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TWI442173B - 微影用防塵薄膜組件 - Google Patents

微影用防塵薄膜組件 Download PDF

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TWI442173B
TWI442173B TW099140782A TW99140782A TWI442173B TW I442173 B TWI442173 B TW I442173B TW 099140782 A TW099140782 A TW 099140782A TW 99140782 A TW99140782 A TW 99140782A TW I442173 B TWI442173 B TW I442173B
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TW
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reticle
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TW099140782A
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TW201126265A (en
Inventor
Toru Shirasaki
Kenichi Fukuda
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Shinetsu Chemical Co filed Critical Shinetsu Chemical Co
Publication of TW201126265A publication Critical patent/TW201126265A/zh
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Description

微影用防塵薄膜組件
本發明係關於在半導體裝置(例如大型積體電路(LSI)、超大型積體電路或其類似物)或液晶顯示面板的製造過程中，作為光罩、初縮遮罩或其類似物之防塵罩使用的微影用防塵薄膜組件。
在製造例如大型積體電路(LSI)、超大型積體電路或其類似物的半導體裝置或液晶顯示面板時，透過例如光罩或初縮遮罩之曝光用樣板(本說明書中統稱為「光罩」)，以曝光用光照射到半導體晶圓或液晶顯示面板用之母基板上，藉此光罩的圖案會被轉印到半導體晶圓或液晶顯示面板用之母基板上，因此形成半導體裝置或液晶顯示面板之圖案。
因此，當透過光罩以曝光用光照射到半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板上時，例如附著於光罩之灰塵顆粒等任何異物會反射或吸收曝光用光，因此，不僅會使轉印到半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板上的圖案發生變形或圖案邊緣變模糊，而且還會造成下方表面被髒污弄黑，因此劣化半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板的尺寸、品質、與外觀等等。因此，無法依所需的方式將光罩圖案轉印到半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板上，而降低半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板的效能，所以無法避免地減低了半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板的產率比例。
為解決這些問題，半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板的曝光操作通常是在無塵室裡進行的。但儘管如此，由於要完全防止異物附著於光罩表面是極其困難的，半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板的曝光操作通常是藉由防塵罩來進行，此防塵罩被稱為防塵薄膜組件、對於曝光用光具有高透射率、並且被固定於光罩表面上。
