TWI455795B - 研磨墊及研磨方法 - Google Patents

Claims (66)

1. 一種研磨墊，適於用以研磨一基底，包括：一研磨層，具有一均勻軌跡區，該均勻軌跡區環繞一旋轉軸線而配置；以及至少二溝槽，配置於該均勻軌跡區內，且滿足下式： 其中，D(i)max 表示自該旋轉軸線至第i個溝槽的最長距離；D(i+n)min 表示自該旋轉軸線至第(i+n)個溝槽的最短距離；以及i為從最靠近該旋轉軸線之該溝槽向該均勻軌跡區外圍算起之該溝槽的序數，且n為整數。
2. 如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區對應至該基底之中心部分而配置。
3. 如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區實質上配置在位於該研磨墊的最內部與最外部之間的中間區域。
4. 如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區具有至少35mm之寬度。
5. 如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區具有一環狀外形，且該環狀外形具有與該旋轉軸線重疊的幾何中心。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨 墊，其中至少一溝槽具有與該旋轉軸線不重疊的幾何中心。
7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨墊，其中n=1~5。
8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽為圈圍溝槽。
9. 如申請專利範圍第8項所述之研磨墊，其中該些溝槽為共軸。
10. 如申請專利範圍第8項所述之研磨墊，其中該些溝槽為不共軸。
11. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽的外形為選自於一橢圓形、一多邊形、一波浪形、具有至少一凸出部及/或至少一凹陷部之一環形、一圓形、一不規則形及其組合所組成之群組。
12. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽為互不相連。
13. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽在徑向上具有相同的一間距。
14. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽的至少二間距在徑向上不同。
15. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽的至少其中之一包括多個不連續的次溝槽。
16. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區內只配置該些溝槽。
17. 一種研磨墊，適於用以研磨一基底，包括：一研磨層，具有一均勻軌跡區；以及至少二溝槽，配置於該均勻軌跡區內，各該些溝槽分別構成一研磨軌跡，其中該些研磨軌跡彼此之間相鄰接。
18. 如申請專利範圍第17項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區對應至該基底之中心部分而配置。
19. 如申請專利範圍第17項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區實質上配置在位於該研磨墊的最內部與最外部之間的中間區域。
20. 如申請專利範圍第17項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區具有至少35mm之寬度。
21. 如申請專利範圍第17項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區具有一環狀外形，環繞一旋轉軸線而配置。
22. 如申請專利範圍第21項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區具有與該旋轉軸線重疊的幾何中心。
23. 如申請專利範圍第21項所述之研磨墊，其中至少一溝槽具有與該旋轉軸線不重疊的幾何中心。
24. 如申請專利範圍第17至22項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽為圈圍溝槽。
25. 如申請專利範圍第24項所述之研磨墊，其中該些溝槽為共軸。
26. 如申請專利範圍第24項所述之研磨墊，其中該些溝槽為不共軸。
27. 如申請專利範圍第17至22項中任一項所述之研 磨墊，其中該些溝槽的外形為選自於一橢圓形、一多邊形、一波浪形、具有至少一凸出部及/或至少一凹陷部之一環形、一圓形、一不規則形及其組合所組成之群組。
28. 如申請專利範圍第17至22項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽為互不相連。
29. 如申請專利範圍第17至22項中任一項所述之研磨墊，其中至少二研磨軌跡具有不同的寬度。
30. 如申請專利範圍第17至22項中任一項所述之研磨墊，其中至少一溝槽包括多個不連續的次溝槽。
31. 如申請專利範圍第17至22項中任一項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區內只配置該些溝槽。
