TWI443159B - 透明導電積層體 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種透明導電積層體，特別是關於一種包含抗腐蝕薄膜層之透明導電積層體。
透明導電積層體(transparent conductive laminate)已廣泛使用於多種電子器材，例如液晶顯示器、觸控面板或太陽能面板等。上述透明導電積層體為具備良好導電性，通常以銀作為主要導電材料形成銀導電層，並可視需求與氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)進一步形成一積層結構，例如於銀導電層上、下各配置一層氧化銦錫層，形成「氧化銦錫/銀/氧化銦錫」的複合導電層(conductive multilayer)結構。
由於在一般環境條件下，空氣中的氧氣或水氣等會穿透結構較不緊密的氧化銦錫層，並且與銀作用產生氧化反應形成腐蝕的白點。此白點為絕緣性，因此當產生過多或密集的白點時，將增加複合導電層的電阻值，甚至造成斷路。
所以在習知技術中，便有人提出利用鍍金、加入阻障層或加入抗腐蝕劑(corrosion inhibitor)等方法，以期達到抑制白點產生及降低電阻值。雖然，上述方法能些許減少銀導電層表面白點的產生，但是除了鍍金法外(但有價格昂貴之問題)，其餘方法大多會造成複合導電層表面電阻上昇之問題。再者，當複合導電層中包含有氧化銦錫層時，習知技藝者均知氧化銦錫層會造成整體複合導電層色相偏黃。然而，前述之習知抗腐蝕技術並無法同步改善此一色相問題。
舉例來說，於1991年公告的美國發明專利第5061566號中，揭示一種利用雙成份聚胺酯樹脂加上金屬導電材料(銅粉)及唑系(azole)有機抗腐蝕劑所組成之電磁波屏蔽塗佈材料。該案所提出的塗佈材料需添加有機抗腐蝕劑，易造成環境污染，且金屬導電材料添加較多時，亦會影響該塗佈材料的透光性。
此外，於2011年揭露的美國專利公開第20110236710號中，提出一種利用一塗佈液達到導電及抗腐蝕特性之技術，其中該塗佈液包含多種導電材料、抗腐蝕劑及黏著劑。該案所提出之塗佈液雖具有導電及抗腐蝕特性，惟其需經由多種材料配製而成，製程頗為繁雜，且需添加片狀黏土(clay)才能達到抗腐蝕效果，亦會影響該塗佈層之透光性。
由於習知技術存在著以上之問題，故而提出一種能有效解決該些問題之技術方案，仍有其需要。
為解決前述習知技術之問題，本案發明人經多方研究後，提出一種透明導電積層體，可有效解決前述習知技術之缺點。
根據本發明所指出之透明導電積層體，其結構包含一複合導電層及一抗腐蝕薄膜層。其中，該複合導電層至少包含一基材與一金屬導電層。另外，該抗腐蝕薄膜層之薄膜層本體主要係由一水性聚胺基甲酸酯(waterborne polyurethane，後稱水性PU)所構成，且包含複數個分散於其中之奈米碳管，但不包含額外之抗腐蝕劑。此外，該抗腐蝕薄膜層之厚度(記為x奈米)與其所含有之該等奈米碳管的含量(記為y v/v%)之間，具有下述數學關係式：
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其中，y為3至32，且a為100至400。
本發明之另一目的，係提供一種前述之透明導電積層體的製造方法。根據本發明所指出之製造方法，係提供一複合導電層，並配製一抗腐蝕溶液。該抗腐蝕溶液包含一溶劑、複數個奈米碳管與一水性PU。然後，將該抗腐蝕溶液塗佈於該複合導電層上。接著，將該抗腐蝕溶液烘乾，以於該複合導電層上形成該抗腐蝕薄膜層。
藉由本發明製造方法所製得之透明導電積層體，其抗腐蝕薄膜層之厚度(記為x奈米)與其所含有之該等奈米碳管的含量(記為y v/v%)間，具有下述數學關係式：
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其中，y為3至32，且a為100至400。
本發明之抗腐蝕薄膜層除可保護複合導電層，且不會提高透明導電積層體的表面電阻外，尚能進一步改善複合導電層的色相問題。
為使熟習本技術領域之技藝者，藉由閱讀本發明說明書而更能瞭解本發明之技術特徵，以下將配合圖式說明本發明之技術內容。
參閱第1A圖，為本發明透明導電積層體100a之結構斷面的一具體實施態樣示意圖。本發明透明導電積層體100a，包含一複合導電層110，以及一設置於複合導電層110上之抗腐蝕薄膜層120。
