TWI440990B - Exposure method and apparatus, and component manufacturing method - Google Patents

Description

曝光方法及裝置、以及元件製造方法

本發明，係關於將圖案之投影像形成於基板上之曝光技術、及使用該曝光技術之元件製造技術。

在例如製造半導體元件或液晶顯示元件等之元件(電子元件、微元件)時，使用將光罩(線片、光罩等)之圖案透過投影光學系統投影至塗有光阻之板片(玻璃板或半導體晶圓等)上之投影曝光裝置。例如液晶顯示元件製造用之板片日益大型化，近年來，漸使用超過2m見方之板片。針對此整板片例如使用等倍之投影光學系統時，光罩亦隨之大型化。光罩之成本，除須維持光罩基板之平面度外，面積越大製程越複雜，因此越大型化其成本越高。再者，例如為形成液晶顯示元件之薄膜電晶體部，通常需4～5層份之光罩，其成本非常高。

針對此情形，提出了一種使用例如於掃描方向分成2列配置、在與掃描方向正交之方向(以下，稱非掃描方向)相鄰配置之具有放大倍率之複數個部分投影光學系統所構成之放大系多透鏡，將光罩圖案縮小至小於板片之掃描型投影曝光裝置(掃描型曝光裝置)(例如，參照專利文獻1)。此種習知具備放大系多透鏡之掃描型曝光裝置，係將光罩圖案對應各部分投影光學系統以短片狀分割為複數個圖案區域，將各圖案區域內之圖案之投影像藉一次掃描曝光於非掃描方向接合轉印至板片上。所謂接合轉印，係指相鄰圖案投影像於非掃描方向之交界部彼此重疊被轉印。

[專利文獻1]日本特開平11-265848號公報

然而，上述具備放大系多透鏡之掃描型曝光裝置，會有在接合轉印至板片上之各投影像間，發生因光罩上各圖案區域間產生之圖案描繪誤差所引起之接合之誤差(以下，稱接合誤差)之虞。

有鑒於此，本發明之目的在提供一種使用複數個投影光學系統(部分投影光學系統)將圖案之放大像形成於板片(基板)上時，可抑制發生接合誤差之曝光方法及裝置、以及元件製造方法。

本發明之第1態樣，提供一種曝光方法，其包含：圖案配置步驟，係對分別具有放大倍率、並排之複數個投影光學系統，配置於既定方向具有大於將該投影光學系統之曝光寬度除以該放大倍率所得之寬度、小於該投影光學系統之配置間隔之區域寬度的圖案區域；以及曝光步驟，係將以該投影光學系統形成之第1圖案之投影像、以及第2圖案之投影像依序轉印至基板上，該第1圖案係設在各該圖案區域之第1部分圖案區域，該第2圖案則係設在相對該第1部分圖案區域、至少部分區域係在該圖案區域內於該既定方向相異之第2部分圖案區域。

本發明之第2態樣，提供一種曝光裝置，其具備：複數個投影光學系統，分別具有放大倍率且並排設置；圖案配置機構，係對複數個該投影光學系統，配置於既定方向具有大於該投影光學系統之曝光寬度除以該放大倍率所得之寬度、小於該投影光學系統之配置間隔之區域寬度的圖案區域，且使該圖案區域往該既定方移動；基板保持機構，供保持基板、使該基板往該既定方向移動；以及控制部，係進行將以該投影光學系統形成之第1圖案之投影像、以及第2圖案之投影像依序轉印至基板上的控制，該第1圖案係設在各該圖案區域之第1部分圖案區域，該第2圖案則係設在相對該第1部分圖案區域、至少部分區域係在該圖案區域內於該既定方向相異之第2部分圖案區域。

本發明之第3態樣，提供一種元件製造方法，其包含：使用上述曝光裝置，將設於該圖案區域之圖案之以該投影光學系統形成之投影像，轉印至感光基板之曝光步驟；使轉印有該投影像之該感光基板顯影，以將對應該投影像之形狀之轉印圖案層，形成於該感光基板上之顯影步驟：以及透過該轉印圖案層對該感光基板進行加工之加工步驟。

根據本發明之曝光方法及裝置、以及元件製造方法，可在使用複數個投影光學系統(部分投影光學系統)將圖案之放大像形成於板片(基板)上時抑制接合誤差之產生，而能提升圖案全體之投影像之轉印精度。

以下，參照圖1～圖12說明本發明之一較佳實施形態。

圖2係顯示由本實施形態之步進掃描方式之掃描型投影曝光裝置所構成之曝光裝置100之概略構成的立體圖，圖1則係顯示該曝光裝置100之照明裝置及光罩載台之概略構成的立體圖。圖1及圖2中，曝光裝置100，具備：以來自光源之照明光照明光罩MA之圖案之照明裝置IU、保持光罩MA移動之光罩載台MST、將光罩MA之圖案之放大像投影至板片(基板)PT上之投影光學裝置PL、保持板片PT移動之基板載台PST、包含用以驅動光罩載台MST及基板載台PST之線性馬達等之驅動機構(未圖示)、以及統籌控制此驅動機構等之動作之主控制系統23等。照明裝置IU、光罩載台MST及基板載台PST之基座構件(未圖示)、以及投影光學裝置PL等被未圖示之機架機構所支承。

本實施形態之板片PT，係例如塗有液晶顯示元件製造用之光阻(感光材料)之1.9×2.2m見方、2.2×2.4m見方、2.4×2.8m見方、或2.8×3.2m見方程度之矩形平板狀玻璃板片。又，作為一例，如圖2所示，板片PT之表面被區分為分別供轉印光罩MA圖案之2個圖案轉印區域EP1、EP2，將被主控制系統23所辨識。

以下，於圖1及圖2中，取與光罩載台MST之導引面(未圖示)垂直之方向為Z軸、在與該導引面平行之面內沿掃描曝光時光罩MA之掃描方向之方向為X軸、沿與該X軸正交之非掃描方向之方向為Y軸進行說明。本實施形態中，基板載台PST之導引面(未圖示)係與光罩載台MST之導引面平行，掃描曝光時板片PT之掃描方向與X軸平行。又，將繞與Z軸平行之軸之旋轉方向亦稱為θz方向。

圖1之照明裝置IU中，從光源部10之4個送光部10a、10b、10c、10d射出之曝光用照明光(曝光用光)，分別射入對光罩MA進行部分照明之4個相同構成之部分照明光學系統ILS1、ILS2、ILS3、ILS4。作為曝光用之照明光，係使用例如包含從超高壓水銀燈射出之g線(波長436nm)、h線(波長405nm)及i線(波長365nm)之光之波長帶所選擇之光，或亦可使用KrF(波長248nm)或ArF(波長193nm)等之準分子雷射光。

從送光部10a～10d射出之照明光分別射入部分照明光學系統ILS1～ILS4，經準直透鏡4而成為平行光束，射入為光學積分器之複眼透鏡6。來自形成在部分照明光學系統ILS1～ILS4之複眼透鏡6之後側焦點面之多數二次光源的照明光，分別經由聚光透鏡7照明可變視野光闌8。來自可變視野光闌8之光束經由中繼光學系統9，大致均勻的照明於光罩MA上具有在X方向平行之2邊的梯形(Y方向2邊對X方向平行或傾斜之梯形)之照明區域(照野區域)IF1、IF2、IF3、IF4。照明區域IF1～IF4係沿Y方向配置成一列。又，亦可將部分照明光學系統ILS1～ILS4之可變視野光闌8，作為一共用之視野光闌構件、於此視野光闌構件形成部分照明光學系統ILS1～ILS4用之4個視野光闌用之開口。

來自光罩MA之照明區域IF1～IF4之光，如圖2所示，分別透過對應之第1、第2、第3及第4投影光學系統PL1、PL2、PL3、PL4，使板片PT上之曝光區域(像野區域或像場區域)EF1、EF2、EF3、EF4曝光。投影光學系統PL1～PL4分別對光罩MA側及板片PT側為遠心，從光罩MA側至板片PT側具有放大倍率。曝光區域EF1～EF4之形狀，係將照明區域IF1～IF4之形狀以投影光學系統PL1～PL4之投影倍率加以放大之形狀。投影光學系統PL1～PL4及與此等對應之曝光區域EF1～EF4係於Y方向配置成一列。於Y方向之照明區域IF1～IF4排列週期與曝光區域EF1～EF4之排列區域相等。又，曝光區域EF1～EF4之形狀係以可變視野光闌8遮蔽照明光之一部分來加以設定。可變視野光闌8被構成為使照明光通過之開口部之大小可變(可擴縮)，據此，即能適當放大或縮小曝光區域EF1～EF4於Y方向之寬度之曝光寬度。