通常，防塵薄膜組件是藉由將對於曝光用光具有高透射率之材料(例如硝化纖維素、醋酸纖維素等纖維素類樹脂或氟化系樹脂等等)所製成的防塵薄膜貼附於防塵薄膜框架(由鋁、不繡鋼、聚乙烯等等所製成)之一表面上而製成。而這是藉由以下方式達成：將防塵薄膜材料用之良好溶劑施加於防塵薄膜框架之一表面上，並且將風乾之防塵薄膜貼附於防塵薄膜框架之一表面上，或者是使用黏合劑(例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂或氟樹脂等等)將防塵薄膜貼附於防塵薄膜框架之一表面上；形成凝集層，此凝集層係由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂、矽樹脂等等所構成，並且用來將光罩貼附於防塵薄膜框架之另一表面上；以及設置襯層於凝集層上來保護凝集層(例如，可參照日本專利申請案公開號第58-219023號、美國專利第4861402號、日本專利公開號第63-27707號、以及日本專利申請案公開號第7-168345號)。
將防塵薄膜組件安裝於光罩表面，以便將形成於光罩表面上之圖案區域包圍起來，藉此，形成於光罩表面上之圖案區域與防塵薄膜組件以外之區域可藉由防塵薄膜組件彼此隔離，從而防止存在於防塵薄膜組件以外的塵埃顆粒附著到形成於光罩表面上之圖案區域。
在將所構成的防塵薄膜組件安裝在光罩表面，以及透過光罩對半導體晶圓或液晶顯示面板之母基板進行曝光的情況中，由於灰塵顆粒等異物附著在防塵薄膜組件的表面，而不是直接附著於光罩的表面，所以能夠藉由將光線聚焦於形成在光罩上之圖案的方式來投射曝光用光而排除灰塵顆粒之類的異物的影響。
習知技術中，例如G-線UV(波長436 nm)和I-線UV(波長365 nm)之紫外線光已被用做曝光LSI所用之光。不過，近年來，由於LSI之集成密度增加以及電路幾何圖案的細微化，必須使用具有較短波長之光線作為曝光用光。因此，首先使用了氟化氪(KrF)準分子雷射(波長248 nm)，然後使用了氟化氬(ArF)準分子雷射(波長193 nm)。
但是，在以氟化氬(ArF)準分子雷射(波長193 nm)長期對固定有防塵薄膜組件於其上之光罩進行曝光的情況中，在被防塵薄膜組件包圍之光罩圖案區域上會逐漸有固體狀異物析出。
一般認為，在對固定有防塵薄膜組件於其上之光罩進行長期曝光的情況中，在被防塵薄膜組件包圍之光罩圖案區域上逐漸有固體狀異物析出的問題是由以下原因所造成：存在於光罩上之離子殘餘物、在光罩使用環境中所含之離子氣體或有機氣體、或者從防塵薄膜組件中放出的離子氣體或有機氣體與氟化氬(ArF)準分子雷射之間的反應。
其中，大部分從防塵薄膜組件中放出的有機氣體是從用以將防塵薄膜組件固定於光罩上之凝集層中所含的凝集劑而放出的，所以凝集劑通常會被事先加熱或置於減壓環境中以除氣。
從凝集層中包含之凝集劑所放出的有機氣體，取決於凝集劑的種類，並且凝集劑對於氟化氬(ArF)準分子雷射(波長193 nm)的吸收能力越高，在光罩之圖案區域上析出固體狀異物的風險越高。對於氟化氬(ArF)準分子雷射(波長193 nm)具有高吸收能力之有機氣體的例子包含烴基氣體，例如帶有π電子之芳香族氣體。一般更知道，胺系氣體、醇系氣體、或醛系氣體亦具有對於氟化氬(ArF)準分子雷射(波長193 nm)的高吸收特性。
另一方面，現已發現，即使抑制了來自凝集層所含之凝集劑的有機氣體散發，在長期使用防塵薄膜組件並且受到氟化氬(ArF)準分子雷射照射的情況下，由防塵薄膜組件所散射的氟化氬(ArF)準分子雷射會投射到凝集層上，因此包含在凝集層中的凝集劑會被分解而放出有機氣體，並且在由防塵薄膜組件和光罩所形成的封閉空間內有機氣體會與氟化氬(ArF)準分子雷射互相反應，導致固體狀異物在防塵薄膜組件所包圍的光罩圖案區域上析出。
此外還發現一個現象，當氟化氬(ArF)準分子雷射透過防塵薄膜組件和光罩時，會在防塵薄膜組件和光罩所形成的封閉空間內產生臭氧氣體，且由此產生之臭氧氣體會促進凝集層中所含的凝集劑劣化，因此放出分解氣體。
上述問題，不僅在使用氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)作為曝光用光的情況中會發生，且在使用氟化氪(KrF)準分子雷射(波長為248 nm)作為曝光用光的情況中也會發生。
另外，如上所說明，在長期使用防塵薄膜組件的情況中，由於(例如)將光罩之圖案區域上之固體狀異物分離時發生失敗，必須要在預定時間經過之後藉由清理光罩和更新防塵薄膜組件來移除在光罩上析出的固體狀異物。並且，在使用氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193nm)作為曝光用光的情況中，與使用氟化氪(KrF)準分子雷射(波長為248nm)作為曝光用光的情況相比，需要在更短的時間之後更新防塵薄膜組件。然而，當氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193nm)被投射在凝集層中所含的凝集劑上，或者凝集層中所含的凝集劑暴露於臭氧氣體中時，會促進凝集劑的劣化並且變得難以將光罩從防塵薄膜組件框架上剝除下來。
