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TWI443162B - 膠以及使用其製備太陽能電池之方法 - Google Patents

膠以及使用其製備太陽能電池之方法 Download PDF

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TWI443162B
TWI443162B TW098130053A TW98130053A TWI443162B TW I443162 B TWI443162 B TW I443162B TW 098130053 A TW098130053 A TW 098130053A TW 98130053 A TW98130053 A TW 98130053A TW I443162 B TWI443162 B TW I443162B
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Inventor
Min-Seo Kim
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Lg Chemical Ltd
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Description

膠以及使用其製備太陽能電池之方法
本發明係關於一種膠及使用其製備太陽能電池之方法，尤指一種用於形成蝕刻遮罩圖樣之膠，其可使選擇性發射極層更加穩定地形成，以及使用其製備太陽能電池之方法。
近年來，已可預期將會耗盡傳統能源，如石油或炭，因此對於替代能源之興趣日益漸增。於替代能源中，由於太陽能電池擁有豐沛的能量來源，且不會對環境造成污染，故已成為矚目焦點。
太陽能電池可分為太陽熱電池(solar heat cell)及太陽光電池(solar light cell)，其中，太陽熱電池係使用太陽熱來產生蒸氣，以啟動渦輪，而太陽光電池則係使用半導體而將光子轉換成電能。一般而言，太陽光電池即代表太陽能電池。
根據原料，太陽能電池主要包括矽太陽能電池、化合物半導體太陽能電池、及串接式太陽能電池。其中，又以矽太陽能電池主導太陽能電池的市場。
圖1係矽太陽能電池基本結構剖視圖。請參考圖1，矽太陽能電池包括：為p型矽半導體的基板101，以及為n型矽半導體的發射極層102。類似於二極體，基板101與發射極層102間會形成p-n接面。
當光落在上述結構之太陽能電池上，摻雜有摻雜物的矽半導體會因光電效應而產生電子與電洞。具體而言，為n型矽半導體的發射極層102會產生複數個作為載子的電子，而為p型矽半導體的基板101則會產生複數個作為載子的電洞。基於光電效應，所產生的電子與電洞會分別流向n型矽半導體及p型矽半導體，並移動至發射極層102上之前電極103及基板101下的後電極104。而後，當前電極103與後電極104相互連接時，即會產生電流。
藉由太陽能電池的輸出電流-電壓曲線，來評估太陽能電池的輸出特性。輸出電流-電壓曲線上，將輸出電流Ip乘以輸出電壓Vp所得到Ip×Vp值為最大值時，定義為最大輸出Pm，而最大輸出Pm除以入射於太陽能電池上之總光量(S×I：S為裝置的面積，I為照射於太陽能電池上的光強度)所獲得的值，則定義為轉換效率η。為了改善轉換效率η，必須增加短路電流Isc(輸出電流-電壓曲線上V=0時的輸出電流)或開路電壓Voc(輸出電流-電壓曲線上I=0時的輸出電壓)，或者增加計量輸出電流-電壓曲線下方形之填充因子。當填充因子越接近1，輸出電流-電壓曲線就越接近理想方形，而轉換效率η即會提升。
