TWI444501B - 用於低溫ｐｅｃｖｄ應用之基座加熱器 - Google Patents

Description

用於低溫PECVD應用之基座加熱器

本發明之實施例大體上是關於一半導體處理腔室，更具體地，是關於用於一半導體處理腔室之加熱支撐基座。

半導體處理牽涉到一些不同的化學和物理製程，藉此在基材上產生微小的積體電路。構成積體電路的材料層藉由化學氣相沈積、物理氣相沈積、磊晶生長等而產生。某些材料層使用光阻劑遮罩以及濕或乾蝕刻技術圖案化。用於形成積體電路的基材可以是矽、砷化鎵、磷化銦、玻璃或其他適當的材料。

在積體電路之製造中，電漿製程常用於不同材料層的沈積或蝕刻。電漿處理提供許多優於熱處理的優點。舉例來說，電漿增強化學氣相沈積(PECVD)允許沈積製程在比類似熱製程中可達到的更低溫度以及更高沈積率下執行。因此，PECVD對具有嚴格熱預算之積體電路製造來說是有利的，例如，非常大型或超大型積體電路(VLSI或ULSI)裝置之製造。

用在這些製程中的處理腔室典型包含一配置在其中之基材支撐件或基座，以於處理期間支撐基材。在某些製程中，基座可包含一嵌入式加熱器，其適於控制基材溫度及/或提供可用在製程中之上升的溫度。習用地，基座可由陶瓷材料製成，其通常提供所需的裝置製造結果。

不過，陶瓷基座產生許多挑戰。這些挑戰之一在於由於基座製造成本佔工具成本相當大一部分，而使經營成本升高。此外，使用陶瓷封裝加熱器無法屏蔽加熱器免於可用在裝置製造製程中的射頻(RF)功率。因此，如果在裝置製造製程中使用射頻功率，則必須設置射頻濾波器以屏蔽加熱器，其亦增加工具成本。

因此，所需的是以較不昂貴且製造花費較低、同時提供嵌入式加熱器之射頻屏蔽之材料所製成的基座。

提供一用於提供功率給加熱支撐基座的方法和設備。在一實施例中，敘述一製程套組。該製程套組包含一空心軸，其由一導電材料製成，並在一端耦合至一基材支撐件，而在一相對端耦合至一基底組件，該基底組件適於耦合至一配置在一半導體處理工具上的功率箱。在一實施例中，該基底組件包含至少一暴露的電連接器，其配置在一由介電材料，例如，塑膠樹脂，製成的嵌件中。

在一實施例中，敘述一用於半導體處理腔室的基座。該基座包含一基材支撐件，其包含一導電材料；一加熱元件，其封裝在該基材支撐件內；及一空心軸，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件，且在一相對端耦合至一配合介面，該配合介面包含一介電插頭，其包含至少一基露的電連接器，該電連接器適於耦合至一功率出口，其配置在該處理腔室上，並與該空心軸電絕緣。

在另一實施例中，敘述一用於半導體處理腔室的基座。該基座包含一基材支撐件，其包含一導電材料；一加熱元件，其封裝在該基材支撐件內；一空心軸，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件，且在一相對端耦合至一基底組件。該基底組件包含一開槽導電部分，其具有一內部容積；及一介電插頭，其配置在該內部容積中，該介電插頭包含一或多個導電構件，其縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構件的每一個與該開槽導電部分電絕緣。

在另一實施例中，敘述一用於半導體處理腔室的基座。該基座包含一基材支撐件，其耦合至一空心軸，該基材支撐件和該空心軸各自包含一鋁材料，該空心軸包含至少兩導電引線，其耦合至一加熱元件，該加熱元件封裝在該基材支撐件內；及一基底組件，其相對該基材支撐件耦合至該空心軸。該基底組件包含一開槽導電部分，其具有一內部容積；及一介電插頭，其配置在該內部容積中，該介電插頭包含一或多個導電構件，其縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構件的每一個藉由一配置在一絕緣套中的導電嵌件電偶合至該至少兩導電引線的至少一者。

