TWI446381B - Assembly structure and manufacturing method of super capacitor - Google Patents
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Description
本發明有關於一種超電容之組裝架構及製造方法，其將電極基板配置成極性串聯或並聯之超電容。
電池是將一定形式能量不經由機械轉換過程而直接轉換為電能的電源裝置。超電容是儲存電荷的電子元件。一般而言，電池之儲存能量高但輸出功率低，而超電容卻有高輸出功率的優點。
超電容具有高功率、高能量及小尺寸的能源儲存器。超電容最初為美國太空總署應用於太空衛星的產品，之後廣泛地應用於無線通訊手機、電動汽機車、手持式電動工具、不斷電系統及3C電器產品等。
習知超電容之製造方式係以垂直式堆疊數個電極基板，若超電容所堆疊之電極基板的數量越多，則超電容的輸出電壓越高，然而該超電容的高度及等效串聯電阻亦會增加。隨著科技產品的日新月異，輕薄短小已是產品重要的訴求，若超電容的高度太高，則會影響產品的小型化。若超電容之等效串聯電阻的增加，則會使超電容之輸出電流減少。
本發明提供一種超電容之組裝架構及製造方法，將電極基板以水平配置而組成極性串聯之超電容，使超電容的高度減
少，可達到產品小型化的目的；並將電極基板以垂直配置而組成極性並聯之超電容，使超電容之等效串聯電阻減少，可使超電容之輸出電流增加。
本發明提供第一種超電容之組裝架構，該超電容包含：一第一電極基板，其一表面塗佈有一活性物質；一第二電極基板，其一表面塗佈有該活性物質，該第二電極基板之極性與該第一電極基板之極性相反；以及一串聯用電極基板，其一表面塗佈有該活性物質，該第一電極基板與該第二電極基板堆疊在該串聯用電極基板上；其中，在該第一電極基板、該第二電極基板與該串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之一絕緣環，並在該第一電極基板、該第二電極基板與該串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
根據本發明之第一種超電容之組裝架構以組裝出第二種超電容之組裝架構，其中，在該第一電極基板與該串聯用電極基板之間與該第二電極基板與該串聯用電極基板之間各堆疊至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面塗佈有該活性物質，在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及該串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之該絕緣環，並在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯用電極基板之
彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
本發明提供第三種超電容之組裝架構，該超電容包含：一第一電極基板，其一表面塗佈有一活性物質；一第二電極基板，其一表面塗佈有該活性物質，該第二電極基板之極性與該第一電極基板之極性相反；以及複數個串聯用電極基板，每一串聯用電極基板之一表面分別塗佈有該活性物質，該第一電極基板與該第二電極基板分別堆疊在兩個串聯用電極基板之部分表面上，每兩個串聯用電極基板在其部分表面上以兩者之長邊方向彼此為垂直方向及/或同方向而堆疊配置；其中，在該第一電極基板、該第二電極基板與每一串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之一絕緣環，並在該第一電極基板、該第二電極基板與每一串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
根據本發明之第三種超電容之組裝架構以組裝出第四種超電容之組裝架構，其中，在該第一電極基板與串聯用電極基板之間、在該第二電極基板與串聯用電極基板之間及彼此堆疊之串聯用電極基板之間各堆疊至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面塗佈有該活性物質，在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯
用電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之該絕緣環，並在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
本發明提供第五種超電容之組裝架構，該超電容包含：至少三個電極基板，各表面塗佈有一活性物質，該至少三個電極基板係串聯堆疊；其中，該至少三個電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之一絕緣環，並在該至少三個電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
根據本發明之第五種超電容之組裝架構以組裝出第六種超電容之組裝架構，其中，在該至少三個電極基板之相鄰之電極基板之間堆疊至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面塗佈有該活性物質，在該至少三個電極基板之每一者及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之該絕緣環，並在該至少三個電極基板之每一者及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
本發明提供第七種超電容之組裝架構，該超電容包含：至少一第一電極基板，其表面塗佈有一活性物質；以及至少一第二電極基板，其表面塗佈有該活性物質，該至少一第二電極基板之極性與該至少一第一電極基板之極性相
反；其中，該至少一第一電極基板與該至少一第二電極基板係交錯堆疊，極性相同之數個第一電極基板或數個第二電極基板並聯電連接；其中，該至少一第一電極基板及該至少一第二電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之一絕緣環，並在該至少一第一電極基板及該至少一第二電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