於上述三種決定太陽能電池轉換效率之因子中，當發射極層係藉由擴散n型摻雜物至基板(為p型矽半導體)表面而形成時，則開路電壓與n型摻雜物的摻雜濃度極為相關。n型摻雜物的摻雜趨勢圖顯示，發射極層表面之摻雜濃度最高，並以高斯分佈或誤差函數的趨勢，朝基板方向減少(參考用)。
習知技術有於發射極層中，過度添加摻雜物，來增加太陽能電池開路電壓的趨勢。於此例中，發射極層最上部(下文稱為死層)之n型摻雜濃度，高於固體於矽半導體中之溶解度。死層(dead layer)厚度約為50至200nm(參考用)。據此，由於過量摻雜物的散射影響，靠近發射極層表面之載子遷移率會下降，而載子的再結合速率會增加。
對於上述問題的解決方法，已提出有回蝕發射極的建議。發射極回蝕製程係於形成發射極層後進行(發射極層係於過量摻雜摻雜物之條件下藉由擴散步驟而形成)，其藉由濕式蝕刻(使用硝酸與氫氟酸的混合物)或CF4 電漿蝕刻，移除死層對太陽能電池效能的不良影響。
然而，對過度摻雜有n型摻雜物的區域而言，硝酸與氫氟酸的混合物或CF4 電漿有蝕刻選擇性差及蝕刻速率快的缺點。因此，於選擇性只移除部份過度摻有n型摻雜物之發射極層時，習知發射極回蝕製程的製程再現性及穩定性低。
於此狀況下，為確保發射極回蝕製程的製程再現性及穩定性，傳統上會進行過度蝕刻，亦即，適度摻有n型摻雜物之部分區域，亦會與過度摻有n型摻雜物之區域一同被蝕刻。然而，若發射極層被過度蝕刻，由於發射極層表面的摻雜濃度低，故會使前電極與發射極層接觸的接觸特性劣化。據此，前電極與發射極層間之接觸阻抗將會提高，而太陽能電池的填充因子因而下降。又，太陽能電池填充因子的下降會導致太陽能電池的轉換效率降低。
同時，已引入選擇性發射極製程，以克服發射極回蝕製程的缺點。選擇性發射極製程係於發射極回蝕步驟後進行，其係形成遮罩圖樣(僅顯露前電極形成處)，並將n型摻雜物擴散至遮罩圖樣所顯露之發射極層區域，俾使摻雜有高濃度n型摻雜物之發射極層僅形成於前電極形成處。然而，由於選擇性發射極製程需經微影及額外摻雜物擴散步驟，以形成遮罩圖樣，故其有製程繁複及太陽能電池製備成本提高之缺點。
本發明係為了解決先前技術的問題，故本發明之目的係在提供一種製備太陽能電池之方法，其可增加可靠度，並簡化選擇性發射極層之形成步驟，進而改善太陽能電池效率，並降低太陽能電池的製備成本。
為達上述目的，本發明用於形成蝕刻遮罩圖樣之膠，包括無機粉末、有機溶劑及黏結劑，而無機粉末之振實密度(tap density)為0.01至20g/cm3 。
本發明用於形成蝕刻遮罩圖樣之膠具有均勻顆粒形狀，而均勻顆粒形狀代表無機粉末的特定振實密度值。具有均勻顆粒形狀之無機粉末顆粒間具有相對低的孔隙度，因此，使用本發明膠所製得之蝕刻遮罩圖樣對於蝕刻劑具有較佳耐性，以利於穩定形成發射極。
本發明之無機粉末可包括金屬或金屬氧化物粉末，或其混合物。
又，本發明金屬或金屬氧化物粉末可為玻璃熔塊型(frit-type)粉末、非玻璃熔塊型粉末、或其混合物。於本發明中，「玻璃熔塊型(frit-type)」金屬或金屬氧化物粉末係藉由對金屬、金屬氧化物或其混合物進行熔融、冷卻及粉碎步驟而獲得，而「非玻璃熔塊型(frit-type)」金屬或金屬氧化物粉末係未經上述玻璃熔塊形成步驟之金屬或金屬氧化物粉末本身。
於本發明之膠中，該無機粉末可包括選自由Si、Ti、ITO、SiO2 、TiO2 、Bi2 O3 及PbO，或其混合物所組群組中之任一金屬或金屬氧化物粉末，且其平均粒徑為1nm至10μm，較佳為10nm至5μm。選擇性地，可塗覆有機化合物於該無機粉末，如矽烷化合物、矽油或脂肪酸。
此外，為達上述目的，本發明製備太陽能電池之方法包括：(a)製備摻雜有第一導電摻雜物之矽半導體基板；(b)使用具有相反於第一導電摻雜物極性之第二導電摻雜物摻雜基板之上部，以形成發射極層於基板上；(c)使用包括振實密度為0.01至20g/cm3 之無機粉末、有機溶劑及黏結劑的膠，於發射極層上之前電極接觸區域形成蝕刻遮罩圖樣；(d)將該蝕刻遮罩圖樣作為遮罩，以回蝕發射極層；(e)於回蝕後，移除殘留之蝕刻遮罩圖樣；(f)形成抗反射膜於基板前側表面上；(g)穿透抗反射膜，使前電極與前電極接觸區域連接；以及(h)使後電極與基板後側表面連接。