根據本發明之一實施例，前述之複合導電層110，至少包含一基材112與一金屬導電層114。前述之抗腐蝕薄膜層120係設置於金屬導電層114上，且該抗腐蝕薄膜層之本體主要係由一水性聚胺基甲酸酯(waterborne polyurethane，後稱水性PU)所構成，且包含複數個分散於其中之奈米碳管，但不需額外添加抗腐蝕劑。
根據本發明之一實施例，前述之基材112為高分子材料，其中係選自由聚酯系樹脂(polyester-based resin)、醋酸系樹脂(acetate-based resin)、聚醚系樹脂(polyethersulfone-based resin)、聚碳酸酯系樹脂(polycarbonate-based resin)、聚醯胺系樹脂(polyamide-based resin)、聚醯亞胺系樹脂(polyimide-based resin)、聚烯烴系樹脂(polyolefin-based resin)、丙烯酸酯系樹脂(acrylic resin)、聚氯乙烯系樹脂(polyvinyl chloride-based resin)、聚苯乙烯系樹脂(polystyrene-based resin)、聚乙烯醇系樹脂(polyvinyl alcohol-based resin)、聚芳酯系樹脂(polyarylate-based resin)、聚苯硫系樹脂(polyphenylene sulfide-based resin)、聚二氯亞乙烯系樹脂(polyvinylidene chloride-based resin)、(甲基)丙烯酸酯系樹脂((meth) acrylic resin)及其組合所構成之族群。
根據本發明之一實施例，前述之金屬導電層114的材料係選自由銀、鋁、銅及其組合所構成之族群至少其中之一。金屬導電層114之厚度為3奈米至15奈米，更佳為5奈米至10奈米。其係因為若金屬導電層114之厚度小於3奈米時，容易形成斷路，致使導電性不佳。若金屬導電層114之厚度大於15奈米時，則易使得透光度不佳。
根據本發明之另一實施例，參閱第1B圖，前述之金屬導電層114係設置於基材112及抗腐蝕薄膜120之間，且於金屬導電層114與基材112之間進一步包含一第一導電層116，以及於金屬導電層114與抗腐蝕薄膜120之間進一步包含一第二導電層118。
前述之第一導電層116與第二導電層118的材料分別為金屬或金屬氧化物，其中金屬可選自由銀、鋁、銅及其組合所構成之族群至少其中之一，而金屬氧化物可選自由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化銦錫、氧化銦銻、氧化鋅鋁、氧化銦鋅及其組合所構成之族群至少其中之一。第一導電層116及第二導電層118之厚度，係可獨立地依所需導電性及其他所欲性質選用適宜之厚度，較佳為3奈米至100奈米，更佳為20奈米至70奈米，最佳為30奈米至60奈米。
根據本發明之又一實施例，參閱第1C圖，前述之透明導電積層體110中僅包含第一導電層116。習知技藝者參閱本發明之說明，雖未再以圖式表示亦可瞭解到，作為第1C圖之實施態樣之變型亦可為，透明導電積層體110中僅包含第二導電層118。
根據本發明之一實施例，前述之抗腐蝕薄膜120之主要成分包含複數個奈米碳管及由具有親水性官能基的水性PU所構成之薄膜本體，且上述諸奈米碳管係分散於其中。
前述之水性PU具有親水性官能基，係利用水做為溶劑並配製成水溶液。相較於一般的聚胺基甲酸酯(PU)僅溶於有機溶劑，無論在使用操作或環境保護上都具有絕佳的優勢。根據本發明之一實施例，水性PU之親水性官能基係選自由羧酸基、磺酸基、銨基、乙氧基(ethylene oxide)及其組合所構成之族群。
根據本發明之一實施例，前述之奈米碳管係為單壁、雙壁或多壁的結構。前述奈米碳管之長度為1微米至20微米，較佳為5微米至20微米，最佳為10微米至20微米。前述奈米碳管之管徑為1奈米至50奈米，較佳為1奈米至30奈米，最佳為3奈米至25奈米。在乾燥後之抗腐蝕薄膜層中，其含有3 v/v%至32 v/v%的奈米碳管。在抗腐蝕薄膜層中，若奈米碳管的含量太低，奈米碳管彼此間的接觸機率會太低，而導致導電性不佳。若奈米碳管的含量太高，則不易配製奈米碳管能均勻分散其中之抗腐蝕溶液。本發明之奈米碳管係由雙壁及多壁奈米碳管所組成。
前述抗腐蝕薄膜層120之厚度(記為x奈米)較佳為23奈米至137奈米，且抗腐蝕薄膜層120之奈米碳管的含量(記為y v/v%)較佳為3 v/v%至32 v/v%。上述之x和y存在一數學關係式為y=-2.9x+a，其中a為100至400。
