TWI445121B - Vacuum processing device - Google Patents

Description

真空處理裝置

本發明關於在真空容器內部配置有半導體晶圓等被處理基板的處理室內進行處理之真空處理裝置，關於具備：連結於真空容器，於其內部搬送被處理基板的搬送容器者。

上述裝置，特別是，在配置於真空容器內部而被減壓之處理室內，針對處理對象之試料、亦即半導體晶圓等基板狀試料(以下亦稱為「晶圓」)進行處理的真空處理裝置中，隨處理之微細化、精密化進展，而要求處理對象晶圓之處理效率之提升。因此，近年來在1個裝置連結複數個真空容器，而於複數處理室可以並行進行晶圓之處理的多腔室裝置被開發，以進行潔淨室之設置面積單位之生產性效率之提升。

具備複數處理室或腔室而進行處理的裝置，個別之處理室或腔室，係和對其供給電場或磁場之手段，或進行內部之排氣的排氣泵等排氣手段，或對供給至處理室內部的處理用氣體之供給進行調節的手段等構成各個處理單元，該處理單元，係包含：內部之氣體或其壓力可以被減壓調節，具備基板搬送用之機器手臂的搬送室(搬送腔室)，以可裝拆的方式連結於內部用於搬送晶圓而暫時予以保持的搬送單元。更具體言之為，各處理單元之實施減壓的處理室或腔室被配置於內部而成的真空容器之側壁，以及在實施同一程度減壓的內部進行處理前或處理後晶圓之搬送的搬送單元之真空搬送容器之側壁，係以可裝拆的方式被連結，而構成為內部可以連通、閉塞。

於此一構成，真空處理裝置全體之大小，係大為受到真空搬送容器及真空處理容器，或真空搬送室、真空處理室之大小及配置之影響，例如真空搬送室，其之實現必要動作之大小，係受到鄰接而被連結之搬送室或處理室之數目、配置於內部用於搬送晶圓的搬送機器人數目及其動作所要最小半徑或晶圓直徑之大小之影響。另外，真空處理室係受到處理對象晶圓之直徑、實現必要壓力之處理室內之排氣效率、晶圓處理時必要之機器類配置之影響。真空搬送室及真空處理室之配置，係受到設置場所之使用者要求的半導體裝置等生產之總量，效率之實現上必要之各處理裝置之必要之處理室數目之影響。

真空處理裝置之各處理容器內之處理氣體等之環境，會對其他處理容器帶來影響，晶圓或裝置之污染將導致裝置保養時間之增加或製品良品率降低，因此，被要求在複數處理容器同時呈現空間連通狀態下不對處理容器內進行晶圓之搬送，在處理容器與真空搬送容器之間設置閥，進行不使處理室容器內之環境呈接觸之閥之開/關控制、或搬送室、處理容器之壓力控制。作為防止此種真空處理容器內之環境對於晶圓或裝置之污染的習知之真空處理裝置之技術，有例如揭示於特表2007-511104號公報(專利文獻1)者。

[習知技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：特表2007-511104號公報

上述習知技術係構成為，於各處理室或搬送室內處理或藉由真空搬送機器人搬送晶圓時，使處理室或搬送晶圓之搬送室，藉由配置於其他處理室或搬送室之間的閥予以完全分離、獨立，而可以進行壓力控制。於習知技術，藉由此一構成，可以防止處理室之環境之流出所導致裝置或晶圓之二次污染。

但是，上述習知技術未充分考慮以下問題。亦即，針對真空搬送容器介由中間容器予以連結，使配置於中間容器兩端位置之閥之開/關控制最佳化，以使晶圓之處理或生產效率最佳化，而且達成晶圓或真空處理容器及真空搬送容器之污染防止並未充分考慮，有損真空處理裝置之信賴性，另外，亦損及單位設置面積之生產量或效率。

例如真空處理裝置具備複數真空處理單元時，特別是，時，依序對晶圓實施彼等種類之處理時或針對不同晶圓實施不同處理時，相對於進行任意處理之真空處理單元，實施其他處理或之後之處理的真空處理單元被連接於其他真空搬送容器而構成時，連結於另一方真空搬送容器的真空處理單元所實施之處理，會損及連結於另一方真空搬送容器的真空處理單元所實施之處理或真空處理裝置之全體處理之信賴性或再現性，導致處理效率降低，針對此一問題上述習知技術並未加以考慮。

本發明目的在於提供高信賴性之真空處理裝置。

達成上述目的之真空處理裝置，其特徵為具備：第1及第2真空搬送容器，係於被減壓之內部之真空搬送室內進行晶圓之搬送；第1及第2真空處理容器，係被連結於彼等真空搬送容器之各個，內部用於處理上述晶圓的處理室係和上述真空搬送室呈連通狀；中間室容器，於上述第1及第2真空搬送容器之間將彼等予以連結而配置，內部可以收納上述晶圓；隔絕室，被連結於上述第1真空搬送容器，內部呈連通狀；及複數個閥，配置於上述第1及第2真空搬送容器與上述第1及第2真空處理容器、上述中間室容器及上述隔絕室之各個之間，使彼等之間之連通呈開放或氣密密封而予以閉塞；在將上述第1真空處理容器之處理室與上述第1真空搬送容器之真空搬送室之間或上述第2真空處理容器之處理室與上述第2真空搬送容器之真空搬送室之間之閥設為開放之前，係將配置於上述第1與第2真空搬送容器之間的上述閥之任一設為閉塞。

另外，藉由以下而達成，亦即具備：上述閥，用於將上述中間室容器內部之上述晶圓之收納室與上述第1及第2真空搬送容器各個之真空搬送室之間，分別設為開放或閉塞；在將上述第1真空處理容器與上述第1真空搬送容器或上述第2真空處理容器與上述第2真空搬送容器之間之上述閥設為開放之前，係將上述中間室容器之上述2個閥之任一設為閉塞。

另外，藉由以下而達成，亦即在將上述第1真空處理容器與上述第1真空搬送容器或上述第2真空處理容器與上述第2真空搬送容器之間之上述閥設為氣密閉塞之後，將關閉之上述第1或第2真空搬送容器之間之上述閥設為開放。

另外，達成上述目的之真空處理裝置，其特徵為具備：搬送通路，於其被減壓之內部進行晶圓之搬送；第1及第2真空處理室，係在和該搬送通路內呈連結、連通、被減壓之內部進行上述晶圓之處理；第1及第2閥，用於將彼等真空處理室與上述搬送通路之間之連通，設為開放或氣密密封而予以閉塞；第3閥，配置於上述搬送通路上之第1與第2閥之間，用於將該搬送通路設為開放或氣密密封而予以閉塞；及控制部，在上述第1或第2閥之開放之前，發出指令據以設定上述第3閥為氣密閉塞。

