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TWI338142B - Non-contact type single side probe structure - Google Patents

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TWI338142B
TWI338142B TW096125176A TW96125176A TWI338142B TW I338142 B TWI338142 B TW I338142B TW 096125176 A TW096125176 A TW 096125176A TW 96125176 A TW96125176 A TW 96125176A TW I338142 B TWI338142 B TW I338142B
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film
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insulating film
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Eun Tak
Jin Kim Seong
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Microinspection Inc
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Description

1338142 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種非接觸式單面 別地係有關於-種非接觸式單面探針=構，且更特 膜及複數導電膜被重複地堆疊，結構包括：二中複數絕緣 形成於結構的.截面的内部導電膜部分；及—& i 。被 :成於截面的外部導電膜部分’可形成探針電極以：有： 電極的間距之導電膜的厚度，從而檢測在小型 化的圖案化電極中之開路及短路。 【先前技術】 路俜=在2如資料傳輸線的多線路電徵中的開路及短 ^係u在各㈣與其他料分開後測量在 = = :，，需要兩個以上的操作員。在包二
重複的情況中，有時，線路數目遺失且檢測須被 複’仗而降低檢測可靠度並增加操作時間。 PDP^者Η如圖1所示，在平板顯示裝置1〇(例如LCD及 1路及短路可經由施加電流至各圖案化電極Μ的 -端並且測量在對應的圖案化…5的另一端上的電壓 而被檢測。又，開致芬& π /丄 a 開路及紐路可經由以顯微鏡等檢查導線而 被檢測。在圖1中，灸I_ 考數子20仏示探針方塊，且參考數 子3 0標示針式探針。 因此，為了檢測在單一 需要至少兩個探針。如此， 圖案化電極令的開路及短路， 需要許多探針且成本增加。再
5151-8990-PF 5 者’長的圖案化探針為了在 上的操作者，從 ^立置上的測量需要二個以 牦賈大垔的時間及人力。 再者，在接觸式探針的情況 圊案化電極，可能發生接觸錯誤4者為:::㈣接觸 的圖案化電極上可能產生到傷，從而導致另對象 為了解決上述問題，—# 、 為非接觸觸式單面探針，其中做 "，F接觸探針電極的一激發器一 成單一模組，被應用於一檢及一感測器電極被配置 電極時Λ 探針未接觸圖案化 圃累化電極的-端檢測開路及短路。 …圖2顯示非接觸式單面探針的截面。如圖2所示，做 為探針電極的一激發5| f· # 4 1 ’、 在截面的内部且一 = 〇被設置在被電性接地的戴 面的外和從而防止外部雜訊的影響並防止被提供至探針 電極的訊號洩漏到外部。
隨者小型化及多腳圖案化電極的趨勢探針需被小型 化以檢測在圖案化電極中的開路及短路。不過，因為探針 電極及圍繞探針電極的防護部分5"被形成在傳統的結 構中，其難以將傳統結構適用於小型化的圖案。 【發明内容】 因此，本發明係有鑑於上述問題而被製造，且本發明 之目的係在於提供一種非接觸式單面探針結構，其中複數 絕緣膜及複數導電膜被重複地堆疊，結構包括：探針電極， 被形成於結構的截面的内部導電獏部分；及一防護部分，