根據本發明之一實施例的透明導電積層體之製造方法，包含形成複合導電層110及形成抗腐蝕薄膜層120。由於複合導電層110包含基板112及金屬導電層114，而且複合導電層110係進一步包含第一導電層116及第二導電層118。因此形成複合導電層110時，係藉由物理氣相沉積法形成金屬導電層114，以及藉由真空濺鍍法形成第一導電層116及第二導電層118。
為形成抗腐蝕薄膜層120，在此需先配製抗腐蝕溶液，以備後續製程使用。配製方法係將奈米碳管及水性PU(奈米碳管：水性PU之重量比為1:1至1:10)加入異丙醇水溶液(水：異丙醇之重量比為1：0.6至1：1)中，其中水：異丙醇之重量比較佳為1：0.7，均勻混合後得到抗腐蝕溶液。依據上述之抗腐蝕薄膜層的奈米碳管的含量，抗腐蝕溶液中奈米碳管及水性PU之含量為0.1 wt%至1.0 wt%，較佳為0.2 wt%。
接著將前述之抗腐蝕溶液塗佈於複合導電層110上，其方法例如可為線棒塗佈法。隨後烘乾塗佈於複合導電層110上的抗腐蝕溶液，以於複合導電層上形成抗腐蝕薄膜層120。
於本發明後述實施例中所使用之水性PU種類及來源如下表1所示：
表1 水性PU的組成
於本發明後述實施例中，對於所製得之透明導電積層體所進行的測試方式，說明如下：以下提供透明導電積層體之測試方法以及評價標準，其中透明導電積層體的測定項目包含霧度、透光度、表面電阻、b*值以及外觀評價。
透明導電積層體的霧度及透光度之測定方法係以JIS K 7105為基準，且使用日本電色工業(股)製造之測量儀器NDH-2000測定之。本發明之透明導電積層體可應用之領域包含顯示器、電子紙、太陽能電池及照明器具等。一般常用的透光度(%)需高於75%，方可維持最終產品之效率。在本發明中，除了奈米碳管之含量及抗腐蝕薄膜層之厚度外，其餘各層之厚度亦需適當調控以達到良好之透光度要求。
透明導電積層體的表面電阻之測定方法係以JIS K 7194為基準，使用三菱油化(股)製造之測定機Lotest AMCP-T400以4端子法測定之。
透明導電積層體的b*值之測定方法，係以JIS中定義之L*a*b*表色系之藍黃色度感指數b*為基準，使用日立製作所製造之分光光譜儀U4100，並依據JIS Z 8722號方法測定之。其中，由於本發明之一實施例之第一導電層及/或第二導電層為氧化銦錫，且氧化銦錫本身對短波長之透光度較低，使其b*值大於2.0，呈現偏黃色。因此當形成抗腐蝕透明導電薄膜層時，其中包含偏藍灰色的奈米碳管，可調整氧化銦錫所造成的偏黃色差問題，使透明導電積層體之b*值為-2.0至2.0，呈現中性色。
透明導電積層體的外觀評價之測定方法，係將透明導電積層體置於高溫且高濕度的環境中，持續一段時間。接著以目測觀察及計算特定面積產生之白點數，並根據白點數予以評價。上述評價標準為面積300 cm2
的透明導電積層體之白點數≦3記為◎，3＜白點數≦10記為△，以及白點數＞10記為X。
製備不同導電材料佔薄膜層體積比的透明導電積層體實施例1：
實施例1係提供一種透明導電積層體，其製造方法包含下列步驟：
(1)濺鍍第一導電層。將基材置於濺鍍腔體中，以ITO(Sn/(In+Sn)=10 wt%)為靶材，對腔體抽真空後，通入濺鍍氣體，於室溫下濺鍍第一導電層。第一導電層之厚度為56奈米。上述濺鍍氣體可為氬氣(Ar)及氧氣(O2
)的混合氣體。
(2)沉積金屬導電層。接續步驟(1)，關閉氧氣並持續通入氬氣，以銀為靶材沉積金屬導電層。金屬導電層之厚度為7奈米。
(3)濺鍍第二導電層。接續步驟(2)，以步驟(1)所述之方法，於金屬導電層上濺鍍第二導電層。第二導電層之厚度為56奈米。
在此藉由上述測定方法，測定由上述3步驟所製成之中間產物元件之透光度為87.17%，表面電阻為15Ω/□，以及b*值為6.49。
(4)配製抗腐蝕溶液。將奈米碳管及水性PU-1加入異丙醇水溶液(水：異丙醇之重量比為1：0.7)中，均勻混合後得到奈米碳管及水性PU之含量為0.2 wt%的抗腐蝕溶液。
(5)塗佈抗腐蝕薄膜層。接續步驟(3)，以線棒塗佈法，將步驟(4)所配製之抗腐蝕溶液塗佈於第二導電層上。待烘乾後，以奈米碳管比重2.6g/cm3
及水性PU比重1.1g/cm3
進行計算，所得之抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為4.06 v/v %，測量抗腐蝕薄膜層之厚度為40奈米。
