TWI441061B

TWI441061B - 適用於光學式觸控顯示面板的光感測裝置及其應用

Info

Publication number: TWI441061B
Application number: TW100117424A
Authority: TW
Inventors: Tzu Wei Liu
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2011-05-18
Filing date: 2011-05-18
Publication date: 2014-06-11
Also published as: TW201248468A; CN102270070B; US20120293460A1; US8928628B2; CN102270070A

Description

適用於光學式觸控顯示面板的光感測裝置及其應用

本發明是有關於一種光感測裝置，且特別是有關於一種適用於光學式觸控顯示面板的光感測裝置。

人機介面(man-machine interface,MMI)是指人與機器之間溝通的媒介。一般市面上販售的電子裝置，為了讓使用者方便操作，都會設計一個人機介面，以提供使用者執行電子裝置的各項功能。隨著資訊技術、無線行動通訊和資訊家電的快速發展與應用，為了達到攜帶更便利、體積更輕巧化以及操作更人性化的目的，許多電子裝置已由傳統之鍵盤或滑鼠等輸入裝置，轉變為使用觸控面板(touch panel)作為輸入裝置。其中，顯示面板與觸控面板的結合使得人機介面的設計具有更高便利性。

目前，觸控面板與顯示面板結合的方式大致可分為外掛(plug-in)式以及內建(built-in)式兩種。當觸控面板與顯示面板以內建方式結合時，有助於減小電子裝置的體積並達到體積薄化的需求。因此，觸控面板內建於顯示面板的技術已逐漸地受到重視，而且將光學式觸控面板(optical touch panel)直接內建至顯示面板以形成光學式觸控顯示面板(optical touch display panel)的技術也逐漸地成熟與穩定。

一般而言，內建在顯示面板中的光學式觸控面板具有多個以矩陣形式排列的光感測裝置(photo sensing device)，藉以感測是否有觸碰事件(touch event)發生。若某一光感測裝置感測到有觸碰事件發生的話，則此光感測裝置會據以輸出相應的判讀訊號(judging signal)給後端處理電路(back-end processing circuit)進行處理/判斷，從而使得裝配有光學式觸控顯示面板的電子裝置執行相應的功能。

以具有遮光感測模式(light-shading sensing mode)之特性的光感測裝置而言，手指的碰觸會將光感測裝置上方的光線遮蔽。因此，光感測裝置會輸出對應的判讀訊號以達到觸控控制的作用。更清楚來說，具有遮光感測模式之特性的光感測裝置是依據外界光線被遮蔽的情形以進行觸碰感測。當然，在外界光線較強的條件下，由於每一光感測裝置所感測到的外界光線都比較強。因此，每一光感測裝置所輸出之關聯於有觸碰事件發生的判讀訊號與關聯於無觸碰事件發生的判讀訊號的差異(亦即訊號強度差異)就會比較大。如此一來，後端處理電路即可反應於每一光感測裝置的輸出而準確地得知手指是否有在光學式觸控顯示面板上進行碰觸。

不幸地，在外界光線較弱的條件下，由於每一光感測裝置所感測到的外界光線都很微弱。因此，每一光感測裝置所輸出之關聯於有觸碰事件發生的判讀訊號與關聯於無觸碰事件發生的判讀訊號的差異(亦即訊號強度差異)就會比較小。如此一來，後端處理電路就有可能無法準確地得知手指是否有在光學式觸控顯示面板上進行碰觸。可見得，現行的光學式觸控顯示面板並無法廣泛地應用於不同環境光的條件中。

有鑒於此，本發明提出一種適用於光學式觸控顯示面板的光感測裝置，藉以解決光學式觸控顯示面板無法廣泛地應用於不同光強度之環境的問題。

本發明提供一種適用於光學式觸控顯示面板的光感測裝置，其包括：光感測單元與耦合單元。其中，光感測單元用以感測是否有觸碰事件發生，並據以輸出判讀訊號。耦合單元耦接光感測單元，用以增進光感測單元的靈敏度，進而增加關聯於有觸碰事件發生之判讀訊號與關聯於無觸碰事件發生之判讀訊號的差異。

