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TWI450351B - 微影裝置及決定微影裝置改良組態之方法 - Google Patents

微影裝置及決定微影裝置改良組態之方法 Download PDF

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TWI450351B
TWI450351B TW101100501A TW101100501A TWI450351B TW I450351 B TWI450351 B TW I450351B TW 101100501 A TW101100501 A TW 101100501A TW 101100501 A TW101100501 A TW 101100501A TW I450351 B TWI450351 B TW I450351B
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喬澤夫 瑪利亞 芬德斯
伯納多 凱斯川普
布特 山德勒 迪
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

微影裝置及決定微影裝置改良組態之方法
本發明係關於一種微影裝置及一種用以決定微影裝置之改良組態之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該狀況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
圖案化器件中之缺陷可在經轉印至基板之圖案中造成誤差，且因此在曝光之後處理基板後即產生之電路圖案中造成誤差。舉例而言，此等誤差之特徵可為隨基板上之位置而變的表示圖案之品質之參數之變化。臨界尺寸可用作此參數，臨界尺寸被定義為指定幾何形狀之尺寸，例如，經圖案化線之寬度，或兩個線之間的距離。
若可預測圖案之品質之空間變化，則可調適微影裝置之組態以縮減該變化。舉例而言，可變化界定最大劑量輪廓及/或焦點深度輪廓的微影裝置之一或多個屬性。
用以評估圖案化器件上之圖案之品質之變化的一途徑係比較橫越待形成之器件圖案(其以取決於器件圖案待轉印至基板之特定方式的樣式而對應於圖案化器件上之圖案)而重複之器件特徵之不同例項的屬性(例如，量測該等例項之臨界尺寸)。
基於此途徑之調整程序之有效性可強烈地取決於將分析哪一類型之器件特徵之選取，及該類型之器件特徵之例項貫穿器件圖案而分佈之方式。詳言之，調整程序可能不適於器件特徵未出現或未足夠頻繁地出現的器件圖案中之區帶。調整程序可甚至導致此等區帶中之器件圖案之品質之縮減。
需要(例如)改良微影裝置之組態經調適以校正圖案化器件中之誤差的樣式。
根據本發明之一態樣，提供一種用於決定用於一微影裝置之一改良組態之方法，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一候選器件特徵之複數個例項；針對一不同候選器件特徵來重複該分析步驟；選擇在該分析步驟中所識別之該複數個例項匹配一或若干選擇準則所針對之該候選器件特徵；量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該經選擇器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合。
根據本發明之一態樣，提供一種電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體包含用以指示一電腦進行用於決定一微影裝置之一改良組態之一方法的程式碼，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一候選器件特徵之複數個例項；針對一不同候選器件特徵來重複該分析步驟；選擇在該分析步驟中所識別之該複數個例項匹配一或若干選擇準則所針對之該候選器件特徵；自使用該微影裝置而產生之一器件圖案之量測或自供該微影裝置中使用之一圖案化器件之量測獲得資料，該資料包含一誤差集合，該誤差集合包含在該經選擇器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；及一組態最佳化器，其經組態以最佳化該微影裝置之組態，該組態最佳化器包含：一分析器，其經組態以分析待藉由該微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一候選器件特徵之複數個例項，且針對一不同候選器件特徵來重複該分析步驟；一選擇器，其經組態以選擇在該分析步驟中所識別之該複數個例項匹配一或若干選擇準則所針對之該候選器件特徵；一量測器件，其經組態以量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該經選擇器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及一擬合模組，其經組態以調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合。
根據本發明之一態樣，提供一種用於決定用於一微影裝置之一改良組態之方法，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一器件特徵之複數個例項；量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合，該調適係以滿足一約束或目標之一樣式而進行，該約束或目標為：適用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項處的一誤差輪廓接近一目標誤差輪廓。