5151-8990-PF 6 被形成於截面的外部導電八 對應於圖案化電極的心 ^ ’可形成探針電極以具有 型化的圖荦11 Φ 臈的厚度，從而檢測在小 茶化電極令之開路及短路。 根據本發明之—特徵， 結構，包括：-㈣種非接觸式單面探針 膜及導電膜之# % Μ 5，被形成於重複堆疊的複數絕緣 π电膜之截面的内部導 成於截面的外部導電膜二電：部防護部分，被形 極;及接觸孔，二“:：導電膜部分圍繞探針電 "接探針電極及防護部分。 最好’絕緣膜及導電膜係印 刷電路板⑽Bs)。 W電路板（PCBs)或軟性印 最好’絕緣膜及導電膜係沉積形成的薄膜。 =據本發明之另_特徵，提供有一種非接觸式單面探 緣膜 i括’第—層’各自包括—絕緣膜及被沉積在絕 =膜上的一導電膜以形成一防護部分；至少一第二層，包 一絕緣膜及被沉積在絕緣膜上的一導電膜以具有在其上 人圖案化的-探針電極及一防護部分；防護接觸孔，用於 、接防》蔓刀’及電極接觸孔，用於介接探針電極，其中， 被連續地堆疊之第—展& #二 ^ 為一探針。 層的载面、第二層及第-層係被形成 最好’探針電極被圖案化成在第二層中的複數電極。 最好，探針電極係經由沉積複數第二層而變厚。 最好，絕緣膜及導電膜係印刷電路板（pCBs)或軟性印 刷電路板（FPCBs)。 最好，絕緣膜及導電膜係沉積形成的薄膜。
5151-8990-PF 上⑽142 叹π八早囟探針纟 宁，複數絕緣膜及複數導電膜被重複地堆。 抑 且 五培構包括· 采針電極，被形成於結構的截面的内部導電膜部分. 防蠖部分，被形成於截面的外部導電膜部分。因此 。 形成探針電極以具有對應於圖案化電極^ug之導電^ 厚度’從而檢測在小型化的圖案化電極中之開路及短路。、 本發明之上述及其他目的、特點及其他優點由下 細說明配合附圖將更加清楚。 【實施方式】 下面，將參考附圖說明本發明之一較佳實施例，其中， 同樣的參考數字標示實際上具有與傳統結構相同的功能之 同樣的部件。 圖3顯示根據本發明之非接觸式單面探針結構。
如圖3所不’複數絕緣膜61及複數導電膜62被重複 地堆疊。做為探針電極的一激發器電極Ο及一感測器電極 42被形成在結構㈣面的内部導電膜部分。-防護部分50 被形成在圍繞探針電極的外部導電膜部分，整個輪 廓類似於圖2所示的非接觸式單面探針結構。也就是，防 蔓卩刀被升/成在具有對應於絕緣膜61及導電膜62的厚 度之門&的外。卜做為探針電極的激發器電極4丨及感測器 電極42被形成在防護部分50内部。 電境1 00被提供以通過電極接觸孔91及防護接 觸孔92。探針電極41及42與防護部分5Q通過電瘦100
5151-8990-PF 8 1338142 介接檢查儀器’使得激發及感測係通過探針電極41及42 被執行且防護部分5 0被電性接地。 在此情況中’絕緣膜61及導電膜62可經由堆疊印刷 電路板（PCBs)或軟性印刷電路板（FPCBs)而被配置。為了形 成具有較細微線路的探針電極，絕緣膜61及導電膜62可 經由根據一半導體製造程序沉積薄膜而被形成。 圖4A及4B顯示被包括在根據本發明之非接觸式單面 探針中的層。 如圖4A所示’第一層70被設置在探針的防護部分5〇 的上部及下部。各個第一層70包括絕緣膜61及被形成在 絕緣臈61上的導電膜62。第一層70更包括用以介接激發 器電極41及感測器電極42的電極接觸孔91與用以介接防 護部分5 0的防護接觸孔9 2。 如圖4B所示，各個第二層8〇包括絕緣膜61及被形成 在絕緣膜61上的導電膜62，其中，做為探針電極的激發 器電極41及感測器電極42與防護部分50在導電膜62上 被圖案化》第二層80更包括用以介接激發器電極41及感 測器電極42的電極接觸孔9丨與用以介接防護部分5〇的防 護接觸孔9 2。 如圖3所示，探針係經由從下至上堆疊第一層、第 二層80、第二層80及第一層7〇而被形成。 在此情況中，做為探針電極的激發器電極41及感測器 電極42可經由重複地堆疊第二層8〇而變厚。 同時，如圖5所示，激發器電極41及感測器電極42