根據本發明之第七種超電容之組裝架構以組裝出第八種超電容之組裝架構，其中，在該至少一第一電極基板及該至少一第二電極基板之間堆疊至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面塗佈有該活性物質，在該至少一第一電極基板、該至少一第二電極基板及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之該絕緣環，並在該至少一第一電極基板、該至少一第二電極基板及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
本發明提供一種超電容之製造方法，該製造方法包含下列步驟：使用具有一絕緣環及一個或複數個支撐點的圖案之一網版來印製該絕緣環及支撐點於複數個電極基板之表面上；堆疊該些電極基板成本發明之上述第一至八種中任一種
超電容之組裝架構；將所堆疊之該超電容浸入電解液中，以將電解液填充於該超電容中；散逸出浸入電解液中之該超電容內部所殘留的微量空氣；以及壓合該超電容。
參考以下附圖以說明本發明之數個較佳實施例。
圖1A為本發明之第一實施例之超電容之組裝架構的示意圖，圖1B為本發明之第一實施例之超電容之組裝架構的局部剖面示意圖。在圖1A及1B中，超電容40包含一第一電極基板42、一第二電極基板44、中間基板46及一串聯用電極基板48。
在第一實施例中，第一電極基板42與第二電極基板44之下表面塗佈有活性物質43，第二電極基板44之極性與第一電極基板42之極性相反。
其中，活性物質43係為金屬氧化物或活性碳，金屬氧化物包含二氧化釕、二氧化錳或氮氧化鈦(TiNO)。以下各實施例所述之活性物質之材料皆與上述活性物質之材料相同，並省略其說明。
串聯用電極基板48之上表面塗佈有活性物質43。第一電極基板42與第二電極基板44平行地堆疊在串聯用電極基板
48之上。其中，串聯用電極基板48之上表面面積實際上等於第一電極基板42與第二電極基板44之下表面面積之總和。
在第一電極基板42與串聯用電極基板48之間堆疊N個(N=0、1、2、3、...)中間基板46，在第二電極基板44與串聯用電極基板48之間堆疊N個中間基板46，其中，堆疊在第一電極基板42與串聯用電極基板48之間之中間基板46的數量與堆疊在第二電極基板44與串聯用電極基板48之間之中間基板46的數量係相同的。中間基板46之表面面積與第一電極基板42及第二電極基板44之表面面積相同，而為串聯用電極基板48之表面面積一半。
中間基板46的上表面與下表面皆塗佈有活性物質43。在第一電極基板42與串聯用電極基板48之間及第二電極基板44與串聯用電極基板48之間堆疊中間基板46的數量可依超電容40之工作電壓決定。
上述之第一電極基板42、第二電極基板44、中間基板46及串聯用電極基板48係為鈦基材之導電基板。
在第一實施例中，在第一電極基板42之下表面與中間基板46之上表面各設置呈框狀之絕緣環50，在第二電極基板44之下表面與中間基板46之上表面各設置呈框狀之絕緣環50，在兩個中間基板46之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環50。
在串聯用電極基板48之上表面與中間基板46之下表面各設置呈框狀之絕緣環50，若在第一電極基板42及串聯用電極基板48之間與在第二電極基板44及串聯用電極基板48之間無中間基板46，則在串聯用電極基板48之上表面與第一電極基板42之下表面及在串聯用電極基板48之上表面與第二電極基板44之下表面各設置呈框狀之絕緣環50。
其中，絕緣環50係由一網版(未圖示)所印製之一框膠，框膠之高度為10~100μm，框膠之線徑為0.3~5.0mm，然而其線徑較佳為0.5~2.0mm。
絕緣環50係為一感壓膠，該感壓膠包含一主劑、一增黏劑及一溶劑。其中，主劑係為一聚苯乙烯共聚物彈性體，而該共聚物彈性體為苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯(SIS)、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯(SEBS)或苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯(SEPS)。該主劑包含馬來酐(Maleic Anhydride)，用以增加絕緣環50與該等基板42、44、46及48的接著性。增黏劑係為松香樹脂及其衍生物、脂肪族樹脂、脂環族樹脂、芳香族樹脂、脂肪族樹脂/芳香族樹脂或氫化碳氫樹脂。
以下各實施例所述之絕緣環之材料及結構皆與上述之絕緣環之材料及結構相同，並省略其說明。
在第一實施例中，在第一電極基板42之下表面、中間基板46之上表面與絕緣環50所圍成的空間填充電解液47，
在第二電極基板44之下表面、中間基板46之上表面與絕緣環50所圍成的空間填充電解液47，在兩個中間基板46之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環50所圍成的空間填充電解液47，在串聯用電極基板48之上表面與中間基板46之下表面及絕緣環50所圍成的空間填充電解液47，若在第一電極基板42及串聯用電極基板48之間與在第二電極基板44及串聯用電極基板48之間無中間基板46，則在串聯用電極基板48之上表面與第一電極基板42之下表面及絕緣環50所圍成的空間填充電解液47，及在串聯用電極基板48之上表面與第二電極基板44之下表面及絕緣環50所圍成的空間填充電解液47。
其中，電解液47為水溶性電解液、有機電解液及膠態電解液之其中一者。水溶性電解液係為一硫酸水溶液，其濃度為0.5M~5.0M，該硫酸水溶液之濃度較佳為1.0M~5.0M。膠態電解液為水玻璃及硫酸所組成。以下各實施例所述之電解液之材料皆與上述之電解液之材料相同，並省略其說明。
在第一電極基板42、第二電極基板44、中間基板46及串聯用電極基板48之彼此堆疊處之相對表面上由網版印製一個或複數個之支撐點的圖案(未圖示)。支撐點係為圓柱形、方柱形、三角柱形、多角柱形、十字柱形、丘形及半球形等其中之一，支撐點之直徑為0.4~4.0mm，其直徑較佳為0.5~2.0mm，支撐點之分佈密度為0.5~5點/平方公分，其較
佳密度為1~5點/平方公分，支撐點之高度為10~100μm。以下各實施例所述之支撐點之材料及結構皆與上述之支撐點之材料及結構相同，並省略其說明。
在組裝完成上述第一實施例之超電容40之架構，該超電容40可達成習知超電容之相同的工作電壓及特性，但僅有習知超電容之高度的一半，如此對於電子裝置需要高電壓與極薄厚度之電源設備而言，第一實施例之超電容40之高度仍未符合其需求，必須提出另一種超電容之組裝架構以符合高電壓與極薄厚度之電源設備的要求。