根據本發明之一態樣，提供一種電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體包含用以指示一電腦進行用於決定一微影系統之一改良組態之一方法的程式碼，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一器件特徵之複數個例項；自使用該微影裝置而產生之一器件圖案之量測或自供該微影裝置中使用之一圖案化器件之量測獲得資料，該資料包含一誤差集合，該誤差集合包含在該複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合，該調適係以滿足一約束或目標之一樣式而進行，該約束或目標為：適用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項處的一誤差輪廓接近一目標誤差輪廓。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該種微影裝置包含：一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；及一組態最佳化器，其用以最佳化該微影裝置之組態，該組態最佳化器包含：一分析器，其經組態以分析待藉由該微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一器件特徵之複數個例項；一量測器件，其經組態以量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及一擬合模組，其經組態以調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合，該調適係以滿足一約束或目標之一樣式而進行，該約束或目標為：適用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項處的一誤差輪廓接近一目標誤差輪廓。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射射束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該基板之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的樣式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定的或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件支撐結構)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充在投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來決定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度決定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
如上文所提及，圖案化器件MA上之圖案中之缺陷可在經轉印至基板W之器件圖案中造成誤差。可藉由量測圖案化器件MA上之誤差或藉由量測已使用圖案化器件MA而圖案化之基板W上之誤差來估計此誤差。然而，由於所涉及之特徵之數目極大(通常>106 )，故不實務的是量測與存在於圖案化器件MA上之每一特徵相關聯之誤差(若存在)。一般而言，有效率的是選取給定類型之器件特徵且使該器件特徵之不同例項位於器件圖案中。獲得不同例項中每一者之屬性(諸如，臨界尺寸)且與目標值進行比較。以此方式，有可能建構橫越器件圖案之誤差圖(自目標值之偏差)，其中量測器件特徵之每一例項之位置處的資料點(表示誤差)。
一旦已獲得此圖，隨即可使用電腦演算法以變化微影裝置之組態以最小化所考慮之點中每一者處之誤差。若此等點足夠地表示整個器件圖案，則新組態將允許微影裝置產生較好地匹配目標器件圖案之器件圖案。
一般而言，新組態將傾向於在選取碰巧橫越器件圖案而廣泛地、密集地及/或均一地分佈之一或多個器件特徵的狀況下改良該圖案。然而，若經選擇之一或多個器件特徵未適當地分佈，則校正程序可能未適當地工作，特別是針對經選擇器件特徵根本不存在或未以足夠密度存在的器件圖案之彼等一或多個區帶。實際上，在許多情境下，可藉由校正處理序使此區帶中之器件圖案之品質相當地更差。
根據所揭示實施例，藉由提供用以自動地選擇校正處理將基於之一或多個最佳器件特徵之系統來獲得改良。
圖2說明一實例方法。在步驟S202中，分析待藉由給定微影裝置形成於基板上之目標器件圖案，以便識別候選器件特徵之複數個例項。可選取該等例項之任何數目，例如，介於約10與約1000之間，理想地介於約25與約250之間。針對一或多個不同候選特徵(亦即，為不同類型之候選特徵，其各自需要待形成之一不同輻射圖案)來重複該處理序(步驟S204及S206)，直至已針對所要數目個不同候選特徵來獲得複數個例項為止。不同候選特徵之實例可能包括待形成之結構之不同部分，諸如，壁結構之部分、隅角結構，或兩個結構之間的間隙。
在步驟S208中，比較候選器件特徵之複數個例項中每一者與一或多個選擇準則，以便決定哪一(哪些)候選器件特徵將特別有效率地供決定用於微影裝置之最佳組態使用。
