TWI455213B - 無外引腳封裝結構及其製作方法 - Google Patents

Description

無外引腳封裝結構及其製作方法

本發明是有關於一種無外引腳封裝結構，且特別是有關於一種引腳突出的四方/二方扁平無外引腳封裝(Quad/Dual Flat Non-leaded package,QFN/DFN package)結構及其製作方法。

半導體封裝技術包含有許多封裝形態，其中屬於扁平封裝系列的四方/二方扁平無外引腳封裝具有較短的訊號傳遞路徑及相對較快的訊號傳遞速度，因此四方/二方扁平無外引腳封裝適用於高頻傳輸(例如射頻頻帶)之晶片封裝，且為低腳位(low pin count)封裝型態的主流之一。

在四方/二方扁平無外引腳封裝的製程中，先將多個晶片配置於平面型引腳框架(leadframe)上。然後，藉由多條導線使晶片電性連接至引腳框架。最後，藉由封裝膠體來包覆部份引腳框架、導線以及晶片。然後，藉由切割製程(punch process)或鋸切製程(sawing process)單體化上述結構而得到多個四方/二方扁平無外引腳封裝結構。

為了解決使用者對於小尺寸晶片之處理能力的需求，業著通常會試著增加引腳密度來達成所需的目的。然而，四方/二方扁平無外引腳所使用的引腳框架很難達成單行以外的引腳數，因此當使用者對於引腳框架之引腳密度的需求越來越高時，如何利用封裝技術來形成所需之引腳密度，實為一待解決之問題。再者，除了增加引腳密度之外，使用者也希望能維持封裝膠體與引腳之間的結合力(mold locking)，並促進四方/二方扁平無外引腳封裝結構能藉由表面黏著技術焊接於一印刷電路板上，以增加其應用性。

本發明提供一種無外引腳封裝結構，例如是四方/二方扁平無外引腳(QFN/DFN)封裝結構，其具有突出於封裝膠體之外的引腳及配置於引腳之下表面上的焊料層，其中焊料層除了可視為引腳的保護層之外，其亦可減少後續將無外引腳封裝結構藉由表面黏著技術焊接於印刷電路板上的製程步驟，可有效提高後續製程的便利性。

本發明提供一種無外引腳封裝結構的製作方法，用以製作上述之無外引腳封裝結構，具有較佳的結構可靠度且可效提高後續製程的便利性。

本發明提供一種無外引腳封裝結構的製作方法，其包括下述步驟。提供一金屬基板。金屬基板具有彼此相對的一上表面及一下表面。圖案化金屬基板的上表面以及下表面，以使上表面形成多個第一凸部以及至少一第二凸部，以及下表面上形成多個對應第一凸部的第一凹槽圖案。於第一凹槽圖案內分別形成一第一焊料層。將一晶片固定於第二凸部上。形成多條導線分別電性連接晶片至第一凸部。於金屬基板的上表面上形成一封裝膠體，其中封裝膠體覆蓋晶片、第一凸部、第二凸部以及導線。以第一焊料層為一蝕刻罩幕，對金屬基板的下表面進行一背蝕刻製程，以移除金屬基板的部分區域至暴露出封裝膠體，並定義出一導腳群組，導腳群組包含至少一承載晶片的晶片座以及多個彼此分離的引腳。引腳之一下表面以及至少一側表面的局部顯露於封裝膠體之外並且局部為第一焊料層所包覆。

在本發明之一實施例中，上述之第一凹槽圖案定義出引腳顯露於封裝膠體外的下表面以及側表面的局部外部輪廓。

在本發明之一實施例中，上述之形成第一凹槽圖案的方法包括蝕刻法或雷射燒蝕法(Laser ablation)。

在本發明之一實施例中，上述之於圖案化金屬基板之後，形成一金屬鍍層於第一凸部上。

在本發明之一實施例中，上述之對金屬基板的下表面進行背蝕刻製程的同時，形成一第一頸縮部於引腳的側表面上。

在本發明之一實施例中，上述之對金屬基板的下表面進行背蝕刻製程之後，對第一焊料層進行一迴焊步驟，其中部分第一焊料層延伸並填充於引腳的第一頸縮部內。

在本發明之一實施例中，上述之於圖案化金屬基板的同時，於金屬基板的下表面上形成一第二凹槽圖案，其中第二凹槽圖案對應第二凸部。形成第一焊料層於第一凹槽圖案內的同時，將第一焊料層形成於第二凹槽圖案內。

