TWI448755B - 具有降低溫度依賴的光學裝置 - Google Patents

Description

具有降低溫度依賴的光學裝置

本發明大致上有關光柵裝置，且更特別有關用於使此等裝置絕熱之技術。

電腦及通訊系統對於通訊連結頻寬有一不斷加增的需求。其大致上已知光纖比傳統之同軸連結提供一遠較高之頻寬。再者，光纖波導管中之單一光通道使用該纖維的可用頻寬之一小部分。於波長分割多工(WDM)光學通訊系統中，多數光學波長載體沿著單一光纖傳送獨立之通訊通道。藉著在不同波長傳送數個通道進入一纖維，有效率地利用一光纖之頻寬容量。

已使用一陣列波導光柵(AWG)裝置達成光纖多工及解多工。一AWG係一平面式結構，並包含一波導器之列陣，該等波導器設置於輸入及輸出耦合器之間，且彼此並行地配置，及在一起像分光計中之繞射光柵般作用。每一波導器之長度相對其最近的鄰接波導器之長度係不同達一預設之固定量。該輸出耦合器之輸出形成該多工及解多工裝置之輸出。於操作中，當複數分開及不同之波長係應用至該裝置之分開及不同的輸入埠時，它們被組合及傳送至一輸出埠。相同之裝置亦可施行一解多工功能，其中在該設備的一輸入埠上之複數輸入波長係彼此分開由及引導至該等輸出埠之預先不同輸出埠。AWGs亦可施行一路由功能，其中信號抵達在多數輸入埠上及按照一預先定義之映射路由至多數不同輸出埠。此等AWGs之結構及操作係於該技藝中熟知者。譬如看M K Smit於1996年6月第2號第2冊量子電子工學中之選擇主題的IEEE期刊之“以相位陣列為基礎之WDM裝置：原理、設計及應用”、及美國專利第5,002,350號及世界專利第WO 97/23969號，所有以引用的方式併入本文中。

波長分割多工器及解多工器需要鄰接波導器間之有效光程長度差值的精確控制。該有效光程長度差值係藉著該波導器中之主要模態的有效折射率及鄰接波導器間之物理路徑長度差值的乘積所界定。用於當前可用之波長分割多工器及解多工器，該等波導器中之主要模態的有效折射率及鄰接波導器間之物理路徑長度差值兩者典型係溫度相依的。於傳統之整合式光學多工器及解多工器裝置中，形成該列陣波導器之媒介具有一顯著之溫度相依性，這導致可能超過該傳送頻寬的中心傳送波長中之變化。其結果是，在一指定裝置操作溫度範圍(例如由大約攝氏0度至大約攝氏70度)內之溫度變化造成一波長位移，相較於該典型之準確性需求，這是不能接受的。因此，該相位陣列型之可用多工器/解多工器光學裝置係大致上在一溫度控制下之環境中操作。典型地，提供具有加熱元件之控制電路，以將該裝置維持在一高於該最大指定操作溫度之穩定溫度。但使用加熱元件以達成主動之絕熱作用(athermalization)係不想要的，因為其增加該裝置之整個成本、尺寸及複雜性，降低裝置壽命，及消耗相當可觀之電力。其亦通常需要主動之聰明控制電子設備，且甚至接著其視該裝置之實際水平/直立方位而定可不同地操作。亦可使用珀爾帖(Peltier)冷卻器，但這些遭受許多相同的不適當之處。

於具有包含複數矽石波導器及矽石包覆層之相位陣列光柵的傳統波長分割多工器之案例中，如溫度之一函數的通道波長之變分主要地視如溫度之一函數的波導器之有效折射率的正變分而定。在對於以矽石為基礎之材料補償如溫度之一函數的折射率之正變分的一努力中，已採用具有溫度之一函數的折射率之負變分的聚合物上方包覆(overcladding)材料。然而，具有此配置之一問題係當該溫度變動時，該纖芯及該包覆層間之折射率中的差異變動，且於最糟之案例中，光線不能夠被引導進入該波導器。其結果是，具有聚合物上方包覆層的相位陣列型光柵之光學多工器/解多工器裝置不能適用於遍及周遭溫度之一寬廣範圍。

用於在相位陣列中的鄰接波導器之間維持一相對恆定之有效光程長度差值的另一提出設計，涉及於該相位陣列或於板片區域中使一聚合物局部化於三角形或新月形溝槽，而在板片區域中耦接該相位陣列與該等輸入或輸出光纖。可選擇該聚合物，使得於如溫度之一函數的有效折射率中具有一負變分，以補償如溫度的一函數之矽石波導器纖芯片段的折射率中之正變分，藉此由於在一預定操作溫度範圍內之操作溫度中的變動，禁止通道波長之位移。該聚合物溝槽能被分成超過一個之藉由該光學能量所連續地遭遇的溝槽，以降低越過每一溝槽的自由空間傳播之長度。

充滿聚合物的溝槽之使用可實質地改善絕熱作用。遍及攝氏－5至＋70度之一典型操作溫度範圍，已以此方式絕熱之典型AWGs能達成一小到如0.03至0.05奈米之中心通道波長漂移。然而，那仍然不夠好。此等漂移將該裝置之應用性限制於僅只所陳述之溫度範圍，且限制於僅只具有大約100千兆赫或更高的通道間距之系統，在此該變動將是可容忍的。它們不會輕易地可使用的，譬如於一戶外設備機罩中，並於可能達結冰溫度之氣候中，或於需要一寬闊之通帶及少於大約100千兆赫的通道間距之系統中。

已審慎地調查用於絕熱作用的技術之另一主要範疇事實上係機械式的，諸如包含溫度控制式致動器之技術，用於相對彼此主動地定位該裝置之零組件。這些可譬如包含一雙金屬致動器，其按照周遭溫度相對該輸入板片區域調整該輸入波導器之橫側位置。這些技術大致上係複雜及製造昂貴的，因該等製造容差通常係非常緊密。

因此，對於遍及一比先前已可能或實用者更寬廣之溫度範圍，呈現遠較佳之絕熱作用的列陣波導光柵裝置有一急迫之需要，而不需要一溫度控制下之環境，及不需要機械方法之複雜性及緊密之製造容差。

於現存充滿聚合物之溝槽絕熱方法中，以矽石為基礎之波導器材料及該聚合物補償材料兩者中之折射率的變化，係兩者假設為與溫度成線性的。任何較高階之效應典型係已忽視。

當於遠離該聚合物之玻璃轉換溫度的溫度測量時，大部份描述一材料相對溫度之折射率變化特徵的參考案亦僅只敘述該二者間之一線性關係。申請人已經認知該關係通常非恰好線性地，且這些離該線性的變動之偏差可對這些裝置中所觀察之不完全絕熱的一顯著部份負責。因此，於本發明之一態樣中，約略陳述之，材料之選擇考慮為該等材料之至少第二階影響。其結果是，可確認一聚合物補償材料以遠較佳之準確性、或譬如遍及攝氏－30度至攝氏＋70度之一遠加更寬廣的溫度範圍、或兩者補償該波導器材料中之有效光程長度變動。

於本發明之另一態樣中，又約略地敘述，二不同補償材料被用於充填複數已插入該光程之凹槽或補償區域。該光程長度相對該二補償材料之溫度曲線係以對至少該第二階為其特徵，如係該基本之波導器材料般。該二補償材料係以一適當之比率放置於不同數目之溝槽中，以便建立有效相互作用長度之比率，其係正確地使該整個光程長度對該第一及第二階兩者之溫度相依性減至最小所需要者。該技術係可推廣至任何數目之不同補償材料，及至該光程長度溫度相依性對特徵之任何順序的中和作用。

於本發明之一態樣中，約略地敘述，光學設備具有複數通帶及一中心波長，且遍及攝氏0度至攝氏＋70度、攝氏－5度至攝氏＋70度、攝氏－30度至攝氏＋70度、或攝氏－50度至攝氏＋90度之溫度範圍，相對該中心波長之溫度的第一至第Q階導數、Q>＝2係實質上等於零。該設備可包含複數載有由該輸入埠至該輸出埠經過複數材料之光學能量的光程，每一材料具有一有效折射率溫度相依性，其不同於其他材料之有效折射率溫度相依性。另一選擇或另外，該設備可包含一與該輸入及輸出埠之一特定埠光學相通的波導器，及一溫度補償構件，該溫度補償構件相對該陣列波導光柵依賴溫度調整該波導器之物理位置。

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，光學設備具有包含複數經過一材料系統之光程，每一光程具有一個別之有效光程長度，其藉著一個別之有效光程長度差值而與一鄰接光程不同，且遍及攝氏0度至攝氏＋70度、攝氏－5度至攝氏＋70度、攝氏－30度至攝氏＋70度、或攝氏－50度至攝氏＋90度之溫度範圍，相對每一光程長度差值之溫度的第一至第Q階導數、Q>＝2係實質上等於零。該設備可包含複數載有由該輸入埠至該輸出埠經過複數材料之光學能量的光程，每一材料具有一有效折射率溫度相依性，其不同於其他材料之有效折射率溫度相依性。另外，該等材料之每一第x個材料沿著每一光程可具有一個別之總物理傳播距離，該總物理傳播距離不同於沿著該等光程之一鄰接光程經過該第x個材料之總物理傳播距離，兩者相差達一個別之物理光程長度差值△L_x ，每一△L_x 隨著遍及該溫度範圍之溫度大體上維持恆定。

