TWI338327B - Semiconductor apparatus and clean unit thereof - Google Patents

Description

1338327 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種清潔單元，特別係有關於一種 用於清潔半導體設備之流體供應單元的清潔單元。 【先前技術】 第la圖係顯示習知的半導體設備丨，包括一旋轉盤 13、一管路17以及一喷嘴16<)該喷嘴16連接該管路17。 • 一晶圓W置於該旋轉盤13之上，且該噴嘴16以及該管 路Π對該晶圓W提供一化學流體。參照第lb圖當該 化學流體18施加於該晶圓w之上時，該旋轉盤13旋轉 該晶圓w，該晶圓w表面的化學流體18受到離心力而 飛濺。飛濺的化學流體18附著於該管路17的表面。參 照第lc圖，隨著該化學流體18在該管路17的表面累積， 該化學流體（污染物）18會滴在晶圓w之上。且由於累積 於管路17表面的化學流體18 一般會老化變質或是含有 矚微粒，因此當該化學流體18從管路17的表面滴在晶圓 W之上時，會污染該晶圓w.。 【發明内容】 轉欲解決習知技術之問題而提供之-種 +!體,又備，用以處理一晶圓，包括一平台、一流體供 應單元以及一清潔單元。平二#〆 ' 4供-第-流體’其中’該流體供應單元可以於一第 位置以及-第二位置之間移動。清潔單元提供一第二 0503-Α3 l474TWF/lemon 1338327 流體。其中，當該流體供應單元位於,該第一位置時，該 流體供應單it朝該晶圓提供該第—流體，當該流體供應 單元位於該第二位置時’該清潔單元朝該流體供應單元 的表面吹送該第二流體，以清潔該流體供應單元的表面。 本發明週期性的從該流體供應單元的表面移除污染 物，藉此，可避免晶圓遭受污染，提高產品的良率。 【實施方式】 第2a圖係顯示本發明第一實施例之半導體設備 100，其包括一平台102、一流體供應單元11〇以及一清 4單元120。一晶圓1 〇 1由該平台1 〇2支樓以及旋轉。該 流體供應早元110包括一第一管路111、一第二管路 112、一第三管路113以及一樞轉元件114。該第一管路 111、該第一管路112以及該第三管路113連接於該植轉 元件114。該清潔單元120包括一腔體121、一進氣口 122、一排氣口 123以及一排液口 125。該排氣口 123連 接於一負壓管路124，該排液口 125連接一排液管126。 該腔體包括一入口 127。 當該第一管路11卜該第二管路112以及該第三管路 113位於一第一方位A1時’該第一管路111朝該晶圓ΐ(π 提供乾燥氮氣1111，該第二管路112朝該晶圓1〇1提供 去離子水1121，該第三管路in朝該晶圓1〇1提供蝕刻 劑1131，藉以處理該晶圓1〇1。 在該第一實施例中，該半導體設備1〇〇濕蝕刻該晶 0503-Α31474TWF/lemon 6 1338327 圓，藉以在乾蝕刻製程之後，移除該晶圓表面的聚合物。 如第2b圖所顯示的，在處理完該晶圓之後，該第一 官路ill、該第二管路112以及該第三管路113移動（或 旋轉）通過入口 127到達一第二位置A2，該第二位置A2 位於該腔體121之中，此時，該第一管路m、該第二管 路112以及該第三管路113的表面附著有污染物1〇3。 參照第2c圖，該進氣口 122朝該第一管路111、該 第二管路112以及該第三管路113吹送乾燥空氣以移除 污染物103。接著，腔體丨21中的空氣經過該排氣口 123 以及該負壓管路124而排出。該污染物103從該第一管 路111、該第二管路112以及該第三管路U3被移至該腔 體121的底部，並經過該排液口 ι25被排出於該腔體ι21 之外。 該清潔單元120係由防靜電材料所構成。 本發明週期性的從該流體供應單元的表面移除污染 物’藉此’可避免晶圓遭受污染，提高產品的良率。 第3圖係顯示本發明第二實施例之半導體設備 100’ ’其包括一平台102、一流體供應單元11()以及一清 潔單元120。晶圓由該平台1〇2支撐以及旋轉。該流體供 應單元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第 三管路113以及一樞轉元件114。該第一管路ill、該第 二管路112以及該第三管路U3連接於該樞轉元件114。 該清潔單元120包括一腔體π卜複數個進氣口 122，、一 排氣口 123以及一排液口 125。該排氣口 123連接於一負 7 0503-A31474TWF/Iemon 1338327 壓管路124，該排液口 125連接一排液管126。該腔體包 括一入口 127。 在本發明的第二實施例中，該等進氣口 122，係以矩 陣排列的方式設於該腔體121的底部，以提供一均勻的 流場。 第4圖係顯示本發明第三實施例之半導體設備 100’’，其包括一平台102、一流體供應單元110以及一 清潔單元120。晶圓由該平台1〇2支撐以及旋轉。該流體 供應單元11〇包括一第一管路111、一第二管路112、一 第三管路113以及一樞轉元件114。該第一管路m、該 第一管路112以及該第三管路113連接於該樞轉元件 114。該清潔單元120包括一腔體丨2丨、複數個進氣口 122’、一排氣口 123以及一排液口 125’。該排氣口 123 連接於一負壓管路124’該排液口 125,連接一排液管 126。該腔體包括一入口 127。在該第三實施例中，該排 液口 125’呈長條形以收集並排出該污染物。 第5圖係顯示本發明第四實施例之半導體設備 100’’’，其包括一平台102、一流體供應單元110以及一 清潔單元120。晶圓由該平台102支撐以及旋轉。該流體 供應單元110包括一第一管路111、一第二管路112、一 第三管路113以及一樞轉元件114。該第一管路m、該 第二管路112以及該第三管路113連接於該樞轉元件 114。該清潔單元120包括一腔體121、複數個進氣口 122，、一排氣口 123’以及一排液口 125，。該排氣口 123, 0503-A31474TWF/lemon 8 1338327 連接於一負壓管路124，該排液口 125’連接一排液管 126。該腔體包括一入口 127。 在該第四實施例中，該排氣口 123’位於該腔體121 的頂部以提供一均勻的流場。 第6a圖係顯示本發明第五實施例之半導體設備 2〇〇，其包括一平台102、一流體供應單元210以及一清 潔單元120。一晶圓101由該平台102支撐以及旋轉。該 流體供應單元210包括一第四管路211以及一樞轉元件 214。該第四管路211連接於該樞轉元件214。該清潔單 元120包括一腔體121、一進氣口 122、一排氣口 123以 及一排液口 125。該排氣口 123連接於一負壓管路124， 該排液口 125連接一排液管126。該腔體包括一入口 127。 當該第四管路211位於一第一位置A1時，該第四管 路211朝該晶圓1〇1提供光阻2111，以在該晶圓1〇丨上 塗佈一光阻層。 在該第五實施例中，該半導體設備200在該晶圓上 塗佈一光阻層。 參照第6b圖，當該第四管路211位於腔體121中的 一第二位置A2時，該進氣口 125朝該第四管路211吹送 一乾燥空氣’以從該第四管路211的表面移除污染物 103。該腔體121中的空氣接著從該排氣口 123以及該負 壓管路124排出。該污染物1〇3被移至該腔體121的底 部’並經過該排液口 125而排出。 雖然本發明已以具體之較佳實施例揭露如上，然其 0503-A31474TWF/lemon 9 1338327 並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離 本發明之精神和範圍内，仍可作些許的更動與潤飾，因 此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 為準。