在本發明之一實施例中，上述之於圖案化金屬基板時，於金屬基板的上表面上形成多個第三凹槽圖案，其中第三凹槽圖案環繞第一凸部並對應於第一凹槽圖案。形成第一焊料層的同時，於第三凹槽圖案內形成一第二焊料層。

在本發明之一實施例中，上述之第一凹槽圖案包括一第一凹部以及一第二凹部。第二凹部環繞第一凹部，且第二凹部相對於下表面的深度大於第一凹部相對於下表面的深度。

在本發明之一實施例中，上述之第一凹槽圖案相對於下表面實質上具有一均等的深度。

本發明提供一種無外引腳封裝結構，其包括一導腳群組、一晶片、一封裝膠體以及一焊料層。導腳群組包括一晶片座以及多個引腳，其中引腳圍繞晶片座配置。晶片配置於導腳群組的晶片座上且以多條導線分別電性連接至引腳。封裝膠體覆蓋晶片、導線以及導腳群組，其中封裝膠體暴露出晶片座之一底面以及引腳之一下表面與至少一側表面的局部。焊料層包覆封裝膠體所暴露出之引腳的下表面以及側表面的局部。

在本發明之一實施例中，上述之引腳的側表面上包含一第一頸縮部，且部分焊料層延伸並填充於第一頸縮部內。

在本發明之一實施例中，上述之焊料層更配置於晶片座的底面上。

在本發明之一實施例中，上述之封裝膠體更暴露出晶片座的多個側表面之局部，且焊料層包覆晶片座的底面以及側表面的局部。

在本發明之一實施例中，上述之封裝膠體所暴露之晶片座的多個側表面上包含一第二頸縮部，且部分焊料層延伸並填充於第二頸縮部內。

在本發明之一實施例中，上述之無外引腳封裝結構更包括一金屬鍍層，配置於引腳相對於下表面的一上表面上。

基於上述，相較於習知必須先塗佈錫層才能將無外引腳封裝結構焊接至印刷電路板上而言，本發明是先將焊料層形成於金屬基板之下表面的凹槽圖案內，所以經由背蝕刻製程之後，即可形成突出於封裝膠體之外的引腳及位於引腳之下表面上的焊料層。因此，本發明之焊料層的設計除了可視為引腳的保護層之外，其亦可減少後續將無外引腳封裝結構藉由表面黏著技術焊接於印刷電路板上的製程步驟，可有效提高產品的可靠度與後續製程的便利性。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1E為本發明之一實施例之一種無外引腳封裝結構的製作方法的剖面示意圖。請先參考圖1A，其中，子圖(a)為第一凹部與第二凹部的剖面示意圖，子圖(b)為一實施例之第一凹部與第二凹部的俯視示意圖，而子圖(c)為另一實施例之第一凹部與第二凹部的俯視示意圖，本實施例的無外引腳封裝結構的製作方法包括以下步驟。首先，請參考圖1A，提供一金屬基板110。詳細來說，本實施例之金屬基板110具有彼此相對的一上表面111a及一下表面111b。

接著，請再參考圖1A，圖案化金屬基板110的上表面111a以及下表面111b，以使上表面111a形成多個第一凸部114a以及至少一第二凸部114b，以及於下表面111b上形成多個對應第一凸部114a的第一凹槽圖案115a以及對應第二凸部114b的一第二凹槽圖案115b。特別是，請參考子圖(a)，在本實施例中，第一凹槽圖案115a包括一第一凹部116a以及一第二凹部116b，其中第二凹部116b環繞第一凹部116a，且第二凹部116b相對於下表面111b的深度大於第一凹部116a相對於下表面111b的深度。也就是說，第一凹槽圖案115a為具有兩種不同深度之凹部。同理，在本實施例中，如圖1A所示，第二凹槽圖案115b亦可具有兩種不同深度的凹部，但並不以此為限。此外，第一凹部116a與第二凹部116b的形狀可例如是矩形，請參考子圖(b)，或圓形/橢圓形，請參考子圖(c)，在此並不加以限制。另外，在本實施例中，形成第一凹槽圖案115a以及第二凹槽圖案115b的方法例如是採用蝕刻法或雷射燒蝕法，而金屬基板110例如是銅基板。

接著，請再參考圖1B，於每一第一凹槽圖案115a內以及第二凹槽圖案115b內形成一第一焊料層120。在本實施例中，第一焊料層120的材質例如是錫鉛焊料或無鉛焊錫。