該處理序接著轉至步驟S210及/或S212，其中進行量測以決定在步驟S208中所選擇之該(或該等)器件特徵之每一例項之特定屬性(例如，臨界尺寸)之經量測值與該屬性之目標值之間的差集合(亦被稱作誤差集合)。在特定屬性為臨界尺寸的情況下，誤差集合將為臨界尺寸之偏差集合。
在步驟S210中，藉由量測待藉由微影裝置使用之圖案化器件MA(尤其是對應於待考慮之該(或該等)經選擇器件特徵之例項中每一者的圖案化器件MA上之圖案之部分)來獲得誤差集合。此分析可包含該等例項之全部或該等例項之子集。當自圖案化器件MA之量測導出誤差集合(例如，臨界尺寸之偏差集合)時，考量將供藉由微影裝置將圖案化器件MA上之圖案轉印至基板W之處理序之性質。舉例而言，可考量微影裝置之當前組態(包括影響劑量輪廓、焦點深度輪廓、放大率等等之參數)及轉印模式。在圖案化器件MA上之圖案僅僅為器件圖案(亦即，待形成於基板W上之圖案)之經按比例調整版本的情況下，可相對直接地決定誤差集合。否則，可能必須執行微影處理序之電腦模擬，以便決定在圖案化器件MA之經量測部分與器件圖案之對應部分之間的關係。
在步驟S212中，藉由在藉由微影裝置之曝光及後續處理之後量測經處理基板W(或經處理基板集合)來獲得誤差集合。
在步驟S214中，執行最佳化常式(其亦可被稱作(例如)最佳化演算法、擬合常式、最佳化步驟，或反覆變化步驟)以決定改良誤差集合的微影裝置之組態。此處理序可涉及反覆地變化微影裝置之組態，直至誤差集合屬於可接受界限為止，或直至認為不可能存在誤差集合之顯著進一步改良為止。舉例而言，可界定表示誤差集合之屬性之度量(諸如，誤差之平均大小)，且反覆處理序經組態以繼續，直至該度量低於特定臨限值(或高於特定臨限值，此取決於該度量之性質)為止。
根據所揭示變化，決定藉由微影裝置產生之經模擬之經圖案化輻射光束之特定屬性的局域偏差集合，其將校正與在步驟S208中所選擇之該(或該等)器件特徵之例項相關聯的誤差集合。可接著組態最佳化常式以變化影響經模擬之經圖案化輻射光束之特定屬性的微影裝置之一或多個參數，直至獲得對局域偏差集合之最好擬合為止。
舉例而言，局域偏差集合可包含微影裝置經組態以在該(或該等)經選擇器件特徵之例項中每一者處所賦予之最大劑量之偏差。臨界尺寸取決於最大劑量之值，因此，變化該例項之區帶中之最大劑量可用以校正(或至少縮減)臨界尺寸之誤差。在曝光場內之輻射劑量之分佈經正規化以便在0與1之間變化的狀況下，最大輻射劑量被定義為對應於值「1」之輻射劑量(器件圖案界定特定空間調變，亦即，0及1以及任何中間值或梯度之位置)。因此，增加最大劑量會具有按比例地增加在待形成於基板上之劑量圖案中之所有位置(惟對應於零劑量之位置除外)處之劑量的效應。可藉由在輻射光束已與圖案化器件MA相互作用之前及/或之後改變輻射光束之強度來調整最大劑量輪廓。可使最大輻射劑量橫越曝光場而變化，因此提供用於校正誤差集合之靈活性。隨橫越基板W之位置而變的最大輻射劑量之變化亦可被稱作最大輻射劑量輪廓、劑量指紋，或僅僅劑量輪廓，但將不與藉由圖案化器件MA賦予之劑量圖案混淆；最大輻射劑量輪廓僅取決於微影裝置之設定且獨立於圖案化器件MA。
或者或另外，局域偏差集合可包含藉由微影裝置產生之經圖案化輻射光束之焦點深度(亦即，平行於Z軸的焦點之位置，Z軸垂直於基板W)之偏差。再次，可藉由改變器件特徵之給定例項之位置處的焦點深度來變化該例項之臨界尺寸，因此，焦點深度可用以校正臨界尺寸之誤差集合。再次，可使焦點深度橫越曝光場而變化，因此提供用於校正誤差集合之靈活性。隨橫越基板W之位置而變的焦點深度之變化亦可被稱作焦點深度輪廓，或僅僅焦點輪廓。
在最佳化常式S214期間變化的微影裝置之一或多個參數可包括照明系統(照明器)IL之一或多個設定，及/或界定該系統之數值孔徑之一或多個設定。此參數之變化很可能具有在量值上隨所考慮之器件特徵之類型而變化的效應。換言之，一些器件特徵相比於其他器件特徵將對此等參數之變化更敏感。此可變性可提供對最佳化處理序之較大靈活性。
存在可用以進行步驟S208之選擇處理序的多種可能途徑及途徑之組合。下文描述實例之選擇。
根據一實例途徑，對於在步驟S208中所分析之候選器件特徵中每一者，進行以下兩個步驟：1)決定包含在候選器件特徵之每一例項之特定屬性(例如，臨界尺寸)之經量測值與該屬性之目標值之間的差的誤差集合(使用上文參考(例如)步驟S210及S212所描述之途徑)；及2)決定藉由微影裝置產生之經模擬之經圖案化輻射光束之屬性(例如，最大劑量或焦點深度)的局域偏差集合，其將校正與候選器件特徵相關聯之誤差集合。接著，獲得基於局域偏差集合之屬性之一或若干選擇準則(供單獨地或結合一或多個其他選擇準則而用於步驟S208中)。
舉例而言，該或該等選擇準則可包含以下各者中之一或多者：候選特徵之局域偏差集合(例如，所涉及之各種例項之經決定劑量或焦點移位)包含大於特定臨限值之偏差；及/或候選特徵之局域偏差集合包含大於其他候選器件特徵中任一者之局域偏差集合中之平均偏差或大於特定臨限值的平均偏差。因此，此或此等選擇準則將支持選擇涉及相對大校正之候選器件特徵，其將傾向於改良在步驟S214中所進行之擬合常式之敏感度且因此改良最終擬合之準確度。
或者或另外，該或該等選擇準則可包含以下各者中之一或多者：在候選特徵之局域偏差集合中之最小偏差與最大偏差之間的差大於特定臨限值；及/或在候選特徵之局域偏差集合中之最小偏差與最大偏差之間的差大於在其他候選特徵中任一者之局域偏差集合中之最小偏差與最大偏差之間的差。因此，此或此等選擇準則將支持選擇涉及相對大範圍之不同校正之候選器件特徵，其將傾向於改良在步驟S214中所進行之擬合常式之敏感度且因此改良最終擬合之準確度。