因此，本發明之一目的係提供一種微影用防塵薄膜組件，這種防塵薄膜組件即使長期使用也只會產生小量的分解氣體，因此可以防止在光罩的圖案區域上析出固體狀異物，並且能夠抑制用以將光罩固定於防塵薄膜組件框架上之凝集層中所含之凝集劑的劣化。
本發明之另一目的係提供一種易於從光罩上剝除之微影用防塵薄膜組件，以達成更短的防塵薄膜組件更換時間。
本發明之發明人為達上述目的，經過不懈的努力研究，結果發現到，在藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物來形成凝集層的情況中，即使會從凝集層中放出有機氣體(所放出之有機氣體會抗氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193nm)的吸收)、即使氟化氬(ArF)準分子雷射會投射到凝集層上(凝集層中所含的凝集劑會抗分解)、並且即使臭氧會在由光罩與防塵薄膜組件所形成的封閉空間內被產生，凝集層中所含之凝集劑的劣化可被抑制且可較輕易地更新防塵薄膜組件。
因此，本發明之上述及其它目的可藉由一種微影用防塵薄膜組件來達成，此防塵薄膜組件包含防塵薄膜組件框架、貼附於防塵薄膜組件框架之一表面上的防塵薄膜、以及形成於防塵薄膜組 件框架之另一表面上的凝集層，其中凝集層係藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構之直鏈全氟化合物的可硬化組成物而形成。
在本發明中，含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物包含有：(A)直鏈全氟化合物，其每分子中含有至少兩個烯基，且在主鏈上具有全氟結構並作為基本成份；(B)另一直鏈全氟化合物，其每分子中含有一個烯基，且在主鏈上具有全氟結構並作為反應稀釋劑；(C)有機矽化合物，其每分子中含有至少兩個氫矽基(hydrosilyl)，且作為交聯劑以及鏈延長劑；以及(D)鉑族金屬催化劑。例如，作為依據本發明之含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物，可以使用揭露於日本專利申請案公開號第11-116685號之可硬化組成物。
具體來說，由於在本發明中凝集層是藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物而形成，所以從凝集層中放出的任何氣體係氟化碳類有機氣體，其對於短波長光的吸收能力較低，因此即使有機氣體被散發到由防塵薄膜組件和光罩所形成的封閉空間內，有機氣體會抗氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193nm)的吸收。所以能夠有效地防止在防塵薄膜組件所包圍之光罩的圖案區域上析出固體狀異物。
再者，在本發明中，由於凝集層是藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物而形成，所以凝集層具有高耐光性，並且即使在將氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193nm)的投射於其上時也可抗分解，故能防止分解氣體的釋出。並且即使在由於氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193nm)的照射而從凝集層放出分解氣體的情況中，因為放出來的氣體係氟化碳類有機氣體，其對於短波長光的吸收能力較低，所以氟化碳類有機氣體可抗氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193nm)的吸收，因此能夠有效地防止在防塵薄膜組件所包圍的光罩的圖案區域上析出固體狀異物。
另外，在本發明中，由於凝集層是藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物而形成，所以凝集層具有高耐臭氧性，且即使當由防塵薄膜組件和光罩所形成的封閉空間內有臭氧產生時，也能夠防止凝集層的劣化，因此能夠防止從凝集層散放出分解氣體。
此外，在本發明中，由於凝集層是藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物而形成，所以凝集層具有高耐光性和高耐臭氧性，因此可以抑制凝集層的劣化。所以能夠輕易地更新防塵薄膜組件。
在本發明中，硬化可硬化組成物之後之凝集層的穿透性較佳是50至100(依據ASTM D1403所測定)，由於這確保了凝集層具有足夠高的凝集強度和足夠高的黏著強度，同時又具有適當的柔軟性，這能夠在將防塵薄膜組件固定於光罩上時防止光罩變形。