本發明另提供一種具有上述本發明所提供之光感測裝置的光學式觸控顯示面板。

本發明再提供一種具有上述本發明所提供之光學式觸控顯示面板的電子裝置。

基於上述，本發明藉由耦合單元以增進光感測單元的靈敏度，進而增加光感測單元所輸出之關聯於有觸碰事件發生的判讀訊號與關聯於無觸碰事件發生的判讀訊號的差異。因此，無論是在外界光線較強還是在較弱的條件下，光感測裝置都可以提供對應的判讀訊號以供後端處理電路進行處理/判斷，從而讓後端處理電路準確地得知手指是否有在光學式觸控顯示面板上進行碰觸。顯然地，應用有本發明所提供之光感測裝置的光學式觸控顯示面板可以廣泛地應用於不同環境光的條件中。

應瞭解的是，上述一般描述及以下具體實施方式僅為例示性及闡釋性的，其並不能限制本發明所欲主張之範圍。

現將詳細參考本發明之示範性實施例，在附圖中說明所述示範性實施例之實例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件代表相同或類似部分。

圖1繪示為本發明一實施例之電子裝置10的系統方塊示意圖。請參照圖1，電子裝置10可以為任何形式的可攜式電子產品，例如：智慧型手機(smart phone)、個人數位助理(PDA)、平板電腦(tablet PC)…等，且其至少包括有光學式觸控顯示面板(optical touch display panel)20、後端處理電路(back-end processing circuit)30，以及控制與驅動單元(control-driving unit)40。當然，電子裝置10還可以包括有其他的周邊設備(未繪示)，例如：I/O介面(interface)、記憶體(memory)、影像擷取裝置(image capture device)…等。

於本實施例中，光學式觸控顯示面板20可以包括具有顯示功能的顯示面板101，以及內建在顯示面板101中且具有感測觸碰功能的多個光感測裝置(photo sensing unit)103。其中，顯示面板101可以為液晶顯示面板(LCD panel)或有機發光二極體顯示面板(OLED display panel)。若顯示面板101為液晶顯示面板的話，則必須設置背光模組(backlight module)105以提供顯示面板101所需的(背)光源。另外，若顯示面板101為有機發光二極體顯示面板的話，則背光模組105即可省略。

另一方面，內建在顯示面板101中的多個光感測裝置103可以矩陣方式排列，且具有遮光感測模式(light-shading sensing mode)的特性(光感測裝置103的數目並不以圖1所示之數目為限制)。亦即，每一光感測裝置103是依據外界光線被遮蔽的情形以進行觸碰感測。若光感測裝置103感測到有觸碰事件(touch event)發生的話(亦即感測到有手指或者其他媒介進行觸碰)，則光感測裝置103會據以輸出相應的判讀訊號(judging signal)JS給後端處理電路30進行處理/判斷(包含單點/多點觸碰處理/判斷)，從而使得裝配有光學式觸控顯示面板20的電子裝置10執行相應的功能。

除此之外，顯示面板101與所有的光感測裝置103都可以受控制與驅動單元40的控制與驅動。如此一來，顯示面板101即能顯示影像畫面，而所有的光感測裝置103即能感測使用者是否有在光學式觸控顯示面板20上進行觸碰。可見得，控制與驅動單元40可以同時具備有時序控制器(timing controller,T-con)、閘極驅動器(gate driver)與源極驅動器(source driver)的功能，甚至還可以作為電子裝置10的運作核心。如此一來，控制與驅動單元40即可反應於後端處理電路30的處理結果以對應地控制電子裝置10的運作。

然而，從先前技術所揭示的內容可知，在外界光線較弱的條件下，由於內建在顯示面板的每一光感測裝置所感測到的外界光線都很微弱。因此，每一光感測裝置所輸出之關聯於有觸碰事件發生的判讀訊號與關聯於無觸碰事件發生的判讀訊號的差異(亦即訊號強度差異)就會比較小。如此一來，後端處理電路就有可能無法準確地得知手指是否有光學式觸控顯示面板上進行碰觸。

而為了要解決這樣的問題，本實施例內建在顯示面板101的每一光感測裝置103可以在不同環境光的條件中(例如戶外環境、暗室…等)，提供對應的判讀訊號JS給後端處理電路30進行處理/判斷，進而讓後端處理電路30可以反應於每一光感測裝置103的輸出而準確地得知手指或者其他媒介是否有在光學式觸控顯示面板20上進行碰觸。如此一來，光學式觸控顯示面板20即可廣泛地應用於不同環境光的條件中。