或者或另外，該或該等選擇準則可包含以下各者中之一或多者：候選特徵之局域偏差集合包含小於特定臨限值之偏差；及/或候選特徵之局域偏差集合包含小於其他候選器件特徵中任一者之局域偏差集合中之平均偏差或小於特定臨限值的平均偏差。因此，此或此等選擇準則將傾向於支持選擇涉及相對少量之校正之候選器件特徵。此器件特徵之使用結合已使用一或若干不同準則(例如，支持選擇涉及相對大量之校正之候選器件特徵以便改良用於擬合中之多種特徵的一或若干準則)而選擇之一或多個其他器件特徵可特別有效。
或者或另外，該或該等選擇準則可包含以下各者中之一或多者：在候選特徵之局域偏差集合中之最小偏差與最大偏差之間的差小於特定臨限值；及/或在候選特徵之局域偏差集合中之最小偏差與最大偏差之間的差小於在其他候選特徵中任一者之局域偏差集合中之最小偏差與最大偏差之間的差。因此，此或此等選擇準則將支持選擇涉及相對小範圍之不同校正之候選器件特徵。此器件特徵之使用結合已使用一或若干不同準則(例如，支持選擇涉及相對大範圍之不同校正之候選器件特徵的一或若干準則)而選擇之一或多個其他器件特徵可特別有效。
或者或另外，該或該等選擇準則可直接地基於經量測誤差集合之一或多個屬性，例如，要求均值或方差高於或低於特定臨限值。
步驟S208之選擇處理序可經組態以選擇單一候選器件特徵(亦即，具有複數個例項的單一類型之器件特徵)或複數個候選器件特徵(每一類型具有複數個例項)。在後一狀況下，擬合步驟S214將需要處置(亦即，改良/最小化)對應複數個誤差集合(一個誤差集合係針對每一經選擇器件特徵)。
或者或另外，該或該等選擇準則可包含候選器件特徵之例項之數目高於特定臨限值的要求。以此方式，步驟S208之選擇處理序將支持表示器件圖案之較高比例之特徵，其將傾向於更準確地表示圖案化器件之全域誤差，特別是在器件圖案之熵或隨機度高的情況下，或在候選器件特徵碰巧貫穿器件圖案而相對均勻地展佈的情況下。
或者或另外，該或該等選擇準則可包含每單位面積的候選器件特徵之例項之數目之方差低於特定臨限值的要求。以此方式，步驟S208之選擇處理序將支持遍及器件圖案而相對均勻地展佈之特徵，其將傾向於更準確地表示圖案化器件中之誤差且允許擬合步驟S214找出遍及整個基板而非僅僅在候選器件特徵碰巧所處之區域中產生準確器件圖案之組態。
或者或另外，該或該等選擇準則可包含以下各者中之一或多者：1)候選器件特徵之每一例項之特定屬性(例如，臨界尺寸)對經模擬之經圖案化輻射光束之屬性(例如，局域最大劑量或焦點深度)之校正改變之敏感度的最小值、最大值或平均值大於特定臨限值；及/或2)候選器件特徵之每一例項之特定屬性對經模擬之經圖案化輻射光束之屬性之校正改變之敏感度的最小值、最大值或平均值小於特定臨限值。舉例而言，選項(1)可用以選擇第一特徵集合(表示高敏感度)，且選項(2)可用以選擇第二特徵集合(表示低敏感度)，其中第一特徵集合及第二特徵集合兩者用於最佳化處理序中。以此方式，藉由經選擇器件特徵取樣之屬性範圍較大，其將傾向於改良最佳化常式之準確度(從而導致較好組態及更準確的器件圖案)。
可使用電腦來進行至少步驟S202、S204、S206、S208及S214(至少部分地進行步驟S208及S210)，與該電腦相關聯之硬體(CPU、RAM、ROM，等等)為熟習此項技術者所熟知。可提供軟體程式碼以指示電腦進行所需要之所有步驟。可將軟體程式碼儲存於電腦可讀媒體(諸如，RAM、ROM或DVD)上，且藉由合適讀取器或藉由經由網路之資料連接而將軟體程式碼供應至電腦。
如圖3示意性地所說明，功能性可藉由組態最佳化器302(其可藉由電腦實施)而實施於微影裝置中，組態最佳化器302包含：分析器304，其經組態以分析待藉由微影裝置形成於基板上之目標器件圖案以在目標器件圖案中識別候選器件特徵之複數個例項，且針對不同候選器件特徵來重複分析；選擇器306，其經組態以選擇在分析中所識別之複數個例項匹配一或若干選擇準則所針對之一或多個候選器件特徵；量測器件308，其經組態以決定誤差集合，誤差集合包含在使用微影裝置而產生之器件圖案中或在用以使用微影裝置來產生器件圖案之圖案化器件MA中經選擇器件特徵之每一例項之特定屬性之經量測值與該屬性之目標值之間的差；及擬合模組310，其經組態以在模擬中反覆地變化微影裝置之組態，以便決定改良預測器件圖案中之誤差集合之組態。
圖4說明用以處置目標器件圖案包含稀疏區帶之情形之途徑，稀疏區帶被定義為待用以改良微影裝置之組態之器件特徵僅以極低空間密度存在或根本不存在的區帶。該途徑可單獨地或結合上文所描述之變化中任一者予以使用。詳言之，儘管該途徑不需要步驟S204、S206及S208之等效物以用於選擇最合適的一或多個器件特徵以用於最佳化處理序中，但可視情況包括此等步驟。
圖4之途徑(例如)在目標器件圖案係針對記憶體晶片或相似者的情況下可特別有用。此等器件圖案通常在中心區(其中含有為儲存區塊負責之一或多個器件特徵)中極具重複性，但在界定至儲存區塊之連接之周邊區域中具多得多的隨機性。中心區中之高重複程度使有可能容易地選擇最佳化處理序將基於之一或多個給定器件特徵之大數目個均勻展佈例項，但可能得到關於周邊區帶之相對少資訊。此最佳化處理序可導致在中心區中達成高準確度的用於微影裝置之組態，但周邊區帶可相對地差或可甚至藉由校正處理序而降級。
可藉由對最佳化處理序強加涉及待在稀疏區帶(例如，周邊區帶)中達成之某一範圍之特性的約束或目標來解決此問題。該途徑限制稀疏區帶之降級，而並未實質上限制在非稀疏區帶(例如，中心區帶)中可能存在之改良。
在步驟S402中，分析待藉由給定微影裝置形成於基板W上之目標器件圖案，以便識別一或多個器件特徵之複數個例項。可選取該等例項之任何數目，例如，可選取存在於目標器件圖案中之器件特徵之例項之總數目的至少1%，理想地為該等例項之10%或10%以上、50%或50%以上或全部。