本實施形態中，包含4個投影光學系統(部分投影光學系統)PL1～PL4構成投影光學裝置PL，各投影光學系統PL1～PL4，分別將光罩MA(第1面)上之照明區域IF1～IF4內之圖案以共通之放大倍率M(絕對值)將以放大之投影像，形成於板片PT表面(第2面)上之曝光區域EF1～EF4。投影光學系統PL1～PL4，將光罩MA之圖案之X方向(掃描方向)正立、Y方向(非掃描方向)倒立之像形成於板片PT上。該放大倍率M以2倍較佳，本實施形狀中，作為一例，為2..5倍。

圖1中，光罩MA透過光罩保持具(未圖示)被吸附保持在光罩載台MST上。於光罩載台MST上固定有X軸、Y軸之移動鏡50X及50Y，並以和此對向之方式，配置有由X軸雷射干涉儀22XA、22XB及Y軸雷射干涉儀22Y所構成之光罩側雷射干涉儀。光罩側雷射干涉儀，係測量光罩載台MST之X方向、Y方向位置以及光罩載台MST之θz方向之旋轉角，測量結果被供應至主控制系統23。主控制系統23根據該測量值透過線性馬達等之載台驅動系統(未圖示)，控制光罩載台MST之X方向、Y方向位置及速度，以及θz方向之旋轉角。

又，圖2中，板片PT透過基板保持具(未圖示)被吸附保持於基板載台PST上。於基板載台PST固定有X軸、Y軸之移動鏡51X及51Y，並以和X軸之移動鏡51X對向之方式，配置有於Y方向以既定間隔將測量用雷射光束平行於X軸照射之雷射干涉儀21XA、21XB、21XC及輔助雷射干涉儀21XD。又，以和Y軸之移動鏡51Y對向之方式，配置有於X方向以既定間隔將測量用雷射光束平行於Y軸照射之雷射干涉儀21YA及輔助雷射干涉儀21YB。

藉由X軸雷射干涉儀21XC及Y軸雷射干涉儀21YA測量基板載台PST之X方向及方向之位置，以X軸兩側之雷射干涉儀21XA、21XB測量掃描曝光時基板載台PST之θz方向之旋轉角。又，藉由Y軸雷射干涉儀21YA及輔助雷射干涉儀21YB測量基板載台PST於Y方向步進移動時之基板載台PST之θz方向之旋轉角。關於X軸輔助雷射干涉儀21XD之用途留待後述。此外，例如在移動鏡51X、51Y之真直度良好之情形等時，X軸雷射干涉儀21XA～21XD中，可僅設置2軸之雷射干涉儀(例如21XA、21XB)，而能省略Y軸之輔助雷射干涉儀21YB。

由此等雷射干涉儀21XA～21XD、21YA、21YB構成之板片側雷射干涉儀之測量值被供應至主控制裝置23，主控制系統23根據該測量值透過線性馬達等之載台驅動系統(未圖示)，控制基板載台PST之X方向、Y方向位置及速度。於掃描曝光時，與光罩載台MST被以速度V/M(M為放大倍率)驅動於X方向之動作同步，基板載台PST被以速度V驅動於X方向。由於投影光學系統PL1～PL4之像於X方向為正立像，因此光罩載台MST之掃描方向與基板載台PST之掃描方向係沿X軸之相同方向。

圖2中，於投影光學系統PL1～PL4之附近，配置有為進行板片PT之位置對準之例如影像處理方式之離軸型對準系統ALG、以及測量光罩MA及板片PT之Z方向位置(焦點位置)之自動聚焦系統(未圖示)。因此，於板片PT上之圖案轉印區域EP1及EP2之附近分別形成有複數個對準標記AM1及AM2。又，根據該自動聚焦系統之測量結果，使用未圖示之Z驅動機構例如控制光罩載台MST之Z方向之位置、及/或驅動後述投影光學系統PL1～PL4之各別之聚焦機構，據以將投影光學系統PL1～PL4之像面與板片PT之表面加以對焦。

又，於基板載台PST，設有用以測量透過投影光學系統PL1～PL4投影之光罩MA上之位置測量用標記之像之位置的對準系統的空間像測量系統53。對準系統ALG及空間像測量系統53之檢測訊號以對準訊號處理系統(未圖示)加以處理，經此處理所得之被檢測標記之位置資訊被供應至主控制裝置23。

其次，說明構成本實施形態之部分照明光學系統ILS1～ILS4及投影光學裝置PL之投影光學系統PL1～PL4之構成。代表性的參照圖3，說明部分照明光學系統ILS1及投影光學系統PL1之構成。

圖3係顯示圖1光源部10之一部分、部分照明光學系統ILS1及投影光學系統PL1之構成。圖3中，發出雷射光之雷射光源1、將該雷射光加以聚光之透鏡系統2、以及傳送被聚光之雷射光之光導件3，被收納在圖1之光源部10內。以從光導件3射出之雷射光構成之照明光，經由部分照明光學系統ILS1內之準直透鏡4、反射鏡5、及複眼透鏡6至中繼光學系統9為止之光學構件照明光罩MA。又，圖3中之反射鏡5於圖1中省略。

又，亦可將雷射光源1之雷射光加以分歧後供應至4個部分照明光學系統ILS1～ILS4，亦可在不使用光導件3之情形下，透過反射鏡系統傳送雷射光。

圖3中，作為中繼光學系統9，例如，係包含將光路加以彎折之稜鏡型反射鏡構件9a、將被彎折之照明光加以聚光之聚光透鏡9b、以及將被聚光之照明光加以反射聚光之凹面鏡9c所構成。中繼光學系統9，將在可變視野光闌8之開口部之掃描方向倒立之像(照明區域)形成於光罩MA上。

又，投影光學系統PL1，具備：配置在光罩MA與板片PT間之光路中之凹面反射鏡CCMc，配置在光罩MA與凹面反射鏡CCMc間之光路中具有與Z軸平行之光軸AX21之第1透鏡群G1c，配置在第1透鏡群G1c與凹面反射鏡CCMc間之光路中之第2透鏡群G2c，配置在第2透鏡群G2c與板片PT間之光路中、使從第2透鏡群G2c往＋Z方向行進之光橫切過光軸AX21之方式沿光軸AX22偏向之第1偏向構件FM1c，配置在第1偏向構件FM1c與板片PT間之光路中、使從第1偏向構件FM1c往＋X方向行進之光偏向於-Z方向之第2偏向構件FM2c，配置在第2偏向構件FM2c與板片PT間之光路中具有與第1透鏡群G1c之光軸AX21平行之光軸AX23之第3透鏡群G3c。

此外，在第1透鏡群G1c與光罩MA之間配置有包含彼此間隔可變之複數個透鏡之倍率修正機構AD11，在第3透鏡群G3c與板片PT之間配置有包含2片傾斜角可變之平行平板之X方向、Y方向之像偏移修正機構AD12、以及包含例如2片楔形稜鏡之焦點修正機構AD13。

其他之投影光學系統PL2～PL4亦同樣構成，投影光學系統PL1～PL4之倍率修正機構AD11、像偏移修正機構AD12、以及焦點修正機構AD13(成像特性修正機構)，可分別藉由驅動部(未圖示)彼此獨立的驅動。又，投影光學系統PL1～PL4之構成，不限於於圖3所示者。

其次，如圖1所示，於本實施形態之光罩MA之圖案面，沿Y方向以既定間隔(既定週期)形成有X方向細長矩形之圖案區域A1、A2、A3、A4。又，圖案區域A1～A4之數量係對應投影光學系統PL1～PL4之數量設定。