較佳為，於本發明製備太陽能電池之方法中，藉由網印，使用本發明之膠來形成選擇性發射極。
於該製備方法中，該第一導電摻雜物為p型摻雜物，而第二導電摻雜物為n型摻雜物。較佳為，步驟(d)回蝕發射極層時係使用選擇性濕式蝕刻劑，其混有體積比為10：0.1~0.01：1~3：5~10之HNO3 、HF、CH3 COOH及H2 O。同時，該選擇性濕式蝕刻劑對摻雜有高濃度摻雜物於發射極層中之區域具有0.08至0.12μm/秒之蝕刻速率，而對摻雜有低濃度摻雜物於發射極層中之區域具有0.01至0.03μm/秒之蝕刻速率。
或者，步驟(d)回蝕發射極層時可使用鹼性濕式蝕刻劑(如KOH)、或乾式蝕刻劑(如CF4 電漿)。
本發明功效
於本發明中，僅進行一次高溫摻雜物摻雜步驟，其與習知發射極層形成步驟不同，因而可避免基板中之摻雜物活化。
又，藉由網印形成蝕刻遮罩圖樣可使製程步驟較為簡單，且其製備成本較習知微影製程低。
此外，無須真空沉積裝備或高溫爐。
再者，於回蝕步驟中，此製得之蝕刻遮罩圖樣不易剝離，故可穩定形成發射極。另外，於回蝕製程中使用選擇性濕式蝕刻劑可確保回蝕製程之穩定性及再現性。
參考隨附圖式，藉由下述具體實施例，可使本發明之其他目的及態樣更加清楚。
下文中，本發明之較佳具體實施例將參考隨附圖式做詳盡的敘述。敘述前，必須瞭解本說明書與隨後申請專利範圍所使用的術語不應侷限於一般與字典上的意義，應當基於合乎本發明技術觀點之意義與概念來做解釋，且應基於發明人應許之原理來適當地定義術語，以達最佳的詮釋。因此，此處所提之敘述僅作較佳實施例之說明，而不應侷限本發明範疇，故應瞭解其他相等物與修飾皆視為可能而不背離本發明之精神與範圍。
圖2至7係為依序繪示本發明一較佳實施例藉由網印方式製備太陽能電池之流程剖視圖。
請參考圖2，首先，準備基板201，並將其置於擴散爐中。在此，該基板201係由矽半導體製成，且摻雜有第一導電摻雜物。該基板201係為單經、多晶或非晶矽半導體，其摻雜有週期表中第13族元素之p型摻雜物，如B、Ga、In等。接著，將週期表中第15族元素之n型摻雜物(如P、As、Sb等)來源與氧氣一起引入擴散爐中，以進行熱氧化反應，俾以形成一預定厚度之氧化膜(含有n型摻雜物)形成於基板201前側表面上。而後，將擴散爐溫度提升至800至900℃，使氧化膜中之n型摻雜物移至基板201之上部。此時，擴散時間訂為30至60分鐘，俾使氧化膜中足夠量之n型摻雜物可擴散至基板201。當氧化膜中之n型摻雜物通過表面而擴散至基板201時，即會形成一預定厚度之發射極層202(n型矽半導體)於基板201上。
發射極層202表面之n型摻雜物(其係藉由上述n型摻雜物擴散步驟而植入發射極層202中)濃度最大，且依據高斯分佈或誤差函數朝向基板201遞減。又，控制製程條件，以於擴散步驟時擴散足夠量之n型摻雜物，據此，摻雜有n型摻雜物(其濃度高於固體溶解度)之死層係位於發射極層202之最上部。
圖8係完成n型摻雜物擴散步驟後，發射極層202表面至基板201之n型摻雜物濃度變化圖。圖中水平軸為n型摻雜物濃度量測點相對於發射極層202表面之深度，而垂直軸為量側點處n型摻雜物之濃度。
請參考圖8，靠近發射極層202表面之n型摻雜物濃度最大，且濃度係朝基板201遞減。尤其，發射極層202表面具有死層(n型摻雜物濃度大於固體於係半導體中之溶解度，以虛線方塊呈現)。死層中n型摻雜物之濃度決定於n型摻雜物的種類。例如，當n型摻雜物為磷(P)時，其濃度為1020 atom/cm3 以上。