圖2為本發明之第二實施例之超電容之組裝架構的示意圖。在圖2中，超電容60包含一第一電極基板62、一第二電極基板64及複數個串聯用電極基板66、68及70。
在第二實施例中，在第一電極基板62、第二電極基板64與電極基板66、68及70之彼此堆疊處之相對表面上各塗佈有活性物質(如圖1B所示)。第二電極基板64之極性與第一電極基板62之極性相反。
串聯用電極基板66之下表面區域的一半部分堆疊有第一電極基板62，串聯用電極基板66下表面區域的另一半部分堆疊在串聯用電極基板68之上表面區域的一半部分，而串聯用電極基板66與串聯用電極基板68係以兩者之長邊方向彼此為垂直方向而堆疊配置，同樣地，串聯用電極基板70下表面區域的一半部分堆疊在串聯用電極基板68之上表面
區域的另一半部分，而串聯用電極基板68與串聯用電極基板70係以兩者之長邊方向彼此為垂直方向而堆疊配置，第二電極基板64串聯用電極基板70之下表面區域的另一半部分堆疊有第二電極基板64。
第二實施例之超電容60的組裝架構係為正方形平面狀，平面狀之超電容60可符合高電壓與極薄厚度之電源設備的要求。然而，本實施例之超電容的平面狀結構可以是任何幾何形狀，而不限制於正方形平面形狀。其中，第二實施例使用串聯用電極基板之數量係決定於超電容之工作電壓及厚度而定。
如同第一實施例所述，在第二實施例中，在第一電極基板62與串聯用電極基板66之間可堆疊N個(N=0、1、2、3、...)中間基板(如圖1B所示)，在第二電極基板64與串聯用電極基板70之間可堆疊N個中間基板，彼此堆疊之串聯用電極基板66、68及70之間可堆疊N個中間基板，在第一電極基板62與串聯用電極基板66之間所堆疊之中間基板的數量、在第二電極基板64與串聯用電極基板70之間所堆疊之中間基板的數量及彼此堆疊之串聯用電極基板66、68及70之間所堆疊之中間基板的數量係相同。中間基板之表面面積與第一電極基板62及第二電極基板64之表面面積相同，而為串聯用電極基板66、68及70之表面面積一半。
如第一實施例所述，第二實施例之中間基板的上表面與下
表面皆塗佈有活性物質。在第一電極基板62、第二電極基板64與串聯用電極基板66、68及70之間堆疊中間基板的數量可依超電容60之工作電壓決定。
如同第一實施例所述，在第二實施例中，在第一電極基板62與中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環(如圖1B所示)，在第二電極基板64與中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環，在兩個中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環，在各個串聯用電極基板66、68及70與中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環。若在第一電極基板62與串聯用電極基板66之間、在串聯用電極基板66與串聯用電極基板68之間、在串聯用電極基板68與串聯用電極基板70之間及串聯用電極基板70與第二電極基板64之間無中間基板，則在第一電極基板62與串聯用電極基板66之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板66與串聯用電極基板68之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板68與串聯用電極基板70之彼此堆疊處之相對表面及串聯用電極基板70與第二電極基板64之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環。
亦如同第一實施例所述，在第二實施例中，在第一電極基板62及中間基板之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液(如圖1B所示)，在第二電極基板64及中
間基板之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液，在兩個中間基板之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液，在各個串聯用電極基板66、68及70與中間基板之相對堆疊處之表面及絕緣環所圍成的空間填充電解液，若在第一電極基板62、第二電極基板64及各個串聯用電極基板66、68及70之間無中間基板，則在第一電極基板62、第二電極基板64及各個串聯用電極基板66、68及70之彼此堆疊處之相對表面及絕緣環所圍成的空間填充電解液。
第二實施例之具有中間基板之超電容的組裝架構係為方形立體狀。然而，本實施例之超電容的立體結構可以是任何幾何形狀，而不限制於方形立體形狀。其中，第二實施例使用串聯用電極基板及中間基板之數量係決定於超電容之工作電壓及厚度而定。
圖3A為本發明之第三實施例之超電容之第一層電極基板配置位置的示意圖，圖3B為本發明之第三實施例之超電容之第二層電極基板配置位置的示意圖，圖3C為本發明之第三實施例之超電容之組裝架構的示意圖。
在圖3A中，第一電極基板302與串聯用電極基板304係水平配置，串聯用電極基板306、308及310係平行地配置且垂直於第一電極基板302與串聯用電極基板304，第一電極基板302與串聯用電極基板304、306、308及310構成超
電容300的第一層結構。
在圖3B中，第二電極基板312與串聯用電極基板314係水平配置，串聯用電極基板316、318及320係平行地配置且垂直於第二電極基板312與串聯用電極基板314，第二電極基板312與串聯用電極基板314、316、318及320構成超電容300的第二層結構。
在圖3C中，將超電容300的第二層結構堆疊在其第一層結構之上。串聯用電極基板320之下表面區域的一半部分堆疊有第一電極基板302，串聯用電極基板320下表面區域的另一半部分堆疊在串聯用電極基板306之上表面區域的一半部分，而串聯用電極基板320與串聯用電極基板306係以兩者之長邊方向彼此為同方向而堆疊配置。
串聯用電極基板314之下表面區域堆疊在串聯用電極基板306之上表面區域的另一半部分與串聯用電極基板308之上表面區域的一半部分，而串聯用電極基板314與串聯用電極基板306係以兩者之長邊方向彼此為垂直方向而堆疊配置，且串聯用電極基板314與串聯用電極基板308係以兩者之長邊方向彼此為垂直方向而堆疊配置。
串聯用電極基板318之下表面區域堆疊在串聯用電極基板308之上表面區域的另一半部分與串聯用電極基板304之上表面區域的一半部分，而串聯用電極基板318與串聯用電極基板308係以兩者之長邊方向彼此為同方向而堆疊配