另外，藉由以下而達成，亦即具備：第4閥，配置於上述搬送通路上之上述第3閥與上述第2閥之間，用於將該搬送通路設為開放或氣密密封而予以閉塞；上述控制器，係進行控制而在設定上述第1或第2閥為開放之前，設定上述第3或第4之任一閥為氣密閉塞。

另外，藉由以下而達成，亦即上述控制器，係在上述第1或第2閥被氣密閉塞之後，發出指令而將關閉之上述第3或第4閥設為開放。

以下依據圖面說明本發明之真空處理裝置之實施形態。

(實施形態)

依據圖1～4面來說明。圖1表示本發明實施形態之真空處理裝置全體構成概略說明之上面圖。

圖1所示本發明實施形態之包含真空搬送室的真空處理裝置100，大類由大氣側區塊101及真空側區塊102構成。大氣側區塊101，係於大氣壓下進行真空處理裝置100之處理對象之半導體晶圓等基板狀試料之搬送、收納定位等之部分，真空側區塊102，係於大氣壓被減壓之壓力下進行晶圓等基板狀試料之搬送，在配置於事先設定之真空單元內部的處理室內進行處理的區塊。

在真空側區塊102之進行上述搬送或處理的真空側區塊102之場所與大氣側區塊101之間，被配置有將彼等予以連結而被配置，在內部具有試料之狀態下，使壓力變化於大氣壓與真空壓之間的部分。本實施形態之真空處理裝置100中，試料停留於真空側區塊102之時間之長度，係較停留於大氣側區塊101之時間為長。

另外，在配置於真空處理室內之狀態下，試料被搬送於真空側區塊102及大氣側區塊101之時間，係較試料實施處理之時間為短，特別是，相較於真空側區塊102內之試料搬送所要時間為更短。如此則，於真空處理裝置100之中進行複數片或複數批次試料處理時，試料搬送所要時間成為對單位時間之處理數目有支配性影響者。

大氣側區塊101，係具有內部具備大氣搬送機器人110的大略直方體形狀之框體106，具備複數個晶舟(cassette)台107，於該晶舟台107之上載置有晶舟，用於收納處理用或潔淨用被處理對象之半導體晶圓等之基板狀試料(以下稱晶圓)。框體106之全面側，係在設置真空處理裝置100之潔淨室等建物內收納有未處理或處理完畢之試料之狀態，面對藉由搬送用機器人等(未圖示)將晶舟予以搬送之通路的部位。亦即，大氣側區塊101係配置於真空處理裝置100之前方側，晶舟台107係面對晶舟之通路被配置。

真空側區塊102，係具有：第1真空搬送室104及第2真空搬送室111，其在被減壓之內部，在和真空處理室之間進行處理對象之試料之搬送；及1個或複數個隔絕室(lock chamber)105，被配置於和大氣側區塊101之間，其在內部具有於大氣側與真空側進行處理之晶圓狀態下，將壓力設為大氣壓與真空壓之間。本實施形態之隔絕室，內部空間被連通於未圖示之旋轉泵等真空排氣裝置之入口，藉由該真空排氣裝置之動作，構成為可調節成為上述壓力，內部係在收納狀態下在其面彼此之間於上下方向空出間隔，而配置可保持複數晶圓之保持部，於上方之保持位置收納保持未處理之晶圓，於下方之保持位置收納保持處理完畢之晶圓。

本實施形態之隔絕室105為真空容器，其可以減壓至真空側區塊102內部之真空度、及由該真空度升壓至框體106內部之空間壓力例如真空處理裝置100周圍之大氣壓力，在框體106或配置於其後方側之第1真空搬送室104所連結之側之特定位置，配置有通路以及將其開放或閉塞而可以氣密密封的閥120a、120b，將大氣側與真空側之間予以氣密分割。另外，於內部空間，具備使複數晶圓上下隔開間隔予以收納保持的收納部，在收納彼等晶圓之狀態下，藉由閥120a、120b予以閉塞、氣密分割。

第1真空搬送室104、第2真空搬送室111為包含真空容器之單元，該真空容器具有大略矩形狀之各個平面形狀，彼等為實質上同一程度，但構成上具有差異之2個單元。於彼等單元內部具備：於各個容器內部被減壓至特定真空度的處理室；及於各處理室內部使晶圓載置於其臂部上特定位置而予以搬送的搬送用機器人。

真空搬送中間室112為真空容器，其內部可以被減壓至和其他真空搬送室或真空處理室同等之真空度，用於連接真空搬送室，內部之室係被連通。在其和真空搬送室之間配置有，使連通於內部之室而於內側進行晶圓之搬送的通路，設為開放、遮斷予以分割的閥120d、120e，藉由彼等閥120d、120e之閉塞，將真空搬送中間室112與第1真空搬送室104或第2真空搬送室111之間予以氣密密封，真空搬送中間室112內部相對於彼等之室被氣密分割。

於真空搬送中間室112內部之室配置有收納部，可將複數晶圓使彼等之面與面之間隔開間隙予以水平保持，在第1、第2真空搬送室104、111之間水平傳送晶圓時，彼等係具備：由一端被收納於內部之中繼室或真空搬送中間室112內被搬出至次一室(真空處理單元內之處理室或隔絕室105)為止待機之待機室之機能。亦即，由一方之真空搬送室內之真空搬送機器人108、109之任一被搬入載置於上述收納部的晶圓，藉由另一方之真空搬送室內之真空搬送機器人108、109之任一被搬出，而搬送至該真空搬送室所連結之真空處理單元103A～103C或隔絕室105內。

在和平面形狀為矩形狀之第1、第2真空搬送室104、111互呈面對之一面相當的相互之側壁之間，配置真空搬送中間室112將兩者予以連結。另外，其他之至少一面連接有內部被減壓，晶圓被搬送於其內部，進行晶圓之處理的真空處理單元103A～103C。本實施形態中，真空處理單元103A～C係表示單元全體，其包含：包含真空容器而構成之電場、磁場之產生手段；以及排氣手段，其包含將容器內部被減壓之空間、亦即處理室予以排氣的真空泵於內部之處理室被實施蝕刻處理、去灰處理或對其他半導體晶圓實施之處理。另外，於各真空處理單元103，被連結有管路以流通對應於實施之處理而供給之處理氣體。

第1真空搬送室104雖可連結2個真空處理單元，但本實施形態中僅連1個真空處理單元103A。另外，第2真空搬送室111雖可連結3個真空處理單元，但本實施形態中僅連2個真空處理單元103B、103C。

第1真空搬送室104及第2真空搬送室111，係連結於真空排氣泵被減壓，其內部成為搬送室，於第1真空搬送室104之內部空間中央部被配置第1真空搬送機器人108，用於在特定壓力之真空度下，在隔絕室105與真空處理單元或真空搬送中間室112之任一之間進行晶圓之搬送。於第2真空搬送室111亦同樣，於內部中央部分被配置第2真空搬送機器人109，用於在真空處理單元、真空搬送中間室112之任一之間進行晶圓之搬送。

