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TWI441275B - Substrate processing device - Google Patents

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TWI441275B
TWI441275B TW100122571A TW100122571A TWI441275B TW I441275 B TWI441275 B TW I441275B TW 100122571 A TW100122571 A TW 100122571A TW 100122571 A TW100122571 A TW 100122571A TW I441275 B TWI441275 B TW I441275B
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TW
Taiwan
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liquid
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Application number
TW100122571A
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TW201230225A (en
Inventor
富藤幸雄
Original Assignee
大日本網屏製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 大日本網屏製造股份有限公司 filed Critical 大日本網屏製造股份有限公司
Publication of TW201230225A publication Critical patent/TW201230225A/zh
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Publication of TWI441275B publication Critical patent/TWI441275B/zh

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對液晶顯示裝置(LCD，Liquid Crystal Display)用、電漿顯示器(PDP，Plasma Display Panel，電漿顯示器面板)用、有機發光二極體(OLED，Organic Light-Emitting Diode)用、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用、真空螢光顯示器(VFD，Vacuum Fluorescent Display)用、太陽電池板用等之玻璃基板、磁/光碟用之玻璃/陶瓷基板、半導體晶圓、電子裝置基板等各種基板噴出純水等清洗液、蝕刻液、顯影液、抗蝕剝離液等化學藥品等各種處理液而對基板進行濕式處理之基板處理裝置。
先前該種基板處理裝置已知有如下裝置，其一面藉由沿基板之搬送方向並排設置之搬送輥等以水平姿勢或相對於水平面而向與基板搬送方向正交之方向傾斜之姿勢於濕式處理室內搬送基板，一面自噴霧噴嘴呈淋浴狀地對基板之表面噴出處理液，藉此進行特定之基板處理者。於該種基板處理裝置中，根據處理之種類而自噴霧噴嘴對基板表面噴出純水等清洗液、蝕刻液、顯影液、抗蝕剝離液等化學藥品等各種處理液。
而且，於該種基板處理裝置中，為將處理液均勻地供給至整個基板表面，而於與基板搬送方向交叉之方向等間距且互相平行地配置複數個噴霧噴嘴，自複數個噴嘴部將處理液噴出至基板之表面，且該噴霧噴嘴包括：噴霧管部，其於沿基板搬送方向之方向延伸；及複數個噴嘴部，其沿噴霧管部之長度方向相互接近地排成一列而設置。圖5係表示自先前之基板處理裝置中之噴嘴部100對基板W之表面102噴出處理液之情況之模式圖。
如圖5所示，於該種先前之基板處理裝置噴出處理液時，沿與圖式之平面成直角方向搬送之基板W之表面102上中央部附近，與基板W之兩側端部附近相比處理液之液流變慢而導致於中央部附近產生處理液之滯留，由此噴出之新舊處理液之置換作用劣化，其結果則招致處理之不均勻化。