(6)抗腐蝕測試。將上述透明導電積層體置於溫度為60℃且濕度為90%的環境中，持續240小時。隨後藉由上述測定方法，測定實施例1之霧度、透光度、表面電阻、b*值及外觀評價。
實施例2及3之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)至(3)、(5)及(6)皆與實施例1相同，而步驟(4)改為將奈米碳管及水性PU-2加入異丙醇水溶液(水：異丙醇之重量比為1：0.7)中，均勻混合後得到奈米碳管及水性PU之含量為0.2 wt%的抗腐蝕溶液。待烘乾後，實施例2及3之抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為29.73 v/v %。實施例2之抗腐蝕薄膜層之厚度為30奈米，而實施例3之抗腐蝕薄膜層之厚度為40奈米。
比較例1之中間元件，其製造方法中，步驟(1)至(3)及(6)皆與實施例1相同，但無抗腐蝕薄膜層。
比較例2至4之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)至(6)皆與實施例1相同。比較例2之抗腐蝕薄膜層之厚度為10奈米，比較例3之抗腐蝕薄膜層之厚度為20奈米，而比較例4之抗腐蝕薄膜層之厚度為30奈米。
比較例5及6之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)至(3)、(5)及(6)皆與實施例1相同，而步驟(4)改為將奈米碳管及水性PU-3加入異丙醇水溶液(水：異丙醇之重量比為1：0.7)中，均勻混合後得到奈米碳管及水性PU之含量為0.2 wt%的抗腐蝕溶液。待烘乾後，比較例5及6之抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為29.73 v/v %。比較例5之抗腐蝕薄膜層之厚度為30奈米，而比較例6之抗腐蝕薄膜層之厚度為40奈米。
比較例7之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)、(2)、(5)及(6)皆與實施例1相同，但省略步驟(3)及(4)，直接將水性PU-1(不含奈米碳管)塗佈於金屬層之上。比較例7之抗腐蝕薄膜層之厚度為120奈米。
比較例8至11之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)至(3)、(5)及(6)皆與實施例1相同，但省略步驟(4)，直接將不同水性PU(不含奈米碳管)塗佈於第二導電層之上。比較例8係使用水性PU-2，比較例9係使用水性PU-3，比較例10係使用水性PU-4，而比較例11則係使用環氧丙烯酸酯。比較例8至11之抗腐蝕薄膜層之厚度皆為120奈米。
比較例12之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)、(2)、(5)及(6)皆與實施例1相同，但省略步驟(3)，而步驟(4)改為將聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)：聚苯乙烯(PSS)及水性PU-4加入異丙醇水溶液(水：異丙醇之重量比為1：0.7)中，均勻混合後得到奈米碳管及水性PU之含量為0.2 wt%的抗腐蝕溶液。待烘乾後，比較例12之抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為29.73 v/v %。比較例12之抗腐蝕薄膜層之厚度為120奈米。
上述實施例1至3及比較例1至12之組成與結構關係，摘要示於下表2中，測試所得之結果則摘要示於下表3中：
表2為實施例1至3及比較例1至12之組成與結構關係
表3為實施例1至3及比較例1至12之測試結果
對照表2之透明導電積層體之結構與表3之測試結果。顯示本發明抗腐蝕薄膜層可有效抑制透明導電積層體之白點數生成(白點數≦3)並且不會導致表面電阻上升(≦15 Ω/□)，其抗腐蝕薄膜層之厚度較佳為不小於20奈米。