在步驟S404中，進一步分析目標器件圖案，以便識別每單位面積的器件特徵之例項之數目(特徵密度)低於特定臨限值的稀疏區帶。舉例而言，特定臨限值可為整個目標器件圖案中之平均密度的50%或50%以下，理想地為10%或10%以下，或1%或1%以下。
該處理序接著轉至步驟S406或S408，其中進行量測以決定在器件特徵之每一例項之特定屬性(例如，臨界尺寸)之經量測值與該屬性之目標值之間的差集合(亦被稱作誤差集合)。在特定屬性為臨界尺寸的情況下，誤差集合將為(例如)臨界尺寸之偏差集合。步驟S406及S408之方法對應於上文參考步驟S210及S212所描述之方法。
在步驟S410中，執行最佳化常式以決定改良誤差集合的微影裝置之組態。所執行之處理序相似於上文參考步驟S214所描述之處理序，惟如下情形除外：不存在根據任何特殊選擇準則來選取器件特徵之要求(但在必要時可進行此選取)，且對稀疏區帶中之預測誤差輪廓強加新約束或目標。
決定稀疏區帶之步驟S404並非必需的且可被省略。在此狀況下，將以如下約束或目標為條件來進行最佳化常式：除了在量測步驟S406及S408中之一者或其兩者中獲得誤差所針對之例項以外的器件特徵之例項的預測誤差輪廓接近目標誤差輪廓。換言之，目標誤差輪廓將應用於未得到量測資料所針對之器件圖案之例項。然而，可知道或估計關於此等例項之其他資訊(例如，該等例項對微影裝置之組態之特定改變的敏感度)，例如，可知道此等特徵之臨界尺寸對最大劑量或焦點深度之改變之敏感度。
約束或目標可使得在最佳化演算法中所考慮的微影裝置組態之變化限於導致屬於目標誤差輪廓之容許裕度(亦即，約束)之預測誤差輪廓的變化(亦即，器件圖案之屬性之預期誤差之位置變化，諸如，相對於目標值的臨界尺寸之位置變化)。或者，約束或目標可為目標誤差輪廓(亦即，目標)。舉例而言，最佳化演算法可將資料點(亦即，不對應於器件特徵中之誤差量測之資料點)人工地插入於(例如)稀疏區帶(其中以對應於已進行誤差量測所針對之非稀疏區帶中器件特徵之例項之平均密度的密度來決定此稀疏區帶)中，且將誤差值分配至對應於目標誤差輪廓之人工資料點。經人工插入之誤差值接著充當最佳化演算法之「目標」，其將設法找出校正此等誤差之組態。可接著將具有人工資料點之稀疏區帶與具有實際資料點(來自量測處理序S406或S408)之非稀疏區帶的組合用作至最佳化常式之輸入。舉例而言，最佳化常式可決定經模擬之經圖案化輻射光束之屬性之局域偏差集合(例如，最大劑量或焦點深度之局域偏差)，其將校正藉由經量測資料點與人工資料點之組合表示之誤差集合，且最佳化常式可變化微影裝置之一或多個屬性，直至達成對偏差集合之最好擬合為止。
在一例示性實施例中，目標誤差輪廓為空間均一誤差輪廓(例如，目標可為：臨界尺寸之誤差貫穿稀疏區帶為恆定值)。此目標誤差輪廓應用起來相對簡單，且可特別是在稀疏區帶(其中決定此等稀疏區帶且將目標誤差輪廓應用於此等稀疏區帶)中達成器件圖案之準確度之顯著改良(相對於不試圖考量此等區域之狀況)。
目標誤差輪廓可界定隨以下各者中之一或多者之位置之變化：相對於標稱值的器件特徵之特性幾何部分之尺寸、線之寬度、兩個線之間的距離、器件特徵之位置置放之準確度，及/或器件特徵之定向之準確度。
根據一變化，最佳化步驟S410包含：決定藉由微影裝置產生之經模擬之經圖案化輻射光束之屬性(例如，局域最大劑量或焦點深度)的局域偏差集合，其將校正與在量測步驟中所量測之一或多個器件特徵之例項相關聯的誤差集合(例如，臨界尺寸之誤差)；及進行對局域偏差集合之最好擬合(亦即，找出產生儘可能接近地匹配局域偏差集合之經圖案化輻射光束的微影裝置之組態)。在此情景下，最佳化常式可考量在量測步驟中未量測之一或多個器件特徵之例項之預期敏感度(例如，臨界尺寸之預期敏感度)，以改變作為最佳化之部分而變化的經圖案化輻射光束之屬性(例如，局域最大劑量或焦點深度)。舉例而言，在步驟S406及S408中量測器件特徵之特定幾何特徵(例如，線寬)之臨界尺寸之誤差(例如，在非稀疏區帶中)且最大劑量之變化為用以校正該誤差的經圖案化輻射光束之屬性的狀況下，在擬合演算法中考量未量測之一或多個器件特徵之例項之對應臨界尺寸(例如，稀疏區帶中之器件特徵之線寬)對最大劑量之改變的敏感度。此途徑可顯著地改良在未得到量測資料所針對之位置處擬合之品質。舉例而言，在稀疏區帶之狀況下，此可因為稀疏區帶中之器件圖案之性質根本上不同於非稀疏區帶中之器件圖案之性質，從而引起顯著地不同之平均敏感度。此情形可為針對(例如)記憶體器件之狀況，其中周邊(稀疏)區帶中之臨界尺寸之劑量敏感度可顯著地不同於中心(非稀疏)區帶中之臨界尺寸之劑量敏感度。
更一般化地，可自實驗或模擬決定在步驟S406及S408中所量測之屬性對經圖案化輻射光束之校正屬性之改變的預期敏感度。
可使用電腦來進行至少步驟S402、S404及S410(亦至少部分地進行步驟S406及S408)，與該電腦相關聯之硬體(CPU、RAM、ROM，等等)為熟習此項技術者所熟知。可提供軟體程式碼以指示電腦進行所需要之所有步驟。可將軟體程式碼儲存於電腦可讀媒體(諸如，RAM、ROM或DVD)上，且藉由合適讀取器或藉由經由網路之資料連接而將軟體程式碼供應至電腦。