為解決上述問題而被使用一種裝置，其係藉由使噴霧噴嘴之噴霧管部以其長度方向之中心軸為中心往復旋動而使處理液之噴出方向發生變化，從而促進基板表面上之新舊處理液之置換(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10-79368號公報
圖6係表示自先前之噴霧管部往復旋動型之基板處理裝置中之噴嘴部100對基板W之表面102噴出處理液之情況之模式圖。
於該基板處理裝置中，於與基板搬送方向交叉之方向等間距且互相平行地配置複數個噴霧噴嘴，該噴霧噴嘴包括：噴霧管部，其於沿基板搬送方向(與圖式之平面成直角之方向)之方向延伸(未圖示)；及複數個噴嘴部100，其沿噴霧管部之長度方向互相接近地排成一列而設置，一面以各噴霧管部之中心軸為中心藉由旋動機構(未圖示)使該複數個噴霧噴嘴沿圖6(a)中之箭頭符號A方向及圖6(b)中之箭頭符號B方向往復旋動，一面使來自噴嘴部100之處理液向基板之表面102之噴出方向發生變化。然而，只要反覆進行該種往復旋動，則向基板W之表面102上噴出後暫時向基板W之一側端方向流動之處理液會向反方向(另一側端方向)流動，從而於基板中央部附近與兩側端部附近處理液之滯留量不同，因此會產生處理之進行情況不均勻。
本發明係鑒於如上述之情況而完成者，其目的在於提供一種可防止噴出至基板表面上之處理液產生滯留而可有效地達成整個基板表面之處理均勻化之基板處理裝置。
申請專利範圍第1項之發明之特徵為，以如下方式構成基板處理裝置，該基板處理裝置包括：濕式處理室，其對基板進行濕式處理；基板搬送手段，其配設於上述濕式處理室內，以水平姿勢或相對於水平面而向與基板搬送方向正交之方向傾斜之姿勢沿水平方向搬送基板；及處理液供給手段，其將處理液供給至藉由配設於上述濕式處理室內之基板搬送手段而搬送之基板之主表面。即，上述處理液供給手段包括複數個噴霧噴嘴，該複數個噴霧噴嘴於與基板搬送方向交叉之方向或沿基板搬送方向之方向等間距且互相平行地配置，且將處理液噴出至基板之主表面，各上述複數個噴霧噴嘴包括：噴霧管部，其於沿上述基板搬送方向之方向或與上述基板搬送方向交叉之方向延伸；及複數個噴嘴部，其沿該噴霧管部之長度方向互相接近地排成一列而設置，將處理液自其噴出口噴出至基板之主表面，以使上述複數個噴嘴部之噴出口相對於基板之主表面之對向角度自以水平姿勢搬送之基板之主表面之與上述基板搬送方向交叉之方向之中央部附近向兩端部附近、或者自基板之主表面沿著上述基板搬送方向之方向之中央部附近向兩端部附近而相對於鉛垂線逐漸變大之方式，或者自以傾斜之姿勢搬送之基板之主表面之傾斜上端部附近向傾斜下端部附近而相對於基板之主表面之法線逐漸變大之方式，將上述複數個噴嘴部設置於上述複數個噴霧管部，藉此積極地於基板之主表面上產生噴出後之處理液之液體流動。
申請專利範圍第2項之發明係如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中於與基板搬送方向交叉之方向等間距地配置之上述複數個噴霧噴嘴之上述複數個噴嘴部於該交叉方向呈交錯狀配置。
申請專利範圍第3項之發明係如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中於沿基板搬送方向之方向等間距地配置之上述複數個噴霧噴嘴之上述複數個噴嘴部於沿該基板搬送方向之方向呈交錯狀配置。
申請專利範圍第4項之發明係如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中自上述複數個噴嘴部之噴出口所噴出之處理液之噴出量相等。
申請專利範圍第5項之發明係如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中自上述複數個噴嘴部之噴出口所噴出之處理液為蝕刻液。
於申請專利範圍第1項之發明之基板處理裝置中，以使複數個噴嘴部之噴出口相對於基板之主表面之對向角度自以水平姿勢搬送之基板的主表面與基板搬送方向交叉之方向的中央部附近向兩端部附近、或者自基板之主表面之沿基板搬送方向之方向的中央部附近向兩端部附近，相對於鉛垂線逐漸變大之方式，或者自以傾斜之姿勢搬送之基板的主表面之傾斜上端部附近向傾斜下端部附近，相對於基板之主表面之法線逐漸變大之方式，將複數個噴嘴部設置於複數個噴霧管部。因此，其可積極地於基板之主表面上產生噴出後之處理液之液體流動，而可防止處理液產生滯留且在遍及基板之整個主表面達成均勻之濕式處理。
