TWI455322B - 薄膜電晶體及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種半導體元件及其製造方法，且特別是有關於一種薄膜電晶體及其製造方法。
以目前最為普及的液晶顯示器為例，其主要是由薄膜電晶體陣列基板、彩色濾光基板以及夾設於二者之間的液晶層所構成。在習知的薄膜電晶體陣列基板上，多採用非晶矽(a
-Si)薄膜電晶體或低溫多晶矽薄膜電晶體作為各個子畫素的切換元件。近年來，已有研究指出氧化物半導體(oxide semiconductor)薄膜電晶體相較於非晶矽薄膜電晶體，具有較高的載子移動率(mobility)，而氧化物半導體薄膜電晶體相較於低溫多晶矽薄膜電晶體，則具有大面積低成本生產的優勢。因此，氧化物半導體薄膜電晶體有潛力成為下一代平面顯示器之關鍵元件。
然而在氧化物半導體薄膜電晶體中，易受外在水氣以及保護層中的氫氣擴散而影響到元件穩定性。目前量產之元件保護層大都以電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)製程為主，但其在電漿解離的過程中，已經對氧化物半導體摻雜氫，導致臨界電壓偏移過大。如以物理氣相沉積(PVD)製程所成長的無氫薄膜，確有鍍膜速度慢影響產能以及高介電常數所引發金屬間的電容耦合效應，甚至在蝕刻過程中，保護層易與下方閘極絕緣層形成開洞底切(via undercut)現象，導致後續畫素電極的銦錫氧化物(ITO)橋接出現斷線問題。
本發明提供一種薄膜電晶體，具有較佳的穩定度。
本發明另提供一種薄膜電晶體的製造方法，具有較短的製程時間、降低電容耦合效應、預防開洞底切現象與較穩定的元件特性。
本發明提出一種薄膜電晶體。薄膜電晶體包括一基板、一閘極、一閘絕緣層、一源極與一汲極、一通道層、一第一圖案化保護層以及一第二圖案化保護層。閘極配置於基板上。閘絕緣層配置於閘極上。源極與汲極配置於閘絕緣層上。通道層位於源極與汲極上方或下方，其中通道層的一部分暴露於源極與汲極之間。第一圖案化保護層配置於通道層的部分上，其中第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物，且第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃。第二圖案化保護層覆蓋第一圖案化保護層、閘絕緣層以及源極與汲極。
本發明另提出一種薄膜電晶體的製造方法。於一基板上形成一閘極。於閘極上形成一閘絕緣層。於閘絕緣層上形成一源極與一汲極。形成一通道層，且通道層位於源極與汲極上方或下方，其中通道層的一部分暴露於源極與汲極之間。於通道層的部分上形成一第一圖案化保護層，其中第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物，且第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃。形成一第二圖案化保護層，以覆蓋第一圖案化保護層、閘絕緣層以及源極與汲極。
基於上述，在本發明之薄膜電晶體及其製造方法中，是以金屬氧化物作為第一圖案化保護層且將此保護層與通道層同時進行圖案化，以避免與閘極絕緣層形成底切現象，另外此第一圖案化保護層的厚度控制為50埃至300埃，再於第一圖案化保護層上形成一第二圖案化保護層。如此一來，第一圖案化保護層與第二圖案化保護層的搭配能防止水氣且形成無氫薄膜，以避免氫擴散至通道層，使得薄膜電晶體具有較佳的穩定度。再者，第二圖案化保護層的存在使得第一圖案化保護層可具有相對較薄的厚度，因此能縮減薄膜電晶體的鍍膜與蝕刻製程時間，同時具有降低金屬間的電容耦合效應。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1F為本發明之第一實施例的薄膜電晶體的製造方法的流程示意圖。請參照圖1A，首先，於一基板102上形成一閘極110。在本實施例中，基板102可以是玻璃基板或其他材質基板，本發明並不加以限定。閘極110例如是單層或多層堆疊之導電材料，導電材料可以選自由銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鎢(W)、銀(Ag)、金(Au)及其合金所組成之族群中的至少一者，且閘極110的形成方法可透過微影及蝕刻製程來圖案化導電材料而製作。在本實施例中，閘極110例如是具有鈦/鋁/鈦堆疊結構。