如圖5示意性地所說明，功能性可藉由組態最佳化器502(其可藉由電腦實施)而實施於微影裝置中，組態最佳化器502包含：分析器504，其經組態以分析待藉由微影裝置形成於基板W上之目標器件圖案以在目標器件圖案中識別器件特徵之複數個例項；量測器件506，其經組態以決定誤差集合，誤差集合包含在使用微影裝置或微影裝置之模擬而產生之器件圖案中或在用以使用微影裝置來產生器件圖案之圖案化器件MA中器件特徵之每一例項之特定屬性之經量測值與該屬性之目標值之間的差；及擬合模組508，其經組態成以上文參考步驟S410所論述之約束或目標為條件，在模擬中反覆地變化微影裝置之組態，以便決定改良預測器件圖案中之誤差集合之組態。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。
可使用以下條項來進一步描述本發明：
1.　一種用於決定用於一微影裝置之一改良組態之方法，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一器件特徵之複數個例項；量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合，該調適係以滿足一約束或目標之一樣式而進行，該約束或目標為：適用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項處的一誤差輪廓接近一目標誤差輪廓。
2.　如條項1之方法，其中該調適該微影裝置之該組態包含在一模擬中反覆地變化該微影裝置之該組態，以便決定改良該誤差集合之一組態，反覆地變化之該步驟係以滿足該約束或目標之一樣式而進行，接近一目標誤差輪廓之該誤差輪廓為在該模擬中所預測之一誤差輪廓。
3.　如條項1或2之方法，其中該調適包含：決定藉由該微影裝置產生之一經模擬之經圖案化輻射光束之一屬性的局域偏差集合，其將校正在該量測步驟中所獲得之該誤差集合；及進行對該局域偏差集合之一最好擬合；且該調適在應用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項時考量該特定屬性對該經模擬之經圖案化輻射光束之該屬性之改變的敏感度。
4.　如條項1至2中任一項之方法，其進一步包含在該目標器件圖案中識別一稀疏區帶，該稀疏區帶被定義為在該分析步驟中識別例項所針對之一器件特徵之每單位面積的例項之數目低於一特定臨限值的一區帶，該目標誤差輪廓至少界定於該稀疏區帶中。
5.　如條項1至4中任一項之方法，其中該目標誤差輪廓為一空間均一誤差輪廓。
6.　如條項1至5中任一項之方法，其中該目標誤差輪廓包含隨以下各者中至少一者之一誤差之位置之一變化：一器件特徵中之一線寬、一器件特徵中之一線分離度、一器件特徵之位置置放準確度，及一器件特徵之定向準確度。
7.　如條項1至6中任一項之方法，其中一器件特徵之該等例項之該特定屬性包含選自以下各者之至少一者：一器件特徵中之一線寬、一器件特徵中之一線分離度、一器件特徵之位置置放準確度，及/或一器件特徵之定向準確度。
8.　如條項1至7中任一項之方法，其中調適該微影裝置之該組態包含改變影響隨該基板之平面內焦點深度之位置之變化的該微影裝置之一或多個屬性。
9.　如條項1至8中任一項之方法，其中調適該微影裝置之該組態包含改變影響該基板平面處之一最大劑量輪廓或一劑量指紋的該微影裝置之一或多個屬性，該一或多個屬性係使得在該微影裝置之一輻射光束之一部分與一圖案化器件相互作用之前修改該輻射光束之該部分，以修改入射於該圖案化器件上之一劑量輪廓，或在該輻射光束之該部分已與該圖案化器件相互作用之後修改該輻射光束之該部分。
10.　如條項1至9中任一項之方法，其中調適該微影裝置之該組態包含變化選自以下各者之至少一者：1)該微影裝置之放大率；2)該微影裝置之一照明器之一設定，該照明器經組態以在將來自一源之一輻射光束引導至該圖案化器件上之前調節該輻射光束；及/或3)界定數值孔徑的該微影裝置之一設定。
11.　一種電腦可讀媒體，其包含用以指示一電腦進行用於決定一微影系統之一改良組態之一方法的程式碼，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一器件特徵之複數個例項；自使用該微影裝置而產生之一器件圖案之量測或自供該微影裝置中使用之一圖案化器件之量測獲得資料，該資料包含一誤差集合，該誤差集合包含在該複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合，該調適係以滿足一約束或目標之一樣式而進行，該約束或目標為：適用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項處的一誤差輪廓接近一目標誤差輪廓。
12.　一種微影裝置，其包含：一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；及一組態最佳化器，其用以最佳化該微影裝置之組態，該組態最佳化器包含：一分析器，其經組態以分析待藉由該微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一器件特徵之複數個例項；一量測器件，其經組態以量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及一擬合模組，其經組態以調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合，該調適係以滿足一約束或目標之一樣式而進行，該約束或目標為：適用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項處的一誤差輪廓接近一目標誤差輪廓。