本實施形態中，包含真空搬送機器人108、109之臂部之形狀、數目、配置、動作之方向的各個構成均為相同，於此為說明方便而區分為第1真空搬送機器人108、第2真空搬送機器人109。上述真空搬送機器人108、109，係使晶圓載置於其臂部之特定載置面上，第1真空搬送室104，係在配置於真空處理單元之晶圓台上與隔絕室105或真空搬送中間室112之任一之間進行晶圓之搬出入。在彼等真空處理單元103A～103C、隔絕室105、真空搬送中間室112、第1真空搬送室104、與第2真空搬送室111之搬送室之間，設置使晶圓通過內側而臂搬送之通路，彼等通路係藉由可將彼等氣密閉塞、開放之閥120a～g使其連通成為斷續式。

又，雖未圖示，於各真空處理單元103A～103C、第1、第2真空搬送室104、111，被連結有對內部進行排氣減壓之渦輪分子泵或旋轉泵等之真空排氣泵，於彼等內部配置和真空排氣泵之入口連通的排氣口。另外，於第1、第2真空搬送室104、111之各個，在被連結有真空排氣泵之情況下，亦可具備將共通之真空排氣泵之入口與各個排氣口予以連通的排氣通路而進行共通排氣，藉由配置於各路徑上之各閥來調節排氣量或斷續。

另外，本實施形態中，於真空搬送中間室112，並未介由排氣口連結於和其他之室獨立而針對內部進行排氣的真空排氣泵等之排氣手段，其內部係藉由連通之第1、第2真空搬送室104、111或各真空處理單元103A～103C內部之處理室或隔絕室105，被排氣減壓而構成。本實施形態之構成之中，配置於真空搬送中間室112之圖上上下方向(真空處理裝置100之前後方向)之端部，針對內部用於搬送晶圓之通路(閘門)進行開/閉的閘門閥120d、120e之其中一方，係被開放而使內部被排氣。

本實施形態中，大氣搬送機器人110之臂部前端部之晶圓支撐部上載置之晶圓，係藉由配置於晶圓支撐部之晶圓接觸面的吸附裝置，被吸附保持於晶圓支撐部上，可以抑制臂部之動作所導致晶圓在支撐部上之位置偏離。特別是，具備由複數個配置於晶圓支撐部之接觸面上的開口吸附周圍之氣體，而使壓力降低使晶圓吸附於接觸面上之構成。

另外，在真空搬送機器人108、真空搬送機器人109之載置晶圓的臂部前端部之晶圓支撐部，取代吸附之實施，改為在支撐部上配置和晶圓相接用以抑制位置偏移的凸部、突起、或銷，據以抑制臂部動作所導致晶圓之偏移。另外，為了抑制此種位置偏移，抑制臂部之動作速度或速度變化之比例(加速度)，結果，在同一距離之晶圓搬送中，真空搬送機器人108、真空搬送機器人109需要較長時間，真空側區塊102側之搬送效率變為較低。

本實施形態之彼等真空搬送機器人108、真空搬送機器人109，係具備：2個可以獨立控制之第1臂部、第2臂部，其分別由複數個關節所連結之小臂部構成，用於載置晶圓。彼等第1、第2臂部，係和在各搬送室內之中央部配置於上下方向(圖面上紙面方向)的旋轉於軸周圍的基部呈連結，相對於成為目標之真空處理單元103A～103C或真空搬送中間室112、隔絕室105，被旋轉驅動而使各臂部旋轉於關節周圍而伸長或收縮，如此而將載置於臂部前端部之晶圓予以搬送。另外，針對目標而進入2個臂部之其中一方臂部載置1片晶圓而收縮之後，連續地使載置於另一方晶圓上之其他晶圓進入目標而進行傳遞、搬入之動作，如此則，可對應於目標進行替換2個不同晶圓之動作。

另外，構成本實施形態之真空處理裝置100之上述大氣側區塊101、真空側區塊102之各部分，係介由通信手段可以通信而連結於未圖示之控制部121。控制部121，係由介由上述通信手段在彼等各部之間檢測各部動作的檢測器，接受其之輸出，將內部之運算器所算出之用於指令各部之動作的信號予以送出。

控制部121，係具備：運算器，用於算出上述指令，或由記憶於內部之資訊來選擇指令之資訊；記憶裝置，用以記憶記述運算或各部之動作的程式或資料；輸出入用介面，用於接收來自檢測器之信號，該檢測器用於檢測信號或配置於各部之動作狀態。彼等係藉由通信手段連結成為可通信。另外，構成為可以和主電腦通信，該主電腦係針對在設置真空處理裝置100之潔淨室等建物內用於收納晶圓之晶舟(cassette)之搬送動作進行控制，亦可構成為由指令動作之主電腦之信號來加以選擇或設定，對各閉發出信號，將接收之真空處理裝置100之各部之感測器之上述信號發送至主電腦。

以下說明之本實施形態係表示，真空側區塊102內之搬送時間較大氣側區塊101內之搬送時間為長之狀態下，在經由構成彼等區塊之真空搬送室、中間室或真空處理室之搬送路徑上，減低晶圓於該搬送路徑上之搬送時間而提升處理效率者。另外，係表示減低各真空處理單元內處理晶圓時使用之處理氣體等之環境，和流入其他真空處理單元內或在其他真空處理單元內處理晶圓時使用之處理氣體等之環境之接觸(以下稱污染)。另外，各真空處理單元內進行晶圓處理之時間，係和彼等搬送時間同一程度以下，就真空處理裝置100全體之單位時間之晶圓處理數而言，搬送時間之影響更大，特別是具有支配性影響。

以下說明該真空處理裝置100中進行晶圓處理之動作。

晶舟台107之任一之上載置之晶舟內收納之複數晶圓，係接受來自控制部121之指令，或來自設置真空處理裝置100之生產線之主電腦等控制裝置之指令，而開始其處理。例如接受來自控制部121之指令的大氣搬送機器人110，係由晶舟內取出晶舟內之特定晶圓，將取出之晶圓搬送至隔絕室105。此情況下，於和框體106內部或內部形成有向下氣流之搬送室呈連通而配置之定位裝置之中，進行晶圓中心周圍之特定逞所知方向位置後，將其搬送至隔絕室105亦可。

在晶圓被搬送予以收納的隔絕室105，係在收納所搬送之晶圓之狀態下，在面對框體106內部之搬送室之側，用於開/閉隔絕室105與框體106摁之搬送室之間的閥120a，係被關閉。於此狀態下，配置於第1真空搬送室104側之端部的閥120b被氣密閉塞時，隔絕室105內部成為被密閉，維持該密閉狀態減壓至特定壓力。內部藉由上述排氣手段被排氣而減壓至和第1真空搬送室104內部之搬送室同等真空度之後，配置於面對隔絕室105之第1真空搬送室104側之端部的關閉閘門用的閥120b將被開放，使隔絕室105和第1真空搬送室104內之搬送室呈連通。

