TWI456761B - 高壓元件及其製造方法 - Google Patents
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Claims (11)
- 一種高壓元件，包含：一基板，具有一第一絕緣結構以定義一元件區；位於該元件區中之一第一導電型源極與一第一導電型汲極；一閘極，位於該基板上，元件區中，且介於該源極與汲極間；以及一第二絕緣結構，包括：一第一絕緣區，位於該基板上，介於該源極及該汲極之間，其中，由上視圖視之，該第一絕緣區部分或全部被該閘極所覆蓋；以及一第二絕緣區，位於該基板之中，該閘極下方，其中該第二絕緣區在基板中之深度大於該第一絕緣區在基板中之深度，該第一絕緣區形成於該第二絕緣區的上方，且該第二絕緣區沿該源極及該汲極連線方向上的長度不超過該第一絕緣區之三分之一，其中該第二絕緣區沿該源極及該汲極連線方向上全部被該閘極所覆蓋、且該第二絕緣區與該第一絕緣結構以相同之製程步驟形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之高壓元件，更進一步包含一包覆該汲極之第二導電型井區，以及一包覆該源極之本體區，用以形成一雙擴散金屬氧化半導體(double diffused metal oxide semiconductor,DMOS)元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之高壓元件，更進一步包含一橫向擴散汲極(lateral diffusion drain,LDD)，用以隔開該源極與該汲極，以形成一橫向雙擴散金屬氧化半導體(lateral double diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之高壓元件，其中該第二絕緣區為一區域氧化(local oxidation of silicon,LOCOS)結構或一淺溝槽絕緣(shallow trench isolation,STI)結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之高壓元件，其中該第二絕緣區位於該第一絕緣區下方靠近源極的一端，且由上視圖視之，該第二絕緣區部分或全部與該第一絕緣區重疊。
- 一種高壓元件製造方法，包含：提供一基板；在該基板中形成一第一絕緣結構以定義一元件區，並形成一下方絕緣區，其中該下方絕緣區與該第一絕緣結構以相同之製程步驟形成；在該第二絕緣區的上方形成一上方絕緣區，其中該上方絕緣區在基板中之深度低於該下方絕緣區在基板中之深度；於該元件區中基板上，形成一閘極，此閘極部分或全部覆蓋該上方絕緣區；以及在該閘極兩旁形成一第一導電型源極與一第一導電型汲極；其中，該下方絕緣區沿該源極及該汲極連線方向上的長度不超過該上方絕緣區之三分之一，且該下方絕緣區沿該源極及該汲極連線方向上全部被該閘極所覆蓋。
- 如申請專利範圍第6項所述之高壓元件製造方法，其中更進一步包含形成一包覆該汲極之第二導電型井區，以及一包覆該源極之本體區，用以形成一雙擴散金屬氧化半導體元件。
- 如申請專利範圍第6項所述之高壓元件製造方法，更進一步包含形成一橫向擴散汲極，用以隔開該源極與該汲極，以 形成一橫向雙擴散金屬氧化半導體元件。
- 如申請專利範圍第6項所述之高壓元件製造方法，其中該下方絕緣區為一區域氧化結構或一淺溝槽絕緣結構。
- 如申請專利範圍第6項所述之高壓元件製造方法，其中該該下方絕緣區位於該上方絕緣區下方靠近源極的一端，且由上視圖視之，該下方絕緣區部分或全部與該上方絕緣區重疊。
- 如申請專利範圍第6項所述之高壓元件製造方法，其中該上方絕緣區經由沉積絕緣材料於該基板上形成。
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| TW100114458A TWI456761B (zh) | 2011-04-26 | 2011-04-26 | 高壓元件及其製造方法 |
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- 2011-04-26 TW TW100114458A patent/TWI456761B/zh not_active IP Right Cessation
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