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，光學設備具有複數經過一材料系統之光程，該等光程之每一個橫越至少三種材料，該等材料之每一個具有一有效折射率溫度相依性，該有效折射率溫度相依性與其他材料之有效折射率溫度相依性不同，該等光程之每一個具有一個別之有效光程長度，其藉著一個別之有效光程長度差值而與一鄰接光程之有效光程長度不同，且遍及攝氏0度至攝氏＋70度、攝氏－5度至攝氏＋70度、攝氏－30度至攝氏＋70度、或攝氏－50度至攝氏＋90度之溫度範圍，相對每一光程長度差值之溫度的第一至第Q階導數、Q>＝2係實質上等於零。於一具體實施例中，該等材料之每一第x個材料沿著該等光程之每一個具有一個別之總物理傳播距離，該總物理傳播距離不同於沿著該等光程之一鄰接光程經過該第x個材料之總物理傳播距離，兩者相差達一個別之物理光程長度差值△L_x ，每一△L_x 隨著遍及該溫度範圍之溫度大體上維持恆定。

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，一陣列波導光柵設備具有由一輸入至一輸出之複數光程，其包含一基底材料及至少一補償區域，該至少一補償區域集體地包含穿越該光程之至少第一及第二補償材料，且具有彼此不同並與該基底材料不同之有效折射率溫度相依性。於一具體實施例中，該等補償區域之第一補償區域包含該第一及第二補償材料兩者。該第一及第二補償材料可設置在該第一補償區域之不同層中。另一選擇係，該第一補償區域可另包含第三補償材料，在此該第一補償材料係設置在該第一補償區域之一下層中，該第二補償材料係設置於該第一補償區域之一中間層中，及該第三補償材料係設置於該第一補償區域之一上層中，且在此該第二補償材料具有高於該第一及第三補償材料兩者之一折射率。在此該陣列波導光柵設備在該基底材料中包含一下包覆層、一疊置在該下包覆區域上面之芯層、及一疊置在該芯層上面之上包覆層，且該第二補償材料可為大體上與該基底材料中之芯層同平面。

於另一具體實施例中，約略地敘述，該等補償區域之一可包含該第一補償材料及未包含該第二補償材料。於此一具體實施例中，該至少一補償區域可集體地包含複數補償材料，該等補償材料包含該第一及第二補償材料，於該複數補償材料中之所有該等補償材料穿越該等光程、及具有彼此不同並與該基底材料不同之有效折射率溫度相依性，且其中該等補償區域之每一區域包含該等補償材料之恰好一補償材料。

於上面具體實施例之任一實施例中，約略地敘述，該第一補償材料能包含一複合之複數子材料(sub－material)，該複合物之有效折射率溫度相依性係該第一補償材料之有效折射率。該等子材料能被鋪層，以形成該複合物。另一選擇係，該等子材料之第一子材料可為與該基底材料相同，且該等子材料之第二子材料具有一與該基底材料不同並與該複合物不同之有效折射率溫度相依性。

於一具體實施例中，該等補償材料之一可進一步補償該基底材料之雙折射現象。

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，一陣列波導光柵設備具有由一輸入至一輸出之複數光程，並包含一基底材料及複數補償區域，該等補償區域之至少一個的第一子集合包含第一補償材料，且該等凹槽之至少一個的第二子集合包含第二補償材料，其中該第一及第二補償材料具有彼此不同及與該基底材料不同之有效折射率溫度相依性。於一具體實施例中，該基底材料可包含一矽石，且該第一及第二補償材料可為聚合物。

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，光學設備具有經過一材料系統之複數光程，每一光程橫越一數目X之材料，且其中

大體上係等於零，在此每一n_{q , x} 係相對該等材料之每一第x個材料的有效折射率之溫度的第Q導數，在此每一△L_x 係於鄰接光程之間該材料x之總物理路徑長度增量，且其中Q>＝2或X>＝3或兩者。於一具體實施例中，X>＝Q＋1。在此該X個材料包括一基底材料及X－1個補償材料，該設備可包含形成在該基底材料中之至少X－1個補償區域，該等補償區域之每一個包含該等補償材料之恰好一補償材料，該等補償區域大體上依該等補償材料之總物理路徑長度增量△L_x 的比例分配至該X－1個補償材料。

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，光學設備具有經過一基底材料之複數光程，該基底材料具有第一溝槽(trench)，該第一溝槽包含穿越該等光程之一不同材料，且該第一溝槽之上游及下游邊緣之至少一個係相對該垂直面傾斜達5及20度間之傾斜角度。該基底材料可進一步具有穿越該等光程之第二溝槽，其中該第一及第二溝槽兩者之上游及下游兩邊緣係相對該垂直面傾斜達5及20度間之傾斜角度。

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，光學設備具有經過一基底材料之複數光程，在其中形成有複數補償區域，該等補償區域包含用於補償該基底材料之有效折射率的熱量相依性之補償材料，且其中該等補償區域沿著在一節距上之光程依順序地設置，該節距由該等補償區域之最上游區域至該等補償區域之最下游區域線性地變動。於一具體實施例中，其中該等光程之一特別光程載有光學能量，該光學能量經過該等補償區域具有一特別之波長，由該等補償區域之最上游區域至該等補償區域之最下游區域的節距變動係大約等於該特別波長之M倍，在此M係一整數且較佳地是等於1。

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，光學設備具有一陣列波導光柵裝置，該光柵裝置具有一輸出埠，其經由一陣列波導光柵與一輸入埠光學相通；一波導器，其與該等輸入及輸出埠之一特別埠口光學相通；及一溫度補償構件，其按照以下函數大體上相對該陣列波導光柵橫側地調整該波導器之物理位置： 用於該等k_q 之每一者的預定值與遍及攝氏-5度至攝氏+70度之一溫度範圍。於一具體實施例中，其中Q=2，及其中該陣列波導光柵裝置幾乎遍及該溫度具有一折射率，並藉著以下函數所模擬n=n₀ +n₁ T+n₂ T² ,k₁ 大體上可與k₂ 有以下關係：

於本發明之另一態樣中，約略地敘述，光學設備具有一列陣波導光柵裝置，包含經由一陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠，其中該設備具有包含一主體通帶(subject passband)之複數通帶，該主體通帶具有一中心波長，且其中該中心波長遍及攝氏-50度至攝氏+90度之溫度範圍變動達少於70皮米(pm)。於一具體實施例中，該中心波長遍及攝氏-50度至攝氏+90度之溫度範圍變動達不超過40皮米。另一選擇係，該主體通帶之中心波長遍及攝氏0度至攝氏＋70度之溫度範圍變動達少於20皮米。於一具體實施例中，該中心波長遍及攝氏0度至攝氏＋70度之溫度範圍變動達不超過10皮米。

呈現以下之敘述，以能夠使任何熟諳此技藝者製造及使用本發明，且係就一特別應用及其需求之情況提供。對所揭示具體實施例之各種修改對於那些熟諳此技藝者將輕易地變得明顯，且在此所界定之一般原理可應用至其他具體實施例及應用，而未由本發明之精神及範圍脫離。如此，本發明係不欲受限於所示之具體實施例，但將給予與在此所揭示之原理及特色一致的最寬廣範圍。

圖1說明一用作波長分割解多工器之典型AWG的頻譜響應。該曲線圖說明在複數不同輸出通道之每一個所觀察之透射比，所有輸出通道疊加於單一曲線圖上。另一選擇係，該曲線圖說明一用作波長分割解多工器之典型AWG的頻譜響應，並使由複數不同輸入通道之每一個至一共用輸出的透射比疊加於單一曲線圖上。每一透射比曲線具有一主要波瓣，其在大約5分貝達到峰值，且具有一由通道至通道增量地變動之中心頻率f_C ，並於相鄰通道的中心頻率之間設有大體上相等的間距。在不同之AWG具體實施例中，該等中心頻率不須同樣間距地隔開。該中心波長λ_c 係與該中心頻率成λ_C ＝c/f_c 之關係，在此c係光之速度。在此，該中心波長λ_c 係界定為該二波長之平均值，而用於此波長之透射比係用於平均偏極化狀態之峰值透射比的一半。

圖2係一曲線圖，其在攝氏－5度、攝氏＋35度、及攝氏＋75度之周遭溫度下顯示傳統AWG的單一通道中之透射比。其能看出當該溫度增加時，該中心波長增加。對於每一通道，該中心波長隨著溫度之變動係大約相同的，故用於大部分AWG設計之一通道的中心波長變動之分析係該設計中之所有通道的一代表性通道。

用於本討論之目的，該中心通道係使用在該輸入及輸出兩者。該中心波長隨著溫度之移位於多路合波器/分波器應用中係有問題的，因為進來之光學能量不會改變。藉著說明書，用於一給定通道之進來的光學能量使其功率之大多數集中在該對應AWG通帶之主要波瓣內，以便該通帶在波長中移位，該通道損失耗能變得很多的。其能看出損失耗在一預定溫度範圍內、譬如於攝氏0度及攝氏70度之間能為可接受的，但在該範圍之外不能接受的。另一選擇係，其能看出該等損失耗較一預定通道波長間距更多能為可接受的(允許一以較寬廣通帶設計之AWG)，但對於狹窄之通道間距不能接受的(需要一以較狹窄通帶設計之AWG)。於過濾應用中，該等通帶的中心波長中之一移位可造成該結果之信號不在規格內，且對於下游零組件係不適當的。

圖3，曲線310係為溫度之一函數的中心波長移位之一代表性曲線圖。此曲線圖係用於一典型之矽石AWG，其相對溫度具有大約9x10^{－ 6} 之第一階變動。雖然於圖3中看不見該等溫度極點，該中心波長遍及攝氏－5度至攝氏＋70度之周遭溫度範圍移位多達0.8奈米。

用於一AWG，該中心波長λ_c 係藉著以下所給與：

在此n_{e f f} 係該波導器中之有效折射率，△L係該列陣中之鄰接波導器間之長度增量，及m係該光柵之階數。因為n_{e f f} 及△L兩者隨著溫度產生變動，發生該中心波長之溫度相依性，雖然n_{e f f} 之溫度相依性典型係更加顯著的。事實上，如下方所說明，△L之溫度相依性可與n_{e f f} 之溫度相依性合併，而不會喪失多量之準確性。