此外，本發明該實施例所揭示之發射極層形成步驟僅為說明用之較佳舉例，不應侷限本發明範疇，且應瞭解為，其他相等物或修飾皆不背離本發明之精神與範疇。
藉由上述步驟形成發射極層202後，經由網印方式，形成蝕刻遮罩圖樣203於發射極層202(摻雜有n型摻雜物)上前電極(圖7中元件符號205)接觸區域，如圖3所示。具體地說，將印刷用之遮罩(圖未示)置於發射極層202上。在此，印刷用之遮罩於蝕刻遮罩圖樣203形成區域之對應部位具有開孔圖樣。接著，沿預定方向移動網印機(圖未示)的同時，將用於形成蝕刻遮罩圖樣(圖未示)之膠擠入並填充於開孔圖樣中。而後，將印刷用之遮罩自發射極層202移除，以形成蝕刻遮罩圖樣203於發射極層202上。然而，本發明形成蝕刻遮罩圖樣203中並不限於使用特定網印技術。
於本發明中，蝕刻遮罩圖樣203用之膠可包括無機粉末、有機溶劑及黏結劑。於本發明形成蝕刻遮罩圖樣203用之膠中，該無機粉末之振實密度為0.01至20g/cm3 。
若膠中之無機粉末不具有均勻顆粒形狀，則會有高的顆粒間孔隙度，而後續蝕刻步驟中之蝕刻劑將容易滲透，進而使遮罩圖樣較易剝離。據此，由於本發明之膠使用具有均勻顆粒形狀之無機粉末，故對蝕刻劑具有高耐性。因此，需要相對較長的時間才得以發生蝕刻遮罩圖樣剝離現象，故可穩定形成發射極。於本發明中，粉末顆粒形狀之均勻度係代表一特定振實密度值。
較佳為，使用於本發明膠中之無機粉末具有0.01至20g/cm3 之振實密度。若振實密度小於0.01g/cm3 ，則難以均勻地將無機粉末混於膠中，因而使膠的印刷適性及蝕刻性下降。若振實密度大於20g/cm3 ，則無機粉末於整體膠所佔的體積小，故會降低其作為蝕刻遮罩的功能。
較佳為，本發明之無機粉末包括金屬、金屬氧化物或其混合物。又，本發明之無機粉末可為玻璃熔塊型或非玻璃熔塊型粉末，或其混合物。
選擇性地，較佳為非玻璃熔塊型粉末。一般而言，玻璃熔塊型粉末之製備方式為：藉由熱處理，使金屬或金屬氧化物熔融，再進行冷卻與粉碎化。由於製作玻璃熔塊型粉末時有進行粉碎步驟，故玻璃熔塊型粉末難以形成細緻顆粒，因此相較於非玻璃熔塊型粉末，其顆粒狀均勻度較低。無須額外粉碎步驟之非玻璃熔塊型粉末，則可產生較細緻的顆粒，故其具有均勻顆粒狀及相對低孔隙度。
於本發明形成蝕刻遮罩圖樣203之膠中，該無機粉末可為金屬或金屬氧化物，如Si、Ti、ITO、SiO2 、TiO2 、Bi2 O3 、PbO等，或其混合物，但本發明並不侷限於此。
本發明金屬或金屬氧化物粉末之平均粒徑為1nm至10μm，較佳為10nm至5μm，更佳為20nm至3μm。較小的平均粒徑可推遲剝離的發生時間。選擇性地，當本發明無機粉末為非玻璃熔塊型粉末時，則可產生幾奈米至幾十奈米尺寸等級的細緻顆粒。
達到本發明理想功效之無機粉末含量可決定於視比重。例如，以膠總重量為基準，無機粉末之含量可為0.1至80重量百分比。
本發明的膠包括黏結劑，以支持一預定圖樣並改善印刷適性，而該黏結劑可包括有機溶劑及黏結樹脂。該黏結樹脂可包括乙基纖維素、丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、氨基 甲酸酯(urethane)樹脂、聚苯乙烯、聚丙烯等等。較佳為，該黏結劑之分子量(Mw)為5,000至1,000,000。
於本發明之膠中，該有機溶劑可均勻溶解及/或分散膠的每一組成份。有機溶劑可為醇類溶劑，如松油醇(terpineol)、丁基卡必醇(butyl carbitol)或二甘醇丁醚醋酸酯(butyl carbitol acetate)、單異丁酸酯(texanol)等、或其混合物，但本發明並不侷限於此。