本發明之實施例在下文參照電漿腔室進行說明敘述。在一實施例中，電漿腔室是用在電漿增強化學氣相沈積(PECVD)系統中。可適於從本發明得利之PECVD系統的範例包含SE化學氣相沈積系統、GT^TM 化學氣相沈積系統或化學氣相沈積系統，所有系統商業上皆可購自加州聖克拉拉的應用材料公司。SE化學氣相沈積系統(例如，200mm或300mm)具有兩個隔離的處理區域，其可用於在基材上沈積薄膜，例如，導電薄膜、矽烷、碳摻雜氧化矽和其他材料，並在美國專利第5,855,681和6,495,233號中敘述，兩專利併入於此以供參照。化學氣相沈積腔室在美國專利第6,364,954號中揭示，其亦併入於此以供參照。雖然示範實施例包含兩個處理區域，可預期本發明利於用在具有單一處理區域或多於兩個處理區域的系統中。亦可預期本發明能夠利於用在其他電漿腔室中，包含蝕刻腔室、離子佈植腔室、電漿處理腔室和剝離腔室等等。進一步可預期本發明能夠利於用在購自其他製造商的電漿處理腔室中。

第1圖為電漿系統100的部分橫剖面圖。電漿系統100通常包含處理腔室主體102，其具有側壁112、底壁116、和內側壁101，其定義一對處理區域120A和120B。處理區域120A至B各自為類似的配置，為了簡潔起見，將僅敘述處理區域120B中的部件。

基座128在處理區域120B中配置通過形成在系統100之底壁116中的通道122。基座128適於在其上表面支撐一基材(未顯示)。基座128可包含加熱元件，舉例來說，電阻性元件，以加熱並控制基材溫度為所需的製程溫度。或者，基座128可以一遠端加熱元件，例如，燈組件，加熱。

基座128藉由桿126耦合至功率出口或功率箱103，其可包含一驅動系統，該驅動系統控制基座128在處理區域120B內部的高度和移動。桿126亦包含電功率介面，以提供電功率給基座128。功率箱103亦包含電功率介面和溫度指示器，例如，熱電偶介面。桿126亦包含基底組件129，其適於可拆卸地耦合至功率箱103。圓周環135顯示為位於功率箱103上方。在一實施例中，圓周環135為一肩部，其用作一機械性止動或閥面，並配置為在基底組件129和功率箱103的上表面之間提供一機械介面。

棒130配置通過形成在底壁116中的通道124，並用於啟動配置通過基座128的基材舉升銷161。基材舉升銷161選擇性地隔開基材和基座，以幫助與用來通過基材移送埠160移送基材進出處理區域120B的機器人(未顯示)交換基材。

腔室蓋104耦合至腔室主體102的頂部。蓋104容納耦合至其上的一或多個氣體分配系統108。氣體分配系統108包含氣體入口通道140，其通過噴淋頭組件142傳送反應物和清潔氣體進入處理區域120B。噴淋頭組件142包含環形基板148，其具有阻隔板144配置在其和面板146中間。射頻(RF)源165耦合至噴淋頭組件142。射頻源165提供功率給噴淋頭組件142，以幫助在噴淋頭組件142的面板146和加熱過的基座128之間產生電漿。在一實施例中，射頻源165可為高頻射頻(HFRF)功率源，例如，13.56MHz射頻產生器。在另一實施例中，射頻源165可包含高頻射頻功率源和低頻射頻(LFRF)功率源，例如，300kHz射頻產生器。或者，射頻源可耦合至處理腔室主體102的其他部分，例如，基座128，以幫助電漿產生。介電質絕緣體158配置在蓋104和噴淋頭組件142之間，以防止射頻功率導向蓋104。陰影環106可配置在基座128的周邊上，其在基座128之所需高度上接合基材。