為了改善一AWG之無熱行為，一傳統技術涉及於該AWG內之部份光程中取代一不同材料。特別地是，該傳統技術涉及橫越該玻璃蝕刻凹槽及以一聚合物充填它們。該等凹槽界定該聚合物材料之“區域”，其如在此所使用者意指該二維區域，如由該波導器平面上方所視。通常選擇該聚合物，以於與該玻璃之溫度變動的相反方向中具有一相對溫度變動之有效折射率，雖然能代替地採用具有一在與該玻璃之溫度變動同一方向中變動的有效折射率之聚合物，如果如下面所述地做成其他調整。該等溫度相依性係僅只線性地形成(亦即第一階)，故以下之分析可用於選擇或設計一目標聚合物。特別地是，於一傳統上已藉著橫越該等玻璃波導器蝕刻凹槽及以一聚合物充填它們而絕熱之AWG中，該中心波長係藉著以下方程式所給與：

在此ng及np分別是玻璃及聚合物之有效折射率，△Lg係於藉由該光學能量所縱向地遭遇的玻璃片段之總物理長度中的鄰接波導器間之增量，及△Lp係於藉由該光學能量所縱向地遭遇的聚合物片段之總物理長度中的鄰接波導器間之增量。該等參數ng及np接著係與溫度形成為具有一線性變動，亦即：n _g ＝n _{0 g} ＋n _{1 g} T and n _p ＝n _{0 p} ＋n _{1 p} T , (方程式4)在此

因此每一材料係以二折射率項、第0階項n_{0 x} 、及第一階項n_{1 x} 為其特徵。

用於無熱的行為，λ_c 係一常數，亦即

如此假設, (方程式7)因為來自△L之貢獻係可忽略的、或因為其貢獻已合併進入那些有效折射率之貢獻，接著無熱的行為需要

取代n_g 及n_p 產生n _{1 g} △L _g ＋n _{1 p} △L _p ＝0, (方程式9)或

如此，如果選擇一特別之聚合物，其相對溫度之線性化的變動係n_{1 p} ，接著該傳統技術將產生一比率，即該列陣中之鄰接波導器間之總聚合物物理長度增量對該列陣中之鄰接波導器間之總玻璃物理長度增量之比率。此比率可接著用於決定該光程中之聚合物的總需要長度，其能接著根據其他原理被分成複數聚合物充填凹槽。依據此線性絕熱技術所製成之一AWG可呈現一多少類似於圖3中之曲線320的中心波長溫度相依性。其能看出此一裝置可比藉由曲線310所代表之版本具有更好之無熱行為，但其遍及該攝氏－5度至攝氏＋70度溫度範圍仍然變動達大約40皮米。注意n_g 及n_p 之溫度相依性的線性泰勒展開係在T＝攝氏0度下評估(方程式4)，但能代替地選擇任何其他評估溫度。嚴格地講，此等泰勒展開係僅只在或接近一特定溫度時有效。理想上，將藉著緊密地套入一直線決定用於n_{0 x} 及n_{1 x} 之值，且僅只很接近最佳溫度穩定性之一選定溫度所取得之資料係想要的。典型這將是該想要操作溫度範圍之中心、或該預期之最可能共用操作溫度。然而，藉著僅只依賴很接近單一溫度所取得之資料，該設計家可能錯失由該線性朝向該想要操作溫度範圍之極點的大偏差。因此，實際上，一設計家可使用遍及該想要操作溫度範圍所取得之資料，以便決定用於n_{0 x} 及n_{1 x} 之值。此一策略能改善該結果裝置朝向該操作溫度範圍之極點的溫度穩定性，但僅只犧牲在該操作溫度範圍之中心的溫度穩定性。其他設計家可打造該中心中之穩定性相對朝向該操作溫度範圍之極點的穩定性間之交換中的其他平衡。

然而，其能看出因為用於聚合物與玻璃之相對溫度的有效折射率之變動係皆非恰好線性的，發生用於這些策略之需要。如果這些值係二次地形成(亦即，如果考慮第二階項目)，則：n _g ＝n _{0 g} ＋n _{1 g} T ＋n _{2 g} T ² 及n _p ＝n _{0 p} ＋n _{1 p} T ＋n _{2 p} T ² , (方程式11)在此n _{0 x} ＝n _x | _{T ＝ 0} ,,及,x＝g及x＝p.(方程式12)

吾人因此能夠寫成(方程式13) 將這些代入用於無熱行為之(方程式8)，產生(n _{1 g} ＋2Tn _{2 g} )△L _g ＋(n _{1 p} ＋2Tn _{2 p} )△L _p ＝0, (方程式15)或重新安排及集合於T中之項目，2T (△L _g n _{2 g} ＋△L _p n _{2 p} )＋(△L _g n _{1 g} ＋△L _p n _{1 p} )＝0. (方程式16)

如此，一旦考慮該玻璃及聚合物有效折射率之二階相依性，其能看出該真實之無熱行為不只需要△L _g n _{1 g} ＋△L _p n _{1 p} ＝0, (方程式17)，而且需要△L _g n _{2 g} ＋△L _p n _{2 p} ＝0. (方程式18)

二階多項式，單一聚合物圖4說明一AWG波長分割多工器/解多工器，其已藉著考量二階溫度相依性所絕熱。其包含已在其上面提供一列陣波導光柵415(亦稱為一稜鏡區域)之基板或“鑄模”(未示出)，該光柵包括一列陣之通道波導器418，並僅只顯示其一部份，該等通道波導器係光學地耦接於二平面式(板片)波導器耦接區域413及414之間。至少輸入波導器412係光學地耦接至該第一板片波導器413之一輸入面419，用於輸入一多工輸入信號至其上，且複數輸出波導器410(僅只示出一些)光學地耦接至該第二板片波導器414之一輸出面420，用於由該處輸出個別之波長通道輸出至該鑄模之面。於一具體實施例中，該等輸入及輸出波導器412及410較佳地是整合在相同之鑄模上當作該光柵415及該二耦接區域413及414，但於另一具體實施例中，它們可譬如為光纖、或透鏡系統。該等板片波導器413及414之幾何區域係皆熟知的，且譬如敘述於美國專利第6,768,842號中，並以引用的方式併入本文中。圖4之裝置能僅只藉著顛倒該光學能量流動方向操作為一多工器而非一解多工器。亦於一些具體實施例中，與該第一板片波導器413的輸入面419光學相通之波導器412係在沿著該面419之不同位置藉著複數波導器所替換。一“游標”校準程序典型係用於確認這些波導器之單一波導器，該單一波導器沿著該面419之位置提供最佳之性能，且其係用於一般操作之唯一波導器。於此一具體實施例中，圖4中之波導器412可被視為選自該複數波導器之該一波導器。於又另一具體實施例中，該裝置操作為一路由器，其中多數輸入及多數輸出係同時地使用。

以大致上習知之方式，於該列陣415中之相鄰通道波導器418之間有一不變的預定有效光程長度差值(該等波導器之物理長度典型由一波導器至下一波導器增量地增加達相同之數量)，並決定該第二板片耦接器414的輸出面420上之不同波長輸出通道的位置。如對於其他AWG係典型者，該列陣中之波導器的物理長度由一波導器至下一波導器增量地增加達相同之數量△L_g 。

光學能量由該輸入波導器412沿著複數光程傳播至該列陣波導器418，每一光學能量由該輸入波導器橫越該板片區域413至一個別之列陣波導器418。於一般之案例中，這些光程係受諸如在聚合物－玻璃介面的繞射、反射及折射效應之因素所影響，其可能未恰好位於沿著該直線光束。因此，如在此所使用，該“光程”一詞係意欲包含所有以任何顯著範圍影響該有效光程長度之特色。但於很多配置中，用於在此之目的，該光束近似路徑係充分精確的。

切斷橫越這些路徑者係複數橫亙導向之凹槽(亦稱為溝槽、溝渠、或更一般性地稱為補償區域)430，並以具有一有效折射率之聚合物充填，該有效折射率之溫度相依性係已知達該第二階(亦即n_{0 p} 、n_{1 p} 與n_{2 p} 係已知的)。設計該等凹槽430之形狀及尺寸，使得聚合物之總物理長度增量△L_p 滿足上面(方程式17)及(方程式18)兩者，而能量經過該聚合物沿著該光程經過該板片區域413傳播。

圖5係該板片波導器區域413之一部份的橫截面圖，取自圖4中沿著視線5－5'。該板片波導器包含一用作該下包覆層之基板510、一疊置在該下包覆層510上面及具有一升高之折射率的芯層512、及一具有比該芯層512較低之折射率的上包覆層514。如能看出者，凹槽430切過該上包覆層514及該芯層512兩者，且進入該下包覆層510。於一具體實施例中，該等凹槽430之前緣及後緣(該上游及下游邊緣，提供該光學能量流動方向之參考)係傾斜達一小角度θ，以便有助於使背面反射比(back reflectance)減至最小。θ較佳地是於5及20度之間，且可為正值或負值。於另一具體實施例中，該等前緣及後緣大體上係垂直面(亦即θ＝0)。