圖2繪示為圖1之光感測裝置103的方塊示意圖。請參照圖2，圖1所示之所有光感測裝置103的結構都類似，且其電路形態(circuit configuration)可以是主動式(active type)或是被動式(passive type)。然而，無論是主動式還是被動式，每一光感測裝置103可以包括有光感測單元(photo sensing unit)201與耦合單元(coupling unit)203。其中，光感測單元201用以感測是否有觸碰事件發生，並據以輸出判讀訊號JS。另外，耦合單元203耦接光感測單元201，用以增進光感測單元201的靈敏度(sensitivity)，進而增加光感測單元201所輸出之關聯於有觸碰事件發生之判讀訊號JS與關聯於無觸碰事件發生之判讀訊號JS的差異(亦即訊號強度的差異)。

更清楚來說，圖3繪示為本發明一實施例之主動式光感測裝置103’的電路圖。請合併參照圖2與圖3，主動式光感測裝置103’之光感測單元201包括有光感測電晶體(photo sensing transistor)Mphoto、放大電晶體(amplifying transistor)Mamp、選擇電晶體(selection transistor)Msel與儲存電容(storage capacitor)Cst；另外，主動式光感測裝置103’之耦合單元203包括有耦合電晶體(coupling transistor)Mc與耦合電容(coupling capacitor)Cc。

耦合電晶體Mc的第一端用以接收第一控制訊號Pn。耦合電容Cc的第一端耦接耦合電晶體Mc的第一端，而耦合電容Cc的第二端則耦接耦合電晶體Mc的第二端。光感測電晶體Mphoto的第一端用以接收第二控制訊號Gn+1，光感測電晶體Mphoto的第二端用以接收第三控制訊號Sn+1，而光感測電晶體Mphoto的第三端則耦接至耦合電晶體Mc的第三端。儲存電容Cst的第一端耦接光感測電晶體Mphoto的第三端，而儲存電容Cst的第二端則用以接收第四控制訊號(例如關聯於顯示面板101的共用電壓Vcom，但並不限制於此，亦即一參考電位)。

放大電晶體Mamp的第一端耦接儲存電容Cst的第一端，而放大電晶體Mamp的第二端則用以接收第五控制訊號Gn。選擇電晶體Msel的第一端用以接收第五控制訊號Gn，選擇電晶體Msel的第二端耦接放大電晶體Mamp的第三端，而選擇電晶體Msel的第三端則耦接至讀出線(readout line)RL以輸出判讀訊號JS至後端處理電路30。於本實施例中，第一控制訊號Pn為負脈衝訊號(negative pulse)，而第二、第三與第五控制訊號Gn+1、Sn+1與Gn分別為正脈衝訊號(positive pulse)。另外，耦合電晶體Mc、光感測電晶體Mphoto、放大電晶體Mamp，以及選擇電晶體Msel皆為N型電晶體(N-type transistor)。

圖4繪示為圖3之主動式光感測裝置103’的運作波形圖。請合併參照圖3與圖4，圖4繪示出第一、第二、第三與第五控制訊號Pn、Gn+1、Sn+1與Gn。當第二與第三控制訊號Gn+1與Sn+1處於高位準時，光感測電晶體Mphoto呈現導通(turn on)的狀態，從而使得儲存電容Cst之端點電壓Va會被充電至與第三控制訊號Sn+1相同的高位準。當第二控制訊號Gn+1處於低位準時，光感測電晶體Mphoto開始漏電(如曲線401或403)，且此漏電的程度會與環境光照度與光感測電晶體Mphoto的操作電壓相關。一般來說，當光感測電晶體Mphoto有照光時(亦即手指或其他媒介並未遮蔽到主動式光感測裝置103’)，則光感測電晶體Mphoto漏電的程度會加劇(如曲線403)；反之，當光感測電晶體Mphoto未照光時(亦即手指或其他媒介有遮蔽到主動式光感測裝置103’)，則光感測電晶體Mphoto漏電的程度會比較趨緩(如曲線401)。

另一方面，由於耦合電晶體Mc先前反應於第一控制訊號Pn的高位準而一直處於導通的狀態，所以耦合電晶體Mc的端點電壓Vb幾乎會與儲存電容Cst之端點電壓Va等電位。可見得，在光感測電晶體Mphoto有照光時，耦合電晶體Mc的閘源極電壓(Vgs)會比較大；而在光感測電晶體Mphoto未照光時，耦合電晶體Mc的閘源極電壓(Vgs)會比較小。因此，當第一控制訊號Pn處於低位準，且第五控制訊號Gn處於高位準時，放大電晶體Mamp與選擇電晶體Msel會呈現導通的狀態。