於本發明中，以膠總重量為基準，該黏結劑(包括黏結樹脂及有機溶劑)之含量可為20至99.9重量百分比，其取決於無機粉末之含量。在此，可依據各種狀況來選擇黏結樹脂適當的含量。例如，以膠總重量為基準，黏結樹脂含量可為5至50重量百分比，但本發明並不侷限於此。若黏結樹脂含量低於5重量百分比，則膠的黏度會過低，而流動性高。或黏結樹脂含量超過50重量百分比，則無法將樹脂完全溶解於溶劑中(取決於分子量)，或者，雖然樹脂已溶於溶劑中，但膠本身會具有高黏度，則流動性差。
選擇性地，於本發明之膠中，可將具有疏水基的有機矽烷化合物、矽油、脂肪酸或其類似有機化合物塗覆至金屬或金屬氧化物粉末，以延長遮罩圖樣開始剝離的時間。
選擇性地，於產生顆粒時，可加入分散劑，以維持金屬或金屬氧化物粉末的分散穩定度，例如，脂肪酸類、苯並三唑類(benzotriazole-based)、對苯二酚類(hydroquinone-based)等。基於穩定度的考量，使用黏結劑時可伴隨使用各種分散劑。又，明顯可知本發明之膠更可包括本領域典型用的添加劑，例如，潤濕劑、抗垂流劑(thixotropic agent)、增稠劑(thickening agent)等。
形成蝕刻遮罩圖樣203後，將發射極層202上之蝕刻遮罩圖樣203作為遮罩，回蝕發射極層202，以形成選擇性發射極層202’，如圖4所示。於回蝕發射極層202步驟中，僅有未被蝕刻遮罩圖樣203覆蓋之發射極層202上部會被蝕刻成一預定深度。因此，於摻雜有高濃度摻雜物之發射極層202中，可選擇性地僅移除太陽光入射的區域。該選擇性發射極層202’僅於前電極205接觸處摻雜有高濃度n型摻雜物。因此，前電極205可具有較佳接觸特性，進而形成歐姆接觸。又可減少載子壽命，以避免太陽能電池效率下降。
於發射極層202之回蝕製程中，濕式蝕刻及乾式蝕刻皆可使用。較佳係使用選擇性濕式蝕刻劑，以確保回蝕製程之穩定性及再現性。例如，於本發明中，該發射極層202係使用選擇性濕式蝕刻劑進行回蝕，其混合有體積比為10：0.1~0.01：1~3：5~10之HNO3 、HF、CH3 COOH及H2 O。由於植入發射極層202之摻雜物濃度較高，故選擇性濕式蝕刻劑可展現較快的蝕刻速率。亦即，選擇性濕式蝕刻劑對摻雜有高濃度摻雜物之區域可展現0.08至0.12μm/秒之蝕刻速率，而對摻雜有低濃度摻雜物之區域則呈現0.01至0.03μm/秒之蝕刻速率。因此，若使用濕式蝕刻劑進行回蝕製程，則可在蝕刻製程之初步階段，選擇性移除發射極層202中摻雜有高濃度n型摻雜物之最上部，以確保回蝕製程之穩定性及再現性。此外，可明顯得知，選擇性濕式蝕刻劑之蝕刻速率可隨著蝕刻溶液組成物之體積比、擴散摻雜物之種類與濃度等改變。或者，亦可使用本領域具有通常知識者所熟悉之鹼性濕式蝕刻劑(如KOH)或乾式蝕刻(如CF4 電漿)，以進行發射極層202之回蝕製程。
於完成發射極層202之回蝕製程後，移除殘留之蝕刻遮罩圖樣203，即可完成選擇性發射極層202’，如圖5所示。之後，如圖6所示，形成抗反射層204於選擇性發射極層202’上。該抗反射層201可為選自由氮化矽膜、含氫氮化矽膜、氧化矽膜、氧化矽氮化矽膜(silicon oxide nitride film)、MgF2 、ZnS、MgF2 、TiO2 及CeO2 所組群組中任一者所組成之單膜結構，或為至少兩材料膜組成之多膜結構。抗反射膜204係藉由真空沉積法、化學氣相沉積法、旋轉塗佈法、網印法或噴塗法而形成。然而，本發明之抗反射膜204並不限於特定結構及製法。
形成抗反射膜204後，使前電極205與後電極206分別與發射極層202’表面及基板201後表面連接，如圖7所示。可藉由已知技術形成前電極205與後電極206，但較佳係透過網印方式形成。亦即，對製作前電極用之膠(包括銀(Ag)、玻璃熔塊、黏結劑等)進行網印及熱處理步驟，以形成前電極205。於熱處理過程中，前電極205會因貫穿(punch-through)現象而穿透抗反射膜204，以與選擇性發射極層202’連接。