32. 一種研磨墊，適於用以研磨一基底，包括：一研磨層，具有一均勻軌跡區，該均勻軌跡區被劃分成彼此相鄰接之至少二研磨軌跡；以及至少一溝槽，配置於各該些研磨軌跡內，其中該些溝槽在該些研磨軌跡內各處具有均勻分布的軌線。
33. 如申請專利範圍第32項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區對應至該基底之中心部分而配置。
34. 如申請專利範圍第32項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區實質上配置在位於該研磨墊的最內部與最外部之間的中間區域。
35. 如申請專利範圍第32項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區具有至少35mm之寬度。
36. 如申請專利範圍第32項所述之研磨墊，其中該均 勻軌跡區具有一環狀外形，環繞一旋轉軸線而配置。
37. 如申請專利範圍第36項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區具有與該旋轉軸線重疊的幾何中心。
38. 如申請專利範圍第36項所述之研磨墊，其中至少一溝槽具有與該旋轉軸線不重疊的幾何中心。
39. 如申請專利範圍第32至37項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽為圈圍溝槽。
40. 如申請專利範圍第39項所述之研磨墊，其中該些溝槽為共軸。
41. 如申請專利範圍第39項所述之研磨墊，其中該些溝槽為不共軸。
42. 如申請專利範圍第32至37項中任一項所述之研磨墊，其中該些溝槽的外形為選自於一橢圓形、一多邊形、一波浪形、具有至少一凸出部及/或至少一凹陷部之環形、一圓形、一不規則形及其組合所組成之群組。
43. 如申請專利範圍第32至37項中任一項所述之研磨墊，其中位於一研磨軌跡內的溝槽與位於另一研磨軌跡內的溝槽互不相連。
44. 如申請專利範圍第32至37項中任一項所述之研磨墊，其中至少二研磨軌跡具有不同的寬度。
45. 如申請專利範圍第32至37項中任一項所述之研磨墊，其中至少一研磨軌跡具有至少二溝槽形成於其中。
46. 如申請專利範圍第45項所述之研磨墊，其中該至少二溝槽為對稱排列。
47. 如申請專利範圍第32至37項中任一項所述之研磨墊，其中至少一研磨軌跡具有二橢圓形溝槽形成於其中。
48. 如申請專利範圍第47項所述之研磨墊，其中該二橢圓形溝槽的長軸彼此垂直。
49. 如申請專利範圍第32至37項中任一項所述之研磨墊，其中至少一溝槽包括多個不連續的次溝槽。
50. 如申請專利範圍第32至37項中任一項所述之研磨墊，其中該均勻軌跡區內只配置該些溝槽。
51. 一種研磨方法，適於用以研磨一基底，包括：提供一研磨墊；對該基底施加一壓力以壓置於該研磨墊上；以及對該基底及該研磨墊提供一相對運動，其中該研磨墊包括：一研磨層，具有一均勻軌跡區，該均勻軌跡區環繞一旋轉軸線而配置；以及至少二溝槽，配置於該均勻軌跡區內，且滿足下式： 其中，D(i)max 表示自該旋轉軸線至第i個溝槽的最長距離；D(i+n)min 表示自該旋轉軸線至第(i+n)個溝槽的最短距離；以及i為從最靠近該旋轉軸線之該溝槽向該均勻軌跡區外圍算起之該溝槽的序數，且n為整數。
52. 如申請專利範圍第51項所述之研磨方法，其中該基底之中心部分對應至該均勻軌跡區。
53. 如申請專利範圍第51至52項中任一項所述之研磨方法，其中該些溝槽為互不相連。
54. 如申請專利範圍第53項所述之研磨方法，其中各該些溝槽分別構成一研磨軌跡。
55. 如申請專利範圍第54項所述之研磨方法，更包括提供具有不同性質的研漿或溶液，分別對應至一研磨軌跡與另一研磨軌跡。
56. 如申請專利範圍第51項所述之研磨方法，其中該均勻軌跡區內只配置該些溝槽。
57. 一種研磨方法，適於用以研磨一基底，包括：提供一研磨墊；對該基底施加一壓力以壓置於該研磨墊上；以及對該基底及該研磨墊提供一相對運動，其中該研磨墊包括：一研磨層，具有一均勻軌跡區；以及至少二溝槽，配置於該均勻軌跡區內，各該些溝槽分別構成一研磨軌跡，其中該些研磨軌跡彼此之間相鄰接。
58. 如申請專利範圍第57項所述之研磨方法，其中該基底之中心部分對應至該均勻軌跡區。
59. 如申請專利範圍第57至58項中任一項所述之研磨方法，其中該些溝槽為互不相連。
60. 如申請專利範圍第59項所述之研磨方法，更包括 提供具有不同性質的研漿或溶液，分別對應至一研磨軌跡與另一研磨軌跡。
61. 如申請專利範圍第51項所述之研磨方法，其中該均勻軌跡區內只配置該些溝槽。
62. 一種研磨方法，適於用以研磨一基底，包括：提供一研磨墊；對該基底施加一壓力以壓置於該研磨墊上；以及對該基底及該研磨墊提供一相對運動，其中該研磨墊包括：一研磨層，具有一均勻軌跡區，該均勻軌跡區被劃分成彼此相鄰接之至少二研磨軌跡；以及至少一溝槽，配置於各該些研磨軌跡內，其中該些溝槽在該些研磨軌跡內各處具有均勻分布的軌線。
63. 如申請專利範圍第62項所述之研磨方法，其中該基底之中心部分對應至該均勻軌跡區。
64. 如申請專利範圍第62至63項中任一項所述之研磨方法，其中位於一研磨軌跡內的溝槽與位於另一研磨軌跡內的溝槽互不相連。
65. 如申請專利範圍第64項所述之研磨方法，更包括提供具有不同性質的研漿或溶液，分別對應至一研磨軌跡與另一研磨軌跡。
66. 如申請專利範圍第62項所述之研磨方法，其中該均勻軌跡區內只配置該些溝槽。