可選擇地，冷卻槽道147形成在氣體分配系統108的環形基板148中，以在操作期間冷卻環形基板148。一傳熱流體，例如，水、乙二醇、一氣體等，可循環通過冷卻槽道147，以致基板148維持預先定義的溫度。

腔室襯墊組件127以非常緊密相鄰腔室主體102的側壁101、112的方式配置在處理區域120B內部，以防止側壁101、112暴露至處理區域120B內部的處理環境。襯墊組件127包含圓周幫浦空腔125，其耦合至幫浦系統164，其配置為從處理區域120B排出氣體和副產品，以及控制處理區域120B內部的壓力。複數個排氣埠131可形成在腔室襯墊組件127上。排氣埠131配置為允許氣流以促進系統100內部處理的方式從處理區域120B到圓周幫浦空腔125。

第2A圖為用在電漿系統100中之基座128之一實施例的等角頂視圖。基座128包含桿126和基底組件129，其相對圓形基材支撐件205。在一實施例中，基底組件129是用作可拆卸的配合介面，其具有配置在功率出口或功率箱103之中或之上的電連接。基材支撐件205包含基材接收表面或支撐表面210，其本質上為平面的。支撐表面210可適於支撐200mm的基材、300mm的基材或450mm的基材。在一實施例中，支撐表面210包含複數個結構215，其可為在支撐表面210之平面上方延伸的凸塊或突出部。複數個結構215之每一個的高度本質上相等，以提供本質上平面的基材接收平面，或稍微上升或和支撐表面210隔開的表面。在一實施例中，每一個結構215是由不同於支撐表面210之材料的材料形成或以其塗佈。基材支撐件205亦包含複數個開口220，其形成為通過其中，並適於容納舉升銷161(第1圖)。

在一實施例中，基材支撐件205的主體和桿126是由導電金屬材料製成，而基底組件129是由導電金屬材料和絕緣材料的組合製成。和陶瓷製成的基材支撐件相比，以導電金屬材料製造基材支撐件205降低經營成本。此外，導電金屬材料足以屏蔽一嵌入式加熱器(在此圖中未顯示)使之免於射頻功率。此增加基材支撐件205的效率和壽命，並因而減少經營成本。

在一實施例中，基材支撐件205的主體和桿126完全以鋁材料(例如，鋁合金)製成。在一特定實施例中，基材支撐件205和桿兩者係以6061鋁製成。在一實施例中，基底組件129包含鋁部分和配置在其中的絕緣部分，例如，聚醚醚酮(PEEK)樹脂，以電絕緣部分的基底組件129和基材支撐件205以及桿126的導電部分。在一實施例中，基材支撐件205的主體以鋁材料製成，而配置在支撐表面210上的每一個結構215是以陶瓷材料，例如，氧化鋁，製成或塗佈。

第2B圖為基座128之一實施例的等角底視圖。桿126包含一第一端，其耦合至基材支撐件205，且基底組件129位於一相對基材支撐件205的第二端。在此實施例中，基底組件129包含開槽導電部分225，其耦合至及/或包含介電插頭230。在一實施例中，開槽導電部分225可配置為一插頭或一公介面，其適於配合功率箱103(第1圖)。在此實施例中，導電部分225可為圓形橫剖面，其具有至少部分形成穿過一外部表面或壁的狹槽。介電插頭230可配置如一插口或一母介面，或者，包含配置如適於容納或配合與功率箱103內電連接之插口或母介面的一部分或多個部分。在此實施例中，開槽導電部分 225可為桿126的整體延伸，並以鋁材料製成，而介電插頭230則以PEEK樹脂製成。

基底組件129亦包含圓周環135，其適於容納接合與第1圖之功率箱103接合的O形環。在此實施例中，開槽導電部分225包含一開口，其適於容納介電插頭230，且介電插頭230緊固至開槽導電部分225。介電插頭230亦包含形成在其中的開口或插口，以容納來自功率箱103的電引線。