圖4(A)係顯示圖1之光罩MA的俯視圖，圖4(B)係顯示欲形成於圖1之板片PT之各圖案轉印區域EP1、EP2之元件圖案30(為便於說明，以文字“F”表示)。此場合，形成於光罩MA之4個圖案區域A1～A4之圖案，係分別將圖4(B)之元件圖案30以Y方向既定寬度之重複部30QA、30QB、30QC為交界部加以4等分之部分元件圖案QA1～QA4，縮小為1/M倍(M為投影光學系統PL1～PL4之放大倍率)，並使其個別倒立於Y方向(非掃描方向)之圖案。圖4(A)中，圖案區域A1之＋Y方向及圖案區域A2之-Y方向之重複部33A對應於圖4(B)之重複部30QA，同樣的，圖4(A)之2處重複部33B及2處重複部33C，分別對應於圖4(B)之重複部30QB及30QC。

又，由於圖1之投影光學系統PL1～PL4之放大倍率M為2.5，因此光罩MA之圖案區域A1～A4之Y方向之間之圖案間區域31A、31B、31C之寬度較圖案區域A1～A4之寬度寬。

再者，圖4(A)中，圖案區域A1～A4之Y方向寬度，被設定為與圖1之照明裝置IU形成之照明區域IF1～IF4之Y方向寬度、以及投影光學系統PL1～PL4之物體面側之視野之Y方向寬度的大致2倍。又，本實施形態中，光罩MA之各圖案區域A1～A4，分別於Y方向夾著既定寬度之重複部34A、34B、34C、34D，被分割為-Y方向側之第1部分圖案區域A11、A21、A31、A41、以及＋方向側之第2部分圖案區域A12、A22、A32、A42。-Y方向側之第1部分圖案區域A11～A41之圖案被一次掃描曝光曝光於板片PT上、＋方向側之第2部分圖案區域A12～A42被一次掃描曝光曝光於板片PT上。

此場合，於圖案區域A1之＋Y方向側附近，以和圖案區域A1(部分圖案區域A12)之既定位置關係且於X方向以既定週期，形成有複數個2維位置測量用標記32A1。同樣的，於部分圖案區域A21及A22之附近，以和此等區域之既定位置關係形成有複數個位置測量用標記32B2、32B1，於部分圖案區域A31及A32之附近，以和此等區域之既定位置關係形成有複數個位置測量用標記32C2、32C1，於圖案區域A4附近，以和圖案區域A4(部分圖案區域A41)之既定位置關係形成有複數個位置測量用標記32D2。位置測量用標記32B1、位置測量用標記32B1、32C1、位置測量用標記32C2分別形成在圖案間區域31A、31B、31C內。

圖5係顯示圖1之光罩載台MST的剖面圖，圖5中，於光罩載台MST之光罩MA之裝載面，架設有支承光罩MA之圖案間區域31A、31B、31C之中央部之支承部35A、35B、35C。如此，藉支承圖案間區域31A～31C，即使為大型之光罩MA，光罩MA之撓曲亦小，能以高精度將光罩MA之圖案轉印至板片PT上。

於支承部35A～35C之上部分別形成有連接於真空泵(未圖示)之吸附孔35Aa等，於光罩載台MST之光罩MA之周邊部亦形成有連接於真空泵(未圖示)之吸附孔38a、38b等，藉由此等吸附孔安定的吸附保持光罩MA。此，亦可以靜電吸附光罩MA。

又，圖5中，於光罩MA之圖案面，以覆蓋各圖案區域A1～A4及位置測量用標記之方式，透過框狀之薄膜架36A、36B、36C、36D張設有例如由厚度為1μm程度之可使照明光透射之有機材料薄膜構成之防塵用薄膜(pellicle、保護膜)37A、37B、37C、37D。據此，防止塵埃等之雜質附著於各圖案區域A1～A4。又，與使用1片薄膜覆蓋光罩MA之圖案面全面之情形相較，針對各圖案區域A1～A4分別設置薄膜之方式，薄膜之損傷較少。此外，由於各薄膜小型化，可提升薄膜製造時之良率，降低其成本。

接著，說明圖2之光罩MA與板片PT之關係。首先，設光罩MA之X方向寬度為Mx、Y方向寬度為My，板片PT之X方向寬度為Px、Y方向寬度為Py。此時，板片尺寸、光罩尺寸、放大倍率之選擇，係使此等寬度Mx、My、Px、Py之間成立下述關係。

Mx>Px/M　...(1)

My>Py/2　...(2)

又，可於基板載台PST上將板片PT以縱置或橫置(旋轉90度之狀態)方式裝載，式(1)、式(2)中之Px及Py分別為板片PT之縱及橫尺寸中較大者。

其次，圖6(A)顯示圖4(A)之光罩MA之圖案，圖6(B)顯示待轉印圖6(A)之光罩MA之圖案之放大像(圖4(B)之元件圖案30)之圖2之板片PT。圖6(B)中，板片PT表面於Y方向被分割為2面之圖案轉印區域EP1、EP2。又，第1圖案轉印區域EP1，於Y方向被分割為待分別轉印圖6(A)之光罩MA之圖案區域A1～A4之圖案之放大像，夾著接合部33PA、33PB、33PC接合而於Y方向倒立曝光之寬度Pp之轉印區PA1、PA2、PA3、PA4。於接合部33PA～33PC，分別被曝光圖6(A)之板片PT之重複部33A～33C之圖案像。

進一步的，轉印區域PA1～PA4，被分割為光罩MA之第1部分圖案區域A11～A41之放大像將被分別曝光之＋Y方向側之寬度Pp之第1分割轉印區域PA11、PA21、PA31、PA41，以及光罩MA之第2部分圖案區域A12～A42之放大像將被分別曝光之-Y方向側之寬度Wp之第2分割轉印區域PA12、PA22、PA32、PA42。又，轉印區域PA1～PA4之第1分割轉印區域PA11～PA41與第2分割轉印區域PA12～PA42之間，分別形成有圖6(A)之圖案區域A1～A4內之重複部34A～34D之像被重複步曝光之接合部34PA、34PB、34PC、34PD。

同樣的，板片PT之第2圖案轉印區域EP2亦分別由分割轉印區域PAi1、PAi2(i=1～4)構成，被分割為光罩MA之圖案區域Ai之圖案之放大像將曝光出之4個轉印區域PAi。

此時，將光罩MA側之圖案區域A1～A4之Y方向排列週期設為Pm、將圖案區域A1～A4之Y方向寬度設為Wm時，使用放大倍率M、板片PT之分割轉印區域PA11、PA12等之Y方向寬度Wp、以及轉印區域PA1等之Y方向寬度(與投影光學系統PL1～PL4之配置間隔相等)Pp，將有下列關係之成立。

Pm>Wm≧(Wp×2)　...(3)

Pm=Pp=Wp×2　...(4)

此處，板片PT之圖案轉印區EP1之各轉印區域PA1～PA4之分割轉印區域PA11～PA41、PA12～PA42之Y方向寬度Wp，與投影光學系統PL1～PL4之曝光區域EF1～EF4之Y方向寬度、亦即與曝光寬度相同。此曝光寬度，例如，係被規定成以可變視野光闌8設定之梯形曝光區域EF1～EF4中在X方向中央部之Y方向寬度。或者，在不透過光罩MA之圖案而以曝光區域EF1～EF4而對板片PT進行掃描曝光時，將各曝光區域EF1～EF4於掃描中在板片PT上之累積曝光量，相對掃描完成時之既定累積曝光量之一半之寬度。

進一步的，來自圖2之X軸雷射干涉儀21XC及輔助雷射干涉儀21XD之雷射光束於Y方向之間隔，相等於該板片PT之分割轉印區域PA11、PA12等之Y方向寬度(曝光寬度)Wp。

於曝光時，根據對準之結果，修正各投影光學系統PL1～PL4以圖3之像偏移修正機構AD12之像偏移量、倍率修正機構AD11進行之倍率之修正量、及偏向構件FM1c、FM2c之旋轉角。