如亦可看出者，所有該等凹槽係設置在一恆定之節距x₀ 。選擇該節距x₀ ，以有效率地重新耦接損失耗，且係大約55微米。一恆定之節距可導入某種反射光柵行為，然而，如此於一具體實施例中，該節距係於連續凹槽之間稍微由x₀ 變動。反射光柵行為係對於該節距之規則性高度靈敏的，反之無該重新耦接效率。因此由恆定節距之一輕微偏差能防止反射光柵行為，而不會顯著地減低該重新耦接效應。於一具體實施例中，由恆定節距之偏差係隨機的。於一更佳具體實施例中，如圖5A所顯示，由恆定節距之偏差係線性的，使該最小節距位於該二最上游凹槽之間，且該最大節距位於該二最下游凹槽之間。該節距變動達該AWG的中心通道中之光線經過該凹槽光柵的實際波長之大約M倍的總額，在此M係一整數，且較佳地是等於1。經過該凹槽光柵之實際波長係該中心通道於一真空中之波長除以該平均指數，該平均指數係藉由通過構成該凹槽光柵之材料的光線所經歷者。

圖4之結構係使用熟知之技術所製成。以習知之方式，該等傳送波導器及板片波導器係形成(例如使用標準之微影技術)為矽基板(一氧化物層及/或包覆層可於沈積該波導器纖芯之前設在該基板上)上之“纖芯”，且覆蓋於一包覆材料中，這係譬如藉著氫氧焰沉積法(FHD)或化學蒸氣沈積(CVD)製程所做成。該等凹槽430係接著微影蝕刻，且該聚合物補償材料係使用一容積控制下之注射器分配器施加，且接著視聚合物之選擇而定熱硬化、或使用光化輻射硬化。另一選擇係，一材料可藉著濺鍍法或任何其他方法沈積進入凹槽430。

注意於其他具體實施例中，並非所有已充填聚合物之凹槽需要位在該第一板片波導器區域中。於另一具體實施例中，它們係位在該波導器列陣區域415中、或於該第二板片區域414中、或於一跨越該波導器列陣415及板片413或414之一間之界限的區域中。於又另一具體實施例中，它們係在所有這些區域之中以任何想要的組合分開。

上文關於圖4、5及5A之敘述假設該凹槽充填材料係一聚合物，且該等光程之非開狹槽片段係矽石。於其他具體實施例中，可使用材料之不同組合。譬如，既然大部份聚合物之折射率及矽石之折射率傾向於在相反方向中隨著溫度變動，圖4係描畫顯示在該凹槽之頂端比在底端更寬廣之凹槽。亦即，具有較長之矽石片段的光程所佔有者比具有較短之矽石片段的光程所佔有者，該聚合物填充物佔有一較長片段。這是適當的，以便滿足(方程式17)。根據該方程式，如果n_{1 g} 及n_{1 p} 係相反之符號，僅只鄰接光程中之聚合物填入片段的物理長度增量係與鄰接光程中之矽石片段的物理長度增量有相同之符號，－亦即僅只該等凹槽加長為一橫越該列陣415朝向較長波導器418之收益，可滿足該方程式。於另一具體實施例中，如圖4A所顯示，該等凹槽能以一材料充填，該材料隨著溫度之折射率變動係與該基底材料之變動符號相同。於此案例中，該等凹槽430A在該底部係比在該頂部更寬廣，既然(方程式17)要求由一光程至下一光程的補償材料中之物理長度增量，及於該基底材料中由一光程至下一光程的物理長度增量，以具有相反之符號。許多其他變動將變得明顯，且其某些部份係在下文進一步討論。

該第二階絕熱技術需要用於玻璃及聚合物材料兩者的有效折射率之溫度相依性的第一及第二階項目兩者之知識。這些於該文獻中並不被相信大致上可用的。然而，它們可藉著在若干不同溫度測量材料之有效折射率實驗性地決定，且用熟知之曲線對照技術將該資料緊密地套入至二次方程式。需要至少三資料點，以套入二次方程式，但較佳地是很多超過三資料點係用於開發該最穩定之結果裝置。

較高階多項式，單一聚合物上面之技術能延伸至考慮該有效折射率之較高階溫度相依性，並高達任何階數Q。為如此做，上面之方程式能藉著定義以下方程式而一般化： 在此,x＝g and x＝p. (方程式20)

因此我們能夠寫成

用於無熱的行為代入(方程式8)，產生

重新安排及集合T的類似階數中之項目，給與

對於所有於1及Q間之q，包括兩端滿足此方程式，如果△L _g n _qg ＋△L _p n _gp ＝0 (方程式24)

據此，於另一具體實施例中，一AWG係以與圖4所示相同之方式製成，但選擇該聚合物、該玻璃及該△L’s，以滿足方程式24之需求的所有Q。

包含機械式溫度相依性上面之技術可進一步延伸至考慮不只該等有效折射率之溫度相依性，而且考慮該△L’s之溫度相依性。於此案例中，無熱的行為需要

使α係該晶片之機械式熱膨脹係數。然而，於一典型之具體實施例中，既然△L_p 係遠小於△L_g ，該機械式膨脹項目能併入n_{1 g} ，而沒有準確性之許多損失。再者，如果憑經驗、而非由該文獻所獲得地決定n_{1 g} ，則用於n_{1 g} 所決定之值將固有地包含來自該機械膨脹項目之貢獻。該憑經驗之決定較佳地是使用取自一已封裝晶片之資料所造成，該晶片之封裝方式與該最後產品之封裝方式相同，以致如果該最後產品之封裝將影響藉由該晶片所呈現之機械式膨脹，那些影響係亦呈現於該晶片中，如所測試者。另一選擇係，亦可使用來自一未封裝晶片的資料作該憑經驗之決定，且一應力緩衝層由該最後產品中之封裝分開該晶片。

能以適當之比例藉著將該機械式膨脹項目合併成該第一及第二階指數項目兩者而獲得額外之準確性，其方程式如下：n _{1 g} ＝n '_{1 g} ＋n _{0 g} αn _{2 g} ＝n '_{2 g} ＋n _{1 g} αn _{1 p} ＝n '_{1 p} ＋n _{0 p} αn _{2 p} ＝n '_{2 p} ＋n _{1 p} α

這是輕易地歸納至較高階多項式模型及歸納至超過一聚合物，其在此於其他段落中討論。

二階多項式、二聚合物返回至該二次絕熱具體實施例，其可能難以確認一滿足(方程式17)及(方程式18)兩者之聚合物，且亦滿足所有其他商業可製造性之需求，諸如低插入損失、溼氣耐受性、耐光性、及長期可靠性。雖然該文獻報告某些聚合物於超過及低於該玻璃轉換溫度下在其準線性區域中之折射率的溫度相依性，及雖然用於以想要之一階溫度相依性項目製造一聚合物之機件係已知的，文獻罕有報告用於這些聚合物之二階或非線性相依性項目。

於本發明之一態樣中，二不同聚合物係依次排列地使用，以使該組合之有效折射率絕熱。藉著下標'A'及'B'表示該二聚合物，上面之(方程式3)及(方程式18)可被改寫為

如先前之代入給與(n _{1 g} ＋2Tn _{2 g} )△L _g ＋(n _{1 A} ＋2Tn _{2 A} )△L _A ＋(n _{1 B} ＋2Tn _{2 B} )△L _B ＝0，並重新安排及集合T中之項目，2T (△L _g n _{2 g} ＋△L _A n _{2 A} ＋△L _B n _{2 B} )＋(△L _g n _{1 g} ＋△L _A n _{1 A} ＋△L _B n _{1 B} )＝0.

故用於溫度非相依性，使用二聚合物及考慮該三材料(玻璃及聚合物A及B)之有效折射率的二階相依性，選擇該玻璃、該等聚合物及該△L’s係充分的，使得該：△L _g n _{1 g} ＋△L _A n _{1 A} ＋△L _B n _{1 B} ＝0, (方程式28)及△L _g n _{2 g} ＋△L _A n _{2 A} ＋△L _B n _{2 B} ＝0. (方程式29)

能實驗性地決定用於該玻璃及該二聚合物的n1及n2之值，如先前所述，故其依然僅只決定適當之物理長度增量。(方程式28)及(方程式29)僅只提供二方程式，用於使該三未知長度△L_g 、△L_A 及△L_B 相互關連，故僅只導出有關之長度如下：

隨同(方程式26)(在T＝0)，其限制該三△L’s，以便產生一想要之中心波長，三方程式使該三△L’s相互關連。以矩陣形式，該三方程式可為表達為：

因此，該三△L’s現在可獨有地計算為：

一併入二聚合物之AWG具體實施例具有與圖4及5相同之結構，但部份該等凹槽430係以聚合物A充填，且該剩餘部份係以聚合物B充填。於一具體實施例中，聚矽氧烷(矽氧烷彈性體)被用於聚合物A及B兩者。聚矽氧烷A係設計成可匹配玻璃之折射率，且聚矽氧烷B係設計成具有一高於用於聚合物A之玻璃轉換溫度。在一具體實施例中，該聚合物A凹槽可組織在一起，但於另一具體實施例中，它們係散置在該聚合物B凹槽之中。該等不同凹槽係配置至一聚合物或另一材料，使得當一凹槽橫側地移動橫越該等光程時，由具有較短波導器418之路徑朝向具有較長波導器418之路徑，藉由該光學能量所遭遇的聚合物A之總物理路徑長度由每一路徑至下一鄰接路徑增量地增加達△L_A ，藉由該光學能量所遭遇的聚合物B之總物理路徑長度由每一路徑至下一鄰接路徑增量地增加達△L_B ，且藉由該光學能量所遭遇的非開狹槽片段之總物理路徑長度由每一路徑至下一鄰接路徑增量地增加達△L_g ，在此△L_A 、△L_B 、及△L_g 係藉著上面之(方程式33)所給與。

當作一範例，假設其想要二次地絕熱該AWG，而該AWG之中心波長溫度相依性係顯示在圖3之曲線310中。假設此AWG主要係矽石，且該矽石材料之折射率係遍及與超出攝氏－30度至攝氏＋70度之一想要操作溫度範圍於若干溫度下測量。該等資料係接著於T中套入至二次函數，且其發現第零、第一及第二階係數如下：

