抗反射塗層
68．．．薄膜
72．．．光罩
74．．．固態浸沒透鏡
75．．．固態浸沒透鏡
76．．．固態浸沒透鏡
78．．．薄板或基板
80．．．不透光薄膜
82．．．光罩
84．．．薄板或基板
86．．．薄膜
87．．．曝光區域
88．．．固態浸沒透鏡
經由閱讀以下詳細說明和配合其參考圖示，將對上面所述和本發明之其他優點有更清楚的了解，其中：第1圖係例示之習知固態浸沒透鏡(“SIL”)顯微鏡之側面示意圖；第2圖係另一個例示之習知SIL顯微鏡之側面示意圖；第3圖係依據本發明利用固態浸沒透鏡之微影系統之例示具體實施例之側面示意圖；第4圖係依據本發明之第3圖之部份分解示意圖；第5圖係根據本發明之例示固態浸沒透鏡陣列之平面示意圖；第6圖係依據本發明之另一例示固態浸沒透鏡陣列之平面示意圖；第7圖係依據本發明取第4圖之7－7斷面部份之剖面示意圖；第8圖係依據本發明之位於下方之積體電路上的例示抗蝕膜之剖面示意圖；第9圖係相似於第8圖之剖面示意圖，其說明依據本發明於抗蝕膜上形成薄膜；第10圖係相似於第9圖之剖面示意圖，其說明依據本發明之薄膜上固態浸沒透鏡陣列之圖案化；第11圖係依據本發明之微影光罩的例示具體實施例之平面示意圖，該光罩包括一種或多種固態浸沒透鏡；第12圖係依據本發明取第11圖之12－12斷面之剖面示意圖；第13圖係描述依據本發明在最初於薄板上形成一個或多個固態浸沒透鏡之剖面示意圖；第14圖係相似於第13圖之剖面圖，其說明依據本發明於固態浸沒透鏡上形成不透光薄膜；第15圖係相似於第14圖之剖面圖，其說明依據本發明於不透光薄膜上形成材料移除光罩(material removal mask)；第16圖係依據本發明之微影光罩結構之另一具體實施例之光罩剖面圖；第17圖係相似於第16圖之剖面圖，其說明依據本發明從不透光薄膜移除材料；第18圖係相似於第17圖之剖面圖，其說明根據本發明在薄板上形成塊狀薄膜(bulk film－on－the－plate)；以及第19圖係相似於第18圖之剖面圖，其說明根據本實施例從塊狀薄膜形成一個或多個固態鏡沒透鏡。
36．．．固態浸沒透鏡陣列
38．．．入射光,曝光輻射
40．．．抗蝕膜
42．．．電路裝置,積體電路
44．．．照射光源,電磁輻射光源
49．．．光罩
54．．．基板
56．．．固態浸沒透鏡
62．．．開孔
64．．．曝光區域
66．．．頂部抗反射塗層

Claims (25)

  1. 一種微影裝置，包括：具有第一面及第二面且含有光活性化合物之聚合材料之抗蝕膜，其中，該第二面為第一面之相對面；以及位在該抗蝕膜之第一面上且不含有光活性化合物之聚合材料之固態浸沒透鏡陣列。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該複數個固態浸沒透鏡係結合於該抗蝕膜之第一面。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該固態浸沒透鏡陣列包括基板和位在該基板上之該固態浸沒透鏡陣列。
  4. 如申請專利範圍第1項之裝置，係包括位在該固態浸沒透鏡陣列上之抗反射塗層。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該陣列包括沿第一個軸方向之相鄰固態浸沒透鏡之間的第一間距以及沿第二個軸方向之相鄰固態浸沒透鏡之間的第二間距。
  6. 如申請專利範圍第5項之裝置，其中，該第一和第二間距相等。
  7. 如申請專利範圍第5項之裝置，其中，該第一和第二間距不相等。
  8. 如申請專利範圍第1項之裝置，係包括結合於該抗蝕膜之第二面的積體電路。
  9. 如申請專利範圍第1項之裝置，係包括位在該固態浸沒透鏡陣列上之曝光光罩。
  10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中，該曝光光罩包括相位移光罩。
  11. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該固態浸沒透鏡陣列為球狀。
  12. 如申請專利範圍第1項之裝置，係包括用於支撐和選擇性地轉移(translate)該固態浸沒透鏡陣列之元件。
  13. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該抗蝕膜和該固態浸沒透鏡陣列係包括聚合材料。
  14. 一種微影製造方法，包括：形成含有光活性化合物之聚合材料之抗蝕膜；以及在該抗蝕膜上形成不含有光活性化合物之聚合材料之固態浸沒透鏡陣列。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該固態浸沒透鏡陣列形成為球狀結構。
  16. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該固態浸沒透鏡陣列包括基板以及位在該基板上之該固態浸沒透鏡陣列。
  17. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該固態浸沒透鏡陣列之形成包括形成基板以及從該基板形成該固態浸沒透鏡陣列。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中，該固態浸沒透 鏡陣列係藉由浮雕法形成。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法，其中，該固態浸沒透鏡陣列係藉由銑切(mill)法形成。
  20. 如申請專利範圍第14項之方法，係包括在該固態浸沒透鏡陣列上形成抗反射塗層。
  21. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該固態浸沒透鏡陣列包括沿第一個軸方向之相鄰固態浸沒透鏡之間的第一間距以及沿第二個軸方向之相鄰固態浸沒透鏡之間的第二間距。
  22. 如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該第一和第二間距相等。
  23. 如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該第一和第二間距不相等。
  24. 如申請專利範圍第14項之裝置，係包括在電路裝置上形成該抗蝕膜。
  25. 如申請專利範圍第14項之裝置，係包括在積體電路上形成該抗蝕膜。
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