TWI452649B - 電漿反應器腔室中具有晶圓邊緣氣體注入之陰極襯墊 - Google Patents

Description

電漿反應器腔室中具有晶圓邊緣氣體注入之陰極襯墊

本文關於一電漿反應器腔室，其用於處理一工件，例如，一半導體晶圓，以生產積體電路。具體說來，本揭示係關於在這一類反應器腔室中於頂板及晶圓邊緣之獨立的製程氣體注入。

在用於蝕刻半導體晶圓上之矽或多晶矽薄膜之電漿反應器腔室中，在晶圓各處之蝕刻速度之均勻分佈是必須的。晶圓各處之蝕刻速度之不均勻分佈由臨界尺寸(CD)中之不均勻性指示。臨界尺寸可為薄膜電路圖案中之一典型線之寬度。臨界尺寸在晶圓表面上遭受較高蝕刻速度之區域中較小，而在較低蝕刻速度之區域中較大。

在製程氣體由頂板注入之矽蝕刻腔室中，吾人已發現與其他晶圓表面上之區域相比，在晶圓邊緣之臨界尺寸非常小。小臨界尺寸之效應典型侷限於晶圓表面之外部或周邊的1%。此問題使用習用技術並未解決。具體說來，蝕刻均勻性可藉由在頂板將氣體分配劃分為獨立的內部及外部氣體注入區域，並藉由調整至內部及外部區域之氣體流速以最大化均勻性來改善。不過，內部及外部氣體注入區域之流速調整並未解決在晶圓表面之外部1%之小臨界尺寸之問題。具體說來，在頂板之內部及外部氣體注入區域之流速調整可產生遍及晶圓各處之相當均勻的臨界尺寸，偕 同在晶圓邊緣之一寬度約為晶圓直徑的1%之區域之例外。

因此，存在有獨立控制晶圓邊緣之外部1%之臨界尺寸而不降低對晶圓之其他區域所達成之蝕刻速度分佈均勻性之需要。

一工件支撐係設置用於在一電漿反應器之處理期間支撐一工件，例如，一半導體晶圓。工件支撐包含一基座，其具有一工件支撐表面。一處理環疊加在基座之周邊上。處理環鄰接工件支撐表面之周邊邊界。一晶圓邊緣氣體注入器係由處理環形成，並具有通常面對一疊加在工件支撐表面上之工件位置之注入開口。一製程氣體供應器係耦合至晶圓邊緣氣體注入器。

在一實施例中，晶圓邊緣氣體注入器包含一環形狹縫開口。在一進一步的實施例中，一襯墊圍繞基座之一側，並具有一位於處理環下方之頂表面。襯墊內部之複數個軸向通道延伸通過襯墊至襯墊之頂表面。一環形饋送通道係定義在處理環及襯墊間。複數個軸向通道各自耦合至環形饋送通道，且晶圓邊緣氣體注入器係耦合至環形饋送通道。

在尚有一進一步的實施例中，襯墊進一步包含一底表面及一位於底表面下方之基底，基底包含一環形氣室。複數個軸向通道係耦合至環形氣室。

此申請案主張對2007年9月5日由Dan Katz等人提出申請之發明名稱為「電漿反應器腔室中具有晶圓邊緣氣 體注入之陰極襯墊」之美國專利申請案第11/899,614號；及2007年9月5日由Dan Katz等人提出申請之發明名稱為「在具有獨立的晶圓邊緣製程氣體注入之電漿反應器中處理一工件之方法」之美國專利申請案第11/899,613號之優先權。

參照圖1，一電漿反應器包含真空腔室100，其係以圓柱形側壁108、頂板110、及地板115圍住。晶圓支撐125在晶圓處理期間支撐半導體晶圓130。晶圓支撐125包含陰極電極135，其亦充當一靜電吸盤(ESC)電極。支撐125包含絕緣層137，其分隔電極135與晶圓130；及絕緣層139，其分隔電極135與下方之晶圓支撐125之部件。上部絕緣層137具有頂部晶圓支撐表面137a。反應器進一步包含電感耦合電源施用器或線圈天線140，其位於頂板110上方。射頻電漿電源產生器145係通過射頻阻抗匹配150耦合至線圈天線140。射頻電漿偏壓功率產生器155係通過射頻阻抗匹配160耦合至陰極電極135。直流吸盤電壓供應器161係通過控制開關162連接至ESC電極135。絕緣電容163阻擋直流電流由供應器161至射頻偏壓功率產生器155。