以下，參照圖9之流程圖，說明曝光裝置100之一曝光動作例。以下之曝光動作以主控制裝置23加以控制。

首先，假設光罩載台MST上已裝載有光罩MA，為進行光罩MA之對準，例如將基板載台PST上之空間像測量系統53之受光面移動至投影光學系統PL2之曝光區域EF2。又，該受光面實際之Z方向之位置與板片PT之表面同高。接著，使光罩載台MST移動於X方向、Y方向，如圖4(A)所示，將照明區域IF2沿軌跡TR1相對光罩MA移動，於照明區域IF2依序照明複數個位置測量用標記32B1、32B2，以空間像測量系統53測量此等標記之以投影光學系統PL2形成之像之位置。同樣的，光罩MA上之其他複數個位置測量用標記32A1、32C1、32C2、32D2之像之位置亦以空間像測量系統53加以測量。據此，即能測量光罩MA之圖案區域A1～A4(部分圖案區域A141～A41、A12～A42)之像之位置，根據此結果，即能將部分圖案區域A141～A41、A12～A42之像在板片PT上正確的接合於X方向、Y方向而曝光。

其次，於圖9之步驟101中，將圖2之基板載台PST上之板片與曝光對象之塗有光阻之板片PT加以更換。於次一步驟102中，為進行板片PT之第1圖案轉印區域EP1之對準，一邊驅動基板載台PST使板片PT步進移動於X方向、Y方向、一邊藉由對準機構ALG測量圖案轉印區域EP1之複數個對準標記AM1之位置。於其次之步驟103中，為進行板片PT之第2圖案轉印區域EP2之對準，一邊使板片PT步進移動於X方向、Y方向、一邊藉由對準機構ALG測量圖案轉印區域EP2複數個對準標記AM2之位置。又，對準系統ALG不限於1個而可具備複數個，此種情形時，於步驟102、103，可分別同時測量對準標記AM1、AM2所具有之複數個標記。此外，於步驟102、103中，雖係依序測量對準標記AM1、AM2，但亦可同時測量對準標記AM1、AM2。

於其次之步驟104，首先，根據上述對準結果，作成光罩MA之圖案區A1～A4之像與板片PT之圖案轉印區域EP1之轉印區域PA1～PA4分別重疊之狀態。之後，如圖6(A)所示，將光罩MA以速度V/M移動於＋X方向，使照明區域IF1～IF4相對光罩MA之圖案區域A1～A4之第1部分圖案區域A11～A41掃描於＋X方向，並與此同步，如圖6(B)所示，將板片PT以速度V移動於＋X方向，使曝光區域EF1～EF4相對圖案轉印區域EP1之轉印區域PA1～PA4之＋Y側之一半的第1分割轉印區域PA11～PA41掃描於X方向。據此，於圖案轉印區域EP1之第1分割轉印區域PA11～PA41分別掃描曝光出光罩MA之第1部分圖案區域A11～A41之圖案之像(倒立於Y方向之像)。

此時，光罩MA之重複部33A～33C、34A～34D，係被梯形之照明區域IF1～IF4之斜邊部掃描。又，於其邊緣部相接之照明區域IF1之端部IF1a平行於X軸。此種照明區域IF1及IF4(後述)之形狀之變更，可藉由例如可變視野光闌8之開口部之切換、或固定之開口部之端部之開閉來實施。

又，設圖6(B)之曝光區域EF1～EF4之X方向寬度(狹縫寬度)為W、照明光於板片PT之照度為P、光阻之感度(曝光量)為E時，為了將光阻以適當曝光量曝光，基板載台PST之掃描速度V設定如下。

V=(P×W)/E　...(5)

於其次之步驟105，如圖7(A)所示，透過光罩載台MST使光罩MA於-Y方向(圖7(A)中之方向STM)步進移動距離Wp/M，與此大致並行的，透過基板載台PST使板片PT往反方向之＋Y方向(圖7(B)中之方向STP)步進移動與曝光寬度Wp相等之距離。於其次之步驟106，以圖7(A)之光罩MA之圖案區域A1～A4之像與圖7(B)之板片PT之第1圖案轉印區域EP1之轉印區域PA1～PA4相重疊之狀態，將光罩MA以速度V/M移動於-Y方向，沿軌跡TRM以照明區域IF1～IF4於X方向相對掃描光罩MA之圖案區域A1～A4之第2部分圖案區域A12～A42，並與此同步，如圖7(B)所示，將板片PT以速度V移動於-X方向，以曝光區域EF1～EF4沿軌跡TRP於X方向相對掃描圖案轉印區域EP1之轉印區域A1～A4之-Y方向一半之第2分割轉印區域PA12～PA42。

據此，於圖案轉印區域EP1之第2分割轉印區域PA12～PA42分別掃描曝光出光罩MA之第2部分圖案區域A12～A42之圖案之像(倒立於Y方向之像)。因此，於圖案轉印區域EP1之全面，曝光出與圖4(B)之元件圖案30相同之像。此外，於板片PT之接合部33PA～33PC及34PA～34PD，重疊曝光光罩MA之重複部33A～33C及34A～34D之像。

此時，圖7(A)之光罩MA之重複部33A～33C、34A～34D，係被照明區域IF1～IF4之斜邊部掃描。又，由於部分圖案區域A42之N＋Y方向之邊緣不是接合部，因此與該邊緣部相接之照明區域IF4之端部IF4a平行於X軸。如此，藉由將重複部33A～33C、34A～34D以照明區域IF1～IF4之斜邊部加以掃描，以二次掃描曝光加以重複曝光之板片PT之接合部33PA～33PC及34PA～34PD之曝光量，即與其他部分之曝光量相等。

又，圖2中，預先於曝光開始前，X軸雷射干涉儀21XC與輔助雷射干涉儀21XD，係進行以在雷射光束照射點之X方向位置相等之狀態顯示相同測量值之重置，並進行使轉印像正確整齊排列之投影像之校準(calibration)。接著，在從圖9之步驟104移至步驟106時，將以步驟104測量之雷射干涉儀21XC與輔助雷射干儀21XD之測量值之差分設為△X。此場合，基板載台PST之X方向位置係根據雷射干涉儀21XC之測量值加以控制，且於步驟106，將基板載台PST之X方向位置僅修正該差分△X。據此，即使圖2之X軸移動鏡51X產生彎曲，儀能將圖7(B)之圖案轉印區EP1之第1分割轉印區域PA11～PA41與第2分割轉印區域PA12～PA42之X方向位置加以配合曝光，以降低接合誤差。

於其次之步驟107，根據步驟103之對準結果，如圖8(B)所示，透過基板載台PST使板片PT於-Y方向僅步進移動圖案轉印區域EP1、EP2之中心間隔分，將圖案轉印區域EP2之轉印區域PA1～PA4之第1分割轉印區域PA11～PA41沿軌跡TRP1移動至曝光區域EF1～EF4之前方。與此動作大致並行的，如圖8(A)所示，使光罩MA步進移動於＋Y方向，沿軌跡TRM1將圖案區域A1～A4之部分圖案區域A11～A41移動至照明區域IF1～IF4之前方。

於其次之步驟108，與步驟104同樣的，如圖8(A)及8(B)所示，與使光罩MA移動於＋X方向之動作同步使板片PT移動於＋X方向，將光罩MA之第1部分圖案區域A11～A41之圖案之像(倒立於Y方向之像)分別掃描曝光於板片PT之圖案轉印區域EP2之第1分割轉印區域PA11～PA41。於其次之步驟109，與步驟105同樣的，使光罩MA於-Y方向僅步進移動距離Wp/M(參照圖7(A))，與此大致並行的，使板片PT於反方向之＋Y方向步進移動距離Wp。於其次之步驟110，與步驟106同樣的，對應圖8(A)之軌跡TRM2，使光罩MA移動於+X方向，並與此同步，對應圖8(B)之軌跡TRP2，使板片PT移動於＋Y方向，將光罩MA之第2部分圖案區域A12～A42之圖案之像(倒立於Y方向之像)分別掃描曝光於板片PT之圖案轉印區域EP2之其餘之第2分割轉印區域PA12～PA42。因此，於圖案轉印區域EP2之全面，接合出與圖4(B)之元件圖案30相同之像，以均勻之曝光量分布曝光。