圖6係以藉著上面畫入的係數所界定之二階多項式函數的實驗資料之一曲線圖。其能看出套入至二階多項式似乎非常好，遠比將一直線套入至該相同之資料較佳。其亦可看出該折射率隨著溫度正數地變動(n_{1 g} >0)，且當由上面觀看時，該曲線係稍微凹入(n_{2 g} >0)。

為了使該等AWG絕熱，選擇二聚合物，即聚合物A及聚合物B。聚合物A之折射率係遍及與超出攝氏－30度至攝氏＋70度之一想要操作溫度範圍於若干溫度下測量，且該等資料係於T中套入至另一二次函數。其發現第零、第一及第二階係數如下：

圖7係以藉著上面畫入的係數所界定之二階多項式函數的聚合物A實驗資料之一曲線圖。其亦可看出此聚合物A之折射率隨著溫度負數地變動(n_{1 A} <0)，且當由上面觀看時，該曲線係稍微凹入。

同樣地，聚合物B之折射率係遍及與超出攝氏－30度至攝氏＋70度之一想要操作溫度範圍於若干溫度下測量，且該等資料係於T中套入至又另一二次函數。其發現第零、第一及第二階係數如下：

圖8係以藉著上面畫入的係數所界定之二階多項式函數的聚合物B實驗資料之一曲線圖。其亦可看出此聚合物B之折射率隨著溫度亦負數地變動(n_{1 B} <0)，且當由上面觀看時，該曲線係稍微凹入。

其可由圖7及8之曲線憑直覺發現該二聚合物可與圖6之矽石溫度相依性的線性項目反向移動，如果呈現用於該等光程之一充分百分比，既然圖7及8中之曲線圖於一與圖6相反之方向中傾斜。其亦可由圖7及8之曲線的凹狀/凸狀憑直覺地發現該二聚合物在該矽石之溫度相依性上亦可具有一變平坦效果，再者如果存在適當之比率。事實上這是真實的。使用上面用於該矽石及該二聚合物材料所決定之第一及第二階係數，及使用上面之(方程式33)，該△L’s係計算如下：

使用上面三材料及按照上面△L’s所製成之一AWG呈現一中心波長溫度相依性，如圖3之曲線330中所示。其可看出此裝置呈現一為溫度分佈範圍之一函數的中心波長移位，且遍及攝氏－30度至攝氏＋70度之一放大溫度範圍不超過大約5皮米，有一優於傳統線性絕熱裝置之巨大改善。如此，其能看出一使用二聚合物及其特徵為如在此中所敘述之第二階的AWG，能比一傳統裝置所能夠達成者，達成一遠較大之溫度範圍、或更加密集地封裝之通道、或兩者。

△L_A 對△L_B 之比率係藉著(方程式30)所給與。如果設計該等凹槽之形狀及尺寸，以致沿著每一給定之光程，所有該等凹槽於該給與及定之光程中呈現相同之聚合物傳播距離，然後(方程式30)中之距離△L_A /△L_B 的比率降低至僅只以聚合物A充填之凹槽數目對以聚合物B充填之凹槽數目的比率。於上面之範例中，亦可使用23個以聚合物A充填之凹槽及25個以聚合物B充填之凹槽達成△L_A 對△L_B 之想要比率。

任意階數之多項式、任意數目之材料上面之分析能延伸至任意階數Q之形成模式的多項式，及延伸至具有任何數目X的不同材料之材料系統。這可藉著對每一材料x寫成如下所達成： 在此, (方程式35)及將該中心波長方程式重新寫成mλ _c ＝n ₀ △L ₀ ＋n ₁ △L ₁ ＋…＋n _{X － 1} △L _{X － 1} , (方程式36)(在此，於該方程式中，n’s與△L’s之下標代表材料之數目)。無熱性(athermality)方程式能接著以矩陣形式重新寫成N．△L＝0, (方程式37)在此, (方程式38) ，且△L_X 係鄰接光程間之材料x的總物理路徑長度增量。於這些討論中，該等X材料之係一“基底”材料，其中製成該裝置之大部份，且其中形成該等補償區域。該剩餘之X－1個材料有時候係稱為“補償材料”，因為它們補償該基底材料之無熱性。於上面所述具體實施例中，該基底材料係一矽石，且該等補償材料全部是聚合物。既然這於其他具體實施例中不須必然如此，在此於聚合物材料及玻璃材料沒有造成差異。

(方程式36)與(方程式37)結合於X個未知數中造成Q＋1方程式之系統，當該系統中之材料X的數目係大於用於設計該等材料模型的多項式之最高階項目Q時，其具有一獨特之解答。因此，如果其想要使用Q階之多項式設計該等材料模型，如果Q＋1不同材料係用於該材料系統中，則可獨有地計算用於△L’s之值。

如果X＝Q材料係用於該材料系統中，則僅只det(N)＝0(亦即(方程式38)中之矩陣N的各列之一係其他列之一線性組合)，(方程式37)具有一解答。譬如，用於該折射率溫度相依性之二階模式形成(Q＝2)，僅只使用二材料(X＝2)(例如一矽石及一聚合物)，(方程式37)需要：

視這些參數之值而定，其可能設計一滿足(方程式40)之聚合物，以便建立單一聚合物AWG，並具有該中心波長對溫度之大體上平坦(對該第二階)的關係。

如果X<Q材料係用於該材料系統中，則(方程式37)需要(方程式38)中之具有大於q＝X－1的第一下標之矩陣N的所有列係該第一X－1列之一線性組合。這將在該等係數間之關係上加上額外之限制。

因此，於兩案例(X＝Q及X<Q)中，除了用於該等不同材料的物理路徑長度增量間之指定相互關係以外，該無熱性方程式指定各種材料之折射率溫度相依性的泰勒展開係數間之相互關係。雖然不須排除一解答，該額外之規格可顯著地複雜化該等令人滿意材料之確認。

雖然如此，縱使未發現滿足該泰勒展開係數關係之材料，其仍然可能藉著選擇該△L’s顯著地改善該結果裝置之無熱性，以便遍及所感興趣之溫度範圍最佳化該中心波長誤差。為此目的可使用一數字誤差最小化分析，其發現該向量△L＝(△L₀ ,△L₁ ,...,△L_{X － 1} )^T ，該向量遍及所感興趣之溫度範圍使(方程式36)中之λ_c 的變動減至最小。在此主題上之很多變動同樣係可能的，諸如加重該實驗資料以對所感興趣的整個溫度範圍之一片段給與較大影響。

如果超過Q＋1材料係可用的(亦即X>Q＋1)，則多數解答係可能的，且可基於其他標準選擇其中之一解答。

其將了解用於特定數目之材料及用於特定階數之多項式指數模型，用於該中心波長之上面(方程式36)及用於無熱行為之(方程式37)以更一般之形式敘述所有其他上面之方程式。如在此所使用，無論何時在此中之方程式一般化一特別之數字參數，該方程式係意欲代表用於每一參數值的方程式之一肯定的教導。譬如，既然(方程式36及37)一般化該等參數Q及X，這些方程式係意欲代表用於Q及X值之每一組合的方程式之一肯定的教導。

非多項式函數型式模型製作於上面之大部份敘述中，其已假設用於設計不同材料之非線性折射率溫度相依性的模型，該函數型式係多項式。然而，其可發生該等材料之一或多個不能藉著一多項式輕易地敘述、或可能需要很大階數多項式以用充分之準確性設計模型、或僅只可能需要一比可用補償材料之數目(X<Q＋1)較高階之多項式。譬如對於環繞著在該想要操作溫度範圍內之一溫度，呈現一相當突然的折射率改變之聚合物可發生這些狀態。在該想要的操作溫度範圍內具有一玻璃轉換溫度之聚合物通常能夠呈現此一突然之變化，且可由藉著非多項式函數型式所設計模型獲益。於這些狀態中，其仍然可為有益的是使用一三(或更多)－材料系統，以便使橫越該溫度範圍之波長誤差減至最小。

至少二方法論係可用於達成此目的。首先用於該等材料之一或多個，如果該憑經驗獲得之折射率溫度相依性資料很好地套入至一或多個非多項式函數型式，則其仍然可能以封閉之形式藉著將該非多項式函數型式代入該適當之絕熱方程式(方程式8,23,27或37)解決該△L’s。如果該函數型式排除一代數之封閉形式解答，或無用於一或多個該等材料的折射率溫度相依性之預定函數型式，則能使用傳統之數字最佳化程序式，以發現用於最佳化絕熱作用的△L’s之數字解答。於任一案例中，藉著對於形成一或多個該等材料之折射率溫度相依性模式使用非線性函數型式、或藉著使用至少三種材料、或兩者，其遍及一較寬廣之溫度範圍於無熱性中仍然可能獲得實質之改善。

凹槽形狀及尺寸考量如圖4所示之凹槽430係皆顯示為彎曲三角形，其接近該圖示之底部係較狹窄(佔有該等光程之一較短縱向片段)，且接近該圖示之頂部係較寬(佔有該等光程之一較長縱向片段)。此形狀上之很多變動係可能的。一變動業已討論，亦即該等凹槽可翻轉，使於折射率在與該基底材料同一方向中隨著溫度變動的補償材料之案例中，該等三角形之較狹窄端部朝向該圖示之頂部及該較寬廣之端部接近該底部。於另一變動中，於使用折射率隨著溫度在彼此相反方向中變動的二種不同補償材料之一具體實施例中，配置至該第一補償材料之凹槽可如圖4所示導向，而配置至該第二補償材料之凹槽可翻轉。用於一特別材料之凹槽方位(所有凹槽沿著一光程之集合)視用於該特別材料之△L的符號而定：因為當一光程由圖4的AWG中之底部前進至頂部時，△L代表該物理路徑長度增量，用於一特別材料之負值△L要求該等凹槽導向成使得接近該底部比接近該頂部較寬廣。