製程氣體係由頂板110上之氣體分配注入器165傳送至腔室內部空間之內部。注入器165由內部區域注入器170及外部區域注入器175組成。內部區域注入器170及外部 區域注入器175之各一可以複數個注入孔或，替代地，以一狹縫實施。內部區域注入器170係定向以將製程氣體導向腔室之中心區域。外部區域注入器175係定向以將製程氣體導向腔室之周邊區域。內部區域注入器170係通過閥180耦合至氣體分配面板185。外部區域注入器175係通過閥190耦合至氣體分配面板185。不同的製程氣體供應器101、102、103、104、105供應不同的製程氣體給氣體分配面板185。如同在圖1之圖式中所指示，在一實施例中，各氣體供應器可通過獨立閥195個別連接至不同一個的內部及外部閥180、190。在圖1之實施例中，氣體供應器101包含氟代烴氣體，例如，CH₂ F₂ 、或CHF₃ ；氣體供應器102包含溴化氫氣體；氣體供應器103包含氣氣；氣體供應器104包含氬氣；且氣體供應器105包含氧氣。此處所提到之氣體為範例。可使用任何適當的製程氣體。

晶圓支撐125由環形陰極襯墊200圍繞。陰極襯墊200可由製程相容材料構成，例如，舉例來說，石英。處理環205覆蓋陰極襯墊200之頂部並覆蓋晶圓支撐表面137a之周邊部分。處理環205由製程相容材料構成，例如，石英。晶圓支撐125可包含材料，例如，金屬，其與電漿處理不相容，且襯墊200及環205隔離晶圓支撐125與電漿。處理環205之徑向內部邊緣205a鄰接晶圓130之邊緣。在一實施例中，處理環可提供改善的射頻電場分佈。

一矽或多晶矽蝕刻製程利用矽蝕刻氣體，例如，溴化氫(HBr)及氯(Cl₂ )，以蝕刻矽材料，並利用聚合物種，例 如，二氟甲烷(CH₂ F₂ )、或三氟甲烷(CHF₃ )，以改善蝕刻輪廓。聚合物在與蝕刻反應競爭之聚合物沈積反應中沈積在具有深的深寬比開口之側壁上。

圖1之反應器在晶圓邊緣可具有貧乏的臨界尺寸(CD)控制之問題。典型地，臨界尺寸為電路圖案中一所選線之寬度。臨界尺寸傾向於在晶圓邊緣小於晶圓130上之別處。小臨界尺寸之問題傾向於發生在晶圓130邊緣之一環形區域中，該區域之寬度(由晶圓邊緣向內延伸)約為晶圓直徑的1%。(此窄區域此後將指為圖5所示之晶圓邊緣區域130a，其在此專利說明書中稍後討論。)在剩餘的晶圓130上方，這類問題係藉由調整閥180及190以獲得製程氣體流速與內部及外部氣體頂板注入器170、175之最佳比例而最小化或預防。不過，這一類最佳調整並未解決晶圓邊緣區域130a之貧乏的臨界尺寸控制問題。晶圓邊緣區域130a之小臨界尺寸指示在晶圓邊緣區域較別處更高的蝕刻速度。

吾人已發現相對於多數其他部分的晶圓，在晶圓邊緣區域130a上方之氣體流速極低。舉例來說，在某些應用中，當在大多數晶圓表面上方之氣體流速介於約每秒10及20米間時，晶圓邊緣區域上方之氣流近乎零。如果晶圓邊緣區域上方之氣流因而停滯，則在晶圓邊緣上方之氣體駐留時間極高，產生相對高的製程氣體物種之解離。這類高解離可在晶圓邊緣區域增加高反應物種之總數。這類高反應物種可包含自由基或中性粒子，其(a)蝕刻極端迅速或 (b)抑制聚合物沈積。舉例來說，由這類解離產生之一高反應蝕刻物種可包含原子HBr及/或原子Cl₂ 。結果為一較高的蝕刻速度及一相對較小的臨界尺寸。