置，且串聯用電極基板318與串聯用電極基板304係以兩者之長邊方向彼此為垂直方向而堆疊配置。
串聯用電極基板316之下表面區域堆疊在串聯用電極基板304之上表面區域的另一半部分與串聯用電極基板310之上表面區域的一半部分，而串聯用電極基板316與串聯用電極基板304係以兩者之長邊方向彼此為垂直方向而堆疊配置，且串聯用電極基板316與串聯用電極基板310係以兩者之長邊方向彼此為同方向而堆疊配置。第二電極基板312之下表面堆疊在串聯用電極基板310之上表面區域的另一半部分。
第三實施例之超電容300的組裝架構係為正方形平面狀，平面狀之超電容300可符合高電壓與極薄厚度之電源設備的要求。然而，本實施例之超電容的平面狀結構可以是任何幾何形狀，而不限制於正方形平面形狀。其中，第三實施例使用串聯用電極基板之數量係決定於超電容之工作電壓及厚度而定。
如同第一實施例所述，在第三實施例中，在第一電極基板302與串聯用電極基板320之間可堆疊N個(N=0、1、2、3、...)中間基板(如圖1B所示)，在第二電極基板312與串聯用電極基板310之間可堆疊N個中間基板，彼此堆疊之串聯用電極基板304、306、308、310、314、316、318及320之間可堆疊N個中間基板，在第一電極基板302與串聯用電極
基板320之間所堆疊之中間基板的數量、在第二電極基板312與串聯用電極基板310之間所堆疊之中間基板的數量及彼此堆疊之串聯用電極基板304、306、308、310、314、316、318及320之間所堆疊之中間基板的數量係相同。中間基板之表面面積與第一電極基板302及第二電極基板312之表面面積相同，而為串聯用電極基板304、306、308、310、314、316、318及320之表面面積一半。
如第一實施例所述，第三實施例之中間基板的上表面與下表面皆塗佈有活性物質。在第一電極基板302、第二電極基板312與串聯用電極基板304、306、308、310、314、316、318及320之間堆疊中間基板的數量可依超電容300之工作電壓決定。
如同第一實施例所述，在第三實施例中，在第一電極基板302與中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環(如圖1B所示)，在第二電極基板312與中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環，在兩個中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環，在各個串聯用電極基板304、306、308、310、314、316、318及320與中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環。若在第一電極基板302與串聯用電極基板320之間、在串聯用電極基板320與串聯用電極基板306之間、在串聯用電極基板306與串聯用電極基板314之間、在串聯
用電極基板314與串聯用電極基板308之間、在串聯用電極基板308與串聯用電極基板318之間、在串聯用電極基板318與串聯用電極基板304之間、在串聯用電極基板304與串聯用電極基板316之間、在串聯用電極基板316與串聯用電極基板310之間及串聯用電極基板310與第二電極基板312之間無中間基板，則在第一電極基板302與串聯用電極基板320之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板320與串聯用電極基板306之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板306與串聯用電極基板314之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板314與串聯用電極基板308之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板308與串聯用電極基板318之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板318與串聯用電極基板304之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板304與串聯用電極基板316之彼此堆疊處之相對表面、在串聯用電極基板316與串聯用電極基板310之彼此堆疊處之相對表面及串聯用電極基板310與第二電極基板312之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環。
亦如同第一實施例所述，在第三實施例中，在第一電極基板302及中間基板之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液(如圖1B所示)，在第二電極基板312及中間基板之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液，在兩個中間基板之彼此堆疊處之相對表面與
絕緣環所圍成的空間填充電解液，在各個串聯用電極基板304、306、308、310、314、316、318及320與中間基板之相對堆疊處之表面及絕緣環所圍成的空間填充電解液，若在第一電極基板302、第二電極基板312及各個串聯用電極基板304、306、308、310、314、316、318及320之間無中間基板，則在第一電極基板302、第二電極基板312及各個串聯用電極基板304、306、308、310、314、316、318及320之彼此堆疊處之相對表面及絕緣環所圍成的空間填充電解液。
第三實施例之具有中間基板之超電容的組裝架構係為方形立體狀。然而，本實施例之超電容的立體結構可以是任何幾何形狀，而不限制於方形立體形狀。其中，第三實施例使用串聯用電極基板及中間基板之數量係決定於超電容之工作電壓及厚度而定。
圖4A為本發明之第四實施例之超電容之組裝架構的示意圖。在圖4A中，超電容400包含(n+1)個(n≧2)電極基板402、404、406及408及N個(N=1、2、3、...)中間基板410。
上述之電極基板402、404、406及408與中間基板410係為鈦基材之導電基板。中間基板410之表面面積與該等電極基板402、404、406及408之表面面積相同。
如第一實施例所述，第四實施例之各電極基板402、404、406及408與中間基板410之彼此堆疊處之相對表面塗佈有