至少二原理指導極多之可能變動：首先，於經過介入該等光程的所有該等材料之集合中，沿著一光程所縱向地遭遇之每一材料的長度中，在鄰接光程間之增量將大體上等於上面用於該材料所計算之△L；且第二，應設計該等凹槽之上游及下游邊緣的形狀及導向，以使該光學能量上之折射、反射及繞射效應減至最小。藉著為每一材料形成單一三角形凹槽能滿足前者之原理。然而，假設該補償材料未提供平面式導波，如該板片區域413之剩餘部分般，單一凹槽可能不允許太多光線垂直地逃離該波導器。藉著將該三角形分成多數凹槽，每一凹槽可為較狹窄的。更重要的是，當適當地選擇該等多數凹槽間之距離時，由於該凹槽中之繞射所發生的部份損耗係於該隨後凹槽下游的波導器中建設性地重新耦接成引導光線。

圖9A－9F說明若干能夠用在各種具體實施例中之不同凹槽架構。於圖9A中，聚合物A及B係並肩地沈積在單一三角形凹槽內。於圖9B中，二凹槽係分配至每一聚合物A及B。配置該等凹槽，以致該進來之光學能量在抵達任何該聚合物B凹槽之前橫越所有該等聚合物A凹槽。於圖9C中，聚合物A及B係並肩地沈積在單一三角形凹槽內，且第三聚合物、聚合物C係沈積於一分開之凹槽中。該聚合物A/B三角形及該聚合物C三角形係相對地導向。於圖9D中，聚合物A及B係於相對方位之二分開三角形凹槽中沈積。於圖9E中，二凹槽係分配至每一聚合物A及B，使該聚合物B凹槽散置在該聚合物A凹槽之中。圖9F強調該自由度，以寬廣地選擇用於以一特別材料充填之變動形狀，只要於經過該材料之所有區域的集合中滿足用於該特別材料所決定之物理路徑長度增量△L。於此圖示中，聚合物A之整個三角形係在任意之分裂邊界分裂成三個分開之區域910、912及914；但該三區域之集合仍然滿足該物理路徑長度增量△L_A 。極多之其他變動係可能的。

用於討論之單純故，圖9A－9F之圖面說明該等凹槽為三角形。然而，應了解僅只該等光程係彼此平行，該等精確地三角形補償區域將橫越該等不同光程提供一恆定之△L_x 。圖10說明經過圖4之AWG的板片區域413之光束近似法(虛線1010)，用於該等光程之數個光程，且其能看出光線由輸入波導器412之入口點放射狀地傳播朝向該板片413之弧形輸出表面，而非平行地傳播。為了使每一凹槽提供一恆定之△L_x ，橫越該等不同之光程，能使用一彎曲之三角形凹槽形狀。

圖10A說明一種此配置。該圖示顯示三個凹槽，每一凹槽具有一彎曲之三角形，使得該等不同光程光束近似法經過每一凹槽歷經一恆定之物理路徑長度增量。每一凹槽之前緣(例如用於凹槽1012之邊緣1018)形成一弧形，並具有在一橫側方向中由該輸入波導器412之入口點稍微偏置的中心點，且每一凹槽之後緣(例如用於凹槽1012之邊緣1020)形成另一弧形，而具有在另一橫側方向中由該輸入波導器412之入口點稍微偏置的中心點。三光束近似法路徑1022、1024及1026係顯示在圖10A中。圖10A之約略地同心凹槽配置的一問題係由凹槽邊緣反射回來之光學能量將約略地重調聚焦在該輸入波導器412入口點，並退入該波導器412。如圖5所說明，傾斜之凹槽邊緣可減輕此問題。另一選擇或另外，該等凹槽能如圖10A所示同心地形成，但具有一由該波導器412入口點偏置之中心點。於此案例中，反射之光學能量將遠離該波導器412重調聚焦在另一點1028。注意該等光程光束近似法不會放射狀地橫越圖10B配置中之凹槽。需要幾何計算，以決定該等凹槽之適當形狀，以便橫越該等不同光程提供一恆定之物理路徑長度增量。

圖10C說明又另一可能之配置，其中該等補償區域具有一修長之長方形而非彎曲之三角形。為了在該圖示之頂部比在該底部對於光程提供較大之物理相互作用長度，該等長方形係相對該中心光程1030傾斜至一銳角Φ₁ 。注意於圖10C中，該等光程由於該等補償區域中之一較高折射率補償材料的折射彎曲作用係明顯的。雖然在此不須明確地顯示在該等圖面中，當計算經過該等補償區域之每一光程的實際物理路徑長度時，應考慮這些亦呈現於其他配置中之效應。

圖10D說明圖10C的配置上之一變動，其中凹槽在形狀中係更像三角形，且相對該中心光程1030在一較大銳角Φ₂ 下導向。再者，幾何計算將決定該等三角形之適當錐度及該適當之方位角度Φ₂ 兩者，以便橫越該等不同光程提供一恆定之物理路徑長度增量。極多之其他變動將是明顯的。

補償材料之結構變動於該結構及該補償材料的含量中之變動係亦可能的，該補償材料用於充填該等凹槽430。圖11A－11H說明若干這些變動。這些圖示係該等凹槽之單一凹槽的橫截面視圖，譬如取自沿著橫越該板片波導器413之中心光程。如圖5所示之基本架構係在圖11A中重複。其能看出該凹槽430在該平面式波導器413之纖芯水平面512下方適當地往下延伸，且已完全以材料A充填。波形1110作為該傳播能量之垂直光學強度分佈的象徵，其係約略地高斯的及約略地集中在該芯層512內。其能看出該材料A凹槽往下延伸，以便大體上影響所有該傳播之光學能量。圖11B係圖9A之配置的橫截面視圖，其中該二材料係以單一凹槽並肩地沈積。

於圖11F中，該凹槽係蝕刻至與圖11A大約相同之深度，但其係於二層中以諸材料充填。第一材料U係沈積於該凹槽430之一底部層1120中，且接著另一材料V係沈積於一頂部層1122中。材料U係在材料V沈積之前硬化或以別的方式穩定化，以便使該二材料U及V的折射率性質間之任何相互作用減至最小或消除。既然該材料U僅只影響沿著該光程所傳播的能量之一些部分α，且該能量之剩餘部分係受該材料V所影響，凹槽430中之材料U及V的組合有效地形成一複合之補償材料，並用對於α之一些值，具有一藉由α dn_V /dT＋(1－α)dn_U /dT所給與之有效折射率溫度相依性。圖11F之結構藉此提供一機制，用於建造一具有想要的折射率溫度相依性之複合補償材料。譬如，如果其係想要使用一具有特別有效之折射率溫度相依性dn_A /dT、及一物理路徑長度增量△L_A 的補償材料A，此一材料能藉著使二不同材料U及V鋪層所形成，如圖11F所示，並具有相對厚度及適當的深度，以獲得一適當之α值。當一補償材料係以此方式設計時，該α參數可用於僅只大約決定有效折射率溫度相依性。較佳地是，該組合材料之折射率溫度相依性，係以與上面用於純充填材料之使用的敘述相同之方式實驗性地決定。如在此中所使用者，該“材料”一詞可由一或多個其他材料(它們在此中有時候稱為“子材料”)所組成，不論是混合在一起、或鋪層、或以某些其它方式組合，以製成該整個“材料”。於圖11F中，它們係鋪層的。

亦可純粹使用諸如圖11F中所示補償材料之結構，以滿足在此中之無熱性方程式。亦即，如果使用二補償材料A及B，則取代將該等補償區域之不同區域完全地配置給材料A或材料B，可使用像圖11F之一結構，其中所有該等補償區域之每一個於諸層中包含材料A及材料B兩者。數學上，藉著一用於該材料X之有效路徑長度增量取代每一物理路徑長度增量變數△L_x ，該效應能夠在該等方程式中反映，該有效路徑長度增量係比該物理路徑長度增量較短(於該傳播方向中)。亦即，吾人能於上面之方程式中用△L_{A e f f} ＝α△L_A 及△L_{B e f f} ＝(1－α)△L_B 取代△L_A 及△L_B 。一旦已使用上面之方程式計算用於△L_{A e f} 及△L_{B e f f} 的想要之值，且確認該△L_A ＝△L_B ，因為兩材料共享該等相同之凹槽，可接著計算△L_x 及α。另一選擇係，藉著用α dn_A /dT取代dn_A /dT及用(1－α)dn_B /dT取代dn_B /dT，該效應能夠在該等方程式中反映。上面之方程式係接著用於計算△L_A 及△L_B 之值，且接著能藉著再次確認該△L_A ＝△L_B 對於α計算一值。

視材料U及V之折射率而定，當該光學能量橫越該凹槽430時，由於垂直地上或下的光學能量之不想要的引導作用，圖11F之結構可導入插入損耗。此缺點可藉著於多數很薄之層中沈積該等材料U及V所降低，如圖11G所示，並取代僅只於如圖11F所示之二層中。另一選擇係，如圖11H所示，一複合材料能使用三層充填進入凹槽430：一層1130，其完全地設置在該玻璃材料之下包覆層510內；第二層1132，其設置在該凹槽中之大體上與及該芯層512一致的深度；及第三層1134，其完全在該頂部包覆層514內。該三層可用不同材料U、V及W充填，或層1134中之材料可被選擇為與層1130中之材料相同。層1132中之材料具有一比層1130及1134中之材料較高的折射率，以便當該光學能量橫越該凹槽430時持續引導之。於圖11H的凹槽430中之全部“材料”具有一大約藉由α_U dn_U /dT＋α_V dn_V /dT＋(1－α_U －α_V )dn_W /dT所給與之有效折射率溫度相依性。