接著，請再參考圖1B，第一凸部114a上可選擇性地形成一金屬鍍層150。在本實施例中，金屬鍍層150的材質例如是金、銀或鈀。

接著，請參考圖1C，將一晶片130固定於第二凸部114b上，其中晶片130與第二凸部114b之間形成一黏著層160，使晶片130可透過黏著層160而固定於第二凸部114b上，其中黏著層160的種類例如是環氧樹脂(epoxy resin)膠或黏晶薄膜(die attach film)。

接著，請再參考圖1C，進行打線接合製程，形成多條導線170以分別電性連接晶片130上的焊墊(未繪示)至所對應的第一凸部114a。

然後，請再參考圖1C，進行封膠製程(molding)，以形成一封裝膠體140於金屬基板110的上表面111a上，其中封裝膠體140覆蓋晶片130、第一凸部114a、第二凸部114b以及導線170。

最後，請同時參考圖1C與圖1D，以第一焊料層120為一蝕刻罩幕，對金屬基板110的下表面111b進行一背蝕刻製程，以移除金屬基板110的部份區域至暴露出封裝膠體140，並定義出多個彼此分離的引腳112a以及至少一承載晶片130的晶片座112b，而引腳112a與晶片座112b即構成所謂的導腳群組112。其中，引腳112a圍繞晶片座112b，且引腳112a的排列方式為至少一環狀排列或陣列排列，在此並不加以限制。

由於第一凹槽圖案115a與第二凹槽圖案115b皆具有兩種深度之凹部，因此當第一焊料層120填充於第一凹槽圖案115a與第二凹槽圖案115b時，引腳112a的部分側表面113b會預先被第一焊料層120所包覆。詳細來說，引腳112a的一下表面113a以及至少一側表面113b的局部顯露於封裝膠體140之外，即引腳112a突出於封裝膠體140之外，並且局部為第一焊料層120所包覆，其中每一第一凹槽圖案115a定義出每一引腳112a顯露於封裝膠體140外的下表面113a以及側表面113b的局部外部輪廓，而第二凹槽圖案115b定義出晶片座112b顯露於封裝膠體140外的下表面117a以及側表面117b的局部外部輪廓。必需說明的是，當引腳112a的外形為矩形時，其可具有多個側表面113b，但當引腳112a的外形為圓形或橢圓形時，其僅具有一個側表面113b。在此並不限制引腳112a的外形。

此外，在本實施例中，背蝕刻製程會在每一引腳112a的側表面113b上形成一第一頸縮部113c，以及在晶片座112b的側表面117b上形成一第二頸縮部117c。特別是，在本實施例中，由於第一凹槽圖案115a與第二凹槽圖案115b皆具有兩種深度之凹部，因此當將由背蝕刻製程而形成第一頸縮部113c以及第二頸縮部117c時，第一頸縮部113c以及第二頸縮部117c的位置會較為接近封裝膠體140。至此，已大致完成無外引腳封裝結構100a的製作。

簡言之，本實施例之無外引腳封裝結構100a包括導腳群組112、第一焊料層120、晶片130、封裝膠體140以及金屬鍍層150。其中，導腳群組112包括引腳112a以及晶片座112b，其中引腳112a圍繞晶片座112b配置，且每一引腳112a的側表面113b包含第一頸縮部113c，而晶片座112b的側表面117b具有第二頸縮部117c。晶片130配置於導腳群組112的晶片座112b上且透過導線170分別電性連接至相應的引腳112a。封裝膠體140覆蓋晶片130、導線170以及導腳群組112，其中封裝膠體140暴露出晶片座112b的底面117a與側表面117b的局部以及每一引腳112a的下表面113a與側表面113b的局部，即引腳112a及晶片座112b突出於封裝膠體140之外。第一焊料層120包覆封裝膠體140所暴露出之每一引腳112a的下表面113a與側表面113b的局部以及晶片座112b的底面117a與側表面117b的局部。金屬鍍層150配置於每一引腳112a相對於下表面113a的上表面(即原金屬基材110的上表面111a)上。