在一實施例中，一新氣體係在晶圓邊緣注入以對付晶圓邊緣之不均勻的蝕刻速度。新氣體可為一惰性氣體，例如，氬。在一實施例中，新氣體之注入增加晶圓邊緣區域上方之氣體流速，並減少晶圓邊緣區域上方之製程氣體之駐留時間。駐留時間之減少降低晶圓邊緣區域上方之高反應物種，例如，自由基或中性粒子，之總數。新氣體在晶圓邊緣之速度或流速可足夠低以避免影響超出窄晶圓邊緣區域之蝕刻速度。典型地，晶圓邊緣區域約為3 mm寬。

在一實施例中，一聚合氣體係在晶圓邊緣注入以對付晶圓邊緣之不均勻的蝕刻速度。舉例來說，聚合氣體可為CH₂ F₂ 或CHF₃ 。添加聚合物種增加晶圓邊緣區域之聚合物沈積速度，其降低蝕刻速度。聚合物種氣體注入晶圓邊緣之速度或流速可足夠低以避免影響超出窄晶圓邊緣區域之蝕刻速度。典型地，晶圓邊緣區域約為3 mm寬。

在一實施例中，處理環205係劃分為上部處理環210及下部處理環212，並在其間遺留面對(幾乎接觸)晶圓130邊緣之窄環形狹縫220。環形狹縫220以位於0.6 mm至3 mm，例如，約為1%的晶圓直徑，之範圍中之非常小的距離與晶圓邊緣分隔。一所需氣體(例如，一惰性氣體或一聚合物種氣體)係供應以便由環形狹縫220徑向向內並直接在晶圓邊緣注入。此新氣體或聚合物種氣體可由氣體分配 面板185供應。

在一實施例中，環形氣體氣室225係設置在陰極襯墊200之底部。陰極氣流控制閥227通過導管229來控制由氣體分配面板185至氣室225之氣流。氣體係藉由陰極襯墊200內部之垂直通道240由氣室225傳導至晶圓邊緣之環形狹縫220。

圖2說明陰極襯墊200之一示範的內部結構。陰極襯墊200係參照圖1如由一絕緣體，例如，石英，構成而敘述。在圖2之實施例中，陰極襯墊200係由金屬構成，且如圖5所示，石英襯墊126分隔金屬陰極襯墊200與晶圓支撐125。陰極襯墊200包含圓柱形壁201，其具有環形頂表面201a。環形基底215支撐圓柱形壁201。肩部235以徑向朝外方向由基底215延伸並容納氣體供應入口230。圖1所示之氣室225係形成在圖2之陰極環之環形基底215內部，如在圖3之橫剖面圖中所描畫。內部通道232徑向延伸通過肩部235，並在一端耦合至氣體供應入口230，且在一相對端耦合至氣室225，如在圖4之橫剖面圖中所描畫。如圖2所示，垂直通道240軸向延伸通過圓柱形壁201，並圍繞圓柱形壁201方位角地隔開。各垂直通道240之底部端係耦合至氣室225，且各垂直通道240之頂部端在圓柱形壁201之環形頂部表面201a處開口。在一實施例中，圓柱形壁201約為0.25英吋厚，且各垂直通道240為圓柱形壁201內部之軸向0.05英吋的孔。