於圖11C中，該凹槽430僅只局部往下延伸進入該芯層512。此變動可視為類似於圖11F者，其中該下方材料U係該凹槽430底部下方之基底材料的容量。如果該等方程式指示一補償材料A應沿著該光程中之長度L的一片段介入，則可代替地沿著長度L之片段將一不同材料V介入，但僅只至一局部之深度。該“材料”A係接著在此考慮為該鋪層之複合材料V及該凹槽430底部下方之基底材料的容量。

圖11D說明與圖11C相同之原理，但於圖11D中，該凹槽係僅只往下蝕刻經過該頂部包覆層514。此具體實施例導致一較小之α，但在其他方面類似於圖11C者。於圖11E中，該凹槽係僅只往下蝕刻經過該頂部包覆層514之部份。此具體實施例導致一甚至比圖11D較小之α，但再者於其他方面類似於圖11C及11D者。其將應了解能夠以圖11A－11H中所示之方式組合任何數目的不同材料，以建立有效之材料，且這些圖示中所說明之機件本身可互相組合，以建立用於充填該等凹槽430之又其他範例。很多變動將變得明顯。

機械式補償在此所敘述用於改善光柵裝置之絕熱作用的技術不限於不同材料之插入於溫度補償區域中。部份該等技術亦可應用於改善其他絕熱機件，包含機械式機件。譬如，其係習知如果一載送光學能量進入或離開AWG之輸入或輸出耦接區域的輸入/輸出波導器係橫側地移位，該AWG通帶將亦移位。其進一步習知將該輸入/輸出波導器固定至一溫度相依定位機件，諸如一雙金屬條片，以藉此自動地隨著溫度相對該耦接區域移位該波導器之橫側位置，以便補償該AWG之剩餘部分的溫度相依性。然而，如以其他傳統之機件，僅只考慮第一階溫度效應。

圖12說明AWG之一部份，其使用本發明之特色施行機械式中心波長穩定作用。特別地是，圖12顯示一輸入耦接區域413及一將輸入光學能量耦接進入該耦接區域413之輸入面419的輸入纖維412。該纖維本身未附接至該輸入面419，但反之係附接至支臂1210之一端部。該支臂1210之一相向端部係附接至該晶片1212，而該輸入耦接區域413係整合在該晶片上。製成及導向該支臂1210，以便依賴周遭溫度相對該晶片1212橫側地定位該纖維412(亦即於該y方向中，如在該圖面中所示)。譬如，一雙金屬致動器能夠用在該支臂1210中。不像傳統機械式絕熱系統，該支臂1210之形狀及結構係可補償Q階之溫度相依中心波長移位，在此Q>＝2。特別地是，該支臂1210在一橫側位置y維持該纖維412，y係藉著以下所給與：

對於第二階補償(Q＝2)，k₁ 與k₂ 可藉著以下所給與：

注意一機械式技術亦可會同一技術使用，其中不同材料係插入該等光程，在此案例中，Q＝1可能同樣足夠的。再者，許多其他使用本發明之態樣的應用係可能的。

實際考量於一利用在此所敘述之概念的真正裝置中，將了解其係不可能或商業上不需要匹配上面所精確地提出之方程式。譬如，該等裝置可能由於平常之製造容差自該等方程式脫離。當作另一範例，既然可用凹槽之總數係一整數，已充填一聚合物之凹槽數目對已充填另一聚合物之凹槽數目的比率可能未恰好等於上面所推得之△L’s比率。用於這些理由之任何一個，一由上面所提出之方程式脫離的真正裝置係在此視為仍然“大體上”滿足該等方程式。既然此等裝置仍然利用在此所教導之新穎概念，它們可製生比傳統裝置具有遠較佳之無熱性，即使它們未恰好滿足該等方程式。

此外，反之，無熱性能使用在此中敘述之方程式及技術所最佳化，其將了解的是如果僅只局部、或以一小迫切地想要之因素使用在此中所敘述之方程式及技術，一具體實施例仍然可在傳統方法上方於無熱性中作大幅改善。譬如，在此折射率溫度相依性係使用階數Q>1之多項式形成模式，且在此將使用一具有材料X之一特別數目的材料系統，能使用(方程式37)，以解決一最佳之向量△L。但一類似方程式N．△L＝p (方程式43)

能被替代地使用，在此p係仍然產生一AWG之小數目，並具有大體上比使用傳統方法可能較佳之無熱性。反之，線性、單一聚合物之解決方法多半不能產生一AWG，其遍及攝氏－50度至攝氏＋90度之溫度範圍具有一少於大約70皮米之中心波長變動、或遍及攝氏0度至攝氏＋70度之溫度範圍具有一少於大約20皮米之一中心波長變動；使用(方程式37)展開之第二階、二聚合物具體實施例可遍及攝氏－50度至攝氏＋90度之溫度範圍將該中心波長變動降低至少於大約40皮米、或遍及攝氏－50度至攝氏＋90度之溫度範圍將該中心波長變動降低至少於大約10皮米。但一使用(方程式43)展開之具體實施例中，在此p未正好是零，但仍然是相當小，仍然可低於上面之傳統上可用數量地降低該中心波長變動，即使其不會產生使用(方程式37)所獲得之最佳結果。諸如此之具體實施例係仍然在此考慮，以充份利用在此所敘述之方程式及技術。已為著說明及敘述之目的提供本發明之較佳具體實施例的先前敘述。其不欲排除或將本發明限制於所揭示之精確形式。顯然地，對於熟諳此技藝之從業者，很多修改及變動將變得明顯。譬如，反之，本發明已主要關於AWG多工器/解多工器作敘述，其亦可無限制地應用於其他光學裝置，諸如自由空間光柵裝置，諸如那些在阿姆斯福特之美國專利第5,629,992號中所敘述者，其以引用的方式併入本文中。當作另一範例，一凹槽中之一或多個該等材料可施行一雙折射補償之功能，額外地或代替熱補償(看美國專利第6,757,454號中所敘述者，其以引用的方式併入本文中)。此外，於此專利申請案的先前技術段落或任何其他段落中所敘述、建議或以引用的方式併入之任何及所有變動，係特別以引用的方式併入本發明之具體實施例的在此敘述中。選擇及敘述在此所述之具體實施例，以便最佳說明本發明之原理及其實際應用，藉此對於各種具體實施例及具有各種修改，如適於所考慮之特別應用，能夠使其他熟諳此技藝者了解本發明。其係意欲藉著以下申請專利範圍及其同等項界定本發明之範圍。

410．．．輸出波導器

412．．．輸入波導器

413．．．第一板片波導器

414．．．第二板片波導器

415．．．光柵

418．．．通道波導器

419．．．輸入面

420．．．輸出面

430．．．凹槽

430A．．．凹槽

510．．．基板

512．．．．．．芯層

514．．．上包覆層

910．．．區域

912．．．區域

914．．．區域

1012．．．凹槽

1018．．．邊緣

1020．．．邊緣

1022．．．光束近似法路徑

1024．．．光束近似法路徑

1026．．．光束近似法路徑

1028．．．另一點

1030．．．中心光程

1110．．．波形

1120．．．底部層

1122．．．頂部層

1130．．．一層

1132．．．第二層

1134．．．第三層

1210．．．支臂

1212．．．晶片

本發明將關於其特定之具體實施例敘述，且將參考該等圖面，其中：圖1說明一用作波長分割解多工器之典型AWG的頻譜響應。

圖2係一曲線圖，在攝氏－5度、攝氏＋35度、及攝氏＋75度之周遭溫度下顯示傳統AWG的單一通道中之透射比。

圖3係為溫度之一函數的中心波長移位之一代表性曲線圖，用於非絕熱、一階絕熱、及二階絕熱AWGs。

圖4及4A說明AWGs，且合併本發明之特色。

圖5及5A於圖4中之板片波導器區域的各部份之不同具體實施例中說明橫截面視圖。

圖6、7及8係用於三種不同材料的折射率相對溫度之曲線圖。

圖9A－9F及10A－10D說明圖4之AWG的輸入耦接區域中之補償區域的各種配置。

圖10說明圖4的AWG中之光程的光束近似法。

圖11A－11H說明AWG的補償區域中之補償材料的各種配置。

圖12說明併入本發明之各態樣的光學設備之一部份。

410．．．輸出波導器

412．．．輸入波導器

413．．．第一板片波導器

414．．．第二板片波導器

415．．．光柵

418．．．通道波導器

419．．．輸入面

420．．．輸出面

430．．．凹槽

430A．．．凹槽

Claims (44)