值得一提的是，在本實施例中，背蝕刻製程可包括等向性蝕刻製程或非等向性蝕刻製程，在此並不加以限制。再者，本實施例於背蝕刻過程所採用的蝕刻液具錫銅選擇性蝕刻性質(即蝕銅不蝕錫)。因此，於背蝕刻製程之後，第一焊料層120仍可穩固位於引腳112a的下表面113a上以及晶片座112b的底面117a上，可有效提升製程良率與結構可靠度。再者，第一焊料層120亦可為一保護層，用以保護暴露於封裝膠體140之外的每一引腳112a的下表面113a與側表面113b的局部以及晶片座112b的底面117a與側表面117b的局部。

於後續的製程中，請參考圖1E，只須對無外引腳封裝結構100a的第一焊料層120進行一迴焊步驟，即可在表面黏著時將無外引腳封裝結構100a焊接於一印刷電路板(未繪示)上。特別是，於進行迴焊的過程中，部分第一焊料層120會延伸並且填充於晶片座112b的第二頸縮部117c內以及每一引腳112a的第一頸縮部113c內，可有效增加第一焊料層120與晶片座112b以及每一引腳112a之間的結合力。

簡言之，本實施例之第一焊料層120的設置除了可視為引腳112a與晶片座112b的一保護層之外，相較於習知必須先塗佈焊料(錫層)才能將無外引腳封裝結構焊接至印刷電路板上而言，本實施例可透過迴焊步驟直接將無外引腳封裝結構100a藉由表面黏著技術焊接於印刷電路板上，而無需再塗佈焊料(錫層)，可有效提高結構可靠度與後續製程的便利性。

以下將以幾個不同之實施例來說明無外引腳封裝結構及其製造方法。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2A至圖2C為本發明之另一實施例之一種無外引腳封裝結構的製作方法的剖面示意圖。請參考圖2A與圖2B，圖2C之無外引腳封裝結構100b與圖1D之無外引腳封裝結構100a相似，其不同之處在於：圖2C之無外引腳封裝結構100b之導腳群組112’的結構設計以及第一焊料層120的配置方式不同於圖1D之無外引腳封裝結構100a之導腳群組112的結構設計及第一焊料層120的配置方式。

詳細來說，在本實施例中，第一凹槽圖案115a’相對於下表面111b實質上具有一均等的深度，也就是說，第一凹槽圖案115a’實質上僅具有一種深度。此外，導腳群組112’之晶片座112b’的底面117a’與封裝膠體140的一底面142實質上切齊。第一引腳112a’之第一頸縮部113c’實質上大於圖1D之每一引腳112a之第一頸縮部113c。此外，第一焊料層120僅覆蓋每一引腳112a’的下表面113a’。

於製程時，本實施例之無外引腳封裝結構100b的製作方法可採用與圖1A至圖1D之無外引腳封裝結構100a大致相同的製作方式，其中本實施例僅於金屬基板110的下表面111b上對應第一凸部114a形成第一凹槽圖案115a’，其中第一凹槽圖案115a’相對於下表面111b實質上具有一均等的深度。接著，請參考圖2B，於每一第一凹槽圖案115a’內形成第一焊料層120。接著，再進行圖1C之固定晶片130於金屬基板110的第二凸部114b上、形成導線170分別電性連接晶片130至第一凸部114a以及形成封裝膠體140等步驟。之後，再對金屬基板110的下表面111b進行背蝕刻製程，以定義出引腳112a’以及晶片座112b’，而引腳112a’與晶片座112b’即構成為所謂的導腳群組112’。其中，於進行背蝕刻製程的過程，由於側向低切(undercut)的現象，而使得引腳112a’之側表面蝕刻深度較大，而產生較大的頸縮部，意即本實施例之引腳112a’之第一頸縮部113c’實質上大於圖1D之每一引腳112a之第一頸縮部113c。此外，由於本實施例對應於晶片座112b’的位置並未設置第二凹槽圖案115b，請參考圖1A，因此於背蝕刻製程之後，晶片座112b’會被蝕刻至與封裝膠體140的底面142切齊。當然，於其他未繪示的實施例中，晶片座112b’也可以如晶片座112b一樣突出於封裝膠體140之外，在此並不加以限制。至此，即可大致完成本實施例之無外引腳封裝結構100b。

圖3A至圖3C為本發明之又一實施例之一種無外引腳封裝結構的製作方法的剖面示意圖。請參考圖3A至圖3C，圖3C之無外引腳封裝結構100c與圖1D之無外引腳封裝結構100a相似，其不同之處在於：圖3C之無外引腳封裝結構100c之導腳群組112”的結構設計以及第一焊料層120的配置方式不同於圖1D之無外引腳封裝結構100a之導腳群組112的結構設計及第一焊料層120的配置方式。