於其次之步驟111，在有待曝光板片之情形時，移至步驟112，將基板載台PST移動至板片PT之更換位置後移至步驟101。於步驟111，已無待曝光板片之情形時，即將板片PT從基板載台PST排出(卸載)而結束曝光製程。

將本實施形態之曝光方法予以整理時，即成圖10(A)所示。亦即，圖10(A)之板片PT之X方向寬度L2及Y方向寬度L1例如分別為3.2m及2.8m。本實施形態中，板片PT之圖案轉印區域EP1及EP2係分別藉由將光罩載台MST掃描於＋X方向及-X方向之二次掃描曝光SC1、SC2及SC3、SC4而曝光，於該期間，基板載台PST進行三次步進移動ST1、ST2、ST3。各掃描曝光SC1等，分別包含一定速度之曝光時間EXt與加減速時間ADt。如以上所述，本實施形態，可將取2面之板片PT之全面以四次掃描曝光動作高效率的加以曝光。

又，如圖10(B)所示，當於一片板片PT設置被相同元件圖案曝光之6面圖案轉印區域EPA之情形時，以及如圖10(C)所示，於一片板片PT設置被相同元件圖案曝光之8面圖案轉印區域EPB之情形時，根據本實施形態之曝光方法，能分別以四次掃描曝光使板片PT之全面高效率的曝光。此外，圖10(B)之情形時，於光罩MA形成有對應3個分元件圖案之圖案，圖10(C)之情形時，則於光罩MA形成有對應4個分元件圖案之圖案。

接著，參照圖11及圖12，說明上述實施形態中，於進行掃描曝光中基板載台PST(板片PT)與光罩載台MST(光罩MA)之間產生位置偏差時之一位置對準方法例。

首先，如圖11(A)所示，在基板載台PST之位置離目標位置於X方向、Y方向偏移△X、△Y之情形時，如圖11(B)所示，使光罩載台MST於X方向移動△X1/M(M為投影光學系統PL1～PL4之放大倍率)、於Y方向移動-△Y/M來進行大略之修正。此處，Y方向修正量之符號相反，係因圖2之投影光學系統PL1～PL4之像係倒立於Y方向之故。又，基板載台PST之位置及旋轉角，例如係使用以平行於X軸照射雷射光束LPx1、LPx2之X軸雷射干涉儀21XA、21XB、及以平行於Y軸照射雷射光束LPy之Y軸雷射干涉儀21YA加以測量。同樣的，光罩載台MST之位置及旋轉角，例如係使用以平行於X軸照射雷射光束LMx1、LMx2之X軸雷射干涉儀22XA、22XB、及以平行於Y軸照射雷射光束LMy之Y軸雷射干涉儀22Y加以測量。

進一步的，將光罩載台MST之偏移量換算為基板載台PST上之偏移量之值為△X1、-△Y1。因此，使用投影光學系統PL1～PL4之圖3之像偏移修正機構AD12，使光罩MA之圖案之像偏移該等偏移量之殘差分(△X-△X1、△Y＋△Y1)。據此，基板載台PST之偏移即能高精度地、且以高追蹤速度加以修正。

其次，如圖12(A)所示，在基板載台PST之θz方向之旋轉角(例如以箭頭24P所示之在板片PT中心之分割轉印區域之排列方向)從目標值繞反時針偏移△θ之情形時，如圖12(b)所示，使光罩載台MST(以箭頭24M所示之在光罩中心之部分圖案區域之排列方向)順時針旋轉角度△θ。此場合，由於圖2之投影光學系統PL1～PL4之像於X方向正立、於Y方向倒立，因此以投影光學系統PL1～PL4形成之光罩MA之部分圖案區域之像之排列方向，如箭頭24MP所示，雖與板片上之箭頭24P之排列方向平行，但其位置則相對基板載台PST(板片之分割轉印區域)於X方向偏移△X1、△X2、△X3、△X4。偏移量△X1～△X4，若設光罩載台MST之旋轉中心與投影光學系統PL1～PL4之Y方向間隔為L的話，大致為-2‧△θ‧L。因此，如上所述，因光罩載台MST之旋轉所產生之X方向之偏移量，係使用投影光學系統PL1～PL4之圖3之像偏移修正機AD12加以修正。據此，基板載台PST之旋轉角即能高精度地、且以高追蹤速度加以修正。

本實施形態之作用效果等如下。

(1)上述實施形態之曝光裝置100，具備：分別具有放大倍率且並排設置之複數個投影光學系統PL1～PL4；對複數個投影光學系統PL1～PL4配置於Y方向(既定方向)具有大於照明區域IF1～IF4之寬度(將投影光學系統PL1～PL4之曝光寬度除以放大倍率M所得之寬度)、小於投影光學系統PL1～PL4之配置之週期(配置間隔)之寬度(區域寬度)的圖案區域A1～A4，且使圖案區域A1～A4往Y方向移動之光罩載台MST(圖案配置機構)；保持板片PT、使板片PT往Y方向移動之基板載台PST(基板保持機構)；以及進行將以投影光學系統PL1～PL4形成之圖案(第1圖案)之投影像、以及圖案(第2圖案)之投影像依序轉印至板片PT上之控制的主控制系統23(控制部)，第1圖案係設在各圖案區域A1～A4之第1部分圖案區域A11～A41，第2圖案則係設在相對第1部分圖案區域A11～A41、至少重複部34A～34D(部分區域)係在圖案區域A1～A4內於Y方向相異之第2部分圖案區域A12～A42。

又，以曝光裝置100之主控制系統23控制之曝光方法，係對分別具有放大倍率、並排設置之複數個投影光學系統PL1～PL4，配置於Y方向具有大於照明區域IF1～IF4之寬度、小於投影光學系統PL1～PL4之配置週期(配置間隔)之寬度之圖案區域A1～A4的步驟104之一部分、及步驟105之移動動作(圖案配置步驟)；以及將以投影光學系統PL1～PL4形成之圖案(第1圖案)之投影像、以及圖案(第2圖案)之投影像依序轉印至板片PT上的步驟104、106(曝光步驟)，前述第1圖案係設在各圖案區域A1～A4之第1部分圖案區域A11～A41，前述第2圖案則係設在相對第1部分圖案區域A11～A41、至少重複部34A～34D(部分區域)係在圖案區域A1～A4內於Y方向相異之第2部分圖案區域A12～A42。

根據本第2實施形態，由於在光罩MA之複數個圖案區域A1～A4內之第1部分圖案區域A11～A41及第2部分圖案區域A12～A42之間不會產生光罩圖案之描繪誤差，因此能抑制將該等部分圖案區域之圖案之像曝光於板片PT上時在接合部34PA～34PD產生之接合誤差，提升光罩圖案全體之投影像之轉印精度。

又，與第1部分圖案區域A11～A41及第2部分圖案區域A12～A42於Y方向分離形成之情形相較，能縮短於該步驟105之光罩MA及板片PT之Y方向移動量(移動行程)，因此能使光罩載台MST之基座部(載台機構)小型化。此外，光罩MA本身亦能小型化。

又，上述實施形態，係將光罩MA之各圖案區域A1～A4之圖案以二次掃描曝光轉印至板片PT上。然而，亦可將各圖案區域A1～A4之Y方向寬度設定為照明區域IF1～IF4之寬度之3倍以上，以三次以上之掃描曝光將各圖案區域A1～A4之圖案轉印至板片PT上。

如上所述，將各圖案區域A1～A4之圖案以k次(k為3以上之整數)之掃描曝光轉印至板片PT上之情形時，下式將取代上述式(3)、式(4)而成立。

Pm>Wm≧(Wp×K)/M　...(3A)

Pm=Pp=Wp×K　...(4A)

此等場合，能在第二次以後之掃描曝光，使曝光區域EF1～EF4之Y方向寬度較第一次掃描曝光時寬度之曝光寬度Wp(最大寬度)狹小。此時，取代上述式(3)、式(4)而成立下式即可。

Pm>Wm≧Wp/M　...(3B)