請參照圖1B，接著，於閘極110上形成一閘絕緣層120。閘絕緣層120可為單層結構或多層堆疊的複合結構，其材質例如是氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等介電材料。
然後，於閘絕緣層120上形成一源極130s與一汲極130d。在本實施例中，源極130s與汲極130d位於閘極110之相對兩側上。源極130s與汲極130d例如是單層或多層堆疊之導電材料，導電材料可以選自由銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鎢(W)、銀(Ag)、金(Au)及其合金所組成之族群中的至少一者，且源極130s與汲極130d的形成方法可透過微影及蝕刻製程來圖案化導電材料而製作。在本實施例中，源極130s與汲極130d例如是具有鈦/鋁/鈦堆疊結構。
請參照圖1C與圖1D，接著，形成一通道層140，通道層140位於源極130s與汲極130d上方，其中通道層140的一部分140a暴露於源極130s與汲極130d之間。而後，於通道層140的部分140a上形成一第一圖案化保護層150，其中第一圖案化保護層150的材料包括一金屬氧化物，且第一圖案化保護層150的厚度為50埃至300埃。在本實施例中，通道層140例如是位於源極130s與汲極130d之間。第一圖案化保護層150的厚度例如是100埃。
在本實施例中，通道層140與第一圖案化保護層150的形成方法例如是包括以下步驟。請參照圖1C，首先，於源極130s與汲極130d上依序利用物理氣相沉積法(PVD)系統形成一通道材料層138與一第一保護材料層148，即表示在無發生破真空的情況下完成此兩層薄膜的沉積。在本實施例中，通道材料層138的材料例如是包括氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)或二氧化錫(SnO2)等材質。第一保護材料層148的材料例如是包括氧化鋁(Al2
O3
)、氧化鈦(TiOx
)、氧化鉿(HfOx
)或氧化鉭(TaOx
)，且較佳為包括氧化鋁。接著，於第一保護材料層148上形成一罩幕層149。請參照圖1D，然後，以罩幕層149為罩幕，圖案化通道材料層138與第一保護材料層148，以形成通道層140與第一圖案化保護層150。換言之，在本實施例中，是藉由使用同一罩幕層149，在同一微影製程與同一蝕刻製程中同時圖案化通道材料層138與第一保護材料層148以同時形成通道層140與第一圖案化保護層150，因此簡化製程且大幅縮減製程時間。
請參照圖1E，形成一第二圖案化保護層160，以覆蓋第一圖案化保護層150、閘絕緣層120以及源極130s與汲極130d。第二圖案化保護層160的材料例如是包括有機絕緣材料，有機絕緣材料例如是包括丙烯酸聚合物、環烯烴聚合物、環氧樹脂、矽氧烷、氟聚合物或其組合。第二圖案化保護層160的形成方法例如是塗佈法。第二圖案化保護層160的厚度例如是0.2微米至3微米。在本實施例中，第二圖案化保護層160的材料例如是丙烯酸聚合物，以及第二圖案化保護層160的厚度例如是1.5微米。
請參照圖1F，形成一畫素電極170，且畫素電極170透過第二圖案化保護層160中的開口與汲極130d電性連接。畫素電極170的材料例如是銦錫氧化物(ITO)。
在本實施例中，薄膜電晶體100包括一基板102、一閘極110、一閘絕緣層120、一源極130s與一汲極130d、一通道層140、一第一圖案化保護層150、一第二圖案化保護層160以及一畫素電極170。閘極110配置於基板102上。閘絕緣層120配置於閘極110上。源極130s與汲極130d配置於閘絕緣層120上且位於閘極110的相對兩側上方。通道層140位於源極130s與汲極130d上方，且位於第一圖案化保護層150與源極130s與汲極130d之間。其中，通道層140的一部分140a暴露於源極130s與汲極130d之間。第一圖案化保護層150配置於通道層140的部分140a上以覆蓋之，其中第一圖案化保護層150的材料包括一金屬氧化物，且第一圖案化保護層150的厚度為50埃至300埃。第二圖案化保護層160覆蓋第一圖案化保護層150、閘絕緣層120以及源極130s與汲極130d。