於申請專利範圍第2及3項之發明之基板處理裝置中，於與基板搬送方向交叉之方向等間距地配置之複數個噴霧噴嘴的複數個噴嘴部於該交叉方向呈交錯狀配置，於沿基板搬送方向之方向等間距地配置之複數個噴霧噴嘴的複數個噴嘴部於沿該基板搬送方向之方向呈交錯狀配置。因此，其可減少來自各噴嘴部之處理液噴出流之互相干擾，藉此，可更有效地防止基板表面上之噴出處理液產生滯留而積極地促進處理液產生液體流動。
於申請專利範圍第4項之發明之基板處理裝置中，無需用以調節來自各噴嘴部之噴出量以使噴出後處理液不產生滯留之煩瑣之機構等，藉此可謀求設計成本之低廉化。
於申請專利範圍第5項之發明之基板處理裝置中，因所噴出之蝕刻液之滯留而引起產生滯留部位與非產生滯留部位之蝕刻進度不同，從而引起蝕刻處理不均勻化，藉此，可有效地阻止產生圖案短路(pattern short)(配線殘留)或圖案形狀之不勻(mura)之問題。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。
圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1者。
該基板處理裝置1包含：化學藥品處理室10，其噴出蝕刻液、顯影液、抗蝕剝離液等化學藥品而對基板W進行化學藥品處理；複數個搬送輥(未圖示)，其於化學藥品處理室10內一面以水平姿勢支撐基板W一面於水平方向X往復移動；化學藥品儲槽12，其貯存化學藥品；複數個噴霧噴嘴14，其用以將化學藥品噴出至基板W之表面102；送液泵16；及化學藥品供給路18，其將化學藥品儲槽12中貯存之化學藥品輸送至噴霧噴嘴14。
噴霧噴嘴14係於與基板搬送方向交叉之方向等間距地且互相平行地於化學藥品處理室10內配設有複數個，各噴霧噴嘴14包括：噴霧管部22(參照圖2)，其於沿基板搬送方向之方向延伸；及複數個噴嘴部24，其於該噴霧管部22之長度方向互相接近地排成一列而設置，其將化學藥品自其噴出口26(參照圖2(b))噴出至基板W之表面102。又，於化學藥品處理室10之底部設置有用以將流下至化學藥品處理室10內底部已使用之化學藥品排出之循環排水路20，循環排水路20與化學藥品儲槽12連通連接。
於包含上述結構之基板處理裝置1中，首先，一面藉由搬送輥以水平姿勢支撐自化學藥品處理室10之基板搬入口(未圖示)搬入至化學藥品處理室10內之基板W，並且使該基板W於水平方向往復移動，一面藉由送液泵16之驅動而將化學藥品儲槽12中貯存之化學藥品經由化學藥品供給路18輸送至噴霧噴嘴14，分別自噴霧噴嘴14之各噴嘴部24將等量之化學藥品噴出至基板W之表面102，藉此進行化學藥品處理。
化學藥品處理結束之基板W係藉由搬送輥自化學藥品處理室10之基板搬出口(未圖示)搬出。自基板W表面102流下進而流下至化學藥品處理室10內底部之化學藥品經由循環排水路20而回收至化學藥品儲槽12中。
圖2係用以說明設置於構成噴霧噴嘴14之噴霧管部22的噴嘴部24之噴出口26相對於基板W表面102之對向角度之模式圖，圖2(a)係其俯視圖，圖2(b)係其剖面圖。
如圖2(a)及圖2(b)所示，複數個，於本實施形態中為6個之噴霧噴嘴14a～14f於與基板搬送方向X交叉之方向等間距地且互相平行地配設。噴霧噴嘴14a～14f分別包括：噴霧管部22a～22f，其於沿基板搬送方向之方向延伸；及複數個噴嘴部24，其於各噴霧管部22a～22f之長度方向互相接近地排成一列而設置。
並且，相對於基板W之表面102使複數個噴嘴部24之噴出口26之對向角度，自以水平姿勢搬送之基板W表面102與基板搬送方向X交叉之方向自中央部附近向兩端部附近而相對於鉛垂線逐漸變大之方式，將噴嘴部24設置於各噴霧管部22a～22f，進而該等噴嘴部24，如圖2(a)所示，於與基板搬送方向X交叉之方向呈交錯狀配置。