在圖1之實施例中，圓柱形壁201支撐下部處理環 212，且上部處理環210係支撐在下部處理環212上。

如圖5所示，內側石英襯墊126圍繞工件支撐125，並由陰極襯墊之圓柱形壁201圍繞。如圖5所示，內側襯墊126支撐下部處理環212，而陰極襯墊之圓柱形壁201支撐上部處理環210。環形氣體饋送腔室260係由圓柱形壁之頂表面201a、上部處理環、及下部處理環212界定。環形饋送通道262係形成如同介於上部及下部處理環210及212間之一間隙。上部處理環210之底表面中之外部環形突出210a面對下部處理環212之頂表面中之外部環形凹部212a。內部環形凹部210b係設置在上部處理環210之底表面中。內部環形凹部210b面對下部處理環212之凸起的肩部212b以形成氣體注入狹縫220。突出210a、凹部212a、凹部210b、及肩部212b提供一曲折路徑給饋送通道262，如圖5所示。通過圖1之閥227供應之氣體流至陰極或晶圓支撐125並進入圖4所示之入口230，接著流過內部通道232至氣室225。從氣室225起，氣體向上流過垂直通道240進入圖5之饋送腔室260，接著流過饋送通道262進入注入狹縫220。

如圖6之側視圖所示，注入狹縫220之端或出口埠係位於晶圓130邊緣之非常短的距離D之內，其中D係介於0.6 mm至3 mm之等級間。給定這一短距離，來自注入狹縫220之氣流效應可高度局部化以便不要影響超出3 mm寬之晶圓邊緣區域130a之處理。這類局部化可藉由在注入狹縫220內部建立一非常低的氣體流速來實現。舉例來 說，通過閥227(至晶圓邊緣注入狹縫220)之氣體流速可介於通過閥180及190之氣體流速之1%及10%間。以此方式，流出注入狹縫220之氣體僅影響窄晶圓邊緣區域130a中之處理(例如，蝕刻速度)，而不影響在晶圓130之剩餘部份上之處理。

圖7為一圖，其描畫晶圓表面上作為一製程中之徑向位置之二氯化矽(SiCl₂ )之密度，在該製程中，一聚合氣體(例如，CH₂ F₂ 或CHF₃ )係通過圖1至6之晶圓邊緣注入狹縫220引入，而一蝕刻製程氣體(例如，Hbr及Cl₂ )係通過頂板注入器170、175引入。SiCl₂ 之密度為在這一類製程中聚合作用之程度之指示器。圖7之圖顯示在缺乏任何來自注入狹縫220之氣流的情況下，聚合作用在晶圓邊緣相對降低(曲線A)。在聚合氣體通過注入狹縫220供應的情況下，聚合作用在晶圓邊緣之程度顯著增加(曲線B)。通過晶圓邊緣注入狹縫220之聚合作用氣流係限制在低速。此注入狹縫之流速限制將聚合作用之增加侷限在晶圓直徑之外部1%之晶圓邊緣區域。在一範例中，通過頂板注入器170、175之蝕刻製程氣體流速約為150 sccm，而聚合作用氣體流過晶圓邊緣注入器狹縫220約為5 sccm。

圖8說明操作圖1至6之電漿反應器以便增加晶圓邊緣區域之臨界尺寸之一示範方法。一矽蝕刻劑物種氣體，例如，Hbr及Cl₂ ，係通過內部區域之頂板注入器170以一第一氣體流速(圖8之方塊400)，及通過外部區域之頂板注入器175以一第二氣體流速(圖8之方塊405)注入。通 過內部及外部區域之頂板注入器170、175之氣流足以達到在晶圓表面各處所需的平均蝕刻速度。蝕刻速度分佈係藉由獨立調整通過內部及外部之頂板注入器170、175之氣體流速來調整整個除了周邊1%外之晶圓表面，直到蝕刻速度分佈均勻性最佳化為止(圖8之方塊410)。此典型使晶圓邊緣區域或晶圓表面之外部1%處之蝕刻速度太高(或臨界尺寸太小)。晶圓邊緣區域之蝕刻速度係(專門)藉由降低晶圓邊緣區域上之氣體駐留時間以減少晶圓邊緣區域上之解離而向下調整(或臨界尺寸係向上調整)。在一實施例中，降低晶圓邊緣區域上之氣體駐留時間係藉由使一適當氣體，例如，一惰性氣體或氧，流過晶圓邊緣注入狹縫220以激起晶圓邊緣上方之氣流而完成(圖8之方塊415)。氣流增加或氣體駐留時間降低係藉由限制通過晶圓邊緣注入器狹縫之氣體流速為一小流速而將之侷限在晶圓邊緣區域。此小流速係選擇以達到最均勻的臨界尺寸分佈，其可受製程氣體物種之選擇所影響，並可，舉例來說，位於1至20 sccm之範圍內。