活性物質(如圖1B所示)。在電極基板402與中間基板410之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環(如圖1B所示)，在電極基板404與中間基板410之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環，在第(n+1)個電極基板408與中間基板410之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環，在兩個中間基板410之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環。
亦如同第一實施例所述，在第四實施例中，在電極基板402及中間基板410之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液(如圖1B所示)，在電極基板404及中間基板410之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液，在第(n+1)個電極基板408與中間基板410之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液，在兩個中間基板410之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液。
圖4B為本發明之第四實施例之超電容之等效電路圖。在圖4A、4B中，電極基板402、電極基板404及中間基板410構成超電容C1，電極基板404、電極基板406及中間基板410構成超電容C2，以此類推，第n個電極基板(未圖示)、第(n+1)個電極基板408及中間基板(未圖示)構成超電容Cn。
各相鄰之電極基板之間的中間基板410之數量可以是相同或不同，因此各超電容C1、C2、...、Cn之電容值可以是
相同或不同。超電容400在各接點PIN1、PIN2、...、PIN(n+1)提供多組單獨、串聯或並聯電源以供外部負載之用。
圖5為本發明之第五實施例之超電容之組裝架構的示意圖。在圖5中，超電容100包含一第一電極基板102、兩個第二電極基板104及106及N個(N=1、2、3、...)中間基板108。
上述之第一電極基板102、第二電極基板104及106與中間基板108係為鈦基材之導電基板。
如第一實施例所述，在第五實施例中，在第一電極基板102之上下表面、第二電極基板104之下表面與第二電極基板106之上表面塗佈有活性物質，第二電極基板104、106之極性與第一電極基板102之極性相反。第一電極基板102與第二電極基板104及106係交錯堆疊，亦即第一電極基板102堆疊於第二電極基板104及106之間，而相同極性之第二電極基板104及106係並聯電連接。
在第一電極基板102與第二電極基板104之間堆疊N個中間基板108，而在第一電極基板102與第二電極基板106之間堆疊N個中間基板108，其中，堆疊在第一電極基板102與第二電極基板104之間之中間基板108的數量與堆疊在第一電極基板102與第二電極基板106之間之中間基板108的數量係相同的。中間基板108之表面面積與第一電極基板102及第二電極基板104及106之表面面積相同。
如第一實施例所述，第五實施例之中間基板108的上表面與下表面皆塗佈有活性物質(如圖1B所示)。在交錯堆疊之第一電極基板102與第二電極基板104及106之間堆疊中間基板108的數量可依超電容100之工作電壓決定。
如同第一實施例所述，在第五實施例中，在第一電極基板102與中間基板108之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環(如圖1B所示)，在第二電極基板104與中間基板108之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環，在第二電極基板106與中間基板108之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環，在兩個中間基板108之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之絕緣環。
亦如同第一實施例所述，在第五實施例中，在第一電極基板102及中間基板108之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液，在第二電極基板104及中間基板108之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液(如圖1B所示)，在第二電極基板106及中間基板108之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液，在兩個中間基板108之彼此堆疊處之相對表面與絕緣環所圍成的空間填充電解液。
第五實施例之超電容100可達成習知超電容之相同的工作電壓及特性，但使用將相同極性之電極基板並聯之超電容100與習知超電容之高度相同，而使第五實施例之超電容
100可應用於提供更高工作電流至電子裝置之電源設備。
圖6為本發明之第六實施例之超電容之組裝架構的示意圖。在圖6中，超電容120包含兩個第一電極基板102及122、兩個第二電極基板104及106及N個(N=1、2、3、...)中間基板108。
第六實施例之超電容120之結構與第五實施例之超電容100之結構之不同之處在於超電容120多了一個第一電極基板122，在第一電極基板122與第二電極基板104之間堆疊N個中間基板108，而兩個極性相同之第一電極基板102及122係並聯電連接，但第六實施例之超電容120之組裝方式係與第五實施例之超電容100之組裝方式係相類似的，在此省略說明第六實施例之超電容120之結構及功效之說明。
以下將說明製造上述第一至第六實施例之超電容之方法。
圖7為本發明之超電容之組裝架構的示意圖。在圖7中，使用圖8為本發明之印刷用網版(或鋼版)之示意圖所示之網版200在如上述第一至第六實施例之超電容之電極基板(如圖7所示之電極基板211、212)之表面上印製圖案，藉由一網版印刷(Screen Printing)、一鋼版印刷(Stencil Printing)、一移印(Stamp)、一點膠(Dispensing)、一塗膠(Coating)、一貼膠(Pasting)或一曝光顯影(Photolithography)等方法將上述之絕緣環214與支撐點215等印製到電極基板211、212上。
在圖8中，使用具有絕緣環及一個或複數個支撐點的圖案
202之一網版200來印製上述第一至第六實施例之超電容之絕緣環及支撐點於該等電極基板之表面上。