又，光罩MA之圖案區域A1～A4之數量(圖案之Y方向分割數)不限於於4個，可對應投影光學系統之配置數適當決定。

(2)又，投影光學系統PL1～PL4係分別將於Y方向倒立之像形成於像面，步驟105中沿Y方向之光罩MA之移動方向與板片PT之移動方向相反(反向側)。據此，能將光罩MA之各圖案區域A1～A4之部分圖案區域A11～A41及A12～A42之像正確的加以接合曝光至板片PT上。

又，投影光學系統PL1～PL4，並不限於投影於X方向正立、於Y方向倒立之像的光學系統，亦可使用投影出於X方向正立、於Y方向亦正立之像的光學系統，或者投影出於X方向倒立、於Y方向正立或倒立之像的光學系統。

(3)又，投影光學系統PL1～PL4係沿Y方向配置成一列，於步驟104之光罩MA及板片PT之移動方向、與步驟106中之光罩MA及板片PT之移動方向為反方向。據此，由於能往復掃描光罩MA及板片PT，因此能縮短曝光時間。再者，由於投影光學系統PL1～PL4係於Y方向配置成一列，因此能將光罩MA之圖案區域A1～A4於Y方向並列配置，使光罩MA小型化。

又，投影光學系統PL1～PL4並不一定需須於Y方向配置成一列。在投影光學系統PL1～PL4之X方向位置不同之情形時，只要調整光罩MA之圖案區域A1～A4之X方向位置即可。

(4)光罩MA之第1部分圖案區域A11～A41與第2部分圖案區域A12～A42，其Y方向端部在重複部34A～34D重疊。據此，能降低將該等之像加以接合曝光時之接合誤差。又，針對第1部分圖案區域A11～A41與第2部分圖案區域A12～A42能分別獲得充分之圖案轉印精度之情形時，並不一定需要設置重複部34A～34D，而可將第1部分圖案區域A11～A41與第2部分圖案區域A12～A42相鄰設置。此外，亦可與此對應的，在不設置接合部34PA～34PD之情形下，使第1分割轉印區域PA11～PA41與第2分割轉印區域PA12～PA42相鄰轉印。

(5)又，投影光學系統PL1～PL4之Y方向之配置週期(配置間隔)，為曝光區域EF1～EF4之Y方向寬度之2倍，步驟104、106，包含將光罩MA之第2部分圖案區域A12～A32之圖案(第2圖案)之投影像於Y方向之接合部33PA～33PC(像端部)，重疊於與包含第2部分圖案區域A12～A32之圖案區域A1～A3相鄰之圖案區域A2～A4所設之第1部分圖案區域A21～A41之圖案之像來進行轉印之步驟。因此，能將光罩MA之複數個圖案區域A1～A4之像一邊接合於Y方向、一邊曝光至板片PT上。

此外，投影光學系統PL1～PL4之Y方向之配置週期，亦可以是曝光區域EF1～EF4之Y方向寬度之3倍以上之整數倍。例如若係3倍的話，可藉由三次掃描曝光，將光罩MA之複數個圖案區域之像一邊接合於Y方向、一邊曝光至板片PT上。

(6)又，投影光學系統PL1～PL4之放大倍率至少以2倍較佳。如此，能將光罩MA之圖案區域A1～A4之Y方向間之區域(圖案間區域31A～31C)作的較寬，亦能於此等區域形成其他光罩圖案。

(7)亦即，上述實施形態，在光罩MA之圖案間區域31A～31D僅設有位置測量用標記32B1等，但例如圖13(A)之光罩MA1所示，亦可於圖案間區域31A～31D設置其他圖案區域B1～B3(附加圖案區域)，於圖案區域A4之-Y方向側設置圖案區域B4。於圖案區域B1～B4，形成將圖13(B)之符號“K”表示之另一圖元件30B之部分元件QB1～QB24加以縮小之圖案。又，於光罩MA1之圖案面，光罩MA1之圖案區域A1～A4與圖案區域B1～B4之間於X方向(掃描方向)之細長區域、以及圖案區域A1、B4外側於X方向之細長區域，分別係被光罩載台保持之保持區域39。

此外，光罩MA1之圖案區域B1～B4之圖案，亦被分為第1部分圖案區域B11～B41與第2部分圖案區域B12～B42曝光至板片PT上。採此方式，可使用一片光罩MA1將2個元件圖案用之圖案像依序轉印至板片上。如此，即能在不進行光罩更換之情形下，迅速進行2個元件圖案用之圖案轉印，提升元件製造中之生產率。

又，本發明亦能適用於投影光學系統PL1～PL4之倍率在1倍與2倍之間的情形。

(8)於基板載台PST側，具有以步驟105中將板片PT移動於Y方向時之移動量間隔(測量用雷射光束之間隔)配置、用以測量板片PT之X方向移動量之圖2之2個雷射干涉儀21XC、21XD。藉由此等雷射干涉儀之使用，即使移動鏡51產生彎曲，亦能將板片PT之第1分割轉印區域PA11～PA41與第2分割轉印區域PA12～PA42之X方向位置正確的加以對齊。

(9)又，上述實施形態之圖4之光罩MA，係形成有透過分別具放大倍率之複數個投影光學系統PL1～PL4投影曝光至板片PT上之圖案的光罩，且以X方向之既定長度，分別配置有在與X方向正交之Y方向較複數個投影光學系統PL1～PL4之物體面側視野(照明區域IF1～IF4)寬度為寬之複數個圖案區域A1～A4。

將此光罩MA之圖案區A1～A4之圖案之像分為第1部分圖案區域A11～A41與第2部分圖案區域A12～A42掃描曝光至板片PT，能使用上述實施形態之曝光方法，並抑制因光罩圖案之描繪誤差所產生之接合誤差，提升光罩圖案全體之投影像之轉印精度。

(10)此外，於複數個圖案區域A1～A4之Y方向間之區域(圖案間區域31～31C)形成有位置測量用標記32B1～32C2(位置對準用標記)，因此能將圖案區域A1～A4之圖案之像以高精度加以接合曝光。

(11)又，如圖5所示，由於設有個別覆蓋圖案區域A1～A4之薄膜37A～37D(保護構件)，因此能防止異物附著於圖案區域A1～A4。

此外，上述實施形態中，雖說明光罩MA及板片PT各自之掃描方向及非掃描方向於XYZ座標系中一致，但亦可對應將光罩MA之圖案之投影像形成於板片PT上之投影光學系統之構成，將光罩MA及板片PT各自之掃描方向及非掃描方向於XYZ座標系中設定為不同方向。不過，光罩MA及板片PT之掃描方向及非掃描方向，係在考慮投影光學系統內光路之彎折等而使其在光學上一致，在此意思下，使光罩MA與板片PT於掃描方向或非掃描方向同步移動，係指使光罩MA與板片PT相對投影光學系統移動於光學上對應之方向(光學上同方向)之意。

又，上述實施形態中，雖說明圖案區域A1～A4係一體設於光罩MA上，但亦可將圖案區域A1～A4形成於個別之光罩上，將各光罩一次搭載於光罩載台上。作為個別之光罩，可使用例如將光罩MA對應圖案區域A1～A4加以4分割之小型光罩。此外，將對應圖案區域A1～A4之複數個光罩一次搭載於光罩載台上之場合，最好是能設置用以進行各光罩間之相對位置對準的機構較佳。

又，上述實施形態中，雖說明將曝光區域EF1～EF24之曝光寬度設定為既定大小之情形下，進行圖9所示之一連串處理，但亦可就各處理變更曝光區域EF1～EF24之曝光寬度。例如可在轉印設於第1部分圖案區域A11～A41之圖案之情形、與在轉印設於第2部分圖案區域A12～A42之圖案之情形時，變更曝光寬度。據此，即能在投影光學系統之配置間隔範圍內自由的設定各圖案區域A1～A4及圖案轉印區域EP1、EP2之非掃描方向寬度。又，曝光區域EF1～EF4之曝光寬度，如上所述，例如可使用可變視野光闌8來加以變更。

其次，可使用上述實施形態之圖2之曝光裝置100，於感光基板(玻璃板)上形成既定圖案(電路圖書、電極圖案等)據以製造液晶顯示元件等之元件。以下，參照圖14之流程圖說明此製造方法之一例。