圖9說明操作圖1至6之電漿反應器以便增加晶圓邊緣區域之臨界尺寸之另一示範方法。一矽蝕刻劑物種氣體，例如，Hbr及Cl₂ ，係通過內部區域之頂板注入器170以一第一氣體流速(圖9之方塊420)，及通過外部區域之頂板注入器175以一第二氣體流速(圖9之方塊425)注入。通過內部及外部區域之頂板注入器170、175之氣流足以達到在晶圓表面各處所需的平均蝕刻速度。蝕刻速度分佈係 藉由獨立調整通過內部及外部之頂板注入器170、175之氣體流速來調整整個除了周邊1%外之晶圓表面，直到蝕刻速度分佈均勻性最佳化為止(圖9之方塊430)。此典型使晶圓邊緣區域或晶圓表面之外部1%處之蝕刻速度太高(或臨界尺寸太小)。晶圓邊緣區域之蝕刻速度係(專門)藉由增加晶圓邊緣區域上之聚合作用以降低晶圓邊緣區域上之蝕刻速度而向下調整(或臨界尺寸係向上調整)。在一實施例中，增加晶圓邊緣區域上之聚合作用係藉由使一聚合作用氣體，例如，CH₂ F₂ 或CHF₃ ，流過晶圓邊緣注入狹縫220而完成(圖9之方塊435)。結果的聚合物沈積速度之增加增加臨界尺寸。此增加係藉由限制通過晶圓邊緣注入器狹縫之氣體流速為一小流速而將之侷限在晶圓邊緣區域。此小流速係選擇以達到最均勻的臨界尺寸分佈，其可受製程氣體物種之選擇所影響，並可，舉例來說，位於1至20 sccm之範圍內。

在圖8或9之方法之任一者中，進一步的最佳化係藉由調整通過頂板注入器170及175及/或調整通過晶圓邊緣狹縫220之氣體流速來達成。舉例來說，通過頂板注入器170、175之蝕刻劑氣流可減少，同時增加通過晶圓邊緣狹縫220之惰性或聚合作用氣流，以進一步增加晶圓邊緣區域之臨界尺寸。不過，通過晶圓邊緣狹縫之流速可足夠低以將效應侷限在晶圓邊緣區域。然而，通過頂板注入器170、175之蝕刻劑氣體流速可如所需般降低(例如，至零)。相反地，通過頂板注入器170、175之蝕刻劑氣流可增加， 同時減少通過晶圓邊緣狹縫220之惰性或聚合作用氣體，以縮小晶圓邊緣區域之臨界尺寸。

雖然本發明已參照實施例敘述，其中一所選氣體係緊鄰晶圓邊緣通過一連續狹縫注入器注入，位於晶圓邊緣之注入器可採用其他形式，例如，許多圍繞晶圓邊緣之一陣列的或一連串的氣體注入孔口。

