TWI448891B - 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法 - Google Patents
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- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 105
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 6
- 238000002372 labelling Methods 0.000 claims description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 6
- 101100481702 Arabidopsis thaliana TMK1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100481704 Arabidopsis thaliana TMK3 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
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Description
本發明係有關於資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法。
現今資料儲存裝置常以快閃記憶體(例如,非及閘快閃記憶體/NAND flash)為儲存媒體。
隨著製程技術發展,快閃記憶體的容量大幅提升;其中資料儲存空間的管理資訊-例如,邏輯-物理位址映射表-也越來越龐大,不易管理。
此外,除了邏輯-物理位址映射表外,快閃記憶體上可能還有其他多種表格需要維護,其正確度關係到資料儲存裝置是否能正常運作。
本發明揭露一種資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法。
根據一種實施方式所實現的一資料儲存裝置包括一快閃記憶體以及一控制器。該快閃記憶體提供一資料儲存空間、一有效頁計數表、一邏輯-物理位址映射以及一無效區塊標示表。該控制器配置該資料儲存空間儲存主機端所指示的資料,並於該快閃記憶體建立、且維護該有效頁計數表、該邏輯-物理位址映射、以及該無效區塊標示表,以據以管理該資料儲存空間。該控制器係於訂正該有效頁計數
表後方更新該邏輯-物理位址映射。此外,該控制器係根據該有效頁計數表建立該無效區塊標示表。
另外一種實施方式揭露一種快閃記憶體控制方法,包括以下步驟:配置一快閃記憶體的一資料儲存空間,以儲存主機端所指示的資料;於該快閃記憶體建立、且維護一有效頁計數表、一邏輯-物理位址映射以及一無效區塊標示表,該邏輯-物理位址映射之更新係安排在該有效頁計數表訂正後,且該無效區塊標示表係根據該有效頁計數表而建立;以及,根據該有效頁計數表、該邏輯-物理位址映射以及該無效區塊標示表管理該資料儲存空間。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖示,詳細說明如下。
第1圖圖解一種資料儲存裝置100,可由主機端102操控。
資料儲存裝置100包括一快閃記憶體(例如,反及閘快閃記憶體NAND Flash)104、一控制器106以及一隨機存取記憶體108。快閃記憶體104提供一資料儲存空間110、一有效頁計數表ValidPageCnt、一邏輯-物理位址映射H2F、一無效區塊標示表InvalidBLKRecord、一事件記錄EventRecord以及一復電用表格資訊SafeLink。控制器106執行一韌體(可由該控制器106內的唯讀記憶體提供),負責配置該資料儲存空間110儲存主機端102所指示的資料,並於該快閃記憶體104建立、且維護上述有效頁計數