在本實施例中，由於暴露於源極130s與汲極130d之間的通道層部分140a被第一圖案化保護層150覆蓋，因此能避免通道層140受到環境影響，使得薄膜電晶體100具有穩定的元件特性。再者，由於通道層140與第一圖案化保護層150可藉由相同的物理氣相沉積製程來形成，因此可以在未破真空的狀態下進行沉積。如此一來，能避免通道層140與第一圖案化保護層150的交界面因破真空的過程中接觸大氣而造成水氣或其他污染物的附著，使得薄膜電晶體100具有較佳的元件特性。此外，通道層140與第一圖案化保護層150可在同一微影與同一蝕刻製程中進行圖案化，因此能防止因第一圖案化保護層之蝕刻速度較慢而與閘絕緣層之間所造成的底切現象，進而避免形成於第一圖案化保護層150上的導體層(諸如畫素電極層)有斷線的問題發生。另一方面，由於第二圖案化保護層160可使用塗佈等方式來形成，因而能避免使用電漿加強型化學氣相沉積(PECVD)等可能導致氫原子擴散的製程，使得薄膜電晶體的元件特性不會受到保護層製程的破壞而劣化。
一般來說，雖然氧化鋁等金屬氧化物對於水氣具有良好的阻擋能力以及提供無氫薄膜，但其具有沉積速度慢以及因蝕刻速度慢而與閘絕緣層之間所造成底切等缺點，使得薄膜電晶體的製程時間增加且形成於金屬氧化物保護層上的導體層易發生斷線問題，因而不適於進行量產。然而，在本實施例中，是以諸如氧化鋁等金屬氧化物作為第一圖案化保護層，再以諸如有機材料作為第二圖案化保護層，如此搭配使得第一圖案化保護層在較薄的厚度下就有良好的阻擋效果，因此能大幅縮減形成金屬氧化物保護層所需的製程時間，以適於量產薄膜電晶體。特別是，第一圖案化保護層與第二圖案化保護層的搭配能有效地防止水氣與氫擴散至通道層。再者，由於氧化鋁等金屬氧化物具有較高的介電常數，因此容易造成電容耦合(capacity coupling)效應，而本實施例之第一圖案化保護層與第二圖案化保護層所構成的雙層保護層結構能有效地避免電容耦合效應。換言之，本實施例之薄膜電晶體具有較佳的元件特性、穩定度以及縮短的鍍膜以及蝕刻製程時間。
圖2A至圖2F為本發明之第二實施例的薄膜電晶體的製造方法的流程示意圖。請參照圖2A，首先，於一基板102上形成一閘極110。其中，基板102與閘極110的材料可以參照第一實施例中所述，於此不贅述。
請參照圖2B，接著，於閘極110上形成一閘絕緣層120。閘絕緣層120可為單層結構或多層堆疊的複合結構，其材質例如是氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等介電材料。
然後，於閘絕緣層120上形成通道層140。通道層140的材料例如是包括氧化銦鎵鋅(IGZO)，通道層140的形成方法例如是物理氣相沉積法。
請參照圖2C，接著，於通道層140上形成一源極130s與一汲極130d，其中通道層140的一部分140a暴露於源極130s與汲極130d之間。在本實施例中，通道層140例如是位於源極130s與汲極130d下方，且源極130s與汲極130d例如是分別位於閘極110之相對兩側上方。通道層140以及源極130s與汲極130d的材料與形成方法可以參照第一實施例中所述，於此不贅述。
請參照圖2D，接著，於通道層140的部分140a上形成一第一圖案化保護層150，其中第一圖案化保護層150的材料包括一金屬氧化物，且第一圖案化保護層150的厚度為50埃至300埃。在本實施例中，第一圖案化保護層150的厚度例如是100埃。第第一圖案化保護層150的材料例如是包括氧化鋁(Al2
O3
)、氧化鈦(TiOx
)、氧化鉿(HfOx
)或氧化鉭(TaOx
)，且較佳為包括氧化鋁。第一圖案化保護層150的形成方法例如是先形成一保護材料層，再對保護材料層進行微影與蝕刻製程以形成之。其中，第一圖案化保護層150的形成方法例如是包括物理氣相沉積法。
請參照圖2E，形成一第二圖案化保護層160，以覆蓋第一圖案化保護層150、閘絕緣層120以及源極130s與汲極130d。第二圖案化保護層160的材料例如是包括有機絕緣材料，有機絕緣材料例如是包括丙烯酸聚合物、環烯烴聚合物、環氧樹脂、矽氧烷、氟聚合物或其組合。第二圖案化保護層160的形成方法例如是塗佈法。第二圖案化保護層160的厚度例如是0.2微米至3微米，且第二圖案化保護層160的厚度較佳為1.5微米。