0503-A31474TWF/lemon 10 1338327 【圖式簡單說明】

導體設備； 積於習知半導體設備之表面

一管路、第二管 路以及第三管路； 第3圖係顯示本發明的第二實施例； 第4圖係顯示本發明的第三實施例； 第5圖係顯示本發明的第四實施例； 第6a圖係顯示本發明的第五實施例，其中一第四管 路位於一第一位置； 第6b圖係顯示本發明的第五實施例，其中該第四管 路位於一第二位置。 【主要元件符號說明】 1〜半導體設備； 13〜旋轉盤； 16〜噴嘴； 17〜管路； 18〜化學流體； 100、100，、100” 、100’’’、200〜半導體設備； 0503-A31474TWF/lemon 11 1338327 101〜 晶圓， 102〜 平台； 103〜 污染物； 110〜流體供應單元； 111〜 第一管路； 1111' 〜氮氣； 112〜 第二管路； 1121' 〜去離子水； 113〜 第三管路； 1131' 〜姓刻劑； 114〜 極轉元件； 120〜 清潔單元； 121〜 腔體； 122、 122’〜進氣口； 123、 123’〜排氣口； 124〜 負壓管路； 125、 125’〜排液口； 126〜 排液管； 127〜 入口； 210〜流體供應單元； 211〜 第四管路； 214〜 樞轉元件。 0503-A31474TWF/lemon 12