圖14之步驟S401(圖案形成步驟)，首先，實施於曝光對象之基板上塗布光阻以準備感光基板之塗布步驟、使用上述掃描型之投影曝光裝置將液晶顯示元件用之光罩之圖案轉印曝光至該感光性基板之曝光步驟、以及使該感光基板顯影之顯影步驟。藉由包含此塗布步驟、曝光步驟及顯影步驟之光微影製程，於該基板上形成既定光阻圖案(轉印圖案層)。接著此微影製程後，經由將該光阻圖案作為光罩之蝕刻步驟、及光阻剝離步驟等，於該基板上形成包含多數電極等之既定圖案。該微影製程等，係視該基板上之層數實施複數次。

於其次之步驟S402(彩色濾光片形成步驟)，係藉由將對應紅R、綠R、藍B之3個微細濾器之組多數排列成矩陣狀、或將複數個紅R、綠G、藍B之3條條狀濾器之組排列於水平掃描線方向來形成彩色濾光片。於其次之步驟403(單元組裝步驟)，例如將在步驟S401所得之具有既定圖案之基板與在步驟S402所得之彩色濾光片之間注入液晶，以製造液晶面板(液晶單元)。

於其後之步驟S404(模組組裝步驟)，安裝用以進行所組裝之液晶面板(液晶單元)之顯示動作的電路、及背光組等零件後，完成液晶顯示元件。

如上所述，上述液晶顯示元件之製造方法，包含使用上述實施形態之曝光裝置將設於光罩之圖案之投影像轉印至板片(感光基板)的曝光步驟、使被轉印該投影像之板片顯影以在板片上形成對應該投影像之形狀之轉印圖案層的顯影步驟、以及透過該轉印圖案層對板片PT進行加工的加工步驟。

使用上述液晶顯示元件之製造方法，由於能減輕光罩圖案之描繪誤差之影響，因此能高精度的進行液晶顯示元件之製造。

又，本發明不限於掃描型曝光裝置，亦能適用於以一次型曝光裝置(步進型曝光裝置)進行曝光之場合。

此外，本發明不限於上述實施形態，在不脫離本發明之要旨範圍內可有各種構成。

3．．．光導

4．．．準直透鏡

5．．．反射鏡

6．．．複眼透鏡

7．．．聚光透視鏡

8．．．可變視野光闌

9．．．中繼光學系統

9a‧‧‧稜鏡型反射鏡構件

9b‧‧‧聚光透鏡

9c‧‧‧凹面鏡

10‧‧‧光源部

10a~10d‧‧‧送光部

21XA~21XC‧‧‧X軸雷射干涉儀

21XD、22XD‧‧‧輔助雷射干涉儀

21YA‧‧‧Y軸雷射干涉儀

21YB‧‧‧輔助雷射干涉儀

22XA~22XC‧‧‧X軸雷射干涉儀

22Y‧‧‧Y軸雷射干涉儀

23‧‧‧主控制系統

30‧‧‧元件圖案

30QA~30QC‧‧‧重複部

31A~31C‧‧‧圖案間區域

32A1、32A2、32B1、32B2‧‧‧位置測量用標記

32C1、32C2、32D1、32D2‧‧‧位置測量用標記

33A~33C‧‧‧重複部

33PA~33PD‧‧‧接合部

34A~34D‧‧‧重複部

33PA~33PD‧‧‧接合部

34PA、34PB、34PC、34PD‧‧‧接合部

35A~35C‧‧‧支承部

35Aa、38a、38b‧‧‧吸附孔

36A~36D‧‧‧薄膜框架

37A~37D‧‧‧薄膜

50X、51X‧‧‧X軸移動鏡

50Y、51Y‧‧‧Y軸移動鏡

53‧‧‧空間像測量系統

100‧‧‧曝光裝置

A1~A4‧‧‧圖案區域

A11~A41‧‧‧第1部分圖案區域

A12~A42‧‧‧第2部分圖案區域

AD11‧‧‧倍率修正機構

AD12‧‧‧像偏移修正機構

AD13‧‧‧焦點修正機構

ALG‧‧‧對準系統

AM1、AM2‧‧‧對準標記

AX21~AX23‧‧‧光軸

CCMc‧‧‧凹面反射鏡

EFI~EF4‧‧‧曝光區域

EP1、EP2‧‧‧圖案轉印區域

FM1c、FM2c‧‧‧第1、第2偏向構件

G1c、G2c、G3c‧‧‧第1、第2、第3透鏡群

IF1~IF4‧‧‧照明區域(像場)

ILS1~ILS4‧‧‧部分照明光學系統

IU‧‧‧照明裝置

LMx1、LMx2‧‧‧雷射光束

LPx1、LPx2‧‧‧雷射光束

M‧‧‧放大倍率

MA‧‧‧光罩

MST‧‧‧光罩載台

Mx、My‧‧‧光罩MA之X方向、Y方向寬度

PA1~PA4‧‧‧轉印區域

PA11~PA41‧‧‧第1分割轉印區域

PA12~PA42‧‧‧第2分割轉印區域

PL1~PL4‧‧‧投影光學系統

PST‧‧‧基板載台

PT‧‧‧板片

Px、Py‧‧‧板片PT之X方向、Y方向寬度

QA1~QA4‧‧‧部分元件圖案

圖1係顯示本發明之一實施形態例之曝光裝置之照明裝置及光罩載台的立體圖。

圖2係顯示本發明之一實施形態例之曝光裝置之概略構成的立體圖。

圖3係顯示圖2中之投影光學系統PL1及部分照明光學系統ILS1之構成的圖。

圖4(A)係顯示圖2之光罩MA的俯視圖，圖4(B)係顯示欲形成於光罩MA之圖案之原來之元件圖案的圖。

圖5係顯示圖1之光罩載台MST的剖面圖。

圖6(A)係顯示第一次掃描曝光中之光罩MA的俯視圖，圖6(B)係顯示對應圖6(A)之板片PT的俯視圖。

圖7(A)係顯示第二次掃描曝光中之光罩MA的俯視圖，圖7(B)係顯示對應圖7(A)之板片PT的俯視圖。

圖8(A)係顯示對板片PT之圖案轉印區域EP2之掃描曝光中之光罩MA的俯視圖，圖8(B)係顯示對應之板片PT的俯視圖。

圖9係顯示實施形態之曝光裝置之一曝光動作例的流程圖。

圖10(A)係對取2面之光罩進行曝光動作的說明圖，圖10(B)係對取6面之光罩進行曝光動作的說明圖，圖10(C)係對取4面之光罩進行曝光動作的說明圖。

圖11係對基板載台PST之偏移進行修正之修正方法的說明圖。

圖12係對基板載台PST之旋轉進行修正之修正方法的說明圖。

圖13(A)係顯示實施形態之另一例之光罩的俯視圖，圖13(B)係顯示圖13(A)之光罩圖案之部分原本之元件圖案的圖。

圖14係顯示使用實施形態之一曝光裝置例之液晶顯示元件之一製程例的流程圖。

33A~33C‧‧‧重複部

33PA~33PD‧‧‧接合部

34A~34D‧‧‧重複部

34PA、34PB、34PC、34PD‧‧‧接合部

A1~A4‧‧‧圖案區域

A11~A41‧‧‧第1部分圖案區域

A12~A42‧‧‧第2部分圖案區域

EFI~EF4‧‧‧曝光區域

EP1、EP2‧‧‧圖案轉印區域

IF1~IF4‧‧‧照明區域(像場)

IF1a‧‧‧照明區域IF1之端部

MA‧‧‧光罩

PA1~PA4‧‧‧轉印區域

PA11~PA41‧‧‧第1分割轉印區域

PA12~PA42‧‧‧第2分割轉印區域

PL1~PL4‧‧‧投影光學系統

Pm‧‧‧圖案區域之Y方向排列週期

Pp‧‧‧轉印區域之+Y方向側寬度

PT‧‧‧板片

Wm‧‧‧圖案區域之Y方向寬度

Wp‧‧‧轉印區域之-Y方向側寬度

Claims (29)