圖2圖(b)係例示藉由噴嘴部24中設置於噴霧管部22a～22f之基板搬送方向X大致中央部之噴嘴部24a～24f而形成之噴嘴部群之一組，於與基板搬送方向X交叉方向之中央部附近相對向之噴嘴部24c及24d之噴出口26c及26d中，將相對於鉛垂線之角度設定為0°，而於兩端部附近相對向之噴嘴部24a、24f之噴出口26a、26f中，將該角度設定為30°～60°。藉由其他噴嘴部群而形成之組之噴出口相對於基板W的表面102之對向角度亦同樣地以自與基板搬送方向X交叉方向之中央部附近向兩端部附近相對於鉛垂線逐漸變大之方式而設定。
於以上述方式構成之噴霧噴嘴14a～14f中，自設置於靜止狀態之(無往復旋動)噴霧管部22a～22f之噴嘴部24之各自之對向角度固定之噴出口26向基板W之表面102噴出相同噴出量之化學藥品，藉此，可於基板W之表面102上，自與基板搬送方向X交叉方向之基板之中央部向兩端部，積極地產生以箭頭符號Y所示之噴出後之化學藥品之液體流動，而可防止化學藥品產生滯留，且不必調節來自各噴嘴部24之噴出量即可遍及基板W之整個表面102達成均勻之化學藥品處理。如此，可防止使等量之化學藥品直接自各噴嘴部24噴出而於噴出後產生化學藥品處理液之滯留，因此，無需以防止產生該種滯留為目的而用以調節來自各噴嘴部24之化學藥品噴出量之煩瑣之機構等，藉此可謀求設計成本之低廉化。又，例如於使用蝕刻液作為化學藥品進行鋁蝕刻處理之情形時，因所噴出之蝕刻液之滯留而出現產生滯留部位與非產生滯留部位之蝕刻進度之不同，從而使得蝕刻處理不均勻化，藉此，則可有效地阻止產生圖案短路(配線殘留)或圖案形狀之不勻之問題。
又，由於噴嘴部24係於與基板搬送方向X交叉之方向呈交錯狀配置，故而可減少來自各噴嘴部24之化學藥品噴出流之互相干擾，藉此，可更有效地防止基板表面102上之噴出化學藥品產生滯留而積極地促進化學藥品產生液體流動。
其次，對本發明之第2實施形態之基板處理裝置進行說明。
圖3係用以說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置中相對於基板W之表面102設置於噴霧噴嘴14'之噴霧管部22'之噴嘴部24'的噴出口26'之對向角度之模式圖，圖3(a)係其俯視圖，圖3(b)係其剖面圖。
於第2實施形態中，噴霧噴嘴14'係於沿基板搬送方向之方向等間距且互相平行地於化學藥品處理室10內配設有複數個，各噴霧噴嘴14'包括：噴霧管部22'，其於與基板搬送方向交叉之方向延伸；及複數個噴嘴部24'，其於該噴霧管部22'之長度方向互相接近地排成一列而設置，其將化學藥品自其噴出口26'噴出至基板W之表面102。
如圖3(a)及圖3(b)所示，與第1實施形態相同，6個噴霧噴嘴14a'～14f'於沿基板搬送方向X之方向等間距且互相平行地配設。噴霧噴嘴14'a～14f'分別包括：噴霧管部22a'～22f'，其於與基板搬送方向交叉之方向延伸；及複數個噴嘴部24'，其於各噴霧管部22a'～22f'之長度方向互相接近地排成一列而設置。
而且，相對於基板W之表面102以使複數個噴嘴部24'之噴出口26'之對向角度自以水平姿勢搬送之基板W表面102之沿基板搬送方向X方向之中央部附近向兩端部附近而相對於鉛垂線逐漸變大之方式，將噴嘴部24'設置於各噴霧噴嘴14a'～14f'，進而，該等噴嘴部24'，如圖3(a)所示於沿基板搬送方向X之方向呈交錯狀配置。
圖3(b)係例示藉由噴嘴部24'中設置於噴霧管部22a'～22f'與基板搬送方向X交叉方向之大致中央部的噴嘴部24a'～24f'而形成之噴嘴部群之1組，於沿基板搬送方向X方向之中央部附近相對向的噴嘴部24c'及24d'之噴出口26c'及26d'中，將相對於鉛垂線之角度設定為0°，而於兩端部附近相對向之噴嘴部24a'、24f'之噴出口26a'、26f'中，將該角度設定為30°～60°。藉由其他噴嘴部群而形成之組之噴出口的對向角度亦同樣地以自沿基板搬送方向X之方向之中央部附近向兩端部附近相對於鉛垂線逐漸變大之方式而設定。
於以上述方式構成之噴霧噴嘴14a'～14f'中，自設置於靜止狀態(無往復旋動)之噴霧管部22a～22f'之噴嘴部24'的各個之對向角度固定之噴出口26'向基板W表面102噴出相同噴出量之化學藥品，藉此，可於基板W之表面102上自沿基板搬送方向X之方向之基板中央部向兩端部，積極地產生以箭頭符號X'所示之噴出後化學藥品之液體流動，而可有效地防止化學藥品產生滯留，且不用調節來自各噴嘴部24'之噴出量即可遍及基板W之整個表面102而達成均勻之化學藥品處理。