詳細來說，本實施例之金屬基板110之晶片座112b”的底面117a”與封裝膠體140的底面142實質上切齊。當然，於其他未繪示的實施例中，晶片座112b”也可以如晶片座112b一樣突出於封裝膠體140之外，在此並不加以限制。焊料層(包括第一焊料層120與一第二焊料層125)完全包覆暴露於封裝膠體140外的引腳112a”及填充於第一頸縮部113c”內。

於製程時，本實施例之無外引腳封裝結構100c的製作方法可採用與圖1A至圖1E之無外引腳封裝結構100a大致相同的製作方式，其中本實施例僅於金屬基板110的下表面111b上對應第一凸部114a形成第一凹槽圖案115a，而於金屬基板110的上表面111a上還形成多個第三凹槽圖案115c，其中第三凹槽圖案115c分別對應於第一凹槽圖案115a且分別環繞第一凸部114a。接著，於形成第一焊料層120的同時，於每一第三凹槽圖案115c內形成一第二焊料層125。接著，再進行圖1C之固定晶片130於金屬基板110的第二凸部114b上、形成導線170分別電性連接晶片130至第一凸部114a以及形成封裝膠體140等步驟。然後，再對金屬基板110的下表面111b進行背蝕刻製程，以定義出引腳112a”與晶片座112b”，而引腳112a”與晶片座112b”即構成為所謂的導腳群組112”。最後，再對第一焊料層120以及第二焊料層125進行一迴焊步驟，藉由表面黏著技術而將無外引腳封裝結構100c焊接於一印刷電路板(未繪示)上。特別是，於進行迴焊的過程中，部分第一焊料層120或第二焊料層125會延伸至每一引腳112a”的第一頸縮部113c”內且第一焊料層120與第二焊料層125連接成一體。至此，即可大致完成本實施例之無外引腳封裝結構100c。

綜上所述，由於本發明是先將焊料層形成於金屬基板之下表面的凹槽圖案內，不僅可作為背蝕刻製程時的蝕刻罩幕，且經由背蝕刻製程之後，即可形成突出於封裝膠體之外的引腳及位於引腳之下表面上的焊料層。因此，相較於習知必須先塗佈焊料(錫層)才能將無外引腳封裝結構焊接至印刷電路板上而言，本發明之焊料層的設計除了可視為引腳的保護層之外，其亦可減少後續將無外引腳封裝結構藉由表面黏著技術焊接於印刷電路板上的製程步驟，可有效提高產品的可靠度與後續製程的便利性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100a、100b、100c．．．無外引腳封裝結構

110．．．金屬基板

111a．．．上表面

111b．．．下表面

112、112’、112”．．．導腳群組

112a、112a’、112a”．．．引腳

112b、112b’、112b”．．．晶片座

113a、113a’．．．下表面

113b．．．側表面

113c、113c’、113c”．．．第一頸縮部

114a．．．第一凸部

114b．．．第二凸部

115a、115a’．．．第一凹槽圖案

115b．．．第二凹槽圖案

115c．．．第三凹槽圖案

116a．．．第一凹部

116b．．．第二凹部

117a、117a’、117a”．．．底面

117b．．．側表面

117c．．．第二頸縮部

120．．．第一焊料層

125．．．第二焊料層

130．．．晶片

140．．．封裝膠體

142．．．底面

150．．．金屬鍍層

160．．．黏著層

170．．．導線

圖1A至圖1E為本發明之一實施例之一種無外引腳封裝結構的製作方法的剖面示意圖。

圖2A至圖2C為本發明之另一實施例之一種無外引腳封裝結構的製作方法的剖面示意圖。

圖3A至圖3C為本發明之又一實施例之一種無外引腳封裝結構的製作方法的剖面示意圖。

100a．．．無外引腳封裝結構

111a．．．上表面

112．．．導腳群組

112a．．．引腳

112b．．．晶片座

113a．．．下表面

113b．．．側表面

113c．．．第一頸縮部

117a．．．底面

117b．．．側表面

117c．．．第二頸縮部

120．．．第一焊料層

130．．．晶片

140．．．封裝膠體

150．．．金屬鍍層

160．．．黏著層

170．．．導線

Claims (16)