以上所述之技術優點，不只在使用氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)作為曝光用光的情況中能達成，且在使用氟化氪(KrF)準分子雷射(波長為248 nm)作為曝光用光的情況中也能達成。
本發明之以上和其它目的與特徵當由參照隨附之圖示所做之以下敘述而更加明白。
圖1為防塵薄膜組件的縱向截面示意圖，其為本發明之一較佳實施例。
如圖1所示，依據此實施例之防塵薄膜組件10，具有經由黏合層2而貼附於防塵薄膜組件框架3之上端表面的防塵薄膜1。
另一方面，亦如圖1所示，藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物而在防塵薄膜組件框架3的下端表面上形成凝集層4，且在凝集層4的下表面上形成襯層(未圖示)以便能夠剝除。
在此實施例中，在防塵薄膜組件框架3之側壁的其中之一上形成有氣壓調節孔6(即通氣孔6)以及用以移除顆粒之除塵過濾器7。
如圖1所示，將光罩5固定於凝集層4的下表面。
用以形成防塵薄膜1的材料並未特別限定，例如，習知作為準分子雷射之防塵薄膜1之形成材料的非晶體多氟化物聚合物可用來形成防塵薄膜1。非晶體多氟化物聚合物的例子可包含由ASAHI GLASS Co.,Ltd.公司所製造之「CYTOP」(商品名)、由Du Pont Kabushiki Kaisha所製造之「Teflon」(註冊商標)和「AF」(產品名)。在當欲製造防塵薄膜1時，這些聚合物可依狀況所需而溶解於溶劑中，且可任意地溶於氟類溶劑中。
防塵薄膜組件框架3可由習知用以形成防塵薄膜組件框架3之鋁合金所製成，且能夠形成防塵薄膜組件框架3之材料的例子包含定義於JIS A7075之材料、定義於JIS A6061之材料以及定義於JIS A5052之材料。在使用鋁合金材料來形成防塵薄膜組件框架3的情況中，鋁合金之種類並未特別限定，只要在能夠確保防塵薄膜組件框架3所需之機械強度的範圍內。
較佳是在形成聚合物塗佈層之前，藉由噴砂法或化學研磨法來粗糙化防塵薄膜組件框架3的表面。作為防塵薄膜組件框架3表面的粗糙化方法，可以採用習知的方法。不過，在使用鋁合金來形成防塵薄膜組件框架3的情況中，較佳是先用不鏽鋼、金剛砂、玻璃珠等等在防塵薄膜組件框架3的表面上進行噴砂處理，然後再用氫氧化鈉在防塵薄膜組件框架3的表面上進行化學研磨，藉此使防塵薄膜組件框架3的表面粗糙化。
凝集層4是藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物來形成。
含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物對於短波長光具有高耐光性，並且即使當氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)投射於其上時亦可抗分解，故只會產生少量的分解產物。所以能夠有效地防止在防塵薄膜組件10所包圍之光罩5的圖案區域上析出固體狀異物。
並且，由於從含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物中釋出的任何有機氣體係氟化碳類氣體，其對於短波長光之吸收能力較低，即使有機氣體從凝集層4散發到由防塵薄膜組件10和光罩5所形成的封閉空間內，此氣體會抗氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)之吸收。因此能夠有效地防止在防塵薄膜組件10所包圍的光罩5的圖案區域上析出固體狀異物。
另外，由於含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物具有高耐臭氧性，即使當臭氧被產生於由防塵薄膜組件10和光罩5所形成的封閉空間內時，也能夠防止凝集層4的劣化，從而能夠防止分解氣體從凝集層4釋出。
此外，由於藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物而形成的凝集層4具有高耐光性和高耐臭氧性，所以能夠防止凝集層4的劣化，從而能夠輕易地更新防塵薄膜組件10。
在此，凝集層4中所含的凝集劑需要具有足夠高的凝集強度和足夠高的黏著強度。凝集層4中所含的凝集劑更需要具有足夠高的凝聚強度以及適當的柔軟性。在使用含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物來作為用以形成凝集層4之凝集劑的情況中，如果硬化可硬化組成物之後的凝集層穿透性為50到100，由於凝集層4具有足夠高的凝集強度和足夠高的黏著強度，同時亦具有適當的柔軟性，所以在將防塵薄膜組件10固定於光罩5上時，能夠防止光罩5變形。