同樣地，對製作後電極用之膠(包括鋁、石英、黏結劑等)進行網印及熱處理步驟，以形成後電極206於基板201之後表面。於後電極之熱處理中，製作後電極之組成份之一，鋁，會擴散穿過基板201後表面，俾使後電極206與基板201間之界面可能形成背面場校層(圖未視)。背面場校層可避免載子移動至基板201後表面而發生再結合。避免載子再結合可使開路電壓及填充因子提高，進而改善太陽能電池的轉換效率。
本發明並不侷限特定方法來製備前電極205及後電極206。例如，可藉由典型的微影方法及不同於網印法之金屬沉積法，以形成前電極205及後電極206。
下文將透過具體實施例來詳述本發明。然而，在此所作的敘述僅是作為說明用之較佳實施例，其不可解釋為侷限本發明範疇，且應當瞭解該些實施例係為使本領域一般人士更加明瞭而提供。
實施例1至5
依據下表1所示之組成，製備形成蝕刻遮罩圖樣用之每一非玻璃熔塊型膠。將乙基纖維素(ethyl cellulose,EC)加至丁基卡必醇(butyl carbitol,BC)與松油醇(terpineol,T)混合比為4：1之溶劑中，並進行加熱及混合，以獲得黏結劑。
實驗例：測量開始剝離的時間
進行實驗，以測量蝕刻遮罩圖樣回蝕製程時開始剝離的時間，其中蝕刻遮罩圖樣係由實施例1至5製得的膠所形成，而測量結果如圖9所示。該實驗進行步驟為：將實施例製得之每一膠印至摻雜有磷(P)之矽晶圓上；再於150℃進行乾燥；而後浸入選擇性濕式蝕刻劑(其混合有體積比為10：0.1~0.01：1~3：5~10之HNO3 、HF、CH3 COOH及H2 O)中達120秒；再測量蝕刻劑導致開始剝離的時間。
如圖9所示，可發現由金屬或金屬氧化物形成之本發明膠可延後開始剝離的時間，且平均粒徑越小，開始剝離的時間亦會越慢。
實驗例：測量選擇性發射極之電性
進行實驗，以量測蝕刻遮罩圖樣(由實施例3至5所製得之膠形成)浸入濕式蝕刻劑達45秒後所形成之選擇性發射極的Voc(開路電壓)、Jsc(短路電流)、FF(填充因子)及Eff(效率)，而量測結果示於下表2中。
101,201．．．基板
102,202．．．發射極層
103,205．．．前電極
104,206．．．後電極
203．．．蝕刻遮罩圖樣
202’．．．選擇性發射極層
204．．．抗反射層
圖1係矽太陽能電池基本結構剖視圖。
圖2至7係為依序繪示本發明一較佳實施例藉由網印方式製備太陽能電池之流程剖視圖。
圖8係完成n型摻雜物擴散步驟後，發射極層表面至基板之n型摻雜物濃度變化圖。
圖9係本發明實施例1至5之膠所形成之蝕刻遮罩圖樣開始剝離的時間圖。
201．．．基板
202’．．．選擇性發射極層
204．．．抗反射層
205．．．前電極
206．．．後電極

Claims (10)

  1. 一種用於形成蝕刻遮罩圖樣之膠，包括：無機粉末；一有機溶劑；及一黏結劑；其中，該無機粉末之振實密度(tap density)為0.01至20g/cm3 ，且該無機粉末之平均粒徑為1nm至10μm，其中，該無機粉末包括任一選自由Si、Ti、ITO、SiO2 、TiO2 、Bi2 O3 、PbO及其混合物所組成之群組，其中，該黏結劑包括一有機溶劑及一黏結樹脂，其中，該有機溶劑包括任一醇類溶劑選自由松油醇(terpineol)、丁基卡必醇(butyl carbitol)、二甘醇丁醚醋酸酯(butyl carbitol acetate)、單異丁酸酯(texanol)及其混合物所組成之群組，及其中，該黏結樹脂包括任一選自由乙基纖維素(ethyl cellulose)、丙烯酸類樹脂(acrylate-based resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、氨基甲酸酯樹脂(urethane resin)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯(polypropylene)及其混合物所組成之群組。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於形成蝕刻遮罩圖樣之膠，其中，該無機粉末之平均粒徑為10nm至5μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於形成蝕刻遮罩圖樣之膠，其中，該無機粉末塗覆有矽烷化合物、矽油或脂肪酸。