請參照圖2F，形成一畫素電極170，且畫素電極170透過第二圖案化保護層160中的開口與汲極130d電性連接。畫素電極170的材料例如是銦錫氧化物(ITO)。
在本實施例中，薄膜電晶體100包括一基板102、一閘極110、一閘絕緣層120、一源極130s與一汲極130d、一通道層140、一第一圖案化保護層150、一第二圖案化保護層160以及一畫素電極170。閘極110配置於基板102上。閘絕緣層120配置於閘極110上。源極130s與汲極130d配置於閘絕緣層120上。通道層140位於源極130s與汲極130d下方，且位於閘絕緣層120與源極130s與汲極130d之間。其中，通道層140的一部分140a暴露於源極130s與汲極130d之間。第一圖案化保護層150配置於通道層140的部分140a上，其中第一圖案化保護層150的材料包括一金屬氧化物，且第一圖案化保護層150的厚度為50埃至300埃。第二圖案化保護層160覆蓋第一圖案化保護層150、閘絕緣層120以及源極130s與汲極130d。
在本實施例中，由於暴露於源極130s與汲極130d之間的通道層部分140a被第一圖案化保護層150覆蓋，因此能避免通道層140受到環境影響，使得薄膜電晶體100具有穩定的元件特性。再者，由於第二圖案化保護層160可使用塗佈等方式來形成，因而能避免使用電漿加強型化學氣相沉積(PECVD)等可能導致氫原子擴散的製程，使得薄膜電晶體的元件特性不會受到保護層製程的破壞而劣化。
一般來說，雖然氧化鋁等金屬氧化物對於水氣與氫擴散具有良好的阻擋能力，但其具有沉積速度慢以及因蝕刻速度慢而導致底切等缺點，使得薄膜電晶體的製程時間增加且形成於金屬氧化物保護層上的導體層易發生斷線問題，因而不適於進行量產。然而，在本實施例中，是以諸如氧化鋁等金屬氧化物作為第一圖案化保護層，再以諸如有機材料作為第二圖案化保護層，如此搭配使得第一圖案化保護層在較薄的厚度下就有良好的阻擋效果，因此能大幅縮減形成金屬氧化物保護層所需的製程時間，以適於量產薄膜電晶體。特別是，第一圖案化保護層與第二圖案化保護層的搭配能有效地防止水氣與氫擴散至通道層。再者，由於氧化鋁等金屬氧化物具有較高的介電常數，因此容易造成電容耦合(capacity coupling)效應，而本實施例之第一圖案化保護層與第二圖案化保護層所構成的雙層保護層結構能有效地避免電容耦合效應。換言之，本實施例之薄膜電晶體具有較佳的元件特性、穩定度以及縮短的製程時間。
以下列舉實驗例來驗證本發明的效果。
為證明本發明之上述實施例中所述的薄膜電晶體具有較佳的元件特性，使用實驗例與比較例作比較。其中，實驗例之薄膜電晶體具有如圖1F所示之結構，其中第一圖案化保護層的材料為氧化鋁，第一圖案化保護層的厚度為10nm，第二圖案化保護層的材料為丙烯酸聚合物，第二圖案化保護層的厚度為1.5微米。比較例之薄膜電晶體的結構與實驗例之薄膜電晶體的結構相似，其主要不同處在於比較例之薄膜電晶體僅具有第一圖案化保護層而未包括第二圖案化保護層，其中第一圖案化保護層的材料為氧化鋁，且第一圖案化保護層的厚度為10nm。實驗例與比較例之薄膜電晶體是在Vg=50 V與80℃的條件下進行穩定度測試，且藉由觀察臨界電壓的偏移情況來判斷薄膜電晶體的穩定度。
圖3A至圖3C為實驗例與比較例之薄膜電晶體分別在5天、10天以及20天的閘源極電壓(Vgs)與汲源極電流(Ids)的關係圖。由圖3A與圖3B可知，在5天與10天之操作下，實驗例之薄膜電晶體與比較例之薄膜電晶體在穩定度上的表現相近。然而，如圖3C所示，在20天之長時間操作下，比較例之薄膜電晶體的臨界電壓偏移情況已相當嚴重，表示其元件特性劣化且具有較差的穩定度，因此未對其進行不同壓力下的穩定度測試。相反地，實驗例之薄膜電晶體在進行穩定度測試下顯示其未有元件劣化的現象發生且具有良好的穩定度。因此，由以上實驗結果可知，具有由第一圖案化保護層與第二圖案化保護層所構成的雙層保護層的薄膜電晶體相較於僅有第一圖案化保護層的薄膜電晶體具有較佳的元件穩定度，這可能與第一圖案化保護層與第二圖案化保護層的搭配能有效地防止水氣與氫擴散至通道層有關。