雖然前文係針對本發明之實施例，本發明之其他及進一步的實施例可在不偏離其基本範圍的情況下思及，且其範圍係由下附之申請專利範圍決定。

100‧‧‧真空腔室

101‧‧‧氣體供應器

102‧‧‧氣體供應器

103‧‧‧氣體供應器

104‧‧‧氣體供應器

105‧‧‧氣體供應器

108‧‧‧側壁

110‧‧‧頂板

115‧‧‧地板

125‧‧‧晶圓支撐

126‧‧‧襯墊

130‧‧‧晶圓

130a‧‧‧晶圓邊緣區域

135‧‧‧陰極電極

137‧‧‧絕緣層

137a‧‧‧晶圓支撐表面

139‧‧‧絕緣層

140‧‧‧線圈天線

145‧‧‧功率產生器

150‧‧‧阻抗匹配

155‧‧‧偏壓功率產生器

160‧‧‧阻抗匹配

161‧‧‧電壓供應器

162‧‧‧控制開關

163‧‧‧絕緣電容

165‧‧‧氣體分配注入器

170‧‧‧內部區域注入器

175‧‧‧外部區域注入器

180‧‧‧閥

185‧‧‧氣體分配面板

190‧‧‧閥

195‧‧‧閥

200‧‧‧陰極襯墊

201‧‧‧圓柱形壁

201a‧‧‧元件201之頂表面

205‧‧‧處理環

205a‧‧‧徑向內部邊緣

210‧‧‧上部處理環

210a‧‧‧環形突出

210b‧‧‧內部環形凹部

212‧‧‧下部處理環

212a‧‧‧環形凹部

212b‧‧‧凸起的肩部

215‧‧‧環形基底

220‧‧‧窄狹縫

225‧‧‧氣室

227‧‧‧閥

229‧‧‧導管

230‧‧‧入口

232‧‧‧通道

235‧‧‧肩部

240‧‧‧垂直通道

400‧‧‧圖8之步驟1

405‧‧‧圖8之步驟2

410‧‧‧圖8之步驟3

415‧‧‧圖8之步驟4

420‧‧‧圖9之步驟1

425‧‧‧圖9之步驟2

430‧‧‧圖9之步驟3

435‧‧‧圖9之步驟4

因此，上文敘述之本發明之實施例可達成並可詳細了解，在上文簡短總結之本發明之更具體的敘述，可藉由參照其在附加圖式中說明之實施例而獲得。然而，須注意附加圖式僅說明本發明之典型實施例，且因此不能視為對其範圍之限制，因為本發明可及於其他等效之實施例。

圖1描畫根據一實施例之一電漿反應器。

圖2說明圖1反應器之陰極襯墊之內部結構特徵。

圖3為沿著圖2之線3－3取得之一橫剖面圖。

圖4為沿著圖2之線4－4取得之一橫剖面圖。

圖5為一實施例之一部分的處理環及陰極襯墊之詳圖。

圖6為對應圖5之一側視圖。

圖7為一圖，其描畫在有及無氣流通過晶圓邊緣注入 器槽的情況下，圖1之反應器中之二氯化矽之徑向分佈。

圖8說明根據一實施例之一方法。

圖9說明根據另一實施例之一方法。

為利於了解，已在可行處使用相同的參考號碼來標示圖中共有的相同元件。圖中之圖式皆為概要且未依照比例繪製。

100‧‧‧真空腔室

101‧‧‧氣體供應器

102‧‧‧氣體供應器

103‧‧‧氣體供應器

104‧‧‧氣體供應器

105‧‧‧氣體供應器

108‧‧‧側壁

110‧‧‧頂板

115‧‧‧地板

125‧‧‧晶圓支撐

130‧‧‧晶圓

135‧‧‧陰極電極

137‧‧‧絕緣層

137a‧‧‧晶圓支撐表面

139‧‧‧絕緣層

140‧‧‧線圈天線

145‧‧‧功率產生器

150‧‧‧阻抗匹配

155‧‧‧偏壓功率產生器

160‧‧‧阻抗匹配

161‧‧‧電壓供應器

162‧‧‧控制開關

163‧‧‧絕緣電容

165‧‧‧氣體分配注入器

170‧‧‧內部區域注入器

175‧‧‧外部區域注入器

180‧‧‧閥

185‧‧‧氣體分配面板

190‧‧‧閥

195‧‧‧閥

200‧‧‧陰極襯墊

205‧‧‧處理環

205a‧‧‧徑向內部邊緣

210‧‧‧上部處理環

212‧‧‧下部處理環

215‧‧‧環形基底

220‧‧‧窄狹縫

225‧‧‧氣室

227‧‧‧閥

229‧‧‧導管

235‧‧‧肩部

240‧‧‧垂直通道

Claims (25)