表ValidPageCnt、上述邏輯-物理位址映射H2F、無效區塊標示表InvalidBLKRecord、事件記錄EventRecord以及復電用表格資訊SafeLink,以管理該資料儲存空間110。此外,在執行該韌體的該控制器106控制下,該隨機存取記憶體108可記錄有一物理-邏輯位址映射表F2H供該邏輯-物理位址映射H2F之建立參考使用,且更可記錄有一表格動態狀態RunTimeLink以及一表格暫存備份SafeLinkRam。表格動態狀態RunTimeLink即時記錄上述有效頁計數表ValidPageCnt、邏輯-物理位址映射H2F、以及無效區塊標示表InvalidBLKRecord(或者,記錄該些表格之相依狀況)。上述有效頁計數表ValidPageCnt、邏輯-物理位址映射H2F、以及無效區塊標示表InvalidBLKRecord每更新一輪,表格動態狀態RunTimeLink的內容可複製至表格暫存備份SafeLinkRam。該復電用表格資訊SafeLink可拷貝自該表格暫存備份SafeLinkRam。事件記錄EventRecord則記錄以上備份動作後所發生的記憶體配置行為,以記錄該復電用表格資訊SafeLink尚未備份的資訊。
該邏輯-物理位址映射H2F提供一群組索引GroupIndex、以及依照群組劃分的複數組邏輯-物理位址映射表Group1_H2F、Group2_H2F…GroupN_H2F。
群組索引GroupIndex內各單位對應一群組,指向所對應群組之邏輯-物理位址映射表。如圖所示,群組索引GroupIndex第一單位對應一第一群組,指向邏輯-物理位址映射表Group1_H2F;群組索引GroupIndex第二單位對應一第二群組,指向邏輯-物理位址映射表Group2_H2F;同
樣規則,群組索引GroupIndex第N單位對應一第N群組,指向邏輯-物理位址映射表GroupN_H2F。
邏輯-物理位址映射表Group1_H2F、Group2_H2F…GroupN_H2F係分群組標示主機端位址(來自主機端102)至該資料儲存空間110的映射。例如,邏輯-物理位址映射表Group1_H2F係標示第一群組的主機端位址(例如,第一範圍之主機端位址)至資料儲存空間110之映射;邏輯-物理位址映射表Group2_H2F係標示第二群組的主機端位址(例如,第二範圍之主機端位址)至資料儲存空間110之映射;同樣規則,邏輯-物理位址映射表GroupN_H2F係標示第N群組的主機端位址(例如,第N範圍之主機端位址)至資料儲存空間110之映射。
第2A圖圖解一快閃記憶體之結構。快閃記憶體200包括複數個區塊(blocks)BLK1、BLK2…BLKK。各區塊包括複數頁(pages)-例如,區塊BLK1包括頁P1、P2…PM。第2B圖圖解主機端定義之主機頁Hpage與快閃記憶體之物理頁(即第2A圖所定義之「頁」)PhysicalPage的對應關係。主機頁Hpage與物理頁PhysicalPage之尺寸可相等(例如,同為16KB)。一個主機頁Hpage需配置一物理頁PhysicalPage。
基於第2A圖與第2B圖技術,第1圖所示之複數組邏輯-物理位址映射表Group1_H2F、Group2_H2F…GroupN_H2F的各單位可對應一主機頁、且可以一區塊標籤與一頁標籤標示所對應的該主機頁儲存於該資料儲存空間110中哪一區塊的哪一頁。群組索引GroupIndex的各單
位亦可包含一區塊標籤與一頁標籤,標示該單位所對應之群組的邏輯-物理位址映射表係儲存於哪一個區塊的哪一頁。此外,隨機存取記憶體108內的物理-邏輯位址映射表F2H可用於即時更新一快閃記憶體之頁至主機頁之映射-標示「物理頁」係映射至哪一個「主機頁」。
基於第2A圖、第2B圖定義,第3圖舉例說明一群組索引、以及依照群組劃分的複數組邏輯-物理位址映射表之操作方式。
如圖所示,主機端所定義的主機頁Hpage1係儲存於快閃記憶體之區塊NF_BLK_1、頁PageA,主機頁Hpage2係儲存於快閃記憶體之區塊NF_BLK_2、頁PageB,且主機頁Hpage3係儲存於快閃記憶體之區塊NF_BLK_3、頁PageC。所述實施方式將主機頁Hpage1、Hpage2與Hpage3歸類為一第一群組,並配置區塊NF_BLK_4的頁PageD儲存一邏輯-物理位址映射表Group1,其中:第一單位指向區塊NF_BLK_1、頁PageA以標示主機頁Hpage1的資料儲存空間;第二單位指向區塊NF_BLK_2、頁PageB以標示主機頁Hpage2的資料儲存空間;第三單位指向區塊NF_BLK_3、頁PageC以標示主機頁Hpage3的資料儲存空間。