13.　一種用於決定用於一微影裝置之一改良組態之方法，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一候選器件特徵之複數個例項；針對一不同候選器件特徵來重複該分析步驟；選擇在該分析步驟中所識別之該複數個例項匹配一或若干選擇準則所針對之該候選器件特徵；量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該經選擇器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合。
14.　如條項13中任一項之方法，其進一步包含決定藉由該微影裝置產生之一經模擬之經圖案化輻射光束之一屬性的局域偏差集合，其將校正與該經選擇器件特徵相關聯之該誤差集合。
15.　如條項14之方法，其中反覆變化步驟包含變化該微影裝置之一或多個屬性，以便找出對該局域偏差集合之一最好擬合。
16.　如條項13之方法，其中該選擇步驟使用複數個該選擇準則。
17.　如條項13之方法，其中一器件特徵之該等例項之該特定屬性包含選自以下各者之至少一者：一器件特徵中之一線寬、一器件特徵中之一線分離度、一器件特徵之位置置放準確度，及/或一器件特徵之定向準確度。
18.　如條項13之方法，其中調適該微影裝置之該組態包含改變影響隨該基板之平面內焦點深度之位置之變化的該微影裝置之一或多個屬性。
19.　如條項13之方法，其中調適該微影裝置之該組態包含改變影響該基板平面處之一最大劑量輪廓或一劑量指紋的該微影裝置之一或多個屬性，該一或多個屬性係使得在該微影裝置之一輻射光束之一部分與一圖案化器件相互作用之前修改該輻射光束之該部分，以修改入射於該圖案化器件上之一劑量輪廓，或在該輻射光束之該部分已與該圖案化器件相互作用之後修改該輻射光束之該部分。
20.　如條項13之方法，其中調適該微影裝置之該組態包含變化選自以下各者之至少一者：1)該微影裝置之放大率；2)該微影裝置之一照明器之一設定，該照明器經組態以在將來自一源之一輻射光束引導至該圖案化器件上之前調節該輻射光束；及/或3)界定數值孔徑的該微影裝置之一設定。
21.　如條項13之方法，其中該調適該微影裝置之該組態係以滿足一約束或目標之一樣式而進行，該約束或目標為：適用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項處的一誤差輪廓接近一目標誤差輪廓。
22.　如條項21之方法，其進一步包含在該目標器件圖案中識別一稀疏區帶，該稀疏區帶被定義為在該分析步驟中識別例項所針對之一器件特徵之每單位面積的例項之數目低於一特定臨限值的一區帶，該目標誤差輪廓至少界定於該稀疏區帶中。
23.　如條項13之方法，其包含：對於在該分析步驟中所分析之該等候選器件特徵中每一者：量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該候選器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及決定藉由該微影裝置產生之一經模擬之經圖案化輻射光束之一屬性的局域偏差集合，其將校正與該候選器件特徵相關聯之該誤差集合，其中該或該等選擇準則包含基於該局域偏差集合之一屬性之一要求。
24.　如條項23之方法，其中該或該等選擇準則包含選自以下各者之至少一者：1)該候選特徵之該局域偏差集合包含小於一特定臨限值之一偏差；2)該候選特徵之該局域偏差集合包含小於其他候選器件特徵中任一者之該局域偏差集合中之一平均偏差的一平均偏差；及/或3)該候選特徵之該局域偏差集合包含小於一特定臨限值之一平均偏差。
25.　如條項23之方法，其中該或該等選擇準則包含選自以下各者之至少一者：1)在該候選特徵之該局域偏差集合中之最小偏差與最大偏差之間的差小於一特定臨限值；及/或2)在該候選特徵之該局域偏差集合中之該最小偏差與該最大偏差之間的該差小於在其他候選特徵中任一者之該局域偏差集合中之該最小偏差與該最大偏差之間的該差。
26.　如條項23之方法，其中該或該等選擇準則包含選自以下各者之至少一者：1)該候選器件特徵之每一例項之一特定屬性對該經模擬之經圖案化輻射光束之該屬性之改變之敏感度的最小值、最大值或平均值大於一特定臨限值；及/或2)該候選器件特徵之每一例項之該特定屬性對該經模擬之經圖案化輻射光束之該屬性之改變之該敏感度的該最小值、該最大值或該平均值小於一特定臨限值。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
302．．．組態最佳化器
304．．．分析器
306．．．選擇器
308．．．量測器件
310．．．擬合模組
502．．．組態最佳化器
504．．．分析器
506．．．量測器件
508．．．擬合模組
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束遞送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2描繪用以獲得用於微影裝置之改良組態之實例處理序，其中根據一或若干選擇準則來選擇待量測且在最佳化階段中用作輸入之器件特徵；
圖3為用以進行圖2所說明之處理序之組態最佳化器的示意性功能說明；
圖4描繪用以獲得用於微影裝置之改良組態之另外實例處理序，其中在最佳化階段中使用稀疏區帶之目標誤差輪廓；及
圖5為用以進行圖4所說明之處理序之組態最佳化器的示意性功能說明。
502．．．組態最佳化器
504．．．分析器
506．．．量測器件
508．．．擬合模組

Claims (16)