1. 一種用於處理一工件之電漿反應器，包含：一腔室外殼，該腔室外殼包含一側壁及一頂板；一工件支撐，該工件支撐位於該腔室中，並具有一面對該頂板之工件支撐表面；一陰極襯墊，該陰極襯墊圍繞該工件支撐，並具有一頂表面及一基底，且具有複數內部氣流通道，該等內部氣流通道由該基底延伸至該頂表面；一氣體供應氣室，該氣體供應氣室位於該基底，並耦合至各該內部氣流通道；及一處理環，該處理環位於該陰極襯墊之該頂表面上方，並具有一內部邊緣，該內部邊緣鄰接該工件支撐表面之一周邊邊緣，該處理環包含一上部處理環以及一下部處理環；一環形饋送腔室，該環形饋送腔室係界定於下列各者之間：(a)該陰極襯墊的該頂表面，(b)該上部處理環之一徑向朝外的接觸面(facing surface)以及(c)該下部處理環之一徑向朝外的接觸面，其中該等複數個內部氣流通道中之每一者在該頂表面與該環形饋送腔室相通；一氣體注入器，該氣體注入器在該處理環中係形成為介於上部處理環與下部處理環之間的一間隙，並且具有一氣體注入路徑，該氣體注入路徑通過該內部邊緣且 被導向疊加於該工件支撐表面之一區域，該氣體注入器通過該環形饋送腔室而耦合至該等複數個內部氣流通道；及一氣體供應系統，該氣體供應系統耦合至該氣體供應氣室。
2. 如申請專利範圍第1項所述之反應器，其中通過該內部邊緣之該氣體注入路徑包含一連續狹縫開口。
3. 如申請專利範圍第1項所述之反應器，其中通過該內部邊緣之該氣體注入路徑包含複數氣體注入孔口。
4. 如申請專利範圍第1項所述之反應器，該反應器另包含一內部饋送通道，該內部饋送通道由該處理環及該陰極襯墊界定，該複數內部氣流通道在該頂表面耦合至該饋送通道，該饋送通道耦合至該處理環中之該間隙。
5. 如申請專利範圍第1項所述之反應器，其中該內部邊緣係與該工件支撐表面之周邊間隔一距離，該距離約小於該工件支撐表面之直徑之1%。
6. 如申請專利範圍第1項所述之反應器，該反應器另包含一製程氣體分散器，該製程氣體分散器位於該頂板，並 耦合至該氣體供應系統。
7. 如申請專利範圍第6項所述之反應器，其中該製程氣體分散器包含內部氣體注入區域、外部氣體注入區域，以及分別與該內部氣體注入區域和該外部氣體注入區域相通之獨立氣流通道。
8. 如申請專利範圍第7項所述之反應器，其中流至(a)位於該處理環中之該氣體注入器、(b)該氣體分散器之該內部氣體注入區域、及(c)該氣體分散器之該外部氣體注入區域之氣體流速可獨立控制。
9. 如申請專利範圍第8項所述之反應器，其中該氣體供應系統包含一第一製程氣體源，該第一製程氣體源耦合至該氣體分散器；及一第二製程氣體源，該第二製程氣體源耦合至位於該處理環中之該氣體注入器。
10. 如申請專利範圍第1項所述之反應器，其中該晶圓支撐具有一通常為圓柱形之對稱軸，且該襯墊包含一圓柱形壁，該圓柱形壁與該晶圓支撐同軸。
11. 如申請專利範圍第10項所述之反應器，其中該氣體注入器包含一環形狹縫。
12. 如申請專利範圍第11項所述之反應器，其中該工件支撐表面具有一周邊邊緣，該周邊邊緣對應於待受該工件支撐表面所支撐的一工件之一周邊邊緣，該環形狹縫與該周邊邊緣分隔一距離，該距離約小於該工件支撐表面之直徑之1%。
13. 一種使用於一電漿反應器的工件支撐，該工件支撐包含：一基座，該基座具有一工件支撐表面；一處理環，該處理環疊加在該基座之一周邊上且鄰近於該工件支撐表面之一周邊邊界，該處理環包含一上部處理環與一下部處理環；一工件邊緣氣體注入器，該工件邊緣氣體注入器位於該處理環中且具有一氣體注入路徑，該氣體注入路徑朝向一疊加於該工件支撐表面之區域；一氣體供應，該氣體供應耦合至該工件邊緣氣體注入器；一襯墊，該襯墊圍繞該基座的一側且具有一位於該處理環下方之一頂表面；複數個軸向通道，該等軸向通道位於該襯墊內部且通過該襯墊而延伸至該襯墊之該頂表面；以及一環形饋送通道，該環形饋送通道係界定於下列各 者之間：(a)該襯墊的該頂表面，(b)該上部處理環之一徑向朝外的接觸面(facing surface)以及(c)該下部處理環之一徑向朝外的接觸面，其中該等複數個軸向通道中之每一者耦接至該環形饋送通道，該工件邊緣氣體注入器耦接至該環形饋送通道。