第3A圖為基座128之一實施例之一部分的橫剖面圖，其具有耦合至如第1圖所示之功率出口或功率箱103的桿126。基材支撐件205包含一嵌入式加熱元件，例如，電阻性加熱器305，其配置或封裝在導電主體300中。在一實施例中，主體300是以由導電金屬，例如，鋁，構成的材料製成。電阻性加熱器305耦合至功率源310，其藉由配置在桿126中之導電引線315而配置在功率箱103中。桿126亦包含縱向槽道或孔350，其適於容納一熱電偶(未顯示)。在此實施例中，介電插頭230包含一或多個配置在其中的導電插頭320，以耦合導電引線315和配置在功率箱103中之個別的插口326。在一實施例中，導電插頭320為多接點插頭。導電引線315和導電插頭320可在操作期間電偏壓，但藉由介電插頭230的周邊壁325與開槽導電部分225、桿126和基材支撐件205電絕緣。

在一實施例中，桿126和基材支撐件205是以鋁製成且電接地。鋁材料封裝加熱元件，並作用如電阻性加熱器305的有效射頻屏蔽。藉由鋁材料屏蔽射頻免除以帶通濾波器濾除耦合至電阻性加熱器305之射頻的需求，其在以不同材料，例如，陶瓷，製成的加熱基座中是必須的。使用導電插頭320作為電阻性加熱器305之功率端子的電介面設計致能使用來自功率箱103的標準線規線和連接器，而非使用定製設計的電連接器。導電插頭320是裝配在包含PEEK樹脂的獨特基底設計上。導電插頭320包含一功率端子組件，其由介電插頭230機械地支撐，介電插頭230則緊固至基底組件129的導電部分225之上。PEEK樹脂電絕緣通電的功率端子(導電插頭320)和接地的加熱器主體(基材支撐件205和桿126)。因此，基座128藉由免除帶通濾波器來最小化成本並利用較便宜的鋁材料，其顯著降低經營成本。進一步地，在不需要大規模重新設計及/或停機時間的情況下，如此處所述的基座128可翻新改進以取代現存腔室中的原始基座。

第3B圖為基座128之另一實施例的等角分解圖。如所示，複數個可以陶瓷材料製成的套筒或嵌件360可容納於配置在基材支撐件205中的開口220(第2A和2B圖)。嵌件360適於容納舉升銷161(第1圖)。基底組件129包含開槽導電部分225和介電插頭230。開槽導電部分225包含徑向狹槽，其適於容納配置在介電插頭230之下部 之上的延伸構件或耳部362。開槽導電部分225和介電插頭230彼此以緊固件365(例如，螺釘或螺栓)耦合。在一實施例中，緊固件365和個別的螺紋嵌件370耦合，螺紋嵌件370耦合至或配置在導電部分225中。在一實施例中，螺紋嵌件370包含HELICOIL^® 嵌件。

導電插頭320(僅顯示一個)包含一軸，其具有一肩部段363，其用作一止動或耦合段，並適於將導電插頭320羈留在介電插頭230之一蓋段中。導電插頭320亦可包含螺紋末端364，其適於轉進具有母螺紋的導電嵌件375中。在一實施例中，導電插頭320是以黃銅材料製成並鍍銀(Ag)，且導電嵌件375是以黃銅材料製成。導電嵌件375可插入絕緣套380中，絕緣套380可以介電材料(例如，PEEK樹脂)製成。用於熱電偶(未顯示)之導引和裝配的導引構件385可耦合至或配置為鄰接套380以從此處開始延伸。導引構件385可以鋁材料製成。