此外,所述實施方式更配置區塊NF_BLK_5的頁PageE儲存一群組索引GroupIndex。如圖所示,群組索引GroupIndex的第一單位對應該第一群組,指向區塊NF_BLK_4、頁PageD,標示該邏輯-物理位址映射表Group1。至於群組索引GroupIndex其他單位則可對應其他
群組。例如,群組索引GroupIndex的第二單位對應一第二群組,指向區塊NF_BLK_6、頁PageF,標示一邏輯-物理位址映射表Group2;邏輯-物理位址映射表Group2提供複數個指標,指向該第二群組的複數個主機頁的資料儲存位置(包括,指向區塊NF_BLK_8、頁PageH與PageI,以分別標示主機頁Hpage4與Hpage5的資料儲存空間,且指向區塊NF_BLK_9、頁PageJ,以標示主機頁Hpage6的資料儲存空間)。群組索引GroupIndex第三單位對應一第三群組,指向區塊NF_BLK_7、頁PageG,標示一邏輯-物理位址映射表Group3;邏輯-物理位址映射表Group3提供複數個指標,指向該第三群組的複數個主機頁的資料儲存位置(包括,指向區塊NF_BLK_10、頁PageK、PageL與PageM,以分別標示主機頁Hpage7、Hpage8與Hpage9的資料儲存空間)。特別聲明之,依照所述之管理規則,同一群組的主機頁資料可散佈於多個區塊(如分散在三個區塊NF_BLK_1、NF_BLK_2與NF_BLK_3的三個主機頁Hpage1、Hpage2、Hpage3資料、或由兩個區塊NF_BLK_8與NF_BLK_9儲存的三個主機頁Hpage4、Hpage5與Hpage5資料),或者,同一群組的主機頁資料可集中於單一個區塊(如集中在單一區塊NF_BLK_10的三個主機頁Hpage7、Hpage8、Hpage9資料)。
參閱第3圖所示實施方式,若主機端指示讀取主機頁Hpage1,資料儲存裝置的控制器可分析該主機頁Hpage1,得知主機頁Hpage屬於一第一群組。控制器可查詢群組索引GroupIndex,找出其中對應該第一群組的單位,根據其
中指標尋得邏輯-物理位址映射表Group1。控制器可根據邏輯-物理位址映射表Group1中對應主機頁Hpage1的該單位得知主機頁Hpage1資料儲存於區塊NF_BLK_1的頁PageA。如此一來,主機頁Hpage1的讀取操作即可實現。所述技術以兩階層以上的指標建立邏輯位址至物理位址之映射關係。
所述之邏輯-物理位址映射H2F技術有利於管理大容量之快閃記憶體。第4圖舉例說明該邏輯-物理位址映射H2F之修正技術。
參閱第4圖,一目標主機頁先前的資料Hpage_Old係儲存於一原始頁Page1,由邏輯-物理位址映射表Group_Old的一單位所提供的指標標示。該邏輯-物理位址映射表Group_Old則是由群組索引GoupIndexOld中一單位所提供的指標標示。
關於該目標主機頁之資料更新,所述技術新配置一更新頁Page2儲存該目標主機頁更新後的資料HPage_New,原始頁Page1隨之標示為無效。此外,所述技術新配置一邏輯-物理位址映射表更新頁Group_New,儲存修正後的邏輯-物理位址映射表(同樣標號為Group_New)。邏輯-物理位址映射表Group_New其中一單位所提供的指標係指向該更新頁Page2,邏輯-物理位址映射表Group_Old隨之被標示無效。此外,所述技術新配置一群組索引更新頁GroupIndexNew,儲存更新後的群組索引(同樣標號為GroupIndexNew)。群組索引GroupIndexNew其中一單位所提供的指標係指向該邏輯-物理位址映射表Group_New,群
組索引GroupIndexOld隨之被標示無效。總結之,所述之邏輯-物理位址映射H2F可藉由新配置兩頁空間(填入修正後的群組索引GroupIndexNew與邏輯-物理位址映射表Group_New)實現該目標主機頁至物理頁之映射修正,程序相當簡易,適合大容量的快閃記憶體使用。
在一種實施方式中,更新頁Page2配置給該目標主機頁後,此映射關係可先記錄於隨機存取記憶體(第1圖標號108)的物理-邏輯位址映射表F2H中,供填入資料HPage_New至快閃記憶體時參考使用,此外,也可在建立所述邏輯-物理位址映射H2F時參考使用。