第1真空搬送機器人108，係於中心部之軸周圍被以特定角度旋轉驅動，使臂部之前端部面對隔絕室105，伸張一方之臂部而進入隔絕室105內，藉由該臂部前端部之晶圓支撐部來受取隔絕室105內之晶圓，而取出至(搬出)第1真空搬送室104內。另外，第1真空搬送機器人108，係使載置於其臂部之晶圓，沿著該晶圓由晶舟驅出時控制部121所事先指定之搬送路徑，搬入第1真空搬送室104所連接之真空處理單元103A或真空搬送中間室112之任一。另外，被搬入真空搬送中間室112內之晶圓，之後，係藉由第2真空搬送室111具備之第2真空搬送機器人109由真空搬送中間室112被搬出至第2真空搬送室111，被搬入上述事先設定之搬送路徑目的地之真空處理單元103B、103C之任一。

晶圓被搬送至指定目標之任一真空處理單元之後，用於關閉和該真空處理單元連接之第1真空搬送室104或第2真空搬送室111之間的閥120C、120f、120g之任一將被關閉，使該真空處理單元內部之處理室對於搬送室被氣密密封。之後，將處理用氣體導入該處理室內，調節該處理室內成為適合處理之壓力。由配置於該真空處理單元上部之電場、磁場之產生單元，將電場、磁場供給至該處理室內，藉由彼等電場、磁場激發處理用氣體而於該處理室內形成電漿來處理晶圓。

本實施形態中，處理晶圓的真空處理單元與其所連結之真空搬送室之間之關閉用的閥120C、120f、120g，係接受來自各控制部121之指令，使包含該真空搬送室在內其所連結、連通之空間，在可開放/閉塞之閥120a~g之中其他閥被閉塞狀態下予以開放。例如，控制部121，係在將真空處理單元103B與其所連結之第2真空搬送室111之間予以區分的閥120f之開放前，以使真空處理單元103B內之處理室與其他真空處理單元103C內之處理室不被連通的方式，針對連通各個處理室與第2真空搬送室111內使晶圓通過內部被搬送的閘門上配置之閘門之開/閉用的閥120g之任一，下達指令以進行閉塞之動作或閉塞之確認動作，其被檢測出或確認之後，針對密閉真空處理單元103B之閥120f下達開放動作之指令。

當檢測出晶圓由第2真空搬送室111內被搬出時，在確認真空處理單元103B、103C與第2真空搬送室111之間之閥120f、g被密閉兩者間被氣密密封之後，將真空搬送機器人109處理完畢之晶圓搬入傳送至，真空搬送中間室112內之平台之晶圓支撐部之上下之任一位置。之後，檢測出第1真空搬送室104內部被氣密密封，對應於控制部121之指令，使第1真空搬送室104與真空搬送中間室112之間之開閉用閥120d設為開放，真空搬送機器人108係將保持於真空搬送中間室112內之晶圓保持部的處理完畢之晶圓，搬出至第1真空搬送室104內部，該晶圓係和被搬入第1真空搬送室104內之相反之搬送褲竟被搬送至隔絕室105內。

處理完畢之晶圓被搬送至隔絕室105之後，隔絕室105與第1真空搬送室104之搬送室之連通通路之開閉用閥120b被設為關閉，隔絕室105內之壓力，係和該晶圓搬入時相反而由和第1真空搬送室104內同等真空度之壓力(真空壓)上升至大氣壓。之後，壓力確認之後對應於控制部121之指令，使框體106內側與隔絕室105內部之間之區分用閥120a設為開放，隔絕室105內部與框體106內部成為連通，大氣搬送機器人110由隔絕室105內部取出處理完畢之晶圓，搬送至原來之晶舟，載置於晶舟內之原來位置。

上述動作，係依據晶舟內收納之每一晶圓，針對控制部121或主電腦使定之真空處理單元103A～103C，在同樣事先指定之搬送路徑上由晶舟被取出、搬入、處理後予以搬出、回至原來之晶舟之原來位置的回復動作，在上述事先指定之數目或晶舟內收納之未處理晶圓不存在為止重複被進行。當檢測出事先設定之晶舟之各晶圓之處理終了，晶圓回至處理完畢之全部晶舟後，受信來自控制部121之信號的主電腦，係針對收納有未處理晶圓之其他晶舟之搬送、或者晶舟台107上之其他晶舟內收納之未處理晶圓之處理，對控制部121下達指令以使處理動作繼續。或者，當控制部121或主電腦，檢測出各真空處理單元103A～103C之至少一方到達特定之晶圓之處理數目，或者處理之累計時間到達事先設定之值時，會由彼等之至少一方送出信號，以下達進行該真空處理單元之維修動作之指令，該真空處理單元或真空處理裝置100全體之晶圓之處理之運轉、動作被停止，而實施維修檢測。另外，為對使用者通知應實施該維修檢測，而在設置成為可和控制部121通信之監控器等顯示手段上，報告維修檢測之動作或其之要否亦可。

以下使用圖2-4說明上述真空處理裝置100之晶圓搬送及處理之動作。圖2表示圖1之實施形態之真空側區塊之構成概略模式之擴大圖。特別是，將第1真空搬送室104、第2真空搬送室111及其周圍連結之真空處理單元103A～103C、隔絕室105、真空搬送中間室112之部分予以擴大表示，大氣側區塊101之構成被省略其圖示。

第1真空搬送機器人108具備第1臂部201及第2臂部202，彼等臂部之構成係具備：複數個小臂部，其之前端部之載置部之上面用於載置、搬送晶圓；及複數個關節部，用於連結、驅動彼等小臂部。本實施形態中，臂部為2個，但亦可為3個或4個之複數個。第1真空搬送機器人108之彼等第1、第2臂部201、202，係同時且同一方向進行上下方向之旋轉方向、上下之高度方向之動作。藉由上述複數個關節部個別不同之驅動，可以獨立控制各臂部之伸縮動作。

各臂部之伸縮動作，在一方臂部伸縮之後，和開始收縮動作之同時，可以並行進行另一方臂部之伸縮動作。另外，彼等2個臂部可於同一方向進行此種動作。藉由此一構成，如圖2所示第1、第2真空搬送機器人108、109,在其中一方臂部保持未處理晶圓時，針對任一搬送對象所保持之處理完畢之晶圓，與真空搬送機器人108、109保持之未處理晶圓，藉由抑制在基部之軸周圍之旋轉動作可以進行替換，可以提升晶圓之搬送效率及能力。