第3C圖為基底組件129的底部等角視圖。介電插頭230包含本質上圓形的主體，其適於緊密安裝在開槽導電部分225之中。在一實施例中，每一個耳部362從主體朝外徑向延伸，且本質上為等間隔。在一實施例中，每一個耳部362是以相等的角增量(例如，120度間隔)放置。介電插頭230的主體亦包含複數個凹部或開口，例如，開口390和開口392。在一實施例中，開口390為母介面，其具有梯形形狀，並用於容納配置在功率箱103上的公插頭(未顯示)。一或多個導電插頭320是容納 在開口390內部。開口392可用作母介面，以容納一部分的熱電偶(未顯示)及/或和熱電偶耦合的訊號線。導電部分的底表面亦包含一或多個凹部或開口394，其可適於引導銷或裝配介面。在一實施例中，至少一個開口394適於容納一接地裝置，例如，以導電材料製成的銷。

第4圖為基底組件129之一實施例的橫剖面圖。圓周環135包含一形成在其中的溝槽，以容納密封件410，例如，O形環。密封件410可以絕緣材料或導電材料製成，以幫助開槽導電部分225接地。在此實施例中，導電插頭320顯示為耦合至個別的導電嵌件375。在一實施例中，每一個導電嵌件375是藉由絕緣套380而與基底組件129的其他導電部分以及彼此電絕緣。每一個絕緣套380可以絕緣材料製成，例如，PEEK樹脂。在一實施例中，至少一部分的導電引線315至少部分延伸進入絕緣套380和導電嵌件375兩者，以使導電引線315和導電插頭320電連通。在一實施態樣中，導電插頭320並未接觸導電引線315。

第5圖為此處所述之基座128之基材支撐件205的概略頂視圖。基材支撐件205示範性地將尺寸定在用於300mm的基材應用中。為了幫助解釋本發明和範例，基材支撐件205的支撐表面210圖形化地劃分為七個個別的同心圓。各同心圓的內部半徑稱為方位角。方位角位於半徑23mm、46mm、69mm、92mm、115mm和137mm。第5圖進一步圖形化地劃分為輻。輻從圓中心向外輻射。輻每30度出現一次，總共產生12個。包含中心點，在支撐表面210上存在有73個交點(12個輻與6個方位角相交，包含中心半徑)。

第6A圖為環繞各方位角之平均溫度輪廓的圖示(R0=支撐表面210的中心、R6=最外部的方位角)。環繞方位角的溫度量測是在輻的交點處取得。在此範例中，基座128是用來支撐具有7mm厚度之300mm的碳化矽晶圓。加熱器溫度設定在400℃，且壓力設定在4Torr。氬以每分鐘2標準公升(2SLM)的速度流過腔室。標準基底溫度維持在75±1℃。在每一方位角的基座平均溫度是介於389℃和392℃之間。

第6B圖是環繞6個方位角之每一個之溫度範圍的圖示。第6B圖中的資料是在三個個別操作(操作A、B和C)期間於和上述範例相同的製程參數下所收集而得的。範圍由環繞各方位角的12個點(30°、60°、90°、...、330°)構成，其中方位角和輻相交。方位角R1至R6的個別溫度範圍典型小於7℃。舉例來說，在一範例中，第二方位角上的溫度範圍約為5℃。為了範例目的，溫度範圍是定義為任何資料組之最大值和最小值之間的差。

第6C圖是沿著12個輻之每一個之溫度範圍的圖示。第6C圖的資料是在和上述範例相同的製程參數下所收集而得的。針對三個個別操作(操作A、B和C)，計算在方位角交點之沿著每一輻長度的溫度範圍。三個操作之沿著每一輻的溫度範圍介於約3℃和約8℃之間。舉例來說，在一操作中，60°輻上的溫度範圍約為5℃。

在一實施例中，使用雙重處理區域120A、120B敘述一在基材上沈積薄膜的方法。該方法包含在處理腔室之每一處理區域中於配置在其中的個別基座128上提供至少一基材。基座128包含基材支撐件205，其包含一導電材料；加熱元件305，其封裝在該基材支撐件內部；及空心軸126，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件。該基材支撐件在一相對端亦包含配合介面129。該配合介面包含介電插頭230，其包含至少一個暴露的電連接器，該電連接器適於耦合至一功率出口，該功率出口配置在該處理腔室上，並和該空心軸電絕緣。該方法亦包含使一或多個反應氣體流到處理區域120A、120B的至少一個，以及在噴淋頭組件142和基材支撐件205之間使用射頻能量產生電漿。在一實施例中，該反應器體可在載氣(例如氫)中流動。