又，因噴嘴部24'於沿基板搬送方向X之方向呈交錯狀配置，故可減少來自各噴嘴部24'之化學藥品噴出流之互相干擾，藉此，可更有效地防止基板表面102上之噴出化學藥品產生滯留而積極地促進化學藥品產生液體流動。
其次，對本發明之第3實施形態之基板處理裝置進行說明。
圖4係用以說明本發明之第3實施形態之基板處理裝置中相對於基板W表面102設置於噴霧噴嘴14"之噴霧管部22"之噴嘴部24"其噴出口26"之對向角度之模式圖，圖4(a)係其俯視圖，圖4(b)係其剖面圖。
於第3實施形態中，一面藉由複數個搬送輥於化學藥品處理室10內以相對於水平面200而向與基板搬送方向正交之方向傾斜特定角度之姿勢支撐基板W，一面使該基板W於水平方向X往復移動。
噴霧噴嘴14"係於與基板搬送方向交叉之方向等間距且互相平行地於化學藥品處理室10內配設有複數個，各噴霧噴嘴14"包括：噴霧管部22"，其於沿基板搬送方向之方向延伸；及複數個噴嘴部24"，其於該噴霧管部22"之長度方向互相接近地排成一列而設置，而將化學藥品自其噴出口26"噴出至基板W之表面102。
如圖4(a)及圖4(b)所示，與第1及第2實施形態相同，6個噴霧噴嘴14a"～14f"於與基板搬送方向X交叉之方向等間距且互相平行地配設。噴霧噴嘴14a"～14f"分別包括：噴霧管部22a"～22f"，其於沿基板搬送方向之方向延伸；及複數個噴嘴部24"，其於各噴霧管部22a～22f"之長度方向互相接近地排成一列而設置。
而且，相對於基板W之表面102以使複數個噴嘴部24"之噴出口26"之對向角度自以傾斜之姿勢搬送之基板W之表面102之傾斜上端部附近向傾斜下端部附近而相對於基板W之表面102之法線300逐漸變大之方式，將噴嘴部24"設置於各噴霧管部22a"～22f"，進而該等噴嘴部24"如圖4(a)所示於與基板搬送方向交叉之方向呈交錯狀配置。
圖4(b)係例示藉由噴嘴部24"中設置於沿噴霧管部22a"～22f"之基板搬送方向X方向之大致中央部之噴嘴部24a"～24f"而形成之噴嘴部群之1組，於基板W之表面102之傾斜上端部附近相對向之噴嘴部24a"之噴出口26a"中，將相對於基板W表面102之法線300其角度設定為0°～20°，而於傾斜下端部附近相對向之噴嘴部24f"之噴出口26f"中，將該角度設定為30°～60°。藉由其他噴嘴部群而形成之組之噴出口的對向角度亦同樣地以自傾斜上端部附近向下端部附近相對於基板W表面102之法線逐漸變大之方式而設定。
於以上述方式構成之噴霧噴嘴14a"～14f"中，自設置於靜止狀態(無往復旋動)之噴霧管部22a"～22f"之噴嘴部24"的各個之對向角度固定之噴出口26'’，向基板W表面102噴出相同噴出量之化學藥品，藉此，可於基板W之表面102上自噴出後之化學藥品之液體流動較慢之傾斜上端部附近向化學藥品流動之傾斜下端部附近，積極地產生以箭頭符號Y'所示之噴出後之化學藥品之液體流動，而可有效地防止化學藥品產生滯留，且不用調節來自各噴嘴部24"之噴出量即可遍及基板W之整個表面102而達成均勻之化學藥品處理。
又，因噴嘴部24"於與基板搬送方向X交叉之方向呈交錯狀配置，故可減少來自各噴嘴部24"之化學藥品噴出流之互相干擾，藉此可更有效地防止基板表面102上之噴出化學藥品產生滯留而積極地促進化學藥品產生液體流動。
再者，於上述之各實施形態中，雖已對將本發明應用於使用蝕刻液、顯影液、抗蝕剝離液等化學藥品作為處理液之化學藥品處理之情形進行說明，但本發明並不限定於此，其亦可應用於使用純水等清洗液作為處理液之清洗處理。
又，於上述各實施形態中，雖對使用之噴霧噴嘴之個數為6個之構成進行說明，但本發明並不受限於此，其亦可根據基板W之尺寸或處理之種類而選擇適當個數之噴霧噴嘴。
1．．．基板處理裝置
10．．．化學藥品處理室
12．．．化學藥品儲槽
14、14a、14b、14c、14d、14e、14f、14'、14a'、14b'、14c'、14d'、14e'、14f'、14"、14a"、14b"、14c"、14d"、14e"、14f"．．．噴霧噴嘴
16．．．送液泵
18．．．化學藥品供給路
20．．．循環排水路
22、22a、22b、22c、22d、22e、22f、22'、22a'、22b'、22c'、22d'、22e'、22f'、22"、22a"、22b"、22c"、22d"、22e"、22f"．．．噴霧管部