以下依據圖2-4說明：使未處理晶圓由隔絕室105至第1真空搬送室104、或介由真空搬送中間室112及第2真空搬送室111至彼等所連結之任一真空處理單元103A～103C進行搬送實施處理後，將處理完畢之晶圓搬送至隔絕室105回復時之真空處理裝置100，特別是，真空側區塊102之動作。又，於此稱呼第1真空搬送室104所連結之真空處理單元為真空處理室A，稱呼連結於第2真空搬送室111，而且在真空處理室A由隔絕室偏置於深度方向之位置，被連結於第2真空搬送室111之真空處理單元為真空處理室B，在真空處理室B對向之一面相當的第2真空搬送室111之側壁被連結之真空處理單元為真空處理室C。

又，本實施形態中，對應於控制部121之指令而使各真空處理單元與真空搬送室內之搬送室之間連通用的閘門進行開/閉之閥，係排他性動作。特別是，針對同一真空搬送室連結之複數個真空處理單元，在一方之閥成為開放狀態時，另一方真空處理單元之閥係成為閉塞之氣密密封狀態，如此而予以調節。又，於彼等圖中，於閥120a～120g被標記×符號時表示該閥處於閉塞狀態，無標記時表示開放狀態，藉由閘門被開放而表示兩端側之空間或室被連通。

圖2表示未處理晶圓配置於隔絕室105內之狀態下，第1真空搬送室104內第1真空搬送機器人108伸長第1臂部201使其前端部進入隔絕室105內，而在其和內部配置之保持部之間進行晶圓之搬出入之狀態。另外，於第2真空搬送室111，係成為第2真空搬送機器人109伸長第1臂部203使其前端部進入真空處理單元103B內，在內部處理室進行晶圓之搬出入之狀態。

於圖2，在第1、第2真空搬送室104、111之間，彼等之間配置之真空搬送中間室112之裝置之前後方向(圖上之上下方向)之前端部所配置之閥120d，係將連通真空搬送中間室112與第1真空搬送室104之間的閘門予以氣密密封。於此一狀態下，圖上閥120d下方之第1真空搬送室104側與上方之第2真空搬送室111側係被氣密分隔。特別是，在閥120d被閉塞狀態下，將第1、第2真空搬送室104、111所連結之真空處理單元103A～103C與隔絕室105之間之閘門之開/閉用的其他閥120b、c、f、g設為閉塞狀態，如此則，2個真空搬送室被真空氣密密封，而由真空處理單元103A～103C、隔絕室、其他真空搬送室被氣密分隔。

本實施形態中，在閥120b之閉塞狀態被維持狀態下，真空處理單元103A與真空處理單元103B、C之任一，可使獨立實施處理與動作而被連結的第1、第2真空搬送室104、111之間之閘門之開/閉，不受另一方動作之影響。例如本圖中，第1、第2真空搬送室104、111之間之閥120d將2個區塊予以氣密區隔之狀態下，本實施形態之真空處理單元103B與第2真空搬送室111之間之閘門之開/閉用閥120f雖被開放，但同樣真空搬送室之真空處理單元103C與第2真空搬送室111之間之閥120g被閉塞。

此狀態下僅第2真空搬送室111內部與真空處理單元103B內部之處理室之間被連通。本實施形態中，第1、第2真空搬送室104、111內之壓力與真空處理單元103A～103C內部之處理室內壓力，在連結彼等之閘門之開/閉用閥120c、f、g之其中至少一個被開放之前，係使前者之值大於後者之值而對應於控制部121之指令予以調節。亦即，本實施形態中，於真空處理單元103A～103C，作為對個別內部之處理室內排氣用的排氣裝置，而使渦輪分子泵及配置於其排氣流下流側之旋轉泵等之粗吸引泵被連通、連結於處理室內。另外，於第1、第2真空搬送室104、111被連通配置粗吸引泵之入口。於處理室內藉由渦輪分子泵之動作，可以排氣減壓至較粗吸引泵更低壓力(高真空度)而構成。

配置於彼等第1、第2真空搬送室104、111周圍的閥120b、c、f、g，係在真空搬送中間室112之閥120d、e成為閉塞狀態，第1、第2真空搬送室104、111之間被氣密分隔狀態下，於被分隔之各區塊僅使配置於各搬送室周圍之閥之任一對應於控制部121之指令成為開放而予以調節。如此則，在設定上述閥120c、f、g之任一為開放狀態，第1、第2真空搬送室104、111內之氣體或粒子會朝連通之真空處理單元A～103C內部之處理室移動，可以抑制相反地由處理室朝第1、第2真空搬送室104、111側之移動。

例如於圖2，閘門120d被閉塞，第1真空搬送室104與其所連結之隔絕室105之間之閥120b被設為開放狀態，第1真空搬送機器人108被驅動，晶圓在其與隔絕室105之間進行處理。另外，於此狀態下，第2真空搬送室111與其所連結之真空處理單元103B之間之閥120f被設為開放狀態，第2真空搬送機器人109被驅動，在與內部處理室之間進行晶圓之處理。特別是，第2真空搬送機器人109將各個晶圓載置於第1臂部203及第2臂部204上，進行處理完畢之晶圓與未處理晶圓之替換。

本圖中表示由隔絕室105搬出未處理晶圓而搬入真空處理單元103A或B之行程。於該行程，控制部121，係在隔絕室105內收納未處理晶圓之狀態下，當檢測出位於第1真空搬送室104周圍之閥120b～d處於閉塞狀態後，針對閥120b下達開放動作之指令。

另外，調節第1真空搬送機器人108之動作，於第1臂部201上受取晶圓而收縮，將晶圓搬入搬送室內之後，設定閥120b成為氣密閉塞。之後，對應於目標之真空處理單元103A～103B之任一使臂部旋轉於基部之軸周圍而對向於其他閥120c、d。

目標為真空處理單元103A時，朝向閥120c旋轉特定位置停止之後，開放閥120c，將晶圓搬入該單元內之處理室。另外，於該處理單元內之處理室存在處理完畢之晶圓時，首先，驅動第2臂部將處理完畢之晶圓由處理室搬出將未處理晶圓搬入處理室內，在與處理室內之試料台之間收/送未處理晶圓。如上述說明，本實施形態中，第1、第2臂部201、202或203、204，對於任意目標之搬入/搬出之伸縮可以並行進行而構成。

另外，目標為真空處理單元103B時，第1真空搬送機器人108，係使臂部上之晶圓朝向閥120d旋轉特定位置停止之後，開放閥120d，使第1真空搬送室104與真空搬送中間室112連通。此時，控制部121，係針對事先分隔之第2真空搬送室111側之區塊檢測出閥120e～g之閉塞適當否。

真空處理單元103B、C之間之閥120f、g被閉塞，或者第1真空搬送機器人108對真空搬送中間室112內之晶圓之搬入之間，被檢測出上述各處理單元之處理未終了而可以維持閉塞時，第1真空搬送室104側之區塊之閥120b、c被閉塞，因此可以使第1、第2真空搬送室104、111與真空搬送中間室112內部連通成為1個氣密之分隔部。於此，可將閥120d開放，連同閥120e而在晶圓對真空搬送中間室112內部之搬送期間維持於開放狀態。