在一種實施方式中,所述技術會將該目標主機頁先前映射的原始頁Page1之資料HPage_Old先拷貝至隨機存取記憶體108作資料更新,再根據物理-邏輯位址映射表F2H將之儲存至更新頁Page2。邏輯-物理位址映射表Group_Old也可先拷貝至隨機存取記憶體108作資料更新,再儲存至快閃記憶體呈Group_New。群組索引GroupIndexOld也可先拷貝至隨機存取記憶體108作資料更新,再儲存至快閃記憶體呈GroupIndexNew。
第5圖以流程圖圖解一目標主機頁之資料更新流程。步驟S502於快閃記憶體配置一更新頁(對應第4圖更新頁Page2),以更新一目標主機頁之資料。步驟S504修正隨機存取記憶體(對應第1圖之標號108)所儲存的該物理-邏輯位址映射表F2H,以記錄該更新頁Page2係映射該目標主機頁。步驟S506將該目標主機頁先前映射的一原始頁(對應第4圖之原始頁Page1)之資料HPage_Old拷貝至該隨機
存取記憶體108更新為資料HPage_New,再根據該物理-邏輯位址映射表F2H儲存至該更新頁Page2。步驟S508在該快閃記憶體中為該目標主機頁所屬之群組配置一邏輯-物理位址映射表更新頁(對應第4圖之Group_New),以其中一單位指向該更新頁Page2。步驟S510在該快閃記憶體配置一群組索引更新頁(對應第4圖之GroupIndexNew),以其中一單位指向該邏輯-物理位址映射表更新頁Group_New。
步驟S508可包括將舊有的邏輯-物理位址映射表(對應第4圖Group_Old)先拷貝至隨機存取記憶體108作資料更新,再儲存至邏輯-物理位址映射表更新頁Group_New。步驟S510可包括將舊有的群組索引GroupIndexOld先拷貝至隨機存取記憶體108作資料更新,再儲存至群組索引更新頁GroupIndexNew。
以上關於邏輯-物理位址映射表H2F之維護皆可以韌體方式,交由控制器106執行實現。
至於其他表格與記錄(如第1圖所示,ValidPageCnt、InvalidBLKRecord、EventRecord或SafeLink)之建立以及維護討論如下。在以下討論中,邏輯-物理位址映射H2F不限定以上所敘述之多階層形式。任何可以標示出邏輯-物理映射關係者皆可用來實現邏輯-物理位址映射H2F。有效頁計數表ValidPageCnt係標示各區塊的有效頁數量。無效區塊標示表InvalidBLKRecord可基於上述有效頁計數表ValidPageCnt而得,有效頁數量為0的區塊即可標示為無效區塊。
第6圖以一流程圖圖解一種表格維護程序。步驟S602監控一快閃記憶體是否滿足一表格更新條件。一種實施方式是在有區塊被寫滿(不再有閒置頁)時判定該快閃記憶體滿足表格更新條件;或者,表格更新條件也可設定成其他形式。在監控過程中所發生的記憶體配置則可記錄在事件記錄EventRecord中。若表格更新條件滿足,流程進行步驟S604,可基於該事件記錄EventRecord比對該邏輯-物理位址映射H2F,以更新該有效頁計數表ValidPageCnt。待該有效頁計數表ValidPageCnt更新完畢,流程方進行步驟S606更新該邏輯-物理位址映射H2F,此步驟同樣可基於事件記錄EventRecord的內容。無效區塊標示表InvalidBLKRecord之更新亦是設計在有效頁計數表ValidPageCnt更新完畢後-由步驟S608執行之。步驟S610則是將更新後的上述有效頁計數表ValidPageCnt、邏輯-物理位址映射H2F、以及無效區塊標示表InvalidBLKRecord於該快閃記憶體104備份呈該復電用表格資訊SafeLink(可利用隨機存取記憶體108之表格動態狀態RunTimeLink以及表格暫存備份SafeLinkRam設計)。如此一來,每一輪的表格更新有該復電用表格資訊SafeLink作備份,而直至下次備份前發生的記憶體配置則有事件記錄EventRecord記錄著。無論非預期中斷(例如斷電)發生在哪個時間點,都不會丟失該資料儲存空間110的管理資訊。
第7圖說明一復電流程。步驟S702係根據該復電用表格資訊SafeLink所備份的內容初步更新上述有效頁計數表ValidPageCnt、邏輯-物理位址映射H2F、以及無效區塊標