  4. 一種製備太陽能電池之方法，包括：(a)製備摻雜有一第一導電摻雜物之一矽半導體基板；(b)使用具有相反於該第一導電摻雜物極性之一第二導電摻雜物摻雜該基板之上部，以形成一發射極層於該基板上；(c)使用包括振實密度為0.01至20g/cm3 ，且平均粒徑為1nm至10μm之無機粉末、一有機溶劑及一黏結劑的膠，於該發射極層上之一前電極接觸區域形成一蝕刻遮罩圖樣；(d)將該蝕刻遮罩圖樣作為一遮罩，以回蝕該發射極層；(e)於回蝕後，移除殘留之該蝕刻遮罩圖樣；(f)形成一抗反射膜於該基板前側表面上；(g)穿透該抗反射膜，使一前電極與該前電極接觸區域連接；以及(h)使一後電極與該基板後側表面連接，其中，該無機粉末包括任一選自由Si、Ti、ITO、SiO2 、TiO2 、Bi2 O3 、PbO及其混合物所組成之群組，其中，該黏結劑包括一有機溶劑及一黏結樹脂，其中，該有機溶劑包括任一醇類溶劑選自由松油醇(terpineol)、丁基卡必醇(butyl carbitol)、二甘醇丁醚醋酸酯(butyl carbitol acetate)、單異丁酸酯(texanol)及其混合物所組成之群組，及其中，該黏結樹脂包括任一選自由乙基纖維素(ethyl cellulose)、丙烯酸類樹脂(acrylate-based resin)、環氧樹脂 (epoxy resin)、氨基甲酸酯樹脂(urethane resin)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯(polypropylene)及其混合物所組成之群組。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之製備太陽能電池之方法，其中，該第一導電摻雜物為p型摻雜物，而該第二導電摻雜物為n型摻雜物。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之製備太陽能電池之方法，其中，該無機粉末之平均粒徑為10nm至5μm。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之製備太陽能電池之方法，其中，該無機粉末塗覆有矽烷化合物、矽油或脂肪酸。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之製備太陽能電池之方法，其中，於步驟(d)中，回蝕該發射極層時係使用一選擇性濕式蝕刻劑，其中混有體積比為10：0.1~0.01：1~3：5~10之HNO3 、HF、CH3 COOH及H2 O。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之製備太陽能電池之方法，其中，該選擇性濕式蝕刻劑對摻雜有高濃度摻雜物於該發射極層中之區域具有0.08至0.12μm/秒之蝕刻速率，而對摻雜有低濃度摻雜物於該發射極層中之區域具有0.01至0.03μm/秒之蝕刻速率。
  10. 如申請專利範圍第4項所述之製備太陽能電池之方法，其中，於步驟(d)中，回蝕該發射極層時可使用鹼性濕式蝕刻劑或電漿乾式蝕刻劑。
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