當真空處理單元103B、C之處理在第1真空搬送機器人108對真空搬送中間室112內進行未處理晶圓搬送期間終了而預想閥120f、g之至少一方成為可以開放之時刻時，控制部121，係藉由閉塞閥120e而在第1、第2真空搬送室104、111之間分隔出真空側區塊102之內側。藉由閥120e之氣密閉塞，即使閥120d處於開放狀態時，可以抑制彼等被分隔之兩者間之氣體由一方作用於另一方，可以減低對各處理單元之處理之影響。

如此則，各處理單元或被分隔之區塊間之相互作用所導致晶圓之異物產生，污染之產生可以被抑制。特別是，在第1、第2真空搬送室104、111所連結之真空處理單元103A及103B、C，處理調價之差異，並行處理不同膜種之膜構造時，一方處理之生成物或殘留物、氣體會影響另一方處理對象之晶圓，引起所謂交互污染，有可能導致處理良品率下降，或效率降低。藉由上述構成可以減低此種問題之產生。

在閥120e成為閉塞狀態下開放閥120d而將未處理晶圓搬入、受讓於真空搬送中間室112內之上方之保持部之位置。此時，真空搬送中間室112內之氣體或粒子會流出至第1真空搬送室104內，但該真空搬送室外周之閘門被閥120b、c閉塞，該流出對於其他真空處理單元103A或隔絕室105之影響會被抑制。此時，處理完畢之晶圓被收納於真空搬送中間室112內之保持部上部之位置時，藉由第2臂部202搬出處理完畢之晶圓之後，藉由第1臂部之動作，可使未處理晶圓收納於該中間室。

第1真空搬送機器人108之第1臂部201收縮而由真空搬送中間室112內退出。對應於控制部121之指令使閥120d被閉塞。之後，第2真空搬送室周圍之閘門之開/閉用之閥120f、g之閉塞被檢測出，控制部121在維持彼等之閉塞狀態下設定閥120e成為開放狀態。此時，真空搬送中間室112內之空間被連通於第2真空搬送室111內。

於此狀態下，藉由閥120d而構成和真空側區塊102之前側區塊被氣密分隔之後方空間。在閥120d、120e被閉塞之狀態下，在設有用於排氣內部之開口，而且於彼等閥之閉塞中由該開口未實施排氣時，和彼等閥之其中至少之一之閉塞前比較，內部之壓力係成為同等或上升之值，因此藉由閥120e之開放而產生由真空搬送中間室112流向第2真空搬送室111之氣流。此時，第2真空搬送室111周圍之閥120f、g被閉塞，僅對第2真空搬送室111內有影響。另外，當閥120f被開放時藉由第2真空搬送機器人109之動作無須開/閉閥120e，可將未處理晶圓搬出而和真空處理單元103B內之處理完畢之晶圓進行替換。

另外，於真空處理單元103A～C針對同種之膜構造配置於上面之晶圓以同等處理條件進行處理時，可以判斷任一處理單元之處理所產生之生成物或殘留氣體對其他處理單元之影響低。此情況下，閥120b、c、f、g，在上述真空搬送中間室112之閥120d、e處於開放狀態時，係被維持於閉塞狀態。

亦即，第1、第2真空搬送室104、111與真空搬送中間室112合成之內部空間基於上述閥120b、c、f、g之氣密密封其外周而成為1個空間，被分隔成為室。亦即，真空搬送中間室112與其所連結之第1、第2真空搬送室104、111之間具備之閥120d、e被設為開放狀態，真空側區塊102側具備之複數個真空處理單元103A～C之其中之一之閥被設為開放狀態，朝隔絕室105搬出時，配置於真空搬送中間室112前後端部之閥120d、e被控制成為開放狀態，如此則，藉由第2真空搬送機器人109將真空處理單元B之處理完畢晶圓搬出後，可以迅速搬入中間室，進行和第1真空搬送機器人所搬入未處理晶圓之交換，可提升搬送效率。

圖3表示圖1之實施形態之真空處理裝置中，連結配置於真空搬送中間室112之圖上上下端部，第1與第2真空搬送室104、111之間之連通用閘門之開/閉用的閥120d、e處於開放狀態之模式圖。特別是表示在上述真空處理裝置100之真空側區塊102，第1真空搬送機器人108之第1臂部201伸長將晶圓搬入真空搬送中間室112，第2真空搬送機器人109伸長第1臂部203，而由真空搬送中間室112搬出另一晶圓之狀態。

圖中，第1真空搬送機器人108之第1臂部201與第2真空搬送機器人109之第1臂部203，係分別在配置於不同高度位置的保持部之保持場所之間進行晶圓之收/送。如上述說明，位於第1、第2真空搬送室之外周，在內部與真空處理單元103A～C及隔絕室105之間進行開/閉用的閥120b、c、f、g係被閉塞，真空搬送中間室112之前後端部進行開/閉用的閥120d、e呈開放狀態，將前後2個真空搬送室予以連結而構成保持為1個氣密分隔部。

於圖3，對應於控制部121之指令，真空處理單元103A、真空處理單元103B及真空處理單元103C之任一，其與各個處理單元所連結之第1、第2真空搬送室104、111之間之各閥120b、c、f、g係被閉塞保持於密封狀態，真空搬送中間室112之兩端與其連結之真空搬送室之間具備之閥係維持於開放狀態。亦即，真空側區塊102側具備之複數真空處理單元103A～C，與其所連結之搬送室之間具備之閥被閉塞，任一處理單元亦被密封時，真空搬送中間室112與其所連結之搬送室之間具備之閥120d、e係保持於開放狀態，在一方搬送室與另一方搬送室之間進行晶圓之搬出入時，在具備保持部之中間室兩端所配置之閥之開/閉將被抑制，可減少搬送所要時間，提升處理之全體效率。

另外，上述晶圓介由真空搬送中間室112之晶圓保持部在上述前後搬送室間之搬出入動作期間，於任一真空處理單元103A～C之處理終了，彼等與搬送室間之閥120c、f、g成為可以開放狀態，或者收納未處理晶圓之隔絕室105被排氣，減壓至特定壓力之動作終了，閥120b成為可以開放狀態等事實由控制部121或主電腦加以判斷時，係對應於彼等指令而將真空搬送中間室112前後端之閥120d、e之其中至少之一予以閉塞。本實施形態中，係將閥120d予以閉塞，必要時將閥120e予以閉塞。

例如，於控制部121判斷真空處理單元103A之處理終了，閥120c為開放可能狀態時，控制部121係將未處理晶圓收納於真空搬送中間室112內之後，關閉閥120d，於該閥之場所將真空側區塊102前後予以氣密分隔。之後，依據控制部121之指令使閥120c開放，藉由第1真空搬送機器人108之一方之臂部將真空處理單元103A內之處理完畢晶圓搬出，關閉閥120c。此時，真空處理單元103A之處理對象之未處理晶圓存在於另一方之臂部時，進行與其之替換。