與此同時，主動式光感測裝置103’之光感測單元201即會輸出關聯於儲存電容Cst之端點電壓Va的判讀訊號JS至讀出線RL上。而且，當第一控制訊號Pn處於低位準時，關聯於具有較小端點電壓Va的漏電斜率會比較大(因為Vgs較大)，反之，關聯於具有較大端點電壓Va的漏電斜率會比較小(因為Vgs較小)。如以一來，主動式光感測裝置103’之光感測單元201所輸出之關聯於有觸碰事件發生的判讀訊號JS與關聯於無觸碰事件發生的判讀訊號JS之差異即會被拉大，從而使得後端處理電路30可以反應於主動式光感測裝置103’之光感測單元201的輸出而準確地得知手指是否有進行碰觸。由此可知，主動式光感測裝置103’之耦合單元203可以增加主動式光感測裝置103’之光感測單元201的靈敏度，以至於後端處理電路30可以準確地得知手指或者其他媒介是否有在光學式觸控顯示面板20上進行碰觸。

更清楚來說，圖5A與圖5B分別繪示為沒有耦合單元203與具有耦合單元203之條件下，關聯於儲存電容Cst之端點電壓Va的變化關係圖。請合併參照圖5A與圖5B，從圖5A可以清楚地看出，在沒有耦合單元203的條件下，當第五控制訊號Gn處於高位準時，關聯於有觸碰事件發生的判讀訊號JS與關聯於無觸碰事件發生的判讀訊號JS之差異會比較小，亦即儲存電容Cst之端點電壓Va的變化△Va1會比較小。另一方面，從圖5B可以清楚地看出，在具有耦合單元203的條件下，當第五控制訊號Gn處於高位準時，關聯於有觸碰事件發生的判讀訊號JS與關聯於無觸碰事件發生的判讀訊號JS之差異會比較大，亦即儲存電容Cst之端點電壓Va的變化△Va2會比較大。如此一來，後端處理電路30即可準確地得知手指或者其他媒介是否有在光學式觸控顯示面板20上進行碰觸。

另外，圖6繪示為本發明另一實施例之主動式光感測裝置103”的電路圖。請合併參照圖3與圖6，主動式光感測裝置103”與主動式光感測裝置103’的差異僅在於主動式光感測裝置103”之光感測單元201’中的放大電晶體Mamp的第二端改為接收系統電位Vdd。於本實施例中，主動式光感測裝置103”與主動式光感測裝置103’的運作原理類似，故而在此並不再加以贅述之。而且，圖3與圖6所示之光感測單元201與201’中之光感測電晶體Mphoto的第一端與第二端也可以分別改為接收兩參考電位Vg與Vs，例如圖7與圖8所示。

再者，圖9繪示為本發明另一實施例之主動式光感測裝置103’’’的電路圖。請合併參照圖3與圖9，主動式光感測裝置103’’’與主動式光感測裝置103’的差異在於主動式光感測裝置103’’’的光感測單元201”不具有選擇電晶體Msel。換言之，就是把主動式光感測裝置103’之光感測單元201中的選擇電晶體Msel移除，且將放大電晶體Mamp的第二端改為接收系統電位Vdd，並將放大電晶體Mamp的第三端直接耦接至讀出線RL。除此之外，再將儲存電容Cst的第二端改為接收第四控制訊號Rws。其中，第四控制訊號Rws為正脈衝訊號。

基此，圖10繪示為圖9之主動式光感測裝置103’’’的運作波形圖。請參照圖9，圖9繪示出第一、第二、第三與第四控制訊號Pn、Gn+1、Sn+1與Rws。主動式光感測裝置103’’’與主動式光感測裝置103’的運作方式類似，而差異僅在於當第一控制訊號Pn處於低位準，且第四控制訊號Rws處於高位準時，放大電晶體Mamp會呈現導通的狀態。與此同時，主動式光感測裝置103’’’之光感測單元201”即會輸出關聯於儲存電容Cst之端點電壓Va的判讀訊號JS至讀出線RL上。於本實施例中，主動式光感測裝置103’’’之耦合單元203同樣可以增加主動式光感測裝置103’’’之光感測單元201”的靈敏度，以至於後端處理電路30也可以準確地得知手指或者其他媒介是否有在光學式觸控顯示面板20上進行碰觸。相似地，圖9所示之光感測單元201”中之光感測電晶體Mphoto的第一端與第二端也可以分別改為接收兩參考電位Vg與Vs，例如圖11所示。