雖然以上內容已揭示本發明之數個實施例，但可在不偏離本發明基本範圍的情況下做出本發明的其他及進一步實施例，且本發明範圍當由後附申請專利範圍決定。

102‧‧‧腔室主體

103‧‧‧功率箱

104‧‧‧蓋

106‧‧‧陰影環

108‧‧‧氣體分配系統

112‧‧‧側壁

116‧‧‧底壁

120A‧‧‧處理區域

120B‧‧‧處理區域

122‧‧‧通道

124‧‧‧通道

125‧‧‧圓周幫浦空腔

126‧‧‧桿

127‧‧‧腔室襯墊組件

128‧‧‧基座

129‧‧‧基底組件

130‧‧‧棒

131‧‧‧排氣埠

135‧‧‧圓周環

140‧‧‧氣體入口通道

142‧‧‧噴淋頭組件

144‧‧‧阻隔板

146‧‧‧面板

147‧‧‧冷卻槽道

148‧‧‧基板

158‧‧‧介電質絕緣體

161‧‧‧舉升銷

164‧‧‧幫浦系統

165‧‧‧射頻源

205‧‧‧基材支撐件

210‧‧‧支撐表面

215‧‧‧結構

220‧‧‧開口

225‧‧‧導電部分

230‧‧‧介電插頭

300‧‧‧導電主體

305‧‧‧電阻性加熱器

310‧‧‧功率源

315‧‧‧導電引線

320‧‧‧導電插頭

325‧‧‧周邊壁

326‧‧‧插口

350‧‧‧孔

360‧‧‧嵌件

362‧‧‧耳部

363‧‧‧肩部段

364‧‧‧螺紋末端

365‧‧‧緊固件

370‧‧‧螺紋嵌件

375‧‧‧導電嵌件

380‧‧‧絕緣套

385‧‧‧導引構件

390‧‧‧開口

392‧‧‧開口

394‧‧‧開口

410‧‧‧密封件

參照某些繪示於附圖中的實施例來提供於上文扼要總結之本發明的更具體敘述，以詳細了解本發明之上述的 特徵結構。不過，須注意附圖僅繪示此發明的典型實施例，且因此不應視為對本發明範圍之限制，因為本發明可容許其他等效實施例。

第1圖為一電漿系統之一實施例的部分橫剖面圖。

第2A圖為第1圖所示之一基座之一實施例的等角頂視圖。

第2B圖為第2A圖所示之基座之一實施例的等角底視圖。

第3A圖為一基座之另一實施例之一部分的橫剖面圖。

第3B圖為一基座之另一實施例的等角分解圖。

第3C圖為一基底組件之一實施例的底部等角視圖。

第4圖為一基底組件之另一實施例的橫剖面圖。

第5圖為此處所述之基座之一基材支撐件表面的概略頂視圖。

第6A至6C圖為從此處所述之一基座之三個個別的加熱輪廓所取得之資料的圖示。

為了幫助了解，已盡可能地使用相同元件符號來標明各圖中共用的相同元件。無需具體詳述的情況下，可預期一實施例中所揭示的元件能有利地用在其他實施例上。

126‧‧‧桿

128‧‧‧基座

129‧‧‧基底組件

135‧‧‧圓周環

220‧‧‧開口

225‧‧‧導電部分

230‧‧‧介電插頭

Claims (25)