在位於真空處理裝置100前方側之被分隔之空間區塊進行上述動作之間，在包含第2真空搬送室111之被分隔之後方空間，可以藉由第2真空搬送機器人109並行進行搬送動作。亦即，可以進行真空處理單元103B、C之任一之處理完畢晶圓之搬出、或未處理晶圓與處理完畢晶圓之替換。

收納於真空搬送中間室112內之晶圓，係配置於藉由閥120d被分隔之包含第2真空搬送室111的後方之被氣密分隔之區塊，成為等待被搬出至目標之真空處理單元103B、C或前方之第1真空搬送室104之狀態。在處理完畢晶圓被收納於真空搬送中間室112內之待機之間即使閥120f、g被設為開放狀態，如上述說明，係以在真空搬送中間室112及第2真空搬送室111以及真空處理單元103B或C內之處理室之各個壓力可以形成壓力差的方式而構成，因此可抑制異物之產生。

圖4表示，第1真空搬送室104側與第2真空搬送室111側被真空搬送中間室112前後之任一予以閉塞而作為被氣密分隔之各區塊之狀態下，對應於各區塊針對真空處理單元103A、B進行晶圓搬送之動作狀態之模式圖。圖中表示第1真空搬送機器人108伸長第1臂部201而將晶圓搬入真空處理單元103A，第2真空搬送機器人109則伸長第1臂部203而將晶圓搬入真空處理單元103B之狀態。

如圖1所示，真空處理單元103A與真空處理單元103B係在個別連結之搬送室之間之閥120c、f呈開放狀態下，以使真空搬送中間室112與第1真空搬送室104之間具備之閥120d保持於閉塞狀態而被控制。亦即，挾持真空搬送中間室112而被連結之不同搬送室所連結之處理單元內部與搬送室內係呈連通，而於該處理單元進行晶圓之搬送時，各處理單元索連接搬送室之間被連結之中間室之兩端位置配置的發之其中之一方係控制成為閉塞狀態。

特別是，本實施形態中，前方側之第1真空搬送室104與真空搬送中間室112之間之閥120d被維持於閉塞狀態。於該狀態下，閥120e之開放狀態被維持，於後方側被分隔區塊中，真空處理單元103B與第2真空搬送室111之間之閥120f呈開放狀態。之後，控制部121下達指令，使第2真空搬送機器人109之第2臂部204進入內部處理室，於其臂部受取處理完畢晶圓之後，收縮臂部由處理室退出而將晶圓搬出。

之後，第2真空搬送機器人109係對應於控制部之指令，使載置未處理晶圓之第1臂部203之前端部進入真空處理單元103B內之處理室，於該內部處理室之試料台受取該晶圓之後，收縮臂部而退出。另外，第2真空搬送機器人109，係旋轉於基部周圍而使載置處理完畢晶圓之第2臂部204之前端部面對真空搬送中間室112，伸長第2臂部204將晶圓搬入，傳遞至真空搬送中間室112內下方之保持部。處理完畢晶圓係於閥120d之閉塞狀態下於真空搬送中間室112內等待對第1真空搬送室104之搬出。

其間，第1真空搬送室104內之第1真空搬送機器人108，係伸長第1臂部201將其前端部保持之未處理晶圓搬入真空處理單元103A內之處理室內，此係和處理室內之試料台上面受取之搬入動作並行進行。第1臂部201收縮退出之後，閥120c被閉塞，第1真空搬送室104基於周圍配置之閥120b、c被閉塞使內部被氣密分隔。

控制部121檢測出隔絕室105之內部減壓終了，閥120b成為可以開放狀態時，第1真空搬送機器人108係使被旋轉區區4餘基部周圍之第2臂部202面對隔絕室105。之後，閥120b被開放，第2臂部202被伸長驅動，處理完畢晶圓被搬入隔絕室105內。當檢測出第2臂部202推出後，閥120b被閉塞，隔絕室105內部之升壓開始以備對大氣側之搬出。

當控制部121依據真空處理單元103A之處理動作及隔絕室105之減壓行程之預定資訊，判斷處理完畢晶圓可由真空搬送中間室112搬出至第1真空搬送室104時，例如，判斷上述處理之動作及減壓終了時刻未達搬出動作之終了時，係下達指令而實施閥120e之閉塞。

如此則，真空搬送中間室112內部備設定成為於其前後被氣密分隔之狀態，在閥120e與閥120b、c之閉塞備維持之狀態下，進行閥120d之開放。於閥120d之開放時，真空搬送中間室112內之氣體會流入第1真空搬送室104內，但因為閥120b、c被閉塞，可以抑制對彼等內部或內部之晶圓之影響。

對應於控制部121之指令，第1真空搬送機器人108係於基部之軸周圍被旋轉驅動而面對真空搬送中間室112停止後，進行第2臂部202之伸長驅動使由真空搬送中間室112內下方之保持部受取處理完畢晶圓，進行第2臂部202之收縮驅動而搬出真空搬送中間室112外。當檢測出第2臂部202之收縮終了，由真空搬送中間室112之晶圓搬出終了後，閥120d被閉塞，第1真空搬送室104內部被氣密分隔。

之後，第2真空搬送室111周圍之閥120f、g之閉塞狀態被檢測出之後，將其予以維持之同時，閥120e被設為開放狀態。於此狀態下，藉由閥120d將真空側區塊102予以氣密分隔成為前方側與後方側之區塊，於被分隔之各區域可以並行實施晶圓之處理與搬送動作。

本實施形態中，挾持真空搬送中間室112而被連結之第1、第2真空搬送室104、111之間介由真空搬送中間室112進行晶圓之搬送中，配置於其前後端部用於開/閉閘門的閥120d、e，其一方被維持於閉塞狀態，另一方被維持於開放狀態，晶圓被搬入真空搬送中間室112內將另一方之一端閉塞之後，將一方予以開放而搬出晶圓，如此而使晶圓由另一方側之真空搬送室移動至一方側之真空搬送室。由前方側至後方側之被分隔之區域進行晶圓之搬送時，係在前方側之閥120d閉塞狀態下將後方側之閥120e之一端予以閉塞之後，開放前方側之閥將晶圓由前方側區域內搬入真空搬送中間室112內。之後，閉塞前方側之閥120d之後，開放後方側之閥120e而將晶圓搬出後方側之被分隔之區域，如此而進行晶圓之移送。

於彼等動作時，係在和配置於第1、第2真空搬送室104、111外周側之真空處理單元103A～C或隔絕室105之間的閥120b、c、f、g被維持於閉塞狀態下進行。另外，在真空處理單元A～C內部之各處理室針對具有同種膜構造之晶圓於同等處理條件下予以處理時，於彼等閥之閉塞被維持，真空搬送中間室112之前後端部配置之閥120d、e並列維持於開放狀態，而作為第1、第2真空搬送室104、111及真空搬送中間室112被連結被氣密分隔之區域與以維持之同時，於彼等之間搬送晶圓亦可。