以下，為了進一步說明本發明之技術優點，將提出數個實施例和比較例。
實施例1
將由鋁合金製成的防塵薄膜組件框架(外尺寸為149 mm×113 mm×4.5 mm，厚度為2 mm)用去離子水清洗後，在其一表面上塗佈由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.所製造之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物(商品名：X-71-8023)，以形成凝集層。在形成凝集層之後緊接著藉由電磁感應來加熱防塵薄膜組件框架以硬化凝集層中所含之可硬化組成物。由ASTM D1403所測定之硬化後凝集層的穿透性為100，且凝集層厚度為0.3 mm。
另一方面，防塵薄膜組件框架相對於形成有凝集層於其上之表面的另一表面塗佈有由ASAHI GLASS Co.,Ltd.所製成之CYTOP黏合劑(商品名：CTX-A)，以形成黏合層。然後，將防塵薄膜組件框架加熱到130℃之溫度以硬化黏合層。
之後，將形成於防塵薄膜組件框架之另一表面上的黏合層貼附到固定於鋁框架上之防塵薄膜，防塵薄膜之尺寸大於防塵薄膜組件框架且防塵薄膜位於防塵薄膜組件框架以外之不需要的部份被移除，藉此完成防塵薄膜組件。
將由此製成的防塵薄膜組件放入石英製成之腔室內，以氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)照射構成凝集層之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物。然後，用氣相層析法對腔室內產生的氣體進行分析。結果發現腔室內產生之氣體為氟化碳類氣體，且其對於波長193 nm之光的吸收系數為0.1，此值是足夠低的。
將防塵薄膜組件固定在光罩上，對光罩的變形加以觀察。結果為將防塵薄膜組件固定於其上之後，光罩的平坦度為0.21 μm，而將防塵薄膜組件固定於其上之前，光罩的平坦度為0.20 μm，因此發現到將防塵薄膜組件固定在光罩上對於光罩平坦度只改變了0.01 μm。
實施例2
將由鋁合金製成的防塵薄膜組件框架(外尺寸為149 mm×113 mm×4.5 mm，厚度為2 mm)用去離子水清洗後，在其一表面上塗佈由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.所製造之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物(商品名：SIFEL8070)，以形成凝集層。然後，用PET薄膜接觸凝集層表面。接下來，藉由電磁感應來加熱防塵薄膜組件框架以硬化凝集層中所含的可硬化組成物，然後將PET薄膜從凝集層表面剝除。由ASTM D1403所測定之硬化後之凝集層的穿透性為70，且凝集層的厚度為0.3 mm。
另一方面，防塵薄膜組件框架相對於形成有凝集層於其上之表面的另一表面塗佈有由ASAHI GLASS Co.,Ltd.所製造之CYTOP黏合劑(商品名：CTX-A)，以形成黏合層。然後，將防塵薄膜組件框架加熱到130℃之溫度以硬化黏合層。
之後，將形成於防塵薄膜組件框架之另一表面上的黏合層貼附到固定於鋁框架上之防塵薄膜，防塵薄膜之尺寸大於防塵薄膜組件框架且防塵薄膜位於防塵薄膜組件框架以外之不需要的部份被移除，藉此完成防塵薄膜組件。
將由此製成的防塵薄膜組件放入石英製成之腔室內，以氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)照射構成凝集層之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物。然後，用氣相層析法對腔室內產生的氣體進行分析。結果發現腔室內產生之氣體為氟化碳類氣體，且其對於波長193 nm之光的吸收系數為0.1，此值是足夠低的。
將防塵薄膜組件固定在光罩上，對光罩的變形加以觀察。結果為將防塵薄膜組件固定於其上之後，光罩的平坦度為0.21 μm，而將防塵薄膜組件固定於其上之前，光罩的平坦度為0.20 μm，因此發現到將防塵薄膜組件固定在光罩上對於光罩平坦度只改變了0.01 μm。
實施例3
將由鋁合金製成的防塵薄膜組件框架(外尺寸為149 mm×113 mm×4.5 mm，厚度為2 mm)用去離子水清洗後，在其一表面上塗佈由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.所製造之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物(商品名：X-71-8122)，以形成凝集層。然後，用PET薄膜接觸凝集層表面。接下來，藉由電磁感應來加熱防塵薄膜組件框架以硬化凝集層中所含的可硬化組成物，然後將PET薄膜從凝集層表面剝除。由ASTM D1403所測定之硬化後之凝集層的穿透性為70，且凝集層的厚度為0.3 mm。