綜上所述，在本發明之薄膜電晶體及其製造方法中，是以金屬氧化物作為第一圖案化保護層且將第一圖案化保護層的厚度控制為50埃至300埃，再於第一圖案化保護層上形成一第二圖案化保護層。如此一來，第一圖案化保護層與第二圖案化保護層的搭配能防止水氣與氫擴散至通道層並降低電容耦合效應，使得薄膜電晶體具有較佳的穩定度。再者，第二圖案化保護層的存在使得第一圖案化保護層可具有相對較薄的厚度，因此能縮減薄膜電晶體的鍍膜以及蝕刻製程時間。特別是，在一實施例中，通道層與第一圖案化保護層可以藉由同一道光罩形成，因此能大幅縮減薄膜電晶體的製程時間以適於進行量產，且能避免通道層與第一圖案化保護層之交界面發生污染以及避免第一圖案化保護層發生底切。因此，本發明之薄膜電晶體具有較佳的元件特性與縮短的製程時間。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．薄膜電晶體
102．．．基板
110．．．閘極
120．．．閘絕緣層
130s．．．源極
130d．．．汲極
138．．．通道材料層
140．．．通道層
140a．．．部分
148．．．保護材料層
149．．．罩幕層
150．．．第一圖案化保護層
160．．．第二圖案化保護層
170．．．畫素電極
圖1A至圖1F為本發明之第一實施例的薄膜電晶體的製造方法的流程示意圖。
圖2A至圖2F為本發明之第二實施例的薄膜電晶體的製造方法的流程示意圖。
圖3A至圖3C為實驗例與比較例之薄膜電晶體分別在5天、10天以及20天的閘源極電壓(Vgs)與汲源極電流(Ids)的關係圖。
102．．．基板
110．．．閘極
120．．．閘絕緣層
130s．．．源極
130d．．．汲極
140．．．通道層
140a．．．部分
150．．．第一圖案化保護層
160．．．第二圖案化保護層
Claims (18)
- 一種薄膜電晶體，包括：一基板；一閘極，配置於該基板上；一閘絕緣層，配置於該閘極上；一源極與一汲極，配置於該閘絕緣層上，其中該源極、該汲極以及該閘絕緣層共同形成一凹槽；一通道層，位於該源極與該汲極下方，其中該通道層的一部分藉由該凹槽而暴露於該源極與該汲極之間；一第一圖案化保護層，完全配置於該凹槽中且接觸該通道層的該部分，其中該第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物，該第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃；以及一第二圖案化保護層，覆蓋該第一圖案化保護層且配置於該凹槽中。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該金屬氧化物包括氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鈦(TiOx )、氧化鉿(HfOx )或氧化鉭(TaOx )。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該第二圖案化保護層更覆蓋該閘絕緣層、該源極與該汲極，且該第二圖案化保護層的材料包括一有機絕緣材料。
- 如申請專利範圍第3項所述之薄膜電晶體，其中該有機絕緣材料包括丙烯酸聚合物、環烯烴聚合物、環氧樹脂、矽氧烷、氟聚合物或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該 第二圖案化保護層的厚度為0.2微米至3微米。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該通道層的材料包括氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)或二氧化錫(SnO2)。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該通道層位於該閘絕緣層與該源極與該汲極之間。