  1. 一種用於決定用於一微影裝置之一改良組態之方法，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一候選器件特徵之複數個例項；針對一不同候選器件特徵來重複該分析步驟；選擇在該分析步驟中所識別之該複數個例項匹配一或若干選擇準則所針對之該候選器件特徵；量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該經選擇器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合。
  2. 如請求項1之方法，其中調適該微影裝置之該組態包含：反覆地變化該微影裝置之該組態，以便決定改良該誤差集合之一組態。
  3. 如請求項2之方法，其中反覆地變化包含：在一模擬中反覆地變化該微影裝置之該組態，以便決定改良該誤差集合之一組態。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包含決定藉由該微影裝置產生之一經模擬之經圖案化輻射光束之一屬性的局域偏差集合，其將校正與該經選擇器件特徵相關聯之該誤差集合。
  5. 如請求項1之方法，其包含：對於在該分析步驟中所分析之該等候選器件特徵中每一者：量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該候選器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及決定藉由該微影裝置產生之一經模擬之經圖案化輻射光束之一屬性的局域偏差集合，其將校正與該候選器件特徵相關聯之該誤差集合，其中該或該等選擇準則包含基於該局域偏差集合之一屬性之一要求。
  6. 如請求項5之方法，其中該或該等選擇準則包含選自以下各者之至少一者：1)該候選特徵之該局域偏差集合包含大於一特定臨限值之一偏差；2)該候選特徵之該局域偏差集合包含大於其他候選器件特徵中任一者之該局域偏差集合中之一平均偏差的一平均偏差；及/或3)該候選特徵之該局域偏差集合包含大於一特定臨限值之一平均偏差。
  7. 如請求項5之方法，其中該或該等選擇準則包含選自以下各者之至少一者：1)在該候選特徵之該局域偏差集合中之最小偏差與最大偏差之間的差大於一特定臨限值；及/或2)在該候選特徵之該局域偏差集合中之該最小偏差與該最大偏差之間的該差大於在其他候選特徵中任一者之該局域偏差集合中之該最小偏差與該最大偏差之間的該差。
  8. 如請求項4之方法，其中該經模擬之經圖案化輻射光束之該屬性包含局域最大輻射劑量。
  9. 如請求項4之方法，其中該經模擬之經圖案化輻射光束之該屬性包含局域焦點深度。
  10. 如請求項1之方法，其中在該選擇步驟中選擇複數個候選器件特徵，且該調適包含尋找改良與所有該等經選擇器件特徵相關聯之該誤差集合之一組態。
  11. 如請求項1之方法，其中該或該等選擇準則包含該目標器件圖案中之該候選器件特徵之例項之數目高於一特定臨限值的要求。
  12. 如請求項1之方法，其中該或該等選擇準則包含每單位面積的該候選器件特徵之例項之數目之方差低於一特定臨限值的要求。
  13. 如請求項1之方法，其包含：對於在該分析步驟中所分析之該等候選器件特徵中每一者：量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該候選器件特徵之每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差，且其中該或該等選擇準則包含選自以下各者之至少一者：1)該經量測誤差集合之均值大於一特定臨限值；2)該經量測誤差集合之方差大於一特定臨限值；3)該經量測誤差集合之該均值小於一特定臨限值；及/或4)該經量測誤差集合之該方差小於一特定臨限值。
  14. 如請求項1之方法，其中該調適該微影裝置之該組態係以滿足一約束或目標之一樣式而進行，該約束或目標為：適用於除了在該量測步驟中獲得誤差所針對之該等例項以外的一器件特徵之例項處的一誤差輪廓接近一目標誤差輪廓。
  15. 一種電腦可讀媒體，其包含用以指示一電腦進行用於決定一微影裝置之一改良組態之一方法的程式碼，該方法包含：分析待藉由一微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一候選器件特徵之複數個例項；針對一不同候選器件特徵來重複該分析步驟；選擇在該分析步驟中所識別之該複數個例項匹配一或若干選擇準則所針對之該候選器件特徵；自使用該微影裝置而產生之一器件圖案之量測或自供該微影裝置中使用之一圖案化器件之量測獲得資料，該資料包含一誤差集合，該誤差集合包含在該經選擇器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合。
  16. 一種微影裝置，其包含：一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；及一組態最佳化器，其經組態以最佳化該微影裝置之組態，該組態最佳化器包含：一分析器，其經組態以分析待藉由該微影裝置成像於一基板上之一目標器件圖案以在該目標器件圖案中識別一候選器件特徵之複數個例項，且針對一不同候選器件特徵來重複該分析步驟；一選擇器，其經組態以選擇在該分析步驟中所識別之該複數個例項匹配一或若干選擇準則所針對之該候選器件特徵；一量測器件，其經組態以量測使用該微影裝置而產生之一器件圖案，或量測供該微影裝置中使用之一圖案化器件，以便獲得一誤差集合，該誤差集合包含在該經選擇器件特徵之該經識別複數個例項中每一例項之一特定屬性之一經量測值與該屬性之一目標值之間的差；及一擬合模組，其經組態以調適該微影裝置之該組態以改良該誤差集合。
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