Claims (1)

1. 第96108004號申請專利範圍修正本 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體設備，用以處理一晶圓，包括： 一平台’支撐該晶圓； 一流體供應單元，提供一第一流體，其中，該流體 供應單元包括一流體供應管路以及一樞轉元件，該流體 供應管路連接該樞轉元件，並可以於一第一位置以及一 苐一位置之間樞轉；以及 一清潔單元； 其中’當該流體供應管路位於該第一位置時，該流 體供應官路朝該晶圓提供該第一流體，當該流體供應管 路位於該第二位置時，該流體供應管路位於該清潔單元 之中，該清潔單元清潔該流體供應管路的表面。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體設備，其中， 該清潔單元包括一腔體’一進氣口以及一排氣口，該進 氣口以及該排氣口均設於該腔體之中，當該流體供應單 元位於該第二位置時’該流體供應單元位於該腔體之中。 3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體設備，其中， 該清潔單元更包括一負壓管路，連接該排氣口。 4_如申請專利範圍第2項所述之半導體設備，其中， 該腔體包括一入口，該流體供應管路通過該入口而於該 第一位置以及該第二位置之間移動。 5·如申請專利範圍第2項所述之半導體設備，其中， 該排氣口設於該腔體的上部。 6·如申請專利範圍第2項所述之半導體設備，其中， 0503-A31474TWF1/lemon 13 1338327 第96108004號申請專利範圍修正本 修正日期：99.7.13 a亥清潔單元更包括.一排液口以及一排液管，該排液口設 於該腔體之中，該排液管連通該排液口，該腔體中的污 染物係經過該排液口以及該排液管排出於腔體。 7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體設備，其中， 該排液口設於該腔體的底部。 8. 如申請專利範圍第6項所述之半導體設備，其中， 該排液口為長條形。 9. 如申請專利範圍第2項所述之半導體設備，其中， 該腔體包括一防靜電材料。 10. 如申請專利範圍第丨項所述之半導體設備，其 中，該第一流體為蝕刻劑。 U.如申請專利範圍第1項所述之半導體設備，其 中，該第一流體為去離子水。 、 如申请專利範圍第1項所述之半導體設備，其 中，該清潔單元提供乾燥空氣。 13. 如申請專利範圍第丨項所述之半導體設備，其 中，該半導體設備清潔該晶圓。 14. 如申請專利範圍第1項所述之半導體設備，其 中，該半導體設備在該晶圓上塗佈—光阻層。 15. 如申請專利範圍第16項所述之半導體設備，豆 中，該第一流體為光阻。 ’、 16. 如中請專利範圍帛】項所述之半導體設備立 中，當該晶圓被處理時，該平台旋轉該晶圓。 ，、 17’如申請專利範圍第2項所述之半導體設備，豆 0503-A31474TWFl/lemon 14 1338327 * · , 第96108004號申請專利範圍修正本 修正日期：99.7.13 ' 中，該清潔單元提供乾燥空氣，該乾燥空氣從該進氣口 朝該流體供應單元的表面吹送以從該流體供應單元的表 面移除污染物，且該乾燥空氣經過該排氣口離開該腔體。 18. 如申請專利範圍第]項所述之半導體設備，其 中，該清潔單元包括一腔體，複數個進氣口以及一排氣 口，該等進氣口以及該排氣口均設於該腔體之中，當該 流體供應單元位於該第二位置時，該流體供應單元位於 該腔體之中。 19. 如申請專利範圍第18項所述之半導體設備，其 中，該等進氣口以矩陣型式排列於該腔體的底部。 0503-A31474TWF1 /lemon 15