除此之外，圖12繪示為本發明一實施例之被動式光感測裝置103””的電路圖。請合併參照圖3與圖12，被動式光感測裝置103””與主動式光感測裝置103’的差異僅在於被動式光感測裝置103””的光感測單元201’’’不具有放大電晶體Mamp而已。換言之，就是把主動式光感測裝置103’之光感測單元201中的放大電晶體Mamp移除，並且將選擇電晶體Msel的第二端直接耦接至儲存電容Cst的第一端。再加上，圖4所示的第一、第二、第三與第五控制訊號Pn、Gn+1、Sn+1與Gn同樣可以施加至圖12所示的被動式光感測裝置103””，而且被動式光感測裝置103””的運作原理大致與主動式光感測裝置103’類似，故而在此並不再加以贅述之。

相似地，被動式光感測裝置103””之耦合單元203同樣可以增加被動式光感測裝置103””之光感測單元201’’’的靈敏度，以至於後端處理電路30也可以準確地得知手指或者其他媒介是否有在光學式觸控顯示面板20上進行碰觸。另外，圖12所示之光感測單元201’’’中之光感測電晶體Mphoto的第一端與第二端也可以分別改為接收兩參考電位Vg與Vs，而且儲存電容Cst的第二端可以改為接收參考電位Vs，例如圖13所示。

基於上述可知是，上述實施例所揭示的耦合單元可以同時應用在主動式與被動式的光感測裝置中，但由於主動式與被動式之光感測裝置的電路型態相當多種，因此以上僅舉出幾種主動式與被動式光感測裝置來進行說明，但本發明之申請專利範圍應當不以此為限制。

綜上所述，本發明藉由耦合單元以增進光感測單元的靈敏度，進而增加光感測單元所輸出之關聯於有觸碰事件發生的判讀訊號與關聯於無觸碰事件發生的判讀訊號的差異。因此，無論是在外界光線較強還是在較弱的條件下，光感測裝置都可以提供對應的判讀訊號以供後端處理電路進行處理/判斷，從而讓後端處理電路準確地得知手指是否有在光學式觸控顯示面板上進行碰觸。顯然地，應用有本發明所提供之光感測裝置的光學式觸控顯示面板可以廣泛地應用於不同環境光的條件中。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。

10．．．電子裝置

20．．．光學式觸控顯示面板

30．．．後端處理電路

40．．．控制與驅動單元

101．．．顯示面板

103、103’、103”、103’’’、103””．．．光感測裝置

105．．．背光模組

201、201’、201”、201’’’．．．光感測單元

203．．．耦合單元

Mphoto．．．光感測電晶體

Mamp．．．放大電晶體

Mc．．．耦合電晶體

Msel．．．選擇電晶體

Cst．．．儲存電容

Cc．．．耦合電容

RL．．．讀出線

Pn．．．第一控制訊號

Gn+1．．．第二控制訊號

Sn+1．．．第三控制訊號

Rws．．．第四控制訊號

Gn．．．第五控制訊號

JS．．．判讀訊號

Vdd．．．系統電位

Vcom、Vg、Vs．．．參考電位

Va、Vb．．．端點電壓

△Va1、△Va2．．．端點電壓的變化

下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了本發明的示例實施例，所附圖式與說明書的描述一起說明本發明的原理。