- 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於一基板上形成一閘極；於該閘極上形成一閘絕緣層；於該閘絕緣層上形成一源極與一汲極，其中該源極、該汲極以及該閘絕緣層共同形成一凹槽；形成一通道層，且該通道層位於該源極與該汲極下方，其中該通道層的一部分藉由該凹槽而暴露於該源極與該汲極之間；於該凹槽中形成一第一圖案化保護層，且該第一圖案化保護層接觸該通道層的該部分，其中該第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物，且該第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃；以及於該凹槽中形成一第二圖案化保護層，且該第二圖案化保護層覆蓋該第一圖案化保護層。
- 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該通道層、該源極與該汲極以及該第一圖案化保護層的形成方法包括： 於該閘絕緣層上形成該通道層；於該通道層上形成該源極與該汲極；以及於該通道層的該部分上形成該第一圖案化保護層。
- 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該金屬氧化物包括氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鈦(TiOx )、氧化鉿(HfOx )或氧化鉭(TaOx )。
- 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該第一圖案化保護層的厚度為100埃。
- 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該通道層的材料包括氧化銦鎵鋅(IGZO)。
- 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該第二圖案化保護層更覆蓋該閘絕緣層、該源極與該汲極，且該第二圖案化保護層的材料包括一有機絕緣材料。
- 如申請專利範圍第13項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該有機絕緣材料包括丙烯酸聚合物、環烯烴聚合物、環氧樹脂、矽氧烷、氟聚合物或其組合。
- 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該第二圖案化保護層的厚度為0.2微米至3微米。
- 如申請專利範圍第15項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該第二圖案化保護層的厚度為1.5微米。
- 一種薄膜電晶體，包括：一基板； 一閘極，配置於該基板上；一閘絕緣層，配置於該閘極上；一源極與一汲極，配置於該閘絕緣層上；一通道層，位於該源極與該汲極上方或下方，其中該通道層的一部分暴露於該源極與該汲極之間；一第一圖案化保護層，配置於該通道層的該部分上，其中該第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物，且該第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃；以及一第二圖案化保護層，覆蓋該第一圖案化保護層、該閘絕緣層以及該源極與該汲極，其中該第二圖案化保護層的材料包括一有機絕緣材料，其中該第一圖案化保護層的厚度小於該第二圖案化保護層的厚度，且該第二圖案化保護層與該第一圖案化保護層接觸。
- 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於一基板上形成一閘極；於該閘極上形成一閘絕緣層；於該閘絕緣層上形成一源極與一汲極；形成一通道層，且該通道層位於該源極與該汲極上方或下方，其中該通道層的一部分暴露於該源極與該汲極之間；於該通道層的該部分上形成一第一圖案化保護層，其中該第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物，且該第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃；以及形成一第二圖案化保護層，以覆蓋該第一圖案化保護 層、該閘絕緣層以及該源極與該汲極，其中該第二圖案化保護層的材料包括一有機絕緣材料，其中該第一圖案化保護層的厚度小於該第二圖案化保護層的厚度，且該第二圖案化保護層與該第一圖案化保護層接觸。
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