為讓透明導電積層體具有較佳之色相，b*之範圍須介於-2.0~2.0。比對上述實施例1至2及比較例1、4、6之測試結果可得知，在抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為4.06 v/v %的條件下，當上述抗腐蝕薄膜層厚度低於30奈米時，其b*>2，表示改善色相之效果不佳，另外，在抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為29.73 v/v %的條件下，上述抗腐蝕薄膜層厚度低於20奈米時，亦無法有助於改善色相。
實施例4之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)至(6)皆與實施例1相同。實施例4之抗腐蝕薄膜層之厚度為130奈米。
實施例5之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)至(3)、(5)及(6)皆與實施例1相同，而步驟(4)改為將奈米碳管及水性PU-2加入異丙醇水溶液(水：異丙醇=1：0.7)中，均勻混合後得到奈米碳管及水性PU之含量為0.2 wt%的抗腐蝕溶液。待烘乾後，實施例5之抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為29.73 v/v %。實施例5之抗腐蝕薄膜層之厚度為120奈米。
比較例13及14之透明導電積層體，其製造方法中，步驟(1)至(3)、(5)及(6)皆與實施例1相同，而步驟(4)改為將奈米碳管及水性PU-2加入異丙醇水溶液(水：異丙醇重量比為1：0.7)中，均勻混合後得到奈米碳管及水性PU之含量為0.2 wt%的抗腐蝕溶液。待烘乾後，比較例13及14之抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為29.73 v/v %。比較例13之抗腐蝕薄膜層之厚度為130奈米，而比較例14之抗腐蝕薄膜層之厚度為150奈米。
比較例15之透明導電積層體，其製造方法包含中，步驟(1)至(6)皆與實施例1相同。比較例15之抗腐蝕薄膜層之厚度為150奈米。
上述實施例4至5及比較例13至15之組成與結構關係，摘要示於下表4中，測試所得之結果則摘要示於下表5中：
表4為實施例4至5及比較例13至15之組成與結構關係
表5為實施例4至5及比較例13至15之測試結果
對照表5之透明導電積層體之結構與表6之測試結果。為讓透明導電積層體符合後端應用之需求，應使透光度≧75%。從上述的實施例與比較例中可得知，在抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為4.06 v/v %的條件下，當上述抗腐蝕薄膜層厚度＞150奈米時，其透光度<75%，另外，在抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為29.73 v/v %的條件下，當上述抗腐蝕薄膜層厚度＞130奈米時，亦會使得透光度表現無法達到預期。
第2圖係依據表3及表5所得之測試結果所繪示而成。依據表3及表5所述之結果，其抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量較佳為3 v/v %至32 v/v %。一方面若抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為小於3 v/v %時，則奈米碳管無法形成通路，增加表面電阻。另一方面若抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為大於32 v/v %，則奈米碳管無法分散，造成薄膜表面不均勻。
當抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為3 v/v %時，薄膜層厚度應介於30奈米至150奈米。一方面若薄膜層厚度小於30奈米時，則無法改善色相。另一方面若薄膜層厚度大於150奈米時，則使透明導電積層體之透光度降低。
當抗腐蝕薄膜層之奈米碳管的含量為32 v/v %時，薄膜層厚度應介於20奈米至130奈米。此時由於奈米碳管比例增加，使得薄膜層之呈色較深，但薄膜層厚度於上述範圍時，仍為可用範圍。
根據上述結果可歸納出4直線，其數學式分別為y=3、y=32、y=-2.9x+100以及y=-2.9x+400。再依據上述4直線繪示於X-Y座標圖中，其中由上述4直線分割之封閉區域為抗腐蝕薄膜層之可用範圍。上述4直線之數學式存在一簡單數學關係式為y=-2.9x+a，其中y為3至32，且a為100至400。