首先，配製為一感壓膠之絕緣膠係將一定配比之主劑(一種聚苯乙烯共聚物彈性體)、增黏劑與各種溶劑倒入攪拌槽內，在該等材料攪拌的同時加溫溶解直到成為均勻相，以調製成為該絕緣膠。
圖9為本發明之印製電極基板之圖案的網版(或鋼版)印刷機構之側視圖。在圖9中，將上述第一至第六實施例之超電容之電極基板(如圖9之電極基板226所示)置於一吸風治具223上，由吸風來源接口221對電極基板226產生吸力使其固定於吸風治具223，而一定位頂針222則用以對電極基板226定位。
將網版200置於電極基板226之上，且二者之間有一間隙。將上述之絕緣環220置於網版200之上，由一刮刀機構224移動其一刮刀片225於網版200之上。該刮刀片225會將絕緣膠220刮入網版200之圖案202中，刮入圖案202之絕緣膠220便印製在電極基板226之表面而形成上述第一至第六實施例之超電容之呈框狀之絕緣環及支撐點。其中，所印製之絕緣環與支撐點的高度是一樣的。
接著，堆疊電極基板成如上述第一至第六實施例之超電容之組裝架構。
圖10為本發明之超音波(或加熱或抽真空)槽結構之側視
圖，圖11為本發明之在具有超音波、加熱或抽真空之機構中之堆疊超電容的導引槽之側視圖，圖12為本發明之在超電容未被施加壓力時之壓合機構之側視圖，圖13為本發明之在超電容被施加壓力時之壓合機構之側視圖。
在圖10中，將上述第一至第六實施例之超電容堆疊於支撐架232上，並浸放在盛裝有電解液229之玻璃盛槽230中(或超音波可穿透之其他各種器皿)，再將玻璃盛槽230置放於裝有純水231的一超音波振盪器233中。
然後，以超音波、抽真空(如標號227)或加熱(如標號228)方式將上述第一至第六實施例所堆疊之超電容之孔隙中所殘留的微量空氣241散逸出來。在該超電容之孔隙結構中所殘留的微量空氣241散逸出來之後移除支撐架232，而完成上述第一至第六實施例之超電容之組裝架構，如圖11所示。
在圖12，並將堆疊好的超電容連同裝有電解液236之電解液盛盤234一起置於一下壓板240上，在將一上壓板238置於超電容之最上電極基板之上，然後由一壓合機構(未圖示)施以壓力(如標號237)來壓合上述第一至第六實施例之超電容。
當壓合上述第一至第六實施例之超電容時，所設定適當之壓力施壓至上壓板238以壓合該超電容。為了縮短壓合時間與增加壓合效果，亦可以加熱(如標號239)(室溫~150℃)及壓合方式讓電極基板之間的絕緣環融接在一起，如圖13所
示。
此時，壓合後之電極基板之相對表面與絕緣環所圍成之空間將電解液包覆於超電容中，而該超電容之成品即如上述第一至第六實施例之超電容之結構。
本發明係提供一種超電容之組裝架構及製造方法，其優點是將電極基板以水平配置而組成極性串聯之超電容，使超電容的高度減少，可達到產品小型化的目的；並將電極基板以垂直配置而組成極性單獨、串聯或並聯之超電容，使並聯之超電容之等效串聯電阻減少，且串聯或並聯之超電容之輸出電壓或電流增加。
雖然本發明已參照較佳具體例及舉例性附圖敘述如上，惟其應不被視為係限制性者。熟悉本技藝者對其形態及具體例之內容做各種修改、省略及變化，均不離開本發明之申請專利範圍之所主張範圍。
40‧‧‧超電容
42‧‧‧第一電極基板
43‧‧‧活性物質
44‧‧‧第二電極基板
46‧‧‧中間基板
47‧‧‧電解液
48‧‧‧串聯用電極基板
50‧‧‧絕緣環
60‧‧‧超電容
62‧‧‧第一電極基板
64‧‧‧第二電極基板
66‧‧‧串聯用電極基板
68‧‧‧串聯用電極基板
70‧‧‧串聯用電極基板
100‧‧‧超電容
102‧‧‧第一電極基板
104‧‧‧第二電極基板
106‧‧‧第二電極基板
108‧‧‧中間基板
120‧‧‧超電容
122‧‧‧第一電極基板
200‧‧‧網版
202‧‧‧圖案
211‧‧‧電極基板
212‧‧‧電極基板
214‧‧‧絕緣環
215‧‧‧支撐點
220‧‧‧絕緣膠
221‧‧‧吸風來源接口
222‧‧‧定位頂針
223‧‧‧吸風治具
224‧‧‧刮刀機構
225‧‧‧刮刀片
226‧‧‧電極基板
227‧‧‧抽真空
228‧‧‧加熱
229‧‧‧電解液
230‧‧‧玻璃盛槽
231‧‧‧純水
232‧‧‧支撐架
233‧‧‧超音波振盪器
234‧‧‧電解液盛盤
236‧‧‧電解液
237‧‧‧壓力
238‧‧‧上壓板
239‧‧‧加熱
240‧‧‧下壓板
241‧‧‧微量空氣
300‧‧‧超電容
302‧‧‧第一電極基板
304‧‧‧串聯用電極基板
306‧‧‧串聯用電極基板
308‧‧‧串聯用電極基板
310‧‧‧串聯用電極基板
312‧‧‧第二電極基板
314‧‧‧串聯用電極基板
316‧‧‧串聯用電極基板
318‧‧‧串聯用電極基板
320‧‧‧串聯用電極基板
400‧‧‧超電容
402‧‧‧電極基板
404‧‧‧電極基板
406‧‧‧電極基板
408‧‧‧電極基板
410‧‧‧中間基板
C1‧‧‧超電容
C2‧‧‧超電容
Cn‧‧‧超電容
圖1A為本發明之第一實施例之超電容之組裝架構的示意圖；圖1B之本發明之第一實施例之超電容之組裝架構的局部剖面示意圖；圖2為本發明之第二實施例之超電容之組裝架構的示意圖；圖3A為本發明之第三實施例之超電容之第一層電極基板
配置位置的示意圖；圖3B為本發明之第三實施例之超電容之第二層電極基板配置位置的示意圖；圖3C為本發明之第三實施例之超電容之組裝架構的示意圖；圖4A為本發明之第四實施例之超電容之組裝架構的示意圖；圖4B為本發明之第四實施例之超電容之等效電路圖；圖5為本發明之第五實施例之超電容之組裝架構的示意圖；圖6為本發明之第六實施例之超電容之組裝架構的示意圖；圖7為本發明之超電容之組裝架構的示意圖；圖8為本發明之印刷用網版(或鋼版)之示意圖；圖9為本發明之印製電極基板之圖案的網版(或鋼版)印刷機構之側視圖；圖10為本發明之超音波(或加熱或抽真空)槽結構之側視圖；圖11為本發明之在具有超音波、加熱或抽真空之機構中之堆疊超電容的導引槽之側視圖；圖12為本發明之在超電容未被施加壓力時之壓合機構之側視圖；以及
圖13為本發明之在超電容被施加壓力時之壓合機構之側視圖。
100‧‧‧超電容
102‧‧‧第一電極基板
104‧‧‧第二電極基板
106‧‧‧第二電極基板
108‧‧‧中間基板
Claims (41)
- 一種超電容之組裝架構，該超電容包含：一第一電極基板，其一表面塗佈有一活性物質；一第二電極基板，其一表面塗佈有該活性物質，該第二電極基板之極性與該第一電極基板之極性相反；以及一串聯用電極基板，其一表面塗佈有該活性物質，該第一電極基板與該第二電極基板堆疊在該串聯用電極基板上；其中，在該第一電極基板、該第二電極基板與該串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之一絕緣環，並在該第一電極基板、該第二電極基板與該串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