示表InvalidBLKRecord。步驟S704則是自第6圖步驟S604重啟表格維護程序。如步驟S604所述,該復電用表格資訊SafeLink所未備份到的事件記錄EventRecord可用於比對該邏輯-物理位址映射H2F使該有效頁計數表ValidPageCnt更細部更新,接續的步驟S60同樣可基於事件記錄EventRecord使該邏輯-物理位址映射H2F更細部更新。如此一來,非預期中斷完全不破壞上述有效頁計數表ValidPageCnt、邏輯-物理位址映射H2F、以及無效區塊標示表InvalidBLKRecord之維護。
另外有一種實施方式是以序號比對方式偵測非預期中斷;所述實施方式-比對第6圖-可不作步驟S610,而是在步驟S604完成該有效頁計數表ValidPageCnt之更新後以序號SN(可配置在該有效頁計數表ValidPageCnt的管理空間,如第1圖所示)計數該有效頁計數表ValidPageCnt的更新,且在步驟S608完成該無效區塊標示表InvalidBLKRecord之更新後以序號SN’(可配置在該無效區塊標示表InvalidBLKRecord的管理空間,如第1圖所示)計數該無效區塊標示表InvalidBLKRecord的更新。第8圖說明一復電流程。步驟S802比較序號SN以及SN’。若序號SN領先序號SN’,則流程進行步驟S804,判定該有效頁計數表ValidPageCnt早已確認,故自該邏輯-物理位址映射H2F之更新(可基於事件記錄EventRecord內容)重啟表格維護程序。若序號SN等同序號SN’,則流程進行步驟S806,可自該有效頁計數表ValidPageCnt之更新(可基於該事件記錄EventRecord比對該邏輯-物理位址映射H2F)重啟
表格維護程序。此類實施方式無須用到復電用表格資訊SafeLink備份技術。
以上第6圖~第8圖所述程序同樣可以韌體方式交由控制器106執行實現。
此外,雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟悉此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可做些許更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧資料儲存裝置
102‧‧‧主機端
104‧‧‧快閃記憶體
106‧‧‧控制器
108‧‧‧隨機存取記憶體
110‧‧‧資料儲存空間
200‧‧‧快閃記憶體
BLK1、BLK2…BLKK‧‧‧區塊
EventRecord‧‧‧事件記錄
F2H‧‧‧物理-邏輯位址映射表
Group1…Group3、Group1_H2F…GroupN_H2F‧‧‧邏輯-物理位址映射表
GroupIndex‧‧‧群組索引
GroupIndexOld‧‧‧修正前之群組索引
GroupIndexNew‧‧‧修正後之群組索引/群組索引更新頁
GroupOld‧‧‧對應目標主機頁所屬之群組,為修正前之邏輯-物理位址映射表
GroupNew‧‧‧對應目標主機頁所屬之群組,為修正後之邏輯-物理位址映射表/邏輯-物理位址映射表更新頁
H2F‧‧‧邏輯-物理位址映射表
HPage、Hpage1…Hpage9‧‧‧主機頁
HPage_Old、Hpage_New‧‧‧目標主機頁修正前、後之資料
InvalidBLKRecord‧‧‧無效區塊標示表
NF_BLK_1…NF_BLK_10‧‧‧區塊
P1、P2…PM‧‧‧頁
Page1‧‧‧原始頁
Page2‧‧‧更新頁
PageA…PageM‧‧‧頁
PhysicalPage‧‧‧物理頁
RunTimeLink‧‧‧表格動態狀態
S502…S510、S602…S610、S702…S704、S802…S806‧‧‧步驟
SafeLink‧‧‧復電用表格資訊
SafeLinkRam‧‧‧表格暫存備份
SN、SN’‧‧‧序號
ValidPageCnt‧‧‧有效頁計數表
第1圖圖解根據一種實施方式所實現的資料儲存裝置100;第2A圖圖解一快閃記憶體之結構;第2B圖圖解主機端定義之「主機頁」與快閃記憶體之「物理頁」的對應關係;第3圖舉例說明一群組索引、以及依照群組劃分的複數組邏輯-物理位址映射表之操作方式;第4圖舉例說明邏輯-物理位址映射H2F之修正技術;第5圖以流程圖圖解一目標主機頁之資料更新流程;第6圖以一流程圖圖解一種表格維護程序;第7圖說明一復電流程;以及第8圖說明另一復電流程。
S602‧‧‧判斷步驟,滿足表格更新條件?