依據上述本發明之實施方式，其所提供之抗腐蝕薄膜層，可有效抑制複合導電層中金屬因氧化或腐蝕而產生白點，以維持複合導電層之導電度及透光度。並且由於奈米碳管偏藍灰色，可使透明導電積層體之呈色由偏黃色趨於中性色，具有改善色相的效果。本發明之最佳實施方式以揭露如上所述，然而所列舉之製造方法並不局限於本發明之實施例。任何本發明所屬技術領域中習之技藝者，在不偏離本發明之精神與範圍時，可進行各種修飾或變換。故此本發明之保護範圍當以下所附之申請專利範圍所界定者為之。
100a．．．透明導電積層體
100b．．．透明導電積層體
100c．．．透明導電積層體
110．．．複合導電層
112．．．基材
114．．．金屬導電層
116．．．第二導電層
118．．．第一導電層
120．．．抗腐蝕薄膜層
第1A圖係繪示透明導電積層體100a之結構示意圖。
第1B圖係繪示透明導電積層體100b之結構示意圖。
第1C圖係繪示透明導電積層體100c之結構示意圖。
第2圖為薄膜層厚度與薄膜層之奈米碳管含量之相關直線，其中由4直線分割之封閉區域為可使用之範圍。
100a．．．透明導電積層體
110．．．複合導電層
112．．．基材
114．．．金屬導電層
120．．．抗腐蝕薄膜層
Claims (12)
- 一種透明導電積層體，包含：一複合導電層，其至少包含一基材與一金屬導電層位於該基材上；以及一抗腐蝕薄膜層，其係設置於該複合導電層之該金屬導電層上，且其本體主要係由一其內分散有複數個奈米碳管之水性聚胺基甲酸酯(PU)所構成，該水性聚胺基甲酸酯(PU)具有至少一親水性官能基，其係選自由羧酸基、磺酸基、銨基、乙氧基及其組合所構成之族群，其中，該抗腐蝕薄膜層之厚度(記為x奈米)與其所含有之該等奈米碳管的含量(記為y v/v%)之間，具有下述數學關係式：y=-2.9x+a (方程式I)其中，y為3至32，且a為100至400。
- 如請求項1所述之透明導電積層體，其中該等奈米碳管係為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管、多壁奈米碳管或該等之組合。
- 如請求項1所述之透明導電積層體，其中該基材之材料係選自由聚酯系樹脂、醋酸系樹脂、聚醚系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸酯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫系樹脂、聚二氯亞乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸酯系樹脂及其 組合所構成之族群。
- 如請求項1所述之透明導電積層體，其中該金屬導電層之材料係選自由銀、鋁、銅及其組合所構成之族群。
- 如請求項1所述之透明導電積層體，其中該複合導電層中進一步包含一導電層，且該導電層係設置於該金屬導電層與該抗腐蝕薄膜層之間。
- 如請求項1所述之透明導電積層體，其中該複合導電層中進一步包含一導電層，且該導電層係設置於該金屬導電層與該基材之間。
- 如請求項5或6所述之透明導電積層體，其中該導電層之材料係為一金屬或一金屬氧化物。
- 如請求項7所述之透明導電積層體，其中該金屬係選自由銀、鋁、銅及其組合所構成之族群。
- 如請求項7所述之透明導電積層體，其中該金屬氧化物係選自由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化銦錫、氧化銦銻、氧化鋅鋁、氧化銦鋅及其組合所構成之族群。
- 一種如請求項1所述之透明導電積層體的製造方法，包含：配製一抗腐蝕溶液，其包含一溶劑、複數個奈米碳管與一水性聚胺基甲酸酯(PU)；塗佈該抗腐蝕溶液於該複合導電層上；以及烘乾該抗腐蝕溶液，以形成該抗腐蝕薄膜層，其中，該抗腐蝕薄膜層之厚度(記為x奈米)與其所含有 之該等奈米碳管的含量(記為y v/v%)之間，具有下述數學關係式：y=-2.9x+a (方程式I)其中，y為3至32，且a為100至400。
- 如請求項10所述之透明導電積層體的製造方法，其中該溶劑係為水及異丙醇之混合液，且其重量比為1：0.6至1：1。
- 如請求項10所述之透明導電積層體的製造方法，其中該等奈米碳管及該水性聚胺基甲酸酯(PU)在該抗腐蝕溶液中之含量為0.1-1.0wt%。
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