1. 一種用於半導體處理腔室的基座，其包含：一基材支撐件，其包含一導電材料；一加熱元件，其封裝在該基材支撐件內部；及一空心軸，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件，以及在一相對端耦合至一配合介面，該配合介面包含一介電插頭，其包含至少一個暴露的電連接器，該電連接器適於耦合至一功率出口，該功率出口配置在該處理腔室上，並和該空心軸電絕緣。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該配合表面進一步包含：複數個狹槽，至少部分地穿過其一外部表面形成。
3. 如申請專利範圍第2項所述之基座，其中該介電插頭包含複數個延伸構件，其和一個別狹槽配合。
4. 如申請專利範圍第3項所述之基座，其中該介電插頭包含一圓形橫剖面，且該複數個延伸構件各由此徑向延伸。
5. 如申請專利範圍第4項所述之基座，其中該複數個延伸構件為等間隔。
6. 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該配合表面進一步包含：一圓周環，其配置在其一外部表面上。
7. 如申請專利範圍第6項所述之基座，其中該圓周環包含一O形環，其適於幫助密封該處理腔室。
8. 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該基材支撐件包含一基材接收表面，其包含複數個配置在一支撐表面上的突出部。
9. 如申請專利範圍第8項所述之基座，其中該複數個突出部各是以一陶瓷材料製成或塗佈。
10. 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該至少一暴露的電連接器是和一配置在該空心軸中的導電引線電通訊。
11. 一種用於半導體處理腔室的基座，其包含：一基材支撐件，其包含一導電材料；一加熱元件，其封裝在該基材支撐件內； 一空心軸，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件，且在一相對端耦合至一基底組件，該基底組件包含：一開槽導電部分，其具有一內部容積；及一介電插頭，其配置在該內部容積中，該介電插頭包含一或多個導電構件，其縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構件的每一個與該開槽導電部分電絕緣。
12. 如申請專利範圍第11項所述之基座，其中該一或多個導電構件之每一個的至少一部分延伸超出該基底組件。
13. 如申請專利範圍第11項所述之基座，其中該開槽導電部分為該空心軸之一延伸。
14. 如申請專利範圍第11項所述之基座，其中該介電插頭包含複數個延伸構件，其和位於該開槽導電部分中之一個別狹槽配合。
15. 如申請專利範圍第14項所述之基座，其中該介電插頭包含一圓形橫剖面，且該複數個延伸構件的每一個由此徑向延伸。
16. 如申請專利範圍第15項所述之基座，其中該複數個延伸構件為等間隔。
17. 一種用於半導體處理腔室的基座，其包含：一基材支撐件，其耦合至一空心軸，該基材支撐件和該空心軸各自包含一鋁材料，該空心軸包含至少兩導電引線，其耦合至一加熱元件，該加熱元件封裝在該基材支撐件內；及一基底組件，其相對該基材支撐件耦合至該空心軸，該基底組件包含：一開槽導電部分，其具有一內部容積；及一介電插頭，其配置在該內部容積中，該介電插頭包含一或多個導電構件，其縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構件的每一個藉由一配置在一絕緣套中的導電嵌件電耦合至該至少兩導電引線的至少一者。
18. 如申請專利範圍第17項所述之基座，其中該介電插頭包含至少三個延伸構件，其容納於該開槽導電部分之一個別狹槽中。
19. 如申請專利範圍第18項所述之基座，其中該至少三個延伸構件為等間隔。
20. 如申請專利範圍第18項所述之基座，其中該介電插頭包含一圓形橫剖面，且該至少三個延伸構件的每一個由此徑向延伸。
21. 如申請專利範圍第17項所述之基座，其中該開槽導電部分為該空心軸之一延伸。
22. 如申請專利範圍第17項所述之基座，其中該基底組件進一步包含：一圓周環，其配置在其一外部表面上。
23. 如申請專利範圍第22項所述之基座，其中該圓周環包含一密封件。
24. 如申請專利範圍第17項所述之基座，其中該基材支撐件包含一基材接收表面，其包含複數個配置在一支撐表面上的突出部。
25. 如申請專利範圍第24項所述之基座，其中該複數個突出部的每一個是以一陶瓷材料製成或塗佈。