- 如申請專利範圍第1項之超電容之組裝架構，其中，在該第一電極基板與該串聯用電極基板之間與該第二電極基板與該串聯用電極基板之間各堆疊至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面塗佈有該活性物質，在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及該串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之該絕緣環，並在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
- 一種超電容之組裝架構，該超電容包含： 一第一電極基板，其一表面塗佈有一活性物質；一第二電極基板，其一表面塗佈有該活性物質，該第二電極基板之極性與該第一電極基板之極性相反；以及複數個串聯用電極基板，每一串聯用電極基板之一表面塗佈有該活性物質，該第一電極基板與該第二電極基板分別堆疊在兩個串聯用電極基板之部分表面上，每兩個串聯用電極基板在其部分表面上以兩者之長邊方向為垂直方向及/或同方向而堆疊配置；其中，在該第一電極基板、該第二電極基板與每一串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之一絕緣環，並在該第一電極基板、該第二電極基板與每一串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
- 如申請專利範圍第3項之超電容之組裝架構，其中，在該第一電極基板與串聯用電極基板之間、該第二電極基板與串聯用電極基板之間及彼此堆疊之串聯用電極基板之間各堆疊至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面塗佈有該活性物質，在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之該絕緣環，並在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電 解液。
- 一種超電容之組裝架構，該超電容包含：至少三個電極基板，各表面塗佈有一活性物質，該至少三個電極基板係串聯堆疊；其中，該至少三個電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之一絕緣環，並在該至少三個電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
- 如申請專利範圍第5項之超電容之組裝架構，其中，在該至少三個電極基板之相鄰之電極基板之間堆疊至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面塗佈有該活性物質，在該至少三個電極基板之每一者及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之該絕緣環，並在該至少三個電極基板之每一者及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
- 一種超電容之組裝架構，該超電容包含：至少一第一電極基板，其表面塗佈有一活性物質；以及至少一第二電極基板，其表面塗佈有該活性物質，該至少一第二電極基板之極性與該至少一第一電極基板之極性相反；其中，該至少一第一電極基板與該至少一第二電極基板係交錯堆疊，極性相同之數個第一電極基板或數個第二電極基板並聯電連接； 其中，該至少一第一電極基板及該至少一第二電極基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之一絕緣環，並在第一電極基板及第二電極基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
- 如申請專利範圍第7項之超電容之組裝架構，其中，在該至少一第一電極基板及該至少一第二電極基板之間堆疊至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面塗佈有該活性物質，在該至少一第一電極基板、該至少一第二電極基板及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面各設置呈框狀之該絕緣環，並在該至少一第一電極基板、該至少一第二電極基板及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面與該絕緣環所圍成的空間填充電解液。
- 如申請專利範圍第2項之超電容之組裝架構，其中，該第一電極基板、該第二電極基板、該至少一中間基板及該串聯用電極基板係為鈦基材之導電基板。
- 如申請專利範圍第4項之超電容之組裝架構，其中，該第一電極基板、該第二電極基板、該至少一中間基板及該等串聯用電極基板係為鈦基材之導電基板。
- 如申請專利範圍第6項之超電容之組裝架構，其中，該至少三個電極基板及該至少一中間基板係為鈦基材之導電基板。
- 如申請專利範圍第8項之超電容之組裝架構，其中， 該至少一第一電極基板、該至少一第二電極基板及該至少一中間基板係為鈦基材之導電基板。
- 如申請專利範圍第2項之超電容之組裝架構，其中，該第一電極基板、該第二電極基板、該至少一中間基板及該串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面上各印製一個或複數個支撐點的圖案，支撐點係為圓柱形、方柱形、三角柱形、多角柱形、十字柱形、丘形及半球形等其中之一，支撐點之直徑為0.4~4.0mm，支撐點之分佈密度為0.5~5點/平方公分，支撐點之高度為10~100μm。
- 如申請專利範圍第4項之超電容之組裝架構，其中，該第一電極基板、該第二電極基板、該至少一中間基板及該等串聯用電極基板之彼此堆疊處之相對表面上各印製一個或複數個支撐點的圖案，支撐點係為圓柱形、方柱形、三角柱形、多角柱形、十字柱形、丘形及半球形等其中之一，支撐點之直徑為0.4~4.0mm，支撐點之分佈密度為0.5~5點/平方公分，支撐點之高度為10~100μm。