1. 一種曝光方法，其包含：圖案配置步驟，係對分別具有放大倍率、並排之複數個投影光學系統之各個，配置於既定方向具有大於將該投影光學系統之曝光寬度除以該放大倍率所得之寬度、小於該投影光學系統之配置間隔之區域寬度的圖案區域；以及曝光步驟，係將以該投影光學系統形成之第1圖案之投影像、以及第2圖案之投影像依序轉印至基板上，該第1圖案係設在各該圖案區域之第1部分圖案區域，該第2圖案則係設在於該圖案區域內相對該第1部分圖案區域、部分區域重複且其他區域位於該既定方向之相異位置之第2部分圖案區域；在該部分區域內相互重複之該第1圖案之部分與該第2圖案之部分，重複地轉印於該基板上。
2. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，該曝光步驟包含：第1曝光步驟，係將各該圖案區域之該第1圖案之該投影像，轉印至該基板上分別對應之第1部分轉印區域；以及第2曝光步驟，係將各該圖案區域之該第2圖案之該投影像，轉印至該基板上分別對應、相對該第1部分轉印區域至少部分區域係在該既定方向相異之第2部分轉印區域。
3. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，該第1部 分圖案區域與該第2部分圖案區域係被設成該既定方向之區域交界部重疊；該曝光步驟，係將該第1圖案之該投影像與該第2圖案之該投影像在該既定方向之像交界部加以重疊轉印。
4. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，該配置間隔為該曝光寬度之整數倍；該曝光步驟，係將該第2圖案之該投影像於該既定方向之像端部，重疊於與包含設置該第2圖案之該第2部分圖案區域之該圖案區域相鄰之該圖案區域所設之圖案以該投影光學系統投影之投影像加以轉印。
5. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，該曝光步驟，係一邊使該圖案區域及該基板同步移動於與該既定方向正交之掃描方向、一邊轉印該第1圖案之該投影像與該第2圖案之該投影像。
6. 如申請專利範圍第5項之曝光方法，其中，該曝光步驟，係使該圖案區域及該基板同步移動於該掃描方向之第1面向、一邊轉印該第1圖案之該投影像，使該圖案區域及該基板同步移動於該掃描方向之第2面向、一邊轉印該第2圖案之該投影像。
7. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，該投影光學系統係於該既定方向形成倒立之該投影像；該曝光步驟，在轉印該第1圖案之該投影像後、至轉印該第2圖案之該投影像前，使該圖案區域與該基板往該既定方向之彼此相反側移動。
8. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其包含：附加圖案配置步驟，係將與該圖案區域相鄰設置、於該既定方向具有大於該曝光寬度除以該放大倍率所得寬度、小於該配置間隔之區域寬度之附加圖案區域，分別相對複數個該投影光學系統配置；以及附加圖案曝光步驟，係將設在各該附加圖案區域之第1部分附加圖案區域的第1附加圖案以該投影光學系統投影之投影像，以及設在相對該第1部分附加圖案區域、至少一部分區域在該附加圖案區內於該既定方向不同之第2部分附加圖案區域的第2附加圖案以該投影光學系統投影之投影像，依序轉印至該基板上。
9. 如申請專利範圍第8項之曝光方法，其中，複數個該圖案區域及該附加圖案區域係於光罩基板上於該既定方向交互設置；該圖案配置步驟，係對複數個該投影光學系統配置該光罩基板；該附加圖案配置步驟，係相對複數個該投影光學系統使該光罩基板移動於該既定方向。
10. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，該放大倍率至少為2倍。
11. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，複數個該投影光學系統係於該既定方向排列成一列。
12. 一種曝光裝置，其具備：複數個投影光學系統，分別具有放大倍率且並排設置； 圖案配置機構，係對複數個該投影光學系統之各個，配置於既定方向具有大於該投影光學系統之曝光寬度除以該放大倍率所得之寬度、小於該投影光學系統之配置間隔之區域寬度的圖案區域，且使該圖案區域往該既定方向移動；基板保持機構，供保持基板、使該基板往該既定方向移動；以及控制部，係進行將以該投影光學系統形成之第1圖案之投影像、以及第2圖案之投影像依序轉印至基板上的控制，該第1圖案係設在各該圖案區域之第1部分圖案區域，該第2圖案則係設在於該圖案區域內相對該第1部分圖案區域、部分區域重複且其他區域位於該既定方向之相異位置之第2部分圖案區域；該控制部，以將在該部分區域內相互重複之該第1圖案之部分與該第2圖案之部分，重複地轉印於該基板上之方式進行控制。
13. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該圖案配置機構具有保持形成有該圖案區域之物體的圖案保持機構。
14. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該第1部分圖案區域與該第2部分圖案區域係被設成該既定方向之區域交界部重疊；該控制部，係進行將該第1圖案之該投影像與該第2圖案之該投影像在該既定方向之像交界部加以重疊轉印之 控制。
15. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該配置間隔為該曝光寬度之整數倍。
16. 如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中，該控制部，係進行將該第2圖案之該投影像於該既定方向之像端部，重疊於與包含設置該第2圖案之該第2部分圖案區域之該圖案區域相鄰之該圖案區域所設之圖案以該投影光學系統投影之投影像加以轉印的控制。
17. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該圖案配置機構係使該圖案區域往與該既定方向正交之掃描方向移動；該基板保持機構，係使該基板往該掃描方移動；該控制部，係進行一邊使該圖案區域及該基板同步往該掃描方向移動、一邊轉印該第1圖案之該投影像與該第2圖案之該投影像的控制。
18. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中，該投影光學系統，係於該既定方向形成倒立之該投影像；該控制部，在轉印該第1圖案之該投影像後、至轉印該第2圖案之該投影像前，使該圖案區域與該基板往該既定方向之彼此相反側移動。
19. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該圖案配置機構，係將與該圖案區域相鄰設置、於該既定方向具有大於該曝光寬度除以該放大倍率所得寬度、小於該配置間隔之區域寬度之附加圖案區域，分別相對複數個該投影 光學系統配置，且使該附加圖案區域往該既定方向移動；該控制部，係進行將設在各該附加圖案區域之第1部分附加圖案區域的第1附加圖案以該投影光學系統投影之投影像，以及設在相對該第1部分附加圖案區域、至少一部分區域在該附加圖案區內於該既定方向不同之第2部分附加圖案區域的第2附加圖案以該投影光學系統投影之投影像，依序轉印至該基板上的控制。
20. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，該圖案配置機構具有保持形成有該附加圖案區域之物體之附加圖案保持機構。
21. 如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，該圖案區域及該附加圖案區域係一體形成在光罩構件上；該圖案配置機構具有保持該光罩構件之光罩保持機構。
22. 如申請專利範圍第21項之曝光裝置，其中，該光罩保持機構具有用以支承在該圖案區域與該附加圖案區域之區域間之該光罩構件的支承部。
23. 如申請專利範圍第13項之曝光裝置，其中，該圖案區域係一體形成在光罩構件上；該圖案保持機構具有用以支承在相鄰之該圖案區域間之該光罩構件的支承部。
24. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其具備以相等於該曝光寬度之間隔排列於該既定方向、用以測量該圖案配置機構往該掃描方向之移動量的複數個雷射干涉儀。
25. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其具備將該曝光寬度往該既定方向設定為可變之光闌機構。
26. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該放大倍率至少為2倍。
27. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，複數個該投影光學系統係於該既定方向排列成一列。
28. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第12至27項中任一項之曝光裝置，將設於該圖案區域之圖案之以該投影光學系統形成之投影像，轉印至感光基板之曝光步驟；使轉印有該投影像之該感光基板顯影，以將對應該投影像之形狀之轉印圖案層，形成於該感光基板上之顯影步驟；以及透過該轉印圖案層對該感光基板進行加工之加工步驟。
29. 一種元件製造方法，其包含：藉由申請專利範圍第8或9項之曝光方法，將設於該圖案區域之圖案之該投影像、與設於該附加圖案區域之附加圖案之該投影像，依序轉印至感光基板之曝光步驟；使轉印有該圖案之該投影像與該附加圖案之該投影像之至少一方之該感光基板顯影，以將對應該圖案之該投影像與該附加圖案之該投影像之至少一方之形狀之轉印圖案層，形成於該感光基板上之顯影步驟；以及透過該轉印圖案層對該感光基板進行加工之加工步 驟。