圖1繪示為本發明一實施例之電子裝置10的系統方塊示意圖。

圖2繪示為圖1之光感測裝置103的方塊示意圖。

圖3繪示為本發明一實施例之主動式光感測裝置103’的電路圖。

圖4繪示為圖3之主動式光感測裝置103’的運作波形圖。

圖5A與圖5B分別繪示為沒有耦合單元203與具有耦合單元203之條件下，關聯於儲存電容Cst之端點電壓Va的變化關係圖。

圖6繪示為本發明另一實施例之主動式光感測裝置103”的電路圖。

圖7繪示為圖3的變型實施例。

圖8繪示為圖6的變型實施例。

圖9繪示為本發明另一實施例之主動式光感測裝置103’’’的電路圖。

圖10繪示為圖9之主動式光感測裝置103’’’的運作波形圖。

圖11繪示為圖9的變型實施例。

圖12繪示為本發明一實施例之被動式光感測裝置103””的電路圖。

圖13繪示為圖12的變型實施例。

103．．．光感測裝置

201．．．光感測單元

203．．．耦合單元

JS．．．判讀訊號

Claims

一種光感測裝置，適於一光學式觸控顯示面板，而該光感測裝置包括：一光感測單元，用以感測是否有一觸碰事件發生，並據以輸出一判讀訊號；以及一耦合單元，耦接該光感測單元，用以增進該光感測單元的靈敏度，進而增加關聯於有觸碰事件發生之該判讀訊號與關聯於無觸碰事件發生之該判讀訊號的差異，該耦合單元包括：一耦合電晶體，其第一端用以接收一第一控制訊號；以及一耦合電容，其第一端耦接該耦合電晶體的第一端，而其第二端則耦接該耦合電晶體的第二端。
如申請專利範圍第1項所述之光感測裝置，其中該光感測單元包括：一光感測電晶體，其第一端用以接收一第二控制訊號，其第二端用以接收一第三控制訊號，而其第三端則耦接至該耦合電晶體的第三端；以及一儲存電容，其第一端耦接該光感測電晶體的第三端，而其第二端則用以接收一第四控制訊號。
如申請專利範圍第2項所述之光感測裝置，其中該光感測單元更包括：一選擇電晶體，其第一端用以接收一第五控制訊號，其第二端耦接該儲存電容的第一端，而其第三端則耦接至一讀出線以輸出該判讀訊號。
如申請專利範圍第3項所述之光感測裝置，其中該第一控制訊號為一負脈衝訊號，該第二、該第三與該第五控制訊號分別為一正脈衝訊號，而該第四控制訊號為一參考電位。
如申請專利範圍第3項所述之光感測裝置，其中該第一控制訊號為一負脈衝訊號，該第二、該第三與該第四控制訊號分別為一參考電位，而該第五控制訊號為一正脈衝訊號。
如申請專利範圍第3項所述之光感測裝置，其中該耦合電晶體、該光感測電晶體，以及該選擇電晶體為N型電晶體。
如申請專利範圍第3項所述之光感測裝置，其中該光感測單元更包括：一放大電晶體，其第一端耦接該儲存電容的第一端，其第二端用以接收該第五控制訊號，而其第三端則耦接至該選擇電晶體的第二端。
如申請專利範圍第7項所述之光感測裝置，其中該第一控制訊號為一負脈衝訊號，該第二、該第三與該第五控制訊號分別為一正脈衝訊號，而該第四控制訊號為一參考電位。
如申請專利範圍第7項所述之光感測裝置，其中該第一控制訊號為一負脈衝訊號，該第二與該第三控制訊號分別為一正脈衝訊號，該第四控制訊號為一參考電位，而該第五控制訊號為一系統電位。
如申請專利範圍第7項所述之光感測裝置，其中該第一控制訊號為一負脈衝訊號，該第二、該第三與該第四控制訊號分別為一參考電位，而該第五控制訊號為一正脈衝訊號。
如申請專利範圍第7項所述之光感測裝置，其中該第一控制訊號為一負脈衝訊號，該第二、該第三與該第四控制訊號分別為一參考電位，而該第五控制訊號為一系統電位。
如申請專利範圍第7項所述之光感測裝置，其中該耦合電晶體、該光感測電晶體、該選擇電晶體，以及該放大電晶體為N型電晶體。
如申請專利範圍第2項所述之光感測裝置，其中該光感測單元更包括：一放大電晶體，其第一端耦接該儲存電容的第一端，其第二端用以接收一系統電位，而其第三端則耦接至一讀出線以輸出該判讀訊號。
如申請專利範圍第13項所述之光感測裝置，其中該第一控制訊號為一負脈衝訊號，而該第二、該第三與該第四控制訊號分別為一正脈衝訊號。
如申請專利範圍第13項所述之光感測裝置，其中該第一控制訊號為一負脈衝訊號，該第二與該第三分別為一參考電位，而該第四控制訊號為一正脈衝訊號。
如申請專利範圍第13項所述之光感測裝置，其中該耦合電晶體、該光感測電晶體，以及該放大電晶體為N型電晶體。