S604‧‧‧步驟,更新ValidPageCnt
S606‧‧‧步驟,更新H2F
S608‧‧‧步驟,更新InvalidBLKRecord
S610‧‧‧步驟,將各表格備份呈SafeLink
Claims (14)
- 一種資料儲存裝置,包括:一快閃記憶體,提供一資料儲存空間、一有效頁計數表、一邏輯-物理位址映射以及一無效區塊標示表;以及一控制器,配置該資料儲存空間儲存主機端所指示的資料,並於該快閃記憶體建立、且維護該有效頁計數表、該邏輯-物理位址映射、以及該無效區塊標示表,以據以管理該資料儲存空間;其中,該控制器係於訂正該有效頁計數表後方更新該邏輯-物理位址映射,且該控制器係根據該有效頁計數表建立該無效區塊標示表。
- 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置,其中,該控制器更於該快閃記憶體建立一事件記錄,記錄上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、與無效區塊標示表最後一輪更新後所發生的記憶體配置行為。
- 如申請專利範圍第2項所述之資料儲存裝置,其中,該控制器係基於該事件記錄比對該邏輯-物理位址映射,以更新該有效頁計數表。
- 如申請專利範圍第3項所述之資料儲存裝置,其中,該控制器係於上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、以及無效區塊標示表的資訊每更新一輪後將上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、以及無效區塊標示表於該快閃記憶體備份呈一復電用表格資訊,且該控制器係於復電時先根據該復電用表格資訊更新上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、以及無效區塊標示表,再基於上述事件 記錄比對該邏輯-物理位址映射而更新該有效頁計數表,並繼續對上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、與無效區塊標示表進行維護。
- 如申請專利範圍第3項所述之資料儲存裝置,其中,該控制器係於更新該邏輯-物理位址映射後更新該無效區塊標示表。
- 如申請專利範圍第5項所述之資料儲存裝置,其中,該控制器更於更新該有效頁計數表後以一第一序號計數該有效頁計數表的更新,且於更新該無效區塊標示表後以一第二序號計數該無效區塊標示表的更新,且該控制器係藉由比較該第一以及該第二序號偵測非預期中斷。
- 如申請專利範圍第6項所述之資料儲存裝置,其中,復電時,該控制器於該第一序號領先該第二序號的狀況下判定該有效頁計數表已確認,繼而根據上述事件記錄更新該邏輯-物理位址映射,並繼續對上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、與無效區塊標示表進行維護。
- 一種快閃記憶體控制方法,包括:配置一快閃記憶體的一資料儲存空間,以儲存主機端所指示的資料;於該快閃記憶體建立、且維護一有效頁計數表、一邏輯-物理位址映射以及一無效區塊標示表,該邏輯-物理位址映射之更新係安排在該有效頁計數表訂正後,且該無效區塊標示表係根據該有效頁計數表而建立;以及根據該有效頁計數表、該邏輯-物理位址映射以及該無效區塊標示表管理該資料儲存空間。
- 如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體控制方法,更於該快閃記憶體建立一事件記錄,記錄上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、與無效區塊標示表最後一輪更新後所發生的記憶體配置行為。
- 如申請專利範圍第9項所述之快閃記憶體控制方法,係基於該事件記錄比對該邏輯-物理位址映射,以更新該有效頁計數表。
- 如申請專利範圍第10項所述之快閃記憶體控制方法,更於上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、以及無效區塊標示表的資訊每更新一輪後將上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、以及無效區塊標示表備份於該快閃記憶體呈一復電用表格資訊,且於復電時先根據該復電用表格資訊更新上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、以及無效區塊標示表,再基於上述事件記錄比對該邏輯-物理位址映射而更新該有效頁計數表,並繼續對上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、與無效區塊標示表進行維護。
- 如申請專利範圍第10項所述之快閃記憶體控制方法,係於更新該邏輯-物理位址映射後方更新該無效區塊標示表。
- 如申請專利範圍第12項所述之快閃記憶體控制方法,更於更新該有效頁計數表後以一第一序號計數該有效頁計數表的更新,且於更新該無效區塊標示表後以一第二序號計數該無效區塊標示表的更新,且係藉由比較該第一以及該第二序號偵測非預期中斷。
- 如申請專利範圍第13項所述之快閃記憶體控制方 法,其中,若復電時該第一序號領先該第二序號,則判定該有效頁計數表已確認,繼而根據上述事件記錄更新該邏輯-物理位址映射,並繼續對上述有效頁計數表、邏輯-物理位址映射、與無效區塊標示表進行維護。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101132461A TWI448891B (zh) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法 |
