TWI456767B - 薄膜電晶體 - Google Patents
薄膜電晶體 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI456767B TWI456767B TW097120168A TW97120168A TWI456767B TW I456767 B TWI456767 B TW I456767B TW 097120168 A TW097120168 A TW 097120168A TW 97120168 A TW97120168 A TW 97120168A TW I456767 B TWI456767 B TW I456767B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- film transistor
- thin film
- semiconductor layer
- drain
- source
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims 12
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 claims 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Claims (17)
- 一種薄膜電晶體，包括：一源極；一汲極，該汲極與該源極間隔設置；一半導體層，該半導體層與該源極和汲極電連接；以及一閘極，該閘極通過一絕緣層與該半導體層、源極及汲極絕緣設置，其改良在於，所述半導體層包括一奈米碳管薄膜，該奈米碳管薄膜包含複數個通過凡得瓦力首尾相連且擇優取向排列的奈米碳管，至少部分奈米碳管的排列方向沿源極到汲極延伸。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述奈米碳管為半導體性的奈米碳管。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述奈米碳管為單壁或雙壁奈米碳管，且該奈米碳管的直徑小於10奈米。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述奈米碳管薄膜進一步包括複數個首尾相連的奈米碳管束片段，每個奈米碳管束片段具有大致相等的長度且每個奈米碳管束片段由複數個相互平行的奈米碳管束構成，奈米碳管束片段兩端通過凡得瓦力相互連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述奈米碳管薄膜的厚度為0.5奈米~100微米。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述絕緣層的材料為氮化矽、氧化矽、苯並環丁烯、聚酯或丙烯酸樹脂。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述薄膜電晶體的閘極、源極及汲極的材料為金屬、合金、導電聚合物或導電性奈米碳管。
- 如申請專利範圍第7項所述的薄膜電晶體，其中，所述薄膜電晶體的閘極、源極及汲極的材料為鋁、銅、鎢、鉬、金、銫、鈀或其合金。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述絕緣層設置於閘極與半導體層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述源極及汲極間隔設置於所述半導體層表面。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述薄膜電晶體設置於一絕緣基板表面，所述半導體層設置於該絕緣基板表面，所述源極及汲極間隔設置於所述半導體層表面，所述絕緣層設置於該半導體層表面，所述閘極設置於絕緣層表面，並通過該絕緣層與源極、汲極及半導體層電絕緣。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述薄膜電晶體設置於一絕緣基板表面，所述閘極設置於該絕緣基板表面，所述絕緣層設置於閘極表面，所述半導體層設置於該絕緣層表面，並通過所述絕緣層與閘極電絕緣，所述源極、汲極間隔設置於該半導體層表面，並通過該絕緣層與閘極電絕緣。
- 如申請專利範圍第11項或第12項所述的薄膜電晶體，其中，所述絕緣基板的材料為玻璃、石英、陶瓷、金剛石、塑膠或樹脂。
- 如申請專利範圍第11項或第12所述的薄膜電晶體，其中 ，所述源極、汲極與閘極設置於半導體層的同一面。
- 如申請專利範圍第11項或第12所述的薄膜電晶體，其中，所述源極、汲極與閘極設置於半導體層的不同面，半導體層設置於源極、汲極與閘極之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述薄膜電晶體的半導體層進一步包括一通道，該通道為所述半導體層位於所述源極和汲極之間的區域，該通道及半導體層的長度為1微米~100微米，寬度為1微米~1毫米，厚度為0.5奈米~100微米。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中，所述薄膜電晶體的載子移動率為10~1500cm2/V-1s-1，開關電流比為1×102~1×107。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW097120168A TWI456767B (zh) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | 薄膜電晶體 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW097120168A TWI456767B (zh) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | 薄膜電晶體 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200950095A TW200950095A (en) | 2009-12-01 |
| TWI456767B true TWI456767B (zh) | 2014-10-11 |
Family
ID=44871199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097120168A TWI456767B (zh) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | 薄膜電晶體 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI456767B (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040251504A1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-12-16 | Sony Corporation | Field effect transistor and method for manufacturing the same |
-
2008
- 2008-05-30 TW TW097120168A patent/TWI456767B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040251504A1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-12-16 | Sony Corporation | Field effect transistor and method for manufacturing the same |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| SEONG JUN KANG et al. "High-performance electronics using dense, perfectly aligned arrays of single-walled carbon nanotubes", 2007 Apirl, nature nanotechnology, vol2, page 230~236 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200950095A (en) | 2009-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5173929B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| CN101997035B (zh) | 薄膜晶体管 | |
| CN101582449B (zh) | 薄膜晶体管 | |
| CN104103696B (zh) | 双极性薄膜晶体管 | |
| CN104103695B (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN103972296B (zh) | 薄膜晶体管 | |
| JP5231323B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP5231324B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| CN101599495B (zh) | 薄膜晶体管面板 | |
| CN101582444A (zh) | 薄膜晶体管 | |
| TWI400807B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| CN101582445B (zh) | 薄膜晶体管 | |
| JP5345894B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP5231325B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| EP2120274B1 (en) | Carbon Nanotube Thin Film Transistor | |
| TWI456767B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TWI381530B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TWI423446B (zh) | 薄膜電晶體面板 | |
| TWI478348B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TWI493719B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TWI377680B (en) | Thin film transistor | |
| TW201841373A (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TW200950089A (en) | Thin film transistor | |
| TW200950093A (en) | Thin film transistor |