24、24a、24b、24c、24d、24e、24f、24'、24a'、24b'、24c'、24d'、24e'、24f'、24"、24a"、24b"、24c"、24d"、24e"、24f"、100．．．噴嘴部
26、26a、26b、26c、26d、26e、26f、26'、26a'、26b'、26c'、26d'、26e'、26f'、26"、26a"、26b"、26c"、26d"、26e"、26f"．．．噴出口
102．．．基板之表面
200．．．水平面
300．．．法線
X、X'．．．基板搬送方向
Y、Y'．．．箭頭符號
W．．．基板
圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。
圖2(a)及(b)係用以說明本發明之第1實施形態中相對於基板表面設置於噴霧噴嘴之噴霧管部之噴嘴部之噴出口之對向角度之模式圖。
圖3(a)及(b)係用以說明本發明之第2實施形態中相對於基板表面設置於噴霧噴嘴之噴霧管部之噴嘴部之噴出口之對向角度之模式圖。
圖4(a)及(b)係用以說明本發明之第3實施形態中相對於基板表面設置於噴霧噴嘴之噴霧管部之噴嘴部之噴出口之對向角度之模式圖。
圖5係表示將處理液自先前之基板處理裝置中之噴嘴部噴出至基板表面之情況之模式圖。
圖6(a)及(b)係將處理液自先前之噴霧管部往復旋動型之基板處理裝置中之噴嘴部噴出至基板表面之情況之模式圖。
14a、14b、14c、14d、14e、14f．．．噴霧噴嘴
22a、22b、22c、22d、22e、22f．．．噴霧管部
24a、24b、24c、24d、24e、24f．．．噴嘴部
26a、26b、26c、26d、26e、26f．．．噴出口
102．．．基板之表面
X．．．基板搬送方向
Y．．．箭頭符號
W．．．基板

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，其包括：濕式處理室，其對基板進行濕式處理；基板搬送手段，其配設於上述濕式處理室內，以水平姿勢或相對於水平面而向與基板搬送方向正交之方向傾斜之姿勢沿水平方向搬送基板；及處理液供給手段，其將處理液供給至藉由配設於上述濕式處理室內之上述基板搬送手段而搬送之基板之主表面；如此之基板處理裝置中，其特徵為：上述處理液供給手段包括複數個噴霧噴嘴，該複數個噴霧噴嘴於與上述基板搬送方向交叉之方向或沿上述基板搬送方向之方向等間距且互相平行地配置，且將處理液噴出至基板之主表面，各上述複數個噴霧噴嘴包括：噴霧管部，其於沿上述基板搬送方向之方向或與上述基板搬送方向交叉之方向延伸；及複數個噴嘴部，其沿該噴霧管部之長度方向互相接近地排成一列而設置，將處理液自其噴出口噴出至基板之主表面，相對於基板之主表面以使上述複數個噴嘴部之噴出口之對向角度自以水平姿勢搬送之基板之主表面之與上述基板搬送方向交叉之方向之中央部附近向兩端部附近、或者自基板之主表面之沿著上述基板搬送方向之方向之中央部附近向兩端部附近而相對於鉛垂線逐漸變大之方式，或者自以傾斜之姿勢搬送之基板之主表面之傾斜上端部附近向傾斜下端部附近而相對於基板之主表面之法線逐漸變大之方式，將上述複數個噴嘴部設置於上述複數個噴霧管部，藉此積極地於基板之主表面上產生噴出後之處理液之液體流動。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於與上述基板搬送方向交叉之方向等間距地配置之上述複數個噴霧噴嘴之上述複數個噴嘴部於該交叉方向呈交錯狀配置。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於沿基板搬送方向之方向等間距地配置之上述複數個噴霧噴嘴之上述複數個噴嘴部於沿該基板搬送方向之方向呈交錯狀配置。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，自上述複數個噴嘴部之噴出口所噴出之處理液之噴出量相等。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，自上述複數個噴嘴部之噴出口所噴出之處理液為蝕刻液。
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