於上述實施形態中，複數真空處理單元103A～C之其中之一之內側處理室內之處理伴隨產生的，處理氣體等之環境與另一方處理單元內之環境或內部構件或於此被處理之預定之或者處理完畢之晶圓之接觸可以被抑制，晶圓之異物或污染之產生可以被抑制。另外，各真空處理單元或真空搬送室、真空搬送中間室等之真空側區塊之保養、威之時間或頻度可以減少，處理效率可以提升。另外，晶圓搬送所要時間可以減少，處理效率可以提升。

101．．．大氣側區塊

102．．．真空側區塊

103．．．真空處理單元

104．．．第1真空搬送室

105．．．隔絕室

106．．．框體

107．．．晶舟台

108．．．第1真空搬送機器人

109．．．第2真空搬送機器人

110．．．大氣搬送機器人

110．．．大氣搬送機器人

111．．．第2真空搬送室

112．．．真空搬送中間室

120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g．．．閘門閥

121．．．控制部

201、203．．．第1臂部

202、204．．．第2臂部

圖1表示本發明實施形態之真空處理裝置全體構成概略說明之上面圖。

圖2表示圖1之實施形態之真空搬送室之擴大之橫斷面圖。

圖3表示圖1之實施形態之真空搬送室之擴大之橫斷面圖。

圖4表示圖1之實施形態之真空搬送室之擴大之橫斷面圖。

100．．．真空處理裝置

101．．．大氣側區塊

102．．．真空側區塊

103A～103C．．．真空處理單元

104．．．第1真空搬送室

105．．．隔絕室

106．．．框體

107．．．晶舟台

108．．．第1真空搬送機器人

109．．．第2真空搬送機器人

110．．．大氣搬送機器人

111．．．第2真空搬送室

112．．．真空搬送中間室

120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g．．．閥

Claims (7)

1. 一種真空處理裝置，具備：第1及第2真空搬送容器，其具有第1及第2真空搬送室，晶圓被搬送至該第1及第2真空搬送室各自的被減壓之內部；第1及第2真空處理容器，其係各自連結於上述第1及第2真空搬送容器，且內部之第1及第2處理室各自連通於上述第1及第2真空搬送室，而在此等的內部在相同條件下處理上述晶圓；中間室容器，其係配置於上述第1及第2真空搬送容器之間，可在配置於其內部之收納室中收納上述晶圓；隔絕室，其係連結於第1真空搬送容器，且其內部連通於該第1真空搬送容器的內部之上述第1真空搬送室；第1及第2機器人，該第1機器人係配置於上述第1真空處理室的內部，而在上述隔絕室與上述第1真空處理室或上述中間室容器內的收納室之間搬送上述晶圓，該第2機器人係配置於上述第2真空處理室的內部，而在上述第2真空處理室與上述收納室之間搬送上述晶圓，該第1及第2機器人各自具有可載置並搬送上述晶圓的複數之臂部，在將一個上述晶圓載置於一個上述臂部之狀態下，在將該晶圓之搬送目的地的內部之上述晶圓載置於另一個上述臂部而取出後，將載置於上述一個臂部之上述晶圓搬送至該搬送目的地內，而對此搬送目的地進行未處理的上述晶圓與處理完畢的上述晶圓之更換動作； 複數之閥，包含第1真空搬送室用的閥及第2真空搬送室用的閥，該第1真空搬送室用的閥係配置於上述第1真空搬送容器、上述第1真空處理容器、上述中間室容器、及上述隔絕室之間，連通此等之間，而將其內部開放為搬送上述晶圓之通路，並在通過該通路搬送上述晶圓之後氣密地密封而閉塞，該第2真空搬送室用的閥係配置於上述第2真空搬送容器、上述第2真空處理容器、上述中間室容器之間，連通此等之間，而將其內部開放為搬送上述晶圓之通路，並在通過該通路搬送上述晶圓之後氣密地密封而閉塞；以及控制單元，其控制利用上述第1機器人之上述晶圓的搬送、及透過上述第1及第2真空搬送室之上述第2真空處理室與上述隔絕室之間的利用上述第1機器人及上述第2機器人之上述晶圓的搬送、及上述複數之閥的開閉，並在上述晶圓的搬送中，一邊保持上述複數之閥之中的配置於上述第1及第2真空搬送容器之間的任一閥的上述閉塞，一邊實施上述第1真空搬送室用的閥之中的一個的上述開放及閉塞之排他性動作與上述第2真空搬送室用的閥的一個的上述開放及閉塞之排他性動作；其中，上述第1及第2真空搬送容器係僅透過該中間室容器而連結，在配置於上述隔絕室內之複數個未處理的上述晶圓依序經由通過上述第1真空搬送室之路徑而被搬送至上述第1處理室作處理、或經由通過上述第1真空搬送室、上述中間室容器及上述第2真空搬送室之路徑而被 搬送至上述第2處理室作處理之後，使該處理後之上述晶圓經由原路徑返回上述隔絕室。
2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中在將上述複數之閥之中在上述第1處理室與上述第1真空搬送室或上述第2處理室與上述第2真空搬送室之間的上述閥作開放之前，將在上述中間室容器內部的上述晶圓之收納室與上述第1真空搬送室及上述第2真空搬送室之間所配置的上述閥之任一者閉塞。
3. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中在將上述第1真空處理容器與上述第1真空搬送容器或上述第2真空處理容器與上述第2真空搬送容器之間之上述閥設為氣密閉塞之後，將關閉之上述第1或第2真空搬送容器之間之上述閥設為開放。
4. 一種真空處理裝置，其特徵為具備：搬送通路，於其被減壓之內部進行晶圓之搬送；第1及第2真空處理室，係在和該搬送通路內呈連結、連通、被減壓之內部進行上述晶圓之處理；第1及第2閥，用於將彼等真空處理室與上述搬送通路之間之連通，設為開放或氣密密封而予以閉塞；第3閥，配置於上述搬送通路上之第1與第2閥之間，用於將該搬送通路設為開放或氣密密封而予以閉塞；及控制部，在上述第1或第2閥之開放之前，發出指令據以設定上述第3閥為氣密閉塞。
5. 如申請專利範圍第4項之真空處理裝置，其中具備：第4閥，配置於上述搬送通路上之上述第3閥 與上述第2閥之間，用於將該搬送通路設為開放或氣密密封而予以閉塞；上述控制器，係發出指令而在設定上述第1或第2閥為開放之前，設定上述第3或第4之任一閥為氣密閉塞。
6. 如申請專利範圍第5項之真空處理裝置，其中上述控制器，係在上述第1或第2閥被氣密閉塞之後，發出指令而將關閉之上述第3或第4閥設為開放。
7. 如申請專利範圍第5或6項之真空處理裝置，其中在上述第3與第4閥之間可以收納上述晶圓。