| CN201210428315.7A CN103678145B (zh) | 2012-09-06 | 2012-10-31 | 数据储存装置与快闪存储器控制方法 |
| US13/862,816 US9244833B2 (en) | 2012-05-30 | 2013-04-15 | Data-storage device and flash memory control method |
| US14/851,186 US9355028B2 (en) | 2012-05-30 | 2015-09-11 | Data-storage device and flash memory control method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101132461A TWI448891B (zh) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201411347A TW201411347A (zh) | 2014-03-16 |
| TWI448891B true TWI448891B (zh) | 2014-08-11 |
Family
ID=50315777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101132461A TWI448891B (zh) | 2012-05-30 | 2012-09-06 | 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103678145B (zh) |
| TW (1) | TWI448891B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI563510B (en) * | 2015-07-24 | 2016-12-21 | Phison Electronics Corp | Mapping table accessing method, memory control circuit unit and memory storage device |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI512467B (zh) * | 2014-09-02 | 2015-12-11 | Silicon Motion Inc | 實體儲存對照表維護方法以及使用該方法的裝置 |
| TWI604307B (zh) | 2014-10-31 | 2017-11-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法 |
| TWI545433B (zh) | 2015-03-04 | 2016-08-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 實體儲存對照表維護方法以及使用該方法的裝置 |
| EP3311286A4 (en) * | 2015-06-17 | 2019-01-16 | Intel Corporation | DATA PROCESSING DEVICE AND METHOD WITH PERSISTENT MEMORY |
| TWI670640B (zh) * | 2016-11-25 | 2019-09-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 可用於資料儲存裝置之資料儲存方法與資料回復程序、以及採用這些方法的資料儲存裝置 |
| TWI591533B (zh) | 2016-11-25 | 2017-07-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 可用於資料儲存裝置之資料儲存方法與資料回復程序、以及採用這些方法的資料儲存裝置 |
| US11429545B2 (en) | 2020-07-16 | 2022-08-30 | Silicon Motion, Inc. | Method and apparatus for data reads in host performance acceleration mode |
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2012
- 2012-09-06 TW TW101132461A patent/TWI448891B/zh active
- 2012-10-31 CN CN201210428315.7A patent/CN103678145B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201411347A (zh) | 2014-03-16 |
| CN103678145B (zh) | 2017-04-12 |
| CN103678145A (zh) | 2014-03-26 |
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