14. 如申請專利範圍第13項所述之工件支撐，其中該工件邊緣氣體注入器包含一環形狹縫開口。
15. 如申請專利範圍第13項所述之工件支撐，其中該襯墊進一步包含：一底表面及一基座，該基座位於該底表面下方；一環形氣室，該環形氣室位在該基座內部；以及複數個軸向通道，該等軸向通道係耦合至該環形氣室。
16. 如申請專利範圍第13項所述之工件支撐，其中該襯墊包含石英。
17. 如申請專利範圍第13項所述之工件支撐，其中該工件邊緣氣體注入器包含複數個氣體注入器孔口。
18. 一種在一工件之一工件表面上執行一電漿蝕刻處理之 方法，其中該工作表面包含待蝕刻之一表面材料，該方法包含下列步驟：將該工件放置在一工件支撐上，該工件支撐位於電漿反應器的一腔室內；透過一頂板氣體分散器而引入一第一製程氣體，該第一製程氣體包含一蝕刻物種，該蝕刻物種能蝕刻一電漿中之該表面材料，該頂板氣體分散器包含相互同心之內部氣體分散器與外部體分散器；藉由將射頻電源耦接進入該腔室而在該腔室內產生一電漿；調整分別通過該內部氣體分散器與該外部體分散器之該第一製程氣體的個別流速而控制遍布於該工件表面的蝕刻速度分佈；透過一工件支撐氣體分散器而注入一聚合物種氣體，以將位於該工件表面之一邊緣周邊的蝕刻速度降低而相對低於分佈於該工件表面之一其餘部分的蝕刻速度，其中該工件支撐氣體分散器裝載於該工件支撐上且面向該邊緣，該工件支撐氣體分散器界定出一聚合物種氣體注入圖案，該聚合物種氣體注入圖案經引導朝向該工件表面的該邊緣周邊且大致被侷限在該邊緣周邊。
19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該邊緣周邊 侷限於該工件表面之一直徑的一外部的1%的數量級。
20. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中通過一工件支撐氣體分散器而注入一聚合物種氣體的該步驟包含透過該工件支撐之一部分的內部的氣流通道施加該聚合物種氣體。
21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中注入一聚合物種氣體的該步驟更包含將接收自該氣流通道的聚合物種氣體傳導至位於該工件支撐的一處理環，該工件支撐環繞該工件表面的該邊緣周邊。
22. 如申請專利範圍第19項所述之方法，進一步包含限制通過該工件支撐氣體分散器的氣體流速以將該聚合物種氣體侷限在該工件表面的該邊緣周邊。
23. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中待被蝕刻的該表面材料包含矽或多晶矽中之一者，該第一製程氣體包含溴化氫(HBr)或氯氣(Cl₂ )中之一者，且該聚合物種氣體包含二氟甲烷(CH2F2)或三氟甲烷(CHF3)中之一者。
24. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中注入一聚合 物種氣體的該步驟包含透過一狹縫注入器來注入該聚合物種氣體，該狹縫注入器圍繞該工件的邊緣周邊，並面向該邊緣周邊，且受支撐於該處理環上。
25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該狹縫注入器包含一薄開口，該薄開口沿圓周方向延伸圍繞該工件表面的該邊緣周邊且從一與該工件表面共面的下邊界延伸至一位於該工件表面上方的上邊界。