5151-8990-PF 9 133.8142 可被开ν成為雙重結構且電極接觸孔91及防護接觸孔9 2被 刀別連接至激發器電極41及感測器電極42，從而形成— 單一模組。
如上所述，在根據本發明之非接觸式單面探針結構 中，複數絕緣膜及複數導電膜被重複地堆疊，且結構包括： 探針電極，被形成於結構的截面的内部導電膜部分；及一 防濩部 >，被形成於截面的外部導電膜部分。因此，其可 形成铋針電極以具有對應於圖案化電極的間距之導電膜的 厚度’從而檢測在小型化的圖案化電極中之開路及短路。 再者，在根據本發明之非接觸式單面探針結構中，被 用以做為探針的截面係間隔特定距離或更遠地離開接觸 孔，從而對於噪音具有高耐受性。 再者’在根據本發明之非接觸式單面探針結構中，絕 緣膜及導電膜可經由根據-半導體製造程序沉積薄膜而被 开j成。如此，其可被；®用& 、 被應用至一小型化的圖案化電極。 雖然本發明的較佳實施例為 ^ ^ ^ 勺J況明已被揭露，熟知此 技衣者理解可不脫離如在伴隨 ,^ τ叫寻利範圍中被揭霪之 本發明的範疇及精神而進行各 叮合種修正、增加及替代。 【圖式簡單說明】 般的圖案化電極 中的開路及 圖1係用以說明檢測在一 短路的方法的圖式； 圖 圖 手面探針的平面圖； 係顯示根據本發明之 接觸式早面探針的透視
5151-8990-PF 1338142 圖； 圖4A及4B繪示被包括在根據本發明之非接觸式單面 探針中的各自的層；及 圖5繪示根據本發明之非接觸式單面探針的另一例 子。 【主要元件符號說明】 1 0 :平板顯示裝置； 1 5 :圖案化電極； 20 :探針方塊； 30 :針式探針； 41 :激發器電極； 42 :感測器電極； 50 :防護部分； 61 :絕緣膜； 62 :導電膜； 70 :第一層； 80 :第二層； 91 :電極接觸孔； 92 :防護接觸孔； 100 :電纜。 5151-8990-PF 11

Claims (1)

  1. 修正日期：99.9.21 耒_ 251㈣糊範圍修疋本 十、申請專利範圍： n種非接觸式單面探針結構，包括： 膜之截面沾★ 成於重複堆疊的複數絕緣膜及導電 戰面的内部導f; —防護部分，被形 導電膜部分@ @ 、截·面的外邓導電膜部分，外部 1刀圍繞探針電極；及 接觸孔，用於介接探 結構的一截面^接探針電極及防護部分，其中該探針 戳面朝向一圓案化電極。 2·如申請專利範图 構，其中，絕緣膜及道 非接觸式單面探針結 刷電路板⑽Bs)、。電膜係印刷電路板（PCBS)或軟性印 3 ’如申请專利範圍势- .構，其令，絕緣膜及導！ 非接觸式單面探針結 ，录骐及導電犋係沉積形成的薄膜。 第一:種非接觸式單面探針結構，包括：、 導電：二各自包括—絕緣膜及被沉積在絕緣膜上的一 守电犋以形成一防護部分； 〜 的第—層，包括一絕緣膜及被沉積在該絕緣腺卜 的-導電膜，其中各個該至少一第二層 二=上 化以形成-探針電極以及—防護部分;導電層經圖案 防護接觸孔，用於介接防護部分；及 電極接觸孔，用於介接探針電極， 其中’被連續地堆疊之第一層的戴面、第 層係被形成為一探針w & 曰及第一 木矸以朝向一圖案化電極。 5.如申請專利範圍第4 町非接觸式早面探針結 5142-8990X1-PF1 12 1338142 構，其令，探針電極被圖案化成在各個該至少— 夕第二層 的複數電極。 T 6. 如申請專利範圍第4項的非接觸式單面探針社 構，其中’探針電極係經由沉積複數個該至少— 變厚。 屬而 7. 如申請專利範圍第4項的非接觸式單面探針沾 構，其中’絕緣膜及導電膜係印刷電路板(pCB : 刷電路板（FPCBs)。 印 8. 如申請專利範圍第4項的非 接*上 π〜并接觸式早面探針蚨 構，其中，絕緣膜及導電膜係沉積形成的薄膜。 、’。 5142-8990X1-PF1 13
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