另一方面，防塵薄膜組件框架相對於形成有凝集層於其上之表面的另一表面塗佈有由ASAHI GLASS Co.,Ltd.所製成之CYTOP黏合劑(商品名：CTX-A)，以形成黏合層。然後，將防塵薄膜組件框架加熱到130℃之溫度以硬化黏合層。
之後，將形成於防塵薄膜組件框架之另一表面上的黏合層貼附到固定於鋁框架上之防塵薄膜，防塵薄膜之尺寸大於防塵薄膜組件框架且防塵薄膜位於防塵薄膜組件框架以外之不需要的部份被移除，藉此完成防塵薄膜組件。
將由此製成的防塵薄膜組件放入石英製成之腔室內，以氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)照射構成凝集層之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物。然後，用氣相層析法對腔室內產生的氣體進行分析。結果發現腔室內產生之氣體為氟化碳類氣體，且其對於波長193 nm之光的吸收系數為0.1，此值是足夠低的。
將防塵薄膜組件固定在光罩上，對光罩的變形加以觀察。結果為將防塵薄膜組件固定於其上之後，光罩的平坦度為0.21 μm，而將防塵薄膜組件固定於其上之前，光罩的平坦度為0.20 μm，因此發現到將防塵薄膜組件固定在光罩上對於光罩平坦度只改變了0.01 μm。
比較例
將鋁合金製成的防塵薄膜組件框架(外尺寸為149 mm×113 mm×4.5 mm，厚度為2 mm)用去離子水清洗後，在其一表面上塗佈由Soken Chemical & Engineering Co.,Ltd.所製造之丙烯酸類凝集劑(商品名：SK-Dyne1425)，以形成凝集層。在形成凝集層之後緊接著藉由電磁感應來加熱防塵薄膜組件框架以硬化丙烯酸類凝集劑。由ASTM D1403所測定之硬化後之凝集層的穿透性為15，且凝集層的厚度為0.3 mm。
另一方面，防塵薄膜組件框架相對於形成有凝集層於其上之表面的另一表面塗佈有由ASAHI GLASS Co.,Ltd.所製造之CYTOP黏合劑(商品名：CTX-A)，以形成黏合層。然後，將防塵薄膜組件框架加熱到130℃之溫度以硬化黏合層。
之後，將形成於防塵薄膜組件框架之另一表面上的黏合層貼附到固定於鋁框架上之防塵薄膜，防塵薄膜之尺寸大於防塵薄膜組件框架且防塵薄膜位於防塵薄膜組件框架以外之不需要的部份被移除，藉此完成防塵薄膜組件。
將由此製成的防塵薄膜組件放入由石英製成之腔室內，且以氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)照射凝集層。然後，用氣相層析法對腔室內產生的氣體進行分析。結果發現有丁醇氣體、丁醇氣體與甲酸丁酯氣體產生於腔室內，並且個別產生之氣體對於波長193 nm之光的吸收系數分別是1.0、3.4和2.4，這些值全都較高。
將防塵薄膜組件固定在光罩上，對光罩的變形加以觀察。結果為將防塵薄膜組件固定於其上之前，光罩的平坦度為0.20 μm，而將防塵薄膜組件固定於其上之後，光罩的平坦度為0.30 μm，因此發現到將防塵薄膜組件固定在光罩上對於光罩平坦度改變了0.10 μm。
從實施例1至實施例3以及比較例可以清楚地看出：在比較例中(其不是由含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物，而是由丙烯酸類凝集劑來形成凝集層)，當用氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)來照射凝集層時，會產生丁醇氣體、丁醇氣體與甲酸丁酯氣體，而由此產生之個別氣體對於波長193 nm之光的吸收系數分別是1.0、3.4和2.4，且這些值是較高的。因此，會發現到有相當程度的以下風險：在由防塵薄膜組件和光罩所形成的封閉空間內這些氣體會與氟化氬(ArF)準分子雷射互相反應，並且在由防塵薄膜組件所包圍之光罩的圖案區域上會析出固體狀異物。
相反地，可以發現到在實施例1到實施例3中(其每一個都是藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物來形成凝集層)，由於將氟化氬(ArF)準分子雷射(波長為193 nm)投射在凝集層上所產生之任何氣體均為氟化碳類氣體，且其對於波長193 nm之光的吸收系數都是0.1，而此值是足夠低的。所以幾乎不會有以下風險：在由防塵薄膜組件和光罩所形成的封閉空間內，氟化碳類氣體與氟化氬(ArF)準分子雷射互相反應，以及在防塵薄膜組件所包圍之光罩的圖案區域上析出固體狀異物。