1. 一種無外引腳封裝結構的製作方法，包括：提供一金屬基板，該金屬基板具有彼此相對的一上表面及一下表面；圖案化該金屬基板的該上表面以及該下表面，以於該上表面形成多個第一凸部以及至少一第二凸部，並於該下表面上形成多個對應該些第一凸部的第一凹槽圖案；於各該第一凹槽圖案內分別形成一第一焊料層；將一晶片固定於該第二凸部上；形成多條導線分別電性連接該晶片至該些第一凸部；於該金屬基板的該上表面上形成一封裝膠體，其中該封裝膠體覆蓋該晶片、該些第一凸部、該第二凸部以及該些導線；以及以該第一焊料層為一蝕刻罩幕，對該金屬基板的該下表面進行一背蝕刻製程，以移除該金屬基板的部分區域至暴露出該封裝膠體，並定義出一導腳群組，該導腳群組包含至少一承載該晶片的晶片座以及多個彼此分離的引腳，其中該些引腳之一下表面以及至少一側表面的局部顯露於該封裝膠體之外並且局部為該第一焊料層所包覆。
2. 如申請專利範圍第1項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，其中各該第一凹槽圖案定義出各該引腳顯露於該封裝膠體外的該下表面以及該側表面的局部外部輪廓。
3. 如申請專利範圍第1項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，其中形成該些第一凹槽圖案的方法包括蝕刻法或雷射燒蝕法(Laser ablation)。
4. 如申請專利範圍第1項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，更包括：於圖案化該金屬基板之後，形成一金屬鍍層於該些第一凸部上。
5. 如申請專利範圍第1項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，更包括：對該金屬基板的該下表面進行該背蝕刻製程的同時，形成一第一頸縮部於各該引腳的該側表面上。
6. 如申請專利範圍第5項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，更包括：對該金屬基板的該下表面進行該背蝕刻製程之後，對該第一焊料層進行一迴焊步驟，其中部分該第一焊料層延伸並填充於各該引腳的該第一頸縮部內。
7. 如申請專利範圍第1項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，更包括：於圖案化該金屬基板的同時，於該金屬基板的該下表面上形成一第二凹槽圖案，其中該第二凹槽圖案對應該第二凸部；以及形成該第一焊料層於各該第一凹槽圖案內的同時，將該第一焊料層形成於該第二凹槽圖案內。
8. 如申請專利範圍第1項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，更包括：於圖案化該金屬基板時，於該金屬基板的該上表面上形成多個第三凹槽圖案，其中各該第三凹槽圖案環繞各該第一凸部並對應於各該第一凹槽圖案；以及形成該第一焊料層的同時，於各該第三凹槽圖案內形成一第二焊料層。
9. 如申請專利範圍第1項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，其中該第一凹槽圖案包括一第一凹部以及一第二凹部，該第二凹部環繞該第一凹部，且該第二凹部相對於該下表面的深度大於該第一凹部相對於該下表面的深度。
10. 如申請專利範圍第1項所述之無外引腳封裝結構的製作方法，其中該第一凹槽圖案相對於該下表面實質上具有一均等的深度。
11. 一種無外引腳封裝結構，包括：一導腳群組，包括一晶片座以及多個引腳，其中該些引腳圍繞該晶片座配置；一晶片，配置於該導腳群組的該晶片座上且以多條導線分別電性連接至該些引腳；一封裝膠體，覆蓋該晶片、該些導線以及該導腳群組，其中該封裝膠體暴露出該晶片座之一底面以及各該引腳之一下表面與至少一側表面的局部；以及一焊料層，包覆該封裝膠體所暴露出之各該引腳的該下表面以及該側表面的局部。
12. 如申請專利範圍第11項所述之無外引腳封裝結構，其中各該引腳的該側表面上包含一第一頸縮部，且部分該焊料層延伸並填充於該第一頸縮部內。
13. 如申請專利範圍第11項所述之無外引腳封裝結構，其中該焊料層更配置於該晶片座的該底面上。
14. 如申請專利範圍第11項所述之無外引腳封裝結構，其中該封裝膠體更暴露出該晶片座的多個側表面之局部，且該焊料層包覆該晶片座的該底面以及該些側表面的局部。
15. 如申請專利範圍第14項所述之無外引腳封裝結構，其中該封裝膠體所暴露之該晶片座的該些側表面上包含一第二頸縮部，且部分該焊料層延伸並填充於該第二頸縮部內。
16. 如申請專利範圍第11項所述之無外引腳封裝結構，更包括一金屬鍍層，配置於各該引腳相對於該下表面的一上表面上。