1. 一種包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，該設備具有包含一主體通帶之複數通帶，該主體通帶具有一中心波長，其中遍及攝氏-5度至攝氏+70度之溫度範圍，相對該中心波長之溫度的第一至第Q階導數(Q>=2)係實質上等於零。
2. 如申請專利範圍第1項包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，其中遍及攝氏-30度至攝氏+70度之溫度範圍，該第一至第Q階導數係實質上等於零。
3. 如申請專利範圍第1項包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，包含載有光學能量的複數光程，該等光程由該輸入埠經過複數材料至該輸出埠，該等材料之每一種具有一與其他材料不同之有效折射率溫度相依性。
4. 如申請專利範圍第1項包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，包含：一波導器，其與該輸入及輸出埠之一特定埠光學相通；及一溫度補償構件，其依賴溫度相對該陣列波導光柵調整該波導器之物理位置。
5. 如申請專利範圍第1項包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，其中該設備界定從該 輸入埠至輸出埠的複數光程，其中該設備包含基底材料及含有至少一補償區域的補償區域組，該補償區域組包含和該等光程相交之至少第一及第二溫度補償材料，且具有彼此不同並與該基底材料不同之有效折射率溫度相依性。
6. 如申請專利範圍第5項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該補償區域組包含第一補償區域，該第一補償區域包括該第一及第二補償材料兩者。
7. 如申請專利範圍第6項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該第一及第二補償材料係設置在該第一補償區域之不同層中。
8. 如申請專利範圍第6項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該第一補償區域另包含第三補償材料，其中該第一補償材料係設置在該第一補償區域的一下層中，該第二補償材料係設置於該第一補償區域的一中間層中，及該第三補償材料係設置於該第一補償區域的一上層中，且其中該第二補償材料具有高於該第一及第三補償材料兩者之折射率。
9. 如申請專利範圍第8項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該陣列波導光柵在該基底材料中包含一下包覆層、一疊置在該下包覆區域上面之芯層，及一疊置在該芯層上面之上包覆層， 其中該第二補償材料係實質上與該基底材料中之該芯層同平面。
10. 如申請專利範圍第5項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該補償區域組包含第一補償區域，該第一補償區域包括該第一補償材料及未包括該第二補償材料。
11. 如申請專利範圍第5項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該補償區域組包括複數補償區域，其中該補償區域組包含複數補償材料，該等補償材料包括該第一及第二補償材料，於該複數補償材料中之所有該等補償材料和該等光程相交及具有彼此不同並與該基底材料不同之有效折射率溫度相依性，且其中該等補償區域之每一區域包含該等補償材料之恰好一補償材料。
12. 如申請專利範圍第5項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該第一補償材料包含一複合之複數子材料(sub-material)，該複合物之該有效折射率溫度相依性係該第一補償材料之該有效折射率。
13. 如申請專利範圍第12項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該等子材料能被鋪層，以形成該複合物。
14. 如申請專利範圍第12項具有由一輸入至一輸出的 複數光程之列陣波導光柵設備，其中該等子材料之第一子材料係與該基底材料相同且該等子材料之第二子材料具有一與該基底材料不同並與該複合物不同之有效折射率溫度相依性。
15. 如申請專利範圍第5項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該第一補償材料進一步補償該基底材料之雙折射現象。
16. 如申請專利範圍第1項包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，其中該設備包含一基底材料及複數補償區域，該等補償區域之至少一個的第一子集合包含第一溫度補償材料，且該等補償區域之至少一個的第二子集合包含第二溫度補償材料，其中該第一及第二溫度補償材料具有彼此不同並與該基底材料不同之有效折射率溫度相依性。
17. 如申請專利範圍第16項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該基底材料包含一矽石，且該第一及第二補償材料係聚合物。
18. 如申請專利範圍第3項包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，其中該複數材料包含至少一矽石材料和至少二聚合物材料。
19. 如申請專利範圍第5項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該等光程依序橫越一第一自由空間區域、該陣列波導光柵、和一第二自由空間區域， 且其中該等補償區域之至少一者設置在該等自由空間區域其中之一內。
20. 如申請專利範圍第19項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該等補償區域之每一特定的區域是設置在該第一或第二自由空間區域之一內。
21. 如申請專利範圍第16項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中該等光程依序橫越一第一自由空間區域、該陣列波導光柵、和一第二自由空間區域，且其中在該第一子集合內之該等補償區域的至少一者設置在該等自由空間區域其中之一內。
22. 如申請專利範圍第21項具有由一輸入至一輸出的複數光程之列陣波導光柵設備，其中在該第一和第二子集合內之該等補償區域之每一特定的區域是設置在該第一或第二自由空間區域之一內。
23. 如申請專利範圍第1項包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，包含經過基底材料的複數光程，該基底材料具有複數補償區域形成在其內，該等補償區域含有補償材料用於補償該基底材料之有效折射率溫度相依性，和其中沿著從該等補償區域的第一個區域至該等補償區域的最後一個區域之該等光程，且以從該等補償區域的第一個區域至該等補償區域的最後一個區域線性變化的節距，連續地設置該等補償區域。
24. 如申請專利範圍第23項之光學設備，其中該等光程之特定一個光程，載有具特定波長的光學能量經過該等補償區域，和其中從該等補償區域的第一個區域至該等補償區域的最後一個區域之該節距變化，大致等於該特定波長的M倍，其中M是整數。
25. 如申請專利範圍第23項之光學設備，其中該等光程之特定一個光程，載有具特定波長的光學能量經過該等補償區域，和其中從該等補償區域的第一個區域至該等補償區域的最後一個區域之該節距變化，大致等於該特定波長。
26. 如申請專利範圍第4項包含經由陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠的光學設備，其中該溫度補償構件按照以下函數相對該陣列波導光柵橫側地調整該波導器之物理位置： 用於該等k_q 之每一者的預定值與遍及攝氏-5度至攝氏+70度之溫度範圍，其中y是該波導器相對該陣列波導光柵的該橫側物理位置，且T是溫度。
27. 如申請專利範圍第26項之光學設備，其中該陣列波導光柵幾乎遍及該溫度範圍具有一折射率，並藉著以下 函數所模擬n=n₀ +n₁ T+n₂ T² ,n₀ 、n₁ 、n₂ 是常數，其中Q=2，且其中k₁ 大體上可與k₂ 有以下關係：k₁ /k₂ =±n₁ /n₂ 。
28. 一種包含經過一材料系統之複數光程的光學設備，每一光程具有一個別之有效光程長度，並與一鄰接光程的長度相差達一個別之有效光程長度差值，其中遍及攝氏-5度至攝氏+70度之溫度範圍，相對每一光程長度差值之溫度的第一至第Q階導數(Q>=2)係實質上等於零。
29. 如申請專利範圍第28項包含經過一材料系統之複數光程的光學設備，其中遍及攝氏-30度至攝氏+70度之溫度範圍，該第一至第Q階導數係實質上等於零。
30. 如申請專利範圍第28項包含經過一材料系統之複數光程的光學設備，其中該等光程之每一個橫越複數材料，該等材料之每一個具有一與其他材料不同之有效折射率溫度相依性。
31. 如申請專利範圍第30項包含經過一材料系統之複數光程的光學設備，其中該複數材料包含至少一矽石材料和至少二聚合物材料。
32. 一種包含經過一材料系統之複數光程的光學設備，該材料系統包括芯層和包覆層材料，其在至少一維(dimension)內限制該等光程，除了該芯層和包覆層材料以外，該等光程的每一者橫越至少二附加材料，該等附加材料的每一者具有有效折射率溫度相依性，其與該芯層和包覆層材料及該等其他材料的有效折射率溫度相依性不同，該等光程之每一者具有個別之有效光程長度，其與一鄰接光程之有效光程長度相差達一個別之有效光程長度差值，其中遍及攝氏-5度至攝氏+70度之溫度範圍，相對每一光程長度差值之溫度的第一至第Q階導數(Q>=1)係實質上等於零。
33. 如申請專利範圍第32項包含經過一材料系統之複數光程的光學設備，其中遍及攝氏-30度至攝氏+70度之溫度範圍，該第一至第Q階導數係實質上等於零。
34. 如申請專利範圍第32項包含經過一材料系統之複數光程的光學設備，其中該芯層材料包含矽石且該至少二附加材料包含聚合物。
35. 一種包含陣列波導光柵裝置之光學設備，包含經由一陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠，其中該設備具有包含一主體通帶(subject passband) 之複數通帶，該主體通帶具有一中心波長，且其中該中心波長遍及攝氏-50度至攝氏+90度之溫度範圍變動達少於70皮米(pm)。
36. 如申請專利範圍第35項包含陣列波導光柵裝置之光學設備，其中該中心波長遍及攝氏-50度至攝氏+90度之溫度範圍變動達不超過40皮米。
37. 如申請專利範圍第35項包含陣列波導光柵裝置之光學設備，其中該陣列波導光柵裝置界定經過材料系統的複數光程，該等光程的每一者橫越複數X材料，且其中 實質地等於零，其中每一n_q,x 是相對該等材料之每一第x個材料之有效折射率的溫度之第q導數，其中每一△L_x 是各鄰接光程之間該材料x之總物理路徑長度增量，且其中Q>=2。
38. 如申請專利範圍第37項之光學設備，其中X>=3。
39. 如申請專利範圍第37項之光學設備，其中X>=Q+1。
40. 如申請專利範圍第39項之光學設備，其中該X個材料包括一基底材料及X-1個補償材料，該設備包含形成在該基底材料內之至少X-1個補償區域，該等補償區域之每一者包含該等補償材料之恰好一補償材料，該等補償區域大體上依該等補償材料之總物理路徑長度增量△L_x 的比例分配至該X-1個補償材料。
41. 如申請專利範圍第40項之光學設備，其中該基底材料包含矽石，且該等補償材料的每一者包含聚合物。
42. 一種包含陣列波導光柵裝置之光學設備，包含經由一陣列波導光柵與輸入埠光學相通之輸出埠，其中該設備具有包含一主體通帶之複數通帶，該主體通帶具有一中心波長，且其中該中心波長遍及攝氏0度至攝氏+70度之溫度範圍變動達少於20皮米。
43. 如申請專利範圍第42項包含陣列波導光柵裝置之光學設備，其中該中心波長遍及攝氏0度至攝氏+70度之溫度範圍變動達不超過10皮米。
44. 如申請專利範圍第42項之包含陣列波導光柵裝置之光學設備，該陣列波導光柵裝置界定經過材料系統的複數光程，該等光程的每一者橫越複數X材料，且其中 實質地等於零，其中每一n_q,x 是相對該等材料之每一第x個材料之有效折射率的溫度之第q導數，其中每一△L_x 是各鄰接光程之間該材料x之總物理路徑長度增量，其中Q>=1和X>=3，其中該等材料之至少一者包含矽石，且其中該等材料之至少二者的每一者包含聚合物。