- 如申請專利範圍第6項之超電容之組裝架構，其中，該至少三個電極基板及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面上各印製一個或複數個支撐點的圖案，支撐點係為圓柱形、方柱形、三角柱形、多角柱形、十字柱形、丘形及半球形等其中之一，支撐點之直徑為0.4~4.0mm，支撐點之分佈密度為0.5~5點/平方公分，支撐點之高度為10~100μm。
- 如申請專利範圍第8項之超電容之組裝架構，其中，該至少一第一電極基板、該至少一第二電極基板及該至少一中間基板之彼此堆疊處之相對表面上各印製一個或複數個支撐點的圖案，支撐點係為圓柱形、方柱形、三角柱形、多角柱形、十字柱形、丘形及半球形等其中之一，支撐點之直徑為0.4~4.0mm，支撐點之分佈密度為0.5~5點/平方公分，支撐點之高度為10~100μm。
- 如申請專利範圍第13至16項中任一項之超電容之組裝架構，其中，支撐點之直徑較佳為0.5~2.0mm，支撐點之較佳密度為1~5點/平方公分。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項之超電容之組裝架構，其中，電解液為水溶性電解液、有機電解液及膠態電解液之其中一者。
- 如申請專利範圍第18項之超電容之組裝架構，其中，水溶性電解液係為一硫酸水溶液，其濃度為0.5M~5.0M，該硫酸水溶液之濃度較佳為1.0M~5.0M。
- 如申請專利範圍第18項之超電容之組裝架構，其中，膠態電解液為水玻璃及硫酸所組成。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項之超電容之組裝架構，其中，該活性物質係為金屬氧化物或活性碳，金屬氧化物包含二氧化釕、二氧化錳及氮氧化鈦之其中一者。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項之超電容之組裝 架構，其中，該絕緣環係為一感壓膠，該感壓膠包含一主劑、一增黏劑及一溶劑。
- 如申請專利範圍第22項之超電容之組裝架構，其中，該主劑係為一聚苯乙烯共聚物彈性體，而該共聚物彈性體為苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯(SIS)、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯(SEBS)及苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯(SEPS)之其中之一。
- 如申請專利範圍第22項之超電容之組裝架構，其中，該主劑包含馬來酐(Maleic Anhydride)，以增加該絕緣環與該等電極基板的接著性。
- 如申請專利範圍第22項之超電容之組裝架構，其中，該增黏劑係為松香樹脂及其衍生物、脂肪族樹脂、脂環族樹脂、芳香族樹脂、脂肪族樹脂/芳香族樹脂及氫化碳氫樹脂之其中之一。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項之超電容之組裝架構，其中，該絕緣環係由一網版所印製之一框膠，該框膠之高度為10~100μm，該框膠之線徑為0.3~5.0mm，而該框膠之線徑較佳為0.5~2.0mm。
- 一種超電容之製造方法，該製造方法包含下列步驟：使用具有一絕緣環及一個或複數個支撐點的圖案之一網版來印製該絕緣環及支撐點於複數個電極基板之表面上；堆疊該些電極基板成如申請專利範圍第1至8項中任一項 之超電容之組裝架構；將所堆疊之該超電容浸入電解液中，以將電解液填充於該超電容中；散逸出浸入電解液中之該超電容內部所殘留的微量空氣；以及壓合該超電容。
- 如申請專利範圍第27項之超電容之製造方法，更包含下列步驟：將一主劑、一增黏劑與一溶劑加溫及攪拌均勻，以調製成該絕緣環。
- 如申請專利範圍第28項之超電容之製造方法，其中，該主劑係為一種聚苯乙烯共聚物彈性體，而此共聚物彈性體為苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯(SIS)、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯(SEBS)及苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯(SEPS)之其中之一。
- 如申請專利範圍第28項之超電容之製造方法，其中，添加馬來酐(Maleic Anhydride)於該主劑中，以增加該絕緣環與該電極基板的接著性。
- 如申請專利範圍第28項之超電容之製造方法，其中，該增黏劑係為松香樹脂及其衍生物、脂肪族樹脂、脂環族樹脂、芳香族樹脂、脂肪族樹脂/芳香族樹脂及氫化碳氫樹脂之其中之一。
- 如申請專利範圍第27項之超電容之製造方法，其中，該絕緣環係由該網版所印製之一框膠，該框膠之高度為10~100μm，該框膠之線徑為0.3~5.0mm，而該框膠之線徑較佳為0.5~2.0mm。
- 如申請專利範圍第27項之超電容之製造方法，其中，以室溫至150℃之溫度加熱並壓合浸入電解液中之該超電容。
- 如申請專利範圍第27項之超電容之製造方法，其中，支撐點的圖案係為圓柱形、方柱形、三角柱形、多角柱形、十字柱形、丘形及半球形等其中之一，支撐點之直徑為0.4~4.0mm，支撐點之分佈密度為0.5~5點/平方公分，支撐點之高度為10~100μm。
- 如申請專利範圍第34項之超電容之製造方法，其中，支撐點之直徑較佳為0.5~2.0mm，支撐點之較佳密度為1~5點/平方公分。
- 如申請專利範圍第27項之超電容之製造方法，其中，電解液為水溶性電解液、有機電解液及膠態電解液之其中一者。
- 如申請專利範圍第36項之超電容之製造方法，其中，水溶性電解液係為一硫酸水溶液，其濃度為0.5M~5.0M，該硫酸水溶液之濃度較佳為1.0M~5.0M。
- 如申請專利範圍第36項之超電容之製造方法，其中， 膠態電解液為水玻璃及硫酸所組成。
- 如申請專利範圍第27項之超電容之製造方法，其中，該活性物質係為金屬氧化物或活性碳，金屬氧化物包含二氧化釕、二氧化錳及氮氧化鈦之其中一者。
- 如申請專利範圍第27項之超電容之製造方法，其中，以一網版印刷、一鋼版印刷、一移印、一點膠、一塗膠、一貼膠及一曝光顯影等其中之一方式，使用具有該絕緣環及支撐點的圖案之該網版來印製該絕緣環及支撐點於該些電極基板之該表面上。
- 如申請專利範圍第27項之超電容之製造方法，其中，以超音波、抽真空及加熱等其中之一方式，散逸出浸入電解液中之該超電容之孔隙中所殘留的微量空氣。
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