並且，在比較例中(其不是由含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物，而是由丙烯酸類凝集劑來形成凝集層)，可以發現由於ASTM D1403所測定之硬化後之凝集層的穿透性為15，不僅凝集強度與黏著強度不足，而且凝集層會過硬，結果，將防塵薄膜組件固定於光罩上之前與之後這兩者間的光罩平坦度改變了0.10 μm，並且將防塵薄膜組件固定於光罩上會使光罩顯著地變形。
相反地，在實施例1到實施例3中(其每一個都是藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物來形成凝集層)，可以發現由於ASTM D1403所測定之個別硬化後之凝集層的穿透性分別為100、70和70，凝集層具有足夠高的凝集強度和足夠高的黏著強度，同時亦具有足夠高的凝聚力和適當的柔軟性。因此，由於將防塵薄膜組件固定於光罩上之前與之後這兩者間的光罩平坦度只改變了0.01 μm，所以將防塵薄膜組件固定於光罩上之前與之後這兩者間的光罩扭曲和變形是可忽略的。
故本發明已參照特定實施方式及實施例加以展示與說明。然而，吾人應當了解，本發明並未限定於所說明之配置的細節，而可在未偏離隨附之申請專利範圍之範疇的情況下進行改變與修正。
例如，在實施例1中，藉由將Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.所製造之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物(商品名：X-71-8023)施加於防塵薄膜組件框架之一表面上且硬化它而形成凝集層，此凝集層被形成於防塵薄膜組件框架之一表面上用以將防塵薄膜組件貼附於光罩上；在實施例2中，藉由將Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.所製造之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物(商品名：SIFEL8070)施加於防塵薄膜組件框架之一表面上且硬化它而形成凝集層，此凝集層被形成於防塵薄膜組件框架之一表面上用以將防塵薄膜組件貼附於光罩上；以及在實施例3中，藉由將Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.所製造之含有直鏈全氟化合物的可硬化組成物(商品名：X-71-8122)施加於防塵薄膜組件框架之一表面上且硬化它而形成凝集層，此凝集層被形成於防塵薄膜組件框架之一表面上用以將防塵薄膜組件貼附於光罩上。然而，藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構的直鏈全氟化合物的可硬化組成物來形成凝集層是足夠的，且可硬化組成物並未特別加以限定。
根據本發明，能夠提供一種微影用防塵薄膜組件，即使長期使用此防塵薄膜組件也只會產生少量的分解氣體，因此能夠防止在光罩的圖案區域上析出固體狀異物，並且能夠抑制用以將光罩固定於防塵薄膜組件框架上之凝集層中所含之凝集劑的劣化。
再者，根據本發明，可以提供一種能夠輕易地從光罩上剝除以及更新之微影用防塵薄膜組件。
1‧‧‧防塵薄膜
2‧‧‧黏合層
3‧‧‧防塵薄膜組件框架
4‧‧‧凝集層
5‧‧‧光罩
6‧‧‧氣壓調節孔
7‧‧‧除塵過濾器
10‧‧‧微影用防塵薄膜組件
圖1為防塵薄膜組件的縱向截面示意圖，其為本發明之一較佳實施例。
1．．．防塵薄膜
2．．．黏合層
3．．．防塵薄膜組件框架
4．．．凝集層
5．．．光罩
6．．．氣壓調節孔
7．．．除塵過濾器
10．．．微影用防塵薄膜組件

Claims (2)

  1. 一種微影用防塵薄膜組件，包含：一防塵薄膜組件框架；一防塵薄膜，貼附於該防塵薄膜組件框架之一表面上；以及一凝集層，形成於該防塵薄膜組件框架之另一表面上，其中該凝集層係藉由硬化含有在主鏈上具有全氟結構之直鏈全氟化合物的一可硬化組成物而形成，在硬化該可硬化組成物之後之該凝集層的穿透性為50至100，此值係依據ASTM D1403所測定。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之微影用防塵薄膜組件，其中含有在主鏈上具有全氟結構之直鏈全氟化合物的該可硬化組成物包含：(A)一直鏈全氟化合物，其每分子中包含至少兩個烯基，且在主鏈上具有全氟結構並作為一基本成份；(B)另一直鏈全氟化合物，其每分子中包含一烯基，且在主鏈上具有全氟結構並作為一反應稀釋劑；(C)一有機矽化合物，其每分子中包含至少兩個氫矽基(hydrosilyl)並作為一交聯劑與一鏈延長劑；以及(D)一鉑族金屬催化劑。
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